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最常用的电子元器件

最常用的电子元器件

常用元器件的识别

电阻

电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻.电阻在电路中的主要作用为

分流、限流、分压、偏置等.

1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Ω),倍率单位有:千欧(KΩ),兆欧(MΩ)等.换算

方法是:1兆欧=1000千欧=1000000欧

电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法.

a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:

472 表示47×100Ω(即4.7K); 104则表示100K

b、色环标注法使用最多,现举例如下:

四色环电阻五色环电阻(精密电阻)

2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示:

颜色有效数字倍率允许偏差(%)

银色/ x0.01 ±10

金色/ x0.1 ±5

黑色0 +0 /

棕色1 x10 ±1

红色2 x100 ±2

橙色3 x1000 /

黄色4 x10000 /

绿色5 x100000 ±0.5

蓝色6 x1000000 ±0.2

紫色7 x10000000 ±0.1

灰色8 x100000000 /

白色9 x1000000000 /

电容

1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流.电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关.容抗XC= 1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等.

2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种.电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF).其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000 PF 数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数

字是倍率.如:102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF

3、电容容量误差

如:一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%.

晶体二极管

晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管.

1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大.正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中.电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N40 04)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等.

2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N 极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的.发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负.

3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反.

稳压二极管

稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管.

1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变.这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变.

2、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定.在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定.

常用稳压二极管的型号及稳压值如下表:

型号1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761

稳压值3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V

电感

电感在电路中常用“L”加数字表示,如:L6表示编号为6的电感.电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成.直流可通过线圈,直流电阻就是导线本身的电阻,压降很小;当交流信号通过线圈时,线圈两端将会产生自感电动势,自感电动势的方向与外加电压的方向相反,阻碍交流的通过,所以电感的特性是通直流阻交流,频率越高,线圈阻抗越大.电感在电路中可与电容组成振荡电路.

电感一般有直标法和色标法,色标法与电阻类似.如:棕、黑、金、金表示1uH(误差5%)的电感.

电感的基本单位为:亨(H) 换算单位有:1H=103mH=106uH.

变容二极管

变容二极管是根据普通二极管内部“PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一

原理专门设计出来的一种特殊二极管.

变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高

频信号上,并发射出去.在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管

的内部结电容容量随调制电压的变化而变化.

变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差:

(1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差.

(2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对

方接收后产生失真.

出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管.

晶体三极管

晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管.

1、特点:晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件.它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用.电话机中常用的PNP型三极管有:A9

2、9012、9015等型号; NPN型三极管有:A42、90 14、9018、9013等型号.

2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法.为了便于比较,将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表,供大家参考.

名称输入阻抗输出阻抗电压放大倍

数电流放大倍数

共发射极电路中(几百欧~几千欧) 中(几千欧~几十千

欧) 大大(几十)

共集电极电路(射极输出器) 大(几十千欧以上) 小(几欧~几十欧) 小(小于1并接近于1)大(几十)

共基极电路小(几欧~几十欧) 大(几十千欧~几百千

欧) 大小(小于1并接近于1)

功率放大倍数频率特性应用

大(约30~40分贝) 高频差多级放大器中间级,低频放大

小(约10分贝) 好输入级、输出级或作阻抗匹配用

中(约15~20分贝) 好高频或宽频带电路及恒流源电路

场效应晶体管放大器

1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中.尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能.

2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的.如图1-1-1是两种型号的表示符号:

3、场效应管与晶体管的比较:

(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.

(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电.被称之为双极型器件.

(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.

(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.

最常用的电子元件型号

整流二极管:

1N4001~1N4007 50V~1000~/1.0A 1N5391~1N5399 50V~1000V/1.5A 1N 5400~1N5408 50V~1000V/3.0A

开关二极管:

1N4148 1N4150 1N4448

肖特基二极管:

1N5817~1N5819 20V~40V/1.0A 1N5820~1N5822 20V~40V/3.0A 1N6 0 1N60P小电流低压降

光电耦合器:

4N35 4N36 4N37

晶体三极管:

PNP:8050 9015 A92

NPN:9012 9013 9014 9015 9018

D/A转换器:

AD7520 AD7521 AF7530 AD7521

8位:DAC0830 DAC0832 (D/A )12位:AD7541 (D/A)

8位:ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC083 4 ADC0838(A/D)

跨导运算变压器:

CA3080 CA3080A OTA

BiMOS运算变压器:

CA3140 CA3140A

DB3 双向触发二极管

快恢复二极管:

FR101~FR107 50V~1000/1.0A

三位半A/D转换器:

ICL7106 ICL7107 ICL7116 ICL7117

载波稳零运算放大器:

ICL7650

CMOS电源电压变换器:

ICL7660/MAX1044

单片函数发生器:

ICL8038

通用计数器:

ICM7216 ICM7216B ICM7216D 10MHz

带BCD输出10MZ通用计数器:

ICM7226A ICM7226B

单/双通用定时器:

ICM7555 ICM7555

DTMF 收发器:

ISO2-CMOS MT8880C

JFET输入运算放大器:

LF351

FJET输入宽带高速双运算放大器:

LF353

三端可调电源:

LM117 LM317A LM317

低功耗四运算放大器:

LM124 LM124 LM324 LM2920

三端可调负电压调整器:

LM137 LM337

低功耗四电压比较器:

LM139 LM239 LM339 LM2901 LM3302

可关断开关电源:

LM1575-3.3、LM2575-3.3、LM2575HV-3.3、LM1575- 5.0、LM2575-5.0、L M2575HV-5.0、LM1575-12、LM2575-12、LM2575HV-12、LM1575-15, LM2 575-15、LM2575HV-15、LM1575- ADJ、LM2575-ADJ LM2576-3.3、LM25 76HV-3.3、LM2576-5.0、LM2576HV- 5.0、LM2576-12、LM2576HV-12、LM 2576-15、LM2576HV-15、LM2576-ADJ

低功耗双运算放大器:

LM158 LM258 LM358 LM2904

低功耗双电压比较器:

LM193 LM293 LM393 LM2903

通用运算放大器:

LM201 LM301 LM741

精密电压频率转换器:

LM231A LM231 LM331A LM331

微功耗基准电压二极管:

LM285 LM358

精密运算放大器:

LM308A

低压音频小功率放大器:

LM386

带温度稳定器精密电压基准电路:

LM299 LM399 LM3999

可调电压基准电路:

LM431

锁相环音频译码器:

LM657 LM657C

双低噪声音频功率放大器:

LM831 LM833

双定时LED电子钟电路:

LM8365

单片函数发生器;

MAX038 0.1~20MZ

5V电源多通道RS232驱动器/接收器:

MAX232

七路达林顿驱动器:

MC1413 MC1416

编码器/译码器:

MC145026 MC145027 MC145028

MC145023-5/8 RS232驱动器:

MC145403 MC145404 MC145405 MC145408

RS232驱动器/接收器:

MC145406 MC145407

四施密特可控线路驱动器:

MC1489 MC1489A SN55189 SN55189A SN75189 SN75189A

低功率调频发射系统:

MC2833

低功率调频窄频带接收器:

MC3362

双运算放大器:

MC4558

MC7800系列1.0A三端正电压稳压器:

MC7805(5.0V)、LM340-5(5.0V)、MC7806(6.0V)、MC7808 (8.0V)、MC7809(9. 0V)、MC7812(12V)、LM340-12(12V)、MC7815(15V)、LM340-15(15V)、MC 7818(18V)、MC7824 (24V)

MC78L00系列 0.5A三端正电压稳压器:

MC78M05(5.0V)、MC78M06(6.0V)、MC78M08(8.0V)、MC78M09 (9.0V)、M C78M12(12V)、MC78M15(15V)、MC78M18(18V)、MC78M20(20V)、MC78 M24(24V)

MC78T00系列3.0A正电压稳压器:

MC78T05(5.0V)、MC78T08(8.0V)、MC78T12(12V)、MC78T15 (15V)

MC7900系列1.0三端负电压稳压器:

MC7905(5.0V)、MC7905.2(5.2V)、MC7906(6.0V)、MC7908 (8.0V)、MC791 2(12V)、MC7915(15V)、MC7918(18V)、MC7924(24V)

MC79L00系列0.1A 三端负电压稳压器:

MC79L05(5.0V)、MC79L12(12V)、MC79L15(15V)、MC79L18 (18V)、MC79 L24(24V)

MC79M00系列0.5A 三端负电压稳压器:

MC79M05(5.0V)、MC79M08(8.0V)、MC79M12(12V)、MC79M15 (15V) Microchip PIC 系列单片机RS232通讯应用:

3.579545MHZ--60HZ 17级分频振荡器:

MM5369

双向可控硅输出光电耦合器:

MOC3009 MOC3012 (250V) MOC3020 MOC3023 (400V)

DTMF双音频接收器:

MT8870C MT8870C-1

DTMF 收发器:

MT8888C

单时基电路:

NE555 NE555Y SA555 SE555

双时基电路:

NE556 SA556 SE556

音频压缩扩展器:

NE570 NE571 SA571

低电压飘移运算放大器:

OP07 OP77

低噪音精密运算放大器:

OP27

低噪音高精密运算放大器:

OP37

精密低电压微功耗运算放大器:

OP90

高效光电耦合器:

PC817 PC827 PC837 PC847

无线遥控发射编码器芯片:

PT2262

无线遥控接收解码器芯片:

PT2272

脉宽市制PWM:

SG2524 SG3524

电力线调制解诘器电路:

ST7537

音频功率放大器:

TDA1521/TDA1521Q 2×12W Hi-Fi

TDA2030 14W Hi-fi

TDA2616/TDA2616Q 2×12W Hi-Fi

FM 单片调频接收电路:

TDA7000T TDA7010T

FM MTS 单片调节器频接收电路:

TDA7021T

低电压锁相环立体解码器:

TDA7040T

低电压单/双声道功率放大器:

TDA7050

低功耗JFET输入运算放大器:

TL062 TL064

低噪声JFET输入运算放大器:

TL071 TL072 TL074

JFET输入宽带高速运算放大器:

TL081 TL082 TL084

脉宽调制PWM:

TL494

精密开关模式脉宽调制控制:

TL594

光电耦合器:

TLP521-1/TLP521-2/TLP521-4

PWM Switch:

TOP100/TOP101/TOP102/TOP103/TOP104 TOP200/TOP201/TOP202/T OP203/TOP204/TOP214 TOP209/TOP210

线性八外围驱动器阵列:

ULN2803 ULN2804

(八路NPN达林顿连接晶体管阵系列特别适用于低逻辑电平数字电路(诸如TTL, CMOS或PMOS/NMOS)和较高的电流/电压要求之间的接口,广泛应用于计算机,工业用和消费类产品中的灯、继电器、打印锤或其它类似负载中.所有器件具有集电极开路输出和续流箝位二极管,用于抑制跃变.ULN2803的设计与标准TT L系列兼容,而ULN2804 最适于6至15伏高电平CMOS或PMOS.

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评论(0) | 阅读(1185) 发表于:2008/4/17 23:00:05

标签:二极管特性

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二级管的分类及特性

二级管的分类及特性

一、根据构造分类

半导体二极管主要是依靠PN结而工作的.与PN结不可分割的点接触型和肖特

基型,也被列入一般的二极管的范围内.包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:

1、点接触型二极管

点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的.因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路.但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流.因为构造简单,所以价格便宜.对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型.

2、键型二极管

键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的.其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间.与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良.多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA).在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型.

3、合金型二极管

在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的.正向电压降小,适于大电流整流.因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流.

4、扩散型二极管

在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结.因PN结正向电压降小,适用于大电流整流.最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型.

5、台面型二极管

PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉.其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名.初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的.因此,又把这种台面型称为扩散台面型.对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多.

6、平面型二极管

在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结.因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用.由于半导体表面被制作得平整,故而得名.并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型.最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型.对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多.

7、合金扩散型二极管

它是合金型的一种.合金材料是容易被扩散的材料.把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布.此法适用于制造高灵敏度的变容二极管.

8、外延型二极管

用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管.制造时需要非常高超的技术.因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管. 9、肖特基二极管

基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压.肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异.其耐压程度只有40V左右.其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短.因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管.

二、根据用途分类

1、检波用二极管

就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波.锗材料点接触型、工作频率可达4 00MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型.类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路.也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件.

2、整流用二极管

就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流.以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流.面结型,工作频率小于KHz,最高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档.分类如下:①硅半导体整流二极管2 CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型.

3、限幅用二极管

大多数二极管能作为限幅使用.也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管.为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的二极管.也有这样的组件出售:依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体.

4、调制用二极管

通常指的是环形调制专用的二极管.就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件.即使其它变容二极管也有调制用途,但它们通常是直接作为调频用.

5、混频用二极管

使用二极管混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型二极管.

6、放大用二极管

用二极管放大,大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大,以及用变容二极管的参量放大.因此,放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管.

7、开关用二极管

有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管.小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管.开关二极管的特长是开关速度快.而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管.2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高.

8、变容二极管

用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管.日本厂商方面也有其它许多叫法.通过施加反向电压, 使其PN结的静电容量发生变化.因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途.通常,虽然是采用硅的扩散型二极管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的

二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大.结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作.

9、频率倍增用二极管

对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增.频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率.阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短.如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波.

10、稳压二极管

是代替稳压电子二极管的产品.被制作成为硅的扩散型或合金型.是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管.作为控制电压和标准电压使用而制作的.二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔10%,能划分成许多等级.在功率方面,也有从200mW至100W以上的产品.工作在反向击穿状态,硅材料制作,动态电阻RZ很小,一般为2CW型;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型.

11、PIN型二极管(PIN Diode)

这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管.PIN中的I是"本征"意义的英文略语.当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应,其二极管失去整流作用而变成阻抗元件,并且,其阻抗值随偏置电压而改变.在零偏置或直流反向偏置时,"本征"区的阻抗很高;在直流正向偏置时,由于载流子注入"本征"区,而使"本征"区呈现出低阻抗状态.因此,可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用.它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中.

12、雪崩二极管(Avalanche Diode)

它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管.产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡.它常被应用于微波领域的振荡电路中.

13、江崎二极管(Tunnel Diode)

它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管.其基底材料是砷化镓和锗.其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的).隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生.发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性.江崎二极管为双端子有源器件.其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷".江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中.

14、快速关断(阶跃恢复)二极管(Step Recovary Diode)

它也是一种具有PN结的二极管.其结构上的特点是:在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区,从而形成"自助电场".由于PN结在正向偏压下,以少数载流子导电,并

在PN结附近具有电荷存贮效应,使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至最小值(反向饱和电流值).阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间,使反向电流快速截止,并产生丰富的谐波分量.利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路.快速关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和高次谐波电路中.

15、肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)

它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管.其正向起始电压较低.其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料.其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体.这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多.由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件.其工作频率可达100GHz.并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管.

16、阻尼二极管

具有较高的反向工作电压和峰值电流,正向压降小,高频高压整流二极管,用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用.

17、瞬变电压抑制二极管

TVP管,对电路进行快速过压保护,分双极型和单极型两种,按峰值功率(500W-5 000W)和电压(8.2V~200V)分类.

18、双基极二极管(单结晶体管)

两个基极,一个发射极的三端负阻器件,用于张驰振荡电路,定时电压读出电路中,它具有频率易调、温度稳定性好等优点.

19、发光二极管

用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光.工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光.

三、根据特性分类

点接触型二极管,按正向和反向特性分类如下.

1、一般用点接触型二极管

这种二极管正如标题所说的那样,通常被使用于检波和整流电路中,是正向和反向特性既不特别好,也不特别坏的中间产品.如:SD34、SD46、1N34A等等属于这一类.

2、高反向耐压点接触型二极管

是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品.使用于高压电路的检波和整流.这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般.在点接触型锗二极管中,有SD38、1N38A、OA81等等.这种锗材料二极管,其耐压受到限制.要求更高时有硅合金和扩散型.

3、高反向电阻点接触型二极管

正向电压特性和一般用二极管相同.虽然其反方向耐压也是特别地高,但反向电流小,因此其特长是反向电阻高.使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中,就锗材料高反向电阻型二极管而言,SD54、1N54A等等属于这类二极管.

4、高传导点接触型二极管

它与高反向电阻型相反.其反向特性尽管很差,但使正向电阻变得足够小.对高传导点接触型二极管而言,有SD56、1N56A等等.对高传导键型二极管而言,能够得到更优良的特性.这类二极管,在负荷电阻特别低的情况下,整流效率较高.

系统分类: 模拟技术 | 用户分类: | 来源: 整理

评论(0) | 阅读(510) 发表于:2008/4/7 15:35:38

标签:单片机的相位测量

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基于单片机的相位测量的一种方法

测量原理:

将相位差转换成时间,然后用单片机来测量时间间隔。被测信号e1和e2经整形电路形成方波,方波的上升沿和下降沿分别与振荡信号的正负过零点对应。整形电路的输出均分为2路,一路送异或门,异或门输出矩形脉冲的脉宽t与相位a成比例。在复合门上用高频时钟脉冲对相位脉冲进行刻度,即用异或门的输出脉冲来控制周期固定的高频时钟脉冲的通过。复合门的输出经闸门和分频器后送单片机的计数器,在单位时间内的计数器N正比于t,这样相位的测量就转化成数字化的时间测量;另一路分别送D触发器的输入端口和时钟端口,D触发器的输出送单片机的P1.0端口用来区分超前相角和滞后相角。

最常用的电子元器件

最常用的电子元器件

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最常用的电子元器件

单片机C51语言学习资料

基础知识:单片机编程基础

单片机的外部结构:

1、 DIP40双列直插;

2、 P0,P1,P2,P3四个8位准双向I/O引脚;(作为I/O输入时,要先输出高电平)

3、电源VCC(PIN40)和地线GND(PIN20);

4、高电平复位RESET(PIN9);(10uF电容接VCC与RESET,即可实现上电复位)

5、内置振荡电路,外部只要接晶体至X1(PIN18)和X0(PIN19);(频率为主频的12倍)

6、程序配置EA(PIN31)接高电平VCC;(运行单片机内部ROM中的程序)

7、 P3支持第二功能:RXD、TXD、INT0、INT1、T0、T1

单片机内部I/O部件:(所为学习单片机,实际上就是编程控制以下I/O部件,完成指定任务)

1、四个8位通用I/O端口,对应引脚P0、P1、P2和P3;

2、两个16位定时计数器;(TMOD,TCON,TL0,TH0,TL1,TH1)

3、一个串行通信接口;(SCON,SBUF)

4、一个中断控制器;(IE,IP)

针对AT89C52单片机,头文件AT89x52.h给出了SFR特殊功能寄存器所有端口的定义。教科书的160页给出了针对MCS51系列单片机的C语言扩展变量类型。

C语言编程基础:

1、十六进制表示字节0x5a:二进制为01011010B;0x6E为01101110。

2、如果将一个16位二进数赋给一个8位的字节变量,则自动截断为低8位,而丢掉高8位。

3、 ++var表示对变量var先增一;var—表示对变量后减一。

4、 x |= 0x0f;表示为x = x | 0x0f;

5、 TMOD = ( TMOD & 0xf0 ) | 0x05;表示给变量TMOD的低四位赋值0x5,而不改变TM OD的高四位。

6、 While( 1 ); 表示无限执行该语句,即死循环。语句后的分号表示空循环体,也就是{;}

在某引脚输出高电平的编程方法:(比如P1.3(PIN4)引脚)

#i nclude //该头文档中有单片机内部资源的符号化定义,其中包含P1.3

void main( void ) //void 表示没有输入参数,也没有函数返值,这入单片机运行的复位入口{

P1_3 = 1; //给P1_3赋值1,引脚P1.3就能输出高电平VCC

While( 1 ); //死循环,相当LOOP: goto LOOP;

}

注意:P0的每个引脚要输出高电平时,必须外接上拉电阻(如4K7)至VCC电源。

在某引脚输出低电平的编程方法:(比如P2.7引脚)

#i nclude //该头文档中有单片机内部资源的符号化定义,其中包含P2.7

void main( void ) //void 表示没有输入参数,也没有函数返值,这入单片机运行的复位入口{

P2_7 = 0; //给P2_7赋值0,引脚P2.7就能输出低电平GND

While( 1 ); //死循环,相当LOOP: goto LOOP;

}

在某引脚输出方波编程方法:(比如P3.1引脚)

#i nclude //该头文档中有单片机内部资源的符号化定义,其中包含P3.1

void main( void ) //void 表示没有输入参数,也没有函数返值,这入单片机运行的复位入口{

While( 1 ) //非零表示真,如果为真则执行下面循环体的语句

{

P3_1 = 1; //给P3_1赋值1,引脚P3.1就能输出高电平VCC

P3_1 = 0; //给P3_1赋值0,引脚P3.1就能输出低电平GND

} //由于一直为真,所以不断输出高、低、高、低……,从而形成方波

}

将某引脚的输入电平取反后,从另一个引脚输出:(比如P0.4 = NOT( P1.1) )

#i nclude //该头文档中有单片机内部资源的符号化定义,其中包含P0.4和P1. 1

void main( void ) //void 表示没有输入参数,也没有函数返值,这入单片机运行的复位入口{

P1_1 = 1; //初始化。P1.1作为输入,必须输出高电平

While( 1 ) //非零表示真,如果为真则执行下面循环体的语句

{

if( P1_1 == 1 ) //读取P1.1,就是认为P1.1为输入,如果P1.1输入高电平VCC

{ P0_4 = 0; } //给P0_4赋值0,引脚P0.4就能输出低电平GND

else //否则P1.1输入为低电平GND

//{ P0_4 = 0; } //给P0_4赋值0,引脚P0.4就能输出低电平GND

{ P0_4 = 1; } //给P0_4赋值1,引脚P0.4就能输出高电平VCC

} //由于一直为真,所以不断根据P1.1的输入情况,改变P0.4的输出电平

}

将某端口8个引脚输入电平,低四位取反后,从另一个端口8个引脚输出:(比如P2 = NO T( P3 ) )

#i nclude //该头文档中有单片机内部资源的符号化定义,其中包含P2和P3 void main( void ) //void 表示没有输入参数,也没有函数返值,这入单片机运行的复位入口{

P3 = 0xff; //初始化。P3作为输入,必须输出高电平,同时给P3口的8个引脚输出高电平While( 1 ) //非零表示真,如果为真则执行下面循环体的语句

{ //取反的方法是异或1,而不取反的方法则是异或0

P2 = P3^0x0f //读取P3,就是认为P3为输入,低四位异或者1,即取反,然后输出

} //由于一直为真,所以不断将P3取反输出到P2

}

注意:一个字节的8位D7、D6至D0,分别输出到P3.7、P3.6至P3.0,比如P3=0x0f,则P 3.7、P3.6、P3.5、P3.4四个引脚都输出低电平,而P3.3、P3.2、P3.1、P3.0四个引脚都输出高电平。同样,输入一个端口P2,即是将P2.7、P2.6至P2.0,读入到一个字节的8位D7、D 6至D0。

第一节:单数码管按键显示

单片机最小系统的硬件原理接线图:

1、接电源:VCC(PIN40)、GND(PIN20)。加接退耦电容0.1uF

2、接晶体:X1(PIN18)、X2(PIN19)。注意标出晶体频率(选用12MHz),还有辅助电容30pF

3、接复位:RES(PIN9)。接上电复位电路,以及手动复位电路,分析复位工作原理

4、接配置:EA(PIN31)。说明原因。

发光二极的控控制:单片机I/O输出

将一发光二极管LED的正极(阳极)接P1.1,LED的负极(阴极)接地GND。只要P1.1输出高电平VCC,LED就正向导通(导通时LED上的压降大于1V),有电流流过LED,至发LE D发亮。实际上由于P1.1高电平输出电阻为10K,起到输出限流的作用,所以流过LED的电流小于(5V-1V)/10K = 0.4mA。只要P1.1输出低电平GND,实际小于0.3V,LED就不能导通,结果LED不亮。

开关双键的输入:输入先输出高

一个按键KEY_ON接在P1.6与GND之间,另一个按键KEY_OFF接P1.7与GND之间,按K EY_ON后LED亮,按KEY_OFF后LED灭。同时按下LED半亮,LED保持后松开键的状态,即ON亮OFF灭。

#i nclude

#define LED P1^1 //用符号LED代替P1_1

#define KEY_ON P1^6 //用符号KEY_ON代替P1_6

#define KEY_OFF P1^7 //用符号KEY_OFF代替P1_7

void main( void ) //单片机复位后的执行入口,void表示空,无输入参数,无返回值

{

KEY_ON = 1; //作为输入,首先输出高,接下KEY_ON,P1.6则接地为0,否则输入为1

KEY_OFF = 1; //作为输入,首先输出高,接下KEY_OFF,P1.7则接地为0,否则输入为1 While( 1 ) //永远为真,所以永远循环执行如下括号内所有语句

{

if( KEY_ON==0 ) LED=1; //是KEY_ON接下,所示P1.1输出高,LED亮

if( KEY_OFF==0 ) LED=0; //是KEY_OFF接下,所示P1.1输出低,LED灭

} //松开键后,都不给LED赋值,所以LED保持最后按键状态。

//同时按下时,LED不断亮灭,各占一半时间,交替频率很快,由于人眼惯性,看上去为半亮态}

数码管的接法和驱动原理

一支七段数码管实际由8个发光二极管构成,其中7个组形构成数字8的七段笔画,所以称为七段数码管,而余下的1个发光二极管作为小数点。作为习惯,分别给8个发光二极管标上记号:a,b,c,d,e,f,g,h。对应8的顶上一画,按顺时针方向排,中间一画为g,小数点为h。

我们通常又将各二极与一个字节的8位对应,a(D0),b(D1),c(D2),d(D3),e(D4),f(D5),g(D6),h(D7),相应8个发光二极管正好与单片机一个端口Pn的8个引脚连接,这样单片机就可以通过引脚输出高低电平控制8个发光二极的亮与灭,从而显示各种数字和符号;对应字节,引脚接法为:a (Pn.0),b(Pn.1),c(Pn.2),d(Pn.3),e(Pn.4),f(Pn.5),g(Pn.6),h(Pn.7)。

如果将8个发光二极管的负极(阴极)内接在一起,作为数码管的一个引脚,这种数码管则被称为共阴数码管,共同的引脚则称为共阴极,8个正极则为段极。否则,如果是将正极(阳极)内接在一起引出的,则称为共阳数码管,共同的引脚则称为共阳极,8个负极则为段极。

以单支共阴数码管为例,可将段极接到某端口Pn,共阴极接GND,则可编写出对应十六进制码的七段码表字节数据如右图:

16键码显示的程序

我们在P1端口接一支共阴数码管SLED,在P2、P3端口接16个按键,分别编号为KEY_0、KEY_1到KEY_F,操作时只能按一个键,按键后SLED显示对应键编号。

#i nclude

#define SLED P1

#define KEY_0 P2^0

#define KEY_1 P2^1

#define KEY_2 P2^2

#define KEY_3 P2^3

#define KEY_4 P2^4

#define KEY_5 P2^5

#define KEY_6 P2^6

#define KEY_7 P2^7

#define KEY_8 P3^0

#define KEY_9 P3^1

#define KEY_A P3^2

#define KEY_B P3^3

#define KEY_C P3^4

#define KEY_D P3^5

#define KEY_E P3^6

#define KEY_F P3^7

Code unsigned char Seg7Code[16]= //用十六进数作为数组下标,可直接取得对应的七段编码字节

// 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A b C d E F

{0x3f, 0x06, 0x5b, 0x4f, 0x66, 0x6d, 0x7d, 0x07, 0x7f, 0x6f, 0x77, 0x7c, 0x39, 0x5e, 0x

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