搜档网
当前位置:搜档网 › 导入spice模型方法

导入spice模型方法

导入spice模型方法
导入spice模型方法

我从器件厂商那儿得到的spice模型文件是:T506.TXT

*************************************************************** * SIEMENS Discrete & RF Semiconductors

* GUMMEL-POON MODEL CHIP PARAMETERS IN SPICE 2G6 SYNTAX * V ALID UP TO 6 GHZ

* >>> T506 <<< (CHIP)

* Extracted by SIEMENS Semiconductor Group HL HF SI CDB

* (C) 1998 SIEMENS AG

* Version 1.0 December 1998

*************************************************************** .MODEL T506 NPN(

+ IS =1.5E-17 NF =1 NR =1

+ ISE=2.5E-14 NE =2 ISC=2E-14

+ NC =2 BF =235 BR =1.5

+ V AF=25 V AR=2 IKF=0.4

+ IKR=0.01 RB =11 RBM=7.5

+ RE =0.6 RC =7.6 CJE=2.35E-13

+ VJE=0.958 MJE=0.335 CJC=9.3E-14

+ VJC=0.661 MJC=0.236 CJS=0

+ VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.5

+ XCJC=1 TF=1.7E-12 TR=5E-08

+ XTF=10 ITF=0.7 VTF=5

+ PTF=50 XTB=-0.25 XTI=0.035

+ EG=1.11)

*************************************************************** 在ads中新建一个schematic,选择file,选择import,就是上面贴得图了!

IBIS模型详解中文版

目录 §1 绪论 (1) 1.1 IBIS模型的介绍 (1) 1.2 IBIS的创建 (3) §2 IBIS模型的创建 (3) 2.1 准备工作 (3) 2.1.1 基本的概念 (3) 2.1.2 数据列表的信息 (4) 2.2 数据的提取 (4) 2.2.1 利用Spice模型 (4) 2.2.2 确定I/V数据 (4) 2.2.3 边缘速率或者是V/T波形的数据的测量 (7) 2.2.4 试验测量获取I/V和转换信息的数据 (7) 2.3 数据的写入 (8) 2.3.1 IBS文件的头I信息 (8) 2.3.2 器件和管脚的信息 (8) 2.3.3 关键词Model的使用 (9) §3 用IBIS模型数据验证模型 (10) 3.1 常见的错误 (10) 3.2 IBIS模型的数据验证 (12) 3.2.1 Pullup、Pulldown特性 (12) 3.2.2 上升和下降的速度(Ramp rate) (12) 3.2.3 上下拉特性和Ramp rate的关系 (12)

3.3 用IBIS模型数据验证模型参数的实例 (12)

§1 绪论 1.1 IBIS模型的介绍 IBIS(Input/Output Buffer Informational Specifation)是用来描述IC器件的输入、输出和I/OBuffer行为特性的文件,并且用来模拟Buffer和板上电路系统的相互作用。在IBIS模型里核心的内容就是Buffer的模型,因为这些Buffer产生一些模拟的波形,从而仿真器利用这些波形,仿真传输线的影响和一些高速现象(如串扰,EMI等。)。具体而言IBIS描述了一个Buffer的输入和输出阻抗(通过I/V曲线的形式)、上升和下降时间以及对于不同情况下的上拉和下拉,那么工程人员可以利用这个模型对PCB板上的电路系统进行SI、串扰、EMC以及时序的分析。 IBIS模型中包含的是一些可读的ASCII格式的列表数据。IBIS有特定的语法和书写格式。IBIS模型中还包括一些电气说明如V、V、V以及管脚的寄生参数(如管脚的引线R、L、C)等。有一点需要注意的是IBIS模型并不提供IC器件:功能信息、逻辑信息、输入到输出的时间延迟等。也就是说,IBIS模型只是提供了器件的输入、输出以及I/O Buffer的行为特性,而不是在IC器件给定不同的输入,测量对应不同的输出波形;而是在描述器件有一个输入时,我们看不同情况下输出的特性(具体的说我们可以在输出端接一个电压源,这样我们在确保器件输出高电平或者是低电平时,调整电压源的数值,可以测出不同的电流,这样我们就可以在确保输出管脚输出某一个状态时得出一些I/V的数值,至于电压源具体的变化范围后面的内容会涉及到)。所以对于器件商家而言IBIS模型不会泄漏器件的内部逻辑电路的结构。 要实现上面提到的对系统的SI和时序的仿真,那么需要的基本的信息就是Buffer的I/V曲线和转换特性。IBIS模型中Buffer的数据信息可以通过测量器件得出也可以通过器件的SPICE 模型转换得到。IBIS是一个简单的模型,当做简单的带负载仿真时,比相应的全Spice三极管级模型仿真要节省10~15倍的计算量。IBIS模型是基于器件的。也就是说一个IBIS模型是对于整个器件的管脚而言的,而不是几个特殊的输入、输出或者是I/O管脚的Buffer。因此,IBIS模型中除了一些器件Buffer的电气特性,还包括pin-buffer的映射关系(除了电源、地和没有连接的管脚外,每个管脚都有一个特定的Buffer),以及器件的封装参数。IBIS提供两条完整的V-I曲线分别代表驱动器为高电平和低电平状态,以及在确定的转换速度下状态转换的曲线。V-I曲线的作用在于为IBIS提供保护二极管、TTL推拉驱动源和射极跟随输出等非线性效应的建模能力。 一般而言,IC器件的输入、输出和I/O管脚的Buffer的行为特性是通过一定的形式描述的。下面分别对于输入、输出和I/O管脚Buffer的表述形式作一个介绍。 对于一个输出或者是I/O管脚的Buffer需要下列的相关数据: ●在输出为逻辑低时,输出管脚Buffer的I/V特性 ●在输出为逻辑高时,输出管脚Buffer的I/V特性 ●在输出的电平强制在V以上和GND以下时,输出管脚Buffer 的I/V特性 ●Buffer由一个状态转换为另一个状态的转换时间 ●Buffer的输出电容 对于一个输入管脚的Buffer需要以下的数据: ●输入Buffer的I/V曲线(包括电平高于V或者是低于GND) ●Buffer的输入电容 一般情况,IBIS模型包含以下一些信息,IBIS模型的结构如下图1.1所示。 1.关于文件本身和器件名字的信息。这些信息用以下的关键词描述:[IBIS Ver] IBIS的版本号, [File Name] 文件的名称, [File Rev] 文件的版本号, [Component] 器件的名称和[Manufacturer]. 器件的制造商。 2.关于器件的封装电气特性和管脚与Buffer模型的映射关系。可以使用关键词[Package] 和[Pin] 描述。

Spice基本语法

?无源器件:电阻、电感、电容 1、电阻 RXXX n1 n2 resistance 电阻值可以是表达式。 例:R1 1 2 10K Rac 9 8 1 AC=1e10 Rterm input gnd R=’sqrt(HERTZ) ’ 2、电容 CXXX n1 n2 capacitance 例:C1 1 2 1pF 3、电感 LXXX n1 n2 inductance 例:L1 1 2 1nH ?有源器件:Diode、BJT、JEFET、MOSFET 1、Diode(二极管) DXXX N+ N- MNAME 可选项:AREA是面积因子,OFF是直流分析所加的初始条件,IC=VD 是瞬态初始条件 注:模型中的寄生电阻串联在正极端 2、BJT(双极性晶体管) QXXX NC NB NE MNAME NC、NB、NE、NS分别是集电极、基极、发射极和衬底节点,缺省时NS 接地。后面与二极管相同。 3、JFET(结型场效应晶体管) JXXX ND NG NS MNAME 4、MOSFET(MOS场效应晶体管) MXXX ND NG NS NB MNAME M为元件名称,ND、NG、NS、NB分别是漏、栅、源和衬底节点。MNAME 是模型名,L沟道长,W为沟道宽。

?子电路 1、子电路定义开始语句 .SUBCKT SUBNAM 其中,SUBNAM为子电路名,node1…为子电路外部节点号,不能为零。子电路中的节点号(除接地点),器件名,模型的说明均是局部量,可以和外部的相同。 例: .SUBCKT OPAMP 1 2 3 4 2、子电路终止语句 .ENDS 若后有子电路名,表示该子电路定义结束;若没有,表示所有子电路定义结束。 例: .ENDS OPAMP / .ENDS 3、子电路调用语句 X***** SUBNAM 在Spice中,调用子电路的方法是设定以字母X开头的伪元件名,其后是用来连接到子电路上的节点号,再后面是子电路名。 例:…… .SUBCKT INV IN OUT wn=1.2u wp=1.2u Mn out in 0 0 NMOS W=wn L=1.2u Mp out in vdd vdd PMOS W=wp L=1.2u .ENDS X1 IN 1 INV WN=1.2U WP=3U X2 1 2 INV WN=1.2U WP=3U X3 2 OUT INV WN=1.2U WP=3U 激励源:独力源和受控源 独立源:直流源(DC Sources)交流小信号源(AC Sources)瞬态源(Transient Sources)脉冲源指数源正弦源分段线性源1、直流源(DC Sources )

SU导入3D的流程

Sketchup建模及导入3D的方法及选项设置 用su建模,一是推敲方案,二是在方案推敲完成导入3D后进入后期的渲染,出效果图。 SU建模注意:为了加快建模速度必须设定自己的一套快捷键,在建模的过程中必须每个体量编辑组件,以便以后的修改。为了能导入3D中进行渲染,Sketchup的模型必须面是统一 的,系统默认白色的是正面,蓝色的是反面,就必须把正面朝外反面朝里,要不然在3d里面反面是显示不出来。 第一,第二就是Sketchup 一定是专业版,只有它才能导出3ds格式和dwg格式。 第二,在Sketchup中把材质都赋好,记得一点是不要用Sketchup默认的材质,要新建材质赋你有的jpg格式贴图,这样在3d里面才能继续调整贴图,Sketchup默认的贴 图在3d里可是不认。 第三,就是导出了,在Sketchup里面:文件,导出,3d模型,第一个下拉菜单选所有图层,然后中间的全部都不要选择,最后一个把单位改成毫米就可以了。第一个不动直接确定,第二个点否,现在导进来了,打灯光,打摄像机,调Vary选项。 第四,在Sketchup中赋好的材质,先把模型选中然后在编辑菜单中选Poly Select (可编辑网格选择),下面有几个选项选倒数第二个Polygon,然后在Select By Material ID里面输入相应的材质ID,被选中的材质就会变成红色,这样就可以进行材质的调 整了。 第五,SU导出3DS格式说明:1、Sin gel Object勾选此选项时,整个场景将合并成一个物体被输出,在SketchUP中建立的群组和组件将不能被单独进行操作,在场景中线面数很大的情况 下有可能不能完成输出;(这视情况而定) 2、Objects By Geometry 此选项将以群组和组件为单位输出物体,SketchUP 最表面一层的群组和组件被保留为单独的物体,可以在max中进行单独灵活的各种 编辑,推荐使用。缺点是每一个群组和组件都会输出一个自身的多重子材质 3、Output Texture Maps 如果不勾选,输出材质中将不包含贴图信息;贴图 文件路径需要在max里添加,建议将所有贴图复制到max模型文件所在工作目录, 这样就不会出现找不到贴图的错误信息 4、Output 2-Sides 输出双面:一般情况下不需要,会额外增加模型量;但是 在SketchUP建模阶段必须保证面法线正反的正确性,否则反面在max里无法显示, 产生丢面现象。Materiar和Geometry分别以材质和物体产生双面。 5、Output Standalong Edges 输出边线,对于max 不必要。 6、Use “Color By Layer ” Mater用I层的颜色作为材质输出,是以层颜色进行管 理的材质,需要在建模起始阶段就规划好的材质管理方式,物体(或面)将以所在的层的颜色为自身的材质。因为SketchUP里组件和层是参插的,在组件具有复合 材质时好像不易管理。 7、Gen erate Cameras 产生相机,基本上每一个页面会产生一个相机,这个不用勾 选。

3DMAX模型导入到Unity3D的步骤

3DMAX模型导入到Unity3D的步骤 1、打开3DMAX,自定义-》单位设置,将系统单位和显示单位都设置为“厘米” 2、建立一个Polygon管状体,参数如下:内径20CM,外径30CM,高30CM 注:保证其坐标原点在0,0,0 3、选中模型右击鼠标转换为可编辑多边形。 多模型进行一些挤出操作。 4、开始导出模型。保持模型选中状态,点击左上角3DMAX图标菜单, 导出-》导出选定对象。导出格式为.FBX,名称必须为英文字母类, 跳出的选项框默认直接确定即可。 例如导出的名称为 5、接下来打开Unity3D,新建立一个项目。 因为是测试项目所以可不导入Unity提供的资源包 6、将之前在3DMAX里导出的模型复制到Unity项目所在文件夹中的Assets文件夹下。 Unity会自动刷新出资源并自动创建一个Materials材质文件夹。如下图示: 7、单击Tube资源,在旁边的Inspector视图中可以看到:Scale Factor的值 表示的比例

8、鼠标拖动Tube到场景中,保持选择状态,摁键盘“F”键,物体自动放大到场景最大 点。3DMAX模型导入到Unity3D的步骤完成。 9、在3DMAX里新建立一个圆柱,系统单位和显示单位仍为CM厘米,圆柱参数如下: 半径100cm,高100cm,模型中心在坐标原点,转换为可编辑多边形, 保存命名为。将复制到Unity项目的Assets文件夹下 10、拖动yuanzhu到主场景。接着在Unity里建立一个圆柱体 Unity里默认是直径1M,高1M的圆柱。我们之前在3DMAX里建立的圆柱半径100cm,导入到Unity后即直径是200cm了。 将Unity里建立的圆柱,Scale参数中的X和Z放大2倍,这个圆柱的半径才是100cm(直径200cm) 然后将从3DMAX里导入的圆柱与Unity里建立的圆柱比较:半径是一样大小的。 说明在3DMAX里建立对应到Unity的模型,系统单位和显示单位设置为“CM”最好。

走进IBIS模型

AN-715 应用笔记 One Technology Way ? P.O. Box 9106 ? Norwood, MA 02062-9106 ? Tel: 781/329-4700 ? Fax: 781/326-8703 ? https://www.sodocs.net/doc/232220051.html, 走近IBIS 模型:什么是IBIS 模型?它们是如何生成的? 作者:Mercedes Casamayor 简介 在进行系统设计时节省时间和降低成本是很关键的。在原型制作之前,系统设计人员可以用模型来进行设计仿真。在高速系统设计中正是如此,进行信号完整性仿真来分析不同条件下传输线中的电路行为,在设计初期就能预防并检测出典型的问题,例如过冲、欠冲、阻抗不匹配等。然而,可用的数字IC 模型非常少。当半导体厂商被索要SPICE 模型时,他们并不愿意提供,因为这些模型会包含有专有工艺和电路信息。 这个问题已经通过采用IBIS 模型来 (输入/输出缓冲器信息规范)解决,IBIS 也被称为ANSI/EIA-656,这是一个建模的新标准,在系统设计人员中越来越流行。 什么是IBIS ? IBIS 是一个行为模型,通过V/I 和V/T 数据描述器件数字输入和输出的电气特性,不会透露任何专有信息。IBIS 模型与系统设计人员对传统模型的理解不同,例如其它模型中的原理图符号或多项式表达式。IBIS 模型包括由输出和输入引脚中的电流和电压值以及输出引脚在上升或下降的转换条件下电压与时间的关系形成的表格数据。这些汇总的数据代表了器件的行为。 IBIS 模型用于系统板上的信号完整性分析。这些模型使系统设计人员能够仿真并预见到连接不同器件的传输线路中基本的信号完整性问题。潜在的问题可以通过仿真进行分析,潜在的问题包括由传输线上阻抗不匹配导致的到达接收器的波形反射到驱动器的能量;串扰;接地和电源反弹;过冲;欠冲;以及传输线路端接分析等等。 Rev. 0 | Page 1 of 8 IBIS 是一种精确的模型,因为它考虑了I/O 结构的非线性,ESD 结构和封装寄生效应。它相对于其它传统模型(例如SPICE )有几项优势。例如,仿真时间最多可缩短25倍,IBIS 没有SPICE 的不收敛的问题。此外,IBIS 可以在任何行业平台运行,因为大多数电子设计自动化(EDA)供应商都支持IBIS 规范。 IBIS 的历史 IBIS 由Intel?公司在90年代初开发。IBIS 1.0版本于1993年6月发布,IBIS 开放式论坛也在那时成立。 IBIS 开放式论坛包括EDA 厂商、计算机制造商、半导体厂商、大学和终端用户。它负责提议进行更新和评审、修订标准,组织会议。它促进IBIS 模型的发展,在IBIS 网站上提供有用的文档和工具。1995年,IBIS 开放式论坛与电子工业联盟(EIA)合作。 已经发布了几个IBIS 版本。第一个版本描述了CMOS 电路和TTL I/O 缓冲器。每个版本都增加并支持新的功能、技术和器件种类。所有版本都互相兼容。IBIS 4.0版本由IBIS 开放式论坛在2002年7月批准,但它还不是ANSI/EIA 标准。 如何生成IBIS 模型 可以通过仿真过程中或基准测量中收集的数据来获得IBIS 模型。如果选择前一种方法,可以使用SPICE 进行仿真,收集每个输出/输出缓冲器的V/I 和V/T 数据。这样可以在模型中包含过程转折数据。然后,使用IBIS 网站上的SPICE 至IBIS 转换程序可以由SPICE 生成IBIS 模型。

三维模型导入ADAMS的实用方法

三维模型导入ADAMS仿真的实用方法摘要:此文内容主要来源于 宋博士的博客(https://www.sodocs.net/doc/232220051.html,/doctorsongshaoyun)。 本文所提供的方法是现有ADAMS书籍上未曾提供的内容,是解决大家建模感觉繁琐的非常实用的方法。 下面谈谈我的一些经验:尽管ADAMS软件中提供了几何建模的工具,但相比现在成熟的三维专业设计CAD软件而言其功能非常薄弱。ADAMS/View提供的建模工具功能非常的原始,即使对于简单的几何模型,用户想直接在ADAMS/View中建立也需要非常熟练地掌握移动和旋转工作栅格才能实现,而对于复杂的机械装配模型,ADAMS/View基本无能为力,因此目前通常的做法是先用成熟三维设计软件(如CATIA,UG,Pro/E,Solidwork等)精确建立机械系统实体零件模型和虚拟装配模型,之后通过数据交换的方式(我一般使用parasolid格式)将模型导入到ADAMS软件中,根据实际情况抽象出相应的运动副添加适当的约束、驱动和负载等(此处在正确位置建立合适的Maker点很关键,对于不规则实体有时软件自动建立的cm点并非在仿真需要的地方,运动副位置设置错了容易导致仿真失败)建立起机械系统的虚拟样机,来模拟实际工况和真实运动情况。此外机械系统方面的仿真建议大家使用Adams/Machinery这个插件,可以极大的提高仿真效率。 欢迎访问我的新浪博客(https://www.sodocs.net/doc/232220051.html,/u/1774643737)。 基于SOLIDWORKS-ADAMS的机构动力学仿真对一个实际的机构做动力学仿真,是我们在机械设计实践中经常会遇到的的问题。一般我们会首先用某款三维软件(如SOLIDWORKS,SOLIDEDGE,PRO/E,UG,CATIA等)对所有零件进行建模,然后把零件组装成为装配体,接着把模型导入到机构动力学软件如ADAMS中进行动力学中仿真。 然而,从三维软件的装配模型导入到ADAMS中时,由于装配体中的零件很多,如果直接导入,会在ADAMS中出现许多零件,而其中许多零件之间并不存在相对运动,为了在ADAMS 中进行正确的仿真,就需要首先对没有相对运动的一系列零件之间建立固定副。对于简单的

PSpice添加SPICE模型

微波开关利用PIN管在直流正、反偏压下呈现近似导通或断开的阻抗特性,实现了控制微波信号通道转换作用。PIN二极管的直流伏安特性和PN结二极管是一样的,但是在微波频段却有根本的差别。由于PIN二极管I层的总电荷主要由偏置电流产生,而不是由微波电流瞬时值产生的,所以其对微波信号只呈现一个线性电阻。此阻值由直流偏置决定,正偏时阻值小,接近于短路,反偏时阻值大,接近于开路。因此PIN二极管对微波信号不产生非线性整流作用,这是和一般二极管的根本区别,所以它很适合于做微波控制器件。二三极管开关二极管、肖特基三极管、瞬变二极管、PIN结二极管、大/中/小功率三极管、高频管、带阴三极管、复合管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管、整流桥、射频管、场效应管、达林顿管...... 品牌:PHILIPS、NEC、MOTOROLA、ROHM、TOSHIBA、ST、Panasonic、KEC、INFINEON 在用PSpice进行仿真时,很多时候会遇到需要仿真的器件在PSpice自带的仿真库无法找到。这时需要到该器件对应的官网上去下载对应的SPICE模型,而不同的公司提供的SPICE模型又都不尽相同,比如TI公司提供MOD文件或TXT文本,而ADI公司提供的是CIR格式的文件。如何将这些不同类型的SPICE仿真模型转换成Simulation可用的lib文件呢?下面介绍了一个方法,只需简单几步即可实现将不同类型的SPICE Model(*.mod/*.txt/*.cir等文本文件)转换成*.lib、*.olb文件。 1、打开Model Editor(in PSpice Accessories) 2、File -> Open,打开*.mod或*.txt或*.cir文件

导入spice模型方法

我从器件厂商那儿得到的spice模型文件是:T506.TXT *************************************************************** * SIEMENS Discrete & RF Semiconductors * GUMMEL-POON MODEL CHIP PARAMETERS IN SPICE 2G6 SYNTAX * V ALID UP TO 6 GHZ * >>> T506 <<< (CHIP) * Extracted by SIEMENS Semiconductor Group HL HF SI CDB * (C) 1998 SIEMENS AG * Version 1.0 December 1998 *************************************************************** .MODEL T506 NPN( + IS =1.5E-17 NF =1 NR =1 + ISE=2.5E-14 NE =2 ISC=2E-14 + NC =2 BF =235 BR =1.5 + V AF=25 V AR=2 IKF=0.4 + IKR=0.01 RB =11 RBM=7.5 + RE =0.6 RC =7.6 CJE=2.35E-13 + VJE=0.958 MJE=0.335 CJC=9.3E-14 + VJC=0.661 MJC=0.236 CJS=0 + VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.5 + XCJC=1 TF=1.7E-12 TR=5E-08 + XTF=10 ITF=0.7 VTF=5 + PTF=50 XTB=-0.25 XTI=0.035 + EG=1.11) *************************************************************** 在ads中新建一个schematic,选择file,选择import,就是上面贴得图了!

IBIS模型学习笔记

IBIS模型学习笔记 一、I BIS 模型的信息 IBIS模型架构包括: |-- [IBIS Ver] |-- [File Name] |-- [File Rev] |-- [Date] |-- [Source] |-- [Notes] |-- [Disclaimer] |-- [Copyright] |-- [Component] |-- [Manufacturer] |-- [Package] |-- [Pin] |-- [Diff Pin] |-- [Model Selector] |-- [Model] |-- [End] 二、各个部分的定义 1. [IBIS Ver] 从目前仿真的过程看,使用HyperLynx Simulation Software 9.4版本仿真,IBIS模型需要使用Version 4.0以上版本。在Version 3.2版本中,不包含Vinh_ac等定义,在仿真中会提示不支持这些语句。现在使用的是V4.1. 2. [File Name] IBIS模型的名字,例如:ic.ibs 3. [File Rev] 文件版本,例如:[File Rev] 1.0

4. [Date] 编写时间:[Date] 1/22/2013 5. [Source],[Disclaimer],[Copyright],[Component] 来源,免责声明,版权,组成的一些说明 [Source] Sigrity SpeedPKG Suite XtractIM 4.0.4.09231 [Disclaimer] The model given below represents a 73-pin package. [Copyright] [Component] ddr_ctrl 6. [Package] 包含在封装厂提取的IBIS文件中。 [Package] | variable typ min max R_pkg 0.76859 0.48527 0.95543 L_pkg 3.608e-9 2.259e-9 4.39e-9 C_pkg 1.088e-12 9.004e-13 1.741e-12 7. [Pin] 定义各个Pin的RLC,模型类型。 例如DDR部分pin,[Pin]定义pin脚名称,Signal_name定义pin脚对应的网络名称,model_name定义pin脚所对应的模型。 [Pin] Signal_name model_name R_pin L_pin C_pin C8 A0 DDRIO 0.68982 3.37e-9 1.059e-12 E13 A1 DDRIO 0.74574 3.549e-9 1.095e-12 B13 A2 DDRIO 0.69867 3.392e-9 9.785e-13 C13 A3 DDRIO 0.61485 3.102e-9 9.88e-13 B9 A4 DDRIO 0.66266 3.285e-9 1.001e-12 C10 A5 DDRIO 0.53032 2.407e-9 1.06e-12 A9 A6 DDRIO 0.7457 3.571e-9 1.044e-12 B10 A7 DDRIO 0.63557 3.174e-9 1.002e-12 E12 A8 DDRIO 0.63692 3.085e-9 1.17e-12 A10 A9 DDRIO 0.77584 3.802e-9 9.004e-13 C17 A10 DDRIO 0.66777 2.996e-9 1.303e-12 A13 A11 DDRIO 0.78207 3.963e-9 9.209e-13 A12 A12 DDRIO 0.78921 3.9e-9 9.229e-13 B12 A13 DDRIO 0.69073 3.368e-9 9.85e-13 C12 A14 DDRIO 0.60718 3.087e-9 1.019e-12

PCB元件库3D模型的导入说明

PCB元件库3D模型的导入 一、目的 通过新软件Altium designer 6(AD6)的 3D 功能能够快速提前的为机构部门提供结构设计上的参考,提高合作的效率与准确性。 二、电子与机构需协作流程为: 电子部门建立好项目需要的原理图库、PCB库; 机构部门使用结构软件建立关键器件的3D模型,另存为Step或IGS文件转交给电子部门,电子部门再把文件导入到建立的PCB 3D库(*. PCB3DLib)中; 电子部门绘制好原理图,并在原理图库或原理图中,正确添加器件属性里的PCB模型名称和3D模型名称; 绘制好最终的PCB图后,查看PCB的3D效果(View \ Legacy 3D View); 导出整板PCB的3D图为Step或IGES文件转交给机构部门; 机构部门把整板PCB的3D图导入到结构设计软件中,作为结构设计的参考数据。 三、电子提供资料: PCB元件库清单 四、机构注意事项: 在结构软件中建立器件3D模型时,要事先定义好器件的原点和3D坐标,3D模型的原点要和PCB封装库的原点保持一致,3D中的XY坐标则要和PCB封装库中的XY方向保持一致然后导出为Step格式,软后导入到自建的3D库中。这样在3D状态下才能看到元件准确的定位在PCB立体视图中,否则3D元件会偏离PCB 3D中的丝网位置。如果角度不对也会出现错位,甚至部分在PCB上面,部分在PCB下面。(在结构软件中,当元件为单个实体时,原点即为实际定义原点,当元件为装配实体时,先定义好总的参考原点,再装配好各部件,最后另存为Step或IGS文件转交给电路部门,电路部门再把文件导入到自己建立的PCB 3D库(*. PCB3DLib) 电子与机构需协作流程为: 1.电子部门建立好项目需要的原理图库、PCB库.

prescan 3D模型导入步骤

3D模型导入 一.把3D导入PreScan中有步骤: 1.从sketchup软件中导出目标模型文件 1)打开sketchup,右击“文件”——“3D模型库” ——“获取模型”,然后再弹出的模型库页面中 搜索目标模型; 2)选择目标文件并点击下载(保存为.dae格式,只有这个文件prescan才能识别)。 2.把下载下来的目标模型文件添加到prescan用户元素 库中 1)右击prescan上的“Tools”——“User Library Elments Wizard”; 2)弹出的菜单最上面是选择存放路径,下面的选项按钮点击“classic ULE”,然后点击“Add folder” 并对新生成的文件命名; 3)点击新生成的文件来激活对话框右边的“New Element”按钮并点击; 4)在弹出的对话框的第一页给文件命名以及选择元素类型并点击“next”; 5)在弹出的对话框的第二页给添加的心元素命名以及必要的描述并点击“next”; 6)在弹出的对话框的第三页选择第一步骤下载下

来的目标模型文件并点击“next”; 7)第四页是对目标模型进行尺寸设置,一般从sketchup中下载文件都已设置好,可以直接点 击“next”; 8)下面只要顺着点击“next”即可,最后点击“User Library Elments Wizard”对话框上的“refersh and close”就能在prescan的UL Elements中直接拖 拉该模型放置场景中。 注意:1)在3D模型库中下载的文件需有 textures.txt文件,不然导入的在3D viewer中看 到的模型将是一片漆黑。

IBIS模型及其应用

I B I S模型及其应用CDMA事业部眭诗菊 摘要:本文介绍了用于高速系统信号完整性分析的IBIS模型的历史背景、IBIS模型的结 构、IBIS模型的建模过程、IBIS模型的参数、语法格式,以及在使用IBIS模型 时常遇到的问题和解决方法。 关键词:IBIS模型、EDA、信号完整性、缓冲器、单调性、收敛 高时钟频率下运行的并行处理系统或其它功能更加复杂的高性能系统,对电路板的设计提出了极其严格的要求。按集总系统的方法来设计这些系统的线路板已不可想象。许多EDA(电子设计自动化)供应商都提供能进行信号完整性分析和EMC分析的PCB设计工具。这些工具需要描述线路板上元器件的电气模型。IBIS (I/OBufferInformationSpecification)模型是EDA供应商、半导体器件供应商和系统设计师广泛接受的器件仿真模型。 一、IBIS的背景及其发展 在IBIS出现之前,人们用晶体管级的SPICE模型进行系统的仿真,这种方法有以下三个方面的问题:第一,结构化的SPICE模型只适用于器件和网络较少的小规模系统仿真,借助这种方法设定系统的设计规则或对一条实际的网络进行最坏情况分析。第二,得到器件结构化的SPICE模型较困难,器件生产厂不愿意提供包含其电路设计、制造工艺等信息的SPICE模型。第三,各个商业版的SPICE软件彼此不兼容,一个供应商提供的SPICE模型可能在其它的SPICE仿真器上不能运行。因此,人们需要一种被业界普遍接受的、不涉及器件设计制造专有技术的、并能准确描述器件电气特性的行为化的、“黑盒”式的仿真模型。

1990年初,INTEL公司为了满足PCI总线驱动的严格要求,在内部草拟了一种列表式的模型,数据的准备和模型的可行性是主要问题,因此邀请了一些EDA供应商参与通用模型格式的确定。这样,IBIS1.0在1993年6月诞生。1993年8月更新为IBIS1.1版本,并被广泛接受。此时,旨在与技术发展要求同步和改善IBIS 模型可行性的IBIS论坛成立,更多的EDA供应商、半导体商和用户加入IBIS论坛。1995年2月IBIS论坛正式并入美国电子工业协会 EIA(ElectronicIndustriesAssociation)。1995年12月,IBIS2.1版成为美国工业标准ANSI/EIA-656。1997年6月发布的IBIS3.0版成为IEC62012-1标准。1999年9月通过的IBIS3.2版为美国工业标准ANSI/EIA-656-A。目前大量在使用中的模型为IBIS2.1、IBIS3.2版本。 二、IBIS模型 IBIS模型是一种基于全电路仿真或者测试获得V/I曲线而建立的快速、准确的行为化的电路仿真模型。它的仿真速度是SPICE模型仿真速度的25倍以上。人们可以根据标准化的模型格式建立这种模拟IC电气特性的模型,并可以通过模型验证程序型验模型格式的正确性。IBIS模型能被几乎所有的模拟仿真器和EDA工具接受。由于来自测量或仿真数据,IBIS模型较容易获得,IBIS模型不涉及芯片的电路设计和制造工艺,芯片供应商也愿意为用户提供器件的IBIS模型。所以IBIS模型被广泛应用于系统的信号完整性分析。 IBIS模型是以I/O缓冲器结构为基础的。I/O缓冲器行为模块包括:封装RLC参数,电平箝位、缓冲器特征(门槛电压、上升沿、下降沿、高电平和低电平状态)。图1为IBIS模型结构。 图1:IBIS模型结构 说明虚线的左边为输入的模型结构,右边为输出的模型结构

IBIS模型详解中文版

§ 绪论 (1) 1.1 IBIS模型的介绍 (1) 1.2 IBIS的创建 (3) § IBIS模型的创建 (3) 2.1 准备工作 (3) 2.1.1 基本的概念 (3) 2.1.2 数据列表的信息 (4) 2.2数据的提取 (4) 2.2.1 利用Spice模型 (4) 2.2.2 确定I/V数据 (4) 2.2.3边缘速率或者是V/T波形的数据的测量 (7) 2.2.4试验测量获取I/V和转换信息的数据 (7) 2.3数据的写入 (8) 2.3.1 IBS文件的头I信息 (8) 2.3.2器件和管脚的信息 (8) 2.3.3 关键词Model的使用 (9) §3 用IBIS 模型数据验证模型 (10) 3.1 常见的错误 (10) 3.2 IBIS模型的数据验证 (12) 3.2.1 Pullup、Pulldown 特性 (12) 3.2.2 上升和下降的速度(Ramp rate) (12)

3.2.3 上下拉特性和Ramp rate的关系 (12)

3.3用IBIS模型数据验证模型参数的实例 (12)

§ 绪论 1.1 IBIS模型的介绍 IBIS (Input/Output Buffer Informational Specifation )是用来描述IC 器件的输入、输出和l/OBuffer 行为特性的文件,并且用来模拟Buffer和板上电路系统的相互作用。在IBIS模型里核心的容就是Buffer的模型,因 为这些Buffer产生一些模拟的波形,从而仿真器利用这些波形,仿真传输线的影响和一些高速现象(如串 扰,EMI等。)。具体而言IBIS描述了一个Buffer的输入和输出阻抗(通过I/V曲线的形式)、上升和下降时间以及对于不同情况下的上拉和下拉,那么工程人员可以利用这个模型对PCB板上的电路系统进行SI、串扰、EMC以及时序的分析。 IBIS模型中包含的是一些可读的ASCII格式的列表数据。IBIS有特定的语法和书写格式。IBIS模型中还包 括一些电气说明如V、V、V以及管脚的寄生参数(如管脚的引线R、L、C)等。有一点需要注意的是IBIS模型并不提供IC器件:功能信息、逻辑信息、输入到输岀的时间延迟等。也就是说,IBIS模型只是提供了器件的输入、输出以及I/O Buffer的行为特性,而不是在IC器件给定不同的输入,测量对应不同的 输出波形;而是在描述器件有一个输入时,我们看不同情况下输出的特性(具体的说我们可以在输出端接一个电压源,这样我们在确保器件输岀高电平或者是低电平时,调整电压源的数值,可以测岀不同的电流, 这样我们就可以在确保输岀管脚输岀某一个状态时得岀一些I/V的数值,至于电压源具体的变化围后面的 容会涉及到)。所以对于器件商家而言IBIS模型不会泄漏器件的部逻辑电路的结构。 要实现上面提到的对系统的SI和时序的仿真,那么需要的基本的信息就是Buffer的I/V曲线和转换特性。IBIS模型中Buffer的数据信息可以通过测量器件得出也可以通过器件的SPICE模型转换得到。IBIS是一 个简单的模型,当做简单的带负载仿真时,比相应的全Spice三极管级模型仿真要节省10?15倍的计算量。IBIS模型是基于器件的。也就是说一个IBIS模型是对于整个器件的管脚而言的,而不是几个特殊的输入、 输出或者是I/O管脚的Buffer。因此,IBIS模型中除了一些器件Buffer的电气特性,还包括pin-buffer的映射关系(除了电源、地和没有连接的管脚外,每个管脚都有一个特定的Buffer),以及器件的封装参数。IBIS提供两条完整的V —I曲线分别代表驱动器为高电平和低电平状态,以及在确定的转换速度下状态转换的曲线。V —I曲线的作用在于为IBIS提供保护二极管、TTL推拉驱动源和射极跟随输出等非线性效应的建模能力。 一般而言,IC器件的输入、输出和I/O管脚的Buffer的行为特性是通过一定的形式描述的。下面分别对于输入、输出和I/O管脚Buffer的表述形式作一个介绍。 对于一个输出或者是I/O管脚的Buffer需要下列的相关数据: 在输岀为逻辑低时,输岀管脚Buffer的I/V特性 在输出为逻辑高时,输出管脚Buffer的I/V特性 在输出的电平强制在V以上和GND以下时,输出管脚Buffer的I/V特性Buffer由一个状态转换为另一 个状态的转换时间 Buffer的输出电容 一般情况,IBIS模型包含以下一些信息,IBIS模型的结构如下图1.1所示。 1. 关于文件本身和器件名字的信息。这些信息用以下的关键词描述:[IBIS Ver] IBIS的版本号, [File Name]文件的名称,[File Rev] 文件的版本号,[Component]器件的名称和[Manufacturer]. 器件的制造 商。 2. 关于器件的封装电气特性和管脚与Buffer模型的映射关系。可以使用关键词[Package]和[Pin] 描述。

PCB元件库3D模型的导入说明

PCB元件库3D模型的导入 、目的 通过新软件Altium designer 6(AD6)的3D功能能够快速提前的为机构部门提供结构设计上的参考,提高合作的效率与准确性。 二、电子与机构需协作流程为: 2、1电子部门建立好项目需要的原理图库、PCB库; 2、2机构部门使用结构软件建立关键器件的3D模型,另存为Step或IGS文件转交给电子 部门,电子部门再把文件导入到建立的PCB 3D库(*、PCB3DLib)中; 2、3电子部门绘制好原理图,并在原理图库或原理图中,正确添加器件属性里的PCB模型名 称与3D模型名称; 2、4绘制好最终的PCB图后,查瞧PCB的3D效果(View \ Legacy 3D View); 2、5导出整板PCB的3D图为Step或IGES文件转交给机构部门; 2、6机构部门把整板PCB的3D图导入到结构设计软件中,作为结构设计的参考数据。 三、电子提供资料: 3、1 PCB元件库清单 四、机构注意事项: 在结构软件中建立器件3D模型时,要事先定义好器件的原点与3D坐标,3D模型的原点要与PCB封装库的原点保持一致,3D中的XY坐标则要与PCB封装库中的XY方向保持一致然后导出为Step格式,软后导入到自建的3D库中。这样在3D状态下才能瞧到元件准确的定位在PCB立体视图中,否则3D元件会偏离PCB 3D中的丝网位置。如果角度不对也会出现错位,甚至部分在PCB上面,部分在PCB下面。(在结构软件中,当元件为单个实体时,原点即为实际定义原点,当元件为装配实体时,先定义好总的参考原点,再装配好各部件,最后另存为Step或IGS文件转交给电路部门,电路部门再把文件导入到自己建立的PCB 3D 库(*、PCB3DLib)

Quest3D模型的导入教程

一、前期准备工作(本教程以3DSMax为建模工具作为使用参考) 1.使用3DSMax创作一个最简单的茶壶模式: 2.在File(文件)菜单栏中选择运行Export(输出)命令,然后在Select File to Export(选择输出文件)对话框中选择Quest3D公司自己开发支持的X文件格式,选定后点击"完成"按钮: 3.在"场景统计和文件选项"对话框中选择并完成相应的设置: 4.Quest3D公司为3DSMax开发的X文件输出插件会自动将模型保存为X文件,本实例中将文件名设置保存为teaport.X.

二、在Quest3D中导入模型: 1.双击快捷图标运行Quest3D程序,在File(文件)菜单栏中选择运行Import导入命令: 2.在Select File to Import(选择输入文件)对话框中选择teaport.x文件: 3.Quest3D在点击导入文件对话框中的"打开"按钮后会弹出X Object Importer Options(X对象导入选项)对话框,进行相应的载入类型和选项设置.完成设置后点击"OK"确认按钮:

4、在Load Channel Group(载入通道组合)警告提示框,用以确定文件名和文件类型,: 5、当Channel通道窗口中出现DX8 3D Object相应的模型结构关系图后,就完成了模型的导入任务: 三、在动画窗口正常显示3D模型 出现问题:当我们完成第二步骤的工作以后,却发现在动画窗口中看不到相应的模型,这就意味着在Run预览运行效果和打包输出后一无所见! 这可是一个及其严重的问题哟,怎么办呢,解决方法如下: 1.在template模板窗口中,拖动Quick Start中的ObjectInspectiong的链接到Channel通道窗口:

什么是IBIS模型

什么是IBIS模型 IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS规范最初由一个被称为IBIS开放论坛工业组织编写,这个组织是由一些EDA厂商、计算机制造商、半导体厂商和大学组成。IBIS版本发布情况为:1993年4月第一次推出Version1.0版,同年6月经修改后发布了Version1.1版,1994年6月在San Diego 通过了Version2.0 版,同年12 月升级为Version2.1 版,1995 年12 月其Version2.1 版成为ANSI/EIA-656 标准,1997年6月发布了Version3.0 版,同年9月被接纳为IEC 62012-1标准,1998 年升级为Version3.1版,1999年1月推出了当前最新版本Version3.2版。 IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成以下四件工作: (1)获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源; (2)获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法; (3)提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息; (4)提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS是一种简单直观文件格式,很适合用于类似于Spice(但不是Spice,因为IBIS文件格式不能直接被Spice工具读取)电路仿真工具。它提供驱动器和接收器行为描述,但不泄漏电路内部构造知识产权细节。换句话说,销售商可以用IBIS模型来说明它们最新门级设计工作,而不会给其竞争对手透露过多产品信息。并且,因为IBIS是一个简单模型,当做简单带负载仿真时,比相应全Spice三极管级模型仿真要节省10~15倍计算量。 IBIS提供两条完整V-I曲线分别代表驱动器为高电平和低电平状态,以及在确定转换速度下状态转换曲线。V-I曲线作用在于为IBIS提供保护二极管、TTL图腾柱驱动源和射极跟随输出等非线性效应建模能力。 IBIS模型优点 由上可知,IBIS模型优点可以概括为: 1、在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构; 2、提供比结构化方法更快仿真速度; 3、可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况; 4、模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销; 5、兼容工业界广泛仿真平台。

相关主题