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SOT-223三极管封装尺寸对照表

SOT-223三极管封装尺寸对照表
SOT-223三极管封装尺寸对照表

三极管的封装及引脚识别

三极管的封装及引脚识别 三极管的封装形式是指三极管的外形参数,也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面,三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式;结构方面,三极管的封装为TO×××,×××表示三极管的外形;装配方式有通孔插装(通孔式)、表面安装(贴片式)和直接安装;引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO-92、TO-126、TO-3、TO-220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格,其外形结构和规格分别用字母和数字表示,如TO-162、TO-92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。

图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 (1)B型:B型分为B-1、B-2、…、B-6共6种规格,主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管,其中B-1、B-3型最为常用。引脚排列:管底面对自己,由管键起,按顺时针方向依次为E、B、C、D(接地极)。其封装外形如图2(a)所示。 (2)C型:引脚排列与B型相同,主要用于小功率。其封装外形如图2(b)所示。 (3)D型:外形结构与B型相同。引脚排列:管底面对自己,等腰三角形的底面朝下,按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2(c)所示。 (4)E型:引脚排列与D型相同,封装外形如图3(d)所示。 (5)F型:该型分为F-0、F-1~F-4共5种规格,各规格外形相同而尺寸不同,主要用于低频大功率管封装,使用最多的是F-2型封装。引脚排列:管底面对自己,小等腰三角形的庵面朝下,左为E,右为B,两固定孔为C。其封装外形如图2(e)所示。¨ (6)G型:分为G-1~G-6共6种规格,主要用于低频大功率晶体管封装,使用最多的是G-3、G-4型。其中G-1、G-2为圆形引出线,G-3~G-6为扁形引出线。引脚排列:管底面对自己,等腰三角形的底面朝下,按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2(f)所示。 2.塑料封装 (1)S-1型、S-2型、S-4型:用于封装小功率三极管,其中以S-1型应用最为普遍。S-1、S-2、S-3型管的封装外形如图2(g)、(h)、(i)所示。引脚排列:平面朝外,半圆形朝内,引脚朝上时从左到右为E、B、C。 (2)S-5型:主要用于大功率三极管。引脚排列:平面朝外,半圆形朝内,引脚朝上时从左到右为E、B、C。S-5型的封装外形如图2(j)所示。 (3)S-6lA、S-6B、S-7、S-8型:主要用于大功率三极管,其中以S-7型最为常用。S-6A 引脚排列:切角面面对自己,引脚朝下,从左到右依次为B、C、E。它们的引脚排列与外形分别如图5.12(k)、(l)、(m)、(n)所示。 (4)常见进口管的外形封装结构:TO-92与部标S-1相似,TO-92L与部标S-4相似,TO126与S-5相似,TO-202与部标S-7相似。

常用三极管型号及参数

常用三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W **NMO场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W ** NMO场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W ** NMO场效应 IRFP9240 200V 12A 150W ** PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W **PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W ** NMO场效应 IRFP450 500V 14A 180W **NMO场效应IRFP440 500V 8A 150W **NMO场效应IRFP353 350V 14A 180W **NMO场效应IRFP350 400V 16A 180W **NMO场效应IRFP340 400V 10A 150W **NMO场效应IRFP250 200V 33A 180W **NMO场效应IRFP240 200V 19A 150W **NMO场效应IRFP150 100V 40A 180W **NMO场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W **NMO场效应IRFP054 60V 65A 180W **NMO场效应IRFI744 400V 4A 32W **NMO场效应IRFI730 400V 4A 32W **NMO场效应IRFD9120 100V 1A 1W **NMO场效应IRFD123 80V 1.1A 1W **NMO场效应IRFD120 100V 1.3A 1W **NMO场效应IRFD113 60V 0.8A 1W **NMO场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W **NMO场效应

常用三极管参数大全

型号耐压(V)电流(A)功率(W) 型号耐压(V)电流(A)功率(W) B857 70V4A40W BU2508A 1500V8A125W BU2508AF1500V8A45W BU2508DF1500V8A45W BU2520AF1500V10A45W BU2520AX1500V10A45W BU2520D F 1500V10A45W BU2520DX1500V10A45W BU2522AF1500V10A45W BU2522AX1500V10A45W BU2522D F 1500V10A45W BU2522DX1500V10A45W BU2525AF1500V12A45W BU2525AX1500V12A45W BU2527AF1500V12A45W BU2527AX1500V12A45W BU2532AL1500V15A150W BU2532AW1500V16A125W BU2725D X 1700V12A45W BU406 400V5A60W BU4522AF1500V10A45W BU4522AX1500V10A45W BU4523AF1500V11A45W BU4523AX1500V11A45W BU4525AF1500V12A45W BU4525DF1500V12A45W BU4530AL1500V16A125W BU4530AW1500V16A125W BUH1015 1500V14A70W BUH315D 1500V6A44W BUT11A 1000V5A100W C3039 500V7A50W C3886A 1500V8A50W C3996 1500V15A180W C3997 1500V20A250W C3998 1500V25A250W c4242 450V7A40W C4288A 1600V12A200W C4532 1700V10A200W C4634 1500V0.01A2W C4686A 1500V50mA10W C4762 1500V7A50W C4769 1500V7A60W C4891 1500V15A75W C4897 1500V20A150W C4924 1500V10A70W C5027 1100V 50W C5039 800V5A30W C5045 1600V15A75W C5047 1600V25A25W C5048 1500V12A50W C5086 1500V10A50W C5088 1500V8A60W C5129 1500V10A50W C5142 1500V20A200W C5144 1700V20A200W C5148 1500V8A50W C5149 1500V8A50W C5243 1700V15A200W C5243 1700V15A200W C5244 1500V20A200W C5244A 1600V20A200W C5250 1500V8A50W C5251 1500V12A50W C5252 1500V15A50W C5294 1500V20A120W C5296 1500V8A60W C5297 1500V8A60W C5301 1500V20A120W C5302 1500V15A75W C5331 1500V15A180W C5386 1500V7A50W 三极管参数大全1

2SA935三极管封装TO-92L

A,Dec,2010 2. COLLECTOR JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA935 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z General Purpose Switching Application MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C = -50μA,I E = 0 -80 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-2mA,I B = 0 -80 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-50μA,I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-50V,I E = 0 -0.5 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-4V,I C = 0 -0.5 μA DC current gain h FE V CE =-3V, I C =-100mA 82 390 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA,I B =-50mA -0.4 V Collector output capacitance C ob V CB =-10V,I E =0, f=1MHz 20 pF Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-50mA 100 MHz CLASSIFICATION OF h FE RANK P Q R RANGE 82-180 120-270 180-390 Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -80 V V CEO Collector-Emitter Voltage -80 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -0.7 A P C Collector Power Dissipation 750 mW R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 167 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ https://www.sodocs.net/doc/363506859.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

全系列常用三极管型号参数资料(精)

全系列常用三极管型号参数资料 编者按:这些虽不能涵盖所有的三极管型号,例如3DD系列等,但是都是极其常用的型号,例如901系列,简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告,找到点参数型号确实不易。 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013

常用高清行管和大功率三极管主要参数表

常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号:大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在,大屏幕彩色电视大都是数字高清,原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点,所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度,即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行,这样就会使行扫描的频率提高一倍,自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加,普通的行输出管已经不能胜任,要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有:C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等,这些行输出管的耐压都在1500V以上,电流多大于20A,但是由于其功耗比较大,损坏率还是比较高。归纳起来,其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足,行管不能迅速截止与饱和,导致行管内阻变大,将造成行输出电路的功耗增加,引起行输出管发烫,一旦超过行管功耗的极限值,便会使行管烧坏。 在海信高清电视中,行振荡方波信号是由数字变频解码板输出,经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后,送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态,故障率相对较高,损坏后就会造成行激励不足,损坏行输出管,对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外,行管基极的限流电阻阻值一般为Ω,与行管的发射极串联,再与行激励变压器并联,若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障,且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高 在行逆程期间,偏转线圈会对逆程电容充电,逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小,充电时间越短,充电电压越高,因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以,当行一旦超过行管的耐压值,就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时,一般是测量电容的直流参数,而一些ESR等交流参数无法测量,所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降,产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善,则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善,所以这种情况不多见,表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的,电源设计比较合理,保护功能全,不像以前的老式电源电路,电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现,但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高,最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻,如果采用普通行管,发射结并联电阻的阻值比较小,会造成基极驱动电流小,激励不足,行电流过大(正常高清行电流在500mA~600mA)而再次损坏。更换行管后测量行电流,如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的,可将电阻阻值增大,甚至拿掉;如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的,可减小该电阻阻值,再次测量行电流,如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管

2SC4617贴片三极管 SOT-523三极管封装2SC4617参数

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC4617 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Low Cob:Cob=2.0pF(Typ) z Complement to 2SA1774 MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions M in T yp M ax U nit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =50uA, I E = 0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =1mA, I B =0 50 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =50uA, I C =0 7 V Collector cut-off current I CBO V CB =60V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =7V, I C =0 0.1 μA DC current gain h FE V CE =6V, I C = 1mA 120 560 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =50mA, I B = 5mA 0.4 V Transition frequency f T V CE =12V, I C =2mA, f=100MHz 180 MHz Collector output capacitance C ob V CB =12V, I E =0, f=1MHz 3.5 pF CLASSIFICATION OF h FE Rank Q R S Range 120-270 180-390 270-560 Marking BQ BR BS A,May,2011

三极管的封装形式

三极管的封装形式 是指三极管的外形参数,也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面,三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式;结构方面,三极管的封装为TO×××,×××表示三极管的外形;装配方式有通孔插装(通孔式)、表面安装(贴片式)和直接安装;引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO-92、TO-126、TO-3、TO-220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格,其外形结构和规格分别用字母和数字表示,如TO-162、TO-92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。

图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 (1)B型:B型分为B-1、B-2、…、B-6共6种规格,主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管,其中B-1、B-3型最为常用。引脚排列:管底面对自己,由管键起,按顺时针方向依次为E、B、C、D(接地极)。其封装外形如图2(a)所示。 (2)C型:引脚排列与B型相同,主要用于小功率。其封装外形如图2(b)所示。 (3)D型:外形结构与B型相同。引脚排列:管底面对自己,等腰三角形的底面朝下,按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2(c)所示。 (4)E型:引脚排列与D型相同,封装外形如图3(d)所示。 (5)F型:该型分为F-0、F-1~F-4共5种规格,各规格外形相同而尺寸不同,主要用于低频大功率管封装,使用最多的是F-2型封装。引脚排列:管底面对自己,小等腰三角形的庵面朝下,左为E,右为B,两固定孔为C。其封装外形如图2(e)所示。¨ (6)G型:分为G-1~G-6共6种规格,主要用于低频大功率晶体管封装,使用最多的是G-3、G-4型。其中G-1、G-2为圆形引出线,G-3~G-6为扁形引出线。引脚排列:管底面对自己,等腰三角形的底面朝下,按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2(f)所示。 2.塑料封装

三极管型号及参数

这些虽不能涵盖所有的三极管型号,例如3DD系列等,但是都是极其常用的型号,例如901系列,简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告,找到点参数型号确实不易。 S9013是NPN型三极管,放大倍数分为六级,在三极管上有标识: D级:64-91 E级:78-112 F级:96-135 G级:112-166 H级:144-220 I级:190-300 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D63328NPN音频功放开关100V7A40W达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V0. 5A0. 625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150HM Z9015 9015 21 PNP 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150MHZ 9014 901821NPN高频放大30V0.05A0.4W1000MHZ 805021NPN高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 855021PNP高频放大40V1.5A1W100MHZ8050 2N222221NPN通用60V0.8A0.5W25/200NS 2N23694ANPN开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N29074ANPN通用60V0.6A0.4W26/70NS 2N305512NPN功率放大100V15A115WMJ2955 2N34406NPN视放开关450V1A1W15MHZ2N6609 2N377312NPN音频功放开关160V16A50W 2N390421ENPN通用60V0.2A 2N290621CPNP通用40V0.2A 2N2222A21铁NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N671821铁NPN音频功放开关100V2A2W 2N540121PNP视频放大160V0.8050三极管引脚图6A0.625W100MHZ2N5551 2N555121NPN视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5401 2N568512NPN音频功放开关60V50A300W 2N627712NPN功放开关180V50A250W 901221PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 2N667812NPN音频功放开关650V15A175W15MHZ 9012贴片PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 3DA87A6NPN视频放大100V0.1A1W 3DG6B6NPN通用20V0.02A0.1W150MHZ 3DG6C6NPN通用25V0.02A0.1W250MHZ 3DG6D6NPN通用30V0.02A0.1W150MHZ MPSA4221ENPN电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92 MPSA9221EPNP电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA42 MPS2222A21NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ

三极管的主要参数

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-90 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140 9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100 详情如下: 90系列三极管参数 90系列三极管大多是以90字为开头的,但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的,它们的特性及管脚排列都是一样的。 9011 结构:NPN 集电极-发射极电压30V 集电极-基电压50V 射极-基极电压5V 集电极电流0.03A 耗散功率0.4W 结温150℃

特怔频率平均370MHZ 放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构:PNP 集电极-发射极电压-30V 集电极-基电压-40V 射极-基极电压-5V 集电极电流0.5A 耗散功率0.625W 结温150℃ 特怔频率最小150MHZ 放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构:NPN 集电极-发射极电压25V 集电极-基电压45V 射极-基极电压5V 集电极电流0.5A 耗散功率0.625W 结温150℃ 特怔频率最小150MHZ 放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

MMST4403贴片三极管 SOT-323三极管封装MMST4403规格参数

A,Oct,2010 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST4403 TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complementary To MMST4401 ● Small Surface Mount Package MARKING:K3T MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -40 V V CEO Collector-Emitter Voltage -40 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -600 mA P C Collector Power Dissipation 200 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-100μA, I E =0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA, I B =0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-100μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-35V, I E =0 -100 nA Collector cut-off current I CEO V CE =-35V, I B =0 -500 nA V CE =-1V, I C =-100μA 30 V CE =-1V, I C =-1mA 60 V CE =-1V, I C =-10mA 100 V CE =-2V, I C =-150mA 100 300 DC current gain h FE V CE =-2V, I C =-500mA 20 I C =-150mA, I B =-15mA -0.4 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -0.75 V I C =-150mA, I B =-15mA -0.75 -0.95 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -1.3 V Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-20mA , f=100MHz 200 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-10V, I E =0, f=1MHz 8.5 pF https://www.sodocs.net/doc/363506859.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

常用三极管参数

常用三极管参数 MPSA42 NPN 21E 电话视频放大300V0.5A0.625W MPSA92 PNP 21E 电话视频放大300V0.5A0.625W MPS2222A NPN 21 高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 9011 NPN EBC 高频放大50V30mA0.4W150MHz 9012 PNP 贴片低频放大50V0.5A0.625W 9012 PNP 低频放大50V0.5A0.625W 9013 NPN EBC 低频放大50V0.5A0.625W ] 9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W 9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ 9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ 9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ 8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ 8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ 2N2222 NPN 4A 高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=45 2N2222A NPN 小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N2369 NPN 4A 开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N2907 NPN 4A 通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=200 2N3055 NPN 12 功率放大100V15A115W 2N3440 NPN 6 视放开关450V1A1W15MHZ 2N3773 NPN 12 音频功放开关160V16A150W COP 2N6609 2N3904 NPN 21E 通用60V0.2Aβ=100-400 2N3906 PNP 21E 通用40V0.2Aβ=100-400

贴片三极管封装形式

贴片三极管封装 1A SOT323 BC846AW NPN 1A SOT416 BC846AT N BC546A 1A SOT89 PXT3904 NPN 1A SOT89 SXT3904 NPN -1A SOT323 PMST3904 N 2N3904 1A- SOT323 BC846AW N BC546A 1AM SOT23 MMBT3904L N 2N3904 1Ap SOT23 BC846A N BC546A 1At SOT23 BC846A N BC546A 1At SOT323 BC846AW N BC546A 1B SOT23 BC846B NPN 1B SOT23 BC846B N BC546B 1B SOT23 FMMT2222 NPN 1B SOT23 FMMT2222 N 2N2222 1B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A 1B SOT23 MMBT2222 NPN 1B SOT23 MMBT2222 N 2N2222 1B SOT23 PMBT2222 NPN 1B SOT23 SMBT2222 NPN 1B SOT23 YTS2222 NPN 1B SOT323 BC846BW NPN 1B SOT416 BC846BT N BC546B 1B SOT89 PXT2222 NPN -1B SOT323 PMST2222 N 2N2222 1B- SOT323 >BC846BW N BC546B

1Bs SC74 BC817UPN N 1Bt SOT23 BC846B N BC546B 1Bt SOT323 BC846BW N BC546B 1C SOT23 FMMT-A20 NPN 1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA20 1C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A 1C SOT23 MMBTA20 NPN 1C SOT23 MMBTA20L N MPS3904 1C SOT23 SMBTA20 NPN 1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode 1Cs SOT363 BC847S BC457 1D SOT23 BC846 NPN 1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A 1D SOT23 MMBTA42 NPN 1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn 1D SOT23 SMBTA42 NPN 1D SOT323 BC846W NPN 1D SOT89 SXTA42 NPN 1D- SOT323 BC846W N BC456 1DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners 1Dp SOT23 BC846 N BC456 1DR SC59 MSD1328-RT1 NPN 1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA 1Ds SC74 BC846U N BC456 1Ds SOT363 BC846U BC456 1Dt SOT23 BC846 N BC456 1Dt SOT323 BC846W N BC456 1E FMMT-A43 N MPSA43 1E SOT23 BC847A NPN 1E SOT23 BC847A N BC547A 1E SOT23 FMMT-A43 NPN 1E SOT23 MMBTA43 NPN 1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn 1E SOT23 SMBTA43 NPN 1E SOT323 BC847AW NPN 1E SOT416 BC847AT N BC547A 1E SOT89 SXTA43 NPN 1E- SOT323 BC847A N BC547A 1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners 1Ep SOT23 BC847A N BC547A 1ER SOT23R BC847AR R BC547A 1Es SOT23 BC847A N BC457 1Es SOT323 BC847AW N BC457

部分常见三极管参数大全

部分常见三极管参数大全[1] 晶体管型号反压Vbe0电流IC m功率PCM放大系数特征频率管子类型2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SC752G 40V 0.2A 0.2W * * NPN 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA933S 50V 0.1A 0.9W * * PNP BF324 30V 0.26A 0.25W * * PNP BD941F 120V 3A 19W * * NPN BC636 45V 1A 0.8W * * PNP 2SD1480 80V 4A 25W * * NPN 2SC3271 300V 0.1A 5W * * NPN 2SC2688 300V 0.2A 10W * * NPN 2SC1875 50V 0.15A 0.4W * * NPN 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SD1138C 150V 2A 30W * * NPN 2SB882 60V - 1.7W * * PNP 2SC2377 20V 0.015A 0.2W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IR FP G42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型

常用三极管参数

常用三极管参数 三极管系列品名极性管脚功能参数 MPSA42 NPN21E 电话视频放大300V0.5A0.625W MPSA92 PNP21E 电话视频放大300V0.5A0.625W MPS2222A NPN21 高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 9011 NPN EBC 高频放大50V30mA0.4W150MHz 9012 PNP贴片低频放大50V0.5A0.625W 9013 NPN EBC 低频放大50V0.5A0.625W 9013 NPN贴片低频放大50V0.5A0.625W 9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ 9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ 9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ 8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ 8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ 2N2222 NPN 4A 高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=45 2N2222A NPN小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N2369 NPN 4A 开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N2907 NPN 4A 通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=200 2N3055 NPN 12 功率放大100V15A115W 2N3440 NPN 6 视放开关450V1A1W15MHZ 2N3773 NPN 12 音频功放开关160V16A150W COP 2N6609 2N3904 NPN 21E 通用60V0.2Aβ=100-400 2N3906 PNP 21E 通用40V0.2Aβ=100-400 2N5401 PNP 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ 2N5551 NPN 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ 2N5685 NPN 12 音频功放开关60V50A300W 2N6277 NPN 12 功放开关180V50A250W 2N6609 PNP 12 音频功放开关160V15A150W COP 2N3773 2N6678 NPN 12 音频功放开关650V15A175W15MHZ 2N6718 NPN小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ 3DA87A NPN 6 视频放大100V0.1A1W 3DG6A NPN 6 通用15V20mA0.1W100MHz 3DG6B NPN 6 通用20V20mA0.1W150MHz 3DG6C NPN 6 通用20V20mA0.1W250MHz 3DG6D NPN 6 通用30V20mA0.1W150MHz 3DG12C NPN 7 通用45V0.3A0.7W200MHz 3DK2B NPN 7 开关30V30mA0.2W 3DK4B NPN 7 开关40V0.8A0.7W 3DK7C NPN 7 开关25V50mA0.3W 3DD15D NPN 12 电源开关300V5A50W 3DD102C NPN 12 电源开关300V5A50W 3522V 5.2V稳压管录像机用 A634 PNP 28E 音频功放开关40V2A10W A708 PNP 6 NF/S 80V0.7A0.8W

三极管参数表

|常用三极管参数表 下表是常用三极管的一些参数以及替换型号器件型号电压电流代换型号 3DG9011 50V 2N4124 CS9011 JE9011 9011 50V LM9011 SS9011 9012 40V LM9012 9012(HH) 40V SS9012 9012LT1 40V A1298 3DG9013 40V CS9013 JE9013 & 9013 40V LM9013 9013(HH) 40V SS9013 9013LT1 40V C3265 3DG9014 50V CS9014 JE9014 9014 50V LM9014 SS9014 9014LT1 50V C1623 9015 50V LM9015 SS9015 TEC9015 50V BC557 2N3906 TEC9015A 50V BC557 2N3906 TEC9015B 50V BC557 2N3906 [

TEC9015C 50V BC557 2N3906 3DG9016 30V JE9016 9016 30V SS9016 TEC9016 40V BF240 BF254 BF594 8050 40V SS8050 8050LT1 40V KA3265 ED8050 50V BC337 SDT85501 60V 10A 3DK104C SDT85502 80V 10A 3DK104C SDT85503 100V 10A 3DK104D ~ SDT85504 140V 10A 3DK104E SDT85505 170V 10A 3DK104F SDT85506 60V 10A 3DK104C SDT85507 80V 10A 3DK104C SDT85508 100V 10A 3DK104D SDT85509 140V 10A 3DK104E ED8550 50V BC337 8550 40V LM8550 SS8550 8550LT1 40V KA3265 2SA1015 50V BC177 BC204 BC212 BC213 BC251 BC257 BC307 BC512 BC557 CG1015 CG673 ¥

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