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压电陶瓷性能参数解析.

压电陶瓷性能参数解析.
压电陶瓷性能参数解析.

上角标S表示机械夹持条件。由于在机械自由条件下存在由形变而产生的附加电场,而在机械受夹条件下则没有这种效应,因而在两种条件下测得的介电常数数值是不同的。

根据上面所述,沿3方向极化的压电瓷具有四个介电常数,即ε11T,ε33T,

ε

11S,ε

11

S。

(2)介质损耗

介质损耗是包括压电瓷在的任何介质材料

所具有的重要品质指标之一。在交变电场下,介质

所积蓄的电荷有两部分:一种为有功部分(同相),

由电导过程所引起的;一种为无功部分(异相),

是由介质弛豫过程所引起的。介质损耗的异相分量

与同相分量的比值如图1-1所示,Ic为同相分量,

IR为异相分量,Ic与总电流I的夹角为δ,其正切

值为

(

1-4)

式中,ω为交变电场的角频率,R为损耗电阻,C为介质电容。由式(1-4)可以看出,I R大时,tanδ也大;I R小时tanδ也小。通常用tanδ来表示的介质损耗,称为介质损耗正切值或损耗因子,或者就叫做介质损耗。

处于静电场中的介质损耗来源于介质中的电导过程。处于交变电场中的介质损耗,来源于电导过程和极化驰豫所引起的介质损耗。此外,具有铁电性的压电瓷的介质损耗,还与畴壁的运动过程有关,但情况比较复杂,因此,在此不予详述。

(3)弹性常数

压电瓷是一种弹性体,它服从胡克定律:“在弹性限度围,应力与应变成正比”。设应力为T,加于截面积A的压电瓷片上,其所产生的应变为S,则根据胡克定律,应力T与应变S之间有如下关系S=sT

(1-5)

T=cS

(1-6)

式中,S为弹性顺度常数,单位为m2/N;C为弹性劲度常数,单位为N/m2。

但是,任何材料都是三维的,即

当施加应力于长度方向时,不仅在长

度方向产生应变,宽度与厚度方向上

也产生应变。设有如图1-2所示的薄

长片,其长度沿1方向,宽度沿2方

向。沿1方向施加应力T1,使薄片在

1方向产生应变S1,而在方向2上产

生应变S2,由(1-5)式不难得出

S1=S11T1(1-7)

S

2=S12T1(1-8)

上面两式弹性顺度常数S

11和S12之比,称为迫松比,即

(1-9)

它表示横向相对收缩与纵向相对伸长之比。

同理,可以得到S

13,S21,S22,其中,S22=S11,S12=S21。极化过的压电瓷,其独立的弹性顺度常数只有5个,即S11,S12,S13,S33和S44。

独立的弹性劲度常数也只有5个,即C

11,C12,C13,C33和C44.

由于压电瓷存在压电效应,因此压电瓷样品在不同的电学条件

下具有不同的弹性顺度常数。在外电路的电阻很小相当于短路,或电场强度E=0的条件下测得的称为短路弹性顺度常数,记作S E。在外电路的电阻很大相当于开路,或电位移D=0的条件下测得的称为开路弹性顺度常数,记作S D。由于压电瓷为各向异相性体,因此共有下列10个弹性顺度常数:

S E 11,S E

12,S

E

13,S

E

33,S

E

44,S

D

11,S

D

12,S

D

13,S

D

33,S

D

44。

同理,弹性劲度常数也有10个:

C E

11,C E

12,C

E

13,C

E

33,C

E

44,C

D

11,C

D

12,C

D

13,C

D

33,C

D

44。

(4)机械品质因数

机械品质因数也是衡量压电瓷的一个重要参数。它表示在振动转换时材料部能量消耗的程度。机械品质因数越大,能量的损耗越小。产生损耗的原因在于摩擦。机械品质因数可以根据等效电路计算而得:

(1-10) 式中,R1为等效电阻,ωS为串联谐振角频率,C1为振子谐振时的等效电容,其值为

(1-11) 其中,ωp为振子的并联谐振角频率,Co为振子的静电容。以此值代入式1-10,得到

(1-12)

(1-13)

当△f=fp-fs很小时,式1-13可简化为

(1-14) 不同的压电瓷元器件对压电瓷的Qm值有不同的要求,多数瓷滤波器要求压电瓷的Qm要高,而音响元器件及接收型换能器则要求Qm要低。

(5)压电常数

对于一般的固体,应力T只引起成比例的应变S,用弹性模量联系起来,即T=YS;压电瓷具有压电性,即施加应力时能产生额外的电荷。其所产生的电荷与施加的应力成比例,

对于压力和力来说,其符号是相反的,用介质电位移D(单位面积的电荷)和应力T(单位面积所受的力)表示如下:

D=Q/A=dT (1-15)

式中,d的单位为库仑/牛顿(C/N)

这正是正压电效应。还有一个逆压电效应,既施加电场E时成比例地产生应变S,

其所产生的应变为膨胀或为收缩取决于样品的极化方向。

S=dE (1-16)

式中,d的单位为米/伏(m/v)。

上面两式中的比例常数d称为压电应变常数。对于正和逆压电效应来讲,d在数值上是相同的,即有关系

(1-17)对于企图用来产生运动或振动(例如,声纳和超声换能器)的材料来说,希望具有大的压电应变常数d。

另一个常用的压电常数是压电电压常数go,它表示应力所产生的电场,或应变所产生的电位移的关系。常数g与常数d之间的关系如下:

g=d/e (1-18)

对于由机械应力而产生电压(例如留声机拾音器)的材料来说,希望具有高的压电电压常数g。

此外,还有不常用的压电应力常数e和压电劲度常

数h;e把应力T和电场E联系起来,而h把应变S和电场

E联系起来,既

T=-eE

(1-19)

E=-hS

(1-20)

与介电常数和弹性常数一样,压电瓷的压电常数也

与方向有关,并且也需考虑“自由”,“夹持”、“短路”、

“开路”等机械的和电学的边界条件。因此,也有许多个压

电常数。现以压电瓷薄长片样品为例说明之,如图1-3所示。

(1-21)

设有薄长片的极化方向与方向3平行,而电极面与方向3垂直。

在短路即电场E=0的条件下,薄长片受沿方向1的应力T

1的作用时,压电常数d31与电位移D3,应力T1之间的关系如下:

在机械自由,即T=0的条件下,薄长片只受到方向3的电场强度E3的作用时,压电常数d31与应变S1及电场E3之间有如下的关系:

(1-22)

在开路,即D=0的条件下,薄长片只受到伸缩应力T

1的作用时,压电常数g31与应力T1及电场E3之间的关系为:

(1-23)

在机械自由,即T=0的条件下,薄长片只受到沿方向3电位移D

3的作用时,压电常数g31与电位移D3及应变S1之间的关系为:

(1-24)

从式(1-21)至(1-24)可以看出,如果选择(T,E)为自变量时,相应的压电常数为d;如果选择(T,D)为自变量时,相应的压电常数为g。同理,选择(S,E)为自变量时,其边界条件为机械夹持或电学短路,选择(S,D)为自变量,其边界条件为机械夹持或电学开路,则相应的压电常数各为e和h。它们之间有如下的关系:

(1-25)

(1-26)

由此可见,由于选择不同的自变量或测量时所处的边界条件不同,可得d、g、e、h 四组压电常数,而其中用得最多的是压电常数d。考虑到压电瓷材料的各向异性,所以它有如下四组压电常数:

d31=d32,d33,d15=d24

g31=g32,g33,g15=g24

e31=e32,e33,e15=e24

h31=h32,h33,h15=h24

这四组压电常数并不是彼此独立的,知道其中一组,即可求出其它三组。

以上讨论的是压电瓷材料的压电性和压电常数。反映压电瓷的弹性变量即应力、应变和电学变量即电场,电位移之间的关系的方程式称为压电方程。由图1-3不难得出以下压电瓷的压电方程:

(1-27)

(1-28)

上面式(1-27)代表正压电效应,而式(1-28)代表逆压电效应。对于不同的边界条件和不同的自变量,可以得到不同的压电方程组。由于压电振子有四类边界条件,故有四类不的压电方程。式1-27及式1-28所示为第一类压电方程,这四类压电方程的通式列于表1-1中。

方程名称压电方程通式

第一类压电方程

第二类压电方程

第三类压电方程

第四类压电方程

注:① i,j=1,2,3,4,5,6; m,n=1,2,3.

②βT n m为自由介质隔离率(m/F),βS n m为夹持介质隔离率(m/F)。

(6)机电耦合系数

机电耦合系数K是综合反映压电材料性能的参数,它表示压电材料的机械能与电能之间的耦合效应。机电耦合系数可定义为

由于压电元器件的机械能与它的形状和振动模式有关,因此,不同形状和不同振动模式对应的机电耦合系数也不相同。压电瓷的机电耦合系数列于表1-2中,它们的计算方式可从压电方程中导出。

表1-2

K 振子形状和电极不为零的应力应变分

K31沿1方向长片,3面电极T1;S1,S2,S3 K33沿3方向长圆棒,3端面电极T3,S1=S2,S3

K p 垂直于3方向的圆片的径向振动,3面电

T1=T2,S1=S2,S3

K t平行3方向的圆片的厚度振动,3面电极T1=T2;T3;S2

K15垂直于2方向的面的切变振动,1面电极T4;S4

(7)频率常数

频率常数是谐振频率和决定谐振的线度尺寸的乘积。如果外加电场垂直于振动方向,则谐振频率为串联谐振频率;如果电场平行于振动方向,则谐振频率为并联谐振频率。因此,对于31和15模式的谐振和对于平面或径向模式的谐振,其对应的频率常数为N E1,N E5和

N E P,而33模式的谐振频率常数为N D3。

对于一个纵向极化的长棒来说,纵向振动的频率常数通常以N D

3表示;对于一个厚度防线极化的任意大小的薄圆片,厚度伸缩振动的频率常数通常以N D t表示。圆片的N D t和N D p是重要的参数。

除了频率常数N D

p外,其它的频率常数等于瓷体中主声速的一半,即N D=1/2(S D

p m)

-1/2和N E=1/2(S E

p m)

-1/2,式中,S D=S E(1-K2),各频率常数具有相应的下角标。

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