电压基准芯片的参数解析及应用技巧

电压基准芯片的参数解析及应用技巧

电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力,但要在各种不同应用场合真正实现高精度，则需要了解电压基准的内部结构以及各项参数的涵义，并要掌握一些必要的应用技巧。

电压基准芯片的分类

根据内部基准电压产生结构不同，电压基准分为：带隙电压基准和稳压管电压基准两类。带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT（热电势）相关的电压串联，利用PN结的负温度系数与VT的正温度系数相抵消实现温度补偿。稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联，利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消实现温度补偿。次表面击穿有利于降低噪声。稳压管电压基准的基准电压较高(约7V)；而带隙电压基准的基准电压比较低，因此后者在要求低供电电压的情况下应用更为广泛。

根据外部应用结构不同，电压基准分为：串联型和并联型两类。应用时，串联型电压基准与三端稳压电源类似，基准电压与负载串联；并联型电压基准与稳压管类似，基准电压与负载并联。带隙电压基准和稳压管电压基准都可以应用到这两种结构中。串联型电压基准的优点在于,只要求输入电源提供芯片的静态电流，并在负载存在时提供负载电流；并联型电压基准则要求所设置的偏置电流大于芯片的静态电流与最大负载电流的总和，不适合低功耗应用。并联型电压基准的优点在于，采用电流偏置，能够满足很宽的输入电压范围，而且适合做悬浮式的电压基准。

电压基准芯片参数解析

安肯（北京）微电子即将推出的ICN25XX系列电压基准，是一系列高精度，低功耗的串联型电压基准，采用小尺寸的SOT23-3封装，提供1.25V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V输出电压,并提供良好的温度漂移特性和噪声特性。

图1. 串联型电压基准芯片和并联型电压基准芯片示意图

表1列出了电压基准芯片与精度相关的各项参数。首先要考虑输出电压的初始精度。不同型号的电压基准芯片，初始精度可能从0.02%变化到1%。这就意味着它们能够达到不同的系统精度，0.02%能够适应12位的系统精度，1%只能够适应6位的系统精度。对于不能自行校准的系统，需要根据精度要求选择初始精度合适的芯片。多数系统设计者可以通过软件或硬件校准调整初始精度误差，因此初始精度并不是限制电压基准芯片应用的主要因素。

表1.电压基准芯片的主要参数。

输出电压的温度漂移系数是衡量电压基准芯片性能的一个重要参数。它代表一个平均量，可以通过这个参数估算芯片输出电压在整个工作温度范围内的变化范围，这个参数不代表某一特定温度点的输出电压随温度变化的斜率。由温度漂移导致的精度误差很难通过系统校准的方法来减小。

ICN25XX系列电压基准芯片采用专利的补偿电路和修调电路实现了良好的温度漂移特性：在-40?C到125?C温度范围内，温度漂移系数小于10ppm/?C。图2为测试得到的典型温度漂移曲线。

图2. ICN2520 典型温度漂移曲线

电压基准芯片的输出电压会随着使用时间增加而变化，通常是朝一个方向按指数特性变化，使用时间越长，变化越小，因此以公式1为单位表示电压基准芯片的长期稳定性，以反映输出电压变化量随使用时间指数衰减。长期稳定性是在几个月甚至几年的使用过程中体现出来的，很难通过出厂时的测试来保证。有些芯片会在出厂前经过一段时间的老化测试以保证较好的长期稳定性。定期对系统进行校准，可以避免长期稳定性带来的误差。对于无法定期校准的系统，就要选用具有良好的长期稳定性的电压基准芯片。采用金属壳封装的芯片，由于排除了封装应力的影响，因而一般具有更好的长期稳定性。

噪声是衡量电压基准芯片的性能的另一个重要参数。通常在0.1Hz到10Hz和10Hz到10kHz两个频率范围内给出噪声参数，以便设计者估算电压基准在所关注的频率范围内的噪声。输出噪声通常与输出电压成比例，以ppm为单位。0.1Hz到10Hz的噪声主要是闪烁噪声，或称为公式2噪声，其噪声幅度与频率成反比，一般会给出这一频率范围内噪声的峰峰值（P-P）。不同半导体器件的闪烁噪声特性差别很大，例如MOSFET的闪烁噪声比较大，而双极型晶体管的闪烁噪声则要小得多，次表面击穿的稳压管闪烁噪声也很小，因此采用不同工艺设计的电压基准芯片，低频噪声特性差别会比较大。

图3. ICN2520电压基准芯片的噪声特性曲线

10Hz到10kHz频率范围以及高于这个频率范围的噪声主要是热噪声，在有效带宽内频率特性基本上是平坦的，通过给出的噪声有效值（rms）可以很容易估算出某一频率范围内的热噪声。增大电流可以有效降低噪声，因此优良的噪声特性往往是以牺牲功耗为代价的。用户可以在电压基准输出端添加滤波电容或其他滤波电路限制噪声带宽，以改善噪声特性，从而达到设计要求。

ICN25XX系列电压基准芯片采用特殊的内部结构，达到了CMOS工艺通常很难实现的低噪声水平：0.1Hz 到10Hz为13ppm（P-P）；10Hz到10kHz为32ppm（rms）；而且还保持了CMOS工艺的功耗优势，静态电流仅为75A。

某些应用对电压基准芯片的瞬态特性会有要求。瞬态特性包括三个方面：上电建立时间、小信号输出阻抗（高频）、大信号恢复时间（动态负载）。不同厂商推出的电压基准芯片的瞬态特性可能区别很大，良好的瞬态特性往往也是以牺牲功耗为代价的。ICN25XX系列电压基准内部集成缓冲放大器，采用特殊结构，能够提供良好的瞬态特性、线性调整率及负载调整率，并能够保证很大输出滤波电容范围内的稳定性。

选型示例：

根据前面的讨论,引起电压基准输出电压背离标称值的主要因素是:初始精度,温度，系数,噪声,以及长期漂移等.因此,在选择一个电压基准时,需根据系统要求的分辨率精度,供电电压,工作温度范围等情况综合考虑,不能简单地以单个参数(如初始精度)为选择条件.举例来说,一个12位数据采集系统,要求分辨到1LSB(相当于1/2^12=244ppm),如果工作温度范围在10℃,那么一个初始精度为0.01%(相当于100ppm),温度系数为10ppm/℃(温度范围内偏移100ppm)的基准已能满足系统的精度要求,因为基准引起的总误差为200ppm,但如果工作温度范围扩大到15℃以上,该基准就不再适用了.

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常用开关电源芯片大 全

常用开关电源芯片大全 第1章DC-DC电源转换器/基准电压源 1.1 DC-DC电源转换器 1.低噪声电荷泵DC-DC电源转换器AAT3113/AAT3114 2.低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP3000 3.高效3A开关稳压器AP1501 4.高效率无电感DC-DC电源转换器FAN5660 5.小功率极性反转电源转换器ICL7660 6.高效率DC-DC电源转换控制器IRU3037 7.高性能降压式DC-DC电源转换器ISL6420 8.单片降压式开关稳压器L4960 9.大功率开关稳压器L4970A 10.1.5A降压式开关稳压器L4971 11.2A高效率单片开关稳压器L4978 12.1A高效率升压/降压式DC-DC电源转换器L5970 13.1.5A降压式DC-DC电源转换器LM1572 14.高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV 15.3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV 16.可调升压开关稳压器LM2577 17.3A降压开关稳压器LM2596 18.高效率5A开关稳压器LM2678 19.升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM2704 20.电流模式升压式电源转换器LM2733 21.低噪声升压式电源转换器LM2750 22.小型75V降压式稳压器LM5007 23.低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT1073 24.升压式DC-DC电源转换器LT1615 25.隔离式开关稳压器LT1725 26.低功耗升压电荷泵LT1751

27.大电流高频降压式DC-DC电源转换器LT1765 28.大电流升压转换器LT1935 29.高效升压式电荷泵LT1937 30.高压输入降压式电源转换器LT1956 31.1.5A升压式电源转换器LT1961 32.高压升/降压式电源转换器LT3433 33.单片3A升压式DC-DC电源转换器LT3436 34.通用升压式DC-DC电源转换器LT3460 35.高效率低功耗升压式电源转换器LT3464 36.1.1A升压式DC-DC电源转换器LT3467 37.大电流高效率升压式DC-DC电源转换器LT3782 38.微型低功耗电源转换器LTC1754 39.1.5A单片同步降压式稳压器LTC1875 40.低噪声高效率降压式电荷泵LTC1911 41.低噪声电荷泵LTC3200/LTC3200-5 42.无电感的降压式DC-DC电源转换器LTC3251 43.双输出/低噪声/降压式电荷泵LTC3252 44.同步整流/升压式DC-DC电源转换器LTC3401 45.低功耗同步整流升压式DC-DC电源转换器LTC3402 46.同步整流降压式DC-DC电源转换器LTC3405 47.双路同步降压式DC-DC电源转换器LTC3407 48.高效率同步降压式DC-DC电源转换器LTC3416 49.微型2A升压式DC-DC电源转换器LTC3426 50.2A两相电流升压式DC-DC电源转换器LTC3428 51.单电感升/降压式DC-DC电源转换器LTC3440 52.大电流升/降压式DC-DC电源转换器LTC3442 53.1.4A同步升压式DC-DC电源转换器LTC3458 54.直流同步降压式DC-DC电源转换器LTC3703 55.双输出降压式同步DC-DC电源转换控制器LTC3736 56.降压式同步DC-DC电源转换控制器LTC3770

TL431可调电压基准的接法

TL431可调电压基准的接法 TL431是一个小个头（如同普通小三极管封装）而又便宜的可调电压基准芯片。具体的参数大家可以参考其pdf文档说明,这里给出其两种最常用的接法。 1.这种接法提供 2.5V基准电压,简单适用。 2.该接法可以提供一个可以调节的基准电压。电压输出为2.5×（1＋R2/R1）。

TL431的几种基本用法 TL431的几种基本用法 作者：Panic2006年10月9日 TL431作为一个高性价比的常用分流式电压基准，有很广泛的用途。这里简单介绍一下TL431常见的和不常见的几种接法。 图(1)是TL431的典型接法，输出一个固定电压值，计算公式是：Vout = (R1 +R2)*2.5/R2， 同时R3的数值应该满足1mA < (Vcc-Vout)/R3 < 500mA 当R1取值为0的时候，R2可以省略，这时候电路变成图(2)的形式，TL431在这里相当于一个2.5V稳压管。 利用TL431还可以组成鉴幅器，如图(3)，这个电路在输入电压Vin < (R1+R2) *2.5/R2 的时候输出Vout为高电平，反之输出接近2V的电平。需要注意的是当Vin在(R1+R2)*2.5/R2附近以微小幅度波动的时候，电路会输出不稳定的值。

TL431可以用来提升一个近地电压，并且将其反相。如图(4)，输出计算公式为：Vout = ( (R1+R2)*2.5 - R1*Vin )/R2 特别的，当R1 = R2的时候，Vout = 5 - Vin。这个电路可以用来把一个接近地的电压提升到一个可以预先设定的范围内，唯一需要注意的是TL431的输出范围不是满幅的。 TL431自身有相当高的增益（我在仿真中粗略测试，有大概46db），所以可以用作放大器。 图(5)显示了一个用TL431组成的直流电压放大器，这个电路的放大倍数由R1和Rin决定，相当于运放的负反馈回路，而其静态输出电压由R1和R2决定。这个电路的优点在于，它结构简单，精度也不错，能够提供稳定的静态特性。缺点是输入阻抗较小，Vout的摆幅有限。

ADC选择最合适的基准电压源和放大器

如何为您的ADC选择最合适的基准电压源和放大器 主题: 驱动精密ADC：如何为您的ADC选择最合适的基准电压源和放大器? 在线问答: [问：callhxw] 如何评定一颗ADC非线性？丢码？ [答：Jing] you can use ADC"s INL and DNL parameter to evaluate the non-linearity and you can also use ENOB parameter to check code loss. Thanks!Generally ENOB releated with ADC"s SNR [2006-2-28 10:32:08] [问：吉星] 在差分输入时，不考虑直流，使用差分放大器和变压器哪个更好．[答：Mariah] Transformer is better for the better noise and distortion performance, especially in very high frequencies. [2006-2-28 10:32:14] [问：Jane Yang] 请问应如何处理板级噪声对于高精度AD的影响？特别是输入部分的噪声？ [答：Jing] This is a good question and it"s very difficult to answer. Generally, You should consider all the input noise derived from sensor/AMP/BUFFER. You can also use a LPF to reduce the input noise. Remember the BGP of AMP should be 100x of ADC"s throughput. Thanks! [2006-2-28 10:34:30] [问：石林艳] AD变换的参考基准源很重要，对模拟供电电源和数字供电电源的要求也很高吗 [答：Rui] 模拟供电电源，和数字供电电源相对基准源来说，精度要求相对较低，一般情况下用10uF的电容和0.1uF滤波即可。 [2006-2-28 10:34:31] [问：zcs_1] 请解释一下，分辨率和转换精度之间的区别 [答：Mariah] For conversion accuracy, it involves many aspecs. For example, INL, DNL, offset, gain error. [2006-2-28 10:34:46] [问：Leemour] 對不起能否講一下什麼是：RAIL TO RAIL，這個我一直不太明白。 [答：Xiangquan] 轨到轨指输入轨到轨，或输出轨到轨，具体指的是输入信号或者输出信号的范围基本接近于电源，譬如电源是+-5V，输入信号或输出信号可以达到+-4.9几V以上 [2006-2-28 10:35:25] [问：jlwg] 很多种adi的a/d转换器件都自带有标准电压源，请问是使用器件自带的标准电压源好还是另外使用独立的标准电压源更精确？ 另外使用ad7710时，每次转换通道后的第一次转换结果是否是有效的？ [答：Troy] Use an independant reference to get the highest accuracy and lowest temperature drift. It depends on how much accuracy your application needs over temperature. [2006-2-28 10:37:14] [问：xwlcba] 您提到驱动AD的运放增益带宽积要求大于100倍采样速率,请问对运放的转换速率有何具体要求? [答：Troy] To get the lowest distortion (THD), we recommend using an amplifier with at least 100x gain-bandwidth product greater than the sample rate. [2006-2-28 10:39:36] [问：bly1979m] 本人最近做了一个项目用于精确测量温度的，就用到了这两种器件！请推荐几款贵司产品？并说说它的大概价格是多少？ [答：Jing] It"s depend on the accuracy of your system requirement. I am

各PFC芯片选型

型号厂商引脚基准电压（V）最大开关频率（KHz）UCC28019TI85=65 UCC3817TI167.5 UCC28051TI8 2.5 UCC28060TI166 UC3852TI85 UC2854/3854TI87.5 UCC38050TI8 2.5 UCC3817 TI167.5 UCC3818TI207.5220 UCC3819TI167.5220 UCC38500/02TI207.5250 UCC385/01/03TI20250 NCP1601A ON8405 NCP1601B ON8405 NCP1654ON865/133/200 NCP1910ON24565 LT1248LT167.5300 LT1509LT207.5300 L4981A ST20 5.1=100 L4981B ST20 L6561ST8 FAN4810Fairchair16 ML4821Fairchair16/20 FAn9612Fairchair16 TEA1751NXP16 MC33/4261Motorala8

门限电压（V）工作模式功率范围（W） 10.5/9.5CCM 16.0/10.0CCM 12.5/9.7CRM 12.6/10.35CRM 16.3/11.5DCM 16.0/10.0CCM 15.8/9.7CRM 16.0/10.0CCM 10.5/10.0CCM 10.2/9.7CCM 16.0/10.0CCM 10.5/10.0CCM 13.75/9DCM+CRM 10.5/9.5DCM+CRM 10.5/9.0CCM 10.5/9.0CCM 16.5/10.5CCM/DCM 16.5/10.5CCM/DCM 15.5/10.0CCM 15.5/10.0CCM 13.0/9.9CRM 13.0/2.8CCM 16.5/11.0CCM 12.5/7.5CRM 22.0/15.0DCM 10.0/8.0CRM

常用电源芯片大全

常用电源芯片大全 第1章DC-DC电源转换器/基准电压源1.1 DC-DC电源转换器 1.低噪声电荷泵DC-DC电源转换器AAT3113/AAT3114 2.低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP3000 3.高效3A开关稳压器AP1501 4.高效率无电感DC-DC电源转换器FAN5660 5.小功率极性反转电源转换器ICL7660 6.高效率DC-DC电源转换控制器IRU3037 7.高性能降压式DC-DC电源转换器ISL6420 8.单片降压式开关稳压器L4960 9.大功率开关稳压器L4970A 10.1.5A降压式开关稳压器L4971 11.2A高效率单片开关稳压器L4978 12.1A高效率升压/降压式DC-DC电源转换器L5970 13.1.5A降压式DC-DC电源转换器LM1572 14.高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV 15.3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV 16.可调升压开关稳压器LM2577 17.3A降压开关稳压器LM2596

18.高效率5A开关稳压器LM2678 19.升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM2704 20.电流模式升压式电源转换器LM2733 21.低噪声升压式电源转换器LM2750 22.小型75V降压式稳压器LM5007 23.低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT1073 24.升压式DC-DC电源转换器LT1615 25.隔离式开关稳压器LT1725 26.低功耗升压电荷泵LT1751 27.大电流高频降压式DC-DC电源转换器LT1765 28.大电流升压转换器LT1935 29.高效升压式电荷泵LT1937 30.高压输入降压式电源转换器LT1956 31.1.5A升压式电源转换器LT1961 32.高压升/降压式电源转换器LT3433 33.单片3A升压式DC-DC电源转换器LT3436 34.通用升压式DC-DC电源转换器LT3460 35.高效率低功耗升压式电源转换器LT3464 36.1.1A升压式DC-DC电源转换器LT3467 37.大电流高效率升压式DC-DC电源转换器LT3782 38.微型低功耗电源转换器LTC1754 39.1.5A单片同步降压式稳压器LTC1875

电压基准芯片的参数解析及应用技巧(精)

电压基准芯片的参数解析及应用技巧 电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力,但要在各种不同应用场合真正实现高精度，则需要了解电压基准的内部结构以及各项参数的涵义，并要掌握一些必要的应用技巧。 电压基准芯片的分类 根据内部基准电压产生结构不同，电压基准分为：带隙电压基准和稳压管电压基准两类。带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT（热电势）相关的电压串联，利用PN结的负温度系数与VT的正温度系数相抵消实现温度补偿。稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联，利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消实现温度补偿。次表面击穿有利于降低噪声。稳压管电压基准的基准电压较高(约7V)；而带隙电压基准的基准电压比较低，因此后者在要求低供电电压的情况下应用更为广泛。 根据外部应用结构不同，电压基准分为：串联型和并联型两类。应用时，串联型电压基准与三端稳压电源类似，基准电压与负载串联；并联型电压基准与稳压管类似，基准电压与负载并联。带隙电压基准和稳压管电压基准都可以应用到这两种结构中。串联型电压基准的优点在于,只要求输入电源提供芯片的静态电流，并在负载存在时提供负载电流；并联型电压基准则要求所设置的偏置电流大于芯片的静态电流与最大负载电流的总和，不适合低功耗应用。并联型电压基准的优点在于，采用电流偏置，能够满足很宽的输入电压范围，而且适合做悬浮式的电压基准。 电压基准芯片参数解析 安肯（北京）微电子即将推出的ICN25XX系列电压基准，是一系列高精度，低功耗的串联型电压基准，采用小尺寸的SOT23-3封装，提供1.25V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V输出电压,并提供良好的温度漂移特性和噪声特性。

硬件选型手册07继电器

继电器 C5-M10 （TURCK RELECO） ③一般负载为纯感性与纯阻性之间，针对于设备启 停回路，触点容量可以大于２２０ＶＤＣ／５Ａ。EDPF-NT系统使用继电器主要作为DO卡输出的中间继电器使用，主要使用图尔克（TURCK RELECO德国）、欧姆龙（Omron 日本）、P&B KUEP（tyco 美国）和和泉（idec 日本）的继电器产品。 C5-M10①电力型继电器 直流大负载继电器，单极双闭合触点 内置磁吹灭弧 16A/500V AC1，10A@220V DC1 3.6A@110V DC13，2A@220V DC13② 触点指标 材质AgNi、AgSnO2 最大开关电流 16A 启动电流峰值40A 最大电压容量500V 最大交流负载4KV·A 技术说明 额定线圈功耗 2.4V·A（AC），1.3W（DC）吸合时间20ms 释放时间10ms 隔离：EN60947 pollution3,Gr C 500V 绝缘强度，线圈/触点4KV 注：①C5-M10只有一对常开接点，需要常闭接点时要选用RF-5610，C5-M10带指示灯的型 号为C5-M10X； ②AC1和DC1表示阻性负载， AC15和DC13表示感性负载。

C5-R20 （TURCK RELECO） C7-A20 （TURCK RELECO）C5-R20 磁保持继电器 具有两对可转换触点 16A/500V AC1，10A@30V DC1 6A@500V AC15，0.5A@110V DC1 触点指标 材质AgNi、AgSnO2最大开关电流10A 启动电流峰值30A 最大电压容量500V 最大交流负载 2.5KV·A 技术说明 吸合脉冲功耗 1.5V·A（W）释放脉冲功耗0.5V·A（W）吸合与释放触发的最小脉宽50ms 隔离：EN60947 pollution3,Gr C 500V 绝缘强度，线圈/触点4KV 绝缘强度，极与极间4KV C7-A20 具有两对可转换触点 10A/250V AC1，10A@30V DC1 6A@500V AC15，0.5A@110V DC1 触点指标 材质AgNi 最大开关电流 10A 启动电流峰值 30A 最大电压容量400V 最大交流负载 2.5KV·A 技术说明 线圈功耗 1.5V·A（AC），1W（DC）吸合时间16ms 释放时间8ms 隔离：EN60947 pollution3,Gr C 250V 绝缘强度，线圈/触点 2.5KV 绝缘强度，极与极间 2.5KV

基准电压模块mc1403

MC1403简介 MC1403是低压基准芯片。一般用作8～12bit的D/A芯片的基准电压等一些需要基本精准的基准电压的场合。 输出电压: 2.5 V ＋/- 25 mV 输入电压范围: 4.5 V to 40 V 输出电流: 10 mA 芯片引脚图： .........+--+--+--+ ...Vin.|1.+---+.8|.NC .Vout.|2..........7|.NC .GND.|3..........6|.NC ....NC.|4..........5|.NC .........+---------+ 因为输出是固定的，所以电路很简单。就是Vin接电源输入，GND 接底，Vout加一个0.1uf~1uf的电容就可以了。Vout一般用作8～12bit的D/A芯片的基准电压。 MC1403是美国摩托罗拉公司生产的高准确度、低温漂、采用激光修正的带隙基准电压源，国产型号为5G1403和CH1403。它采用

DIP－8封装，引脚排列如图7-1-2所示。UI＝＋4.5V～＋15V，UO ＝2.500V（典型值），αT可达10×10－6/℃。为了配8P插座，还专门设置了5个空脚。其输出电压UO＝Ug0(R3＋R4)/R4＝ 1.205× 2.08＝＋2.5V。 MC1403的输入-输出特性 输入电压UI／V 10 9 8 7 6 5 4.5 输出电压UO／V 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028

2.5027 当UI从10V降至4.5V时，UO只变化0.0001V，变化率仅为－0.0018％。

电压基准源的选择

电压基准源的选择 在DAC和DAC里面都有电压基准源，它可以是芯片内部提供的基准也可以是外接的电压基准芯片。 基准源的类型 两种常见的基准源是齐纳和带隙基准源。齐纳基准源通常采用两端并联拓扑；带隙基准源通常采用三端串连拓扑。选择依据如下表： 并联结构的齐纳基准与串联结构的带隙基准的对照表。 表1.电压基准对照表 齐纳二极管缺点: 1)精确度达不到高精度应用的要求，而且，很难胜任低功耗应用的要求。例如： BZX84C2V7LT1，它的击穿电压，即标称基准电压是2.5V，在2.3V至2.7V 之间变化，即精确度为±8%，这只适合低精度应用。 2)齐纳基准源的另一个问题是它的输出阻抗。上例中器件的内部阻抗为5mA 时100Ω和1mA时600Ω。非零阻抗将导致基准电压随负载电流的变化而发生变化。选择低输出阻抗的齐纳基准源将减小这一效应。 所以在高精度应用的场合通常用带隙基准源。如14bit，210MSPS（刷新速率 UpDate Rate）的DAC9744内部就带一个2.1V的带隙基准源。

AD9744内部基准源配置 AD9744外部基准源配置 AD9744基准源配置管脚 （这个是AD9742的基准源配置管脚，AD9744的我怀疑错了，AD9742是与AD9744同系列的，一样管脚，只是AD9742是12bit，AD9744 16bit） REFLO——内部参考基准源地端。当使用内部1.2V参考基准源时，接AGND。当使用外部参考源时，接AVDD REFIO——参考基准源输入输出/输入端。 REFLO=AVDD，内部参考基准源无效，REFIO用作外部参考基准源输入。 REFLO=AGND=ACOM，REFIO用作内部基准源1.2V输出（100nA），REFIO 接0.1μF接ACOM(AGND)。

带隙电压基准源的设计与分析

带隙电压基准源的设计与分析 摘要介绍了基准源的发展和基本工作原理以及目前较常用的带隙基准源电路结构。设计了一种基于Banba结构的基准源电路，重点对自启动电路及放大电路部分进行了分析，得到并分析了输出电压与温度的关系。文中对带隙电压基准源的设计与分析，可以为电压基准源相关的设计人员提供参考。可以为串联型稳压电路、A／D和D／A转化器提供基准电压，也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。 基准源广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片中，其精度和稳定性直接决定整个系统的精度。在模／数转换器(ADC)、数／模转换器(DAC)、动态存储器(DRAM)等集成电路设计中，低温度系数、高电源抑制比(PSRR)的基准源设计十分关键。 在集成电路工艺发展早期，基准源主要采用齐纳基准源实现，如图1(a)所示。它利用了齐纳二极管被反向击穿时两端的电压。由于半导体表面的沾污等封装原因，齐纳二极管噪声严重且不稳定。之后人们把齐纳结移动到表面以下，支撑掩埋型齐纳基准源，噪声和稳定性有较大改观，如图1(b)所示。其缺点：首先齐纳二极管正常工作电压在6～8 V，不能应用于低电压电路；并且高精度的齐纳二极管对工艺要求严格、造价相对较高。 1971年，Widlar首次提出带隙基准结构。它利用VBE的正温度系数和△VBE的负温度系数特性，两者相加可得零温度系数。相比齐纳基准源，Widlar型带隙基准源具有更低的输出电压，更小的噪声，更好的稳定性。接下来的1973年和1974年，Kujik和Brokaw分别提出了改进带隙基准结构。新的结构中将运算放大器用于电压钳位，提高了基准输出电压的精度。 以上经典结构奠定了带隙基准理论的基础。文中介绍带隙基准源的基本原理及其基本结构，设计了一种基于Banba结构的带隙基准源，相对于Banba结构，增加了自启动电路模块及放大电路模块，使其可以自动进入正常工作状态并增加其稳定性。 1 带隙基准源工作原理 由于带隙电压基准源能够实现高电源抑制比和低温度系数，是目前各种基准电压源电路中性能最佳的基准源电路。 为得到与温度无关的电压源，其基本思路是将具有负温度系数的双极晶体管的基极-发射极电压VBE与具有正温度系数的双极晶体管VBE的差值△VBE以不同权重相加，使△VBE 的温度系数刚好抵消VBE的温度系数，得到一个与温度无关的基准电压。图2为一个基本的CMOS带隙基准源结构电路。

常用芯片型号大全

常用芯片型号大全 4N35/4N36/4N37 "光电耦合器" AD7520/AD7521/AD7530/AD7521 "D/A转换器" AD7541 12位D/A转换器 ADC0802/ADC0803/ADC0804 "8位A/D转换器" ADC0808/ADC0809 "8位A/D转换器" ADC0831/ADC0832/ADC0834/ADC0838 "8位A/D转换器" CA3080/CA3080A OTA跨导运算放大器 CA3140/CA3140A "BiMOS运算放大器" DAC0830/DAC0832 "8位D/A转换器" ICL7106,ICL7107 "3位半A/D转换器" ICL7116,ICL7117 "3位半A/D转换器" ICL7650 "载波稳零运算放大器" ICL7660/MAX1044 "CMOS电源电压变换器" ICL8038 "单片函数发生器" ICM7216 "10MHz通用计数器" ICM7226 "带BCD输出10MHz通用计数器" ICM7555/7555 CMOS单/双通用定时器 ISO2-CMOS MT8880C DTMF收发器 LF351 "JFET输入运算放大器" LF353 "JFET输入宽带高速双运算放大器" LM117/LM317A/LM317 "三端可调电源" LM124/LM124/LM324 "低功耗四运算放大器" LM137/LM337 "三端可调负电压调整器" LM139/LM239/LM339 "低功耗四电压比较器"

LM158/LM258/LM358 "低功耗双运算放大器" LM193/LM293/LM393 "低功耗双电压比较器" LM201/LM301 通用运算放大器 LM231/LM331 "精密电压—频率转换器" LM285/LM385 微功耗基准电压二极管 LM308A "精密运算放大器" LM386 "低压音频小功率放大器" LM399 "带温度稳定器精密电压基准电路" LM431 "可调电压基准电路" LM567/LM567C "锁相环音频译码器" LM741 "运算放大器" LM831 "双低噪声音频功率放大器" LM833 "双低噪声音频放大器" LM8365 "双定时LED电子钟电路" MAX038 0.1Hz-20MHz单片函数发生器 MAX232 "5V电源多通道RS232驱动器/接收器" MC1403 "2.5V精密电压基准电路" MC1404 5.0v/6.25v/10v基准电压 MC1413/MC1416 "七路达林顿驱动器" MC145026/MC145027/MC145028 "编码器/译码器" MC145403-5/8 "RS232驱动器/接收器" MC145406 "RS232驱动器/接收器"

产生稳定电压的基准电压元件

产生稳定电压的基准电压元件 技术分类：电源技术 | 2010-12-28 Paul Rako，EDN技术编辑: EDN China 基准电压元件是低输出功率的线性稳压电源，它提供一个固定的（或恒定的）电压，而与器件负载、电源变动、温度变化以及时间无关。基准电压元件遍布于电源稳压器、数据采集系统、ADC、DAC，以及其它各种测量与控制系统中。虽然基准电压元件无处不在，但性能却有很大不同。例如，一款用于计算机电源的稳压器可能要将其值稳定在标称值附近的几个百分点以内，而实验室基准电压元器件的精度与稳定性要以百万分之一计。 几十年前的基准电压元器件提供的初始精度只有±10%，而现代的基准电压IC可以提供100 ppm（即0.01%）的初始精度。Analog Devices公司应用工程经理Reza Moghimi指出：“我们试图要让器件对线路、负载和温度的变动不敏感，以用于工业、科研与医疗市场中高要求的任务。”这些市场中的专业公司也可以很容易地进入对精度要求很严格军用市场与汽车市场。] 稳压芯片亦有串联与并联之分（图1与参考文献1）。串联稳压器有两只分别用于输入电源与地的管脚；第三只管脚输出一个固定的或可调的电压。双端并联稳压器工作在一个限流的固定电压下。实际上每个稳压器采用的都是并联架构，因为一个串联基准电压元件也不过是一个并联基准电压元件加上一个电流馈送电路和一个缓冲输出。

在电子业的早期，工程师们是采用霓虹辉光管作基准电压元件（图2）。霓虹辉光管是一个有两只导电端子的玻璃容器，其中填充了稀薄的惰性气体（具有类似特性的化学元素）。在标准情况下，惰性气体都是无嗅、无色的单原子气体，化学活性低。自然界存在的六种惰性气体是：氦、氖、氩、氪、氙和氡。当在这些气体上施加66V?200V的直流电压时，它们会被电离。一旦发生了离子击穿，则辉光管两侧的电压就降至直流48V?80V的维持电压。如果跨辉光管的电压跌至低于这个维持电压，灯就会熄灭，必须再次为其施加离子击穿电压，使之发光（图3）。一只霓虹辉光管工作时通过的电流低至10A?12A，或1 pA。1996年，Signalite做出了可以在±0.5V内稳压的辉光管（参考文献2）。 不过到了20世纪70年代，齐纳二极管（为并联式基准电压元件）取代了这些冷阴极辉光管（图4）。齐纳二极管的名称源于研究者Clarence Zener，他发现了这个效应（参考文献3）。虽然一些工程师将齐纳二极管看作雪崩二极管，但这两种二极管的物理原理并不相同（参考文献4、5、6）。齐纳击穿源于通过一个PN结产生量子力学隧道效应的电荷载流子。这种击穿出现在重掺杂的节点。PN结上的大电场加速电荷载流子，使之形成雪崩击穿。这些高速载流子造成碰撞电离，随之又造成了电荷载流子的倍增。这种效应出现在轻掺杂的PN结。齐纳二极管制造商通过改变PN

常用小型稳压LDO等芯片推荐参考.

目录 产品类型系列页码 1.电压调整器(LDO ME6201 1 ME6206 2 ME6211 3 ME6219 4 ME1084 5 ME1085 6 ME1117 7 ME3206 8 ME6401 9 2.升压DC/DC转换器MEXX1C 10 MEXX1D 11 ME2100 12 ME2101 13 ME2106 14

ME2108 15 ME2109 16 ME2111 17 ME2115 18 ME2206 19 ME2209 20 3.降压DC/DC转换器ME3101 21 ME3102 22 ME3110 23 4.功率MOSFET MEM2301 24 MEM2303 25 MEM2307 26 MEM2309 27 MEM2311 28 MEM2302 29 MEM2306 30 MEM2308 31 MEM2310 32 MEM2316 33

MEM2318 34 5.音频功率放大器ME5890 35 ME5990 36 ME5101 37 ME5103 38 6.其他 ME2801 39 ME2802 40 ME4054 41 ME7660 42 ME7661 43 MEL71XX 44 选型指南电压调整器(LDO 系列输出 电流 输入 电压 输出电压精度

静态 电流 纹波抑制比 (1KHz 封装状态 ME6201 100mA -18V 3.0-5.0V ±2% 3uA 60dB TO92/SOT89 量产ME6206 300mA -6.5V 1.2-5V ±2% 8uA 50dB SOT23/SOT89 量产 ME6211 500mA -6.5V 1.2-5V ±2% 50uA 75dB SOT-23-5LL/ SOT-89/DFN 量产 ME6219 300mA -6.5V 1.2-5V ±2% 65uA 62dB SOT-23-5LL 量产ME1084 5A -25V 3.3-12V ±2% 5mA 50dB TO220/TO263 2009/Q3 ME1085 3A -25V 3.3-12V ±2% 5mA 50dB TO220/TO263 2009/Q3 ME1117 800mA -20V 1.25-12V ±2% 2mA 50dB SOT223/TO252 2009/Q2 ME3206 300mA -6.5V 1.2-5V ±2% 16uA 50dB SOT-23-5LL 量产ME6401 200mA -6.5V 1.2-5V ±2% 130uA 62dB SOT-23-6LL 量产 升压DC/DC转换器 系列控制 模式 输入 电压

电压基准芯片大全

LM236D-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流 LM236DR-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流 LM236LP-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流 LM285D-1-2：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽工作电流 LM285D-2-5：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽工作电流 LM285LP-2-5：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽工作电流 LM336BD-2-5：2.5V基准电压源. 10uA~20mA宽工作电流 LM336BLP-2-5：2.5V基准电压源 LM385BD-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流 LM385BD-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流 LM385BLP-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385BLP-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流LM385BPW-1-2：微功耗电压基准. 15uA~20mA宽工作电流 LM385BPW-2-5：微功耗电压基准. 15uA~20mA宽工作电流 LM385D-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流 LM385DR-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流 LM385DR-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流 LM385LP-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流 LM385PW-1-2：1.2V微功率基准电压源. 15uA~20mA宽工作电流LM385PW-2-5：2.5V微功率基准电压源. 15uA~20mA宽工作电流REF02AP：+5V精密电压基准 REF02AU：+5V精密电压基准 REF02BP：+5V精密电压基准 REF02BU：+5V精密电压基准 REF1004I-2.5：+2.5V精密电压基准 REF102AP：10V精密电压基准 REF102AU：10V精密电压基准 REF102BP：10V精密电压基准 REF200AU：双电流基准 REF2912AIDBZT：1.2V电压基准 REF2920AIDBZT：2V电压基准 REF2925AIDBZT：2.5V电压基准 REF2930AIDBZT：3V电压基准 REF2933AIDBZT：3.3V电压基准 REF2940AIDBZT：4V电压基准 REF3012AIDBZT：1.25V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准REF3020AIDBZT：2.048V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准REF3025AIDBZT：2.5V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准

IC 集成电路电子元器件的选型规律

IC 集成电路电子元器件的选型规律说到元器件选型，大家头脑中是不是蹦出一大堆“？？？”如果是，你就out啦！在这个人人都可以成为创客的时代，各种元器件早已进入我们的生活，甚至进入幼儿园了呢！还不懂元器件的小白，Mark下来好好学习下面的内容！ 元器件选型原则 普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。 高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较好的元器件，降低成本。 采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件。 可替代原则：尽量选择pin to pin兼容芯片品牌比较多的元器件。 向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。 资源节约原则：尽量用上元器件的全部功能和管脚。 处理器选型要求 要选好一款处理器，要考虑的因素很多，不单单是纯粹的硬件接口，还需要考虑相关的操作系统、配套的开发工具、仿真器，以及工程师微处理器的经验和软件支持情况等。 1、应用领域 一个产品的功能、性能一旦定制下来，其所在的应用领域也随之确定。目前，比较常见的应用领域分类有航天航空、通信、计算机、工业控制、医疗系统、消费电子、汽车电子等。 2、自带资源 经常会看到或听到这样的问题：主频是多少?有无内置的以太网MAC?有多少个I／O口?自带哪些接口?支持在线仿真吗?是否支持OS，能支持哪些OS?是否有外部存储接口? 以上都涉及芯片资源的问题，微处理器自带什么样的资源是选型的一个重要考虑因素。芯片自带资源越接近产品的需求，产品开发相对就越简单。 3、可扩展资源 硬件平台要支持OS、RAM和ROM，对资源的要求就比较高。

稳压芯片大全

5v 3.3 1.2 1.5 1.8 2.5V稳压电源芯片大全LM317LZ 1.2V to 37V三端正可调稳压器(0.1A) LM317T 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM317K 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM133K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM333K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM337K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A) LM337T 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A) LM337LZ 三端可调-1.2V to -37V稳压器(0.1A) LM150K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM350K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM350T 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM138K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338T 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM336-2.5 2.5V精密基准电压源 LM336-5.0 5.0V精密基准电压源 LM385-1.2 1.2V精密基准电压源 LM385-2.5 2.5V精密基准电压源

LM399H 6.9999V精密基准电压源 LM431ACZ 精密可调2.5V to 36V基准稳压源LM723 高精度可调2V to 37V稳压器 LM105 高精度可调4.5V to 40V稳压器 LM305 高精度可调4.5V to40V稳压器 MC1403 2.5V基准电压源 MC34063 DC-DC直流变换器 SG3524 脉宽调制开关电源控制器 TL431 精密可调2.5V to 36V基准稳压源 TL494 脉宽调制开关电源控制器 TL497 频率调制开关电源控制器 TL7705 电池供电/欠压控制器

基准电压芯片

基准电压芯片 lm236d-2-5:2.5v基准电压源400ua~10ma宽工作电流lm236dr-2-5:2.5v基准电压源400ua~10ma宽工作电流lm236lp-2-5:2.5v基准电压源400ua~10ma宽工作电流lm285d-1-2:微功耗电压基准.10ua~20ma宽工作电流 lm285d-2-5:微功耗电压基准.10ua~20ma宽工作电流 lm285lp-2-5:微功耗电压基准.10ua~20ma宽工作电流 lm336bd-2-5:2.5v基准电压源.10ua~20ma宽工作电流lm336blp-2-5:2.5v基准电压源 lm385bd-1-2:1.2v精密电压基准.15ua~20ma宽工作电流lm385bd-2-5:2.5v精密电压基准.15ua~20ma宽工作电流lm385blp-1-2:1.2v精密电压基准.15ua~20ma宽工作电流lm385blp-2-5:2.5v精密电压基准.15ua~20ma宽工作电流lm385bpw-1-2:微功耗电压基准.15ua~20ma宽工作电流

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选择电压基准需要考虑哪些参数

选择电压基准需要考虑哪些参数 在模拟和混合信号电路中，以电压基准为标准测量其他信号。电压基准的不准确及其变化会直接影响整个系统的准确度。我们来看一下，选择电压基准时，准确度规格和其他标准是如何起作用的。 初始精度指的是，在给定温度（通常是25°C）时测得的输出电压的变化幅度。尽管各个电压基准的初始输出电压可能有所不同，但是如果给定基准的初始输出电压是恒定的，就很容易校准。 温度漂移也许是评估电压基准性能时使用最为广泛的性能规格，因为温度漂移显示输出电压随温度的变化。温度漂移由电路组件的瑕疵和非线性引起。很多器件的温度漂移都以ppm/°C 为单位规定，是主要的误差源。器件的温度漂移如果是一致的，就可以进行一定程度的校准。 关于温度漂移有一种常见的错误认识，那就是：它是线性的。但是，不应该想当然地认为基准的漂移量在较小的温度范围内就会较小。温度系数（TC）通常是用一种“箱形法”来规定，以表达整个工作温度范围内可能出现的误差情况。它是通过划分整个温度范围内的最小-最大电压差，并除以总温度范围来计算的（图1）。这些最小和最大电压值可能并不出现在极端温度下，因而形成了TC 远远大于针对整个规定温度范围计算之平均值的区域。对于最谨慎调谐的基准（这通常可通过其非常低的温度漂移予以识别）而言尤其如此，在此类基准中，已经对线性漂移分量进行了补偿，留下的是一个残余非线性TC。 图1：电压基准温度特性 温度漂移性能规格的最佳用途是，计算所规定温度范围内的最大总体误差。在未规定温度范围的情况下计算误差，一般是不可取的，除非非常了解温度漂移特性。 长期稳定性衡量基准电压随时间推移的变化趋势，不受其他变量影响。初始漂移大部分是由机械应力变化引起的，是由引线框架、芯片和模具所用化合物的膨胀率不同导致的。这种应力效应往往产生很大的初始漂移，但漂移随时间推移很快减小。初始漂移也和电路元