宁波大学911电子线路(模拟电路+数字电路)2018年考研真题

宁波大学2018年硕士研究生招生考试初试试题(B 卷)

(答案必须写在考点提供的答题纸上)

第 1 页 共 7 页 科目代码： 911 总分值： 150 科目名称： 电子线路（模拟电路+数字电路） 图1

。

．输出功率与晶体管所消耗的功率之比

．最大输出功率与电源提供的平均功率之比

．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

桥式整流电路若变压器二次电压为sin ωt u =2102V ，则每个整流管所承受的最大反向电压 C. 20V D. 40V

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象，这是属于失真。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电路考试试题10套和答案(打印版)教学提纲

第 0 页 坑爹的模电 试卷编号 01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1． 整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2． 在PN 结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3． 放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4． 在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降 的主要原因是__________的影响。 5． 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6． 正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7． 某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________， 总的放大倍数为__________。 8． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e 对__________信号的放大无影响，对__________ 信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR 为__________之比。 9． 某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB 。 图1 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（ ）构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（ ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（ ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（ ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（ ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（ ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（ ）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（ ）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（ ）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（ ）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz 时，应选用RC 正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V ，－10V ，－9.3V ，则此三极管是（ ） A. NPN 型硅管； B. NPN 型锗管； C. PNP 型硅管； D. PNP 型锗管； 2．为了使放大电路Q 点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b 的值（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re （ ）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V ，则其共模输入电压为（ ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ ）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。

模拟电路考试题及答案

自测题一 一、判断题 1.因为P 型半导体的多数载流子就是空穴,所以它带正电。( F ) 2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( T ) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流就是多数载流子漂移所形成的。( F ) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因就是( D )。 A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发 2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。 A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍 D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。(X 轴为电压) A.右移 B.左移 C.上移 D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定 5.三极管β值就是反映( B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压 B.电流控制电流 C.电压控制电流 D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将( A )。 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数就是( B )。 A.电流放大系数 B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流 D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为 V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次就是( B ) 。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流就是由( B )运动形成的。 A.多数载流子 B.少数载流子 C.扩散 D.少数载流子与多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别就是6V 、12V 与6、7V ,则此三极管就是( D )。(发正偏集反偏) A.PNP 型硅管 B.PNP 型锗管 C.NPN 型锗管 D.NPN 型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。 A.非饱与区 B.饱与区 C.截止区 D.击穿区 12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g 与源极s 之间电压为零时( B )。 A.能够形成导电沟道 B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零 D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3.PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 单向导电性 性能。 4.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 变窄 。 5.PN 结正向偏置时,PN 结的内电场被 削弱 。 6.三极管最重要的特性就是 电流放大作用 。 7.温度升高时,晶体管的反向饱与电流将 增大 。 8.场效应晶体管属于 电压 控制器件。 10.GS 时,不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。 11.开启电压0)(>th U GS 的就是 N 沟道增强型 场效应管。 12.开启电压0)(

模拟电路基础试题

模拟电路基础测试题 一：填空题(每题1分，共15分) 1.PN特性。 2.双极型晶体管(BJT)下降为1时的频率。 3. 某放大器的电压增益A V =倍。该增益换算成分贝应为 4.当N沟道结型场效应管(JFET)内的沟道预夹断时，V GS 和V DS 。 5. 作负载。 6. 7. 8. 。 9. 10. 11. 12. 13.

14. 15. 当集成放大器内部需要微电流时，采用微电流恒流源要优于采用基本镜像恒流源。原因之一是： 三：单项选择题（每题1分，共10分） 1. 图1所示硅二极管电路中的v i(t)是振幅等于2v的低频正弦电压。该电路中，电阻R L上的电压v o(t)的波形应该为( )。

. . 2. 测得某放大器中一支BJT的三个电极的直流电压为：,+和。由此可以判断，该管是( )。 A. NPN硅管 B. NPN锗管 C. PNP硅管 D. PNP锗管 3. 在下面关于放大器的四钟说法中，只有( )是肯定正确的。 A. 放大器有功率放大功能 B. 放大器有电压放大功能 C. 放大器有电流放大功能 D. 放大器的增益带宽积为常数 4. FET共漏(CD)放大器与BJT放大器中的（）组态性能相似。 A. CC C. CB 5. 图2是OTL功放原理电路，该电路最大输出功率的理论值为（）W。

.9. . 6. 接上题。在选择功率管T1和T2时，每管的集电极最大耗散功率P CM必须大于（）W。 A.3.6 B. 1.8 C. . 7. 接5题。在静态时，OTL功放中与负载串联的电容中的电压应该为( )伏。 A. 1.5a B. 3 C. 6 a D. 12 8. 将图3电路中的电阻( )换成电容，电路的功能改变为微分电路。 2 9. 如果用电压比表示用信号流图画出的反馈放大器（图4）的环路传输T,则T=( )。 A. v i/ v f B. v f / v i C. v s / v f D. v f /v s 10. 在下面4种基本放大器组态中，电路( )的小信号范围最小。 A. CE放大器 B. CS放大器 C. CE差动放大器 D. CS差动放大器 11.晶体管特性曲线不能用来( )。 A.判断管子的质量 B. 估算晶体管的一些参数 C.分析放大器的频率特性 D.图解分析放大器的指标 12.通用集成运算放大器内部电路不具有( )的特性。 A.开环增益高 B. 输入电阻大 C.深度负反馈 D.输出电阻小 13.在图3所示运放应用电路中，称为“虚地”的点是（）点。 14.在以下关于深负反馈的论述中，( )是错误的。

模拟电子电路基础试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度/反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交 流输出电流采用（电流）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/((1+AF) ），对于深度负反馈放大电路的放 大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（fH –fL ）， （1+AF ）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模） 信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙） 类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1 ），输入电阻 （大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛 应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅

模拟电子电路试题及答案

模拟电子技术试题二 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （20分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （20分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 （A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等

(完整word版)模拟电路试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题 一、填空题：（每空1分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有单向导电性。 2、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时， 结电阻为（无穷大），等效成断开； 3、自然界的物质按导电能力来分可分为（导体）、（半导体）、绝缘体3种 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、半导体材料中用得最多的材料是（硅）和（锗），他们都是四价元素 6、半导体的特性通常有（热敏性）（光敏性）和掺杂性 7、在半导体中参与导电的是（空穴）和（电子） 8、在本征半导体中参入（五价）价元素，就可以得到N型半导体 9、在本征半导体中参入（三价）价元素，就可以得到P型半导体 10、硅二极管的死区电压是（0.5 ）V，锗二极管的死区电压是（0.1 ）V。 11、硅二极管的正向导通压降是（0.7）V，锗二极管的正向导通压降是（0.3）V 12、整流电路是利用二极管的（单向导电）性 13、指针式万用表红表笔接的是电池的（—）极，黑表笔接的是电池的（+ ）极 14、场效应管的三个工作区分别为（截至区）、可变电阻区、和（饱和区） 15、发光二极管工作在（正向）偏置 16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 17、三极管放大电路共有三种组态分别是：共（C ）极、共（B ）极、共（ E ）极3 种。 18、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出 电流采用（交流）负反馈。 19、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； 20、共集电极放大电路具有电压放大倍数小，输入电阻（大），输出电阻（小）等特点， 所以常用在输入级，输出级。 21、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 22、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，所以它广泛应用于电路中。 23、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位，称PN结为（正偏）反之称为（反偏） 24、稳定二极管稳压时是处于（反向）偏置状态，而二极管导通时是处于（正向）偏 置状态。 25、晶体三极管的集电极电流Ic=( βI B)所以它是（电流）控制元件。

模拟电路试题及答案

模拟电路试题及答案 一、判断题（每题1分，共50分） 1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。（V） 2、漂移电流是正向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加 电压无关。（X） 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其反 偏时，结电阻为无穷大，等效成断开；（V） 4、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（X） 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结反偏，集电结正偏。（X） 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic 增加，发射结压降减小。（V） 7、三极管放大电路共有三种组态分别是共射极、共集电极、共基极放大电路。 （V） 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电流负反馈，为了稳定交流输 出电流采用直流负反馈。（X） 9、负反馈放大电路和放大倍数A F=A/1+AF，对于深度负反馈放大电路的放大倍 数A F= 1/F 。（V） 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW=1+AFBV y其中BW=H -L , 1+AF称为 反馈深度。（V） 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。（V） 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率 放大器。（V） 13、OCL电路是单电源互补功率放大电路；（X） 14、OTL电路是双电源互补功率放大电路。（X） 15 、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1。（V） 16 、共集电极放大电路输入电阻小，输出电阻大。（X） 17 、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成 电路中。（V） 18 、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为载波信号。（V） 19、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy。（V） 20、P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。（X） 21、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 （X ） 22、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

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坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。 图1 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在；

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试卷编号 01 一、填空（本题共 20分，每空1分）： 1.___________________________ 整流电路的任务是 _____________ ;滤波电路的任务是 。 2._______________________________________________________ 在PN 结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于 ______________________________________________________________ 而产生的，漂移运动是 ___________ 作用下产生的。 3. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 ______________ 失真和 ___________失真。 4. 在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益 下降的主要原因是 __________ 的影响；使高频区电压增益下降 的主要原因是 ____________ 的影响。 5.____________________________________________________ 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是 ;引入交流负反馈的作用是 _________________________________________ 。 6._______________________________ 正弦波振荡电路一般由 ___ 、 ___________ 、 、 这四个部分组成。 7. 某多级放大器中各级电压增益为： __________________________________________ 第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为 ______________________________________________________ , 总的放大倍数为 ___________ 。 8在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e 对 __________________ 信号的放大无影响，对 _____________ 信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比 K CMR 为 ____________ 之比。 9. 某放大电路的对数幅频特性如图 ________________________________________ 1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为 _______________________________________________________ dB 。 图1 二、 判断（本题共10分,每小题1分，正确的打"，错误的打X ）: 1、 （）构成各种半导体器件的基础是 PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、 （）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、 （）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、 （）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、 （）通常，甲类功放电路的效率最大只有 40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、 （） 一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、 （）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、 （）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小， 在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、 （）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于 1MHz 时，应选用RC 正弦波振荡电路。 三、 选择（本题共 20分，每个选择2 分）: 1?在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为 A. NPN 型硅管； B. NPN 型锗管； C. PNP 型硅管; 2. 为了使放大电路 Q 点上移，应使基本放大电路中偏置电阻 A.增大 B.不变 C.减小 3. 典型的差分放大电路中 Re （ ）。 A.对差模信号起抑制作用 B.对共模信号起抑制作用 4. 在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为 20V ，则其共模输入电压为（ ）。 坑爹的模电 0V , - 10V , - 9.3V ，则此三极管是（ D. PNP 型锗管； R b 的值（ ）。 C.对差模信号和共模信号均无作用

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、 七、问答题（10分）指出下列各图所示负反馈放大电路的组态。 《 模拟电子技术 》课程考试试卷（B ）卷 一、问答题（10分） 试回答放大电路的性能指标有哪些？ 二、填空题（20分） 1、半导体二极管具有 （1） 向导电性能； 2、共集电极放大电路又称射极跟随器，它具有 （2） 电阻大、（3） 电阻小、 输出电压与输入电压相位（4） 、其 （5） 小于1，但近似于1； 3、多级放大电路总电压放大倍数等于各级电路电压放大倍数的 （6） ； 4、差动放大电路的两个输入端输入幅度 （7）、 极性 （8） 的信号称为共模信号； 5、集成运放组成的运算电路中运放引入 （9） 反馈，工作于线性状态； 6、正弦波振荡电路应具备以下四种功能的电路成 （10 ）、（11）、（12 ）、（13 ） ； 7、（14 ） 电路简称OTL 功放电路、（15 ） 电路简称OCL 功放电路； 8、晶体管工作处于放大状态时，要求发射结 (16 ) 向偏置、集电结 (17 ) 向偏置； 9、场效应晶体管是一种用 (18) 控制电流的半导体器件，主要靠多子导电，也称 (19 ) 极型晶体管，半导体三极管属电流型控制器件，也称 (20 ) 极型晶体管； 三、计算题（20分） 分压式偏置电路如图所示，已知三极管3DG4的β＝50，U BE =0.7V ，，， 电路其它参数为：R b1=60k Ω, R b2=20k Ω，R c =3k Ω, R e =2k Ω，R L =6k Ω,V cc =16V 。 r be ＝＝1.06k Ω； （1）估算电路的静态工作点。 （2）画出微变等效电路图； （2）求A u ，R i ，R o 四 五 六 1、 2、 试 出卷人_____________审核人_____________ 班 级__ _ 姓名______________ 学号____________ 共 4 页 第 3 页

模拟电子技术基础试题及答案

1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12卩A增大到22卩A时，IC从1mA变为2mA , 那么它的B 约为 A. 83 B. 91 C.100 2、已知图所示电路中VCC = 12V , RC = 3k Q ,静态管压降UCEQ = 6V ;并在 输岀端加负载电阻RL ,其阻值为3k Q。选择一个合适的答案填入空内。 (3 )在U i= 1mV时，将Rw调到输岀电压最大且刚好不失真，若此时增大输 (1 )该电路的最大不失真输岀电压有效值Uom 【】 A.2V B.3V C.6V （2）当U i= 1 mV 时，若在不失真的条件下，减小RW， 则输出电压的幅值将【】 A.减小 B.不变 C.增大 入电压，则 输岀电压波形将 ______________ ;【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 (4 )若发现电路岀现饱和失真，则为消除失真，可将 __________________________ 。【】 A.RW 减小 B.Rc 减小 C.VCC 减小 3、互补输岀级采用共集形式是为了使____________________ 。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是_______________ 。【】 A.克服温漂 B.提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5 倍 B.0.7 倍 C.0.9 倍 即增益下降_______ 。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后___________________ ，则说明引入的反馈是负反馈。【】 A .输入电阻增大 B .输岀量增大 C.净输入量增大 D.净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 _______________________ 。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 ___________________ 。【】 A.基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 _________________ 。【】 A ?共射放大电路 B.共集放大电路 C ?共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ______ ，则说明引入的反馈是负反馈。【】 A?输入电阻增大B?输岀量增大 C .净输入量增大 D .净输入量减小 12、若要组成输岀电压可调、最大输岀电流为3A的直流稳压电源，则应采用—。

模拟电路试题答案

一、填空题（本题 20分，每空1分） 1. 理想二极管的正向电阻为 ，反向电阻为 ______ 。 2. 放大电路的四种组态分别是 _________ 、 ________ 、 ________ 、 __________ 。 3. 当PNP 型锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以 _ _ 极电位最高， 极电位最低， 极和 极电位之差约等于 。 4. 正弦波振荡电路可以产生振荡的条件是 __________ 。 5. 负反馈能使放大电路的输入电阻减小，输出电阻变大； 负反馈能使放大电路的输入 电阻增大，输出电阻减小 6?多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有 ____________ 耦合、 _________ 耦合和 ________ 耦合。 7. 在乙类互补对称功率放大器中，因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做 。 8. __________________________________________________ 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是 _________________________________________________________ ;引入交流负反馈的作用是 ______________ 9?在集成运放中，一般采用差分放大电路来克服 现象。 二、选择题（本题 20分，共10题，其余每题2分） 1. 共模抑制比越大表明电路 。 A.放大倍数越稳定 B 交流放大倍数越大 C.输入信号中差模成分越大 D.抑制温漂能力越大 2 ?放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（ ）。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 3 ?当信号频率等于放大电路的 f L 和f H 时，放大倍数的数值将下降到中频时的（ ）。 A 0.5 倍 B 0.7 倍 C 0.9 倍 D 1.2 倍 4?在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ）,贝U 说明引入的是负反馈。 A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 5. 正弦波振荡器必须具备的组成部分是： （） A 、选频网络； B 、反馈网络； C 、滤波电路； D 、A 和B 6. 在共射极、共基极、共集电极三种基本放大电路中，电压放大倍数约等于 1的是（B ）组态。 A. 共射级电路； B.共集电极电路； C.共基极电路； D.不定 &有 T1、T2 和 T3 三只晶体管，T1 的^= 200, I CEO = 200 卩 A ； T2 的^= 100, I CEO = 10 卩 A ； T3 的 3= 10, I CEO = 100卩A ，其它参数基本相同，则实用中应选（ ） A. T1 管； B. T2 管； C. T3 管 7. 共集放大电路的主要特点是 A 输入电阻、输出电阻均大 C.输入电阻大、输出电阻小 B 输入电阻、输出电阻均小 D.输入电阻小、输出电阻大

模拟电子技术基础试题汇总附有答案

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. － 7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ） 2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。 A ．外电场 B ．内电场 C ．掺杂 D ．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。 A ．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大，反向电阻小 C ．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压) A ．右移 B ．左移 C ．上移 D ．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。 A ．增大 B ．减小 C ．不变 D ．不确定 5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A ．电压控制电压 B ．电流控制电流 C ．电压控制电流 D ．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。 A ．增大 B ．减少 C ．不变 D ．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。 A ．电流放大系数 B ．最大整流电流 C ．集电极最大允许电流 D ．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=， V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。 A ．e, b, c B ．b, e, c C ．b, c, e D ．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。 A ．多数载流子 B ．少数载流子 C ．扩散 D ．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏） A ．PNP 型硅管 B ．PNP 型锗管 C ．NPN 型锗管 D ．NPN 型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。 A ．非饱和区 B ．饱和区 C ．截止区 D ．击穿区 12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g 与源极s 之间电压为零时（ B ）。 A ．能够形成导电沟道 B ．不能形成导电沟道 C ．漏极电流不为零 D ．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 单向导电性 性能。 4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。 5．PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被 削弱 。 6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。 8．场效应晶体管属于 电压 控制器件。 10．GS 时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。 11．开启电压0)(>th U GS 的是 N 沟道增强型 场效应管。 12．开启电压0)(