晶丰明源、昂宝、矽力杰与茂捷半导体替换型号

晶丰明源、昂宝、矽力杰与茂捷半导体替换型号

晶丰明源兼容型号

M8911 兼容 BP3315D 、M8911A 兼容 BP3315D 、M8912 兼容BP3316D

PSR+PFC,内置MOS，高PFC值，PSR系列，省光耦和431，节省成本空间，安全性高。

M8915 兼容BP2325A、M8916兼容BP2326A、M8918兼容BP2328A

非隔离+高PF+内置MOS，有源功率因数校正，高PF值，低THD ，效率高，多重保护功能以加强系统可靠性，包括开路保护、短路保护、芯片供电欠压保护等。变压器体积大大缩小，无输出的整流滤波等器件，减少成本。

M8919兼容BP2329A

BUCK架构，非隔离+外置MOS，与PSR相比，它的PFC值较高，效率较高，变压器体积大大缩小，无输出的整流滤波等器件，减少成本，但非隔离的是热地，安全性相对较低。

M8831兼容BP2831A、M8832兼容BP2832A、M8833兼容BP2833D、M8836兼容BP2836D 非隔离+内置MOS+单绕组，降压型恒流驱动，多重保护功能以加强系统可靠性，包括开路保护、短路保护、欠压保护等无需辅助绕组检测和供电，只需要很少的外围元件，即可实现优异的恒流特性，极大的节约了系统成本和体积。

昂宝兼容型号

M5573兼容OB2263,OB2273、M5576兼容OB2269(管脚不容）

SSR+外置MOS管，各种保护功能，待机功耗<100mW,抖频功能,65KHz,高性能PWM控制器,过温保护，欠压保护，高性能PWM控制。SSR电压电流精度高, M5576最大待机功耗〔100mW〕高效率:〔24V5A平均效率>89%〕，轻载，空载无异响声

M5358兼容OB2358

低待机功耗,抖频功能,50KHz,各种保护功能，高性能PWM控制器,SSR性能稳定，动态响应好，输出电压精度高，适用于对电压精度要求高的应用领域

M5832兼容OB2532

PSR+外置MOS，各种保护功能，PSR成本低，节省PCB板上空间，省掉光耦和431,节省成本

M5835兼容OB2535、M5836兼容OB2536、M5838兼容OB2538

PSR内置MOS有线补功能，各种保护功能，PSR成本低，节省PCB板上空间，省掉光耦和431,节省成本

矽力杰兼容型号

M8900兼容SY5800(管脚不容）,SY5840(管脚不容），M8910兼容SY5810,SY5820，SY5830 PSR+PFC,外置MOS，驱动性更强，PF>0.9,内置LED短路和开路保护，高效率，隔离式

M8914兼容SY5814,SY5824

BUCK架构，非隔离+外置MOS，与PSR相比，它的PFC值较高，效率较高，变压器体积

大大缩小，无输出的整流滤波等器件，减少成本，但非隔离的是热地，安全性相对较低。

南航电气硕士2013就业情况

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实验一 半导体材料的缺陷显示及观察资料讲解

实验一半导体材料的缺陷显示及观察

实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢2

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构

的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，

半导体测试技术实践

半导体测试技术实践总结报告 一、实践目的 半导体测试技术及仪器集中学习是在课堂结束之后在实习地集中的实践性教学，是各项课间的综合应用，是巩固和深化课堂所学知识的必要环节。学习半导体器件与集成电路性能参数的测试原理、测试方法，掌握现代测试设备的结构原理、操作方法与测试结果的分析方法，并学以致用、理论联系实际，巩固和理解所学的理论知识。同时了解测试技术的发展现状、趋势以及本专业的发展现状，把握科技前进脉搏，拓宽专业知识面，开阔专业视野，从而巩固专业思想，明确努力方向。另外，培养在实际测试过程中发现问题、分析问题、解决问题和独立工作的能力，增强综合实践能力，建立劳动观念、实践观念和创新意识，树立实事求是、严肃认真的科学态度，提高综合素质。 二、实践安排（含时间、地点、内容等） 实践地点：西安西谷微电子有限责任公司 实践时间：2014年8月5日—2014年8月15日 实践内容：对分立器件，集成电路等进行性能测试并判定是否失效 三、实践过程和具体内容 西安西谷微电子有限责任公司专业从事集成电路测试、筛选、测试软硬件开发及相关技术配套服务，测试筛选使用标准主要为GJB548、GJB528、GJB360等。 1、认识半导体及测试设备

在一个器件封装之后，需要经过生产流程中的再次测试。这次测试称为“Final test”（即我们常说的FT测试）或“Package test”。在电路的特性要求界限方面，FT测试通常执行比CP测试更为严格的标准。芯片也许会在多组温度条件下进行多次测试以确保那些对温度敏感的特征参数。商业用途（民品）芯片通常会经过0℃、25℃和75℃条件下的测试，而军事用途（军品）芯片则需要经过-55℃、25℃和125℃。 芯片可以封装成不同的封装形式，图4显示了其中的一些样例。一些常用的封装形式如下表： DIP： Dual Inline Package (dual indicates the package has pins on two sides) 双列直插式 CerDIP：Ceramic Dual Inline Package 陶瓷 PDIP： Plastic Dual Inline Package 塑料 PGA： Pin Grid Array 管脚阵列

【CN209496332U】一种电源管理系统【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920426318.4 (22)申请日 2019.03.29 (73)专利权人 矽力杰半导体技术（杭州）有限公 司 地址 310051 浙江省杭州市滨江区西兴街 道联慧街6号 (72)发明人 陈建淳　王忠富　 (51)Int.Cl. G06F 1/26(2006.01) (54)实用新型名称 一种电源管理系统 (57)摘要 公开了一种电源管理系统，主电源管理单元 通过通信接口与至少一个子电源管理单元连接， 以实现同步控制，从而使得控制方式灵活，可以 方便地增加子电源管理单元而无需改变具体电 路，同时减少引脚的数量， 节省芯片体积与成本。权利要求书1页 说明书3页 附图4页CN 209496332 U 2019.10.15 C N 209496332 U

权　利　要　求　书1/1页CN 209496332 U 1.一种电源管理系统，其特征在于，包括： 至少一个子电源管理单元，以实现功率转换；以及 主电源管理单元，被配置通过通信接口实现与所述至少一个子电源管理单元的同步控制。 2.根据权利要求1所述的电源管理系统，其特征在于，所述电源管理系统还包括： 通用寄存器，用于存储指令信息，从而控制所述至少一个子电源管理单元与所述主电源管理单元的工作状态。 3.根据权利要求2所述的电源管理系统，其特征在于，所述通用寄存器与所述主电源管理单元位于同一封装体中。 4.根据权利要求2所述的电源管理系统，其特征在于，所述主电源管理单元可以访问通用寄存器中的数据并写入所述至少一个子电源管理单元，从而实现同步控制。 5.根据权利要求1所述的电源管理系统，其特征在于，所述至少一个子电源管理单元包括升压拓扑、降压拓扑或升降压拓扑。 6.根据权利要求1所述的电源管理系统，其特征在于，所述至少一个子电源管理单元独立于所述主电源管理单元而封装。 2

华科电气就业统计

声明：以下数据来源于白云黄鹤，我按时间顺序整理了下。仅做参考，含一定隐私因素，请不要大肆传播。 @13华科电气考研群226529052 【2009届硕士】 电工理论与新技术曾××男统分广东电网公司佛山供电局电工理论与新技术陈××男统分广东省佛山电力设计院有限公司 电工理论与新技术陈××男统分广东天联工程有限公司 电工理论与新技术马××女统分国网电力科学研究院 电工理论与新技术黎××男统分湖南省电力公司超高压管理局 电工理论与新技术张××男统分华中科技大学录博 电工理论与新技术沈××男统分江苏省电力公司常州供电公司 电工理论与新技术叶××男统分南京供电公司 电工理论与新技术李××男统分山特电子（深圳）有限公司电机与电器杨××男统分阿海珐电力自动化有限公司 电机与电器刘××男统分东方电气集团东方电机有限公司 电机与电器肖××男统分东方电气集团东方电机有限公司 电机与电器李××男统分广东省电力工业局试验研究所 电机与电器王××男统分广东省信息技术应用研究所 电机与电器吴××男统分国电南京自动化股份有限公司 电机与电器国××男统分国网电力科学研究院 电机与电器赵××男统分国网电力科学研究院 电机与电器唐××男统分湖北省电力公司宜昌供电公司 电机与电器邓××男统分湖南送变电勘察设计咨询有限公司电机与电器程××男统分华中科技大学录博 电机与电器段××男统分华中科技大学录博 电机与电器刘××男统分华中科技大学录博 电机与电器刘××男统分华中科技大学录博 电机与电器冯××女统分华中科技大学录博 电机与电器曾××男统分华中科技大学录博

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矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_招标190923

招标投标企业报告 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司

本报告于 2019年9月23日 生成 您所看到的报告内容为截至该时间点该公司的数据快照 目录 1. 基本信息：工商信息 2. 招投标情况：招标数量、招标情况、招标行业分布、投标企业排名、中标企业 排名 3. 股东及出资信息 4. 风险信息：经营异常、股权出资、动产抵押、税务信息、行政处罚 5. 企业信息：工程人员、企业资质 * 敬启者：本报告内容是中国比地招标网接收您的委托，查询公开信息所得结果。中国比地招标网不对该查询结果的全面、准确、真实性负责。本报告应仅为您的决策提供参考。

一、基本信息 1. 工商信息 企业名称：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司统一社会信用代码：91330100673960735E 工商注册号：330100400019553组织机构代码：673960735 法定代表人：Wei Chen成立日期：2008-04-22 企业类型：有限责任公司(外国法人独资)经营状态：存续 注册资本：6852万美元 注册地址：浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室 营业期限：2008-04-22 至 2028-04-21 营业范围：技术开发、技术服务、成果转让：系统集成，集成电路及模块，半导体，电子产品；生产、测试、安装：高功率密度、高效率单片电源芯片；销售自产产品（国家禁止和限制的项目除外，涉及许可证的凭证经营）。 联系电话：*********** 二、招投标分析 2.1 招标数量 企业招标数： 个 （数据统计时间：2017年至报告生成时间）2

半导体材料的发展简史

半导体材料的发展简史 半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体工业的发展具有极大的影响。如果按化学成分及内部结构，半导体材料大致可以分为以下几类：一是元素半导体材料，包括锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)、硼(B)等。20世纪50年代，锗在半导体工业中占主导地位，但锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到20世纪60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件。因此，硅已成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。二是化合物半导体，它是由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类很多，重要的有砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硫化镉(CdS)等。其中砷化镓是除硅之外研究最深入、应用最广泛的半导体材料。由于砷化镓是一种直接带隙的半导体材料，并且具有禁带宽度宽、电子迁移率高的优点，因而砷化镓材料不仅可直接研制光电子器件，如发光二极管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器、红外探测器和高效太阳能电池等，而且在微电子方面，以半绝缘砷化镓(Si-GaAs)为基体，用直接离子注入自对准平面工艺研制的砷化镓高速数字电路、微波单片电路、光电集成电路、低噪声及大功率场效应晶体管，具有速度快、频率高、低功耗和抗辐射等特点。碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。氮化镓材料是近十年才成为研究热点，它是一种宽禁带半导体材料（Eg＝3.4eV），具有纤锌矿结构的氮化镓属于直接跃迁型

实验一半导体材料的缺陷显示及观察

实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 当腐蚀条件为铬酸腐蚀剂时，<100>晶面上呈正方形蚀坑，<110>晶面上呈菱形或矩形蚀坑，<111>晶面上呈正三角形蚀坑。（见图1）。

晶丰明源、昂宝、矽力杰与茂捷半导体替换型号

晶丰明源、昂宝、矽力杰与茂捷半导体兼容型号 晶丰明源兼容型号 M8900兼容BP3319M PSR+PFC,外置MOS，驱动性更强，PF>0.9,内置LED短路和开路保护，高效率，隔离式 M8911 兼容 BP3315D 、M8911A 兼容 BP3315D 、M8912 兼容BP3316D PSR+PFC,内置MOS，高PFC值，PSR系列，省光耦和431，节省成本空间，安全性高。 M8915 兼容BP2325A、M8916兼容BP2326A、M8918兼容BP2328A 非隔离+高PF+内置MOS，有源功率因数校正，高PF值，低THD ，效率高，多重保护功能以加强系统可靠性，包括开路保护、短路保护、芯片供电欠压保护等。变压器体积大大缩小，无输出的整流滤波等器件，减少成本。 M8919兼容BP2329A BUCK架构，非隔离+外置MOS，与PSR相比，它的PFC值较高，效率较高，变压器体积大大缩小，无输出的整流滤波等器件，减少成本，但非隔离的是热地，安全性相对较低。 M8831兼容BP2831A、M8832兼容BP2832A、M8833兼容BP2833D、M8836兼容BP2836D 非隔离+内置MOS+单绕组，降压型恒流驱动，多重保护功能以加强系统可靠性，包括开路

保护、短路保护、欠压保护等无需辅助绕组检测和供电，只需要很少的外围元件，即可实现优异的恒流特性，极大的节约了系统成本和体积。 昂宝兼容型号 M5573兼容OB2263,OB2273、M5576兼容OB2269(管脚不容） SSR+外置MOS管，各种保护功能，待机功耗<100mW,抖频功能,65KHz,高性能PWM控制器,过温保护，欠压保护，高性能PWM控制。SSR电压电流精度高, M5576最大待机功耗〔100mW〕高效率:〔24V5A平均效率>89%〕，轻载，空载无异响声 M5358兼容OB2358 低待机功耗,抖频功能,50KHz,各种保护功能，高性能PWM控制器,SSR性能稳定，动态响应好，输出电压精度高，适用于对电压精度要求高的应用领域 M5832兼容OB2532 PSR+外置MOS，各种保护功能，PSR成本低，节省PCB板上空间，省掉光耦和431,节省成本 M5835兼容OB2535、M5836兼容OB2536、M5838兼容OB2538 PSR内置MOS有线补功能，各种保护功能，PSR成本低，节省PCB板上空间，省掉光耦和431,节省成本

常规材料测试技术模板

常规材料测试技术 一、适用客户: 半导体, 建筑业, 轻金属业, 新材料, 包装业, 模具业, 科研机构, 高校, 电镀, 化工, 能源, 生物制药, 光电子, 显示器。 主要实验室 二、金相实验室 ?LeicaDM/RM光学显微镜 主要特性: 用于金相显微分析, 可直观检测金属材料的微观组织, 如原材料缺陷、偏析、初生碳化物、脱碳层、氮化层及焊接、冷加工、铸造、锻造、热处理等等不同状态下的组织组成, 从而判断材质优劣。须进行样品制备工作, 最大放大倍数约1400倍。 ?Leica体视显微镜 主要特性: 1、用于观察材料的表面低倍形貌, 初步判断材质缺陷; 2、观察断口的宏观断裂形貌, 初步判断裂纹起源。 ?热振光模拟显微镜 ?图象分析仪 ?莱卡DM/RM显微镜附CCD数码照相装置 三、电子显微镜实验室

?扫描电子显微镜(附电子探针)(JEOLJSM5200, JOELJSM820, JEOLJSM6335) 主要特性: 1、用于断裂分析、断口的高倍显微形貌分析, 如解理断裂、疲劳断裂( 疲劳辉纹) 、晶间断裂( 氢脆、应力腐蚀、蠕变、高温回火脆性、起源于晶界的脆性物、析出物等) 、侵蚀形貌、侵蚀产物分析及焊缝分析。 2、附带能谱, 用于微区成分分析及较小样品的成分分析、晶体学分析, 测量点阵参数/合金相、夹杂物分析、浓度梯度测定等。 3、用于金属、半导体、电子陶瓷、电容器的失效分析及材质检验、放大倍率: 10X—300,000X; 样品尺寸: 0.1mm—10cm; 分辩率:1—50nm。 ?透射电子显微镜( 菲利蒲CM-20,CM-200) 主要特性: 1、需进行试样制备为金属薄膜, 试样厚度须<200nm。用于薄膜表面科学分析, 带能谱, 可进行化学成分分析。 2、有三种衍射花样: 斑点花样、菊池线花样、会聚束花样。斑点花样用于确定第二相、孪晶、有序化、调幅结构、取向关系、成象衍射条件。菊池线花样用于衬度分析、结构分析、相变分析以及晶体精确取向、布拉格位移矢量、电子波长测定。会聚束花样用于测定晶体试样厚度、强度分布、取向、点群?XRD-Siemens500—X射线衍射仪

半导体材料发展史

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。 在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。 前言 自从有人类以来，已经过了上百万年的岁月。社会的进步可以用当时人类使用的器物来代表，从远古的石器时代、到铜器，再进步到铁器时代。现今，以硅为原料的电子元件产值，则超过了以钢为原料的产值，人类的历史因而正式进入了一个新的时代，也就是硅的时代。硅所代表的正是半导体元件，包括记忆元件、微处理机、逻辑元件、光电元件与侦测器等等在内，举凡电视、电话、电脑、电冰箱、汽车，这些半导体元件无时无刻都在为我们服务。 硅是地壳中最常见的元素，许多石头的主要成分都是二氧化硅，然而，经过数百道制程做出的积体电路，其价值可达上万美金；把石头变成硅晶片的过程是一项点石成金的成就，也是近代科学的奇蹟！ 在日本，有人把半导体比喻为工业社会的稻米，是近代社会一日不可或缺的。在国防上，惟有扎实的电子工业基础，才有强大的国防能力，1991年的波斯湾战争中，美国已经把新一代电子武器发挥得淋漓尽致。从1970年代以来，美国与日本间发生多次贸易摩擦，但最后在许多项目美国都妥协了，但是为了半导体，双方均不肯轻易让步，最后两国政府慎重其事地签订了协议，足证对此事的重视程度，这是因为半导体工业发展的成败，关系着国家的命脉，不可不慎。在台湾，半导体工业是新竹科学园区的主要支柱，半导体公司也是最赚钱的企业，台湾如果要成为明日的科技硅岛，半导体工业是我们必经的途径。 半导体的起源 在二十世纪的近代科学，特别是量子力学发展知道金属材料拥有良好的导电与导热特性，而

半导体材料测量原理与方法

半导体材料测量(measurement for semiconductor material) 用物理和化学分析法检测半导体材料的性能和评价其质量的方法。它对探索新材料、新器件和改进工艺控制质量起重要作用。在半导体半barl材料制备过程中，不仅需要测量半导体单晶中含有的微量杂质和缺陷以及表征其物理性能的特征参数，而且由于制备半导体薄层和多层结构的外延材料，使测量的内容和方法扩大到薄膜、表面和界面分析。半导体材料检测技术的进展大大促进了半导体科学技术的发展。半导体材料测量包括杂质检测、晶体缺陷观测、电学参数测试以及光学测试等方法。 杂质检测半导体晶体中含有的有害杂质，不仅使晶体的完整性受到破坏，而且也会严重影响半导体晶体的电学和光学性质。另一方面，有意掺入的某种杂质将会改变并改善半导体材料的性能，以满足器件制造的需要。因此检测半导体晶体中含有的微量杂质十分重要。一般采用发射光谱和质谱法，但对于薄层和多层结构的外延材料，必须采用适合于薄层微区分析的特殊方法进行检测，这些方法有电子探针、离子探针和俄歇电子能谱。半导体晶体中杂质控制情况见表1。 表1半导体晶体中杂质检测法 晶体缺陷观测半导体的晶体结构往往具有各向异性的物理化学性质，因此，必须根据器件制造的要求，生长具有一定晶向的单晶体，而且要经过切片、研磨、抛光等加工工艺获得规定晶向的平整而洁净的抛光片作为外延材料或离子注入的衬底材料。另一方面，晶体生长或晶片加工中也会产生缺陷或损伤层，它会延伸到外延层中直接影响器件的性能，为此必须对晶体的结构及其完整性作出正确的评价。半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法见表2。 表2半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法

半导体材料简介

半导体材料简介半 邝荣初5801310012 环境与化学工程学院制药工程101班制药工程 摘要：本文对半导体科学与技术有一个概括性的介绍。内容涉及半导体的定义 其基本特性的描述以及种类，重点介绍了硅材料，宽带隙半导材料，低维半导体材料体。 关键词：半导体概念种类硅材料硅材料低维半导体材料 一、半导体的概念：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数 的物质。半导体自室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而增大，这与金属导体恰好相反。凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。电阻率特性、导电特性、光电特性、负的电阻率温度特性和整流特性是半导体的五大特性。 二、半导体材料的种类：半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性 能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。 三、重要半导体材料 1、硅材料：硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶 硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm 者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.12电子伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米2/伏·秒，空穴迁移率为480厘米2/伏·秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×105欧·厘米,掺杂后电阻率可控制在104～10-4 欧·厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性，使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、效率高、使

史上最全的半导体材料工艺设备汇总

小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。 1、单晶炉 设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。 主要企业（品牌）： 国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。 国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司。

2、气相外延炉 设备名称： 设备功能： 的关系。 国际：美国Ku 国内： 3、分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）

设备名称： 设备功能： 国际：法国Omicron 公司、德国 国内： 4、氧化炉（VDF）

设备名称：设备功能：国际：英国Thermco 公司、德国Centrothermthermal solutions GmbH Co.KG 公司。 国内：北京七星华创、青岛福润德、中国电子科技集团第四十八所、青岛旭光仪表设备有限公司、中国电子科技集团第四十五所。 5、低压化学气相淀积系统（LPCVD ，Low Pressure Chemical Vapor Deposition System ）

设备名称：设备功能：国际：国内： 6、等离子体增强化学气相淀积系统（PECVD ，Plasma Enhanced CVD ）

设备名称：设备功能：国际：美国 国内：7

半导体测试技术复习_图文(精)

什么是半导体测试/表征技术： 半导体测试技术是现代微电子和光电子器件不可缺少的“推进器”。半导体表征或更广泛的说材料表征是工艺开发和制造过程中不可缺少的有机组成部分，它被描述成用来确定材料和器件的结构、组分、性质和性能以及它们之间相互关系的一系列相互交叉的活动。 第一章 电阻率(RESISTIVITY 电阻率ρ对于从原材料到器件的每一步来说都非常重要对于硅晶体生长： z硅晶体生长过程中（单晶、多晶），分凝，生长条件的变化。。。 z外延硅片的外延层电阻率非常均匀。 对于器件： zThe device series resistance, capacitance, threshold voltage, hot carrier degradation of MOS devices, and other parameters. zDiffusion and ion implantation等工艺都将影响硅片的局部电阻率。 §1. 简介 ?电阻率依赖于自由电子浓度n 和空穴浓度p , 电子和空穴的迁移率（ μμp ）。如下式，

§2. 两探针和四探针法 ?Two-point probe：(图1a 易于实现和操作，结果准确性较差。 ?four-point probe：(图1b 绝对测量手段，精确，无需校准。可作为其他方法的测试标准。 device under test (DUT. 电压测试单独利用另外两个接触探针。由于电压计 高电阻(around 1012ohms or higher，分路电流极 小，R W 和R C 对电压测试的影响可忽略。 as Kelvin measurements , after Lord Kelvin.

半导体材料与器件测试技术实验指导书讲述

《半导体材料与器件测试技术》 课程实验指导书 光电工程学院 2012年8月

实验一 半导体电阻率和方阻测量的研究 一 、实验意义 电阻率是半导体材料的重要电学参数之一, 可以反映出半导体内浅能级替位杂质浓度，薄层电阻是表征半导体掺杂浓度的一个重要工艺参数。测量电阻率与薄层电阻的方法很多，如二探针法、扩展电阻法等。而四探针法是目前广泛采用的标准方法，它具有操作方便，精度较高，对样品的几何形状无严格要求等特点。 二、实验目的 1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理； 2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法； 3、能对给定的物质进行实验，并对实验结果进行分析、处理。 三、实验原理 测 量 原理： 将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上，在 1、4 探针间通以电流 I(mA)，2、3 探针间就产生一定的电压 V(mV)(如图1)。测量此电压并根据测量方式和样品的尺寸不同，可分别按以下公式计算样品的电阻率、方块电阻、电阻： ` ①. 薄圆片(厚度≤4mm)电阻率： ?= I V ρ F （D/S ）╳ F （W/S ）╳ W ╳ Fsp Ω·cm …(1) 图１.直线四探针法测试原理图

其中：D —样品直径，单位：cm 或mm ，注意与探针间距S 单位一致； S —平均探针间距，单位：cm 或mm ，注意与样品直径D 单位一致(四探针头合格证上的S 值)； W —样品厚度，单位：cm ，在F(W/S)中注意与S 单位一致； Fsp —探针间距修正系数(四探针头合格证上的F 值)； F(D/S)—样品直径修正因子。当D →∞时，F(D/S)=4.532，有限直径下的F(D/S)由附表B 查出： F(W/S)—样品厚度修正因子。W/S<0.4时，F(W/S)=1；W/S>0.4时，F(W/S)值由附表C 查出； I —1、4探针流过的电流值，选值可参考表5.2(第6页表5.2)； V —2、3探针间取出的电压值，单位mV ； ②. 薄层方块电阻Ｒ□： Ｒ□＝ ?I V F （D/S ）╳F （W/S ）╳ Fsp Ω/□ …(2) 其中：D —样品直径，单位：cm 或mm ，注意与探针间距S 单位一致； S —平均探针间距，单位：cm 或mm ，注意与样品直径D 单位一致(四探针头合格证上的S 值)； W —样品厚度，单位：cm ，在F(W/S)中注意与S 单位一致； Fsp —探针间距修正系数(四探针头合格证上的F 值)； F(D/S)—样品直径修正因子。当D →∞时，F(D/S)=4.532，有限直径下的F(D/S)由附表B 查出： F(W/S)—样品厚度修正因子。W/S<0.4时，F(W/S)=1；W/S>0.4时，F(W/S)值由附表C 查出； I —1、4探针流过的电流值，选值可参考表5.1(第6页表5.1)； V —2、3探针间取出的电压值，单位mV ； ①双面扩散层方块电阻Ｒ□ 可按无穷大直径处理，此时F(D/S)=4.532，由于扩散层厚度W 远远小于探针间距，故F(W/S)=1，此时 Ｒ□=4.532? I V ?Fsp ②单面扩散层、离子注入层、反型外延层方块电阻 此时F(D/S)值应根据D/S 值从附表C 中查出。另外由于扩散层、注入层厚度W 远远小于探针间距，故F(W/S)=1，此时有 Ｒ□＝ ?I V F （D/S ）?Fsp ③. 棒材或厚度大于 4mm 的厚片电阻率ρ： 当探头的任一探针到样品边缘的最近距离不小于 4S 时，测量区的电阻率为： C I V ?= ρ Ω· cm …(3) 其中：C ＝2πS 为探针系数，单位：cm (四探针头合格证上的C 值)； S 的取值来源于:1/S=（1/S1 +1/S3 –1/(S1+S3) –1/(S2+S3)），S1为(1-2)针、S2为(2-3)针、 S3 为(3-4)针的间距，单位：cm ； I —1、4探针流过的电流值，单位mA,选值可参考表5.2(第6页表5.2)； V —2、3探针间取出的电压值，单位mV ； ④. 电阻的测量： 应用恒流测试法，电流由样品两端流入同时测量样品两端压降。样品的电阻为： I V R = Ω (3)

半导体材料介绍

《功能材料论》论文 --半导体材料介绍 班级：09050102 学号：28 姓名：李华林

半导体材料介绍 学号：0905010228 姓名：李华林 摘要：本文主要介绍半导体材料的发展、分类、一些特性参数和制备工艺以及半导体材料在生活中的应用。半导体在我们的日常生活中应用很广泛，半导体材料的一些 结构和参数决定了它的特性。以非晶硅a-Si:H为例，它就是一种半导体材料中的 非晶态半导体，其结构和性能决定了它在制作太阳能电池方面的应用。现在人们 现在研究了有关它的一些性质，并研究和改善它的一些缺点，例如疲劳效应、载 流子的寿命短和扩速长度小等。 关键词：半导体材料；导电能力；载流子；电阻率；电子；空穴；薄膜。 半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。 半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、二元化合物半导体、多元化合物半导体和非晶态半导体与有机半导体。 半导体的发展与器件紧密相关。可以说电子工业的发展的半导体器件对材料的需求是促进半导体材料研究和开拓的强大动力；而材料质量的提高和新型半导体材料的出现，又优化了半导体器件的性能。 1941年用多晶硅制成检波器，是半导体材料的开始，1948-1950年用切克劳斯基法成功拉出了锗单晶，并用它制成了世界第一个具有放大性能的锗晶体三极管。1951年用四氯化硅锌还原法制出了多晶硅；第二年用直拉法成功的拉出了世界上第一根硅单晶；同年制出了硅结型晶体管，从而大大推进了半导体材料的广泛应用和半导体器件的飞速发展。 60年代初，出现了硅单晶薄层外延技术，特别是硅平面工艺和平面晶体管的出现，以及相继出现的硅集成电路，对半导体材料质量提出了更高的要求，促使硅材料在提纯、拉晶、区熔等单晶制备方法方面进一步改进和提高，

半导体材料测试技术

常规材料测试技术 一、适用客户： 半导体，建筑业，轻金属业，新材料，包装业，模具业，科研机构，高校，电镀，化工，能源，生物制药，光电子，显示器。 二、金相实验室 ? Leica DM/RM 光学显微镜 主要特性：用于金相显微分析，可直观检测金属材料的微观组织，如原材料缺陷、偏析、初生碳化物、脱碳层、氮化层及焊接、冷加工、铸造、锻造、热处理等等不同状态下的组织组成，从而判断材质优劣。须进行样品制备工作，最大放大倍数约1400倍。 ? Leica 体视显微镜 主要特性： 1、用于观察材料的表面低倍形貌，初步判断材质缺陷； 2、观察断口的宏观断裂形貌，初步判断裂纹起源。 ? 热振光模拟显微镜 ? 图象分析仪 ? 莱卡DM/RM 显微镜附CCD数码照相装置 三、电子显微镜实验室 ? 扫描电子显微镜(附电子探针) (JEOL JSM5200，JOEL JSM820，JEOL JSM6335) 主要特性： 1、用于断裂分析、断口的高倍显微形貌分析，如解理断裂、疲劳断裂（疲劳辉纹）、晶间断裂（氢脆、应力腐蚀、蠕变、高温回火脆性、起源于晶界的脆性物、析出物等）、侵蚀形貌、侵蚀产物分析及焊缝分析。 2、附带能谱，用于微区成分分析及较小样品的成分分析、晶体学分析，测量点阵参数/合金相、夹杂物分析、浓度梯度测定等。 3、用于金属、半导体、电子陶瓷、电容器的失效分析及材质检验、放大倍率：10X—300,000X；样品尺寸：0.1mm—10cm；分辩率:1—50nm。 ? 透射电子显微镜（菲利蒲CM-20,CM-200） 主要特性： 1、需进行试样制备为金属薄膜，试样厚度须<200nm。用于薄膜表面科学分析，带能谱，可进行化学成分分析。 2、有三种衍射花样：斑点花样、菊池线花样、会聚束花样。斑点花样用于确定第二相、孪晶、有序化、调幅结构、取向关系、成象衍射条件。菊池线花样用于衬度分析、结构分析、相变分析以及晶体精确取向、布拉格位移矢量、电子波长测定。会聚束花样用于测定晶体试样厚度、强度分布、取向、点群 ? XRD-Siemens500—X射线衍射仪