NandFlash和NorFlash详解
Flash Nor Nand
闪存简介：
闪存是可通过电擦写和重编程的非挥发性计算机存储器。闪存技术主要应用在计算机和其他数字设备间传输数据的存储卡和USB盘上。它是一种可用大块擦写和重编程技术访问的特殊类型的EEPROM （Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）。闪存不需要电源维持芯片内保存的数据。另外闪存相比硬盘有数倍的访问速度并且更抗震动。它可以经受很大的压力，极端的温度，甚至可以浸泡在水中仍然保持可用。
FLASH MEMORY主要采用两种规格的技术：NAND和NOR。
NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。在大部分应用中都采用NAND FLASH，以下的芯片选型都是关于NAND FLASH。
NAND型闪存的技术特点：
内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit，还是512字节。
寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
NAND闪存的架构：
NAND闪存可分为两大架构，分别是单层式储存（Single Level Cell），即SLC；多层式储存（Multi Level Cell），即MLC。还有一类多位式存储（Multi Bit Cell），即MBC，由英飞凌（Infineon）与赛芬半导体（Saifun Semiconductors）合资利用NROM技术共同开发的NAND架构，技术上的问题目前还没有得到广泛应用。网上相关资料也非常有限，因此暂时不做讨论。
MLC是英特尔（INTEL）在1997年9月最先研发成功的，其原理是将两个位的信息存入一个浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写。即一个Cell存放多个bit，现在常见的MLC架构闪存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架构芯片的2倍，其发展速度远快于曾经的SLC架构。
SLC技术与EEPROM原理类似，只是在浮置闸极（Floating gate）与源极（Source gate）之中的氧化薄膜更薄，其数据的写入是透过对浮置闸极的电荷加电压，然后可以透过源极，即可将所储存的电荷消除，采用这样的方式便可储存每1个信息位，这种技术的单一位方式能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于低硅效率的问题，必须由较先进的流程强化技术才能向上提升SLC制程技术，单片容量目前已经很难再有大的突破，发展空间不大。
MLC架构可以一次储存4个以上的充电值，因此拥有比较好的存储密度，但是MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。
下面是一个关于SLC和MLC性能基本数据的表格：
MLC闪存的读取性能需花费两倍长的时间，写入性能需花费四倍长的时间。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit），所以需要有3.3V 及以上的电压才能驱动。
SLC最大的优势在于其使用寿命长，是MLC的十倍以上。但是，根据摩尔定律，电子产品的更新速率是以月计算的，虽然MLC的数据写入次数只有一万次，但是对于大众用户来说已经足够了，因此SLC的优势并不明显，而且还要面临MLC低成本高容量的挑战。因此，MLC技术是未来NAND FLASH的发展趋势，随着月来越多公司参与技术更新，MLC在性能上会逐渐接近并超过SLC。除非设计中要求使用期限比较长，否则通常采用MLC架构。但是现在采用MLC架构的NAND FLASH产品容量最小为4Gbit，最大可以到256Gbit，随着SSD(Nand Flash-based Solid State Drive)硬盘的发展，MLC架构主要用于SSD上。
决定NAND型闪存的因素
1、页数量
前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256Mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512Mb、1Gb的需要4个周期，而2、4Gb的需要5个周期。
2、页容量
每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存（4Gb）提高了页的容量，从512字节提高到2KB。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例，前者为1Gb，512字节页容量，随机读（稳定）时间12μs，写时间为200μs；后者为4Gb，
2KB页容量，随机读（稳定）时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。
读取性能
NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器（随机读稳定时间）→数据传出（每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次）。
K9K1G08U0M读一个页需要：
5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs
K9K1G08U0M实际读传输率：512字节÷38.7μs=13.2MB/s。
K9K4G08U0M读一个页需要：
6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs。
K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s
因此，采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。
写入性能
NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。
K9K1G08U0M写一个页需要：
5个命令、寻址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。
K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷226.7μs=2.2MB/s。
K9K4G08U0M写一个页需要：
6个命令、寻址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。
K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s
因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。
3．块容量
块是擦除操作的基本单位，由于每个块的擦除时间几乎相同（擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的时间可以忽略不计），块的容量将直接决定擦除性能。
大容量NAND型闪存的页容量提高，而每个块的页数量也有所提高，一般4Gb芯片的块容量为2KB×64个页=128KB，1Gb芯片的为512字节×32个页=16KB。可以看出，在相同时间之内，前者的擦速度为后者8倍！
4．I/O位宽
以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品开始，就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为(1K+32)×16bit。
模仿上面的计算，我们可以知道：
K9K4G16U0M读一个页需要：
6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。
K9K4G16U0M实际读传输率：2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s
K9K4G16U0M写一个页需要：
6个命令、寻址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。
K9K4G16U0M实际写传输率：2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的芯片，将数据线增加到16条后，读性能提高近70%，写性能也提高16%。
5．频率
工作频率的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20～33MHz，频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时，我们假设频率为20MHz，如果我们将频率提高一倍，达到40MHz，则K9K4G08U0M读一个页需要：
6个命令、寻址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。
K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷78μs=26.3MB/s
可以看到，如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz，读性能可以提高近70%！当然，上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中，可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的频率目前可达33MHz。
6．制造工艺
制造工艺可以影响晶体管的密度，也对一些操作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间，它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分，尤其是写入时。如果能够降低这
些时间，就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗？答案恐怕是否！目前的实际情况是，随着存储密度的提高，需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势，否则4Gb芯片的性能提升更加明显。
综合来看，大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长，但随着页容量的提高，有效传输率还是会大一些，大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率，则是提高性能的最有效途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间（如信号稳定时间等）等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。
闪存行业概况
在闪存领域里市场占有率最高的五大厂商为：三星、东芝、美光、海力士和英特尔。其中三星和东芝的市场占有率最大，但是英特尔与美光合资成立的IM NAND FLASH公司拥有强大的技术后盾，在34NM制程内与三星竞争。因此NAND FLASH生产厂商的竞争主要集中在技术上的竞争，同种类型的产品之间的差价很小，通常情况下选用三星的芯片，因为其在国内的市场占有率最高，货源充足。
NAND FLASH 选型
在芯片选型时，首先考虑满足用户要求，然后在满足要求的基础上选择性价比最高的芯片。
在NAND FLASH 选型中，需要考虑的因素主要有：架构、容量、价格、使用寿命等。其实归结起来就是两点：容量和价格。因为像其他因素如尺寸多少nm，采用什么架构，决定了容量的大小，架构决定了使用寿命。
小结：
如何对NAND产品进行选型，设计相关产品需要有掌握下列参数进行一下详细地分析：
1、容量问题，NAND的容量要多少M BIT，这个要在能满足系统的情况下尽可能选用低容量来节约成本。
2、位宽，设计这需要根据自己的电路选用相对应位宽的NAND ，NAND目前都是8BIT位宽。
3 、电压，供电电压有3.3V和1.8V，需要根据具体要求确定NAND的电压，三星都有相对应的产品。
4 、NAND要确认是选用Large block还是Small block，Large和Small的划分基本上是以4Gbit 为分界。
5 、ND产品市场竞争激烈，各大厂商会经常更新产品的制成，纳米技术的提升会带来成本的降低，所以在选择的时候一定要定期关注新版本的测试，其实新产品对于芯片本身没有任何变化，只是内部晶元会做一些调整而已。42纳米技术是目前比较常见的NAND产品。
NAND未来发展趋势：
1、MLC架构
基于MLC架构的SSD（solid state disk）固态存储器正在向传统的机械式硬盘挑战，而SanDisk 和Toshiba开发的3-bit和4-bit存储单元更是比原来的2-bit存储单元在存储密度上有了很大提升，采用3-bit和4-bit存储的创新技术，并结合高级的40nm和30nm工艺，NAND闪存的晶圆利用率已经提升到超过250Mbit/mm2。不久前，2-bit多层单元(MLC)设计结合50nm
到40nm工艺的设计让晶圆利用率达到了100到150Mbits/mm2。并且在数据传输速率上，SanDisk和Toshiba的43nm、4-bit单元的64Gbit NAND器件达到5.6 Mbytes/s。Hynix的48nm、3-bit单元的32Gbit NAND闪存达到5.5Mbytes/s。MLC架构将是下一阶段的新的技术制高点。
2、MCP多芯片封装
在同一个封装内集成不同类型的存储器芯片，以提高存储器的可靠性，为设备制造商节省电路板空间。多片封装通常含有不同类型的存储器如SRAM、闪存或DRAM。多芯片封装需要数项关键性工艺支持，诸如晶圆薄化（wafer thinning）、再分布层（redistribution layer）、芯片切割（chip sawing）以及引线键合（wire bonding）。
3、新型物料和工艺的运用
随着芯片尺寸缩小，需要更低的操作电压，并推动了更薄隧道电介质的需求，以将电荷传输至浮动栅或传输出浮动栅，但电介层较薄的话，可靠性就较低。在先进的工艺尺寸中，一个浮动栅的活动区域对存储单元晶体管的影响较小，但从控制到浮动栅的耦合比例需要保持恒定。所以，需要更薄的多晶硅层间介电质(IPD)。在有两种介电质情况下，介电常数更高(higher-k)的材料能减少有效电荷厚度，同时具有更大的物理厚度，并能维护更高的可靠性。然而，采用新型材料会给自身带来挑战，存储单元封装得更加紧密，会增加风险，导致一个浮动栅上的电荷会影响相邻存储单元的操作。最后，闪存的操作依赖于较高电压来写入或擦除存储单元。需要在给定硅片面积条件且无损存储单元效率的条件下，设计和应用能够转换电压的控制晶体管。
4、相变存储器(PCM)
相变存储器（phase change memory）,简称PCM，利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。在不久的将来闪存会遭遇严重的尺寸缩小限制，而新型相变存储材料，即使体积极其微小，该材料也会具有非常高的性能。相变存储器兼有NOR-type flash、memory NAND-type flash memory和RAM或EEpROM相关的属性。
一位可变
如同RAM或EEPROM，PCM可变的最小单元是一位。闪存技术在改变储存的信息时要求有一步单独的擦除步骤。而在一位可变的存储器中存储的信息在改变时无需单独的擦除步骤，可直接由1变为0或由0变为1。
非易失性
相变存储器如NOR闪存与NAND闪存一样是非易失性的存储器。RAM需要稳定的供电来维持信号，如电池支持。DRAM也有称为软错误的缺点，由微粒或外界辐射导致的随机位损坏。早期Intel进行的兆比特PCM存储阵列能够保存大量数据，该实验结果表明PCM具有良好的非易失性。
读取速度
如同RAM和NOR闪存，PCM技术具有随机存储速度快的特点。这使得存储器中的代码可以直接执行，无需中间拷贝到RAM。PCM读取反应时间与最小单元一比特的NOR闪存相当，
而它的的带宽可以媲美DRAM。相对的，NAND闪存因随机存储时间长达几十微秒，无法完成代码的直接执行。
写入/擦除速度
PCM能够达到如同NAND的写入速度，但是PCM的反应时间更短，且无需单独的擦除步骤。NOR闪存具有稳定的写入速度，但是擦除时间较长。PCM同RAM一样无需单独擦除步骤，但是写入速度（带宽和反应时间）不及RAM。随着PCM技术的不断发展，存储单元缩减，PCM将不断被完善。
缩放比例
缩放比例是PCM的第五个不同点。NOR和NAND存储器的结构导致存储器很难缩小体型。这是因为门电路的厚度是一定的，它需要多于10V的供电，CMOS逻辑门需要1V或更少。这种缩小通常被成为摩尔定律，存储器每缩小一代其密集程度提高一倍。随着存储单元的缩小，GST材料的体积也在缩小，这使得PCM具有缩放性。
目前英特尔和意法半导体已经推出了首款PCM，而其他厂商如恒忆、三星、奇梦达等巨头也正在抓紧研制PCM。PCM很可能成为下一代存储器。
5、开放式NAND闪存接口(OpenNANDFlashInterface，ONFI)
开放式NAND闪存接口(ONFI)工作组专门致力于简化NAND闪存与消费电子设备、计算平台及工业系统的集成。ONFI 2.1版规范提出更简化的闪存控制器设计，提升了闪存接口的速度（注意与闪存的读写速度区分），把性能水平提高到新的范围层次——每秒166兆字节（MB/s）到200MB/s。在最新的IMX233开发板的原理图中，使用的NAND FLASH 芯片为三星的
K9GAG08U0D，其中为ONFI接口扩展预留了位置。
社会保险数据管理系统操作手册
社会保险数据管理系统操作手册 一、功能概述 社会保险数据管理系统实现的功能是帮助交纳养老保险费和失业保险费的企业完成个人帐户明细申报工作，以实现保险费个人帐户的记清作实。本程序实现的主要功能有数据录入、上报文件的生成等功能。本手册适应的软件版本为企业版1.0版。 二、系统安装 社会保险数据管理系统为非安装类程序，将压缩文件802.rar解压到缴费企业的计算机硬盘上即完成安装；也可以将解压后的目录复制到任意其他目录下来完成安装。主目录名（如802）可以更改成其他目录名，主目录名下的data目录和report 目录则不可以更改成其他目录名。data目录存放数据文件，report目录存放上报到税务局的数据文件，上报到税务局的数据文件按所属时期行分类存放。如下图所示： 三、程序启动 安装目录下的“企业报盘软件.exe”即为启动文件。 双击这个文件可以完成社会保险数据管理系统的启动，
四、系统参数配置 程序初次运行或运行期间需要进行参数调整，都可以通过“系统配置”来完成。点击“系统配置”图标或“系统维护系统配置”菜单来启动系统配置窗口，如下图示： 在本界面录入税务登记号、单位编码（社保）、单位名称、联系人和联系电话等数据，其中税务登记号、单位编码（社保）、单位名称是必须正确录入的项目。税务登记号为15位至20位编码、单位编码为7位编码。红色字段为必须录入的字段，其他字段可根据需要来录入。 在参数配置项中的“本人上月实际工资收入取整到元”选项，可以将录入的本人上月实际工资收入四舍五入取整到元，对于社会平均工资也会四舍五入取整到元，对于没有这项要求的纳费人，这项不需要选中。
解读海恩法则
解读海恩法则 一、海恩法则的定义 海恩法则：任何不安全事故都是可以预防的。 海恩法则是德国飞机涡轮机的发明者德国人帕布斯·海恩提出的一个在航空界关于飞行安全的法则。海恩法则指出: 每一起严重事故的背后，必然有29次轻微事故和300起未遂先兆以及1000起事故隐患。 虽然这一分析会随着飞行器的安全系数增加和飞行器的总量变化而发生变化，但它确实说明了飞行安全与事故隐患之间的必然联系。当然，这种联系不仅仅表现在飞行领域，在其他领域也同样发生着潜在的作用。 按照海恩法则分析，当一起重大事故发生后，我们在处理事故本身的同时，还要及时对同类问题的“事故征兆”和“事故苗头”进行排查处理，以此防止类似问题的重复发生，及时解决再次发生重大事故的隐患，把问题解决在萌芽状态。 二、海恩法则的精髓 海恩法则强调两点：一是事故的发生是量的积累的结果；二是再好的技术，再完美的规章，在实际操作层面，也无法取代人自身的素质和责任心。 三、海恩法则的启示 (一)必须以预防为主 假如人们在安全事故发生之前，预先防范事故征兆、事故苗头，预先采取积极有效的防范措施，那么，事故苗头、事故征兆、事故本身就会被减少到最低限度，安全工作水平也就提高了。由此推断，要制服事故，重在防范，要保证安全，必须以预防为主。 要在安全工作中做到以预防为主，必须坚持“六要六不要”： 1.要充分准备，不要仓促上阵。充分准备就是不仅熟知工作内容，而且熟悉工作过程的每一细节，特别是对工作中可能发生的异常情况，所有这些都必须在事前搞得清清楚楚； 2.要有应变措施，不要进退失据。应变措施就是针对事故苗头、事故征兆甚至安全事故可能发生所预定的对策与办法； 3.要见微知著，不要掉以轻心。有些微小异常现象是事故苗头、事故征兆的反映，必须及时抓住它，正确加以判断和处理，千万不能视若无睹，置之不理，遗下隐患；
NandFlash简介
NandFlash简介 分类：Linux2013-03-06 14:34 2945人阅读评论(0) 收藏举报 Flash Memory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。 从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，即使断电了，也不会丢失，这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的入硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。 FLASH的分类：功能特性分为两种：一种是NOR型闪存，以编码应用为主，其功能多与运算相关；另一种为NAND型闪存，主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。 NOR FLASH和NAND FLASH NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结结，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少 在NOR Flash中, 所有的存储区域都保证是完好的, 同时也拥有相同的耐久性。在硬模中专门制成了一个相当容量的扩展存储单元—他们被用来修补存储阵列中那些坏的部分，这也是为了保证生产出来的产品全部拥有完好的存储区域。为了增加产量和降低生产成本, NAND Flash 器件中存在一些随机bad block 。为了防止数据存储到这些坏的单元中, bad block 在IC烧录前必须先识别。在一些出版物中, 有人称bad block 为“bad block”, 也有人称bad block 为“invalid block”。其实他们拥有相同的含义, 指相同的东西。 从实际的应用上来说, NOR Flash与NAND Flash主要的区别在于接口。NOR Flash拥有完整的存取-映射访问接口, 它拥有专门的地址线和数据线, 类似与EPROM。然而在NAND Flash中没有专门的地址线。它发送指令,地址和数据都通过8/16位宽的总线(I/O接口)到内部的寄存器。 SLC/MLC基本原理
NAND Flash中文版资料
NAND Flash 存储器 和 使用ELNEC编程器烧录NAND Flash 技术应用文档 Summer 翻译整理 深圳市浦洛电子科技有限公司 August 2006
目录 一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18
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深度解读海恩法则
深度解读海恩法 、海恩法则的定义 海恩法则：任何不安全事故都是可以预防的 海恩法则是德国飞机涡轮机的发明者德国人帕布斯海恩提出的一个在航空界关于飞行安全的法则。海恩法则指出: 每一起严重事故的背后，必然有29 次轻微事故和300起未遂先兆以及1000 起事故隐患。 虽然这一分析会随着飞行器的安全系数增加和飞行器的总量变化而发生变化，但它确实说明了飞行安全与 事故隐患之间的必然联系。当然，这种联系不仅仅表现在飞行领域，在其他领域也同样发生着潜在的作用。 按照海恩法则分析，当一起重大事故发生后，我们在处理事故本身的同时，还要及时对同类问题的征兆”和“事故苗 事故头”进行排查处理，以此防止类似问题的重复发生，及时解决再次发生重大事故的隐患，把问题解决在萌芽状态。 、海恩法则的精髓 海恩法则强调两点：一是事故的发生是量的积累的结果；二是再好的技术，再完美的规章，在实际操作层面，也无法取代人自身的素质和责任心。 三、海恩法则的启示 （一）必须以预防为主 假如人们在安全事故发生之前，预先防范事故征兆、事故苗头，预先采取积极有效的防范措施，那么，事故苗头、事故征兆、事故本身就会被减少到最低限度，安全工作水平也就提高了。由此推断，要制服事故，重在防范，要保证安全，必须以预防为主。 1.要充分准备，不要仓促上阵。充分准备就是不仅熟知工作内容，而且熟悉工作过程的每一细节，特别是对工作中可能发生的异常情况，所有这些都必须在事前搞得清清楚楚；
2.要有应变措施，不要进退失据。应变措施就是针对事故苗头、事故征兆甚至安全事故可能发生所预定的对策与办法； 3.要见微知着，不要掉以轻心。有些微小异常现象是事故苗头、事故征兆的反映，必须及时抓住它，正确加以判断和处理，千万不能视若无睹，置之不理，遗下隐患； 4.要鉴以前车，不要孤行己见。要吸取别人、别单位安全问题上的经验教训，作为本单位本人安全工作的借鉴。传达安全事故通报，进行安全整顿时，要把重点放在查找事故苗头、事故征兆及其原因上，并且提出切实可行的防范措施； 5.要举一反三，不要固步自封。对于本人、本单位安全生产上的事例，不论是正面的还是反面的事例，只要具有典型性，就可以举一反三，推此及彼，进行深刻分析和生动教育，以求安全工作的提高和进步。绝不可以安于现状，不求上进； 6.要亡羊补牢，不要一错再错。发生了安全事故，正确的态度和做法就是要吸取教训，以免重蹈覆辙。绝不能对存在的安全隐患听之任之，以免错上加错。 （二）要有“小中见大”的敏锐眼光。 任何细小问题，都可能是导致安全事故发生的“导火索”，甚至是“定时炸弹”。比如一个烟头可能会引发一场火灾，一块劣质的钢筋可能会使一座大楼坍塌，一件质量不合格的刹车片可能会导致一起车祸，等等。所以，抓安全工作不能忽视小问题，要坚持从细小问题入手，以“小中见大”的敏锐眼光和“见微知着”的警觉意识，善于从各种征兆中发现苗头、从苗头中排除隐患。特别要善于发现和解决那些掩盖在成绩荣誉光环之下、隐匿在“歌舞升平”的表象之下、躲藏在司空见惯、见怪不怪的视线之下的各类细小问题，从中透过现象看本质、以小见大抓预防。
海力士NANDFlash选型
Q1’2011 DATABOOK Rev 0.1
NAND Flash –SLC / MLC / TLC AND Flash N NAND Flash SLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark HY27US08281A 90nm 128Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP Now HY27US08561A 90nm 256Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now HY27US08121B 70nm 512Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now H27U518S2C 57nm 512Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27US081G1M 70nm 1Gb 16KB Mono 3.3v/X8USOP Now HY27UF081G2A 70nm 1Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now HY27US081G2A 70nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Now H27U1G8F2B 48nm 1Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP,FBGA Now H27U1G8F2B 48nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Now H27U1G8F2CTR 32nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8TSOP Q4 '11H27U1G8F2CFR 32nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Q4 '11HY27UF082G2B 57nm 2Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP,FBGA, LGA Now H27U2G8F2C 41nm 2Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27UF084G2B 57nm 4Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27U4G8F2D 41nm 4Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27UG088G5(D)B 57nm 8Gb 128KB DDP 3.3v/X8TSOP Now 2CE/Dual CH.H27U8G8G5D 41nm 8Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27QBG8GDAIR-BCB 32nm 32Gb 512KB DDP 1.8v/x8VFBGA Now 2CE/Dual CH.H27QCG8HEAIR-BCB 32nm 64Gb 512KB QDP 1.8v/x8VFBGA Now 4CE/Dual CH.H27QDG8JEAJR-BCB 32nm 128Gb 512KB ODP 1.8v/x8 JFBGA Feb. '11 4CE/Dual CH.NAND Flash MLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark H27U8G8T2B 48nm 8Gb 512KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27UAG8T2M 48nm 16Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8TSOP/VLGA Now H27UAG8T2A 41nm 16Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8TSOP Now H27UBG8U5A 41nm 32Gb 512KB(4KB Page)DDP 3.3v/X8TSOP Now H27UBG8T2M 41nm 32Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8VLGA Now H27UBG8T2A 32nm 32Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now H27UCG8VFA 41nm 64Gb 512KB(4KB Page)QDP 3.3v/X8TSOP Now H27UCG8UDM 41nm 64Gb 512KB(4KB Page)DDP 3.3v/X8VLGA Now Dual CH.H27UCG8U5(D)A 32nm 64Gb 2MB(8KB Page)DDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now Dual CH. LGA H27UCG8T2M 26nm 64Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8VLGA Now H27UDG8VEM 41nm 128Gb 512KB(4KB Page)QDP 3.3v/X8VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UDG8V5(E)A 32nm 128Gb 2MB(8KB Page)QDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UEG8YEA 32nm 256Gb 2MB(8KB Page)ODP 3.3v/x8VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UAG8T2B 32nm 16Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP Now H27UBG8T2B 26nm 32Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP Now Legacy H27UCG8U2B 26nm 64Gb 2MB(8KB Page)DDP 3.3v/x8TSOP Jan. '11Legacy H27UDG8V2B 26nm 128Gb 2MB(8KB Page)QDP 3.3v/x8FBGA-100Feb. '11HS(ONFi2.2)H27UEG8Y2B 26nm 256Gb 2MB(8KB Page) ODP 3.3v/x8 FBGA-100 Mar. '11 HS(ONFi2.2)NAND Flash TLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark H27UAG8M2M 41nm 16Gb 768KB (4KB page)SDP 3.3V/x8VLGA Now H27UBG8M2A 32nm 32Gb 1MB (4KB page) SDP 3.3V/x8 VLGA Now
NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)
NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)2012-03-30 00:57:33 NOR-FLASH是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架 构.NOR-FLASH在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,但是由于NOR-FLASH只支持块擦除,其擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，导致擦除和编程操作所花费的时间很长,所以在纯数据存储和文件存储的应用中显得力不从心. NOR-FLASH的特点是: 1. 程序和数据可存放在同一芯片上，FLASH芯片拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随 机读取，并且允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 2. 可以单字节或单字读取，但不能单字节擦除，必须以部分或块为单位或对整片执行擦除操 作，在执行写操作之前,必需先根据需要对部分,块或整片进行擦除,然后才能写入数据。 以SST系列NOR-FLASH芯片为例介绍FLASH的使用方法及驱动. 首先,在驱动的头文件中,要根据芯片的具体情况和项目的要求作如下定义: 1. 定义操作的单位,如 typedef unsigned char BYTE; // BYTE is 8-bit in length typedef unsigned short int WORD; // WORD is 16-bit in length typedef unsigned long int Uint32; // Uint32 is 32-bit in length 在这里地址多是32位的,芯片写操作的最小数据单位为WORD,定义为16位,芯片读操作的最小数据单位是BYTE,定义为8位. 2. 因为芯片分为16位和32位的,所以对芯片的命令操作也分为16位操作和32位操作(命令 操作在介绍具体的读写过程中将详细介绍). #ifdef GE01 /*宏NorFlash_32Bit，若定义了为32位NorFlash，否则为16位NorFlash*/ #define NorFlash_32Bit #endif 3. 根据芯片的情况,定义部分(段)和块的大小. #define SECTOR_SIZE 2048 // Must be 2048 words for 39VF160X #define BLOCK_SIZE 32768 // Must be 32K words for 39VF160X
个人数据管理平台用户手册
个人数据管理平台用户手册 （前台部分） 中国科学院教育部水土保持与生态环境研究中心 二〇一〇年三月
1 平台特点和功能介绍 1.1、平台特点 个人数据管理平台（Personal Data Management Platform,简称PDMP）具有以下特点： （1）、它是一种面向数据资源拥有者（即科学家）个人管理个人数据的平台，也就是说，它是科技工作者自主管理自己的科学数据的计算机网络环境。自主管理的含义包括：按照平台的数据资源整编规范编写元数据、数据文档和数据体，并提交到平台中；数据拥有者自主决定是否发布数据集以及什麽时间发布数据集，自主决定哪些用户能访问自己的数据集（可精确到数据体）。一句话，谁拥有的数据由谁决定怎样发布和共享，平台只提供存储、发布和共享数据的环境，以及确保提交的数据不违反法规。 （2）、数据资源建设者将由几个专业数据管理人员拓展到广大的科研人员，从而加快数据资源建设的进度。再有，提高了数据管理的实时性，也就是说科研人员随时可以将产生的数据整编归档并提交到专门的数据存储服务器，避免因时间久远而产生数据丢失、混乱。 （3）、数据平台由专业数据管理人员建设和维护，从数据管理的角度来说，为科研人员提供了先进的、安全的、方便的数据管理环境。 1.2、平台信息状态定义 1.2.1用户类型定义 匿名用户：没有登录到平台的用户。
普通数据用户：拥有最小权限的用户，只能访问公开和授权数据，不能汇交元数据和数据体。该类用户可以对所有元数据进行查询、浏览，可以查看、下载元数据说明文件和缩略图；可以浏览已经发布元数据的数据体，可以下载授权的数据体，可以对未授权的数据体进行授权申请；还可以向系统管理员申请成为数据集发布者。 数据录入员：能在平台发布数据体的人员，该类用户得到数据集发布者的汇交数据体授权，但是不能发布元数据信息。该类用户可以在授权数据集上汇交数据体、修改自己汇交的没有发布的数据体，可以浏览、下载已经审批通过并且自己参与的数据集中的数据体，以及具有普通数据用户角色的全部权限。 数据集发布者：能在平台汇交元数据的人员，通过汇交元数据创建数据集。该类用户可以汇交元数据；对自己汇交的元数据进行修改、查看状态、进行发布、汇交和修改数据体、查看数据体授权使用情况等；可以授权其它用户成为自己数据集的数据录入员；可以将已经发布的数据集中的数据体授权他人查看或者公开；同时，元数据发布者拥有数据录入员角色的全部权限。 1.2.2元数据和数据体状态定义 （1）平台元数据具有以下5种状态： 待审查状态：用户汇交的元数据默认状态即为待审查状态，在此状态下用户可以修改元数据信息、修改数据说明文件信息和缩略图信息等，可以自己提交、修改该元数据的数据体，但元数据不能被访问，也不能授权他人访问数据体或授权他人发布数据体。 审查通过状态：即待发布状态，由数据管理员或系统管理员对元数据审查通过的状态，在此状态下用户除了具有元数据“待审查状态”下的权限，还有
深度解读海恩法则简易版
In Order To Simplify The Management Process And Improve The Management Efficiency, It Is Necessary To Make Effective Use Of Production Resources And Carry Out Production Activities. 编订：XXXXXXXX 20XX年XX月XX日 深度解读海恩法则简易版
深度解读海恩法则简易版 温馨提示：本安全管理文件应用在平时合理组织的生产过程中，有效利用生产资源，经济合理地进行生产活动，以达到实现简化管理过程，提高管理效率，实现预期的生产目标。文档下载完成后可以直接编辑，请根据自己的需求进行套用。 一、海恩法则的定义 海恩法则：任何不安全事故都是可以预防 的。 海恩法则是德国飞机涡轮机的发明者德国 人帕布斯?海恩提出的一个在航空界关于飞行 安全的法则。海恩法则指出: 每一起严重事故 的背后，必然有29次轻微事故和300起未遂先 兆以及1000起事故隐患。 虽然这一分析会随着飞行器的安全系数增 加和飞行器的总量变化而发生变化，但它确实 说明了飞行安全与事故隐患之间的必然联系。 当然，这种联系不仅仅表现在飞行领域，在其
他领域也同样发生着潜在的作用。 按照海恩法则分析，当一起重大事故发生后，我们在处理事故本身的同时，还要及时对同类问题的“事故征兆”和“事故苗头”进行排查处理，以此防止类似问题的重复发生，及时解决再次发生重大事故的隐患，把问题解决在萌芽状态。 二、海恩法则的精髓 海恩法则强调两点：一是事故的发生是量的积累的结果；二是再好的技术，再完美的规章，在实际操作层面，也无法取代人自身的素质和责任心。 三、海恩法则的启示 (一)必须以预防为主 假如人们在安全事故发生之前，预先防范
NandFlash的基础知识
NAND FLASH的基础知识 NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page，(Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Byte，每32 个page 形成一个Block， Sizeof(block)=16kByte = 32 page = 32 * 528 byte Numberof(block)=64Mbyte/16kbyte=4096 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area) Nand flash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： --Block Address -- Page Address --Column Address 对于NAND Flash 来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。 512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address。32 个page 需要5bit 来表示，占用A[13:9]，即该page 在块内的相对地址。Block的地址是由A14 以上的bit 来表示，例如512Mbit的NAND，共4096block，因此，需要12 个bit 来表示，即A[25:14]，如果是1Gbit 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:24]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为：Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512Mbit x8 的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。以NAND_ADDR 为例： ◆第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0] 上，而halfpage pointer 即bit8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读写。而真正的bit8 的值是don't care 的。 ◆第2 步就是将NAND_ADDR 右移9 位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上 ◆第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O 上 ◆第4 步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O 上因此，整个地址传递过程需要4 步才能 完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是256Mbit 以下，那么，block adress 最高位只到bit24，因此寻址只需要3 步。下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候bit8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和x8 的使用方法完全相同。 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同，典型的分配是这样的
浅谈NorFlash的原理及其应用
浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR
Nand Flash存储结构及控制方法
Nand Flash存储结构及控制方法(K9F1G08) 2011-02-26 15:05:59| 分类：默认分类 | 标签： mini2440nandflash k9f1g08 |字号订阅 一、NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用 NAND Flash在嵌入式系统中的作用，相当于PC上的硬盘 常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash，NOR Flash上进行读取的效率非常高，但是擦除和写操作的效率很低，容量一般比较小；NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高，并且容量更大。一般NOR Flash用于存储程序，NAND Flash 用于存储数据。 1）NAND Flash的物理结构 笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08，大小为128M，下图为它的封装和外部引脚 I/O0-I/O7 数据输入/输出 CLE 命令锁存使能 ALE 地址锁存使能 CE 芯片使能 RE 读使能 WE 写使能 WP 写保护 R/B 就绪/忙输出信号 Vcc 电源 Vss 地 N.C 不接 K9F1G08功能结构图如下
K9F1G08内部结构有下面一些功能部件 ①X-Buffers Latches & Decoders：用于行地址 ②Y-Buffers Latches & Decoders：用于列地址 ③Command Register：用于命令字 ④Control Logic & High Voltage Generator：控制逻辑及产生Flash所需高压 ⑤Nand Flash Array：存储部件 ⑥Data Register & S/A：数据寄存器，读、写页时，数据存放此寄存器 ⑦Y-Gating ⑧I/O Buffers & Latches ⑨Global Buffers ⑩Output Driver
总结NAND FLASH控制器的操作
NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序， 1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。 NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括 几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。 NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。 K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。 K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。 共2K 块 每块大小16 页 每页大小2K + 64BYTE 即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。 OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。 NCON：NAND FLASH类型选择信号。 GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。 GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。 GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。 访问NAND FLASH 1）发生命令：读、写、还是擦除 2）发生地址：选择哪一页进行上述操作 3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态 NAND FLASH支持的命令： #define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1 #define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2 #define CMD_READID 0x90 //读ID 命令 #define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1 #define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2 #define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1 #define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2 #define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令 #define CMD_RESET 0xff //复位 #define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1
社会保险数据管理系统操作手册
社会保险数据管理系统 操作手册 Document number【980KGB-6898YT-769T8CB-246UT-18GG08】
社会保险数据管理系统操作手册 一、功能概述 社会保险数据管理系统实现的功能是帮助交纳养老保险费和失业保险费的企业完成个人帐户明细申报工作，以实现保险费个人帐户的记清作实。本程序实现的主要功能有数据录入、上报文件的生成等功能。本手册适应的软件版本为企业版版。 二、系统安装 社会保险数据管理系统为非安装类程序，将压缩文件解压到缴费企业的计算机硬盘上即完成安装；也可以将解压后的目录复制到任意其他目录下来完成安装。主目录名（如802）可以更改成其他目录名，主目录名下的data目录和report目录则不可以更改成其他目录名。data目录存放数据文件，report目录存放上报到税务局的数据文件，上报到税务局的数据文件按所属时期行分类存放。如下图所示： 三、程序启动 安装目录下的“企业报盘软件.exe”即为启动文件。
双击这个文件可以完成社会保险数据管理系统的启动， 四、系统参数配置 程序初次运行或运行期间需要进行参数调整，都可以通过“系统配置”来完成。点击“系统配置”图标或“系统维护?系统配置”菜单来启动系统配置窗口，如下图示：
在本界面录入税务登记号、单位编码（社保）、单位名称、联系人和联系电话等数据，其中税务登记号、单位编码（社保）、单位名称是必须正确录入的项目。税务登记号为15位至20位编码、单位编码为7位编码。红色字段为必须录入的字段，其他字段可根据需要来录入。 在参数配置项中的“本人上月实际工资收入取整到元”选项，可以将录入的本人上月实际工资收入四舍五入取整到元，对于社会平均工资也会四舍五入取整到元，对于没有这项要求的纳费人，这项不需要选中。 五、数据录入 1、数据录入界面如下图
2014《公共基础知识》试题及答案
2014年事业单位考试《公共基础知识》模拟试题及答案 一、单项选择题(在下列选项中选择最恰当的一项，本大题共有30小题，每小题1分，共30分。) 1、我国实行省级管理体制始于( )。 A. 秦朝 B. 唐朝 C. 元朝 D. 清朝 参考答案:C 解析:C 【解析】元朝各行省设平章政事，总揽一省军事、民政、财政诸大权，行省成为地方最高行政区划。故选C。 2、社会主义民主政治的本质是( )。 A. 人民当家作主 B. 人民民主专政 C. 人民代表大会制度 D. 人民参与国家管理 参考答案:A 解析:A 【解析】在我国，人民民主专政是国体，人民代表大会是政体，人民参与国家管理是人民当家作主的一项重要内容，故选A。 3、社会主义民主政治的本质和核心是( )。 A. 党的领导 B. 人民当家作主 C. 依法治国 D. 坚持和完善人民代表大会制度 参考答案:B 解析:B 【解析】十七大报告指出：“人民当家作主是社会主义民主政治的本质和核心。”故选B。 4、夏、商、周时期的重要制度不包括( )。 A. 世袭制 B. 宗法制 C. 分封制 D. 郡县制参考答案:D 解析:D 【解析】郡县制盛行于秦汉，是古代中央集权制在地方政权上的体现，它形成于战国时期。故选D。5错误的社会意识之所以错误，主要是由于( )。 A. 它纯粹是主观臆断，其内容与社会存在无关 B. 它落后于客观实际，不适合时代发展的需要 C. 它脱离多数人的觉悟程度，不能被多数人接受 D. 它是对社会存
在虚构的、歪曲的反映 参考答案:D 解析:D 【解析】意识是人脑对客观物质世界的反映，意识可分为正确的意识和错误的意识。意识之所以错误，是因为没有能够正确地反映客观存在。故选D。 6、《刑法》规定，犯罪主体对其实施的危害社会的行为及其所造成的危害结果所持的心理态度，称为( )。 A. 犯罪的主体 B. 犯罪的主观方面 C. 犯罪的客体 D. 犯罪的客观方面 参考答案:B 解析:B 【解析】犯罪主观方面，亦称犯罪主观要件或者罪过，是指行为人对自己的危害社会的行为及其危害社会的结果所持的故意或者过失的心理态度。人在实施犯罪时的心理状态是十分复杂的，概括起来有故意和过失这两种基本形式以及犯罪目的和犯罪动机这两种心理要素。故选8。 7、为贬低他人而取绰号的行为侵犯了公民的( )。 A. 隐私权 B. 名誉权 C. 肖像权 D. 健康权 参考答案:B 解析:B 【解析】名誉权是指公民和法人对其应有的社会评价所享有的不受他人侵害的权利，包括保护自己的社会良好评价或改善、改变不好评价的权利和维护名誉权不受侵害的权利。为贬低他人而取绰号的行为侵犯了公民的名誉权。故选B。 8、根据《立法法》的规定，法律议案审议的结果不可能是( )。 A. 签署公布 B. 终止审议 C. 进一步审议 D. 提请表决 参考答案:A 解析:A 【解析】根据我国《立法法》的相关规定，法律议案审议通过后，可以提请表决;仍有重大问题需要进一步研究的，交付有关部门进一步审议;存在较大意见分歧或因暂不付表决经过两年没有再次列入议程审议的，终止审议。法律议案经表决后通过的，由国家主席签署主席令予以公布。故选A。