模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题

一、填空题

1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。

2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。

（a ）

（b ）

图1-1

3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。

4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。

5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则与

该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。

6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。

7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。

8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。

9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。

10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。

I O

11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。

图1-3

二、单项选择题（每小题3分，共15分）

1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通

D ．D 1和D 2均截止

2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。

A ．C ，

B ，E B ．

C ，E ，B C ．E ，C ，B

D ．B ，

E ，C

3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。

A ．360 k Ω

B ．300 kΩ

C ．300 Ω

D ．400 kΩ

4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200

C. 20

D ．100

5．射极输出器（ ）。

A ．有电流放大作用，没有电压放大作用

B ．有电压放大作用，没有电流放大作用

C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用

6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ ）。

图2-1

4V

0V +V CC

图2-2

R B

C ．并联电流负反馈

D ．并联电压

负反馈

7．图2-3中的R F 引入的是（ ）。 A ．并联电流负反馈

B ．串联电压负反馈

C ．并联电压负反馈

D ．串联电流负反馈

8．在带有电容滤波器的单相半波整流电路中，若电源变压器二次侧电压的有效值为U ，则整流二极管所承受的最高反向电压为（ ）。

A ．U

B ．U 2

C ．U 22

9．在如图2-4所示的稳压电路中，已知V 10I =U ，

V 5O =U ，m A 10Z =I ，Ω=500L R ，则限流电阻R 应为（ ）。

A ．1000Ω

B ．500Ω

C ．250 Ω

D ．200Ω

10．在图2-5所示的变压器二次绕组有中心抽头的单相全波整流电路中，

V sin 220t u ω=，整流电压平均值O U 为（ ）。

A. 9V

B.18V

C. 20V

D.20V 2

11．在如图2-6所示的稳压电路中，已知U Z =6V ，则U O 为（ ）。 A ．6V B ．15V C ．21

-

O

图2-4

图

2-5

O

u 图

2-3

图2-6

三、电路如图3所示，已知V CC ＝12V ，R B ＝300kΩ，R C ＝4kΩ，晶体管β＝40。 （1）画出直流通路，并估算静态工作点；

（2）画出微变等效电路，并估算输入电阻R i 、输出电阻R o 和电压放大倍数u A 。

u I

图3

V CC

四、电路如图4所示，若V CC =12V ，R B1= 20kΩ，R B2=10kΩ，R C =R E =R L =2kΩ，晶体管的电流放大系数β＝50，be r =1kΩ，静态时的U BEQ 可忽略不计。

（1）试画出静态电路图，并求电路的静态Q 点； （2）画出交流微变等效电路图；

（3）求电压放大倍数u

A &、输入电阻R i 和输出电阻R o ； （4）若将电容C E 除去，画出交流微变等效电路图，并求电压放大倍数u

A &。 图 4

R B1

R B2

R C

R E

C E

VT

+V CC

u

五、如图5所示运算放大电路中，已知u I1 = 10 mV ，u I2 = 30 mV 。 （1）指出以集成运放A 1、A 2和A 3为核心各构成何种运算电路； （2）求u O1、u O2和u O 各为多少？

图5

u I1

u I2

图6

六、电路如图6所示，已知R 1=R 4=30k Ω，R 3=R 7=60kΩ，R 5=R 6=40kΩ。 （1）指出以集成运放A 1，A 2为核心各构成何种运算电路； （2）写出u O 与u I1和u I2的关系式。

七、由理想集成运放构成的电路如图7所示，已知R1=R2=R3= 30kΩ，R4=10kΩ，R5=R F =60kΩ。

（1）试分别指出由集成运放A1、A2和A3为核心所构成电路的名称；

（2）试分别写出u O1、u O2、u O与u1的关系式；

（3）求平衡电阻R。

O

图7

八、电路如图8所示。

（1）为提高电路的带负载能力和输入电阻，请将F R 合理地连接于电路中而成为负反馈放大电路，并指出所引入反馈的组态；

（2）求反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f

u A &的表达式。 VT 1

VT 2

F

九、电路如图9所示，设满足深度

负反馈条件，电容C 1、C 2对交流信号相当于短路。

（1）试分别说明由T 1管和T 2管所构成电路的名称（共射电路、共集电路或共基电路）；

（2）试判断级间反馈的组态；

（3）估算其闭环电压放大倍数sf

u A 。 图8

R u s +

-u o

图9

十、在如图10所示电路中，已知V CC ＝12V ，R 1=R 2=10kΩ，R L ＝10Ω，R F ＝20kΩ，VT 1和VT 2管的饱和管压降│U CES │＝2V ，输入电压足够大。理想集成运放最大输出电压幅值为±6V 。

（1）VT 1和VT 2构成哪种接法的放大电路（共射、共基或共集）；

（2）负载最大不失真输出电压的有效值U oM 和最大输出功率P om 各为多少？

（3）若闭环电压放大倍数10f

＝u A ，则R F 需多大？

CC

CC

十一、在如图11所示电路中，已知V CC ＝12V ，R L ＝5Ω，功放管的饱和管压降CES ||U ＝2V 。

（1）负载最大输出电压的有效值oM U 、可能获得的最大输出功率P om 和效率η各为多少？

（2）设电压放大倍数为1，若输入电压的有效值约为6V ，则负载实际获得的功率为多少？

图11

VD 1

VD 2

VT 1

VT 2

图10

十二、在如图12所示整流电路中，已知变压器副边电压有效值U =30V ，负载电阻R L =100Ω。

（1）负载电阻R L 上的电压平均值和电流平均值各为多少？

（2）若电网电压波动范围是%10±，则二极管承受的最大反向电压和流过的最大电流平均值各为多少？

图

12

+-u O

图13

十三、在如图12所示整流电路中，已知变压器副边电压有效值U =50V ，负载电阻R L =450Ω，试问：

（1）负载电阻R L 上的电压平均值和电流平均值U O 和I O 各为多少？

（2）电网电压波动范围是%10±，二极管承受的最大反向电压和流过的最大电流平均值各为多少？

十四、直流稳压电源如图14所示。

（1）说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、基准电压电路、比较放大电路、采样电路等部分各由哪些元件组成；

（2）试在图中标出集成运放的同相输入端和反相输入端；

（3）设稳压管D z的稳定电压为U z，则试求输出电压的可调范围。

图14

模拟电子技术课程设计

模拟电子技术课程设计 ——线性F/v转换1．设计任务和要求 ------------------2 2.总体方案选择的论证 ------------------3 3．单元电路的设计 ------------------7 4．绘出总体电路图 ------------------14 5．组装与调试 ------------------15 6.所用元器件的购买清单 ------------------16 7.列出参考文献 ------------------16 8.收获、体会和建议 ------------------17

一．课程设计与要求 （1）设计任务 选取基本集成放大器 LF353、555定时器、二极管和电阻、电容等元器件，设计并制作一个简易的线性F/V转换器。首先，在EWB软件平台环境下进行电路设计和原理仿真，选取合适的电路参数，通过输出的波形的直流电压测试线性F/V转换器的运行情况。其次，在硬件设计平台上搭建电路，并进行电路调试，通过数字万用表观测电路的实际输出电压值。最后，将该实际电压值与理论分析和仿真结果进行比较，分析产生误差的原因，并提出改进方法。 （2）设计要求 1.性能指标要求。 ①输入频率为0~10KHz、幅度为20mV（峰峰值）的交流信号。 ②线性输出0~10V的交流信号。 ③转换绝对误差小于20mV（平均值）。 ④1KHz时的纹波小于50mV。 2.设计报告要求。 ①根据电路性能指标要求设计完成电路原理图，计算元件参数，写出理论推导工程，并分析各单元电路的工作原理。 ②利用EWB软件进行仿真调试。 ③绘出总体电路图 ④记录实验结果和调试心得，判断误差原因，万恒实验结果分析。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术教案

授课计划 授课时数： 2 授课教师：赵启学授课时间： 课题：半导体二极管 教学目的： 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型 教学重点：1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成 教学难点：PN结及其单向导电性 教学类型：理论课 教学方法：讲授法、启发式教学 教学过程： 引入新课： 模拟电子技术基础是一门入门性质的技术基础课，没有哪一门课程像电子技术的发展可以用飞速发展，日新月异。从1947年，贝尔实验室制成第一只晶体管；1958年，集成电路；1969年，大规模集成电路；1975年，超大规模集成电路，一开始集成电路有4只晶体管，1997年，一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化，但是万变不离其宗，这门课我们所讲的就是这个“宗”。（10分钟） 讲授新课： 一：PN结（30分钟） 1、什么是半导体，什么是本证半导体？（10分钟） 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质 本征半导体：纯净（无杂质）的晶体结构（稳定结构）的半导体，所有半导体器件的基本材料。常见的四价元素硅和锗。

2、杂质半导体（20分钟） N型半导体：在本征半导体中参入微量5价元素，使自由电子浓度增大，成为多数载流子（多子），空穴成为少数载流子（少子）。如图（a） P型半导体：在本证半导体中参入微量3价元素，使空穴浓度增大，成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图（b） 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。 二：PN结的单项导电性（20分钟） PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN 结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN 结截止。这就是PN结的单向导电性。 1、正偏 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F

模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运 I O

放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B

模拟电子技术课程设计报告

课程设计报告 题目方波、三角波、正弦波信号 发生器设计 课程名称模拟电子技术课程设计 院部名称机电工程学院 专业10自动化 班级10自动化 学生姓名吉钰源 学号1004104001 课程设计地点 C206 课程设计学时 1周 指导教师赵国树 金陵科技学院教务处制成绩

目录 1、绪论 (3) 1.1相关背景知识 (3) 1.2课程设计目的 (3) 1.3课程设计的任务 (3) 1.4课程设计的技术指标 (3) 2、信号发生器的基本原理 (4) 2.1总体设计思路 (4) 2.2原理框图 (4) 3、各组成部分的工作原理 (5) 3.1 正弦波产生电路 (5) 3.1.1正弦波产生电路 (5) 3.1.2正弦波产生电路的工作原理 (6) 3.2 正弦波到方波转换电路 (7) 3.2.1正弦波到方波转换电路图 (7) 3.2.2正弦波到方波转换电路的工作原理 (8) 3.3 方波到三角波转换电路 (9) 3.3.1方波到三角波转换电路图 (9) 3.3.2方波到三角波转换电路的工作原理 (10) 4、电路仿真结果 (11) 4.1正弦波产生电路的仿真结果 (11) 4.2 正弦波到方波转换电路的仿真结果 (11) 4.3方波到三角波转换电路的仿真结果 (13) 5、电路调试结果 (13) 5.1正弦波产生电路的调试结果 (13) 5.2正弦波到方波转换电路的调试结果 (14) 5.3方波到三角波转换电路的调试结果 (14) 6、设计结果分析与总结 (15)

1、绪论 1.1相关背景知识 由于物理学的重大突破，电子技术在20世纪取得了惊人的进步。特别是近50年来，微电子技术和其他高技术的飞速发展，致使农业、工业、科技和国防等领域发生了令人瞩目的变革。与此同时，电子技术也正在改变着人们日常生活。在电子技术中，信号发生器是一种能够产生多种波形,如三角波、锯齿波、矩形波（含方波）、正弦波的电路被称为函数信号发生器。函数信号发生器在电路实验和设备检测中具有十分广泛的用途，可以用于生产测试、仪器维修和实验室，还广泛使用在其它科技领域，如医学、教育、化学、通讯、地球物理学、工业控制、军事和宇航等。它是一种不可缺少的通用信号源。 1.2课程设计目的 通过本次课程设计所要达到的目的是：增进自己对模拟集成电路方面所学知识的理解，提高自己在模拟集成电路应用方面的技能，树立严谨的科学作风，培养自身综合运用理论知识解决实际问题的能力。通过电路设计初步掌握工程设计方法，逐步熟悉开展科学实践的程序和方法，为后续课程的学习和今后从事的实际工作提供引导性的背景知识，打下必要的基础。 1.3课程设计的任务 ①设计一个方波、三角波、正弦波函数发生器； ②能同时输出一定频率一定幅度的三种波形：正弦波、方波和三角波； ③用±12V电源供电； 先对课程设计任务进行分析，及根据参数的确定选择出一种最适合本课题的方案。在达到课题要求的前提下保证最经济、最方便、最优化的设计策略。然后运用仿真软件Multisim对电路进行仿真，观察效果并与课题要求的性能指标作对比。仿真成功后，用实物搭建电路，进行调试，观测示波器输出的波形。 1.4课程设计的技术指标 ①设计、组装、调试信号发生器； ②输出波形：正弦波、方波、三角波； ③频率范围在10Hz~10000Hz范围内可调； ④比较器用LM339,运算放大器用LM324，双向稳压管用两个稳压管代替。

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U

《模拟电子技术》课程教学大纲资料

《模拟电子技术》课程教学大纲 适用专业：通信工程编写日期：2015.10 适用对象：本科执笔：彭小娟 学时数：72 审核： 一、课程性质、目的和要求 模拟电子技术基础课程是电气、通讯、计算机等电类专业本科生在电子技术方面入门性质的技术基础课，具有自身的体系和很强的实践性。本课程通过对常用电子器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基本知识、基本理论和基本技能，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 本课程72学时, 其中实验10学时。本课程主要介绍半导体器件、放大电路的基本原理、放大电路的频率响应、集成运算放大电路、放大电路中的反馈、模拟信号运算电路、信号处理电路、波形发生电路、功率放大电路、直流电源,为反映科学技术的发展，在内容安排上侧重于基础理论和集成电路及其应用。 先修课程：高等数学、大学物理、电路 二、教学内容与要求 第一章半导体器件 主要内容是：半导体的特性、半导体二极管、双极型三极管、场效应管 重点：PN结的单向导电性与各种电子器件的主要特性及主要参数 难点：各种电子器件的主要特性 第二章放大电路的基本原理 主要内容是：放大的概念、单管共发射极放大电路、放大电路的主要技术指标、放大电路基本分析方法、工作点的稳定问题、放大电路的三种基本组态、场效应管放大电路、多级放大电路。 要求：了解基本放大电路的组成；理解共射极单管放大电路的基本结构、工作原理、设置静态工作点的意义及简化小信号模型。掌握电压放大倍数、源电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的估算，了解输入电阻、输出电阻的概念。理解射极输出器的特点和应用，了解共基极放大电路的原理和特点。了解场效应管基本放大电路的原理和特点。了解直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合的基本原理及特点，理解多级放大电路动态参数的分析方法。 重点：各种放大电路的设置静态工作点的意义及简化小信号模型，掌握电压放大倍数、

模拟电子技术基础教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。

3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5

专升本《模拟电子技术》考试答案

[ 试题分类 ]: 专升本《模拟电子技术》 _08001250 [ 题型 ]: 单选 [ 分数 ]:2 1. 理想的功率放大电路应工作于 ( ) 状态。 A. 丙类互补 B. 甲类互补 C. 乙类互补 D. 甲乙类互补 答案 :D 2. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 ( ) 。 A. 不易制作大阻值的电阻 B. 不易制作大容量电容 C. 放大交流信号 D .便于设计 答案 :B 3. 当有用信号的频率介于 1500Hz 与 2000Hz 之间时，应采用的最佳滤波电路是 ( ) A. 高通 B. 低通 C. 带阻 D. 带通 答案 :D B. P 区自由电子向 C. P 区自由电子向 D. N 区自由电子向 答案 :D 5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的 ( ) A. 差模输入电阻增大 B .差模放大倍数数值增大 4.半导体中PN 结的形成主要是由于( )生产的 A. N 区自由电子向 P 区的漂移运动 N 区的漂移运动 N 区的扩散运动 P 区的扩散运动

C.差模输岀电阻增大 D .抑制共模信号能力增强 答案:D 6. NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。 A. 放大区 B. 截止区 C. 击穿区 D. 饱和区 答案:B 7. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置, 则此管的工作状态为( ) 。 A. 饱和状态 B. 截止状态 C .微导通状态 D. 放大状态 答案:A 8. 差动放大电路的特点是抑制( ) 信号，放大( ) 信号。 A. 差模差模 B. 共模共模 C. 差模共模 D. 共模差模 答案:D 9. 稳压二极管的有效工作区是( ) 。 A. 反向截止区 B. 正向导通区 C. 反向击穿区 D. 死区 答案:C 10. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( ) 。 A. 晶体管参数受温度影响 B .晶体管参数的分散性 C.电阻阻值有误差

模拟电子技术课程设计心得体会

模拟电子技术课程设计心得体会此次设计也让我明白了思路即出路，有什么不懂不明白的地方要及时请教，做课程设计要有严谨的思路和熟练的动手能力，我感觉自己做了这次设计后，明白了总的设计方法及思路，通过这次尝试让我有了更加光火的思路，对今后的学习也有莫大的好处。 一、设计目的 1、学习基本理论在实践中综合运用的初步经验，掌握模拟电路设计的基本方法、设计步骤，培养综合设计与调试能力。 2、学会直流稳压电源的设计方法和性能指标测试方法。 3、培养实践技能，提高分析和解决实际问题的能力。 1．电路图设计方法 （1）确定目标：设计整个系统是由那些模块组成，各个模块之间的信号传输，并画出直流稳压电源方框图。 （2）系统分析：根据系统功能，选择各模块所用电路形式。 （3）参数选择：根据系统指标的要求，确定各模块电路中元件的参数。 （4）总电路图：连接各模块电路。 （5）将各模块电路连起来，整机调试，并测量该系统的各项指标。 （6）采用三端集成稳压器电路，用输出电压可调且内部有过载保护的三端集成稳压器，输 出电压调整范围较宽，设计一电压补偿电路可实现输出电压从 0 V起连续可调，因要求电 路具有很强的带负载能力，需设计一软启动电路以适应所带负载的启动性能。该电路所用器 件较少，成本低且组装方便、可靠性高。 二、总体设计思路

1、直流稳压电源 直流稳压电源是一种将220V工频交流电转换成稳压输出的直流电压的装置，它需要变压、整流、滤波、稳压四个环节才能完成。 直流稳压电源方框图 图2 直流稳压电源的方框图 2、整流电路 （1）直流电路常采用二极管单相全波整流电路，电路如图3所示。 图3 单相桥式整流电路 3、滤波电路——电容滤波电路 采用滤波电路可滤除整流电路输出电压中的交流成分，使电压波形变得平滑。常见的滤波电路有电容滤波、电感滤波和复式滤波等。 在整流电路的输出端，即负载电阻RL两端并联一个电容量较大的电解电容C，则构成

模拟电子技术教案课程

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模拟电子技术教案 电子与信息工程学院 目录 第一章常用半导体器件 第一讲半导体基础知识 第二讲半导体二极管 第三讲双极型晶体管三极管 第四讲场效应管 第二章基本放大电路 第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理 第六讲放大电路的基本分析方法 第七讲放大电路静态工作点的稳定 第八讲共集放大电路和共基放大电路 第九讲场效应管放大电路 第十讲多级放大电路 第十一讲习题课 第三章放大电路的频率响应 第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型

第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积 第四章功率放大电路 第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路 第十五讲改进型OCL电路 第五章模拟集成电路基础 第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路 第十八讲集成运算放大电路 第六章放大电路的反馈 第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算 第二十一讲负反馈对放大电路的影响 第七章信号的运算和处理电路 第二十二讲运算电路概述和基本运算电路 第二十三讲模拟乘法器及其应用 第二十四讲有源滤波电路 第八章波形发生与信号转换电路 第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路 第二十六讲电压比较器

第二十七讲非正弦波发生电路 第二十八讲利用集成运放实现信号的转换 第九章直流电源 第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路 第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路 第三十一讲串联型稳压电路 第三十二讲总复习 第一章半导体基础知识 本章主要内容 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。 本章学时分配 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 本讲重点

专升本《模拟电子技术》

一、单选（共20题,每题2分,共40分） 1.当半导体的温度升高后由于,以致其导电性能大幅度增强。() A.空穴数量增多 B.自由电子与空穴数量不变 C.自由电子与空穴同时增多，且数量相同 D.自由电子数量增多 2.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。() A.U AO＝-6V，D1反偏截止D2正偏导通 B.U AO＝-6V，D1正偏导通D2反偏截止 C.U AO＝-12V，D1正偏导通D2反偏截止 D.U AO＝-12V，D1反偏截止D2正偏导通 3.当稳压型二极管工作在其伏安特性的时,其用途与普通二极管相当。（） A.反向区 B.死区 C.正向导通区 D.反向击穿区 4.如图所示的电路，以下结论正确的是。（） A.电路能实现复合管的作用，且=1+2。 B.电路能实现复合管的作用，且=12 C.电路不能实现复合管的作用 D.电路能实现复合管的作用，且1=2 5.下列电路中有可能正常放大的是：。() A. B.

C. D. 6.图示的电路中，稳压管Dz1和Dz2的反向击穿电压分别为6V 和7V ，正向导通电压均为0.6V ，则输出电压为：。（） A.7V B.6.6V C.5.4V D.6V 7.硅锗晶体二极管至少要高于约的电压才能正常工作。() A.0.4V B.0.1V C.0.7V D.0.3V 8.共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。() A.反相 B.不确定，需要通过实际计算才得到 C.同相 D.相差90 9.场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管。（） A.多子--多子--差不多 B.多子--少子--大 C.少子--多子--小 D.多子--两种载流子--小 10.如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：。 （）

《模拟电子技术》课程

《模拟电子技术》精品课 程

目录 单元1 晶体二极管的特性与应用 1.1理论：半导体物理的基本知识和晶体二极管的特性 1.2实验：晶体二极管的伏安特性测试和简单应用 单元2 晶体三极管的特性 2.1理论：晶体三极管的输入、输出特性 2.2实验：晶体三极管的输入、输出特性测试 单元3 晶体三极管共发射极基本放大器 3.1理论：晶体三极管共发射极放大器的性能指标和分析方法3.2实验：晶体三极管共发射极基本放大器性能指标测试 单元4 晶体三极管共集电极基本放大器 4.1理论：射极跟随器的性能指标分析 4.2实验：射极跟随器的性能指标测试 单元5 晶体三极管多级放大器 5.1理论：多级放大器的耦合方式和分析方法 5.2实验：阻容耦合两级放大器的性能指标测试 单元6 负反馈放大器 6.1理论：反馈组态的判断和负反馈对放大器性能的影响 6.2实验：电压串联负反馈对放大器性能的影响 单元7 正弦波振荡器

7.1理论：正弦波振荡器的起振条件和平衡条件 7.2实验：RC分立元件文氏电桥正弦波振荡器 单元8 差分放大器 8.1理论：差分放大器的工作原理和性能指标 8.2实验：差分放大器的性能指标测试 单元9 集成运算放大器 9.1理论：集成运算放大器的理想化条件和应用 9.2实验：集成运算放大器的应用 单元10 功率放大器 10.1理论：甲、乙类功率放大器的工作原理和性能指标 10.2实验：OTL功率放大器的性能指标测试 单元11 直流稳压电源 11.1理论：直流稳压电源的工作原理和性能指标 11.2实验：串联直流稳压电源的性能指标测试 单元12 场效应管的特性及放大电路 12.1理论：结型场效应管的特性曲线和性能指标 12.2实验：结型场效应管特性曲线和放大电路性能指标的测试

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。

专升本《模拟电子技术》-试卷复习资料

专升本《模拟电子技术》 一、（共61题,共150分） 1. 当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。此时耗尽层 ( )。（2分） A.大于变宽。 B.小于变窄。 C.等于不变。 D.大于变窄。 .标准答案：D 2. 场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管（）。（2分） A.多子少子大。 B.多子两种载流子小。 C.少子多子小。 D.多子多子差不多。 .标准答案：B 3. 图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因是:（）。 （2分） A.交流信号不能输入。 B.没有交流信号输出。 C.没有合适的静态工作点。 D.发射结和集电结的偏置不正确。 .标准答案：B 4. 当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz，可采用（）的方式实现。（2分） A.高通滤波器 B.带阻滤波器 C.带通滤波器 D.低通滤波器 .标准答案：D 5. NPN型和PNP型晶体管的区别是 ( )。（2分） A.由两种不同材料的硅和锗制成。 B.掺入的杂质元素不同。 C.P区和N区的位置不同。 D.载流子的浓度不同。 .标准答案：C 6. 某NPN 型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位应为下列哪组数据？（）（2分） A.U 1=3.5V，U 2 =2.8V， U 3 =12V。 B.U 1 =3V，U 2 =2.8V， U 3 =12V。 C.U 1 =6V，U 2 =11.3V，U 3 =12V。 D.U 1 =6V，U 2 =11.8V，U 3 =12V。 .标准答案：A 7. 图示的电路中，稳压管的反向击穿电压分别为6V和7V，正向导通电压均为 0.6V，则输出电压为：（）。（2分） A.6V B.7V C.6.6V D.5.4V .标准答案：D 8. 如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情 况是：（）。（2分） A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b 。 B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b 。 C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b 。 D.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b 。 .标准答案：A 9. 下列电路中能正常放大的是：( )。（2分） A. B.

专升本电子技术基础试卷A教程文件

专升本电子技术基础 试卷A

电子技术基础 注意事项： 1. 请考生按要求在试卷装订线内填写姓名、准考证号、身份证号和报考专业。 2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。 3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。 4. 满分150分，考试时间为150分钟。 一、选择题（共44分，每小题2分）请选择正确答案填 入相应的横线空白处。选错、不选均无分。 1. 本征半导体是指________的半导体。 A. 化学成分纯净 B. 化学成分参杂三价元素 C. 化学成分参杂五价元素 D. 以上都是 2. N型半导体中是多数载流子，是少数载流子，但半导体呈中性。 A．少数空穴； B.电子 C. 空穴 D.多数电子 3．场效应晶体管是用______控制漏极电流的。 A．栅极电流 B. 栅漏电压 C. 漏源电压 D. 栅源电压 4．对于一个理想二极管，当施加正向电压时，其内部PN结的耗尽层变。 A．变宽 B. 变窄 C.不变 D. 消失 5．三极管处于放大状态的条件是。

A. 发射极反偏,集电极正偏 B. 发射区杂质浓度小 C. 基区宽，杂质浓度低。 D. 发射极正偏,集电极反偏 6．场效应管是。 A. 栅控器件 B. 电流控制器件 C. 电压控制器件 D.源控器件 7. 电流源电路的特点是。 A. 直流电阻大，交流电阻小 B. 直流电阻小，交流电阻大 C. 直流电阻小，交流电阻小 D. 直流电阻大，交流电阻大 8. 处于平衡态的PN结内的载流子。 A 不运动 B 匀速运动 C 无规则运动 D 加速运动 9. 以下哪一种耦合方式经常用在集成运算放大电路中。 A阻容耦合 B直接耦合 C 变压器耦合 D 混合耦合 10. 集成运算放大电路输入级一般采用。 A、差分放大电路 B、共射电路 C、互补对称电路 D、共基极电路 11. 差模信号是指在两个输入端加上的信号。 A. 幅度相等，极性相反 B. 幅度相等，极性相同 C. 幅度不等，极性相反 D. 幅度不等，极性相同 12. 对于增强型MOS管当中的N型管，其特点是。 A.VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＜0 B. VGS＞0 VDS＜0开启电压VT＞0

《模拟电子技术基础》教学大纲

《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点：

放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。

课程模拟电子技术论文

课程模拟电子技术论文 院系：物电学院 专业：自动化 班级：1211自动化 学生姓名：XXX 学号：XX 任课老师：XXX 2015年10月9日

Negative Feedback Amplifying Circuit of Analog Electronic Technology Qin Hongtao Hubei University of Arts and Science,P.R.china,441053 1106955858@https://www.sodocs.net/doc/0b17506194.html, Abstract:this paper introduces the basic conception of negative feedback amplifying circuit,talking about the negative feedback’s type,function and importance. Key words:negative feedback amplifying circuit ,amplification factor,effect of circuit. 1 Introduction In 1934,the first article on negative feedback technology to improve the importance of the paper was published ,with the wide application of nagative feedback technology,the performance of the amplifying circuit is greatly improved ,so negative feedback is very important in electronic technology ,almost all of the amplifying circuits are used for negative feedback. For the diversity of the function of negative feedback amplifier,we should know the function of different kinds of negative feedback 2 Methods and Materials 2.1 Definition of negative feedback The so-called feedback is part or all of the output of the amplifier echo to the amplifer input circuit ,through the network,and participate in the input cortrol of the amplifier with input signal,to improve the performance of the amplifier. When the input signal is superimposed with the feedback signal,the signal is actually added to the basic amplifier input. The input signal minus feedback signal to that the net input signal is less than the input signal ,we defined as "negative feedback". 2.2 The basic block diagram The feedback amplifier contains two parts, namely, the basic amplifier circuit and the feedback network.,it’s shown in Fig 1