半导体三极管知识介绍

半导体三极管知识介绍

5.1 半导体三极管英文缩写：Q/T

5.2 半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。

5.3半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有

放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可

互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。

NPN型，锗管多为PNP型。

`E() C(集电极)

B(基极)

NPN型三极管 PNP型三极管

5.4 半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管

子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外

部条件。

5.5 半导体三极管的主要参数

a; 电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，

使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就

是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。

b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。

c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。

5.6半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大

作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。

a;半导体三极管的三种基本的放大电路。

共射极放大电路共集电极放大电路

b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断，

没有交流信号通过的极，就叫此极为公共极。

注：交流信号从基极输入，集电极输出，那发射极就叫公共极。

交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。

交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。

5.7 用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表).

a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位.

b;判别半导体三极管基极：

用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。

c;.判别半导体三极管的c极和e极：

确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。

d; 判别半导体三极管的类型.

如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,如果测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管.

5.8 现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e？

a; 这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b极后，将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的），测一下hFE值，b;然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是正确的。第二种方法：对无hFE测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用这种方法：对NPN管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出，是吧？），将表置于R×1kΩ档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b 极，看表头指针应有一定的偏转，如果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差别是很明显的。由此就可判定管子的c、e极。对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰到笔尖或管脚），红表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下b极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极

管，方便实用。根据表针的偏转幅度，还可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的。c;第三种方法：先判定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于R×10kΩ档，对NPN 管，黑表笔接e极，红表笔接c极时，表针可能会有一定偏转，对PNP管，黑表笔接c极，红表笔接e极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的c、e极。不过对于高耐压的管子，这个方法就不适用了。

对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在中间（我还没见过b在中间的）。中、小功率管有的b极可能在中间。比如常用的9014三极管及其系列的其它型号三极管、2SC1815、2N5401、2N5551等三极管，其b极有的在就中间。当然它们也有c极在中间的。所以在维修更换三极管时，尤其是这些小功率三极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下.

5.9 半导体三极管的分类：a;按频率分：高频管和低频管

b;按功率分：小功率管，中功率管和的功率管

c;按机构分：PNP管和NPN管

d;按材质分：硅管和锗管

e;按功能分：开关管和放大

5.10 半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件－通过基极电流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件）

NPN型三极管共发射极的特性曲线。

BE

输入特性曲线CE

输出特性曲线

三极管各区的工作条件：

1．放大区：发射结正偏，集电结反偏：

2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏；

3．截止区：发射结反偏，集电结反偏。

5.11 半导体三极管的好坏检测

a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位

b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:

红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.

c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:

将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.

d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反.

全系列三极管应用参数代换大全

名称封装极性用途耐压电流功率频率配对管 9012 贴片PNP低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 9012 21 PNP低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A0.625W 9012 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP低噪放大50V 0.1A0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP高频放大40V 1.5A1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A1W 3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 5609 21 NPN 音频低频放大50V 0.8A 0.625W 5610 5610 21 PNP音频低频放大50V 0.8A 0.625W 5610 60MIAL1 电磁／微波炉1000V 60A 300W 9626 21 NPN 通用 MPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ A634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用50V 0.1A180MHZ

三极管参数大全

Order Code Description IEP EURO -------------------------------------------------------------------------------- 022PO2 HIGH VOLTAGE DIODE 6.59 8.37 0403-000571 ZD1S30 DIODE SAMSUNG SVB30IK 1.69 2.15 1.5KE400C BIDIR TRANSIL/400V/15000W 0.89 1.13 100V/1.3W ZENER-DIODE 100V/1.3W per 5 0.97 1.23 10V/0.4W ZENER-DIODE 10V/0.4W per 5 0.67 0.85 10V/1.3W ZENER-DIODE 10V/1.3W per 5 0.97 1.23 10VT27 FERGUSON-IC 5.95 7.55 1150040500 BR1 RECTIFIER PACE MSP990 1.88 2.39 11V/0.4W ZENER DIODE 11V/0.4W per 5 0.67 0.85 11V/1.3W ZENER DIODE 11V/1.3W per 5 0.97 1.23 1200003001 D54/300V DIODE PACE MSS1000 0.97 1.23 120V/1.3W ZENER-DIODE 120V/1.3W per 5 0.97 1.23 12V/0.4W ZENER DIODE 12V/0.4W per 5 0.67 0.85 12V/1.3W ZENER DIODE 12V/1.3W per 5 0.97 1.23 130V/1.3W ZENER DIODE 130V/1.3W per 5 0.97 1.23 13V/0.4W ZENER DIODE 13V/0.4W per 5 0.67 0.85 13V/1.3W ZENER DIODE 13V/1.3W per 5 0.97 1.23 14DN244 AMSTRAD IC 13.98 17.75 14DN329 AMSTRAD IC 14.99 19.03 14DN363 AMSTRAD IC=MN6748FVZ 11.89 15.10 14DN379 ARMSTRAD TVR3 IC4 =MN14831FVL 34.87 44.28 14DN487 IC AMSTRAD 12.54 15.92 1422112 GO TO 5V1/0.4W please ask 14V/0.4W ZENER DIODE 14V/0.4W 0.12 0.15 15/80H THYR.TRACE/900V/5.5A 5.88 7.47 15/85R THYR.RETRACE/900V/5.5A 4.84 6.15 150V/1.3W ZENER DIODE 150V/1.3W per 5 0.97 1.23 15V/0.4W ZENER DIODE 15V/0.4W per 5 0.67 0.85 15V/0.5WSMD ZENER DIODE SMD 15V/5% per 5 0.98 1.24 15V/1.3W ZENER DIODE 15V/1.3W per 5 0.97 1.23 16FR120 DIODE 1200V/16A 5.21 6.62 160V/1.3W ZENER-DIODE 160V/1.3W 0.19 0.24 16RIA100 THYRISTOR 1000V TO48 15.00 19.05 16V/0.4W ZENER-DIODE 16V/0.4W per 5 0.67 0.85 16V/1.3W ZENER-DIODE 16V/1.3W per 5 0.97 1.23 17058 GO TO 17088 please ask 17088 THY+DI/900V/3A/TRACE 2.70 3.43 17089 THY+DI/900V/3A/RETRACE 2.70 3.43 17127 THYRISTOR 1.80 2.29 17160 THYRISTOR please ask 176K5887SS IC ROADSTAR 44.76 56.83 18022 GO TO 17088 4.40 5.59 180V/1.3W ZENER DIODE 180V/1.3W per 5 0.97 1.23 18V/0.4W ZENER DIODE 18V/0.4W per 5 0.67 0.85 18V/1.3W ZENER DIODE 18V/1.3W per 5 0.97 1.23 1CXP508690 IC704 DAEWOO ACD7500 =CXP566HQ-590 please ask 1N4007 RECT.1000V/1A per 10 0.87 1.10 1N4148 GEN.REC.75V/75MA=1N4448 per 10 0.47 0.60 1N4448 GO TO 1N 4148 please ask 1N4744 GO TO 15V/1.3W please ask 1N4933 RHDX0527BMZZ DIODE SHARP 51C03IR/59C03IR/66CS03IR 1.39 1.76 1N4934 RHDX0528BMZZ DIODE SHARP 51CS03IR/55CS03IR/66CS03IR 0.79 1.00 1N4936 GO TO BYD 33M please ask

详解经典三极管基本放大电路

详解经典三极管基本放大电路 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP 两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 图1：三极管基本放大电路 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时，基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。 下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图，因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止)，相当于开关断开;当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。 如果我们在上面这个图中，将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基极电流为0时，集电极电流为0，灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β)，三极管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。

三极管理论基础知识部分教学设计

识别晶体三极管（理实一体）---理论基础知识部分教学设计

三极管类型、三极管的三种工作状态及其条件 教学方法 情境引入法、启发式提问讲授法 教学准备 备学生、备课、备教材、备器材(万用表、三极管) 多媒体以及多媒体课件 课时分配 1课时 授课班级 12级汽修１、2、3、７班 授课时间 2013年5月 板书设计 教学任务内容及过程 【理论讲授】 一、情景导入（5分钟）： 图1 扩音器结构示意图 如图1所示扩音器：话筒是将声音信号转换为电信号，经放大电路放大后，变成大功率的电 晶体三极管 结构 类型 材料 特点 工作状态 （及条件） 三个电极基极b 、集电极c 、发射极e 2个PN 结：集电结、发射结，3个区：基区接b 极、集 电区接c 极、发射区接e 极。（绘图讲解） 1、按结构分PNP 、NPN 型； 2、按功率分大、中、小型； 3、按频率分低、中、高频；4按材料分硅、锗型等 三极管材料：硅、锗材料（加入微量杂质P 、Be 元素） 1、放大状态（Vc>Vb>Ve ）； 2、截止状态（Ve>Vb,Vc>Vb ）； 3、饱和导通状态,（Uce 近似为0v ）。

本次任务学习三极管的结构、类型及分类方法。 二、讲授新课内容（25分钟）： 半导体三极管也称晶体三极管，是汽车电子点火系统等电工电子电路中最重要的电子元器件之一。它主要的功能是电流放大和开关作用，配合其他元器件还可以构成振荡电路。 1、三极管外形，如图2所示。 特点：有三个电极，故称三极管。 2、三极管内部结构： 在一块极薄的硅或锗材料的半导体基片上，经过特殊的工艺加工，制造出两个PN结，这两块PN结将整个半导体基片分为3个区域：集电区，基区和发射区。如图3所示。 其中：基区相对很薄，集电区面积很大，发射区载流子的掺杂浓度很高。对应着三个区分别引出三个电极；即：基极，集电极和发射极。分别用英文字母b,c和e来表示,也可以用大写字母表示基极B、发射极C、集电极E。 三极管是由两个PN结组成的。我们把基极和发射极之间的PN结称作发射结，基极和集电极之间的PN结称作集电结。 NPN型符号 NPN结构简图 PNP符号 PNP结构简图 图4 三极管符号、结构简图 图3 三极管的结构图 图 2 三极管外形

三极管参数代换表三极管参数大全

三极管参数代换表三极管参数大全 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) B857 70V 4A 40W BU2508A 1500V 8A 125W BU2508AF 1500V 8A 45W BU2508DF 1500V 8A 45W BU2520AF 1500V 10A 45W BU2520AX 1500V 10A 45W BU2520DF 1500V 10A 45W BU2520DX 1500V 10A 45W BU2522AF 1500V 10A 45W BU2522AX 1500V 10A 45W BU2522DF 1500V 10A 45W BU2522DX 1500V 10A 45W BU2525AF 1500V 12A 45W BU2525AX 1500V 12A 45W BU2527AF 1500V 12A 45W BU2527AX 1500V 12A 45W BU2532AL 1500V 15A 150W BU2532AW 1500V 16A 125W BU2725DX 1700V 12A 45W BU406 400V 5A 60W BU4522AF 1500V 10A 45W BU4522AX 1500V 10A 45W BU4523AF 1500V 11A 45W BU4523AX 1500V 11A 45W

BU4525AF 1500V 12A 45W BU4525DF 1500V 12A 45W BU4530AL 1500V 16A 125W BU4530AW 1500V 16A 125W BUH1015 1500V 14A 70W BUH315D 1500V 6A 44W BUT11A 1000V 5A 100W C3039 500V 7A 50W C3886A 1500V 8A 50W C3996 1500V 15A 180W C3997 1500V 20A 250W C3998 1500V 25A 250W c4242 450V 7A 40W C4288A 1600V 12A 200W C4532 1700V 10A 200W C4634 1500V 0.01A 2W C4686A 1500V 50mA 10W C4762 1500V 7A 50W C4769 1500V 7A 60W C4891 1500V 15A 75W C4897 1500V 20A 150W C4924 1500V 10A 70W C5027 1100V 50W C5039 800V 5A 30W C5045 1600V 15A 75W C5047 1600V 25A 25W C5048 1500V 12A 50W C5086 1500V 10A 50W C5088 1500V 8A 60W C5129 1500V 10A 50W C5142 1500V 20A 200W C5144 1700V 20A 200W

三极管的基础知识及参数对照表

[知识学堂] 三极管的基础知识及参数对照表双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空 穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB结势垒电场的效果下到达集电区，形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小，所以基极电流约为IB=5V/50kΩ=0.1mA。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大效果。 常用中小功率三极管参数表： 型号材料与极性Pcm( W) Icm(mA ) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G

三极管基础知识练习.doc

晶体三极管与单级低频小信号放大器 章节练习（2015.6） 一、判断题（对的打“√”，错的打“×” ） 1、为使三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压；（ ） 2、无论是哪种三极管，当处于放大工作状态时，b 极电位总是高于e 极电位，c 极电位也总是高于b 极电位；（ ） 3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体（N 型或P 型）构成的，所以e 极和c 极可以互换使用；（ ） 4、三极管的穿透电流I CEO 的大小不随温度而变化；（ ） 5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小；（ ） 6、对于NPN 型三极管，当V BE ﹥0时，V BE ﹥V CE ，则该管的工作状态是饱和状态；（ ） 7、已知某三极管的发射极电流I E ＝1.36mA ，集电极电流I C ＝1.33mA ，则基极电流I B ＝30μA ；（ ） 8、某三极管的I B ＝10μA 时，I C ＝0.44mA ；当I B ＝20μA 时，I C ＝0.89mA ，则它的电流放大系数β＝45； 9、三极管无论工作在何种工作状态，电流I E ＝I B ＋I C ＝（1＋β）I B 总是成立；（ ） 10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN 结，因此可以用两个背靠背连接的二极管替换；（ ） 11、三极管是一种电流控制器件；（ ） 12、同一只三极管的β和β数值上很接近，在应用时可相互代替；（ ） 13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相；（ ） 14、交流放大电路之所以能实现小信号放大，是由于三极管提供了较大的输出信号能量；（ ） 15、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响；（ ） 16、在单管放大电路中，若V G 不变，只要改变集电极电阻R C 的值就可改变集电极电流I C 的值；（ ） 17、三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量用来表示静态工作点，交流分量用来表示信号的变化情况；（ ） 二、选择题 1、万用表测得一PNP 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区 2、测得某三极管三个极在放大电路中的对地电压分别为6V 、4V 、3.3V ， 则该三极管是（ ） A ．硅材料的NPN 管 B ．硅材料的PNP 管 C ．锗材料的NPN 管 D ．锗材料的PNP 管 3、三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（ ） A ．发射结为反向偏置 B ．集电结为正向偏置 C ．始终工作在放大区 4、在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压可表示为（ ） A ．0c c v i R = B ．0c c v i R =- C ．0c c v I R = D ．0c c v I R =-

三极管基本知识大全

三极管基本知识大全 半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。 三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观如图，大的很大，小的很小。三极管的电路符号有两种：有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。 电子制作中常用的三极管有9 0**系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子爱好者最好还是了解一下： 第一部分的3表示为三极管。第二部分表示器件的材料和结构，A：PNP型锗材料B：NPN型锗材料C：PNP型硅材料D：NPN型硅材料第三部分表示种类：光电管K：开关管X：低频小功率管G：高频小功率管D：低频大功率管A：高频大功率管。另外，3DJ 型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。 三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。 三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器。 半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外，还能够做成一些可独立使用的两端或三端器件 1. 扩流。 把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其最大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图1 。图2 为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点，但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安，因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图 3 可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展，稳定性能可得到较大的改善。 2. 代换。 图4 中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管；图5 中的三极管可代用8V 左右的稳压管。图 6 中的三极管可代用30V 左右的稳压管。上述应用时，三极管的基极均不使用。 3. 模拟。 用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅，用图7 电路可作模拟品，调节510 电阻的阻值，即可调节三极管C 、E 两极之间的阻抗，此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图8 为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是：当加到A 、B 两端的输入电压上升时，因三极管的B 、E 结压降基本不变，故R2 两端压降上升，经过R2

三极管的基本知识讲解复习课程

三极管的基本知识讲解 三极管的初步认识 三极管是一种很常用的控制和驱动器件，在数字电路和模拟电路中都有大量的应用，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用较少，以下以硅管为例进行讲解。三极管有2 种类型，分别是PNP 型和NPN 型。先来认识一下，如下图所示。三极管一共有3 个极，横向左侧的引脚叫做基极(base)，中间有一个箭头，一头连接基极，另外一头连接的是发射极 e(emitter)，剩下的一个引脚就是集电极c(collector)。 三极管的原理 三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。而数字电路主要使用的是三极管的开关特性，只用到了截止与饱和两种状态，所以我们也只来讲解这两种用法。三极管的类型和用法有个总结：箭头朝内PNP，箭头朝外NPN，导通电压顺箭头过，电压导通，

电流控制。三极管的用法特点，关键点在于b 极（基极）和e 级（发射极）之间的电压情况，对于PNP 而言，e 极电压只要高于b 级0.7V以上（硅三极管的PN 结道导通电压，如果是锗三极管，这个电压大概为0.3V），这个三极管e 级和c 级之间就可以顺利导通。也就是说，控制端在b 和e 之间，被控制端是e 和c 之间。同理，NPN 型三极管的导通电压是b 极比e 极高0.7V，总之是箭头的始端比末端高0.7V就可以导通三极管的e 极和c 极。这就是关于“导通电压顺箭头过，电压导通”的解释。 三极管的用法 以上图为例介绍一下三极管的用法。三极管基极通过一个10K 的电阻接到了单片机的一个IO口上，假定是P1.0，发射极直接接到5V 的电源上，集电极接了一个LED 小灯，并且串联了一个1K 的限流电阻最终接到了电源负极GND 上。如果P1.0 由我们的程序给一个高电平1，那么基极b 和发射极e 都是5V，也就是说e到b 不会产生一个0.7V 的压降，这个时候，发射极和集电极也就不会导通，那么竖着看这个电路在三极管处是断开的，没有电流通过，LED2 小灯也就不会亮。如果程序给

通用高清行管和大功率三极管主要参数表

常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号：大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在，大屏幕彩色电视大都是数字高清，原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点，所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度，即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行，这样就会使行扫描的频率提高一倍，自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加，普通的行输出管已经不能胜任，要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有：C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等，这些行输出管的耐压都在1500V以上，电流多大于20A，但是由于其功耗比较大，损坏率还是比较高。归纳起来，其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足，行管不能迅速截止与饱和，导致行管内阻变大，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫，一旦超过行管功耗的极限值，便会使行管烧坏。 在海信高清电视中，行振荡方波信号是由数字变频解码板输出，经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后，送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态，故障率相对较高，损坏后就会造成行激励不足，损坏行输出管，对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外，行管基极的限流电阻阻值一般为0.1Ω，与行管的发射极串联，再与行激励变压器并联，若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障，且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高

在行逆程期间，偏转线圈会对逆程电容充电，逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小，充电时间越短，充电电压越高，因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以，当行一旦超过行管的耐压值，就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时，一般是测量电容的直流参数，而一些ESR等交流参数无法测量，所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降，产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善，则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善，所以这种情况不多见，表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的，电源设计比较合理，保护功能全，不像以前的老式电源电路，电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现，但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高，最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻，如果采用普通行管，发射结并联电阻的阻值比较小，会造成基极驱动电流小，激励不足，行电流过大（正常高清行电流在500mA~600mA）而再次损坏。更换行管后测量行电流，如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的，可将电阻阻值增大，甚至拿掉；如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的，可减小该电阻阻值，再次测量行电流，如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管

部分常见三极管参数大全

部分常见三极管参数大全[1] 晶体管型号反压Vbe0电流IC m功率PCM放大系数特征频率管子类型2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SC752G 40V 0.2A 0.2W * * NPN 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA933S 50V 0.1A 0.9W * * PNP BF324 30V 0.26A 0.25W * * PNP BD941F 120V 3A 19W * * NPN BC636 45V 1A 0.8W * * PNP 2SD1480 80V 4A 25W * * NPN 2SC3271 300V 0.1A 5W * * NPN 2SC2688 300V 0.2A 10W * * NPN 2SC1875 50V 0.15A 0.4W * * NPN 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SD1138C 150V 2A 30W * * NPN 2SB882 60V - 1.7W * * PNP 2SC2377 20V 0.015A 0.2W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IR FP G42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型

三极管基础练习题

三极管练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。 2．三极管按结构分为_和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。 5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。 6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。 7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是____和 ______。 8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 11.在正常工作范围内，场效应管极无电流 12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和 _________。 13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。 16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。 二、选择题： 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区，要求（） A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（） A可变线性区B截止区C饱合区D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（） A．饱和区B．截止区 C．放大区D．击穿区

三极管知识点的总结.docx

晶体三极管

晶体三极管 一．教学要求： 1 ．了解三极管的基本构造、特点、符号、型号、分类等： 1 ．前 1 、 2 个属 2 ．理解三极管电流放大作用的实质和特性曲线及主要参数：于知识方面 3 ．掌握三极管的识别和简单测试方法：的要求 2．最后 1 个属 于技能方面 的要求二．教学重点、难点分析： 1．教学重点是三极管的三个工作区域及其特点、三极管的电流放大 作用： 2．教学难点是三极管的伏-安特性 3．技能要求是掌握三极管的识别与简单测试： 三．教具： 1．晶体三极管： 2．万用表： 3．晶体管特性测试仪、双踪示波器：

四．教学过程： （一）：复习提问，引入新课： 提问3-4位 学生回答1．二极管具有哪些特性？ 2．常用的电子元器件有哪些？ （二）：新课教学： 一：三极管的结构、符号和类型： 1．结构：利用课件进行 C(集电极）C(集电极）讲解，然后总结归纳。 集电区集电区 集电结 P 集电结 N b（基极）集区b（基极）集区 P N N发射结P发射结 发射区发射区e（发射极）e（发射极）NPN型PNP型 总结：三极管的结构为：三区+ 两结 + 三电极： 三区：指发射区、基区、集电区 两结：指发射结、集电结： 三电极：指发射极、基极、集电极： 2．符号： C C B B E E NPN型PNP型

3．三极管具有放大作用的内部条件（结构特点）： 发射区很厚，掺杂浓度最高； 基区很薄，掺杂浓度最小； 集电区很厚，掺杂浓度比较高。 4．三极管的型号及其意义：发给不同规格 的三极管让学生 判别。 区别代号（用大字母表示） 半导体的序号（用数字表示） 半导体的类型（用字母表示） 半导体的材料（用字母表示） 电极数目 二：三极管的电流放大作用：用双踪示波三极管具有放大作用，必须同时满足内部条件和外部条件，内部条件器演示输入信号一般由生产厂家保证。和输出信号的差1．三极管放大的外部条件：别，加强学生的发射结正偏；感性认识，然后 集电结反偏。再进行分析。 2．三极管的电流分配关系：I e I b I c 3．三极管电流放大作用的实质： “以小控大”——以基极小电流I b控制集电极大电流I c。因 此：双极型三极管属于“电流控制器件”。 三．三极管的连接方式： 1 ．共发射极： 2 ．共集电极：3．共基极： 三张图进行 比较，注意它们输出端输出端输入端输出端 输入端输入端 之间的特点四．三极管的伏安特性曲线 （一）输入特性曲线：

三极管的基础知识

三极管 半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e）.有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。 编辑本段概念 半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件. 作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关. 编辑本段三极管的分类: a.按材质分: 硅管、锗管 b.按结构分: NPN 、PNP c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等. 编辑本段三极管的主要参数 a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. c. hFE:电流放大倍数. d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. e. PCM:最大允许耗散功率. f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在. 编辑本段判断基极和三极管的类型 先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两 次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极. 当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之 为PNP. 判断集电极C和发射极E,以NPN为例: 把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E 电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立. 体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种， 从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律， 底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

三极管参数查询表(精)

三极管参数查询表 三极管参数查询表名称封装极性功耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用 25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用 30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 3DK2B 7 NPN 开关 30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 A634 28E PNP 音频功放 40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关 80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放 35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用 50V 0.1A 180MHZ A741 4 PNP 开关 20V 0.1A 70／120NS A781 39B PNP 开关 20V 0.2A 80／160NS A928 ECB PNP 通用 20V 1A 0.25W A933 21 PNP 通用 50V 0.1A 140MHZ A940 28 PNP 音频功放 150V 1.5A 25W 4MHZ C2073 A966 21 PNP 音频激励 30V 1.5A 0.9W 100MHZ C2236 A950