搜档网
当前位置:搜档网 › 芯片制造技术课件03

芯片制造技术课件03

集成电路制造技术原理与技术试题库样本

填空题( 30分=1分*30) (只是答案)半导体级硅、 GSG 、电子级硅。CZ法、区熔法、硅锭、wafer 、硅、锗、单晶生长、整型、切片、磨片倒角、刻蚀、 ( 抛光) 、清洗、检查和包装。 100 、110 和111 。融化了的半导体级硅液体、有正确晶向的、被掺杂成p型或n型、实现均匀掺杂的同时而且复制仔晶的结构, 得到合适的硅锭直径而且限制杂质引入到硅中、拉伸速率、晶体旋转速率。去掉两端、径向研磨、硅片定位边和定位槽。制备工业硅、生长硅单晶、提纯) 。卧式炉、立式炉、快速热处理炉。干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化。工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统。局部氧化LOCOS、浅槽隔离STI。掺杂阻挡、表面钝化、场氧化层和金属层间介质。热生长、淀积、薄膜。石英工艺腔、加热器、石英舟。APCVD常压化学气相淀积、 LPCVD低压化学气相淀积、 PECVD等离子体增强化学气相淀积。晶核形成、聚焦成束、汇聚成膜。同质外延、异质外延。膜应力、电短路、诱生电荷。导电率、高黏附性、淀积、平坦化、可靠性、抗腐蚀性、应力等。CMP设备、电机电流终点检测、光学终点检测。平滑、部分平坦化、局部平坦化、全局平坦化。磨料、压力。使硅片表面和石英掩膜版对准并聚焦, 包括图形) ; ( 经过对光刻胶曝光, 把高分辨率的投影掩膜版上图形复制到硅片上) ; ( 在单位时间内 生产出足够多的符合产品质量规格的 硅片) 。化学作用、物理作用、化 学作用与物理作用混合。介质、金 属。在涂胶的硅片上正确地复制掩膜 图形。被刻蚀图形的侧壁形状、各 向同性、各向异性。气相、液相、固 相扩散。间隙式扩散机制、替代式扩 散机制、激活杂质后。一种物质在另 一种物质中的运动、一种材料的浓度 必须高于另一种材料的浓度) 和 ( 系统内必须有足够的能量使高浓 度的材料进入或经过另一种材料。热 扩散、离子注入。预淀积、推进、 激活。时间、温度。扩散区、光刻 区、刻蚀区、注入区、薄膜区、抛 光区。硅片制造备 ) 、 ( 硅片制 造 ) 、硅片测试和拣选、 ( 装配 和封装、终测。微芯片。第一层 层间介质氧化物淀积、氧化物磨抛、 第十层掩模、第一层层间介质刻蚀。 钛淀积阻挡层、氮化钛淀积、钨淀 积、磨抛钨。 1.常见的半导体材料为何选择硅? ( 6分) ( 1) 硅的丰裕度。硅是地球上第二丰 富的元素, 占地壳成分的25%; 经合 理加工, 硅能够提纯到半导体制造所 需的足够高的纯度而消耗更低的成 本; ( 2) 更高的熔化温度允许更宽的工 艺容限。硅1412℃>锗937℃ ( 3) 更宽的工作温度。用硅制造的半 导体件能够用于比锗更宽的温度范围, 增加了半导体的应用范围和可靠性; ( 4) 氧化硅的自然生成。氧化硅是一 种高质量、稳定的电绝缘材料, 而且 能充当优质的化学阻挡层以保护硅不 受外部沾污; 氧化硅具有与硅类似的 机械特性, 允许高温工艺而不会产生 过度的硅片翘曲; 2.晶圆的英文是什么? 简述晶圆 制备的九个工艺步骤。( 6分) Wafer。 (1)单晶硅生长: 晶体生长是把半导 体级硅的多晶硅块转换成一块大的单 晶硅。生长后的单晶硅被称为硅锭。 可用CZ法或区熔法。 (2)整型。去掉两端, 径向研磨, 硅 片定位边或定位槽。 (3)切片。对200mm及以上硅片而言, 一般使用内圆切割机; 对300mm硅片 来讲都使用线锯。 (4)磨片和倒角。切片完成后, 传统 上要进行双面的机械磨片以去除切片 时留下的损伤, 达到硅片两面高度的 平行及平坦。硅片边缘抛光修整, 又 叫倒角, 可使硅片边缘获得平滑的半 径周线。 (5)刻蚀。在刻蚀工艺中, 一般要腐 蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证 所有的损伤都被去掉。 (6)抛光。也叫化学机械平坦化 ( CMP) , 它的目标是高平整度的光滑 表面。抛光分为单面抛光和双面抛光。 (7)清洗。半导体硅片必须被清洗使 得在发给芯片制造厂之前达到超净的 洁净状态。 (8)硅片评估。 (9)包装。

03机械制造技术基础期末考试试题

机械制造技术基础期末考试 一、填空选择题(30分) 1.工序是指 。 2.剪切角增大,表明切削变形(增大,减少);当切削速度提高时,切削变形(增大,减少)。 3.当高速切削时,宜选用(高速钢,硬质合金)刀具;粗车钢时,应选用(YT5、YG6、 YT30)。 4.CA6140车床可加工 、 、 、 等四种螺纹。 5.不经修配与调整即能达到装配精度的方法称为(互换法、选配法)。 6.当主偏角增大时,刀具耐用度(增加,减少),当切削温度提高时,耐用度(增加、减少)。 7.在四种车刀中,转位车刀的切削性能(最好,最差);粗磨时应选择(硬,软)砂轮。 8.机床的基本参数包括 、 、 。 9.滚齿时,刀具与工件之间的相对运动称(成形运动、辅助运动)。滚斜齿与滚直齿的区别 在于多了一条(范成运动、附加运动)传动链。 10.衡量已加工表面质量的指标有 。 11.定位基准面和定位元件制造误差引起的定位误差称(基准不重合、基准位置)误差,工 件以平面定位时,可以不考虑(基准不重合、基准位置)误差。 12.测量误差是属于(系统、随机)误差,对误差影响最大的方向称 方向。 13.夹紧力的方向应与切削力方向(相同,相反),夹紧力的作用点应该(靠近,远离)工 件加工表面。 14.辅助支承可以消除(0、1、2)个自由度,限制同一自由度的定位称(完全定位、过定 位)。 15.磨削加工时,应选择(乳化液,切削油),为改善切削加工性,对不锈钢进行(退火, 淬火)处理。 二、端面车刀的切削部分的结构由哪些部分组成?绘图表示表示端面车刀的六个基本角度。 (8分) 三、金属切削过程的本质是什么?如何减少金属切削变形?(8分) 四、列出切削英制螺纹的运动方程式,并写出CA6140车床进给箱中增倍变速组的四种传动 比。(8分) 五、加工下述零件,要求保证孔的尺寸B =30+0.2,试画出尺寸链,并求工序尺寸L 。(8分) 六、磨一批d =12016 .0043.0φ--mm 销轴,工件尺寸呈正态分布,工件的平均尺寸X =11.974,均

(完整版)《机械制造技术基础》期末考试试卷及答案,推荐文档

《机械制造技术基础》期末考试试题及答案 一、填空题(每空1分,共15分) 1.切削时工件上形成的三个表面是已加工表面、过渡表面和待加工表面。 2.工件与刀具之间的相对运动称为切削运动,按其功用可分为主运动和进给运动,其中 建议收藏下载本文,以便随时学习! 主运动消耗功率最大。 3.在磨削过程中,磨料的脱落和破碎露出新的锋利磨粒,使砂轮保持良好的磨削能力的 特性称为砂轮的自锐性。 4.按照切削性能,高速钢可分为普通性能高速钢和高性能高速钢两种,超硬刀具材料主 要有陶瓷、金刚石和立方氮化硼三种 5.在CA6140车床上加工不同标准螺纹时,可以通过改变挂轮和离合器不同的离合状态 来实现。 6.CA6140上车圆锥面的方法有小滑板转位法、_尾座偏移法和靠模法。 7.外圆车刀的主偏角增加,背向力F p减少,进给力F f增大。 8.切削用量要素包括切削深度、进给量、切削速度三个。 9.加工脆性材料时,刀具切削力集中在刀尖附近,宜取较小的前角和后角。 10.在车削外圆时,切削力可以分解为三个垂直方向的分力,即主切削力,进给抗力和切深抗力,其中在切削过程中不作功的是切深抗力。 11.金刚石刀具不适合加工铁族金属材料,原因是金刚石的碳元素与铁原子有很强的化学亲和作用,使之转化成石墨,失去切削性能。 12.研磨可降低加工表面的粗糙度,但不能提高加工精度中的位置精度。 13.滚齿时,刀具与工件之间的相对运动称范成运动。滚斜齿与滚直齿的区别在于多了一条附加运动传动链。 14.为了防止机床运动发生干涉,在机床传动机构中,应设置互锁装置。 15.回转,转塔车床与车床在结构上的主要区别是,没有_尾座和丝杠 二、单项选择题(每题1分,20分) 1、安装外车槽刀时,刀尖低于工件回转中心时,与其标注角度相比。其工作角度将会:( C ) A、前角不变,后角减小; B、前角变大,后角变小; C、前角变小,后角变大; D、前、后角均不变。 2、车外圆时,能使切屑流向工件待加工表面的几何要素是:(A ) A、刃倾角大于0°; B、刃倾角小于0°; C、前角大于0°; D、前角小于0°。 3、铣床夹具上的定位键是用来(B)。 A、使工件在夹具上定位 B、使夹具在机床上定位 C、使刀具对夹具定位 D、使夹具在机床上夹紧 4、下列机床中,只有主运动,没有进给运动的机床是( A ) A、拉床 B、插床 C、滚齿机 D、钻床 5、车削外圆时哪个切削分力消耗功率为零?( B ) A、主切削力; B、背向力; C、进给力; D、摩擦力。 6、在金属切削机加工中,下述哪一种运动是主运动( C ) A、铣削时工件的移动 B、钻削时钻头直线运动 C、磨削时砂轮的旋转运动 D、牛头刨床工作台的水平移动 7、控制积屑瘤生长的最有效途径是( A )

集成电路制造工艺流程之详细解答

集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅,加入少量的电活性“掺杂剂”,如砷、硼、磷或锑,一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后,用一根长晶线缆作为籽晶,插入到融化的多晶硅中直至底部。然后,旋转线缆并慢慢拉出,最后,再将其冷却结晶,就形成圆柱状的单晶硅晶棒,即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺,直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后,即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片,将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后,对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗,将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形,去除粗糙的划痕和杂质,就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后,还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放,并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中,外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成,是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层,CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用,所以今后可能会在300mm晶圆上更多

机械制造技术基础期末试题及答案

【最新资料,WORD文档,可编辑修改】

名词解释 避免空走刀;或是车削完后把工件从原材料上切下来。(4.3) 表面质量:通过加工方法的控制,使零件获得不受损伤甚至有所增强的表面状态。包括表面的几何形状特征和表面的物理力学性能状态。 标注角度与工作角度刀具的标注角度是刀具制造和刃磨的依据,主要有:前角、后角、主偏角、副偏角和刃倾角。切削加工过程中,由于刀具安装位置的变化和进给运动的影响,使得参考平面坐标系的位置发生变化,从而导致了刀具实际角度与标注角度的不同。刀具在工作中的实际切削角度称为工作角度。 粗基准——未经过机械加工的定位基准称为粗基准。 常值系统误差当连续加工一批零件时,这类误差的大小和方向或是保持不变 刀具耐用度:是指刃磨后的刀具从开始切削至磨损量达到磨钝标准为止所用的切削时间 刀具标注后角:后刀面与切削平面之间的夹角 刀具标注前角:基面与前刀面的夹角 刀具寿命是指一把新刀具从开始投入使用直到报废为止的总切削时间 定位:使工件在机床或夹具中占有准确的位置。 定位基准在加工时,用以确定工件在机床上或夹具中正确位置所采用的基准 积屑瘤粘附到刀具的前刀面上靠近刀刃处,形成的一块很硬的楔状金属瘤,通常称为积屑瘤,也叫刀瘤, 机械加工工艺系统在机械加工中,由机床、刀具、夹具与被加工工件一起构成了一个实现某种加工方法的整体系统, 机械加工工艺规程把工艺过程的有关内容,用工艺文件的形式写出来,称为机械加工工艺规程。 机械加工表面质量,是指零件在机械加工后被加工面的微观不平度,也叫粗糙度 精基准:用加工过的表面作定位基准,这种定位基准称为精基准。 基准:零件上用以确定其他点、线、面位置所依据的那些点、线、面。(2.2) 夹紧:在工件夹紧后用外力将其固定,使其在加工过程中保持定位位置不变的操作。 加工精度:零件加工后的实际几何参数和理想几何参数符合程度。加工误差:零件加工后的实际参数和理想几何参数的偏离程度。 金属的可焊性——指被焊金属在采用一定的焊接方法、焊接材料、工艺参数 及结构型式的条件下,获得优质焊接接头的难易程度。 金属的可锻性指金属接受锻压加工的难易程度。金属可锻性好,表明金属易于锻压成型。 分型面——两个铸型相互接触的表面,称为分型面。 过定位:也叫重复定位,指工件的某个自由度同时被一个以上的定位支撑点重复限制。 工步:在加工表面不变,加工刀具不变,切削用量不变的条件下所连续完成的那部分工序。 工序——机械加工过程中,一个或一组工人在一个工作地点,对一个或一组工件连续完成的那部分工艺过程,称为工序。 工序集中就是将零件的加工集中在少数几道工序中完成,每道工序加工的内容多 工序分散:工序数多而各工序的加工内容少 工序余量:相邻两工序的尺寸之差,也就是某道工序所切除的金属层厚度 工艺能力系数使公差δ和△随(6σ)之间有足够大的比值,这个比值Cp 工艺过程:在生产过程中凡是改变生产对象的形状、尺寸、位置和性质等使其成为成品或半成品的过程。工艺规程:人们把合理工艺过程的有关内容写成工艺文件的形式,用以指导生产这些工艺文件即为工艺规程。 工艺基准:在加工和装配中使用的基准。包括定位基准、度量基准、装配基准。

机械制造技术基础期末复习题

定位误差计算 1.有一批直径为0 d d δ-的轴,要铣一键槽,工件的定位方案如图所示(V 形块角度为90°),要保证尺寸m 和n 。试分别计算各定位方案中尺寸m 和n 的定位误差。 (a) (b) (c) 2.如图钻孔,保证A ,采用a)~d)四种方案,试分别进行定位误差分析(外圆50 01 .0-φ )。 3.如图同时钻两孔,采用b)~c)两种钻模,试分别进行定位误差分析。

4.钻直径为φ 10的孔,采用a )、b)两种定位方案,试分别计算定位误差。 【 a) b) 5.如图在工件上铣台阶面,保证工序尺寸A ,采用V 形块定位,试进行定位误差分析。 6.如图钻d 孔,保证同轴度要求,采用a)~d) 四种定位方式,试分别进行定位误差分析。 (其中900 = α,05.030±=φd )

8.图所示齿轮坯在V形块上定位插齿槽,要求保证工序尺寸H=+。已知:d=φ,D=φ35+。若不计内孔与外圆同轴度误差的影响,试求此工序的定位误差。 > 加工误差计算 1.在两台相同的自动车床上加工一批小轴的外圆,要求保证直径Φ11±,第一台加工1000 件,其直径尺寸按正态分布,平均值X 1=,均方差 σ 1=。第二台加工500件,其直径尺寸 也按正态分布,且X 2=,均方差 σ 2=。试求: (1)在同一图上画出两台机床加工的两批工件的尺寸分布图,并指出哪台机床的工序精度高 (2)计算并比较哪台机床的废品率高,并分析其产生的原因及提出改进的办法。 注:

2. 态分布,分布中心的尺寸X =,均方根差σ=,求: (1)这批工件的废品率是多少 / (2)产生废品的原因是什么性质的误差 3. 在甲、乙两台机床上加工同一种零件,工序尺寸为50±。加工后对甲、乙机床加工的零件分别进行测量,结果均符合正态分布,甲机床加工零件的平均值 甲 =50,均方根偏差 甲 =,乙机床加工零件的平均值 乙=,均方根偏差 乙=, 试问: (1)在同一张图上画出甲、乙机床所加工零件尺寸分布曲线; (2)判断哪一台机床不合格品率高 (3)判断哪一台机床精度高 4. 加工一批尺寸为Φ的小轴外圆,若尺寸为正态分布,均方差σ=,公差带中点小于尺寸分布中心0.03mm 。试求:1)加工尺寸的常值系统误差、变值系统误差以及随机误差引起的尺寸分散范围2)计算这批零件的合格率及废品率 5.加工一批工件的内孔,其内孔直径设尺寸为 mm,若孔径尺寸服从正态分布,且分散范围等于公差值,分布中心与公差中心重合,试求1000个零件尺寸在 mm 之间的工件数量是多少 > 6. 镗孔公差T=,σ=,已知不能修复的废品率为%,试绘出正态分布曲线图,并求产品的合格率 X σ X σ025.25020.25Φ-Φ2503 .00+Φ

集成电路制造工艺流程

集成电路制造工艺流程 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达0.。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅,加入少量的电活性“掺杂剂”,如砷、硼、磷或锑,一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后,用一根长晶线缆作为籽晶,插入到融化的多晶硅中直至底部。然后,旋转线缆并慢慢拉出,最后,再将其冷却结晶,就形成圆柱状的单晶硅晶棒,即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺,直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后,即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片,将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后,对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗,将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形,去除粗糙的划痕和杂质,就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后,还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放,并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中,外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成,是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层,CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用,所以今后可能会在300mm晶圆上更多

机械制造技术基础期末考试题

22机械制造技术基础(试题1) 一、填空选择题(30分) 1.刀具后角是指后刀面与切削平面间的夹角。 2.衡量切削变形的方法有变形系数与滑移系数两种,当切削速度提高时,切削变形减少(增加、减少)。 3.精车铸铁时应选用YG3;粗车钢时,应选用YT5。 4.当进给量增加时,切削力增加,切削温度增加。 5.粗磨时,应选择软砂轮,精磨时应选择紧密组织砂轮。 6.合理的刀具耐用度包括Tc与Tp两种。 7.转位车刀的切削性能比焊接车刀(好,差),粗加工孔时,应选择麻花钻刀具。 8.机床型号由字母与数字按一定规律排列组成,其中符号C代表车床 9.滚斜齿与滚直齿的区别在于多了一条附加运动传动链。滚齿时,刀具与工件之间的相对运动称成形运动。10.进行精加工时,应选择切削油,为改善切削加工性,对高碳钢材料应进行退火处理。 11.定位基准与工序基准不一致引起的定位误差称基准不重合误差,工件以平面定位时,可以不考虑基准位置误差。 12.机床制造误差是属于系统误差,一般工艺能力系数C p应不低于二级。 13.在常用三种夹紧机构中,增力特性最好的是螺旋机构,动作最快的是圆偏心机构。 14.一个浮动支承可以消除1个自由度,一个长的v型块可消除4个自由度。 15.工艺过程是指用机械加工方法直接改变原材料或毛坯的形状、尺寸和性能,使之成为合格零件的过程。 二、外圆车刀切削部分结构由哪些部分组成?绘图表示外圆车刀的六个基本角度。(8分) 外圆车刀的切削部分结构由前刀面、后刀面、付后刀面、主切削刃、付切削刃与刀尖组成。 六个基本角度是:r o、αo、kr、kr’、λs、αo’ 三、简述切削变形的变化规律,积屑瘤对变形有什么影响?(8分) 变形规律:r o↑,Λh↓;Vc↑,Λh↓;f↑,Λh↓;HB↑,Λh↓ 积屑瘤高度Hb↑,引起刀具前角增加,使Λh↓ 四、CA6140车床主传动系统如下所示,试列出正向转动时主传动路线及计算出最高转速与最低转速。(8分) 最高转速约1400r/min,最低转速约10r/min 五、什么叫刚度?机床刚度曲线有什么特点?(8分) 刚度是指切削力在加工表面法向分力,Fr与法向的变形Y的比值。 机床刚度曲线特点:刚度曲线不是直线;加载与卸载曲线不重合;载荷去除后,变形恢复不到起点。 六、加工下述零件,以B面定位,加工表面A,保证尺寸10+0.2mm,试画出尺寸链并求出工序尺寸L及公差。(8 分) L=0 0.1 mm 七、在一圆环形工件上铣键槽,用心轴定位,要求保证尺寸34.8-0.16mm,试计算定位误差并分析这种定位是否可行。(8分)

机械制造技术基础期末考试试卷

一、填空题(每空1分,共10分) 1. 在标注刀具角度的正交平面参考系中,通过主切削刃上某一指定点,同时垂直于该点基面和切削平面的平面是。 2. 研磨可降低加工表面的粗糙度,但不能提高加工精度中的精度。 3. 机床主轴回转误差的基本形式包括主轴径角度摆动、轴线窜动和。 4. 机械加工表面质量包括表面粗糙度、和表面层物理机械性能的变化。 5. 在机械加工中,自激振动的激振机理通常包括负摩擦颤振原理、再生颤振原理和 。 6. 机械加工中选择机床时,要求机床的尺寸规格、加工效率及等与工件本工序加工要求相适应。 7. 机械加工中定位基准与设计基准不重合时,工序尺寸及其偏差一般可利用进行计算获得。 8. 在车床上用两顶尖装夹加工细长轴时,工件会产生误差。 9. 切削加工45钢时通常应采用类或YW类硬质合金刀具。 二、名词解释(每小题2分,共10分 1. 工序分散 2. 刀具标注后角 3. 砂轮的组织 4. 工序余量 5. 工艺规程 三、单项选择题(选择正确答案的字母填入括号,每小题1分,共10分 1. 精基准的主要作用是()。 A. 保证技术要求 B. 便于实现粗基准 C. 尽快加工出精基准 D. 便于选择精基准 2. 夹具精度一般是零件精度的() A. 1/3~1/5 B. 1/2 C. 相同 D. 1/10 3. 从概念上讲加工经济精度是指() A.成本最低的加工精度 B.正常加工条件下所能达到的加工精度 C.不计成本的加工精度 D. 最大生产率的加工精度 4. 控制积屑瘤生长的最有效途径是() A. 改变切削速度 B. 改变切削深度 C. 改变进给速度 D. 使用切削液 5. 在麻花钻头的后刀面上磨出分屑槽的主要目的是()。 A.利于排屑及切削液的注入 B.加大前角,以减小切削变形 C. 减小与孔壁的摩擦 D. 降低轴向力 6. 自为基准是以加工面本身为精基准,多用于精加工工序,这是为了()。 A. 保证符合基准重合原则 B. 保证符合基准统一原则 C. 保证加工面的余量小而均匀D 保证加工的形状和位置精度 7. 在切削铸铁时,最常见的切屑类型是()。 A.带状切屑B. 挤裂切屑C. 单元切屑D.崩碎切屑 8.()加工是一种容易引起工件表面金相组织变化的加工方法。 A.车削B.铣削C.磨削D 钻削 9. 在切削用量三要素中,()对切削力的影响程度最大。 A.切削速度 B.进给量 C.背吃刀量 D.三个同样

集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第2单元)

第二单元习题解答 1.SiO 2膜网络结构特点是什么?氧和杂质在SiO 2 网络结构中的作用和用途是什 么?对SiO 2 膜性能有哪些影响? 二氧化硅的基本结构单元为Si-O四面体网络状结构,四面体中心为硅原子,四个顶角上为氧原子。对SiO2网络在结构上具备“长程无序、短程有序”的一类固态无定形体或玻璃体。半导体工艺中形成和利用的都是这种无定形的玻璃态SiO2。 氧在SiO2网络中起桥联氧原子或非桥联氧原子作用,桥联氧原子的数目越多,网络结合越紧密,反之则越疏松。在连接两个Si-O四面体之间的氧原子 掺入SiO2中的杂质,按它们在SiO2网络中所处的位置来说,基本上可以有两类:替代(位)式杂质或间隙式杂质。取代Si-O四面体中Si原子位置的杂质为替代(位)式杂质。这类杂质主要是ⅢA,ⅤA元素,如B、P等,这类杂质的特点是离子半径与Si原子的半径相接近或更小,在网络结构中能替代或占据Si原子位置,亦称为网络形成杂质。 由于它们的价电子数往往和硅不同,所以当其取代硅原子位置后,会使网络的结构和性质发生变化。如杂质磷进入二氧化硅构成的薄膜称为磷硅玻璃,记为PSG;杂质硼进入二氧化硅构成的薄膜称为硼硅玻璃,记为BSG。当它们替代硅原子的位置后,其配位数将发生改变。 具有较大离子半径的杂质进入SiO2网络只能占据网络中间隙孔(洞)位置,成为网络变形(改变)杂质,如Na、K、Ca、Ba、Pb等碱金属、碱土金属原子多是这类杂质。当网络改变杂质的氧化物进入SiO2后,将被电离并把氧离子交给网络,使网络产生更多的非桥联氧离子来代替原来的桥联氧离子,引起非桥联氧离子浓度增大而形成更多的孔洞,降低网络结构强度,降低熔点,以及引起其它性能变化。 2.在SiO 2 系统中存在哪几种电荷?他们对器件性能有些什么影响?工艺上如何降低他们的密度? 在二氧化硅层中存在着与制备工艺有关的正电荷。在SiO2内和SiO2-Si界面上有四种类型的电荷:可动离子电荷:Q m;氧化层固定电荷:Q f;界面陷阱电荷:Q it;氧化层陷阱电荷:Q Ot。这些正电荷将引起硅/二氧化硅界面p-硅的反型层,以及MOS器件阈值电压不稳定等现象,应尽量避免。 (1)可动离子电荷(Mobile ionic charge)Q m主要是Na+、K+、H+等荷正电的碱金属离子,这些离子在二氧化硅中都是网络修正杂质,为快扩散杂质,电荷密度在1010~1012/cm2。其中主要是Na+,因为在人体与环境中大量存在Na+,热氧化时容易发生Na+沾污。 Na+离子沾污往往是在SiO2层中造成正电荷的一个主要来源。这种正电荷将影响到SiO2层下的硅的表面势,从而,SiO2层中Na+的运动及其数量的变化都将影响到器件的性能。进入氧化层中的Na+数量依赖于氧化过程中的清洁度。现在工艺水平已经能较好地控制Na+的沾污,保障MOS晶体管阈值电压V T的稳定。 存在于SiO2中的Na+,即使在低于200℃的温度下在氧化层中也具有很高的扩散系数。

机械制造技术基础期末试题及答案

1.机床误差是由机床的制造误差、安装误差和使用中的磨损引起的,其中对加工精度影响最大的三种几何误差是主轴回转误差、导轨误差和传动误差。2.典型的刀具磨损过程分为初期磨损、正常磨损和急剧磨损阶段。3.精加工基准的选择原则应遵循如下原则:统一基准、基准重合、互为基准 和自为基准等原则。 4.工件的装夹过程就是定位和夹紧的综合过程。 5.在切削加工中,用于描述切削机理的指标是切削层及切削层参数,切削层参数包括切削层公称厚度h D、切削层公称宽度b D和切削面积,其中切削面积=h D×b D。6.由于工件材料以及切削条件的不同,切削的变形程度也不同,因而所产生的切屑也不同,切屑的可分为带状切屑、节状切屑、粒状切屑和崩碎切屑四大类。其中当切削塑性材料,切削速度极低,刀具前角较小时,往往产生节状切屑。 7.切削变形程度有三种不同的表示方法,即变形系数、相对滑移和剪切角。8.在车削外圆时,切削力可以分解为三个垂直方向的分力,即主切削力,进给力抗力和切深抗力,其中在切削过程中不作功的是切深抗力。 1. 从形态上看,切屑可以分为带状切屑、挤裂切屑、单元切屑和崩碎切屑 2. 切削过程中金属的变形主要是剪切滑移,所以用相对滑移(剪应变)的大小来衡量变形程度要比变形系数精确些。 3. 利用自然热电偶法可测得的温度是切削区的平均温度。 4. 刀具一次刃磨之后,进行切削,后刀面允许的最大磨损量(VB),称为磨钝标准。 5. 工件经一次装夹后所完成的那一部分工艺过程称为安装。 6. 靠前刀面处的变形区域称为第二变形区,这个变形区主要集中在和前刀面接触的切屑底面一薄层金属内。 7. 系统性误差可以分为常值性系统性误差和变值性系统性误差两种 1.刀具后角是后刀面与切削平面间的夹角 2.衡量切削变形的方法有变形系数与滑移系数两种,当切削速度提高时,切削变形(减少)。 3.精车铸铁时应选用(YG3);粗车钢时,应选用(YT5)。 4.当进给量增加时,切削力(增加),切削温度(增加)。 5.粗磨时,应选择(软)砂轮,精磨时应选择(紧密)组织砂轮。 6.合理的刀具耐用度包括Tc 与Tp 两种。 7.转位车刀的切削性能比焊接车刀(好),粗加工孔时,应选择(麻花钻)刀具。

机械制造技术基础期末复习提纲

机械制造技术基础复习提纲 ----刘倩雯一.绪论 1.零件(毛坯)成形方法 ①材料成形工艺(Δm=0) 贯通流程—质量不变工艺 :铸造,锻压,粉末冶金。 ②材料去除工艺(Δm<0) 发散流程—质量减少工艺:切削加工,磨削加工,特种加工。 ③材料累积工艺(Δm>0) 收敛流程—质量增加工艺:连接与装配,电铸电镀加工,快速成形 二.第一章 1.机床的分类 ①按应用范围(通用性程度): 通用机床—加工范围广(单件小批) 专门化机床--工艺范围窄(某类,几类某道特定工序) 专用机床—工艺范围最窄(某种某道特定工序,大批) ②按工作精度:普通精度机床,精密机床,高精度机床 ③按自动化程度:手动,机动,半自动,自动机床 4.按重量与尺寸:仪表机床中型机床(一般机床),大型机床(10t~30t),重型机床(30t~100t),超重型机床(大于100t) 5.按机床主要工作部件的数目:单轴,多轴,单刀,多刀 按加工性质、刀具(12类):车床、钻床、镗床、磨床、齿轮加工机床、螺纹加工机床、铣床、刨插床、拉床、特种加工机床、锯床、其它机床。 2.机床型号 为避免混淆,通用特性代号已用的字母及“I”、“O”都不能作为结构特性代号。

按其结构性能及使用范围每类:机床划分为10个组,每个组又划分为10个系 分别用数字0~9表示。 机床主参数代表机床规格的大小,用折算值(主参数乘以折算系数)表示。 3.切削运动—刀具与工件间的相对运动 主运动—速度最高、消耗机床功率最多的运动 进给运动—金属层不断投入切削 合成运动—主运动与进给运动合成的运动 加工表面—待加工表面,过渡表面,已加工表面。 4.切削用量三要素:切削速度vc ,进给量f ,背吃刀量ap 5.切削层参数:切削层公称厚度 ,切削层公称宽度 ,切削层公称横截面积 6.刀具材料具备的性能:①足够的硬度和耐磨性,②足够的强度和韧性③足够的热硬性,④良好的工艺性,⑤经济性 7.常用刀具材料:碳素工具钢、合金工具钢、高速钢、硬质合金、陶瓷、金刚石(PCD)、立方氮化硼(CBN )。 硬质合金: ①钨钴类硬质合金(YG ):精加工—YG3,粗加工—YG8 (铸铁) ②钨钛钴类硬质合金(YT ):精加工—YT30,粗加工—YT5(钢) 8. 9.刀具工作角度的影响:刀刃安装高度,刀柄安装偏斜的影响,横向进给的影响 ,纵向进给的影响 10.磨料—即砂粒,是构成砂轮的主要成分(适用范围) 氧化物系:棕刚玉—碳素钢 白刚玉—高速钢 碳化物系:黑碳化硅—铸铁

机械制造工艺基础期末题库

机械制造工艺基础题库 一、填空题 1.机械加工中常见的冷加工种类 有、、、、。 2.机械热加工的种类有、、。3.《机械制图》采用投影法。 4.《机械制图》三视图分别为视图、视图、视图。 5.《机械制图》中图纸的基本幅 面、、、、。 6.《机械制图》中轮廓线用线绘制,对称中心线用 线绘制,不可见的线用线绘制。 7.《机械制图》中绘图铅笔用、表示其软硬程度。 8.《机械制图》中尺寸三要素分别 为、、。 9.《机械制图》中采用字体。 10.《机械制图》中的比例有、、三类。 11.平面图形中的尺寸按其作用可分为尺寸尺寸。 12.钳工中用来敲击的工具为。

13.钳工中用来旋紧或松退螺丝的工具为。 14.常用的夹持和剪断工具为。 15.钳工中最简单的一种量具为。 16.钳工中台虎钳安装在上。 17.钳工中所使用的夹持工件的通用夹具。18.钳工中用来安放工件和划线工具的是。19.锯弓用于安装锯条,有式式两种。20.锉刀按用途不同可分为、、。21.钳工中使用的钻床为。 22.V带型号按规定分为、、、、、、7种。型截面尺寸最新,型截面尺寸最大。 22.两带轮间的中心距越小,带轮越小,带的越短。23.V带的装紧装置有和两种形式。24.操作钻床时不可,袖口必须,戴好。25、车床可以分为、、、及特种车床。 26、车削加工的主要工艺内容 有、、、、等。 27、机械加工的工种分为、两大类。 1.下图为车削工件端面的示意图,图上标注的主运动是 1 ,主偏角是 8 ,副偏角是,刀具前 角是 6 ,刀具后角是,已加工表面是

3 ,过度表面是, 2. 根据产品零件的大小和生产纲领,机械制造生产一般可以分 为单件生产、成批生产和大量生产三种不同的生产类型。 3. C6132机床:C表示车床,6表示落地及卧式车床组,1 表示普通车床系,32表示床身上最大工件回转直径为320mm。 4.机械加工工艺过程加工阶段划分为粗加工、半精加工和精加工。 5.车刀在空间中的三个辅助平面是:正交平面、切削平面、基面。 二、选择题30题 1.在车床最适于加工的零件是(B ) A.平板类 B.轴类 C.轮齿成型 D.箱体类 2.键槽的工作面是:( B )

《机械制造技术基础》试卷及答案

2008~2009学年第2学期 《机械制造技术基础A 》课程期末考试试卷A 、刀具磨损形态包括 磨损、 磨损和边界磨损。3、切削用量三要素是指 、 和 。 4、镗床主轴采用滑动轴承时,影响主轴回转精度的最主要因素是 轴承孔的圆度误差 。 5、.圆周铣削有 和 两种方式. 二、判断题(每题1分,共10分) 1、基准不重合误差是由于夹具定位元件制造不准确所造成的加工误差。 ( ) 2、 刀具磨损机制包括硬质点磨损、扩散磨损、相变磨损和化学磨损。 ( ) 3、在制订单件小批生产的工艺规程时,应采取工序分散原则。 ( ) 4、正刃倾角使切屑流向待加工表面,有利于精加工要求。 ( ) 5、高速钢刀具切削时一般要加切削液,而硬质合金刀具不加切削液, 这是因为高速钢的耐热性比硬质合金好。 ( ) 6、砂轮的硬度是指组成砂轮的磨粒硬度。 ( ) 7、粗加工时产生积屑瘤有一定好处,故常采用中等速度加工;精加工是必须 避免积屑瘤的产生,故切削塑性金属时,常采用高速或低速加工。 ( ) 8、零件表面残余应力为压应力时,可提高零件的疲劳强度。 ( ) 9、普通车床导轨在垂直面内的直线度误差对零件加工精度影响不大。 ( ) 三、解释概念题(每题3分,共15分) 1、工艺规程: 2、粗基准: 3、定位: 4、常值系统误差: 5、加工经济精度: 四、简述题(每题5分,共20分) 1、刀具切削部分材料应具备的基本性能: 2、工件定位的六点定位原理: 3、精基准选择原则: 4、什么是顺铣和逆铣

五、试画出45度外圆车刀在正交平面参考系的标注几何角度。(本题10分) ————————¤—————¤———————————装订线————————¤———————¤ —————— 七、分析题(第1题7分,第2题5分,共12分) 1、指出下列定位元件所限自由度数及具体限制自由度方向(7分) 2、修改下列机械加工结构工艺性不当处(5分) ———————¤—————¤———————————装订线————————¤———————¤——————— 八、计算题(第1题8分,第2题7分,本题15分) 1、如图,带键槽齿轮孔,其加工工序为: (1)镗内孔至0.10 039.6φ+mm (2)插键槽至尺寸A mm (3)热处理(淬火) (4)磨内孔至尺寸0.05040φ+mm 同时保证键槽深度尺寸0.34 043.6+mm 。试计算插键 槽工序尺寸A 和公差。(8分) 2、在磨床上加工销轴,要求销轴外径 0.016 0.04312d --=mm ,抽样后测得11.974x =mm,0.005σ=mm ,其尺寸分布符合正态分布,试分析该工序的加工质量,并草画尺寸分布曲线。(7分) (已知: 0.4772φ(2)0.4332,φ(1.5)0.3413,φ(1)0.1915,φ(0.5)====) 机械学院2008~2009学年第2学期 《机械制造技术基础》课程期末考试试卷(A )评分标准及参考答案 一、填空题(每空1分,共10分) 1、脆性 塑性 2、前刀面 后到面 3、切削速度 进给量 背吃刀量 4、轴承孔的圆度误差 5、顺铣 逆铣 二、判断题(每题1分,共10分) 1、F. 2、F. 3、F. 4、T. 5、F. 6、F. 7、T. 8、T. 9、T. 10、F. 三、解释概念(每题3分,共15分) 1、工艺过程:在生产过程中凡属直接改变生产对象的尺寸、形状、物理化学性能以及相对位置关系的过程,统称为工艺过程。 2、粗基准:在零件机械加工的第一道工序中,只能采用毛坯上未加工表面 来作定位基准。 3、定位:指确定工件在机床或夹具中占有正确位置的过程。 4、常值系统误差:在顺序加工一批工件时,加工误差的大小和方向都不变,此误差为常 值系统误差。 5、加工精度:指在正常生产条件下(采用符合质量标准的设备、工艺装备和标准技术等 级的工人,不延长加工时间)所能保证的加工精度。 四、简述题 (每题5分,共20分)(其中1、3、4题每条1分) 1、答:(1)较高的硬度耐磨性和耐热性。 (2)足够的强度和韧性。(3)良好的导热性和耐热冲击性。 (4)稳定的化学性能。 (5)良好的工艺性能。 2、答:用一定规律设置的六个支承点,去分别限制工件的六个自由度,从而使工件在空 间得到确定位置的方法称为工件定位的六点定位原理。 3、答:(1)基准重合原则。(2)基准统一原则。 (3)互为基准原则。(4)自为基准原则。 (5)定位、夹紧可靠,有足够大接触面和分布面。 4、答:顺铣指工件进给方向与铣刀的旋转方向相同; 逆铣指工件进给方向与铣刀的旋转方向相反。

《机械制造工艺基础》期末试卷

2017-2诸暨技师学院《机械制造工艺基础》期末试卷 班级姓名学号 一、判断题(20分) 1、切削运动包括主运动和进给运动。 () 2、切削速度的单位为m/min或mm/r。() 3、车床适合加工回转类外圆和端面,还可以钻孔和加工螺纹。() 4、专用机床加工零件,工序数量增加,定位次数增加,定位误差减少。() 5、用成形刀具加工零件,加工零件数量越多,效率越高,加工精度也越高。() 6、工件的转速很高,切削速度就一定很大。() 7、C A6140型卧式车床的主轴中心高度为400mm。 () 8、麻花钻的直径、材料牌号通常标记在柄部。() 9、车削细长轴时,应使用90゜偏刀切削。() 10、拉刀在一次行程中不能切除加工表面的全部余量,所以拉削的生产率较低。() 11、插削和刨削的切削方式相同,只是插削是在铅垂方向进行切削的。() 12、切削用量包括背吃刀量,进给量和工件转速。() 13、牛头刨床和龙门刨床在加工时运动方式是相同的。() 14、砂轮的组织是指砂轮磨粒尺寸大小。 () 15、切削用量对切削力的影响程度由大到小的顺序是切削速度、进给量、背吃刀量。()

16、磨削适合于各种材料的精加工。 () 17、切削加工时,主运动通常是速度较低,消耗功率较小的运动。 () 18、气焊停止工作时,应先关闭乙炔阀门,然后再关闭氧气阀门。 () 19、切削过程中所消耗的功绝大部分转变为热,称为切削热。切削热通过切屑、工件、刀具以及机床传散。 () 20、万能分度头和回转工作台属于铣床专用夹具。 ( ) 二、选择题(20分) 1、切削过程中产生的热量,大部分由()带走。 A. 刀具 B. 切屑 C. 空气 D.工件 2、精车细长轴外圆时,刀尖应()工件轴线。 A. 高于 B. 低于 C. 略高于 D. 略低于 3、装夹中小型圆柱形、正三边形工件最适宜用的装夹方法是()。 A.两顶尖装夹 B.花盘装夹 C.三爪卡盘装夹 D.四爪卡盘装夹 4、铣床铭牌上的进给量用()表示。 A. f B. f z C.v f D. v c 5、具有“自锐作用”的刀具为()。 A.车刀 B.铣刀 C.刨刀 D.砂轮 6、对一些导热性较差或断面较大的金属坯料加热时应先进行()。

机械制造技术基础期末考试试题及答案全解

一、名词解释 1.六点定位原理:采用六个按一定规则布置的支承点,并保持与工件定位基准面的接触,限制工件的六 个自由度,使工件位置完全确定的方法。 2.过定位:也叫重复定位,指工件的某个自由度同时被一个以上的定位支撑点重复限制。 3.加工精度:零件加工后的实际几何参数和理想几何参数符合程度。加工误差:零件加工后的实际参数 和理想几何参数的偏离程度。 4.原始误差:由机床,刀具,夹具,和工件组成的工艺系统的误差。 5.误差敏感方向:过切削刃上的一点并且垂直于加工表面的方向。 6.主轴回转误差:指主轴瞬间的实际回转轴线相对其平均回转轴线的变动量。 7.表面质量:通过加工方法的控制,使零件获得不受损伤甚至有所增强的表面状态。包括表面的几何形 状特征和表面的物理力学性能状态。 8.生产过程:从原料(或半成品)进厂一直到把成品制造出来的各有关劳动过程的总和统称工厂的生产 过程。 9.工艺过程:在生产过程中凡是改变生产对象的形状、尺寸、位置和性质等使其成为成品或半成品的过 程。 10.工艺规程:人们把合理工艺过程的有关内容写成工艺文件的形式,用以指导生产这些工艺文件即为工 艺规程。 11.工序:一个工序是一个或一组工人在一台机床(或一个工作地),对同一工件(或同时对几个)所连续 完成的工艺过程。 12.工步:在加工表面不变,加工刀具不变,切削用量不变的条件下所连续完成的那部分工序。 13.工位:在工件的一次安装后,工件相对于机床(或刀具)每次占据一个确切位置所完成的那一部分工 艺过程。例如:在一次安装中进行车端面,倒角属于2个工位。 14.走刀:在一个工步中,若金属分几次切削,则切削一次,称一次走刀。例如:粗车外圆分几次走刀。 15.定位:使工件在机床或夹具中占有准确的位置。 16.夹紧:在工件夹紧后用外力将其固定,使其在加工过程中保持定位位置不变的操作。 17.安装:工件一次装夹后所完成的那一部分工艺过程。装夹:就是定位和夹紧过程的总和。2者的区别: 安装是工艺过程的一部分,可由装夹次数衡量。装夹是定位和夹紧的过程。 18.基准:零件上用来确定点线面位置是作为参考的其他点线面。

CMOS集成电路制造工艺流程

陕西国防工业职业技术学院课程报告 课程微电子产品开发与应用 论文题目CMOS集成电路制造工艺流程 班级电子3141 姓名及学号王京(24#) 任课教师张喜凤

目录 摘要 (2) 引言 (2) 关键词 (2) 1. CMOS器件 (2) 1.1分类 (2) 2.CMOS集成技术发展 (3) 3.CMOS基本的制备工艺过程 (3) 3.1衬底材料的制备 (3) 4.主要工艺技术 (3) 5.光刻 (4) 6. 刻蚀 (4) 6.1湿法刻蚀 (4) 6.2干法刻蚀 (4) 7.CMOS工艺的应用 (4) 举例 (5)

CMOS集成电路制造工艺流程 摘要:本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程,主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素,及CMOS器件的应用。 引言:集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。硅双极工艺面世后约3年时间,于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术,并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比,MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高,但工作速度较慢。由于它们各具优劣势,且各自有适合的应用场合,双极集成工艺和MOS 集成工艺便齐头平行发展。 关键词:工艺技术,CMOS制造工艺流程 1.CMOS器件 CMOS器件,是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构,电流小,功耗低,早 期的CMOS电路速度较慢,后来不断得到改进,现已大大提高了速度。 1.1分类 CMOS器件也有不同的结构,如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。 铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别,是器件的栅极结构所用材料的不同。P阱CMOS,则是在n型硅衬底上制造p沟管,在p阱中制造n沟管,其阱可采用外延法、扩 散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早,也是应用得最广的工艺,适用于 标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS,是在p型硅衬底上制 造n沟晶体管,在n阱中制造p沟晶体管,其阱一般采用离子注入方法形成。该 工艺可使NMOS晶体管的性能最优化,适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D

相关主题