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LGA是封装技术

所谓“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。LGA775是INTEL

新一代的核心封装技术。LGA全称是Land Grid Array，直译过来就是栅格阵列封装，与英

特尔处理器之前的封装技术Socket 478相对应，它也被称为Socket T。说它是“跨越性的技

术革命”，主要在于它用金属触点式封装取代了以往的针状插脚。而LGA775，顾名思义，

就是有775个触点。

以CPU为例，我们实际看到的体积和外观并不是真正的CPU内核的大小和面貌，而是CPU

内核等元件经过封装后的产品。

封装对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的

杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。

由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB（印制电路板）

的设计和制造，因此它是至关重要的。封装也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，

它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世

界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印

刷电路板上的导线与其他器件建立连接。因此，对于很多集成电路产品而言，封装技术都是

非常关键的一环。

目前采用的CPU封装多是用绝缘的塑料或陶瓷材料包装起来，能起着密封和提高芯片电热

性能的作用。由于现在处理器芯片的内频越来越高，功能越来越强，引脚数越来越多，封装

的外形也不断在改变。封装时主要考虑的因素：

芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1

引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能

基于散热的要求，封装越薄越好

作为计算机的重要组成部分，CPU的性能直接影响计算机的整体性能。而CPU制造工艺的

最后一步也是最关键一步就是CPU的封装技术，采用不同封装技术的CPU，在性能上存在

较大差距。只有高品质的封装技术才能生产出完美的CPU产品。

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LGA775处理器多的不仅是针脚

类型：无作者：中关村在线报道日期：2004-10-26 15:11:45

继发布新一代平台后，Intel推出了LGA775封装的P4处理器。这场被业界称为跨越性的技术革命，究竟能为用户带来什么样的变化和感受？它与Socket 478的处理器有何区别呢？

● 何为LGA775

LGA（Land Grid Array，栅格阵列封装）即Socket T，它是一种全新的处理器封装接口。与现在的Socket 478接口相比，Socket T 最明显的区别就是没有了以往的针状插脚，而是采用金属触点式封装，LGA775共有775个触点。在安装方式上，采用LGA775接口的处理器与现在的产品也有很大的不同，它并不能利用针脚固定接触，而是需要一个安装扣架固定，让CPU可以正确压在Socket露出来的具有弹性的触须上，其原理就像BGA封装一样，只不过BGA是用锡焊死，而LGA则是可以随时解开扣架更换芯片。

外形和安装上的区别显然不是LGA775的全部。在今后的数年中，我们可能都将在Socket T平台上工作和娱乐。这一变革为我们带来的好处至少有如下几点：

● 提升处理器频率

LGA的封装接口支持底层和主板之间的直接连接，而且可以均衡分担信号，对频率的提升很有益处，能够使CPU在不提高成本的情况下加大针脚的密度，将为处理器和主板的发展提供更大的空间，处理器的频率将在此架构上继续提升，突破Socket 478的瓶颈。

以往的处理器都采用针脚与插座相连，由于针脚会产生额外的信号噪声，有效的信号自然会受到影响；而针脚的数量越多、CPU工作频率越高，针脚所产生的信号噪声就越严重，这是限制CPU实现高频率的一大障碍。由于这是针脚方式与生俱来的缺陷，要克服噪声的影响，突破这一障碍，更换连接方式是不错的选择。

在Prescott采用LGA封装后，Intel陆续推出了几款高频率的处理器，如Pentium 4 540（3.20 GHz）、Pentium 4 550（3.40 GHz）、Pentium 4 560（3.60 GHz），4 GHzP4处理器也将于今年年底发布。尽管处理器的主频并不完全决定性能，但显然是最重要的性能参数。频率越高，单位时间运算次数越多，用户也能享受更快的速度，许多曾经无法想象的应用成为现实。

●为64bit时代到来打下基础

不久的将来，普通用户也能体验只有服务器才具备的64位平台了。0.09微米的Prescott核心Xeon已经开放了64bit技术，高端桌面处理器普及64bit也指日可待。实际上，目前市面上的Prescott核心的P 4已经内置了64bit技术，只是大多没有开放。2004年第二季度，Intel发布了桌面版64位P4 F，它同时支持64位和32位计算，能在LGA 775平台上发挥出更出色的性能。

64位处理器在单位时间能完成更多的数据处理和传输任务，需要更多的针脚与系统总线连接，目前的Socket 478平台已经不能满足要求了。而如果仍然使用针脚连接方式，针脚数目大量增加的话，处理器基板面积必将增大，这样主板的PCB需要更大的面积。Socekt T的出现，使得处理器基板上可以安放更密集的接触点，而不用担心针脚的损坏。所以，为迎接64bit时代到来，LGA 775已经提前做好准备。

●搭配主板新技术

LGA775 代表的不仅仅是CPU 封装、针脚的改变，更是整个PC 平台架构的大变革。包括DDR2 内存、PCI Express 总线等新

电子封装技术发展现状及趋势

电子封装技术发展现状及趋势摘要电子封装技术是系统封装技术的重要内容，是系统封装技术的重要技术基础。它要求在最小影响电子芯片电气性能的同时对这些芯片提供保护、供电、冷却、并提供外部世界的电气与机械联系等。本文将从发展现状和未来发展趋势两个方面对当前电子封装技术加以阐述，使大家对封装技术的重要性及其意义有大致的了解。引言集成电路芯片一旦设计出来就包含了设计者所设计的一切功能，而不合适的封装会使其性能下降，除此之外，经过良好封装的集成电路芯片有许多好处，比如可对集成电路芯片加以保护、容易进行性能测试、容易传输、容易检修等。因此对各类集成电路芯片来说封装是必不可少的。现今集成电路晶圆的特征线宽进入微纳电子时代，芯片特征尺寸不断缩小，必然会促使集成电路的功能向着更高更强的方向发展，这就使得电子封装的设计和制造技术不断向前发展。近年来，封装技术已成为半导体行业关注的焦点之一，各种封装方法层出不穷，实现了更高层次的封装集成。本文正是要从封装角度来介绍当前电子技术发展现状及趋势。

正文近年来，我国的封装产业在不断地发展。一方面，境外半导体制造商以及封装代工业纷纷将其封装产能转移至中国，拉动了封装产业规模的迅速扩大；另一方面，国内芯片制造规模的不断扩大，也极大地推动封装产业的高速成长。但虽然如此，IC的产业规模与市场规模之比始终未超过20%，依旧是主要依靠进口来满足国内需求。因此，只有掌握先进的技术，不断扩大产业规模，将国内IC产业国际化、品牌化，才能使我国的IC产业逐渐走到世界前列。新型封装材料与技术推动封装发展，其重点直接放在削减生产供应链的成本方面，创新性封装设计和制作技术的研发倍受关注，WLP 设计与TSV技术以及多芯片和芯片堆叠领域的新技术、关键技术产业化开发呈井喷式增长态势，推动高密度封测产业以前所未有的速度向着更长远的目标发展。大体上说，电子封装表现出以下几种发展趋势：（1）电子封装将由有封装向少封装和无封装方向发展；（2）芯片直接贴装（DAC）技术，特别是其中的倒装焊（FCB）技术将成为电子封装的主流形式；（3）三维（3D）封装技术将成为实现电子整机系统功能的有效途径；（4）无源元件将逐步走向集成化；（5）系统级封装（SOP或SIP）将成为新世纪重点发展的微电子封装技术。一种典型的SOP——单级集成模块（SLIM）正被大力研发；（6）圆片级封装（WLP）技术将高速发展；（7）微电子机械系统（MEMS）和微光机电系统（MOEMS）正方兴未艾，它们都是微电子技术的拓展与延伸，是集成电子技术与精密

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案参考模板

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案封装基板已经成为封装材料细分领域销售占比最大的原材料，占封装材料比重超过50%，全球市场规模接近百亿美金。有机封装基板主要用于消费电子领域，目前是封装基板的主流产品，根据数据统计，有机封装基板的产值占整个IC封装基板的80%。该显示屏封装基板项目计划总投资18446.40万元，其中：固定资产投资13216.87万元，占项目总投资的71.65%；流动资金5229.53万元，占项目总投资的28.35%。达产年营业收入41436.00万元，总成本费用31471.17万元，税金及附加381.34万元，利润总额9964.83万元，利税总额11720.63万元，税后净利润7473.62万元，达产年纳税总额4247.01万元；达产年投资利润率54.02%，投资利税率63.54%，投资回报率40.52%，全部投资回收期 3.97年，提供就业职位634个。报告目的是对项目进行技术可靠性、经济合理性及实施可能性的方案分析和论证，在此基础上选用科学合理、技术先进、投资费用省、运行成本低的建设方案，最终使得项目承办单位建设项目所产生的经济效益和社会效益达到协调、和谐统一。 ......

封装基板是芯片封装体的重要组成材料，主要起承载保护芯片与连接上层芯片和下层电路板作用。封装基板作为芯片封装的核心材料，一方面能够保护、固定、支撑芯片，增强芯片导热散热性能，保证芯片不受物理损坏，另一方面封装基板的上层与芯片相连，下层和印刷电路板相连，以实现电气和物理连接、功率分配、信号分配，以及沟通芯片内部与外部电路等功能。随着封装技术向多引脚、窄间距、小型化的趋势发展，封装基板已经逐渐成为主流封装材料。

关于成立显示屏封装基板公司可行性分析报告

报告摘要说明封装基板是芯片封装体的重要组成材料，主要起承载保护芯片与连接上层芯片和下层电路板作用。封装基板作为芯片封装的核心材料，一方面能够保护、固定、支撑芯片，增强芯片导热散热性能，保证芯片不受物理损坏，另一方面封装基板的上层与芯片相连，下层和印刷电路板相连，以实现电气和物理连接、功率分配、信号分配，以及沟通芯片内部与外部电路等功能。随着封装技术向多引脚、窄间距、小型化的趋势发展，封装基板已经逐渐成为主流封装材料。 xxx实业发展公司由xxx集团（以下简称“A公司”）与xxx科技公司（以下简称“B公司”）共同出资成立，其中：A公司出资1000.0万元，占公司股份62%；B公司出资620.0万元，占公司股份38%。 xxx实业发展公司以显示屏封装基板产业为核心，依托A公司的渠道资源和B公司的行业经验，xxx实业发展公司将快速形成行业竞争力，通过3-5年的发展，成为区域内行业龙头，带动并促进全行业的发展。 xxx实业发展公司计划总投资18738.37万元，其中：固定资产投资13847.08万元，占总投资的73.90%；流动资金4891.29万元，占总投资的26.10%。根据规划，xxx实业发展公司正常经营年份可实现营业收入43589.00万元，总成本费用33777.80万元，税金及附加391.79万元，

利润总额9811.20万元，利税总额11556.26万元，税后净利润7358.40万元，纳税总额4197.86万元，投资利润率52.36%，投资利税率61.67%，投资回报率39.27%，全部投资回收期4.05年，提供就业职位795个。集成电路产业链大致可以分为三个环节：芯片设计、晶圆制造和封装测试。封装基板属于封装材料，是集成电路产业链封测环节的关键载体，不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时为芯片与PCB之间提供电子连接，甚至可埋入无源、有源器件以实现一定系统功能。封装材料中封装基板占比46%左右，是集成电路产业链中的关键配套材料。

LED封装基板

高功率LED的封装基板发展趋势相关专题：电子资讯时间：2011-09-21 11:01 来源：华强电子网长久以来显示应用一直是led发光元件主要诉求，并不要求LED高散热性，因此LED大多直接封装于一般树脂系基板，然而2000年以后随著LED高辉度化与高效率化发展，尤其是蓝光LED元件的发光效率获得大幅改善，液晶、家电、汽车等业者也开始积极检讨LED的适用性。现今数码家电与平面显示器急速普及化，加上LED单体成本持续下降，使得LED 应用范围，以及有意愿采用LED的产业范围不断扩大，其中又以液晶面板厂商面临欧盟颁布的危害性物质限制指导(RoHS: Restriction of Hazardous Substances Directive)规范，而陆续提出未来必须将水银系冷阴极灯管(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp)全面无水银化的发展方针，其结果造成高功率LED的需求更加急迫。技术上高功率LED封装后的商品，使用时散热对策实为非常棘手，而此背景下具备高成本效率，且类似金属系基板等高散热封装基板的产品发展动向，成为LED 高效率化之后另1个备受嘱目的焦点。环氧树脂已不符合高功率需求以往LED的输出功率较小，可以使用传统FR4等玻璃环氧树脂封装基板，然而照明用高功率LED的发光效率只有20%~30%，且芯片面积非常小，虽然整体消费电力非常低，不过单位面积的发热量却很大。汽车、照明与一般民生业者已经开始积极检讨LED的适用性，业者对高功率LED 期待的特性分别是省电、高辉度、长使用寿命、高色彩再现性，这意味著散热性佳是高功率LED封装基板不可欠缺的条件。树脂基板的散热极限多半只支持0.5W以下的LED，超过0.5W以上的LED封装大多改用金属系与陶瓷系高散热基板，主要原因是基板的散热性对LED的寿命与性能有直接影响，因此封装基板成为设计高辉度LED商品应用时非常重要的元件。金属系高散热基板又分成硬质(rigid)与可挠曲(flexible)系基板两种，硬质系基板属于传统金属基板，金属基材的厚度通常大于1mm，广泛应用在LED灯具模块与照明模块，技术上它与铝质基板相同等级高热传导化的延伸，未来可望应用在高功率LED封装。可挠曲系基板的出现是为了满足汽车导航仪等中型LCD背光模块薄形化，以及高功率LED三次元封装要求的前提下，透过铝质基板薄板化赋予封装基板可挠曲特性，进而形成兼具高热传导性与可挠曲性的高功率LED封装基板。

封装基板技术的发展

封装基板技术的发展芯片封装基板是印刷电路板中一个特殊的类别。它提供给先进芯片封装，例如BGA，CSP和倒装芯片使用．它的尺寸较小。通常在3、4厘米或更小。它要求在较小的区域具有较高的布线密度，以便将芯片上的所有引线脚通过金线键合或倒装芯片技术连接到封装基板上的焊盘上。制成封装体，再通过封装体上焊点连接到系统组装基板上。对用倒装芯片互连的封装体，在芯片正下方封装基板局部地区往往要求极高的布线密度。芯片封装基板都采用层积技术制造。集成电路正在发生巨大变革。它对电子封装和印刷电路板正在产生重大影响。近几年来，集成电路芯片制造技术已进入纳米范围，并正在向物理”极限”挑战。集成电路的集成度越来越高。功能越来越强，所需引线脚数越来越多。集成电路的这种快步发展使得集成电路芯片封装基板面临着巨大的挑战。相对于半导体集成电路技术的发展，印刷电路板技术的发展却显得相对落后。两者的差距甚至在扩大。二十年来刻线能力的进展。印刷电路板工业没能跟上半导体工业的步伐。集成电路功能增强，使得管脚引线增多。在八十中叶，IBM(美国)就展示了具有10，000个焊盘的芯片。传统的周边引线封装型式已变得不可能。解决办法则是从周边引线封装型式转变为面阵列分布型封装型式。球栅阵列封装，芯片规模封装和倒装芯片等面阵列型芯片封装型式的采用和发展使得电子系统高性能化和微型化。特别是

倒装芯片技术将是下一代新型高性能电子系统内，芯片至次一级封装内连的最关键的技术。然而在设计和制造安装这些芯片的基板方面却遇到了巨大的困难。常规的印刷电路板技术包括单层板和多层板都不能满足这些新型封装的布线要求。在这种先进封装需求驱动下而发展起来的高密度互连封装基板技术已经成为了所有高端电子产品和移动电子产品，包括移动手机，笔记本电脑，游戏机，工作站，直至航天航空仪器所必需的基本技术。多年来INEMI，SIA，ITRS，IPC等学会组织了大量的学者和专家进行了长期调研，预测了今后十数年内半导体集成电路技术发展趋势和半导体工业的需求。表一展示了由ITRS发布的2005至2010年间微电子技术发展和对高端产品对倒装芯片技术的需求。可以看到在今后四至五年内，倒装芯片的引线脚将增加到4600至4800个，引线脚中心间距将减小到100微米。假设焊盘尺寸为中心间距的一半(50微米)，为在此间距内布入二至三根金属导线，则线宽和线距必需在10微米或更细．即使布入一根线，线宽和线距也必需小于16、17微米。目前最先进的印刷电路板技术约在20、30微米，与这要求还有相当大的差距。印刷电路技术今后将继续提高布线密度，制造更薄更小的

封装基板及其基材的新发展(下)

ＡＩｎＨ是叠层构造，部品安装用焊盘下方可以赋予内层互连用的ＶＬ～，ＡＩｎＨ是全层ⅣＨ构造和全层均一规格。ＡＩⅣＨ有效利用了自动设计，正在开发包容ＡＩⅣＨ功能的自动布线设计系统，提高ＡＩ风Ｈ的设计容易性。自动布线设计系统是根据网表的连接情报，满足端子之间设定的线宽、间距和ⅣＨ数量等条件，实现１００％连接的系统。检验结果表明，安装０．＆１１ＩＩｌ间距的ＣＳＰ３封装用途的９００对针的ＡＩⅣＨ［６层基板，采用过去的设计系统连线率为８０％左右，而采用新的自动设计布线系统在ｌ１１ｒ左右就可以完成１００％的布线（图４）。，ＡＬＪＶ咿段针待徵奇活批Ｌ自勤化１００％遵成！图４ＡＬ｜ＶＨ自动设计系统６今后的ＰＣＢ设计课题今后关于ＶＣＣＩ、ＦＣＣ等的ＥＭＩ管制更严，携带电话和ＰＤＡ等电子设备的小型轻量化要求更高，因此Ｐ｜（强要求更细的图形，更高的密度，更薄型轻量化的基板，Ｐ（强设计对Ｑ气Ｄ系统的依赖性更高。通过Ｑｍ可以实行自动设计，但是人必须掌握主动权，Ｑ气Ｄ是由人开发的，还要靠人去利用、去改进，才能促进Ｐ（强设计的进步。电路设计者和布图（Ｌａｖｏｕｔ）设计者只具备某一方面的知识是不够的，而是要具备广泛的知识，应该拆除相互之间的篱笆，协同进行开发设计。今后人们期望着高精度自动化的Ｑ∞ｌ系统与人共存。参考文献［１］乾尚弘，电子安装技术，Ｖ０１．１５Ｎｏ．１ｌ，１９９９．１１．林金堵校上接第１０页参考文献［１］祝大同，ＰＣＢ基板材料走向高性能、系列化（九），《印制电路信息》，Ｎｏ．５，２０００［２］铃木铁秋（日），半导体／≮、ｙ穸一≯关连基板材料，《电子材料》，Ｎｏ．５，２０００［３］高野希等（日），半导体实装用低热膨胀、高弹性率基板材料，《工ｐ夕卜口二夕灭实装技术学会志》，Ｎｏ．３，２０００［４］人野哲朗（日），匕，ｐ卜、丁、、／７。配线板用绝缘材料，《工Ｌ／夕｝、口二夕叉实装学会志》，Ｎｏ．６．１９９９［５］羽崎拓奇（日），ＣＯ。沙一吵一汇土弓加工力｛可能万、表面平滑性允优札允新夕／ｆ７。屯登场——７。ｌＪ７Ｌ／少（ＢＴ），《电子技术》，№．６．２０００［６］日诘雅博（日），疗乡灭ＢＴ铜张积层板，《电子技术》Ｎｏ．６，１９９９［７］神田正昭（日），力、、乡灭ＢＴ铜张积层板，《电子技术》Ｎｏ．６，２０００［８］《电子材料》编辑部（日），１ＰＣＡ趼ＩＯｗ２０００，《电子材料》Ｎｏ．７，２０００［９］樱井弘之（日），７。ｌＪ工卜基板④高密度化艺今后④展开，《工Ｌ／夕卜口二夕叉实装技术》Ｎｏ．６，２０００［１０］大桥嘉隆（日），７Ｌ／专夕７、、，ｐ铜张积层板（工术音夕），《电子技术》№．６，１９９９［１１］石丸修（日），７ｐ等三／７，Ｌ，铜张积层板（工水专夕），《电子技术》，Ｎｏ．６，２０００［１２］田中善喜（日），／弋、、／夕一≯７夕、’用廿７、、叉卜沙一卜材料汇招Ｃ于为现状匕动向，《工Ｌ／夕卜口二夕灭实装技术》，№．２，２０００［１３］田中善喜、小野寺稔（日），ＩＪｓＩ实装用液晶水ｌＪ７材料，《工ｐ夕卜口二夕灭实装学会志》，Ｎｏ．２，１９９９

PCB封装术语

1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心

IC封装基板技术简介

IC封装基板技术随着电子产品微小型化、多功能化和信号传输高频高速数字化，要求PCB迅速走向高密度化、高性能化和高可靠性发展。为了适应这个要求，不仅PCB迅速走向HDIBUM板、嵌入（集成）元件PCB等，而且IC封装基板已经迅速由无机基板（陶瓷基板）走向有机基板（PCB板）。有机IC封装基板是在HDI/BUM板的基础上继续‘深化（高密度化）’而发展起来的，或者说IC封装基板是具更高密度化的HDI/BUM板。 1 封装基板的提出及其类型 1.1 有机封装基板的提出封装基板是用于把多个一级（可用二级）封装IC组件再封（组）装形成更大密度与容量的一种基板。由于这类基板的封装密度很高，因此，其尺寸都不大，大多数为≤50*70mm2。过去主要是采用陶瓷基板，现在迅速走向高密度PCB封装基板。（1）陶瓷封装基板。陶瓷封装基板的应用已有几十年的历史了，基优点是CTE较小，导热率较高。但是，随着高密度化、特别是信号传输高频高速数字化的发展，陶瓷封装基板遇到了严厉的挑战。 ①介电常数εr大（6∽8）。信号传输速度V是由来介电常数εr决定的，如下式可得知。 V=k·C/(εr)1/2 其中：k——为常数；C——光速。这就是说，采用较小的介电常数εr，就可以得到较高的信号传输速度。还有特性阻抗值等问题。 ②密度低。L/S≥O.1mm，加上厚度厚、孔径大，不能满足IC高集成度的要求。 ③电阻大。大多采用钼形成的导线，其电阻率（烧结后）比铜大三倍多或更大，发热量大和影响电气性能。 ④基板尺寸不能大，影响密度和容量提高。由于陶瓷基板的脆性大，不仅尺寸不能大，而且生产、组装和应用等都要格外小心。 ⑤薄型化困难。厚度较厚，大多数为1mm以上。 ⑥成本高。（2）有机（PCB）基板。有机（PCB）基板，刚好与陶瓷封装基板相反。 ①介电常数εr小（可选择性大，大多用3∽4的材料）。 ②高密度化好。L/S可达到20∽50μm，介质层薄，孔径小。 ③电阻小。发热低，电气性能好。 ④基板尺寸可扩大。大多数为≤70*100mm2。 ⑤可薄型化，目前，双面/四层板，可达到100∽300μm。 ⑥成本低。在1991年，由日本野洲研究所开发的用于树脂密封的倒芯片安装和倒芯片键合（连接）的PCB和HDI/BUM板，这些有机封装基板和HDI/BUM板等比陶瓷基板有更优越的的有利因素和条件，使它作为IC的裸芯片封装用基板是非常合适的，特别是用于倒芯片（FC）的金属丝的封装上，既解决了封装的CTE匹配问题，又解决了高密度芯片的安装的可行性问题。关于PCB基板的CTE较大和导热差方面，可以通过改进和选择CCL基材得到较好的解决。 1.2 IC封装基板的类型

什么是基板

什么是基板现今，印制电路板已成为绝大多数电子产品不可缺少的主要组件。单、双面印制板在制造中是在基板材料-覆铜箔层压板(Copper-(2lad I。aminates，CCI。)上，有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工，得到所需电路图形。另一类多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片(Pregpr’eg)交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连。因此可以看出，作为印制板制造中的基板材料，无论是覆铜箔板还是半固化片在印制板中都起着十分重要的作用。它具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能。印制板的性能、质量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等，在很大程度上取决于基板材料。二、基板的发展历史基板材料技术与生产，已历经半世纪的发展，全世界年产量已达2．9亿平方米，这一发展时刻被电子整机产品、半导体制造技术、电子安装技术、印制电路板技术的革新发展所驱动。自1943年用酚醛树脂基材制作的覆铜箔板开始进入实用化以来，基板材料的发展非常迅速。1959年，美国得克萨斯仪器公司制作出第一块集成电路，对印制板提出了更高的高密度组装要求，进而促进了多层板的产生。1961年，美国Hazeltine Corpot ation公司开发成功用金属化通孔工艺法的多层板技术。1977年，BT树脂实现了工业化生产，给世界多层板发展又提供了一种高低Tg的新型基板材料。 1990年日本IBM公司公布了用感光树脂作绝缘层的积层法多层板新技术，1997年，包括积层多层板在内的高密度互连的多层板技术走向发展成熟期。与此同时，以BGA、CSP为典型代表的塑料封装基板有了迅猛的发展。20世纪90年代后期，一些不含溴、锑的绿色阻燃等新型基板迅速兴起，走向市场。我国基板材料业经40多年的发展，目前已形成年产值约90亿元的生产规模。2000年，我国大陆覆铜板总产量已达到6400万平方米，创产值55亿元。其中纸基覆铜板的产量已跻身世界第三位。但是在技术水平、产品品种、特别是新型基板的发展上，与国外先进国家还存在相当大的差距。三、基板的分类

封装技术发展趋势

微电子封装技术发展趋势电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展，这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求，单位体积信息的提高(高密度)和单位时间处理速度的提高(高速化)成为促进微电子封装技术发展的重要因素。片式元件：小型化、高性能片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器，这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。在铝电解电容和钽电解电容片式化后，现在高Q 值、耐高温、低失真的高性能MLCC已投放市场；介质厚度为10um的电容器已商品化，层数高达100层之多；出现了片式多层压敏和热敏电阻，片式多层电感器，片式多层扼流线圈，片式多层变压器和各种片式多层复合元件；在小型化方面，规格尺寸从3216→2125→1608→1005发展，目前最新出现的是0603(长0.6mm，宽0.3mm)，体积缩小为原来的0.88%。集成化是片式元件未来的另一个发展趋势，它能减少组装焊点数目和提高组装密度，集成化的元件可使Si效率(芯片面积/基板面积)达到80%以上，并能有效地提高电路性能。由于不在电路板上安装大量的分立元件，从而可极大地解决焊点失效引起的问题。芯片封装技术：追随IC的发展而发展数十年来，芯片封装技术一直追随着IC的发展而发展，一代IC就有相应一代的封装技术相配合，而SMT的发展，更加促进芯片封装技术不断达到新的水平。六七十年代的中、小规模IC，曾大量使用TO型封装，后来又开发出DIP、PDIP，并成为这个时期的主导产品形式。八十年代出现了SMT，相应的IC封装形式开发出适于表面贴装短引线或无引线的LCCC、PLCC、SOP等结构。在此基础上，经十多年研制开发的QFP 不但解决了LSI的封装问题，而且适于使用SMT在PCB或其他基板上表面贴装，使QFP终于成为SMT主导电子产品并延续至今。为了适应电路组装密度的进一步提高，QFP的引脚间距目前已从1.27mm发展到了0.3mm 。由于引脚间距不断缩小，I/O数不断增加，封装体积也不断加

各封装的区别

1、BGA(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA的别

称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。 7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 8、COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。

LED封装基板(精)

PCB基板及基本介绍

基板和FR4的介绍字体大小：大| 中| 小2008-04-25 10:15 - 阅读：228 - 评论：0 什么是基板什么是基板,基板就是制造P CB的基本材料,我们一般时说什么是基板的情况下,指的基板就是覆铜箔层压板,本文介绍什么是基板,基板的发展历史,以及基板的分类方法以及执行标准。一、什么是基板现今，印制电路板已成为绝大多数电子产品不可缺少的主要组件。单、双面印制板在制造中是在基板材料-覆铜箔层压板(Copper-(2lad I。aminates，CCI。)上，有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工，得到所需电路图形。另一类多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片(P regpr’eg)交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连。因此可以看出，作为印制板制造中的基板材料，无论是覆铜箔板还是半固化片在印制板中都起着十分重要的作用。它具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能。印制板的性能、质量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等，在很大程度上取决于基板材料。二、基板的发展历史基板材料技术与生产，已历经半世纪的发展，全世界年产量已达2．9亿平方米，这一发展时刻被电子整机产品、半导体制造技术、电子安装技术、印制电路板技术的革新发展所驱动。自1943年用酚醛树脂基材制作的覆铜箔板开始进入实用化以来，基板材料的发展非常迅速。1959年，美国得克萨斯仪器公司制作出第一块集成电路，对印制板提出了更高的高密度组装要求，进而促进了多层板的产生。1961年，美国Hazeltine Corpot ation公司开发成功用金属化通孔工艺法的多层板技术。1977年，BT树脂实现了工业化生产，给世界多层板发展又提供了一种高低Tg的新型基板材料。

xx市封装基板产业发展规划

xx市封装基板产业发展规划封装基板是芯片封装不可或缺的一部分，不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时为芯片与PCB母板之间提供电气连接。具有高密度、高精度、高性能、小型化以及轻薄化的特点。全行业实施“由大变强、靠新出强”的发展战略，在产业结构调整、方式转变等方面取得了长足进步，为国民经济和城乡建设的快速发展提供了重要的保障。为促进产业转型升级、由大变强、可持续发展，特制定改规划方案，请结合实际认真贯彻实施。一、规划思路坚持以科学发展观为指导，以转变行业发展方式为主题，由资本驱动型产业向创新驱动型产业转变；坚持以市场为导向、以结构调整为主线的原则；大力发展产业集群，促进产业集聚化和分工专业化，形成大中小企业优势互补，产业产品链式发展；进一步完善产业布局，着力培育、壮大优势企业，提高生产集中度，培育品牌企业，全面提升区域产业发展的水平、质量和效益。二、原则

1、坚持创新发展。实施创新驱动发展战略,突破并推广关键共性技术,加快新产品研发与应用进程,完善标准体系,增强自主创新和品牌建设能力。 2、加强引导，市场推动。完善法规和标准，规范产业市场主体行为，建立公平的市场环境；综合运用价格、财税、金融等经济手段，发挥市场配置资源的决定性作用，激发企业发展的内生动力。 3、因地制宜，特色发展。紧密结合区域发展要素条件，充分发挥比较优势，围绕核心产业，引进培育龙头企业，形成各具特色、差异发展的发展新格局。 4、开放融合。树立全球视野，对标国际先进，把握“一带一路”重大战略契机，聚焦产业重点领域，探索发展合作新模式，在全球范围配置产业链、创新链和价值链，更大范围、更高层次上参与产业竞争合作，走开放式创新和国际化发展的道路。 5、坚持协调发展。围绕战略性新兴产业等重大需求，鼓励产学研用相结合、上下游产业融合发展，促进发展速度与质量、效益相统一，与资源、环境相协调。三、背景分析

电子封装的现状及发展趋势

电子封装的现状及发展趋势现代电子信息技术飞速发展,电子产品向小型化、便携化、多功能化方向发展.电子封装材料和技术使电子器件最终成为有功能的产品.现已研发出多种新型封装材料、技术和工艺.电子封装正在与电子设计和制造一起,共同推动着信息化社会的发展一．电子封装材料现状近年来,封装材料的发展一直呈现快速增长的态势.电子封装材料用于承载电子元器件及其连接线路,并具有良好的电绝缘性.封装对芯片具有机械支撑和环境保护作用,对器件和电路的热性能和可靠性起着重要作用.理想的电子封装材料必须满足以下基本要求: 1)高热导率,低介电常数、低介电损耗,有较好的高频、高功率性能; 2)热膨胀系数(CTE)与Si或GaAs芯片匹配,避免芯片的热应力损坏;3)有足够的强度、刚度,对芯片起到支撑和保护的作用; 4)成本尽可能低,满足大规模商业化应用的要求;5)密度尽可能小(主要指航空航天和移动通信设备),并具有电磁屏蔽和射频屏蔽的特性。电子封装材料主要包括基板、布线、框架、层间介质和密封材料. 1.1基板高电阻率、高热导率和低介电常数是集成电路对封装用基片的最基本要求,同时还应与硅片具有良好的热匹配、易成型、高表面平整度、易金属化、易加工、低成本并具有一定的机械性能电子封装基片材料的种类很多,包括:陶瓷、环氧玻璃、金刚石、金属及金属基复合材料等.

1.1.1陶瓷陶瓷是电子封装中常用的一种基片材料,具有较高的绝缘性能和优异的高频特性,同时线膨胀系数与电子元器件非常相近,化学性能非常稳定且热导率高随着美国、日本等发达国家相继研究并推出叠片多层陶瓷基片,陶瓷基片成为当今世界上广泛应用的几种高技术陶瓷之一目前已投人使用的高导热陶瓷基片材料有A12q,AIN,SIC和B或)等. 1.1.2环氧玻璃环氧玻璃是进行引脚和塑料封装成本最低的一种,常用于单层、双层或多层印刷板,是一种由环氧树脂和玻璃纤维(基础材料)组成的复合材料.此种材料的力学性能良好,但导热性较差,电性能和线膨胀系数匹配一般.由于其价格低廉,因而在表面安装(SMT)中得到了广泛应用. 1.1.3金刚石天然金刚石具有作为半导体器件封装所必需的优良的性能,如高热导率(200W八m·K),25oC)、低介电常数(5.5)、高电阻率(1016n·em)和击穿场强(1000kV/mm).从20世纪60年代起,在微电子界利用金刚石作为半导体器件封装基片,并将金刚石作为散热材料,应用于微波雪崩二极管、GeIMPATT(碰撞雪崩及渡越时间二极管)和激光器,提高了它们的输出功率.但是,受天然金刚石或高温高压下合成金刚石昂贵的价格和尺寸的限制,这种技术无法大规模推广. 1.1.4金属基复合材料为了解决单一金属作为电子封装基片材料的缺点,人们研究和开

2019年全球封装基板发展现状及深南电路封装基板产能分析

目录前言 ............................................................................................................................ - 4 -1、封装基板——芯片与PCB的桥梁..................................................................... - 4 -1.1基板材质不同，各有千秋 ........................................................................ - 5 - 1.2更高精、密度驱动先进集成封装技术 .................................................... - 6 - 2、产业转移大势所趋，内资市场曙光初现 .......................................................... - 7 -2.1封装基板市场触底反弹，未来可望持续景气......................................... - 7 -2.2日韩台三足鼎立，中国大陆高增长 ........................................................ - 9 -2.3日韩台瓶颈显露，产能转移正在进行 .................................................. - 12 - 2.4供需双击，内资崛起 .............................................................................. - 13 - 3、募投落地在即，深南望跻身第一梯队 ............................................................ - 16 -3.1掌握核心技术，引领芯片国产化浪潮 .................................................. - 16 -3.2客户资源广而优，发展动能充沛持久 .................................................. - 18 - 3.3嗅觉敏锐，发力存储器市场 .................................................................. - 19 - 4、盈利预测与估值 ................................................................................................ - 19 - 5、风险提示 ............................................................................................................ - 20 -图表目录图1、封装基板产品结构图 .................................................................................... - 4 -图2、封装基板产业结构图 .................................................................................... - 5 -图3、双列直插式（DIP）到四边扁平封装（QFP）........................................... - 6 -图4、引线键合（WB）、倒装键合（FC）连接原理图 ....................................... - 7 -图5、SiP架构.......................................................................................................... - 7 -图6、2017年封装基板市场触底反弹 ................................................................... - 8 -图7、2016年各主要领域封装基板产值在对应的PCB市场中占比 .................. - 8 -图8、全球封装基板制造分布图 .......................................................................... - 10 -图9、欣兴电子封装基板部分核心技术 .............................................................. - 11 -图10、2017年中国大陆封装基板增速超过23% ............................................... - 12 -图11、全球封装基板发展历程............................................................................. - 13 -图12、2017年存储器成为半导体领域第一大市场............................................ - 15 -图13、深南电路封装基板营收稳步增长 ............................................................ - 17 -图14、深南电路封装基板产品线不断丰富 ........................................................ - 18 - 表1、2016年全球前十大封装基板企业（产值单位：亿美元）...................... - 10 -表2、近年国内封装基板主要产业政策一览 ...................................................... - 14 -表3、中国存储器需求对应的封装基板市场测算............................................... - 16 -表4、深南电路封装基板主要产品核心技术（截止2017年10月）............... - 17 -表5、深南电路封装基板前五大客户 .................................................................. - 18 -表6、深南电路盈利预测关键假设 ...................................................................... - 20 -

微电子封装工艺的发展

微电子封装技术的发展一、封装技术的发展从80年代中后期，开始电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展，这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求，单位体积信息的提高(高密度)和单位时间处理速度的提高(高速化)成为促进微电子封装技术发展的重要因素。 1.1 片式元件：小型化、高性能片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器，这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。在铝电解电容和钽电解电容片式化后，现在高Q值、耐高温、低失真的高性能MLCC已投放市场；介质厚度为10um的电容器已商品化，层数高达100层之多；出现了片式多层压敏和热敏电阻，片式多层电感器，片式多层扼流线圈，片式多层变压器和各种片式多层复合元件；在小型化方面，规格尺寸从3216→2125→1608→1005发展，目前最新出现的是0603(长0.6mm，宽0.3mm)，体积缩小为原来的0.88%。集成化是片式元件未来的另一个发展趋势，它能减少组装焊点数目和提高组装密度，集成化的元件可使Si效率(芯片面积/基板面积)达到80%以上，并能有效地提高电路性能。由于不在电路板上安装大量的分立元件，从而可极大地解决焊点失效引起的问题。 1.2 芯片封装技术：追随IC的发展而发展数十年来，芯片封装技术一直追随着IC的发展而发展，一代IC就有相应一代的封装技术相配合，而SMT的发展，更加促进芯片封装技术不断达到新的水平。六七十年代的中、小规模IC，曾大量使用TO型封装，后来又开发出DIP、PDIP，并成为这个时期的主导产品形式。八十年代出现了SMT，相应的IC封装形式开发出适于表面贴装短引线或无引线的LCCC、PLCC、SOP等结构。在此基础上，经十多年研制开发的QFP不但解决了LSI的封装问题，而且适于使用SMT在PCB或其他基板上表面贴装，使QFP终于成为SMT主导电子产品并延续至今。为了适应电路组装密度的进一步提高，QFP的引脚间距目前已从1.27mm发展到了0.3mm 。由于引脚间距不断缩小，I/O数不断增加，封装体积也不断加大，给电路组装生产带来了许多困难，导致成品率下降和组装成本的提高。另一方面由于受器件引脚框架加工精度等制造技术的限制0.3mm已是QFP引脚间距的极限，这都限制了组装密度的提高。于是一种先进的芯片封装BGA(Ball Grid Array)应运而生，BGA是球栅阵列的英文缩写，它的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，引线间距大，引线长度短。BGA技术的优点是可增加I/O数和间距，消除QFP技术的高I/O数带来的生产成本和可靠性问题。 BGA的兴起和发展尽管解决了QFP面临的困难，但它仍然不能满足电子产品向更加小型、更多功能、更高可靠性对电路组件的要求，也不能满足硅集成技术发展对进一步提高封装效率和进一步接近芯片本征传输速率的要求，所以更新的封装CSP(Chip Size Package)又出现了，它的英文含义是封装尺寸与裸芯片相同或封装尺寸比裸芯片稍大。日本电子工业协会对CSP规定是芯片面积与封装尺寸面积之比大于80%。CSP与BGA结构基本一样，只是锡球直径和球中心距缩小了、更薄了，这样在相同封装尺寸时可有更多的I/O数，使组装密度进一步提高，可以说CSP是缩小了的BGA。 CSP之所以受到极大关注，是由于它提供了比BGA更高的组装密度，而比采用倒装片的板极组装密度低。但是它的组装工艺却不像倒装片那么复杂，没有倒装片的裸芯片处理问题，基本上与SMT的组装工艺相一致，并且可以像SMT那样进行预测和返工。正是由于这些无法比拟的优点，才使CSP得以迅速发展并进入实用化阶段。目前日本有多家公司生产CSP，而且正越来越多地应用于移动电话、数码录像机、笔记本电脑等产品