半导体行业专业词汇
半导体行业专业词汇
. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)
2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子
3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统
4. Acid：酸
5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）
6. Align mark(key)：对位标记
7. Alloy：合金
8. Aluminum：铝
9. Ammonia：氨水
10. Ammonium fluoride：NH4F
11. Ammonium hydroxide：NH4OH
12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
13. Analog：模拟的
14. Angstrom：A（1E-10m）埃
15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）
16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）
17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）
18. Antimony(Sb)锑
19. Argon(Ar)氩
20. Arsenic(As)砷
21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22. Arsine(AsH3)
23. Asher：去胶机
24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）
27. Baseline：标准流程
28. Benchmark：基准
29. Bipolar：双极
30. Boat：扩散用（石英）舟
31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. Chip：碎片或芯片。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43. Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation：相关性。
46. Cp：工艺能力，详见process capability。
47. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。
48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。
49. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）
52. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion width：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55. Depth of focus（DOF）：焦深。
56. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
58. developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液
59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63. dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74. fab：常指半导体生产的制造工厂。
75. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76. field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. flat：平边
79. flatband capacitanse：平带电容
80. flatband voltage：平带电压
81. flow coefficicent：流动系数
82. flow velocity：流速计
83. flow volume：流量计
84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数
85. forbidden energy gap：禁带
86. four-point probe：四点探针台
87. functional area：功能区
88. gate oxide：栅氧
89. glass transition temperature：玻璃态转换温度
90. gowning：净化服
91. gray area：灰区
92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪
93. hard bake：后烘
94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产
96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒
97. host：主机
98. hot carriers：热载流子
99. hydrophilic：亲水性
100. hydrophobic：疏水性
101. impurity：杂质
102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体
103. inert gas：惰性气体
104. initial oxide：一氧
105. insulator：绝缘
106. isolated line：隔离线
107. implant : 注入
108. impurity n : 掺杂
109. junction : 结
110. junction spiking n :铝穿刺
111. kerf :划片槽
112. landing pad n :PAD
113. lithography n 制版
114. maintainability, equipment : 设备产能
115. maintenance n :保养
116. majority carrier n :多数载流子
117. masks, device series of n : 一成套光刻版
118. material n :原料
119. matrix n 1 :矩阵
120. mean n : 平均值
121. measured leak rate n :测得漏率
122. median n :中间值
123. memory n : 记忆体
124. metal n :金属
125. nanometer (nm) n ：纳米
126. nanosecond (ns) n ：纳秒
127. nitride etch n ：氮化物刻蚀
128. nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体
129. n-type adj ：n型
130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻
131. orientation n：晶向，一组晶列所指的方向
132. overlap n ：交迭区
133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
134. phosphorus (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素
135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版
136. photomask, negative n：反刻
137. images：去掉图形区域的版
138. photomask, positive n：正刻
139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子
140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺
142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺
143. pn junction n：pn结
144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠
145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
146. polycide n：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构
147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。
148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。
150. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。151. proximity X-ray n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。
152. pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。
153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。
154. quartz carrier n :石英舟。
155. random access memory (RAM) n :随机存储器。
156. random logic device n :随机逻辑器件。
157. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP)。
158. reactive ion etch (RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。
159. reactor n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。
160. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
161. resist n :光刻胶。
162. scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。
163. scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。
164. Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。
165. scribe line n :划片槽。
166. sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。
167. semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。169. side load: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。
170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片
171. small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。
172. source code:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。
174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。
175. sputter etch: 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。
176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。
177. steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。
178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。
179. stepper: 步进光刻机（按BLOCK来曝光）
180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。
181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。
183. tack weld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。
185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。
186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。
187. thermal deposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。188. thin film:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。
189. titanium(Ti): 钛。
190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混
合物不溶于水但溶于酒精和大气。
192. tungsten(W): 钨。
193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。
194. tinning: 金属性表面覆盖焊点的薄层。
195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。
196. watt(W): 瓦。能量单位。
197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。
198. wafer process chamber(WPC): 对晶片进行工艺的腔体。
199. well: 阱。
200. wet chemical etch: 湿法化学腐蚀。
201. trench: 深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。202. via: 通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。
203. window: 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。
204. torr : 托。压力的单位。
205. vapor pressure: 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。
206. vacuum: 真空。
207. transition metals: 过渡金属
Yield 良率
Parameter参数
PAC感光化合物
ASIC特殊应用集成电路
Solvent 溶剂
Carbide碳
Refractive折射
Expansion膨胀
Strip 湿式刻蚀法的一种
TM: top mental 顶层金属层
WEE 周边曝光
PSG 硼硅玻璃
MFG 制造部
Runcard 运作卡
POD 装晶舟和晶片的盒子
Scratch 刮伤
Reticle 光罩
Sputter 溅射
Spin 旋转
Merge 合并
A/D [军] Analog.Digital, 模拟/数字
AC Magnitude 交流幅度
AC Phase 交流相位
Accuracy 精度
"Activity Model
Activity Model" 活动模型
Additive Process 加成工艺
Adhesion 附着力
Aggressor 干扰源
Analog Source 模拟源
AOI,Automated Optical Inspection 自动光学检查
Assembly Variant 不同的装配版本输出
Attributes 属性
AXI,Automated X-ray Inspection 自动X光检查
BIST,Built-in Self Test 内建的自测试
Bus Route 总线布线
Circuit 电路基准
circuit diagram 电路图
Clementine 专用共形开线设计
Cluster Placement 簇布局
CM 合约制造商
Common Impedance 共模阻抗
Concurrent 并行设计
Constant Source 恒压源
Cooper Pour 智能覆铜
Crosstalk 串扰
CVT,Component Verification and Tracking 元件确认与跟踪
DC Magnitude 直流幅度
Delay 延时
Delays 延时
Design for Testing 可测试性设计
Designator 标识
DFC,Design for Cost 面向成本的设计
DFM,Design for Manufacturing 面向制造过程的设计
DFR,Design for Reliability 面向可靠性的设计
DFT,Design for Test 面向测试的设计
DFX,Design for X 面向产品的整个生命周期或某个环节的设计DSM,Dynamic Setup Management 动态设定管理
Dynamic Route 动态布线
EDIF,The Electronic Design Interchange Format 电子设计交互格式EIA,Electronic Industries Association 电子工业协会
Electro Dynamic Check 动态电性能分析
Electromagnetic Disturbance 电磁干扰
Electromagnetic Noise 电磁噪声
EMC,Elctromagnetic Compatibilt 电磁兼容
EMI,Electromagnetic Interference 电磁干扰
Emulation 硬件仿真
Engineering Change Order 原理图与PCB版图的自动对应修改
Ensemble 多层平面电磁场仿真
ESD 静电释放
Fall Time 下降时间
False Clocking 假时钟
FEP 氟化乙丙烯
FFT,Fast Fourier Transform 快速傅里叶变换
Float License 网络浮动
Frequency Domain 频域
Gaussian Distribution 高斯分布
Global flducial 板基准
Ground Bounce 地弹反射
GUI,Graphical User Interface 图形用户界面
Harmonica 射频微波电路仿真
HFSS 三维高频结构电磁场仿真
IBIS,Input/Output Buffer Information Specification 模型
ICAM,Integrated Computer Aided Manufacturing 在ECCE项目里就是指制作PCB IEEE,The Institute of Electrical and Electronic Engineers 国际电气和电子工程师协会IGES,Initial Graphics Exchange Specification 三维立体几何模型和工程描述的标准Image Fiducial 电路基准
Impedance 阻抗
In-Circuit-Test 在线测试
Initial Voltage 初始电压
Input Rise Time 输入跃升时间
IPC,The Institute for Packaging and Interconnect 封装与互连协会
IPO,Interactive Process Optimizaton 交互过程优化
ISO,The International Standards Organization 国际标准化组织
Jumper 跳线
Linear Design Suit 线性设计软件包
Local Fiducial 个别基准
manufacturing 制造业
MCMs,Multi-Chip Modules 多芯片组件
MDE,Maxwell Design Environment
Nonlinear Design Suit 非线性设计软件包
ODB++ Open Data Base 公开数据库
OEM 原设备制造商
OLE Automation 目标连接与嵌入
On-line DRC 在线设计规则检查
Optimetrics 优化和参数扫描
Overshoot 过冲
Panel fiducial 板基准
PCB PC Board Layout Tools 电路板布局布线
PCB,Printed Circuit Board 印制电路板
Period 周期
Periodic Pulse Source 周期脉冲源
Physical Design Reuse 物理设计可重复
PI,Power Integrity 电源完整性
Piece-Wise-linear Source 分段线性源
Preview 输出预览
Pulse Width 脉冲宽度
Pulsed Voltage 脉冲电压
Quiescent Line 静态线
Radial Array Placement 极坐标方式的元件布局
Reflection 反射
Reuse 实现设计重用
Rise Time 上升时间
Rnging 振荡,信号的振铃
Rounding 环绕振荡
Rules Driven 规则驱动设计
Sax Basic Engine 设计系统中嵌入
SDE,Serenade Design Environment
SDT,Schematic Design Tools 电路原理设计工具
Setting 设置
Settling Time 建立时间
Shape Base 以外形为基础的无网格布线
Shove 元器件的推挤布局
SI,Signal Integrity 信号完整性
Simulation 软件仿真
Sketch 草图法布线
Skew 偏移
Slew Rate 斜率
SPC,Statictical Process Control 统计过程控制
SPI,Signal-Power Integrity 将信号完整性和电源完整性集成于一体的分析工具SPICE,Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis 集成电路模拟的仿真程序Split/Mixed Layer 多电源/地线的自动分隔
SSO 同步交换
STEP,Standard for the Exchange of Product Model Data
Symphony 系统仿真
Time domain 时域
Timestep Setting 步进时间设置
UHDL,VHSIC Hardware Description Language 硬件描述语言
Undershoot 下冲
Uniform Distribution 均匀分布
Variant 派生
VIA-Vendor Integration Alliance 程序框架联盟
Victim 被干扰对象
Virtual System Prototype 虚拟系统原型
VST,Verfication and Simulation Tools 验证和仿真工具
Wizard 智能建库工具,向导
2. 专业术语
术语英文意义中文解释
LCD Liquid Crystal Display 液晶显示
LCM Liquid Crystal Module 液晶模块
TN Twisted Nematic 扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转90度
STN Super Twisted Nematic 超级扭曲向列。约180～270度扭曲向列
FSTN Formulated Super Twisted Nematic 格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于STN，用于单色显示
TFT Thin Film Transistor 薄膜晶体管
Backlight - 背光
Inverter - 逆变器
OSD On Screen Display 在屏上显示
DVI Digital Visual Interface （VGA）数字接口
TMDS Transition Minimized Differential Singnaling
LVDS Low Voltage Differential Signaling 低压差分信号
Panelink -
IC Integrate Circuit 集成电路
TCP Tape Carrier Package 柔性线路板
COB Chip On Board 通过绑定将IC裸偏固定于印刷线路板上
COF Chip On FPC 将IC固定于柔性线路板上
COG Chip On Glass 将芯偏固定于玻璃上
Duty - 占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率
LED Light Emitting Diode 发光二极管
EL Elextro Luminescence 电致发光。EL层由高分子量薄片构成
CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷阴极荧光灯
PDP Plasma Display Panel 等离子显示屏
CRT Cathode Radial Tude 阴极射线管
VGA Video Graphic Anay 视频图形陈列
PCB Printed Circuit Board 印刷电路板
Composite video - 复合视频
component video - 分量视频
S-video - S端子，与复合视频信号比，将对比和颜色分离传输
NTSC National Television Systems Committee NTSC制式。全国电视系统委员会制式
Phase Alrernating Line PAL制式（逐行倒相制式）
SEquential Couleur Avec Memoire SECAM制式（顺序与存储彩色电视系统）
Video On Demand 视频点播
DPI Dot Per Inch 点每英寸
3. A.M.U 原子质量数
4. ADI After develop inspection显影后检视
5. AEI 蚀科后检查
6. Alignment 排成一直线，对平
7. Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值
8. ARC：anti-reflect coating 防反射层
9. ASHER: 一种干法刻蚀方式
10. ASI 光阻去除后检查
11. Backside 晶片背面
12. Backside Etch 背面蚀刻
13. Beam-Current 电子束电流
14. BPSG: 含有硼磷的硅玻璃
15. Break 中断，stepper机台内中途停止键
16. Cassette 装晶片的晶舟
17. CD：critical dimension 关键性尺寸
18. Chamber 反应室
19. Chart 图表
20. Child lot 子批
21. Chip (die) 晶粒
22. CMP 化学机械研磨
23. Coater 光阻覆盖（机台）
24. Coating 涂布，光阻覆盖
25. Contact Hole 接触窗
26. Control Wafer 控片
27. Critical layer 重要层
28. CVD 化学气相淀积
29. Cycle time 生产周期
30. Defect 缺陷
31. DEP: deposit 淀积
32. Descum 预处理
33. Developer 显影液；显影（机台）
34. Development 显影
35. DG: dual gate 双门
36. DI water 去离子水
37. Diffusion 扩散
38. Doping 掺杂
39. Dose 剂量
40. Downgrade 降级
41. DRC: design rule check 设计规则检查
42. Dry Clean 干洗
43. Due date 交期
44. Dummy wafer 挡片
45. E/R: etch rate 蚀刻速率
46. EE 设备工程师
47. End Point 蚀刻终点
48. ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤
49. ET: etch 蚀刻
50. Exhaust 排气（将管路中的空气排除）
51. Exposure 曝光
52. FAB 工厂
53. FIB: focused ion beam 聚焦离子束
54. Field Oxide 场氧化层
55. Flatness 平坦度
56. Focus 焦距
57. Foundry 代工
58. FSG: 含有氟的硅玻璃
59. Furnace 炉管
60. GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性
61. H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S
62. HCI: hot carrier injection 热载流子注入
63. HDP：high density plasma 高密度等离子体
64. High-Voltage 高压
65. Hot bake 烘烤
66. ID 辨认，鉴定
67. Implant 植入
68. Layer 层次
69. LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏
70. Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污
71. LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化
72. Loop 巡路
73. Lot 批
74. Mask (reticle) 光罩
75. Merge 合并
76. Metal Via 金属接触窗
77. MFG 制造部
78. Mid-Current 中电流
79. Module 部门
80. NIT: Si3N4 氮化硅
81. Non-critical 非重要
82. NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂
83. NW: n-doped well N阱
84. OD: oxide definition 定义氧化层
85. OM: optic microscope 光学显微镜
86. OOC 超出控制界线
87. OOS 超出规格界线
88. Over Etch 过蚀刻
89. Over flow 溢出
90. Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度
91. OX: SiO2 二氧化硅
92. P.R. Photo resisit 光阻
93. P1: poly 多晶硅
94. PA; passivation 钝化层
95. Parent lot 母批
96. Particle 含尘量/微尘粒子
97. PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师2、等离子体增强
98. PH: photo 黄光或微影
99. Pilot 实验的
100. Plasma 电浆
101. Pod 装晶舟与晶片的盒子
102. Polymer 聚合物
103. POR Process of record
104. PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂
105. PR: photo resist 光阻
106. PVD 物理气相淀积
107. PW: p-doped well P阱
108. Queue time 等待时间
109. R/C: runcard 运作卡
110. Recipe 程式
111. Release 放行
112. Resistance 电阻
113. Reticle 光罩
114. RF 射频
115. RM: remove. 消除
116. Rotation 旋转
117. RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火
118. RTP: rapid thermal process 迅速热处理
119. SA: salicide 硅化金属
120. SAB: salicide block 硅化金属阻止区
121. SAC: sacrifice layer 牺牲层
122. Scratch 刮伤
123. Selectivity 选择比
124. SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜
125. Slot 槽位
126. Source-Head 离子源
127. SPC 制程统计管制
128. Spin 旋转
129. Spin Dry 旋干
130. Sputter 溅射
131. SRO: Si rich oxide 富氧硅
132. Stocker 仓储
133. Stress 内应力
134. STRIP: 一种湿法刻蚀方式
135. TEOS –(CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD /PECVD 生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。
136. Ti 钛
137. TiN 氮化钛
138. TM: top metal 顶层金属层
139. TOR Tool of record
140. Under Etch 蚀刻不足
141. USG: undoped 硅玻璃
142. W (Tungsten) 钨
143. WEE 周边曝光
144. mainframe 主机
145. cassette 晶片盒
146. amplifier 放大器
147. enclosure 外壳
148. wrench 扳手
149. swagelok 接头锁紧螺母
150. clamp 夹子
151. actuator激励
152. STI shallow trench isolantion 浅沟道隔离层
153. SAB 硅铝块
154. UBM球下金属层镀模工艺
155. RDL金属连线重排工艺
156. RIE reactinv ion etch 反应离子etch
157. ICP inductive couple plasma 感应等离子体
158. TFT thin film transistor 薄模晶体管
159. ALD atomic layer deposition 原子层淀积
160. BGA ball grid array 高脚封装
161. AAS atomic absorptions spectroscopy 原子吸附光谱162. AFM atomic force microscopy 原子力显微
163. ASIC 特定用途集成电路
164. ATE 自动检测设备
165. SIP self-ionized plasma 自电离电浆
166. IGBT 绝缘门双极晶体管
167. PMD premetal dielectric 电容
168. TCU temperature control unit 温度控制设备169. arc chamber 起弧室
170. vaporizer 蒸发器
171. filament 灯丝
172. repeller 反射板
173. ELS extended life source 高寿命离子源
174. analyzer magnet 磁分析器
175. post accel 后加速器
176. quad rupole lens 磁聚焦透镜
177. disk/flag faraday 束流测量器
178. e-shower 中性化电子子发生器
179. extrantion electrode 高压吸极
180. disk 靶盘
181. rotary drive 旋转运动
182. liner drive 直线往复运动
183. gyro drive 两方向偏转184. flat aligener 平边检测器185. loadlock valve 靶盘腔装片阀186. reservoir 水槽
187. string filter 过滤器
188. DI filter 离子交换器
189. chiller 制冷机
190. heat exchange 热交换机
半导体行业深度研究报告
半导体行业深度研究报告
内容目录 1.人工智能倒逼芯片底层的真正变革 (4) 2.基于摩尔定律的机器时代的架构——从Wintel到AA (6) 2.1. Intel——PC时代的王者荣耀 (6) 2.1.1. Intel公司简介 (6) 2.1.2. Intel带来的PC行业的市场规模变革和产业变化 (7) 2.2. ARM——开放生态下移动时代的新王加冕 (9) 2.2.1. ARM公司简介 (9) 2.2.2. ARM架构——重新塑造移动智能时代 (10) 2.2.3. 生态的建立和商业模式的转变——ARM重塑了行业 (12) 3.人工智能芯片——新架构的异军突起 (15) 3.1. GPU——旧瓶装新酒 (16) 3.1.1. GPU芯片王者——NVIDIA (17) 3.2. FPGA——紧追GPU的步伐 (19) 3.3. ASIC——定制化的专用人工智能芯片 (21) 3.3.1. VPU——你是我的眼 (22) 3.3.1. TPU——Google的野心 (23) 3.4. 人工神经网络芯片 (24) 3.4.1. 寒武纪——真正的不同 (25) 4.从2个维度测算人工智能芯片空间 (26) 5.重点标的 (29) 图表目录 图1：遵从摩尔定律发展到微处理器发展 (4) 图2：摩尔定律在放缓 (4) 图3：全球智能手机每月产生的数据量（EB）5年提升了13X (4) 图4：单一神经元VS复杂神经元 (5) 图5：2次应用驱动芯片发展 (6) 图6：英特尔x86处理器总市场份额 (6) 图7：使用X86架构的单元 (7) 图8：摩尔定律下推动下的Intel股价上扬 (8) 图9：Intel 2012Q1-2016Q4 各产品线增速 (8) 图10：Intel 总产品收入VS PC端收入 (8) 图11：Intel VS 全球半导体增速 (8) 图12：ARM的商业模式 (9) 图13：ARM架构的发展 (10) 图14：高级消费电子产品正在结合更多的ARM技术 (12) 图15：ARM在智能手机中的成分 (13) 图16：基于ARM芯片的出货量 (13)
半导体名词解释
1. 何谓PIE PIE的主要工作是什幺 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义 答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍 5. 所谓的um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义 答：是指工厂的工艺能力可以达到um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从-> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer 答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module) 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而
半导体专业术语英语..
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
中国半导体产业发展演变研究
中国半导体产业发展演变研究 中国半导体产业发展演变研究 1956年，经过几年的恢复建设中国工业逐步走上正规，但当时电子工业在中国基本还是一片空白，为此，我国提出“向科学进军”，根据国外发展半导体产业的进程，国务院制订了“十二年科学技术发展远景规划”明确了中国发展半导体的决心。这是中国半导体产业发展的初始阶段，即分立器件发展阶段，时间跨度从1956～1965年，历时十年，从半导体材料开始，依靠自力更生研究半导体器件。典型的代表为1957年北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶，之后，我国技术人员依靠自身技术开发，相继研制出锗点接触二极管和三极管，随后1959年在天津四十六所利用直拉法拉制出中国第一颗实用直拉硅单晶，1962年又研发了砷化镓(GaAs)单晶，同年，我国研究制成硅外延工艺，并着手研究开发照相制版、光刻工艺。随着我国在半导体材料研究取得一些列成就，半导体器件研究的进程也开始加快，为此，中国科学院于1960年在北京建立了中国科学院半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业研究所，即现在的河北半导体研究所。到了上个世纪60年代初，中国半导体器件开始在工厂生产。通过十年的发展，半导体这门新兴的学科在中国由一批归国半导体学者带领，完全依靠自身的力量，将半导体从课堂和实验室发展到实验性工厂和生产型工厂。 从零开始踏上集成电路产业征程
中国集成电路产业始于1965年，在集成电路初始发展阶段的15年中，中国依靠自己的力量，于1965年12月由河北半导体研究所鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型数字逻辑电路，1966年底，在上海元件五厂鉴定了TTL电路产品，这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。这一系列的进展标志着中国已经研制出了自己的小规模集成电路。1968年，组建国营东光电工厂即878厂、上海无线电十九厂，并于1970年建成投产。进入七十年代，全国掀起IC企业建设热潮，仅七十年代初全国就建成了四十多家集成电路生产工厂，尽管取得了一些成就，但由于受到文革的影响，再加上闭门造车和国外封锁，中国集成电路产业与国外差距逐渐拉大，而此时美国已经进入超大规模（VLSI）时代。 改革开放使中国IC产业获得生机 中国IC产业规模化发展是从改革开发以后开始的，1982年10月，为了加强中国计算机和大规模集成电路的的发展，国务院成立了“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了我国IC产业发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造，并于1983年确立了“建立南北两个基地和一个点”。其中，南方基地是以江苏、上海、浙江为主，北方基地则以北京为主。在改革开放的条件下，全国有33个单位不同程度的引进了各种IC设备，共引进了约24条线的设备，但全行业存在重复引进和过于分散的问题，其中大部分为淘汰的3英寸及少量的
半导体行业的英文单词和术语
半导体行业的英文单词和术语 A 安全地线safe ground wire 安全特性security feature 安装线hook-up wire 按半周进行的多周期控制multicycle controlled by half-cycle 按键电话机push-button telephone set 按需分配多地址demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务demand telecommunication service 按组编码encode by group B 八木天线Yagi antenna 白噪声white Gaussian noise 白噪声发生器white noise generator 半波偶极子halfwave dipole 半导体存储器semiconductor memory 半导体集成电路semiconductor integrated circuit 半双工操作semi-duplex operation 半字节Nib 包络负反馈peak envelop negative feed-back 包络延时失真envelop delay distortion 薄膜thin film 薄膜混合集成电路thin film hybrid integrated circuit 保护比（射频）protection ratio (RF) 保护时段guard period 保密通信secure communication 报头header 报文分组packet 报文优先等级message priority 报讯alarm 备用工作方式spare mode 背景躁声background noise 倍频frequency multiplication 倍频程actave 倍频程滤波器octave filter 被呼地址修改通知called address modified notification 被呼用户优先priority for called subscriber 本地PLMN local PLMN 本地交换机local exchange 本地移动用户身份local mobile station identity ( LMSI) 本地震荡器local oscillator
半导体行业专题调研报告
半导体行业专题调研报告 一、半导体基本定义、概念与分类 半导体指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。从狭义上来讲：微电子工业中的半导体材料主要是指：锗（Ge）、硅（Si）、砷化镓（GaAs）从广义上来讲：半导体材料还包括各种氧化物半导体，有机半导体等。 （一）半导体分类 按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
（二）芯片与集成电路的联系和区别 芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。 “芯片”和“集成电路”这两个词经常混着使用，在日常讨论中集成电路设计和芯片设计表达的意思基本相同，芯片行业、集成电路行业、IC行业往往也是同样的意思。实际上，这两个词有联系，也有区别。 集成电路实体往往要以芯片的形式存在。狭义的集成电路，是强调电路本身，比如简单到只有五个元件连接在一起形成的相移振荡器，当它还在图纸上呈现的时候，也可称作集成电路，但如果它要发挥作用，则必须以独立的一块实物，或者嵌入到更大的集成电路中，依托芯片来发挥作用；集成电路更着重电路的设计和布局布线，芯片更强调电路的集成、生产和封装。广义的集成电路，当涉及到行业（区别于其他行业）时，也可以包含芯片相关的各种含义。 芯片也有它独特的地方，广义上，只要是使用微细加工手段制造出来的半导体片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有电路。比如半导体光源芯片；比如机械芯片，如MEMS陀螺仪；或者生物芯片如DNA芯片。在通讯与信息技术中，当把范围局限到硅集成电路时，芯片和集成电路的交集就是在“硅晶片上的电路”上。芯片组，则是一系列相互关联的芯片组合，它们相互依赖，组合在一起能发挥更大的作用，比如计算机里面的处理器和南北桥芯片组，手机里面的射频、基带和电源管理芯片组。 二、集成电路产业链介绍 半导体材料：硅的需求主要来自于两个方面，集成电路硅和太阳能用硅。 制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨光、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。 （一）半导体材料市场 有数据统计，2015年全球半导体材料市场产值为434亿美元，其中，台湾为94.1亿美元，连续6年蝉联最大市场；而南韩、中国大陆、北美与欧洲都有微幅成长，日本则出现6.28%的衰退幅度。 SEMI认为，由于许多重要半导体材料供应商均为日商，因此2015年日元汇率重贬是
半导体制造行业产业链研究报告
半导体制造行业产业链研 究报告 The document was prepared on January 2, 2021
半导体制造行业研究报告2017 1 对半导体制造设备行业的整体研究 通过对参加这次展会厂商的总体范围的了解，对半导体制造产业链的总体情况有了基本的认识，半导体制造涉及以下几个相关的细分行业。 晶圆加工设备 在半导体制造中专为晶圆加工的工序提供设备及相关服务的供应商，包括光刻设备、测量与检测设备、沉积设备、刻蚀设备、化学机械抛光(CMP)、清洗设备、热处理设备、离子注入设备等。 厂房设备 包括工厂自动化、工厂设施、电子气体和化学品输送系统、大宗气体输送系统等。晶圆加工材料 在半导体制造中提供原材料和相关服务的供应商，包括多晶硅、硅晶片、光掩膜、电子气体及化学、光阻材料和附属材料、CMP 料浆、低 K 材料等。 测试封装设备 在半导体测试和封装过程中提供设备及其他相关服务的供应商。主要涉及晶圆制程的后道工序，就是将制成的薄片“成品”加工为独立完整的集成电路。包括切割工具及材料、自动测试设备、探针卡、封装材料、引线键合、倒装片封装、烧焊测试、晶圆封装材料等。 测试封装材料 在半导体测试和封装过程中提供材料和相关服务的供应商，包括悍线、层压基板、引线框架、塑封料、贴片胶、上料板等。 子系统、零部件和间接耗材 为设备和系统制造提供子系统、零部件、间接材料及相关服务的厂商，包括质量流量控制、分流系统、石英、石墨和炭化硅等。 2 对电子气体和化学品输送系统行业的详细研究
电子气体和化学品输送系统涉及上游的电子气体产品提供商，半导体行业用阀门管件提供商，常规阀门管件提供商，气体供应设备提供商，气体输送系统设计、施工单位以及下游的后处理设备厂商。 电子气体 电子气体在半导体器件的生产过程中起着非常重要的作用，几乎每一步、每一个生产环节都离不开电子气体，并且电子气体的质量在很大程度上决定了半导体器件性能的好坏。 电子气体的纯度是一个非常重要的指标，其纯度每提高一个数量级,都会极大地推动半导体器件质的飞跃。同时，电子气体纯度也是区分气体厂商技术水平和生产能力的一个重要考量指标。 目前主要的气体产品公司多为欧美公司在中国的分公司，主要有法国液化空气公司，美国普莱克斯，德国林德公司，美国空气产品公司等。国内的品牌有苏州金宏气体，广东华特气体等。 半导体阀门管件 半导体阀门管件是气体输送系统和设备中重要的原材料，阀门管件的性能和质量水平也直接影响着气体输送系统的送气能力和运行稳定性，也会影响半导体产品的质量和性能。严重的情况下，一个阀门出现质量问题可能造成严重的生产事故。 半导体阀门管件的重要性也体现在其成本上，目前阀门管件等原材料的成本占据了气体输送系统和设备的大部分成本，但是，目前绝大部分供应要依赖进口品牌，并且是供不应求（货期较长），这造成了目前系统和设备厂商的运营成本居高不下。 此领域知名的厂商有APTECH,TESCOM,PARKER,SWAGELOK,KITZ，Valex等，但都为进口品牌，价格贵，交货期长（目前一般要2个月以上）。国产品牌目前主要的问题是半导体阀门管件产品种类少，并且产品并不成熟。通过和杰瑞，赛洛克等厂商的交流，了解到目前这些国内厂家公司规模多在一百人左右，新产品的研发能力和研发投入都十分有限，很难在短期内保质保量的供应市场上需求的半导体阀门管件。这也预示着电子气体输送系统和设备厂商在很长一段时间内还是要依赖进口品牌提供相应的材料，这种现状就要求系统和设备厂商有更好的成本和交货周期的管控能力，甚至在承接项目时做好提高其成本预算和延长交货期的准备。
半导体名词解释
1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um ->
0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？ 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而 光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）. 10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何？ 答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。 ②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。 11. 为何需要zero layer? 答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。 12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义? 答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。 13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分？ 答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。 ②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation） 14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份? 答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)
半导体行业专业词汇
半导体行业专业词汇 . acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
半导体常用英语词汇
MFG 常用英文单字 Semiconductor半导体 导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。 导体：金、银、铜、铁、人、水……导电系数大，传导容易 绝缘体：塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易 半导体：硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电 Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰纹，与FAB内生产的芯片图形类似。 Lot 批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。 Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫Wafer ID。 Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。 Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号，叫Part ID。 WIP Work In Process，在制品。从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP 。 一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯片， 称为Stage WIP。 Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。 Super Hot Run的优先级为1，视为等级最高，必要时，当Lot在 上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot Run。 Hot Run的优先级为2，紧急程度比Super Hot Run次一级。 Normal的优先级为3，视为正常的等级，按正常的派货原则，或 视常班向生产指令而定。 Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 定义为：从芯片投入到芯片产生的这一段时间。 Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。 Spec. 规格Specification的缩写。产品在机台加工过程中，每一站均设定规格。 机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后，是否在规格 内。若超出规格﹝Out of SPEC﹞，必须通知组长将产品Hold，并同时通知 制程工程师前来处理，必要时机台要停工，重新monitor，确定量测规格， 藉以提升制程能力。 SPC Statistics Process Control统计制程管制；透过统计的手法，搜集分析资料，
半导体名词解释
1)Acetone 丙酮 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3 性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体 用途：在FAB内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭 毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意 识不明等。 允许浓度：1000ppm 2)Active Area 主动区域 MOS核心区域，即源，汲，闸极区域 3)AEI蚀刻后检查 （1）AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。 （2）AEI的目的有四： 提高产品良率，避免不良品外流。 达到品质的一致性和制程的重复性。 显示制程能力的指标。 防止异常扩大，节省成本 （3）通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低的缺点。4）Al-Cu-Si 铝硅铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为T arget，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration) 故渗加 0.5%铜降低金属电荷迁移 5）Alkaline Ions 碱金属雕子 如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。
6）Alloy 合金 半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450℃作用30min，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使R C的值尽量减少。 7）Aluminum 铝 一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中加入适量的Cu或Si 8）Anneal 回火 又称退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。 a)激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载 流子，起到杂质的作用。 b)消除损伤：离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁 区（进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置，致使晶体的特性改变）。 而这种损毁区，经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回火功能可利用其温度、 时间差异来控制全部或局部的活化植入离子的功能 c)氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷，降低SiO2的晶格结构 退火方式： ?炉退火 ?快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等) 9）Angstrom 埃(?) 是一个长度单位，1?=10-10米,其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度的伍拾万分之
半导体物理--专业术语英汉对照-复习版
__________________________________________________ 1 acceptor 受主 2 allowed energy band允带 3 binary semiconductor 二元半导体 4 charge neutrality condition 电中性条件 5 compensated semiconductor 补偿半导体 6 conduction band and valence band 导带和价带 7 effective mass 有效质量 8 density of states function状态密度函数 9 diamond structure金刚石结构 10 diffusion coefficient扩散系数 11 donor施主 12 drift velocity 漂移速度 13 electron and hole电子和空穴 14 elemental semiconductor 元素半导体 15 equilibrium carrier concentration热平衡载流子浓度 16 expitaxy外延 17 extrinsic semiconductor非本征半导体 18 Fermi energy (or level)费米能级 19 Forbidden energy band禁带 20 indirect bandbap semiconductor非直接带隙半导体 21 intrinsic semiconductor本征半导体 22 majority carrier多数载流子 23 MBE分子束外延 24 Miller indices密勒指数 25 minority carrier少数载流子 26 mobility迁移率 27 MOCVD金属有机气相沉积 28 nondegenerate semiconductor非简并半导体 29 n-type material n型材料 30 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理 31 phonon声子 32 photon光子 33 primitive cell原胞 34 quantum state量子态 35 quaternary semiconductor四元半导体 36 scattering散射 37 substrate衬底 38 thermal motion热运动 39 unit cell单胞 40 wave-particle duality波粒二相性 41 continuity equations连续性方程 42 diffusion length扩散长度 43 diffusion coefficient扩散系数 44 Einstein relationship爱因斯坦关系 45 p-n junction p-n结 46 built-in voltage 内建电势差 47 carrier lifetime 载流子寿命
2020年半导体行业深度研究报告
2020年半导体行业深度研究报告 一、新科技起点，不可缺芯 半导体位于电子行业中游。通过集成电路、分立器件、被动器件在PCB 上组合形成模组，构成了手机、电脑、工业、航空航天、军事装备等电子产品的核心。这些产品又直接影响到国家的发展、社会的进步以及个人的生活，完全改变了没有半导体时候的结构与数据流动形式。所以我们说半导体产业是支撑经济社会发展和保障国家安全的基础性和战略性产业。没有集成电路产业的支撑，信息社会就失去了根基，集成电路因此被喻为现代工业的“粮食”。 再回顾过去的大科技趋势，我们已经经历了2000 年开始的数字时代以及从2010 年开始的互联时代，并开始逐步进入数据时代。 对于数据，全球知名咨询公司麦肯锡表示：“数据，已经渗透到当今每一个行业和业务职能领域，成为重要的生产因素。人们对于海量数据的挖掘和运用，预示着新一波生产率增长和消费者盈余浪潮的到来。”大数据在物理学、生物学、环境生态学等领域以及军事、金融、通讯等行业存在已有时日，却因为近年来互联网和信息行业的发展而引起人们关注。 在这个时代，科技的进步与发展潜移默化的改变了我们的生活习惯和思维方式。在这个时代，越来越多的科技从实验室走出来，走向大众。那科技的的基础是什么？科技的基础是硬件设备，而当代硬件设备的基础便是半导体。
近年在以物联网、可穿戴设备、云计算、大数据、新能源、医疗电子和安防电子等为主的新兴应用领域强劲需求的带动下，全球半导体产业恢复增长。半导体行业发展历程遵循一个螺旋式上升的过程，放缓或回落后又会重新经历一次更强劲的复苏。根据WSTS 统计，从2013 年到2018 年，全球半导体市场规模从3056 亿美元迅速提升至4688 亿美元，年均复合增长率达到8.93%。2019 年全球半导体市场规模受存储器价格滑坡同比下降12.8%到4089.88 亿美元。 随着技术的进步，对硬件的要求也越来越高，对芯片的需求也越来越强烈，比如5G 基站建设、5G 周边应用落地、IoT、汽车电子、AI 等等。 由于半导体的应用市场在各类终端智能化、互联化的过程中不断拓展，使得半导体产业与经济总量增速的相关度日益紧密，增长的稳健性加强、期性波动趋弱。知名半导体市调机构IC Insights 发布报告称，预计2018 年-2023 年全球的GDP 增长和半导体市场增长的相关性系数将从2010-2018 年的0.87 上升到0.88，而2000 年-2009 年该相关性系数仅为0.63。 我们从几个细分领域来简述全球半导体市场未来将会保持繁荣。这都可说明未来科技需要更大程度上的硬件集成度、更高程度的半导体元器件电子化需求。 （一）汽车日益电子化 汽车是未来半导体行业最强劲的增长来源之一。传统汽车的芯片基本用于发动机控制、电池管理、娱乐控制、安全气囊控制、转向辅助等
半导体行业专业术语
半导体行业专业术语.txt都是一个山的狐狸，你跟我讲什么聊斋，站在离你最近的地方，眺望你对别人的微笑，即使心是百般的疼痛只为把你的一举一动尽收眼底．刺眼的白色，让我明白什么是纯粹的伤害。悬赏太少了吧~嘎嘎不过尽管如此还是分享下俺的资料（有19800个字，这里发不下，如果还需要就给我小消息~~~）：） 移动通讯词汇（中英） A 安全地线 safe ground wire 安全特性 security feature 安装线 hook-up wire 按半周进行的多周期控制 multicycle controlled by half-cycle 按键电话机 push-button telephone set 按需分配多地址 demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务 demand telecommunication service 按组编码 encode by group B 八木天线 Yagi antenna 白噪声 white Gaussian noise 白噪声发生器 white noise generator 半波偶极子 halfwave dipole 半导体存储器 semiconductor memory 半导体集成电路 semiconductor integrated circuit 半双工操作 semi-duplex operation 半字节 Nib 包络负反馈 peak envelop negative feed-back 包络延时失真 envelop delay distortion 薄膜 thin film 薄膜混合集成电路 thin film hybrid integrated circuit 保护比（射频） protection ratio (RF) 保护时段 guard period 保密通信 secure communication 报头 header 报文分组 packet 报文优先等级 message priority 报讯 alarm 备用工作方式 spare mode 背景躁声 background noise 倍频 frequency multiplication 倍频程 actave 倍频程滤波器 octave filter 被呼地址修改通知 called address modified notification
关于中国半导体产业发展的现状分析和趋势展望
关于中国半导体产业发展的现状分析和趋势展望 摘要：步入二十一世纪的第十个年头，伴随着中国经济实体的繁荣发展，中国的半导体产业即将进入产业大发展的战略机遇期，如何把握机遇更好更快的发展半导体产业成为了未来中国经济发展的重点之一。中国半导体设计、制造、封测共同发展，结构日渐优化，产业链逐步完善，形成了相互促进共同发展的良好互动的大好局面。然而，由于各式各样的原因，半导体产业同时也面临着种种困难和挑战，如何制定科学合理的发展战略则成为了产业发展的重中之重。总之，中国半导体产业的发展充满机遇和挑战。 关键词：半导体产业科学发展产业调整战略优化 正文： 一、中国半导体产业的现状及分析 中国的半导体市场需求强劲，市场规模的增速远高于全球平均水平。不过，产业规模的扩大和市场的繁荣并不表明国内企业分得的份额更大，相反，中国的半导体市场正日益成为外资公司的乐土。国内半导体公司的发展面临强大的压力，生存环境堪忧。从两大分支上看，分立器件由于更新换代较慢、对技术和制造的要求较低、周期性也不明显，因而更适合国内企业，加上国际低端分立器件产能的转移，国内企业能够在低端市场获得优势。而从产业链环节上看，我们相对看好设计业，认为本土设计公司有突破的可能。基于政策支持、市场需求和产能转移，我们判断半导体行业在国内有很大的增长潜力。 二、长三角半导体产业的集群效应 我国尤其是长三角地区的半导体产业在国际半导体产业转移过程中获得了极好的发展机会,半导体产业初步形成了有一定规模的半导体产业集群,大大地推动了长三角地区的产业结构升级和带动了地区经济的发展。目前长三角地区已经成为我国集成电路产业的重镇,在国际半导体产业版图也占有极其重要的一席之地。但是应该认识到,长三角地区的半导体产业集群还只是如低廉的劳动力成本、地方政府提供的土地与财税优惠政策等基本生产要素驱动所形成的。这种低层次生产要素无法构成我国半导体产业的长久竞争优势,很快就会被以低成本比较优势的后起之秀所取代。长三角地区目前已经具有较好的半导体产业集群基础,国内又有极为庞大的内需市场,在国际半导体产业大转型的产业背景下,我们应转变传统靠低成本比较优势来招徕产业投资的观念,而应积极建立促进半导体产业高层次生产要素产生的机制,来提升长三角地区半导体产业集群的国际竞争力。 There was favorable opportunity for semiconductor industry development in China, esp. the Changjiang River delta, during the global industry transferring. There is semiconductor industrial cluster in this area and it improves the industry structures greatly and drives the economy development. The Changjiang River delta has been being as the most important area of China Semiconductor industry and it also is important in global semiconductor market.But we have to say that the semiconductor industrial clusters in the Changjiang River delta is initiated by generalized factors such as low labor cost, privilege policy of finance and landing provided by local governments. These generalized factors cannot be the competitive strength in long term and will be replaced soon by other area with low-cost comparison strength. The Changjiang River delta has good foundation of semiconductor industrial clusters and there is a huge marketing, so we should take proactive actions to buildup the environment and system to encourage high-level factors generating for semiconductor industry, during the transforming time of industry. Only in this way, we can promote the global competitive strength of the semiconductor industry in the Changjiang River delta. 三、南昌半导体照明成为国家半导体照明工程产业化基地