A Graphene Field-Effect Device
282IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,VOL.28,NO.4,APRIL2007
A Graphene Field-Effect Device
Max C.Lemme,Senior Member,IEEE,Tim J.Echtermeyer,Matthias Baus,and Heinrich Kurz
Abstract—In this letter,a top-gated?eld-effect device(FED) manufactured from monolayer graphene is investigated.Ex-cept for graphene deposition,a conventional top-down CMOS-compatible process?ow is applied.Carrier mobilities in graphene pseudo-MOS structures are compared to those obtained from the top-gated Graphene-FEDs.The extracted values exceed the universal mobility of silicon and silicon-on-insulator MOSFETs.
Index Terms—Field effect,graphene,mobility,MOSFET, transistor.
I.I NTRODUCTION
M OORE’S LAW,the scaling rule of thumb turned dogma, has dictated ambitious innovation cycles in silicon tech-nology over the last four decades[1],[2].Along the way,it has provided the fundamental CMOS technology for today’s global information society.While the end of silicon has been predicted a number of times for technological reasons,it has not only persevered but is in fact set to remain the driving technology for at least15more years.Even beyond this silicon horizon,a demise of CMOS technology is unlikely.Instead,a range of add-on technologies is envisioned to boost the silicon workhorse.
One of the most promising future options to enhance silicon is the introduction of carbon-based electronics[3].In recent years,intriguing electrical properties have been found in car-bon nanotubes(CNTs)[4].The major disadvantage of CNTs, however,is their random distribution,which clearly hampers their utilization as a replacement for silicon as a substrate. This leaves two options for carbon-electronics:either self-organization methods for CNTs or carbon“substrates,”thin layers with similar properties to CNTs.
Two-dimensional carbon sheets of single and few layers (graphene)have only recently been demonstrated to be thermo-dynamically stable[5].Monolayer graphene consists of sp2-bonded carbon atoms arranged in a dense honeycomb crystal structure.It is a semimetal with an extremely small overlap between the valence and the conduction band(zero-gap mate-rial).In its3-D graphite structure,graphene sheets are weakly coupled between the layers with van der Waals forces.
Manuscript received December6,2006;revised January11,2007.This work was supported by the German Federal Ministry of Education and Research (BMBF)under Contract NKNF03X5508(“ALEGRA”).The review of this letter was arranged by Editor B.Yu.
M. C.Lemme is with the Advanced Microelectronic Center Aachen (AMICA),AMO GmbH,52074Aachen,Germany(e-mail:lemme@amo.de). T.J.Echtermeyer and M.Baus are with the Institute of Semiconductor Electronics,RWTH Aachen University,52074Aachen,Germany.
H.Kurz is with the Advanced Microelectronic Center Aachen(AMICA), AMO GmbH,52074Aachen,Germany and also with the Institute of Semicon-ductor Electronics,RWTH Aachen University,52074Aachen,Germany. Digital Object Identi?er10.1109/LED.2007.891668
The2-D nature of graphene has been con?rmed by exper-
imental observation of the quantum Hall effect[6].Excellent
electronic properties with reported carrier mobilities between
3000and27000cm2/V·s make it an extremely promising
material for future nanoelectronic devices[5],[7].The carrier
transport in graphene takes place in theπ-orbitals perpendicular
to the surface[8],and the extraordinary transport properties
have been attributed to a single spatially quantized subband
populated by electrons with a mass of m e≈0.06m0or by light and heavy holes with masses of m h≈0.03m0and m h≈0.1m0[5].With a mean-free path for carriers of L=400nm
at room temperature,ballistic devices seem feasible,even at
relaxed feature sizes compared to the state-of-the-art CMOS
technology.The major advantage of graphene over CNTs is its
planar form,which generally allows for highly developed top-
down CMOS-compatible process?ows.
So far,experimental data have been mainly obtained from
mono-or few-layer graphene on oxidized silicon wafers
(graphene-on-insulator)or decomposed intrinsic silicon carbide
[5]–[7].Here,the so-called pseudo-MOS structures have been
investigated where the surface of the graphene has been left un-
covered.This is not a realistic device situation since a graphene
transistor would require an insulator and an electrode on top of
the graphene.In contrast to the previous work on back-gated
graphene,a top-gated graphene?eld-effect device(Graphene-
FED)is presented in this letter.The effect of the top gate on
carrier transport is studied.In addition,the carrier mobility in
graphene is compared to the universal mobility of silicon and to
the literature data of ultrathin body silicon-on-insulator(SOI)
devices.
II.E XPERIMENT
P-type silicon wafers(100)with a boron doping concen-
tration of N A=1015cm?3have been thermally oxidized to
a SiO2thickness of t ox=300nm.Graphene has then been
deposited onto the silicon dioxide according to the method
described in[5]and visually inspected to identify a suitable
few-layer graphene?ake.Titanium(Ti)/gold(Au)contacts
have been evaporated after optical lithography and structured
by lift-off.Next,electron beam lithography has been used to
de?ne a gate electrode on top of the graphene.Finally,a gate
stack of silicon dioxide(20nm),Ti(10nm),and Au(100nm)
has been evaporated followed once again by a lift-off process.
A scanning electron microscope(SEM)image of the FED is
shown in Fig.1.The graphene?ake has a total length from
source to drain of L=7.3μm,a width of W=265nm at
the gate region,and a gate length of L=500nm.A graphene
thickness of t=1.5nm has been determined by the atomic
force microscopy after electrical characterization.Raman
0741-3106/$25.00?2007IEEE
LEMME et al.:GRAPHENE FIELD-EFFECT DEVICE283
Fig.1.SEM image of a graphene transistor.
Fig.2.Back-gate transfer characteristics of the Graphene-FED with and
without a top gate.
spectroscopy of the FED(not shown)has identi?ed the pres-
ence of a single graphene layer,as it exhibits the characteristic
trait of monolayer graphene?rst published in[9].
III.R ESULTS AND D ISCUSSION
Fig.2compares the back-gate transfer characteristics
(log I d–V bg)of the Graphene-FED before and after fabrication
of the top gate.A constant source–drain voltage of V ds=
100mV has been applied,and the back-gate?eld has been
swept from E bg=?3.5MV/cm to E bg=3.5MV/cm while
measuring the drain current through the graphene layer.With-
out a top gate,the electrical?eld applied by the back gate
modulates the drain current by almost one order of magnitude
(Fig.3,black dots).Potentially,the gate modulation can be im-
proved by using nanoribbons[10]or bilayer graphene[11]with
a larger band gap than the semimetallic monolayer graphene.
While the ambipolar behavior is observed,the hole conduction
is favored over the electron conduction:Negative back-gate
?elds result in higher drain–current modulation compared to
positive back-gate?elds.The reason is not clearly identi?ed
284IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,VOL.28,NO.4,APRIL2007
mobility has been found to drop belowμe=70cm2/V·s in t Si=2.5nm?lms[17]both in(100)silicon at room temperature.
The top-gate transfer characteristics of the Graphene-FED are shown in Fig.3for three different back-gate?elds E bg. The drain current I d is clearly modulated by the top-gate?eld E tg.For the increasing negative top-gate?elds,a constant increase in the hole current is observed.For the positive top-gate?elds,however,there is a distinct plateau between～0.1 and～0.4MV/cm,presumably due to the oxide defects.The back-gate?eld E bg induces an offset of the top-gate transfer characteristics without changing the ambipolar signature.This is attributed rather to the series resistance modulation in the graphene leads next to the top gate rather than the modulation of the FED channel resistivity alone.
IV.C ONCLUSION
In this letter,the top-gated transistor-like FEDs manufactured from monolayer graphene are investigated—to the best of our knowledge—for the?rst https://www.sodocs.net/doc/3a16050979.html,pared to the pseudo-MOS structures with uncovered graphene,an additional“standard”transistor gate with SiO2dielectric reduces the electron and hole mobility.Despite the limiting effect of the top-gate elec-trode,carrier mobilities have been extracted that clearly exceed the universal mobility in silicon and,even more,the literature data of ultrathin body SOI MOSFETs.Furthermore,the top gate has been used to modulate the drain current,con?rming that the?eld effect resulting from the combined action of top and back gates can be applied to graphene devices.While band-gap tuning[10],[11]will be mandatory to improve the device characteristics,this letter con?rms the impressive potential of graphene for future electronic devices.
A CKNOWLEDGMENT
One of the authors,M.C.Lemme,would like to thank L.Risch(Qimonda,Dresden)for the fruitful discussions and his encouragement for this exciting topic.The authors would like to thank J.Bolten and T.Wahlbrink(AMO,Aachen)for their e-beam lithography support and M.Ramsteiner(Paul-Drude-Institut,Berlin)for the Raman spectroscopy.
R EFERENCES
[1]G.E.Moore,“Cramming more components onto integrated circuits,”
Electronics,vol.38,no.8,pp.114–117,Apr.1965.
[2]R.H.Dennard,F.H.Gaensslen,L.Kuhn,and H.N.Yu,“Design of micron
MOS switching devices,”in IEDM Tech.Dig.,1972,pp.168–170.
[3]R.Chau,S.Datta,M.Doczy, B.Doyle, B.Jin,J.Kavalieros,
A.Majumdar,M.Metz,and M.Radosavljevic,“Benchmarking nano-
technology for high-performance and low-power logic transistor applica-tions,”IEEE Trans.Nanotechnol.,vol.4,no.2,pp.153–158,Mar.2005.
[4]Y.-M.Lin,J.Appenzeller,C.Zhihong,Z.-G.Chen,H.-M.Cheng,and
P.Avouris,“High-performance dual-gate carbon nanotube FETs with 40-nm gate length,”IEEE Electron Device Lett.,vol.26,no.11,pp.823–825,Nov.2005.
[5]K.S.Novoselov,A.K.Geim,S.V.Morozov,D.Jiang,Y.Zhang,
S.V.Dubonos,I.V.Grigorieva,and A.A.Firsov,“Electric?eld effect in atomically thin carbon?lms,”Science,vol.306,no.5696,pp.666–669, Oct.2004.
[6]Y.Zhang,Y.-W.Tan,H.L.Stormer,and P.Kim,“Experimental observa-
tion of the quantum Hall effect and Berry’s phase in graphene,”Nature, vol.438,no.7065,pp.201–204,Nov.2005.
[7]C.Berger,Z.Song,X.Li,X.Wu,N.Brown,C.Naud,D.Mayou,T.Li,
J.Hass,A.N.Marchenkov,E.H.Conrad,P.N.First,and W.A.de Heer,“Electronic con?nement and coherence in patterned epitaxial graphene,”
Science,vol.312,no.5777,pp.1191–1196,Apr.2006.
[8]S.Banerjee,M.Sardar,N.Gayathri,A.K.Tyagi,and B.Raj,“Enhanced
conductivity in graphene layers and at their edges,”Appl.Phys.Lett., vol.88,no.6,pp.62111-1–62111-3,Feb.2006.
[9]A.C.Ferrari,J.C.Meyer,V.Scardaci,C.Casiraghi,https://www.sodocs.net/doc/3a16050979.html,zzeri,F.Mauri,
S.Piscanec,D.Jiang,K.S.Novoselov,S.Roth,and A.K.Geim,“Raman spectrum of graphene and graphene layers,”Phys.Rev.Lett.,vol.97, no.18,pp.187401-1–187401-4,Nov.2006.
[10]Y.-W.Son,M.L.Cohen,and S.G.Louie,“Energy gaps in graphene
nanoribbons,”Phys.Rev.Lett.,vol.97,no.21,pp.216803-1–216803-4, Nov.2006.
[11]T.Ohta,A.Bostwick,T.Seyller,K.Horn,and E.Rotenberg,“Controlling
the electronic structure of bilayer graphene,”Science,vol.313,no.5789, p.18,Aug.2006.
[12]E.H.Hwang,S.Adam,S.Das Sarma,and A.K.Geim,“Transport
in chemically doped graphene in the presence of adsorbed molecules,”
ArXiV Condensed Matter e-Prints,Oct.2006.cond-mat/0610834. [13]K.W.K.Shung,“Dielectric function and plasmon structure of stage-1
intercalated graphite,”Phys.Rev.B,Condens.Matter,vol.34,no.2, pp.979–993,Jul.15,1986.
[14]S.-I.Takagi,A.Toriumi,M.Iwase,and H.Tango,“On the universality
of inversion layer mobility in Si MOSFETs:Part I—Effects of substrate impurity concentration,”IEEE Trans.Electron Devices,vol.41,no.12, pp.2357–2362,Dec.1994.
[15]Z.Ren et al.,“Examination of hole mobility in ultra-thin body SOI
MOSFETs,”in IEDM Tech.Dig.,2002,pp.51–54.
[16]K.Uchida and S.Takagi,“Carrier scattering induced by thickness
?uctuation of silicon-on-insulator?lm in ultrathin-body metal–oxide–semiconductor?eld-effect transistors,”Appl.Phys.Lett.,vol.82,no.17, pp.2916–2918,Apr.2003.
[17]G.Tsutsui and T.Hiramoto,“Mobility and threshold-voltage comparison
between(110)-and(100)-oriented ultrathin-body silicon MOSFETs,”
IEEE Trans.Electron Devices,vol.53,no.10,pp.2852–2588,Oct.2006.
浅析苏联解体的原因及教训
浅析苏联解体的原因及教训 曾经最大的社会主义国家苏联，突然之间瞬间崩溃。苏联的迅速解体轰动了全世界，给大部分国家敲醒了警钟，苏联的解体并不是一蹴而就的，而是长时间积累形成的。作为一个军事强大、科技发达的国家的迅速解体，其原因必定是多种因素集合于一体。所以文中就苏联解体的原因进行了详细的分析，对其教训也进行了深刻的总结。 标签：苏联解体；原因；教训 一、苏联解体的原因 在苏联解体前的很长一段时间内，国内并没有出现革命进程，在意识形态和民族解放运动方面也没有强烈的波动，它的瓦解是在众多极具微弱的冲击下形成的。不仅对于苏联，对于苏联共产党来说，它们聚集多年所埋下的祸根和各种非正常下的细微变化已经蔓延开来，这些病变已经逐渐浸入到國家最关键的部分。苏联的覆没，不仅仅对整个国际共产主义运动有所改变，甚至是对世界格局都有着重大的影响。 （一）主体原因 1.苏共的高度集权 一直以来，苏共在国家的日常管理工作上投入过多，以此形成了党政不分的一种情况，苏共将国家和社会事务纳入自己的权力之内，以党代政。所以在某种程度上，国家的政治领导能力下降。对于社会主义国家来说，尤其是在国家的政治领导方面，共产党必须对其履行职责，因为党是代表全国人民对国家和社会进行管理，用手中的政权去进行政治统治。像苏联共产党内这样个人专断的统治行为，严重的破坏了社会主义法治，使之与群众逐渐脱离，除此之外，他们也使党内的机关和组织变成了自己的组织，完全形成了高度集权的政治体制。 2.僵化的理论思想 苏联共产党作为一个无产阶级政党，应该随着社会的发展完善其体制，但凡发现错误的迹象及时修正，那么苏联的悲剧也不会发生了。思想理论是作为意识形态在国家内部进行传播，而意识形态决定了国家发展的趋势，但是苏共对马克思主义僵化的理论思想以及对其理论的教条看法，严重的影响了国家内部的发展。在列宁去世以后，苏共的领导人员把社会主义向共产主义过渡的这个过程简单化，从本本主义出发，将社会主义向共产主义实现过程的阶段教条化，这种形而上学的做法完全摈弃了现在的生活。同时，斯大林没有看到资本主义的新变化，他只根据列宁关于帝国主义的理论，就得出资本主义已经陷入“总的和根本的危机”，危机必然以无产阶级革命的胜利而告终的“总危机”理论[1]。
常用网络设备(华为思科港湾HP)巡检命令大全
网络设备安全巡检命令参考 为了提高安全巡检工作效率，快速完成对网络设备交换机、路由器和防火墙的例行巡检，建议利用SecureCRT终端登录管理工具及拷贝粘贴批处理命令脚本快速完成网络设备巡检数据采集工作。 客户设备本地或远程登录统一采用SecureCRT工具，对所有巡检客户网络设备预先编辑好登录脚本，方便后期巡检和维护快速登录客户设备。 对要巡检的客户采用以下批处理执行命令快速完成数据采集任务。在执行以下批处理命令前先使用SecureCRT软件设置log session 到一个新建txt文件，然后选取全部以下命令拷贝粘贴到设备特权模式"#"下，以下命令所显示的信息会自动发送到新建的txt文件里。
目录 1CISCO网络设备例行巡检数据采集任务 (3) 1.1CISCO交换机 (3) 1.2CISCO 路由器 (3) 1.3CISCO 防火墙 (4) 1.4CISCO网络设备巡检命令解释 (5) 2华为网络设备例行巡检数据采集任务 (7) 2.1华为交换机 (7) 2.2华为路由器 (7) 2.3华为网络设备巡检命令解释 (7) 3H3C网络设备例行巡检数据采集任务 (7) 3.4H3C交换机 (7) 3.5H3C 路由器 (7) 3.6H3C网络设备巡检命令解释 (7) 4港湾网络设备例行巡检数据采集任务 (8) 4.7港湾交换机 (8) 4.8港湾路由器 (9) 4.9港湾网络设备巡检命令解释 (9) 5HP网络设备例行巡检数据采集任务 (9) 5.10HP交换机 (9) 5.11HP 路由器 (9) 5.12HP网络设备巡检命令解释 (9)
1CISCO网络设备例行巡检数据采集任务 1.1 CISCO交换机 ================================================================== terminal length 0 show runn show ver show ip socket show ip socket detail show tcp show clock show vtp status show vtp pass show env all show inventory show spanning root show spanning block show spanning show cdp nei show cdp nei det show arp show mac-address-table dir all- show inter status show inter summ show inter | i errors|FastEthernet|GigabitEthernet clear counters show proc cpu | ex 0.00% show proc mem show debug sh logging show ip route terminal length 45
苏联解体的原因分析
《科学社会主义理论与实践结业论文》 西方人看苏联解体的原因 学院：研究生部 班级：建研111 姓名：李佳 学号：2201100468 日期：2011年11月
西方人看苏联解体的原因 摘要:西方学术界对苏联解体原因的研究具有很强的意识形态特征，在研究苏联解体原因的过程中，西方学术界也形成了不同的派别，以笔者所接触到的资料，按分析方法将其分为总体分析法和个案分析法两大类。在此，本文拟就有关著作和文章的观点进行综述。 关键词:苏联解体;西方学术界;原因分析;意识形态 苏联演变曾经被人们称为20世纪的“历史之谜”。西方学术界对苏联解体原因的研究具有很强的意识形态特征，许多评论也未必切中要害，甚至有违苏联解体过程中的历史事实，而只是西方意识形态的直接反映。但是，西方学术界对苏联解体原因的研究在学术上依然有一定的积累，包括有一些精辟的见解。在研究苏联解体原因的过程中，西方学术界也形成了不同的派别，以笔者所接触到的资料，按分析方法将其分为总体分析法和个案分析法两大类。在此，拟就有关著作和文章的观点进行综述。 一、苏联解体原因的总体分析 总体分析是指一些西方学者从总体的角度深人进行分析，强调多种因素综合造成了苏联的解体。这种观点认为苏联解体是多种内生条件和外生因素交互作用的结果。 在分析内生条件时，一些学者分别论述了作为政治领袖的戈尔巴乔夫、经济战略的失败、反对派的作用、国家的转型失败、体制弊端、意识形态问题、民族问题、帝国过度扩张等因素在苏联解体中的作用，并且强调了这些因素的相互影响。苏联剧变中首要的因素是现存社会主义在同西方的经济竞赛中失败了。特别是第三次科技革命以来，苏联的中央集权经济不能同发达资本主义国家的经济并驾齐驱。假使苏东的经济发展成功了，人民对社会的不满情绪、对民
基本网络配置命令
即用即查Linux命令行实例参考手册代码 第13章基本网络配置命令 配置或显示网络设备——ifconfig ifconfig命令语法： ifconfig [网络设备] [IP地址] [参数] 实例1：显示安装在本地主机的第一块以太网卡eth0的状态，执行命令： [root@localhost ~]# ifconfig eth0 实例2：配置本地主机回送接口。执行命令： [root@localhost ~]# ifconfig lo inet 127.0.0.1 up 实例3：显示本地主机上所有网络接口的信息，包括激活和非激活的，执行命令： [root@localhost ~]# ifconfig 实例4：配置eth0网络接口的IP为192.168.1.108。 在设置eth0网络接口之前，首先显示本地主机上所有网络接口的信息。执行命令：[root@localhost ~]# ifconfig 然后设置eth0网络接口，ip为192.168.1.108，netmask为255.255.255.0，broadcast为192.168.1.255。执行命令： [root@localhost ~]# ifconfig eth0 192.168.1.108 netmask 255.255.255.0 broadcast 192.168.1.255 实例5：启动/关闭eth0网络接口。 在eth0网络接口禁用之前，首先显示本地主机上所有网络接口的信息。执行命令：[root@localhost ~]# ifconfig 然后执行禁用eth0网络接口命令： [root@localhost ~]# ifconfig eth0 down [root@localhost ~]# ifconfig 再次显示本地主机上所有网络接口的信息，以便比较分析禁用eth0网络接口命令的作用。 为了进一步深入了解，可以测试ping该网络接口。执行命令： [root@localhost ~]# ping 192.168.1.108 此时应该ping不通主机192.168.1.108。接下来可以执行如下命令重新启动该网络接口。 [root@localhost ~]# ifconfig eth0 up 实例6：为eth0网络接口添加一个IPv6地址fe80::20c::29ff:fe5f:ba3f/64。 在为eth0网络接口添加IPv6地址之前，首先显示本地主机上所有网络接口的信息。执行命令： [root@localhost ~]# ifconfig 然后执行ping6命令检测未添加IPv6地址fe80::20c::29ff:fe5f:ba3f/64之前eth0网络接口的状况： [root@localhost ~]# ping6 –I eth0 –c 4 fe80::20c::29ff:fe5f:ba3f 接下来为eth0网络接口添加一个IPv6地址fe80::20c::29ff:fe5f:ba3f/64，执行命令：[root@localhost ~]# ifconfig eth0 add fe80::20c:29ff:fe5f:ba3f
苏联解体带给我们的思考
北京科技大学 科学社会主义理论与实践 期末论文 题目：苏联解体带给我们的思考 信息学院双控专业2010级 学号S2******* 姓名刘利敏 2010 年 10月 30日
苏联解体带给我们的思考 【摘要】对苏联70 年的社会主义建设历史和模式，既不能全盘肯定，也不能全盘否定。它曾经取得过光辉成就，也存在着严重问题。中苏的社会主义建设在历史上曾经有过密切联系，因此反思苏联模式以及苏联解体的种种原因，总结其“得”与“失”，从中吸取经验教训，有利于走好中国特色社会主义之路，有利于提高党的执政水平构建和谐社会。 【关键词】苏联解体根源教训现实问题 【前言】1991年12月25日晚上，戈尔巴乔夫作为总统，在发表最后一个简短的电视演说之后，印有镰刀锤子的旗子从克里姆林宫上空悄然降下，苏联作为一个社会主义大国的历史画上了句号。 苏联的解体，如同上世纪初叶俄国十月社会主义革命的胜利一样，都是震撼世界的重大事件。苏联的兴亡，又一次表明，一种新制度的成长和成熟，总是伴随着无数曲折反复的历程。苏联解体之后，西方某些资产阶级代表人物弹冠相庆、欣喜若狂，以为“21世纪的世界将是资本主义的一统天下”，然而他们搞错了。苏联的解体只是宣告了背离社会主义基本原则的错误路线的破产，而不是社会主义的失败，更不是科学社会主义理论的失败。从根本上说，社会主义是资本主义内在矛盾发展的必然结果。换言之，只要世界上还存在着人剥削人、人压迫人的资本主义制度，资本主义的内在矛盾就无法解决，资本主义必然灭亡的历史命运就不会改变。不管历史的发展会出现多大的曲折、反复，社会主义终究要代替资本主义这一历史发展的总趋势是任何人也改变不了的。当代世界的种种变化充分证明：“在卡尔·马克思逝世100多年以后，资本主义再度驶入这位革命的经济学家为他那个时代所正确描述的那个方向上。” 十几年前的苏东巨变，应当说也是一场社会变革，然而却没有以往社会变革的激烈的社会对抗，暴风骤雨般的群众运动甚至是暴力冲突、战争。与以往许多社会变革比，这一次要平静得多，似乎没有多少人激动、抗争，没有大规模的动
网络设备的基本配置
网络设备的基本配置 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】
实验: 网络设备基本配置 拓扑图 学习目标 ?配置 Cisco 路由器的全局配置设置。 ?配置 Cisco 路由器的访问口令。 ?配置 Cisco 路由器的接口。 ?保存路由器配置文件。 ?配置 Cisco 交换机。 背景 常见配置任务包括设置主机名、访问口令和 MOTD 标语。 接口配置极其重要。除了分配第 3 层 IP 地址外，还要输入一段描述，说明与目的地的连接可节省故障排除时间。 配置更改会立即生效。 但必须将配置更改保存到 NVRAM 中才能保持到设备重新启动后。 场景 在本实验中，学生将配置 Cisco 路由器和 Cisco 交换机的常用设置。 指定 IP 地址为，为子网预留 4 位，请使用下列信息填写下表： （提示：填入子网编号，然后填入主机地址。如果先填入子网编号，将更容易计算地址信息） 子网的最大数量：_______16______
任务1：配置 Cisco 路由器的全局配置设置。 图 1. 实验的电缆连接。 步骤 1：实际连接设备。 请参阅图 1。将控制台电缆或全反电缆的一端连接至路由器的控制台端口，另一端通过 DB-9 或 DB-25 适配器连接到主机计算机的 COM 1 端口。在主机计算机的网卡 (NIC) 与路由器的接口 Fa0/0 之间连接交叉电缆。在路由器的接口 Fa0/1 与交换机的任意接口 (1-24) 之间连接直通电缆。 确保主机计算机、交换机和路由器均已通电。 步骤 2：通过超级终端将主机计算机连接到路由器。 从 Windows 的任务栏中单击“开始”|“程序”|“附件”|“通讯”|“超级终端”启动超级终端程序。使用正确的设置配置超级终端： 连接描述 名称：Lab 11_2_11 图标：自行选择 连接到 连接时使用：COM1（或适当的 COM 端口） COM1 属性 每秒位数：9600 数据位：8 奇偶校验：无 停止位：1 数据流控制：无 当超级终端会话窗口出现后，按Enter键直到路由器发出响应。 如果路由器终端处于配置模式，请通过键入NO退出。 Would you like to enter the initial configuration dialog[yes/no]:no Press RETURN to get started! Router> 当处于特权执行命令模式时，路由器会尝试将所有拼写错误或未能识别的命令解释为域名。因为未配置域服务器，所以当请求超时就会出现延迟现象。这可能会耗费几秒钟到几分钟时间。要停止等待，请同时按住
苏联解体原因剖析
中国社会科学院院报/2008年/1月/3日/第003版 国际问题 《莫斯科大学学报》转载我学者文章 苏联解体原因剖析 编者按 我国不少学者经过对苏联解体、苏共亡党历史教训的认真研究，得出这样的结论：苏联解体的最主要原因是自以赫鲁晓夫为首的苏共领导集团开始直到戈尔巴乔夫为首的苏共领导集团为止逐渐脱离、背离乃至最终背叛苏联社会主义国家利益和广大人民群众的根本利益所致。这些观点是否符合苏联解体的实际呢?最近，俄罗斯理论界对中国学者的上述结论做出反映。2007年10月，俄罗斯科学院主席团对我院李慎明副院长任总撰稿的《居安思危——苏共亡党的历史教训》教育参考片解说词做出评介，明确指出：“《居安思危——苏共亡党的历史教训》课题，严谨地分析了苏联解体和苏共灭亡的原因及其历史教训，得出了不少有勇气和警示性的结论。”在国际学界有影响的《莫斯科大学学报·历史卷》2007年第4期，登载了我院吴恩远研究员题为《苏联解体原因》的文章并加按语，表明俄学界对中国学者在这个重大问题上研究观点的重视。现将《莫斯科大学学报·历史卷》按语和转载的文章刊登如下。 《苏联解体原因》 吴恩远 按：苏联解体这一事件在中国的政治和学术精英中引起相当程度的震动。《苏联解体原因》被列入国家最为重要的研究题目范围。相当多的学术研究机构、科研人员投入了对这个题目的研究，举行了一系列公开的和不公开的会议，发表了众多对此问题不同观点的文章和著作。 绝大部分中国学者否认苏联解体是必然的这个观点。他们认为：苏联解体的主要原因在于以戈尔巴乔夫、叶利钦等人为首的苏联共产党领导人所奉行的政治方针的结果。但到现在为止，中国学者关于社会主义的某些理论问题、关于苏联的内外政策、它的政治精英人物的活动、关于苏联在1980年代所发生的事件及其对苏联解体的影响等等看法，实际上俄罗斯学术界知之甚少。 吴恩远教授是著名的中国历史学家，是苏联和俄罗斯历史学研究的专家。他曾长期担任中国社科院世界历史研究所副所长，现在担任中国社科院马克思主义研究院副院长，同时还是中国俄罗斯东欧中亚研究会(副)会长。 俄罗斯科学院哲学研究所首席研究员 历史学博士В.Г.布罗夫教授 (以下为正文) 苏联解体已经十余年，但围绕“苏联解体原因、教训”的争论在学界，特别在中国学界至今没有停息，甚至存在截然对立的观点。可见这个问题的讨论仍不失现实意义，特别是在导致苏联解体的因素及其后果仍对当今世界产生影响的时候。 在改革时期离开了国家领导岗位后，戈尔巴乔夫承认：“本来可以用另一种速度改革党和国家联盟，应强调社会计划，强调社会福利问题，解决人们关心的问题。”他说，“失去了人们的支持，就失去了主要的资源，就会出现冒险家和投机家。这是我犯的错误，主要的错误”。 一、关于苏联解体的主要因素 一般来说，都肯定苏联解体是由综合性的因素造成：既有历史的、也有现实的因素；既有国内的、也有国际的因素：既有政治经济的、也有思想文化等方面因素。主要分歧焦点在于：是历史原因(即70年的斯大林模式)，或者是现实原因(戈尔巴乔夫等人所起作用)在其中起了主要作用。
中国历史上的民族关系与国家认同
中国历史上的民族关系与国家认同* 姚大力 2002年第4期 在考察中国历史上的民族关系和国家认同问题时，元朝灭亡后的那几十年中方面值得引起我们的注意。 一是明初甘为元遗民者为数众多。这里所谓遗民，指的是经历改朝换代后拒绝这样一种遗民概念的完全形成，大概要到元明之际。但是，凡在前一个王朝作过一道德约束实际上是从宋朝起就得到大力提倡和强调的。所以宋朝灭亡以后留下当然上述道德约束并没有要求作遗民的人直接去反对新政权或者从事秘密抵抗运合法性，只要采取消极的不合作态度(不再作官)就可以了。著名的宋遗民谢枋得就只不过他本人已是“宋室孤臣，只欠一死”而已。1传说中的商遗民伯夷、叔齐“不食土国家的概念去考量这段史事时，他们发现，像这样作遗民只有死路一条；因为草，莫不属于周朝所有。因此他们宁可把“不食周粟”解释成不接受周的俸禄。当那意思是：“伯夷久不死，必有饭之者矣。”这是实际上在婉转地说，他们并不是食。 元朝这样一个由蒙古人做皇帝的王朝，也留下大批心甘情愿的遗民，并且其中个人遭遇差别很大。其中名声最大的三个被明人称为“国初三遗老”，入明后分别考试的试卷等文化活动，但拒绝到明政府里面正式做官，居然都安然无恙地活到杨维桢写过一篇《老客妇谣》，借一个“行将就木”的老妇人不愿再嫁的话题来表诗拿给朱元璋看，建议朱元璋杀他。朱元璋说“老蛮子止欲成其名耳”，没有采取行因为也有一点名气，躲了几年，还是被政府找出来，强迫他们做官，结果只好自当然更多的人没有这样戏剧化的命运，能够平安无事地以遗民身份了却一生。 二是遗民心态的泛化。如果遗民是指拒绝在新王朝做官的人们，那么遗民的范王朝做官的机会而又拒绝了这种机会(包括拒绝科举考试)的人们。这样的人数量总能扩大到比之大得多的社会范围中去。元明之际的遗民心态突出地表现在对改仕舆论中间。明朝的开国文臣第一人宋濂晚年因为子孙犯罪受牵连，被流放四川，息说，宋濂对自己一生小心为人，却几次遭遇命运颠簸很有点想不通。在夔州的来向一位老和尚请教。老和尚问他，“于胜国尝为官乎?”宋濂回答，曾经作翰林国
最新Fanuc机器人devicenet连接配置
Devicenet连接 简介：机器人做主站 万可现场总线适配器做远程终端 1，硬件：A full-slot motherboard SST-DN3-104 daughterboard 万可device net现场适配器750－346， 数字输入模组750－402，数字输出模组750－531 终端模块750－600 。24伏开关电源。 2，软件：机器人安装device net interface, device net slave(做主站可以不要)软件。 3，现场总线接法：
1，0V 黑色 2，24V 红色 3，CAN_H 白色 4，CAN_L 蓝色 5，DRAIN 灰色 现场总线适配器接法与机器人接法 一致 1,前六位二进制码，设置MC ID; 2,后两位二进制码，设置波特率，125k， 250k，500k 机器人MC ID和波特率在软件中设 置。 4，机器人TP设置： 1）配置和连接device net接口子板 Press MENUS. Select I/O. Press F1, [TYPE]. Select Device Net. （在子板上有PID拨码开关，设置第几块板）
2) press F4, DETAIL配置子板： Board Detail Board: 1 Status: OFFLINE Scanner type: SST 5136-DN-104 Motherboard: Full-slot 1 MAC-ID: 0 2 Baud-rate: 125 KB 3 Board auto-restart: OFF 4 Input resume state (rack 81): LAST Slave Operation: Slave Status: OFFLINE 5 SLAVE Error Severity: WARN 6 Size of output from master: 0 bytes 7 Size of input to master: 0 bytes press PRVE,EXIT；移动光标，press F4, ONLINE 3)在线搜寻网络设备，press NEXT Press F3, DIAG. （WAGO远程终端的MC ID为1；）
苏联解体原因浅析
苏联解体原因浅析 摘要： 1991年12月，第一个社会主义国家苏联解体。十几年来，对于苏联解体的原因，国内外学者进行了深入的研究并提出了不少见解，这些见解包括外因论、苏共中央罪责论、斯大林体制错误论、特色文化缺失论、民族政策是失误论、生产力发展滞后论、政治腐败决定论等。这些见解从不同视角力图探讨苏联解体的原因，都有一定的道理，但是在我本人看来，苏联解体不是单一因素导致的结果，因此，我将会从历史根源、客观因素、主观因素三个主要的方面来多角度综合分析苏联解体的起源。 关键词：苏联解体根本原因重要原因外部因素 引言：作为人类历史上第一个社会主义国家，苏联是在十月革命的炮声中轰轰烈烈地登上历史舞台，在二十世纪的历史长河中昂首挺胸地走了70 多年。可是在不到10 年就迈进二十一世纪的门坎之即，这个与美利坚相提并论的超级大国倾刻间就散了架子，不仅社会制度从社会主义迅速向资本主义制度演变，并且这个国家本身也随着各加盟共和国纷纷另立门户而成往日黄花。1991年12月25日19点38分，克里姆林宫上空那为苏联几代人所熟悉的印有镰刀锤头图案的红色苏联国旗，在暮色中悄然降下，这标志着苏维埃社会主义共和国联盟的历史已经终结，从此不复存在。 为什么苏联这个强盛多年的红色帝国会如此下场？苏联解体不是偶然的，它是长期积累起来的各种矛盾的总爆发，是各种因素综合作用的结果。 一、苏联解体的根本原因 一、苏共在思想意识和政策方面的失败是根本原因。 导致苏联解体这场悲剧发生的主要原因是苏共的失败，而失败的首先是从思想领域开始的。苏共后期部分领导人纵容或直接鼓吹指导思想上的多元化，结果导致党内思想混乱，从而导致了经济的下降、社会矛盾的尖锐、民族的分裂，也为敌对势力和西方思想的渗透打开了大门。 首先，苏在党在理论上背离了马列主义，失去了正确理论的指导，失去了对意识形态领域的控制，造成党内外思想混乱和社会政治动荡。从上个世纪５０年代赫鲁晓夫上台开始，苏共就失去了正确理论的指导。具体表现为：一方面，苏共把马克思主义教条化了。在世界政治、经济形势不断变化，科技革命迅速兴起，苏共领导人却视而不见，党的理论没有新的发展，理论工作长期处于停滞状态。马克思主义不能用以解决现实问题，出现反马克思主义的倾向也难应对。另一方面，赫鲁晓夫提出的“全民国家”、“全民党”，不符合苏联社会仍然存在阶级的现实；讲“三无世界”（没有战争、没有武器、没有军队）完全是一厢情愿，反而麻痹了党和人民。赫鲁晓夫、戈尔巴乔夫是一脉相承的。从赫鲁晓夫开始，苏共对社会主义的认识一直存在误区，对苏联建设社会主义发展阶段也没有搞清楚，一度认为已经进入了“发达的社会主义”，提出“15年建成共产主义”。到戈尔巴乔夫提出“人道的、民主的社会主义”，鼓吹“民主化”、“公开性”，实际上是以野蛮的、强盗的方式破坏社会主义。虽然公开宣传坚持马克思主义原则，但实际上制定了违背马克思主义的路线，实行错误的对外政策，加上党的领导干部言行不一，说一套、做一套，搞特殊、搞腐败，人民群众从不满发展到怀疑马克思主义和对党不信任，而这种情绪又总是被敌对势力所利用，造成了严重后果。 其次，苏共放弃了对思想领域的控制，出让了文化舆论阵地。以美国为首的西方阵营通过因特网、ＣＮＮ和好莱坞等思想宣传工具不断的向苏联选出自由、民主的观念，最终导致苏联民众观念的变化，为后来苏联的解体而转向资本主义打好了思想的基础。同时，在对内宣传方面也存在着较大的失误。苏共向人民简单地宣传苏联社会主义的优越性。但人们看到的和感受到的跟宣传的不一样，反而对苏共的宣传产生了怀疑，为人们接受西方的思想买下了祸
专题三中国古代的民族关系、祖国统一和对外关系(答案)
专题三中国古代的民族关系、祖国统一和对外关系 【抢分试题】 一、选择题 1.B 2.C 3.C 4.B 5.A【解析】依据材料语境的大意分析推断。 6.B 7.C 8.B 9.A【解析】玄奘西游是到印度，玄奘为中印文化交流做出了巨大贡献。 10.B【解析】解答此题要注意题干中的限制语“中外经济文化交流”。③戚继光是抗击外来侵略，没有进行经济文化交流，故排除。⑥郑成功收复台湾不是对外活动，也可排除。11.A12.A 13.A【解析】B与邓世昌有关；C与谭嗣同有关；D与林则徐有关。 14.D【解析】读懂材料是解题的关键。 15.B16.C17.B18.B19.A 20.C【解析】我国能够对香港行使主权的最主要原因是综合国力的提高，国际影响相应的提高，才能把半殖民地时期割让的领土收回，而综合国力的提高是由于改革开放取得了巨大成就。 二、非选择题 21.（1）目的。①创造互惠互利、和平双赢的未来。②为和平稳定的两岸关系尽绵薄之力。（2）①20世纪50年代中期，毛泽东确立争取用和平方式解放台湾的思想。②改革开放后，在邓小平提出“一国两制”的科学构想的基础上，党和政府形成了“和平统一，一国两制”的对台基本方针。③1995年初，江泽民针对两岸关系等新情况，提出现阶段发展两岸关系、促进和平统一进程的八项主张。这是新时期推进祖国和平统一进程的指导思想。 （3）两岸经济文化交往日益密切；实现祖国统一是大势所趋，民心所向，是历史发展的必然趋势。 （4）海峡两岸人民同根同源，统一是历史发展的必然趋势；合则两利，离则两伤；统一才能双赢。 22.（1）鉴真；大化改新；使日本由奴隶社会向封建社会过渡。 (2)1894～1895年甲午中日战争；1900～1901年八国联军侵华战争；1931～1945年日本侵华战争；南京大屠杀等。 （3）日本前政府领导人参拜靖国神社，文部省通过美化侵略战争的新教科书等；日本政府
网络设备配置命令
在路由器启动的过程中，按住Ctrl+B路由器就进入BootROM监控模式。 BootROM 配置模式下的配置命令有以下几种： 1.？ 命令格式：？ 功能：显示BootROM配置模式下所有的命令。 2.setconfig 命令格式：setconfig 功能：修改BootROM模式下的路由器的网络地址、掩码；升级路由器时服务器的网络地址、掩码；以及升级方式等。 3.showconfig 命令格式：命令格式showconfig 功能：显示在BootROM模式下当前路由器的网络地址、掩码；升级路由器时服务器的网络地址、掩码；以及升级方式等。 4.load 命令格式：load
变通用户配置模式下的系统配置命令如下。 1.enable 功能：从普通用户配置模式进入特权用户配置模式。 2.exit 功能：退出Telnet连接或退出一种配置模式返回到上一级配置模式。 3.show clock 功能：显示系统当前日期和时钟。 4.show history 功能：显示当前用户最近输入的历史命令。 5.show version 功能：显示路由器的版本信息。 6.help 功能：输出有关命令解释器帮助系统的简单描述。 特权用户配置模式下的系统配置命令 从普通用户配置模式通过配置命令enable，或者从全局配置模式退出，都会进入特权用户配置模式。DCR系列路由器还为用户提供了快捷键Ctrl+Z，可从任何配置模式（除普通用户配置外）回到特权用户配置模式。 特权用户配置模式下的系统配置命令如下。 1.Clear counters 功能：清除接口的各种统计信息。 2.clock set 功能：设置系统日期和时钟。 Router#clock set 23:0:0 2001.6.1 3.configure [terminal] 功能：从特权用户配置模式进入全局配置模式。 4.exec timeout 功能：设置退出特权用户配置模式超时时间。 Router#exec timeout 5 5.exit 功能：退出特权用户配置模式，返回一般用户配置模式。 6.first-config 功能：恢复路由器首次配置标志。 Router#first-config Router#write
DeviceNet网络配置与通信验证
河南机电高等专科学校DeviceNet网络配置与通信验证 专业班级：电气自动化技术122班 姓名：王晨晨 学号： 121415219 成绩： 指导老师：张士磊 2014年12月28日
目录 引言 (1) 一、系统总体方案设计 (1) 1.1 系统软硬件配置及组成原理 (1) 1.2 系统接线图设计 (2) 二、系统总体方案设计 (4) 2.1 建立通信 (4) 2.2配置DeviceNet扫描模块 (5) 2.3配置扫描网络器的I/O数据表 (5) 2.4配置DeviceNet节点上设备的I/O参数 (6) 2.5配置扫描器I/O数据表 (6) 三、控制内容及程序设计 (7) 3.1 控制要求及内容 (7) 3.2 PLC与上位监控软件通信 (7) 3.3实现效果 (8) 四、结束语 (8) 参考文献 (8) 附录：程序 (9)
引言 工业网络与现场总线技术是目前国内外工程领域应用非常广泛而有效的计算机控制技术,作为自动化类专科生应该具备和掌握与此相关的知识、概念和基本设计及应用的方法。是一种适用于工业环境的通信网络。EtherNet/IP是信息层。其公共的网络层、传输层和应用层亦为ControlNet 和DeviceNet。DeviceNet 是一种低端的开放网络，它将工业现场的传感器、光电开关、操作员终端、电动机保护器、变频器和软起动器等与控制器直接连接。是使分布式控制系统减少现场I/O 接口和布线数量，将控制功能直接下放到现场设备的理想解决方案。本次设计通过本地编程，来进行远端的控制。 1．进一步理解DeviceNet 网络的结构； 2．掌握DeviceNet 网络的组建及配置方法； 3．理解DeviceNet 网络四种I/O触发方式并能根据实际作出正确选择； 4．了解ControlLogix 控制系统的原理。 本次通过配置。DeviceNet网络来更加深刻的学习工业网络控制，然后通过简单的连锁和互锁程序来观察配置的DeviceNet网络的效果。 一. 系统总体方案设计 1.1系统软硬件配置及组成原理 1、计算机—用来配置RSLinx和DeviceNe t网络，同时控制程序的编写。 2、ControlLogix 控制系统－—在本实验中用到的模块包括：
DeviceNet 网络调试
网络调试 D evice et 网络调试 eviceN N et 网络调试 主站CompactLogix1769 1769SDN 从站ab软启动器20-COMM-D DeviceNet通讯调试 说明 CompactLogix1769 1769SDN主站共支持360个输入字节，360个输出字节 DeviceNet 网络从站支持输入字节最大255个字节，输出字节最大255个字节 DeviceNet I/O触发机制 除了传统的轮询方法（ polling）外，生产者/消费者模型还允许用两种新的功能强大的I/O触发方法:状态改变发送（Change-Of-State）和周期I/O发送（Cyclic）。轮询是从源/目的地模型产生的，它本质上是一种两个报文的双向处理（发送方输出数据命令，接收节点收到后作出响应并把反应送回），往往用在主机到它的从机之间，许多轮询周期充满了相同的输入和输出数据，这些冗余的数据浪费了大量网络带宽。 在采用状态改变（基于事件）触发机制的系统中，仅当数据改变时节点发送数据，并同时地发送给所有需要该数据的节点没有轮询周期带来的延迟。同时一个作为背景的心跳（ heart beat）信息可以周期地发送，消费者可用它来辨别设备是状态没有改变还是设备不在线（离线），采用状态改变触发机制可以显著的降低网络阻塞和负载，特别当设备需要重复的接收、处理和生成同一种数据时。另外，一般情况下发送4个心跳信息后再发送1个真正数据。 周期性发送（基于时间）时，数据可根据用户选择的速度来产生，数据的更新速度与节点和应用相匹配。例如在优化的 PID控制中，传感器的信息可以以精确的间隔进行采样，或者控制器可以收集大块数据后以每秒若干次且大于操作员接口的反应速度进行发送。这样，可为快速变化的I/O信息的节点保留了带
苏联解体问题分析
深入剖析苏联解体因果教训 准确把握世界社会主义运动发展趋势 中国社会科学论坛苏联解体20周年国际学术研讨会发言摘要 编者按：今年是苏共亡党、苏联解体20周年。继李慎明主编的《居安思危苏共亡党二十年的思考》专著新闻发布座谈会之后，2011年4月23日，由中国社会科学院主办的中国社会科学论坛苏联解体20周年国际学术研讨会在北京举行。来自俄罗斯、越南、日本、澳大利亚、美国、加拿大、墨西哥、德国、保加利亚等国的18位外国学者和来自全国各地50多个科研单位、高等院校共260多位学者莅会。与会者围绕苏联解体原因、苏联解体后果和世界社会主义运动前景展望三个议题展开热烈讨论，对我们深刻了解苏联解体的原因后果，准确把握世界社会主义运动发展趋势，坚定走中国特色社会主义道路的信心，具有重大启发意义。本刊今天特摘发部分中外学者发言的主要观点。 王伟光（中国社会科学院常务副院长、教授）：20年前，苏联解体曾使资本主义国家的政治学术精英们弹冠相庆。美国学者**自信地宣称：20世纪社会主义制度实践的失败，标志着西方自由民主制度是人类最后一种政治形式和人类意识形态发展的终点，自由民主制度和自由市场经济在全世界取得了决定性胜利，这就是历史的终结。20年过去了，我们看到了什么呢？在这短短20年的历史中，我们眼见了西方国家所制造的局部战争连绵不断、贫富鸿沟日益增大、各类危机频繁爆发等一系列人类社会危机问题。 苏联的解体并没有终结也没有改变世界历史发展的趋势，我们今天生存的世界仍然是一个由资本扩张主导的，人类利益被迫服从于资本意志的世界，这不仅没有超越马克思主义经典作家的视野，而且可以说，当今世界是符合马克思主义的理论描述和科学预期的世界。马克思主义经典作家根据资本积累的实质推断出的全球化、全球范围的两极分化、金融资本的恶性膨胀等现象必然出现，资本主义不可克服的内在矛盾的激化，以及由此而引发的制度性危机越发显现。 对资本主义生产方式导致的制度危机，西方自由民主所标榜的个人主义、自由主义等理念、制度无法给予有效解答。要解决这些问题，人类必须从马克思主义世界观和价值观中寻求解决思路，必须要认识到资本主义、个人主义、物质主义、拜金主义、自由主义这些世界观和价值观体系已经造成了人类灵魂的深刻异化和人类社会的深重灾难。我们亟需的是马克思主义的智慧。 苏联解体后的历史进程再次向我们证明马克思主义并没有过时，科学社会主义仍然是解决资本主义现存问题的切实可行的方案。没有社会主义，就没有人类的未来，而对未来的开拓是建立在对历史正确解读的基础之上的。苏联解体、苏东剧变是社会主义事业和人类解放事业遭遇的重大挫折，而深刻认识苏联解体的原因和它对世界产生的影响，是发展社会主义事业的前提。 何干强（**财经大学经济学院教授）：500天纲领是名为《向市场过渡构想与纲领》这部书的浓缩版。这部书由戈尔巴乔夫和叶利钦共同决定组织撰写。所谓500
隋唐时期的民族关系与对外关系
第4课隋唐时期的民族关系与对外关系 巩固基础 一、统一多民族国家的发展 1.突厥的崛起和衰落 （1）崛起：兴起于阿尔泰山一带，6世纪中期建立突厥汗国。 （2）东突厥：唐太宗时，俘获颉利可汗，在其旧地设都督府，任用突厥人为都督、将军。 （3）西突厥：太宗征服高昌，设安西都护府；高宗灭西突厥；武则天设北庭都护府。 2.从回纥到回鹘 （1）回纥首领受册封：唐太宗任回纥首领为瀚海都督府都督；唐玄宗封骨力裴罗为怀仁可汗。 （2）与唐交往：助唐平定安史之乱，与唐和亲，到中原经商，筑城定居。 （3）改名：8世纪后期改名回鹘；9世纪中期瓦解，迁至新疆的是今天维吾尔族的祖先；迁至今甘肃的是裕固族的祖先。 3.靺鞨和渤海国 （1）靺鞨兴起：生活在黑龙江、松花江流域，7世纪中叶强大。 （2）黑水靺鞨：8世纪初，唐设黑水都督府，黑水靺鞨地区正式划入唐朝版图。 （3）粟末靺鞨：唐玄宗封大祚荣为渤海郡王，加授忽汗州都督，渤海正式划入唐朝版图。 4.南诏的崛起：7世纪前期，云南洱海一带分布着六诏。8世纪前期，南诏首领皮罗阁统一六诏，唐玄宗封他为云南王。 5.吐蕃的统一和唐蕃关系 （1）松赞干布统一青藏高原：为巩固统治，松赞干布仿唐官制，设置各级官府，建立严密的军事组织，制定了严酷的法律，创制了吐蕃文字。 （2）文成公主入藏：唐太宗时，文成公主入藏，带去先进技术，促进了吐蕃经济、文化的发展。此后两百年间，新赞普即位，必请唐天子“册命”。 （3）唐蕃会盟：8世纪初，金城公主入藏。9世纪中期，吐蕃与唐会盟，“患难相恤，暴掠不作”，史称“长庆会盟”。 二、隋唐时期的对外友好交往 1.和新罗的友好往来：①新罗留学生多，以崔致远最有名。②长安及沿海城市设“新罗坊”等。③仿唐朝制度立国，设立国学，引入茶种、雕版印刷术和制瓷、制铜技艺等，日常生活带有浓厚的中华文化色彩。 2.和日本的友好往来 （1）政治：从贞观年间开始，派遣唐使十多次；由留唐学生发动的大化改新，以唐制为蓝本。 （2）文化经济：京都仿长安；学校授儒学，文字仿汉字；贸易频繁。 （3）人物：日本的吉备真备、唐朝的鉴真。 3.和东南亚、印度半岛各国的往来 （1）东南亚：互派使节，交换土特产。 （2）天竺：贞观时遣使唐朝；中国的十进位记数法传入天竺；玄奘西游天竺，义净从海路到天竺。 4.和中亚、西亚欧非各地的交往 （1）波斯：隋朝时互遣使节；唐朝时其国王居长安；许多波斯商人在唐开设“波斯店”；波斯舞蹈传入中国。 （2）大食：唐高宗时通使交好，持续一个半世纪；造纸术传入大食。 （3）东罗马：有使节往来，进行技术交流。
思科网络设备配置命令
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