从LCOE角度分析单晶经济性
从LCOE角度分析单晶经济性，看好单晶，强推隆基！
时间：2014-08-19 08:41:38 来源：长江电力浏览：176次
摘要: 自2014年7月1日，我们正式强烈推荐隆基股份至今，抛开股价涨幅不论，我们主要做了如下工作：（1）国内主要单晶企业的对比调研、研究；（2）从设备企
自2014年7月1日，我们正式强烈推荐隆基股份至今，抛开股价涨幅不论，我们主要做了如下工作：
（1）国内主要单晶企业的对比调研、研究；
（2）从设备企业的角度来验证高效单晶电池的发展方向；
（3）通过单晶下游用户来验证单晶和多晶的应用体验；
（4）从装机成本的角度出发，在不同的价差、效率差下，讨论单晶电站与多晶电站的经济性问题。
我们认为，单晶的应用趋势正在逐步确立，何时会有明显的变化，没有精确判断；我们寄希望于国内分布式启动，也寄希望于隆基通过产业链战略布局来影响光伏产品的需求习惯。在此，我们将从LCOE的角度出发，讨论单晶电站与多晶电站的经济性。
(一)什么是LCOE？
根据定义，LCOE=电站生命周期内的成本现值/电站生命周期内发电量贴现，真实反映电站生命周期内度电综合成本。为了计算简便，这里我们仅考虑初始投资、运维成本及发电量三个指标，忽略影响不大的税盾效应、残值等影响。
(二)合理假设前提
作为对比研究，我们进行如下假设：
1、多晶电站使用的组件为250W，电站规模为100MW，即使用40万个组件；单晶电站使用40万个单晶组件，但由于组件功率大于多晶组件，因此装机规模超过100MW；
2、多晶电站与单晶电站使用的组件数量相同，因此我们合理假设其生命周期内每年运维成本相同；
3、假设多晶电站BOS成本为4元/W，多晶组件价格为4.1元/W，逆变器0.3元/W，年发电小时数为1500小时；
4、贴现率假设为7%。
在以上的基础上，影响多晶电站与单晶电站LCOE水平对比的因素主要包括单晶与多晶价格差、效率差、相同W数单晶比多晶多发电比例等几个因素，我们这里的分析将主要针对以上三个因素进行LCOE敏感性分析，对比单晶单晶在什么情况下可以获得LCOE优势。
(三)敏感性分析及推断
1、首先，我们通过电站模型，测算多晶电站与单晶电站LCOE的绝对水平。
简单测算，在7%贴现率、1500小时的年有效发电小时数下，多晶电站LCOE为0.6009元/度，单晶电站LCOE为0.6140元/度。在7%贴现率下，单晶电站LCOE高出多晶电站约0.012-0.018元/度左右。
2、其次，我们从价格差与功率差的角度出发，对单晶和多晶电站LCOE差进行敏感性分析。
简单测算，在单晶与多晶功率差为15W时，如果单晶与多晶价差小于0.3元/W的情况下，单晶电站LCOE将低于多晶电站LCOE；在价差为0.3元时，功率差超过15W的情况下，单晶电站可取得LCOE优势。
3、第三，对不同价格差与单晶多发电比例下，单晶电站与多晶电站LCOE差进行敏感性分析。
假设单晶组件与多晶组件功率差为15W。经过测算，在相同W数单晶比多晶多发电4%时，
即使价差为0.6元/W，单晶电站同样具备LCOE优势；如果价差为0.4元/W，单晶电站在相同W数单晶多发电2%以上，即取得LCOE优势。由此可见，单晶电站多发电能力对于单晶LCOE优势具有较明显的影响。
4、最后，固定价差为0.5元/W，从不同功率差和单晶多发电比例的角度，对单晶电站与多晶电站LCOE水平进行敏感性分析。
经测算，在功率差为15W时，如果单晶多发3%的电，将取得LCOE优势；当功率差为3 0W时，即使单晶电站不存在多发电现象，其同样具有LCOE优势；当单晶多发电5%时，即使功率差为5W，单晶同样具备LCOE优势。
5、综合以上分析，在当前单晶组件与多晶组件常见的15W功率差、0.5元/W价格差的水平下，相同W数单晶的多发电能力对于单晶电站取得LCOE成本优势尤其重要的影响。其次，单晶转换率提高带来的功率差扩大同样具有一定影响。
6、不管是实验室数据，还是实际电站的运营数据（中电投电站和青岛隆盛示范电站），均印证单晶产品发电量多于多晶，且多发电比例在5%左右，在这一背景下，单晶的LCOE
优势将得到良好的体现。因此，我们认为，伴随光伏电站投资者对于电站LCOE成本的重
视逐步超过对于初始投资成本的重视，尤其是投资相对较小、又自发自用的分布式电站投资者，单晶电站将更具发展前景与空间，我们也更看好单晶未来的发展趋势，继续强烈推荐隆基股份。
(四)单晶发电量对比实证
直拉单晶硅的制备-掺杂讲课讲稿
直拉单晶硅的制备-掺 杂
直拉单晶硅的制备 硅、锗等单晶制备，就是要实现由多晶到单晶的转变，即原子由液相的随机排列直接转变为有序阵列；由不对称结构转变为对称结构。但这种转变不是整体效应，而是通过固液界面的移动而逐渐完成的。为实现上述转化过程，多晶硅就要经过由固态到熔融态，然后又由熔融态硅到固态晶体硅的转变。这就是从熔体硅中生长单晶硅所遵循的途径。从熔体中生长硅单晶的方法，目前应用最广泛的主要有两种：有坩埚直拉法和无坩埚悬浮区熔法。在讨论这两种制备方法之前，还应讨论在制备单晶过程中必不可少的一些准备工序。包括掺杂剂的选择、坩埚的选择、籽晶的制备等，分别介绍如下： 一、掺杂 在制备硅、锗单晶时，通常要加入一定数量杂质元素（即掺杂）。加入的杂质元素决定了被掺杂半导体的导电类型、电阻率、少子寿命等电学性能。掺杂元素的选择必须以掺杂过程方便为准，又能获得良好的电学性能和良好晶体完整性为前提。 1掺杂元素的选择 （1）根据导电类型和电阻率的要求选择掺杂元素制备N型硅、锗单晶，必须选择Ⅴ族元素（如P、As、Sb、Bi）；制备P型硅、锗单晶必须选择Ⅲ族元素（如B、Al、Ga、In、Ti）。杂质元素在硅、锗晶体中含量的多少决定了硅、锗单晶的电阻率。电阻率不仅与杂质浓度有关，而且与载流子的迁移率有关。当杂质浓度较大时，杂质对载流子的散射作用，可使载流子的迁移率大大降低，从而影响材料的导电能力。考虑到以上因素，从理论上计算了电阻率与杂质浓度的关系曲线，如图9-5所示。 在生产工艺上按电阻率的高低分档。掺杂有三档：轻掺杂（适用于大功率整流级单晶）、中掺杂（适用于晶体管级单晶）、重掺杂（适用于外延衬底级单晶）。
单晶结构解析步骤
shelxtl open new name xp fmol kill $q proj select the good direction exit telp 0 -30 plotfile enter file name draw file name select file(ps file) black and white cell fmol kill $q matr 1=a 2=b 3=c pbox 5 15 pack select (space=keep, enter=del) fmol telp cell enter file name draw file name select file type(a=psfile) black and white(enter) plane xp read file name fmol mpln atom1 atom 2..... enter angle xp read file name fmol
mpla n(atom number) atom1 atom 2..... mpla n(atom number) atom1 atom 2..... mpla n(atom number) atom1 atom 2..... enter fmol kill link matr pbox pack undo c**? C**? telp cell xl 计算方法 在ins中任何地方插入 mpla 虚拟平面的原子个数（例如六个原子只有四个可能共平面，即输入4），后面连续输入可能共平面的4个原子，后面在输入其他两个平面外的原子。 例如c1 c2 c3 c4 c5 n1中，c1 c2 c4 c5 共平面 mpla 4 c1 c2 c4 c5 c3 n1 txt 运行xcif 选择t 两次回车 输入文件名.txt 选择def 回车直到选择q 理论加氢 在ins中输入 HFIX 要加氢的原子 保存ins 运行XL 打开RES 拷贝相应的数据到ins中即可。 CHEMICAL DRAW 选中画笔 点出两个点 按ESC 点选择键 选中画笔 鼠标移动至出现小手
学士前沿技术讲座报告
学士前沿技术讲座报告 为期八周的学术前沿技术讲座以参观实验室的形式落下了帷幕，在这八周里张树生、张卫红、朱继宏、汪文虎、卜昆、任军学、李原、张定华、何卫平、史耀耀、莫容、杜随更、陈泽忠、张开富十四个教授们分别为我们介绍了各自擅长领域的前沿知识和动态，让我们将视野延伸到了国际前沿，不仅使我们了解了一些从未想到见到的事物，也提高了我们对飞行器制造专业的兴趣，对我今后的学习和工作都会有很大帮助，同时也为大四选择研究生的研究方向提供了一定的选择基础，让我们获益匪浅。 第一次由张树生教授为我们带来名为“面向设计制造重用的三维模型检索技术”的学术前沿技术讲座。张树生教授通过如何实现快速产品设计与制造，且不需要从头设计，能够达到快速，低成本，优质，最大限度的利用现有的数字化设计制造成果的优点的背景入手提出了他为我们带来的主题“基于三维模型的复杂产品设计制造，数字化、可视化、虚拟化”。近年来由于信息检索技术发展，实现三维模型基于内容的检索已经成为可能。现有的技术能够做到以码代形，但是效果不够直观、比较粗放。面向设计制造重用的三维模型检索技术能够实现多粒度产品特征模型检索且具有创新的信息发展手段、面向全生命周期、实现快速设计制造的意义而得到广泛的使用。在未来这种方法有望使检索方法实现从几何检索到几何语义检索、零件级到装配体、单点重用到全生命周期、重用发现到重用实现的转变和提高大数据检索效率等方面。 第二次由张卫红教授为我们带来名为“工程仿真与宇航计算机”的学术前沿技术讲座。“工程仿真与宇航计算机”技术旨在解决结构轻量化、高性能设计、制造共性基础问题。应用与航空航天复杂结构系统优化设计和快速成型、先进多功能轻质材料与结构的多尺度建模与结构的优化设计、航空宇航薄壁件精密切削工艺精密仿真与优化等方面。实现了工程实践与理论知识相结合，体现了从工程实践问题产生理论认知的需要，理论认知又指导工程实践的进步和推动其发展变化。 第三次由朱继宏教授为我们带来名为“复杂结构创新构型设计”的学术前沿技术讲座。这种设计方法被应用于解决传统设计模型尺寸与形状优化理论在结构轻量化设计、提高性能方面已趋于极限的问题，挑战深度挖掘结构承载能力这一工程上的重大问题。这种方法采用拓扑设计，在给定设计载荷与材料用量下，设计最优结构。通过此次讲座，我了解了什么是拓扑迭代设计：拓扑迭代设计就是在抑制灰度上，出现棋盘格现象及材料不连续分布时，采用模糊数学方法近似代替的方法。 第四次由汪文虎教授为我们带来名为“航空发动机涡轮叶片精铸一体化设计”的学术前沿技术讲座。这种设计方法的出现是由于材料、制造业滞后，动力严重不足和新一代军机高速高度高敏捷性大载重量；民机要求安全载重速度高度经济性；需要高性能动力源泉和存在制约发动机研制与装备的瓶颈（合格率低、生产周期长、信息孤岛）的背景下产生的。航空发动机涡轮叶片精铸一体化设计通过提高推重比、提高燃烧时温度、保证叶片的高温强度、热疲劳性能、热腐蚀性能来解决以上的问题。其中，涡轮叶片是核心。这种方法采用空心精密铸造技术，解决了传统铸造技术的表面粗糙，留有加工余量、破坏表面致密层，精密铸造精度高，净近成形的缺点。为提高叶片进口温度，在结构设计上，采用发散
单晶结构解析常见问题问答
1.为什么要提高空间群的对称性？ 有时候在对称性较高的空间群内不容易解得初结构，在这种情况下可以降低对称性来解，但是解完以后还要把空间群转换回去。 1．1 先安装Platon 从其主页上下载https://www.sodocs.net/doc/273325835.html,/~louis/software/platon/ https://www.sodocs.net/doc/273325835.html,/~louis/software/platon/pwt_setup.zip https://www.sodocs.net/doc/273325835.html,/~louis/software/platon/platon.zip Download the PLA TON for Windows Taskbar 和Download the PLA TON executable. 然后解压安装，首先安装pwt，安装时需设定系统环境变量，安装后再将platon解压后复制到pwt的安装目录内即可。 1.2 运行pwt.exe 点击File－－Select Data File，选择要升高对称性的结构文件*.res或者*.ins。 再点击Publish－addsym 系统显示检查画面，如提示有更高对称性的空间群，则原先空间群有误，需要进行转化。 再点击Publish－addsym shelx，可以生成一个新的同名*.res文件，此res文件会将原先的res文件覆盖，在此文件的基础上继续精修即可。 应该没有任何问题，已经试过很多次了！ 最好用xp打开此res文件，然后再file一次，再作经修 2. 在xp中, 用mpln定义平面,仔细看那个方程(大家用xp操作时不要太快,因为那个方程第一个出来,一块就找不到了),方程的等号右边有一个常数,你算第一个平面时将它记下,不过最好将望着的方程记下,然后再算第二个平面,又有一个方程,记下常数项,然后二者一减就是二者的距离,不过平面越是完全平行这个值越接近他俩的真实距离,平行与否可以看大家都能看到的那个夹角,另外也可以看刚才的方程的系数,系数相同或者成线形比例,就平行. 3．我的CIF文件里的对称代码2_556 1_545 请问这些对称代码是如何算出来的？？ 在考虑对称单元的时候，在ShelxTl里面考虑x，y，z均为9个单胞的范围，并且把N_555规定为最初的单胞，即此单胞内的原子坐标均小于1，如果一个对称单元出现的下（x＋1，y，z）的那个那个单胞内，则相应的堆成码就变成了N_655，其他的如此类推，比如在（x－2，y＋1，z＋2）的单胞内，对称码就为N_367，总之都是以N_555为最中心做相应的加减，这应该比较好理解。在那么大的范围内，我们希望长出来的对称单元应该都可以长出来了。我们常见的对称码都在N_555附近，很少有大于N_777的和小于N_333的。 下面再来说前面的N_555中的“N”的含义，它表示对称操作（symmetry operators）的类型，它可以在XP界面下由SYMM命令得到，第几个对称操作，N就相应是几了。N在不同空间群内代表的对称操作是不一样的。 欢迎大家继续讨论。
GJB质量经济性分析报告
质量经济性分析报告 一、基本情况 根据GB/T19001-2008《质量管理体系要求》和G JB9001B-2009《质量管理体系要求》质量管理体系过程“5.6.2.2 财务部门负责提供质量经济性分析报告。”和“8.4.2 d)财务部门负责质量成本统计和质量经济性数据分析（按作业指导书《质量经济性统计和分析实施细则》）”的要求，财务部编制的质量经济性分析报告作为管理评审输入之一。为此，财务部采用了“质量成本法”，根据从质管部、经营部、生产部、经核室、工艺室等部门传递过来的质量、工艺工时、材料消耗等数据，结合本部门形成的生产经营财务数据，按照预防成本、鉴定成本及内、外部故障损失等四个方面进行了质量成本的统计分析，同时结合生产经营财务数据分析了质量成本的变动状况，对质量管理体系的财务支出有效性进行了评价，并针对一些问题提出了相应的改进方向，以便综合实施质量改进，不断提高我公司质量管理体系的有效性和经济性。 为了真实地反映公司质量管理体系的财务状况，财务部根据本公司有关职能部门提供的有关质量成本数据，从财务会计账簿中收集了有关财务信息，按照质量成本核算办法，进行了统计、核算、分析、汇总、报告，并从财务角度识别质量管理体系上的薄弱环节及其无效的管理活动活动，从提出完善质量体系的方向，提高质量管理体系的经济性。 二、综合分析 现将2011.7～2012.6期间的质量经济性分析结果汇报如下：
（一）质量成本构成关系分析 2011年7月至2012年6月质量总成本约为165.13万元(详见下表)。 质量成本构成关系如下图所示。其中比例最高的是鉴定成本，为70.64%；最低的是外部损失成本，为0.31%。 各项质量成本的组成如下：
单晶结构解析XP作图
单晶结构解析XP作图： 1、画结构图 打开Shelxtl软件→导入res文件→打开XP程序→输入fmol→kill $q→kill $h→envi （中心对称原子）→回车后寻找不同于1555对称操作的代码如2555→sgen 2555→proj(查看结构)→利用操作按钮转动结构找出最佳摆放位置(高度不能大于宽度)→labl 2 500(2 500是默认的大小) →telp 0 -30 0.05 0(后面四个数据分别确定结构的模型和一些参数) →回车回车直到出现Plotfile：(在这里输入名字，这里画结构图，可以统一命名为jiegou) 后回车将会出现命名所有原子的图（根据鼠标位置提醒依次在原子周围左键点击）→draw jiegou→回车后会出现SLPT device[L]:（输入a或者h）再回车输入jiegou，然后回车直到光标不闪位置→出现了xp《图标说明结构图已经画好→quit 注：红色字体为结构需要对称操作才能显示一个完整的分子结构所进行的操作。 图片操作解析 在这里找到res 文件的位置
2导入res 文件后，打开XP 操作系统输入fmol 后回车 3输入kill $h $q 4 proj 后出现下图所示
5 按步骤画图 命名所有原子
二、作堆积图 Fmol→matr 1(代表a方向堆积) →pbox 15 15→pack 然后点 击按钮sgen/fmol保存（倒数第二个）→proj cell→telp cell →命名duiji 后出现一个命名原子的图框，标出O a b c→draw duiji→a或h→duiji→→quit 1、 当出现这个时表 明图已经画好
单晶结构解析加氢,绘图问题解答
1.通常，H原子的处理方法作者要给出 (1)一般通过理论加H，其温度因子为固定值，可通过INS等文件查看 (2) 水分子上H原子可通过Fourier syntheses得到 (3)检查理论加上的H原子是否正确，主要看H原子的方向。若不正确则删去再通过Fourier syntheses 合成得到 (4) 检查H原子的键长、键角、温度因子等参数是否正常。通过检查分子间或分子内的H键是否合理 最易看出H键的合理性 (5) 技巧：有时通过Fourier syntheses得到的H原子是正确的，可一计算其温度因子等参就变得不正常， 则可以固定其参数后再精修（如在INS中的该H原子前用afix 1,其后加afix 0） （6）各位来说说方法与心得？ 2.胡老师，下面的问题怎么解决啊？谢谢您。 220_ALERT_2_B Large Non-Solvent C Ueq(max)/Ueq(min) ... 3.70 Ratio 222_ALERT_3_B Large Non-Solvent H Ueq(max)/Ueq(min) ... 4.97 Ratio 342_ALERT_3_B Low Bond Precision on C-C bonds (x 1000) Ang (49) B 级提示当然得重视了。建议你先把H撤消，精修到C的热椭球不太变形和键长趋正常。如做不到就要看空间群？衍射点变量比太小？以至追查到原始数据的录取参数和处理等。这些粗略意见仅供参考，如何？ 3.在XP中画图时，只有一部分，想长出另外的对称部分。我是envi完了，然后sgen长出 来的，可是和symm显示的对称信息不一样。比如：我根据envi的结果用sgen O1 4555得到的是O1A而不是O1D，这跟文献中标注的不一样啊，怎么统一呢？很困扰，忘达人指教。 xp里是按顺序编号的，第一个sgen出的的统一为A,依次标号。你如果想一开始就统一D的话，重新name一下 4.高氯酸根怎么精修呀？我用的SHETXL6.1版的，最好告诉我怎么用其中的XSHELL来做，我觉得他 好用！ Method 1 DFIX Dfix 1.42 0.02 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4 Dfix 1.42 0.02 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3O2 O4O3 O4 Method 2 SADI Sadi 0.01 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4 Sadi 0.01 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3 O2 O4 O3 O4 5. 晶体的无序是怎么造成的呀，是晶体培养的问题吗？ 如果无序太多，在解单晶的时候怎么办？我指的是很多的点，没有结构，他们的峰值都大于了0.5 大于0.5没什么的，解完后都在1以下就可以了。特殊的比较大的在重原子附近也没有关系5.比较确切的定义是单胞中你测定的或你设想的“化学式”的数目。 在分子晶体中，Z是分子数，在其它各类晶体中则为化学式个数。 例如有机物一般是分子数目，离子晶体像NaCL只好说化学式为4。 晶体结构常有无序和缺位等，但给出非化学计量式后Z都是确定的。 Z 的数字决定于你的化学式。三斜晶系的P-1空间群的Z多为2。由于双聚等原因如将双聚体写成你的化学式，那么Z就变为1了。但是就拿这个三斜晶系来说，出现Z为4或6的情况也是可能的。 这时分子形成双聚或者三聚，而你指定的分子式只是个单体罢了。测定结构初期得到单胞以后，往往希望知道单胞中有几个"分子",如你知道了或提出了化学式，从我们介绍的范氏半径或原字体积即可毛
GJB高质量经济性分析报告报告材料
实用文档 质量经济性分析报告 一、基本情况 根据GB/T19001-2008《质量管理体系要求》和GJB9001B-2009《质量管理体系要求》质量管理体系过程“5.6.2.2 财务部门负责提供质量经济性分析报告。”和“8.4.2 d)财务部门负责质量成本统计和质量经济性数据分析（按作业指导书《质量经济性统计和分析实施细则》）”的要求，财务部编制的质量经济性分析报告作为管理评审输入之一。为此，财务部采用了“质量成本法”，根据从质管部、经营部、生产部、经核室、工艺室等部门传递过来的质量、工艺工时、材料消耗等数据，结合本部门形成的生产经营财务数据，按照预防成本、鉴定成本及内、外部故障损失等四个方面进行了质量成本的统计分析，同时结合生产经营财务数据分析了质量成本的变动状况，对质量管理体系的财务支出有效性进行了评价，并针对一些问题提出了相应的改进方向，以便综合实施质量改进，不断提高我公司质量管理体系的有效性和经济性。 为了真实地反映公司质量管理体系的财务状况，财务部根据本公司有关职能部门提供的有关质量成本数据，从财务会计账簿中收集了有关财务信息，按照质量成本核算办法，进行了统计、核算、分析、汇总、报告，并从财务角度识别质量管理体系上的薄弱环节及其无效的管理活动活动，从提出完善质量体系的方向，提高质量管理体系的经济性。 二、综合分析 现将2011.7～2012.6期间的质量经济性分析结果汇报如下：
（一）质量成本构成关系分析 2011年7月至2012年6月质量总成本约为165.13万元(详见下表)。 质量成本构成关系如下图所示。其中比例最高的是鉴定成本，为70.64%；最低的是外部损失成本，为0.31%。 各项质量成本的组成如下：
几种常见晶体结构分析.
几种常见晶体结构分析 河北省宣化县第一中学 栾春武 邮编 075131 栾春武：中学高级教师，张家口市中级职称评委会委员。河北省化学学会会员。市骨干教师、市优秀班主任、模范教师、优秀共产党员、劳动模范、县十佳班主任。 联系电话：：： 一、氯化钠、氯化铯晶体——离子晶体 由于离子键无饱和性与方向性，所以离子晶体中无单个分子存在。阴阳离子在晶体中按一定的规则排列，使整个晶体不显电性且能量最低。离子的配位数分析如下： 离子数目的计算：在每一个结构单元（晶胞） 中，处于不同位置的微粒在该单元中所占的份额也有 所不同，一般的规律是：顶点上的微粒属于该单元中 所占的份额为18 ，棱上的微粒属于该单元中所占的份额为14，面上的微粒属于该单元中所占的份额为12 ，中心位置上（嚷里边）的微粒才完全属于该单元，即所占的份额为1。 1.氯化钠晶体中每个Na +周围有6个C l －，每个Cl －周围有6个Na +，与一个Na +距离最近且相等的 Cl －围成的空间构型为正八面体。每个N a +周围与其最近且距离相等的Na + 有12个。见图1。 晶胞中平均Cl －个数：8×18 + 6×12 ＝ 4；晶胞中平均Na +个数：1 + 12×14 ＝ 4 因此NaCl 的一个晶胞中含有4个NaCl （4个Na +和4个Cl －）。 2.氯化铯晶体中每个Cs +周围有8个Cl －，每个Cl －周围有8个Cs +，与 一个Cs +距离最近且相等的Cs +有6个。晶胞中平均Cs +个数：1；晶胞中平 均Cl －个数：8×18 ＝ 1。 因此CsCl 的一个晶胞中含有1个CsCl （1个Cs +和1个Cl －）。 二、金刚石、二氧化硅——原子晶体 1.金刚石是一种正四面体的空间网状结构。每个C 原子以共价键与4 个C 原子紧邻，因而整个晶体中无单个分子存在。由共价键构成的最小 环结构中有6个碳原子，不在同一个平面上，每个C 原子被12个六元环 共用，每C —C 键共6个环，因此六元环中的平均C 原子数为6× 112 ＝ 12 ，平均C —C 键数为6×16 ＝ 1。 C 原子数: C —C 键键数 ＝ 1:2； C 原子数: 六元环数 ＝ 1:2。 2.二氧化硅晶体结构与金刚石相似，C 被Si 代替，C 与C 之间插氧，即为SiO 2晶体，则SiO 2晶体中最小环为12环（6个Si ，6个O ）， 最小环的平均Si 原子个数：6×112 ＝ 12；平均O 原子个数：6×16 ＝ 1。 即Si : O ＝ 1 : 2，用SiO 2表示。 在SiO 2晶体中每个Si 原子周围有4个氧原子，同时每个氧原子结合2个硅原子。一个Si 原子可形 图 1 图 2 NaCl 晶体 图3 CsCl 晶体 图4 金刚石晶体
质量经济性分析
4 质量经济性分析 质量问题实际上是一个经济问题，质量经济性是以货币形式反映的质量水平，它是一个市场经济下的质量概念，属质量经营的范畴。质量经济性分析和管理，是一个组织质量经营追求成功的重要环节，也是衡量一个组织质量管理有效性的重要标志。理解了质量对组织经营业绩的影响，掌握并成功实施和应用质量经济性思想和原理，可以提高组织满足要求的能力，促进组织的持续改进。 质量经济性及相关概念 一、质量经济性的含义 质量经济性是人们获得质量所耗费资源的价值量的度量，在质量相同的情况下，耗费资源价值量小的，其经济性就好，反之就差。 质量经济性的概念可以分为两种：狭义的质量经济性和广义的质量经济性，前者是指质量在形成过程中所耗费的资源的价值量，主要是产品的设计成本和制造成本及应该分摊的期间费用；后者是指用户获得质量所耗费的全部费用，包括质量在形成过程中资源耗费的价值量和在使用过程中耗费的价值量。这样，我们可以用单位产品成本和分摊的期间费用之和，来反映组织某种产品的狭义的质量经济性，而用价值工程中的（单位产品）寿命周期成本，来反映广义的质量经济性。 质量对组织和顾客都有经济性问题。生产、销售或购买质量低劣的产品和服务，给组织和顾客都将带来损失，造成顾客抱怨，责任风险，以及人力和财力的浪费。因此，组织提高质量经济性包括两个途径：一是增强顾客满意，二是降低经营所需资源的成本。 质量经济性如从利益和成本两个方面考虑，则：在利益方面，对顾客而言，必须考虑减少费用、改进适用性、提高满意度和忠诚度；对组织而言，必须考虑安全性、购置费、运行费、保养费、等待损失和修理费以及可能的处置费用；在成本方面，对顾客而言，必须考虑安全性、购置费、运行费、保养费、停机损失和修理费以及可能的处置费用；对组织而言，必须考虑由识别顾客需要和设计中的缺陷，包括不满意的产品返工、返修、更换、重新加工、生产损失、担保和现场修理等发生的费用，以及承担产品责任和索赔风险等。这些都是围绕质量经济性的有关问题。 质量经济性管理的核心是综合考虑顾客满意和组织的过程成本、综合考虑顾客和组织的利益，从中寻找最佳结合点。
质量经济性分析
质量经济性分析综述 范艳清 鲍永忠 周传珍 李跃生 一、质量经济性发展 早在1951年，美国质量管理专家朱兰博士在其著作《质量控制手册》中提出了质量经济性的概念，将发生在不良品上的质量成本比喻为“矿中黄金”，明显的废品比喻为“水面冰山”。六十年代，费根堡姆在通用电气实施质量成本管理，并在其著作《全面质量管理》中，提到质量成本是质量体系的经济基础，提出了人们熟知的质量成本分类方法，并将质量成本的范围扩大到整个产品的寿命周期。 1961年美国质协成立了质量成本委员会。从六十年代到八十年代，该委员会相继出版了关于质量经济性的书籍、论文集以及相应的管理指南。近年来，美国质量管理协会将质量经济研究列为其会议的主要议题。这些工作极大地促进了质量经济的研究工作。 日本翻译出版费根堡姆《全面质量管理》一书的同时，也随之引入了质量经济性相关概念，进而开展了一系列研究工作。质量管理专家田口玄一创立了“田口方法”，使产品设计过程的质量管理和工序质量控制比较直接地与经济效益相联系。 苏联从二十世纪60年代以来，十分重视从经济的角度研究产品质量问题，先后出版了不少专著、论文和论文集，从产品的经济范畴论述了质量等理论问题，对于系统研究产品质量经济、经济效益的内在联系，具有一定的推动作用和启发意义。 近年来，国外又有不少学者对质量经济性进行了深入的研究，提出了一系列理论，如隐性成本说、ABC成本法、基于最大利润的优化质量成本、价格——质量关系等理论。 二、 国外质量经济性分析应用情况 1963年12月，美国国防部发布了MIL-Q-9858A《质量大纲要求》军用标准，将“质量成本”作为对许多政府承包商和分包商的一个要求。这个文件有助于对
单晶结构解析技巧
单晶结构解析技巧 1. 通常，H原子的处理方法作者要给出: (1)一般通过理论加H，其温度因子为固定值，可通过INS等文件查看 (2) 水分子上H原子可通过Fourier syntheses得到 (3)检查理论加上的H原子是否正确，主要看H原子的方向。若不正确则删去再通过Fourier syntheses合成得到 (4) 检查H原子的键长、键角、温度因子等参数是否正常。通过检查分子间或分子内的H键是否合理最易看出H键 的合理性 (5) 技巧：有时通过Fourier syntheses得到的H原子是正确的，可一计算其温度因子等参就变得不正常，则可以固定 其参数后再精修（如在INS中的该H原子前用afix 1,其后加afix 0） (6) 各位来说说方法与心得？ 2. 胡老师，下面的问题怎么解决啊？谢谢您。 220_ALERT_2_B Large Non-Solvent C Ueq(max)/Ueq(min) ... 3.70 Ratio 222_ALERT_3_B Large Non-Solvent H Ueq(max)/Ueq(min) ... 4.97 Ratio 342_ALERT_3_B Low Bond Precision on C-C bonds (x 1000) Ang (49) B 级提示当然得重视了。建议你先把H撤消，精修到C的热椭球不太变形和键长趋正常。 如做不到就要看空间群？衍射点变量比太小？以至追查到原始数据的录取参数和处理等。 这些粗略意见仅供参考，如何？ 3. 在XP中画图时，只有一部分，想长出另外的对称部分。我是envi完了，然后sgen长出来的，可是和symm显示的对称信息不一样。比如：我根据envi的结果用sgen O1 4555得到的是O1A而不是O1D，这跟文献中标注的不一样啊，怎么统一呢？很困扰，忘达人指教。 xp里是按顺序编号的，第一个sgen出的的统一为A,依次标号。你如果想一开始就统一D的话，重新name一下 4. 高氯酸根怎么精修呀？我用的SHETXL6.1版的，最好告诉我怎么用其中的XSHELL来做，我觉得他好用！Method 1DFIX Dfix 1.42 0.02 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4 Dfix 1.42 0.02 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3O2 O4O3 O4 Method 2SADI Sadi 0.01 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4 Sadi 0.01 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3 O2 O4 O3 O4 5. 晶体的无序是怎么造成的呀，是晶体培养的问题吗？ 如果无序太多，在解单晶的时候怎么办？我指的是很多的点，没有结构，他们的峰值都大于了0.5 大于0.5没什么的，解完后都在1以下就可以了。特殊的比较大的在重原子附近也没有关系 5. 比较确切的定义是单胞中你测定的或你设想的“化学式”的数目。 在分子晶体中，Z 是分子数，在其它各类晶体中则为化学式个数。 例如有机物一般是分子数目，离子晶体像NaCL只好说化学式为4。
GJB质量经济性分析分析报告
GJB质量经济性分析报告
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质量经济性分析报告 一、基本情况 根据GB/T19001-2008《质量管理体系要求》和G JB9001B-2009《质量管理体系要求》质量管理体系过程“5.6.2.2 财务部门负责提供质量经济性分析报告。”和“8.4.2 d)财务部门负责质量成本统计和质量经济性数据分析（按作业指导书《质量经济性统计和分析实施细则》）”的要求，财务部编制的质量经济性分析报告作为管理评审输入之一。为此，财务部采用了“质量成本法”，根据从质管部、经营部、生产部、经核室、工艺室等部门传递过来的质量、工艺工时、材料消耗等数据，结合本部门形成的生产经营财务数据，按照预防成本、鉴定成本及内、外部故障损失等四个方面进行了质量成本的统计分析，同时结合生产经营财务数据分析了质量成本的变动状况，对质量管理体系的财务支出有效性进行了评价，并针对一些问题提出了相应的改进方向，以便综合实施质量改进，不断提高我公司质量管理体系的有效性和经济性。 为了真实地反映公司质量管理体系的财务状况，财务部根据本公 司有关职能部门提供的有关质量成本数据，从财务会计账簿中收集了 有关财务信息，按照质量成本核算办法，进行了统计、核算、分析、汇总、报告，并从财务角度识别质量管理体系上的薄弱环节及其无效 的管理活动活动，从提出完善质量体系的方向，提高质量管理体系的 经济性。 二、综合分析
现将2011.7～2012.6期间的质量经济性分析结果汇报如下：（一）质量成本构成关系分析 2011年7月至2012年6月质量总成本约为165.13万元(详见下表)。 2011年7月至2012年6月质量总成本汇总表 质量成本项目2011年3季度2011年4季度2012年1季度2012年2季度 合计 （元） 占比 （%）实际发生费用 （元） 实际发生费用 （元） 实际发生费用 （元） 实际发生费用 （元） 预防成本142,550.00 104,020.00 74,288.24 24,744.81 345,603.05 20.93 % 内部损失成本13,917.94 6,388.05 41,552.62 72,146.41 134,005.02 8.11% 外部损失成本5,200.00 0.00 0.00 0.00 5,200.00 0.31% 鉴定成本503,229.06 296,764.06 190,142.16 176,404.39 1,166,539. 67 70.64 % 质量成本合计664,897.00 407,172.11 305,983.02 273,295.61 1,651,347. 74 100.0 0% 产值18,419,300.00 8,681,600.00 20,002,000.00 22,713,000.00 69,815,900 .00 NA 百元产值质量 成本 3.61 4.69 1.53 1.20 2.37 NA 质量成本构成关系如下图所示。其中比例最高的是鉴定成本，为70.64%；最低的是外部损失成本，为0.31%。
专业前沿专题讲座课报告
专业前沿专题讲座课报告 姓名：陈相任 院系：航天学院21系 学号：1152120128 班号：1521201 主讲老师：胡永才 一、课堂知识小结及感悟 通过在夏季学期为期两周的专业前沿专题讲座课的学习，在老师的仔细讲解下，加上自己课后查阅资料加深课堂知识的理解，我收获许多全新的理论知识，接触了更多的与微电子领域相关的前沿方面的信息和理论，深感获益匪浅。孔子曰：“学而不思则罔，思而不学则殆”。为了更好地吃透讲座课里老师所讲到的知识
点，我觉得应该做一个自我总结，将所理解的知识整理一个框架，形成一个体系。老师在两周的时间内大致讲了以下内容：为什么模拟信号处理很重要、模拟设计方面的一些挑战瓶颈、模拟信号和数字信号处理方面的进步以及二者的重要区别、双极型晶体管和互补金属氧化物半导体管的特点和区别、模拟设计方面的问题和解决方案、器件的稳定性、优化性以及折衷性方面的讨论、CMOS电路中的折衷思想、IC设计方面的技术演变、主要的设计标准以及模拟电路设计方面的挑战、模拟电路的非线性、亚米级CMOS晶体管的性能演变、CMOS管的内部结构原理、COMOS管工艺、集成电阻、阻抗匹配问题、将MOS管作为阻抗、电阻方面的总结、集成电容、MOS管电容、集成电感、螺旋电感、电感模型、设计指导、MOS晶体管的模型以及其输入特性和转移特性曲线、大信号模型、关于电流Id的讨论、小信号模型、跨导和输出阻抗的讨论、MOS工艺管的品质因数、模拟设计时晶体管的尺寸测定、晶体管里的参数参考、晶体管中的各种噪声类型、输入噪声等效、偏压电路和镜像电流、CS、CG、CD电路模型及区别、级联运算放大器结构、集成运放中的概念、反馈网络、理想集成运放的设置、电压运算放大器以及实际的电压运放模型、电子噪音及典型例子、电阻的热噪声、电阻噪声模型、噪声带宽、共源放大器的仿真、关于运放的两个阶段的设计等。 可以看出虽然只有为期两周8个课时的上课时间，但我们学到的知识是丰富的，老师所讲的内容知识点也比较前沿，但它与我们未来的集成电路设计息息相关，是我们微电子专业的学生必须了解和掌握的专业知识。所以我们应该不惧困难，克服学习上的任何障碍，上课老师所讲的知识有不懂的地方要及时与老师交流或者自己查阅资料将问题进行解决，扫清自己的盲点，培养自我的学习能力和学习习惯，这样才能将知识吃透，才能举一反三，灵活运用知识，才能在将来的微电子领域上有所建树，有所成就。 老师讲课的方式是循循善诱的，由于我们刚上完大二只学了半导体物理、信号与系统、模拟电子技术基础的课程，在数字电子技术、微电子工艺以及集成电路设计方面的知道的很少，而老师上课所讲的内容与我们所学的知识衔接的不是很理想，知识点都比较前沿，所以同学们在学习上遇到了许多困难。但是凭借着同学们对知识的渴望以及浓厚兴趣，发扬哈工大规格严格，功夫到家的校训精神，以及在老师的循循善诱的耐心指导下，终归还是有所收获的。老师所讲的知识理论与课本上的不同，他讲的知识更偏向实际工程的应用还及得第一堂课老师所提的问题是，为什么集成电路设计及制造需要且必须使用CMOS管而不能用其他类型的晶体管呢，同学们想到的答案有成本低，可集成度高，效率高，但这都不是最主要的，最主要的应该是CMOS管的功耗极低，甚至趋于零。那为什么CMOS 管的晶体管功耗能达到很低呢，关键在于CMOS晶体的内部结构，于是老师就接着跟我们讲了晶体管的各种结构及工作原理。在胡老师将提的问题与课堂知识结合起来，引导同学们多思考，激发同学们的求知欲，在这样循循善诱的讲课方式下，我的确收获了很多以前不知道的知识，而且这些知识对以后的学习起着引导作用，甚至对以后的工作都很有帮助。例如关于模拟信号的处理系统，以及微处理器的沟道工艺、关于噪声方面的处理，关于运算放大器的集成电路设计等等。总之，通过该讲座课的学习我更加深刻地认识和学习到了关于微电子集成电路设计方面的研究理论，虽然我现在所了解的知识也只是冰山一角，但相信通过以后的深入学习，终究会在微电子领域方面有所发展和成就。 二、讲座的心得与体会
质量经济性分析报告
编号： 密级： XXX 质量经济性分析报告 （共X页） 编制/日期： 审核/日期： 会签/日期： 批准/日期： XXX有限公司 XXXX年X月
目录 1. 概述 (1) 2. 研制成本 (1) 2.1. 成本的计算依据和方法 (1) 2.2. 成本组成及费用 (1) 2.3. 直接成本分析 (1) 2.4. 研发费用分析 (2) 2.5. 管理费用分析 (2) 2.6. 财务费用分析 (2) 3. 生产成本估算 (2) 3.1. 制造成本 (3) 3.2. 管理费用 (3) 3.3. 质量费用 (3) 3.4. 研制成本摊销 (3) 4. 经营费用 (3) 4.1. 市场费用 (3) 4.2. 应缴税金 (3) 5. 寿命周期费用 (3) 6. 评价意见 (4) 7. 存在的问题及改进建议 (4)
XXX质量经济性分析报告 具体编制参见《质量经济性分析报告编写说明》。 1概述 XXX项目自XXX年开始项目前期准备，市场部组织进行需求分析、编制项目方案并论证其可行性，XXX年该项目正式进入实施阶段。公司专门成立了由设计人员和生产工艺人员组成的项目组进行原理样机的设计开发、制作和试验，XXX年上半年完成原理样品XXX片。之后进行了小批量工程样机试制XXX片，至XXX年底全部共投入XXX片。 产品价值量指产品形成过程中所耗费的资源的价值量，主要包括研制设计成本、生产制造成本、应该分摊的管理费用、财务费用、经营费用以及在寿命周期过程中耗费的价值量。由于军品型号项目的特殊性，公司以优先保障其各项资源配置为原则，优先安排人力物力财力。针对此项目，我们对发生的各项费用支出进行了汇总，并对今后在使用中预计发生的费用进行了预估。具体如下： 2研制成本 2.1.成本的计算依据和方法 （1）成本计算依据： 本项目成本计算以XXX研制任务书和《企业会计准则》为依据。 （2）成本计算方法： 直接成本直接计入，间接成本分配计入，研制期间分配时间为XXX年。 2.2.成本组成及费用 经初步汇总共计人民币：XXX元（详见附表）。 2.3.直接成本分析
晶体结构解析基本步骤
晶体结构解析基本步骤 Steps to Crystallographic Solution (基于SHELXL97结构解析程序的SHELXTL软件，尚需WINGX和DIAMOND程序配合) 注意：每一个晶体数据必须在数据所在的目录(E:\STRUCT)下建立一子目录(如E:\STRUCT\AAA)，并将最初的数据备份一份于AAA目录下的子目录ORIG，形成如右图所示的树形结构。 一. 准备 1. 对IP收录的数据, 检查是否有inf、dat和f2(设为sss.f2, 并更名为sss.hkl)文件; 对CCD 收录的数据, 检查是否有同名的p4p和hkl(设为sss.hkl)文件 2. 对IP收录的数据, 用EDIT或记事本打开dat或inf文件, 并于记录本上记录下相关数据(下面所说的记录均指记录于记录本上)： ⊕从% crystal data项中，记下晶胞参数及标准偏差(cell)；晶体大小(crystal size)；颜色(crystal color)；形状(crystal habit)；测量温度(experiment temperature)； ⊕从total reflections项中，记下总点数；从R merge项中，记下Rint＝?.???? % (IP收录者常将衍射数据转化为独立衍射点后传给我们); ⊕从unique reflections项中，记下独立点数 对CCD收录的数据, 用EDIT或记事本打开P4P文件, 并于记录下相关数据： ⊕从CELL和CELLSD项中，记下晶胞参数及标准偏差; ⊕从CCOLOR项中，记下晶体颜色; 总点数；从CSIZE项中，记下晶体大小; ⊕从BRA V AIS和SYMM项中，记下BRA V AIS点阵型式和LAUE群 3. 双击桌面的SHELXTL图标(打开程序), 呈 4. 单击Project New, 先在“查找范围”选择数据所在的文件夹(如E:\STRUCT\AAA), 并选择衍射点数据文件(如sss.hkl), 最后在“project name”中给一个易于记忆和区分的任务名称(如050925-znbpy). 下次要处理同一结构时, 则只需Project Open, 在任务项中选择050925-znbpy便可 5. 单击XPREP , 屏幕将显示DOS式的选择菜单: ⊕对IP收录的数据, 输入晶胞参数后回车(下记为
晶体结构分析讲义(上)
晶体结构分析 主讲人：吴文源 2010.5
1.Shelxtl 使用流程 ※解析原始文件有hkl文件（或raw文件），包含衍射数据；p4p文件，包含晶胞参数 ※为一个晶体的数据建立project，该项目下所有文件具有相同的文件名；一旦在XPREP 中发生hkl文件的矩阵转换，则需要输出新文件名的hkl等文件，因此要建立新的project。※首先运行XPREP，寻找晶体的空间群 ※然后运行XS，根据XPREP设定的空间群，寻找结构初解 ※在Xshell中观察初解是否合理，如不合理，需重回XPREP中设定其他的空间群 2.Xshell 使用流程 ※找出重原子或者确定性大的原子 ※找出其余非氢原子 ※精修原子坐标 ※精修各项异性参数 ※找到氢原子(理论加氢或差值傅里叶图加氢) ※反复精修，直到wR2等指标收敛。最后的R1<0.06(0.08) wR2<0.16(0.18) ※通过HTAB指令寻找氢键，判定氢的位置是否合理，并且将相关氢键信息通过HTAB和EQIV指令写进ins文件中 ※将原子排序(sort) 3.cif 文件生成和检测错误流程 ※在步骤1、2完成后，在ins文件中加入以下三条命令 bond $H conf acta ※此时生成了cif和fcf文件，将cif文件拷贝到planton所在文件夹中检测错误，也可以通过如下在线检测网址：https://www.sodocs.net/doc/273325835.html,/services/cif/checkcif.html ※根据错误提示信息，修改或重新精修，将A、B类错误务必全部消灭，C类错误尽量消灭。 4.Acta E 投稿准备流程 投稿前，请务必切实做好如下工作： ※按步骤1、2、3解析晶体并生成相应cif和fcf文件。 ※准备结构式图(Chemical structural diagram)、分子椭球图(Molecular ellipsoid diagram)和晶胞堆积图(Packing diagram)，最好是pdf格式。 ※按要求撰写文章的文字部分，填写cif中相应段落，注意格式要求！ _publ_section_title 题目 _publ_section_abstract 摘要 _publ_section_related_literature 相关文献 _publ_section_comment 评论 _publ_section_exptl_prep 制备方法 _publ_section_exptl_refinement 精修说明 _publ_section_references 参考文献 _publ_section_figure_captions 插图说明 _publ_section_table_legends 表格说明 _publ_section_acknow ledgements 致谢 ※将cif中需要填写的其他部分（在cif的标准空白样本中以！标注）全部完成，并再次检查整个cif文件格式和内容。