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东南大学 专集 2013年期末试卷 专用集成电路设计 VLSI

东南大学 专集 2013年期末试卷 专用集成电路设计 VLSI

最新东南大学微机试卷-期末-AB

东南大学考试卷 考试科目微机系统与接口考试形式闭卷试卷类型 B卷 考试时间长度120分钟共 5 页得分 一、填空或选择填空(35分) 1. 8086/8088段寄存器的功能是_____________, 某一时刻程序最多可以指定访问________个存储段。 A1.用于计算有效地址B1. 用于存放段起始地址及计算物理地址 C1.分段兼容8080/8085指令D1. 方便分段执行各种数据传送操作 A2. 3 B2. 4 C2. 6D2. 64K E2.初始化时程序指定 2.8086/8088系统中复位信号RESET的作用是使_______ A. 处理器总线休眠 B.处理器总线清零 C. 处理器和协处理器工作同步 D. MPU恢复到机器的起始状态并重新启动 3. 在默认情况下, ADD [DI+100], DI指令中目标操作数存放在______寄存器指定的存储段中,指令执行时将完成______ 个总线操作周期。 A1. CS B1. DS C1. ES D1. SS A2. 0 B2. 1 C2. 2 D2. 3 4. 8086/8088CPU用指令ADD对两个8位二进制数进行加法运算后,结果为14H,且标志位CF=1,OF=1,SF=0,此结果对应的十进制无符号数应为_____ A. 20 B. –20 C. –236 D.276 5.堆栈是内存中的一个专用区域,其一般存取规则是_________ A.先入先出(FIFO) B.先入后出(FILO) C.按字节顺序访问 D.只能利用PUSH/POP指令读写 6. 在下列指令中,使堆栈指针变化8字节的指令是_____. A. PUSHA B. CALL 4000:0008H C. RET 8 D.SUB SP,8

化工原理期末考试试题(2013年版) 2

化工原理期末考试试题 一.填空题 1.精馏操作的目的是使混合物得到近乎完全的分离,某液体混合物可用精馏方法分离的必要条件是混合液中各组分间挥发度的差异。 2.进料热状态参数q的物理意义是代表精馏操作线和提馏段操作线交点的轨迹方程,对于饱和液体其值等于0 ,饱和蒸汽q等于1 。 3.简单蒸馏与平衡蒸馏的主要区别是简单蒸馏是非定态过程。 4.吸收操作的目的是分离气体混合物,依据是组分在溶剂中溶解度之差异。5.连续精馏正常操作时,增大再沸器热负荷,回流液流量和进料量和进料状态不变,则塔顶馏出液中易挥发组成的摩尔组成X D将增大,塔底采出液中易挥发组成的摩尔组成X W将减小。(减小,增大,不变,变化不确定) 6.平衡蒸馏(闪蒸)的操作温度是在操作压力下混合物的泡点和露点温度之间。 (泡点温度,露点温度,泡点和露点温度之间) 7.液-液萃取操作中,操作温度,有利于分离。(降低,升高,保持恒定)。8.多级逆流萃取操作,减少溶剂用量,完成规定的分离任务所需的理论级数。(增大、减小、不变) 9.实际生产中进行间歇精馏操作,一般将和两种操作方式结合起来。(恒定回流比,恒定产品组成) 10.请写出两种常用的解吸操作方法:和。升温,气提,降压(三写二) 11.在吸收塔的设计中,气体流量,气体进出口组成和液相进口组成不变,若减少吸收剂用量,则传质推动力减小,设备费用增多。(减小,增多) 12.当温度升高时,溶质在气相中的分子扩散系数升高,在液相中的分子扩散系数升高。(升高,升高) 13.吸收操作的基本依据是组分在溶剂中溶解度之差异,精馏操作的基本依据是各组分间挥发度的差异。 14.蒸馏是分离均相液体混合物的一种方法,蒸馏分离的依据是挥发度差异。15.恒沸精馏与萃取精馏都需加入第三组分,目的分别是使组分间相对挥发度增大、改变原组分间的相对挥发度。 16.如果板式塔设计不合理或操作不当,可能产生严重漏液、严重泡沫夹带及液泛等不正常现象,使塔无法工作。 17.板式塔的类型有泡罩塔、浮阀塔、筛板塔(说出三种);板式塔从总体上看汽液两相呈逆流接触,在板上汽液两相呈错流接触。 18.易溶气体溶液上方的分压小,难溶气体溶液上方的分压大,只要组份在气相

集成电路设计基础_期末考试题

集成电路设计基础 2010-11年第一学期试题 一、填空题(20分) 1、目前,国内已引进了12英寸0.09um 芯片生产线,由此工艺线生产出来的集成 电路特征尺寸是0.009um (大 小),指的是右图中的W (字 母)。 2、CMOS工艺可分为p阱、n阱、双阱 三种。 在CMOS工艺中,N阱里形成的晶体管是p (PMOS,NMOS)。 3、通常情况下,在IC中各晶体管之间是由场氧来隔离的;该区域的形成用到的制造工艺是氧化工艺。 4.集成电路制造过程中,把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指光 刻,包括晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干四个步骤; 其中曝光方式包括①接触式、②非接触式两种。 5、阈值电压V T是指将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压,根据阈值电压的不同,常把MOS区间分成耗尽型、增强型两种。降低V T 的措施包括:降低杂质浓度、增大Cox 两种。 二、名词解释(每词4分,共20分) ①多项目晶圆(MPW) ②摩尔定律 ③掩膜 ④光刻

⑤外延 三、说明(每题5分共10分) ①说明版图与电路图的关系。 ②说明设计规则与工艺制造的关系。 四、简答与分析题(10分) 1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段,高级综合,逻辑综合,物理综合;解释这 三个综合阶段的任务是什么? 2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。 五、综合题(共4小题,40分) 1、在版图的几何设计规则中,主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距、各 层之间的最小交叠。把下图中描述的与多晶硅层描述的有关规则进行分类: (2)属于层与层之间的最小间距的是: (3)属于各层之间的最小交叠是: 2.请提取出下图所代表的电路原理图。画出用MOSFET构成的电路。

2013年上学期期末考试试卷小学五年级

2013年上学期期末考试试卷小学五年级 语文时量:80分钟 题号一二三四五六七八九十得分得分 一·我能看拼音写词语。 jiè shào shā mò lǐ mào jing shen dou sou ()()()() qíng yì huǒ jù páo xiào hua tuan jin cu ()()()() 二.我能给带点的字选择正确的读音,在下面画“√” 似乎(si shi ) 气氛(fen fen ) 百折不挠(rao nao ) 天赋(hu fu ) 拜拜(bai bai) 系着铃铛(ji xi ) 三·我能区别下面的双胞胎,分别给他们找朋友 槐( ) 遣()艄()暇() 愧( ) 遗()舱()遐( ) 四·我能找出句子中的错别字,并更正在括号里 1·赵王得了一件无价之宝,叫和氏壁。() 2.路漫漫其修远兮,吾将上下而求索。() 3·一次偶然的机会我看见了波斓壮阔的大海。() 4. 溪水快乐地流躺着,滋润着颗颗树苗。()() 五·、我能选词填空。(6分) 保护爱护爱惜爱戴 ①学校一草一木,我们都要()。 ②周总理受到全中国人民乃至世界人民的()。 ③为了()集体财产,他献出了年轻的生命。 鼓励勉励激励 ①第一次上台发言,我有些害怕,老师()我说:“勇敢些,没什么可怕的。” ②他的事迹()千千万万的青少年更好地学习、工作和生活。 ③郑老师经常()我们要有志气,学好本领,将来为国增光。 六·我能判断出下列句子,对的打√,错的打× 1 《草原》的作者是林海音。( ) 2 春天是一位漂亮的小姑凉,花枝招展的。这是一个拟人句。( ) 3 托尔斯泰曾说过:“果实的事业是尊贵的,花的事业是甜美的。”( ) 4 相声是一种雅俗共赏的神态表演艺术。() 5 《再见了,亲人》赞扬了中朝两国人民用鲜血凝成的伟大友谊。() 6 华山是我国四大名山。()

模拟集成电路设计期末试卷

《模拟集成电路设计原理》期末考试 一.填空题(每空1分,共14分) 1、与其它类型的晶体管相比,MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小,CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时,通常使MOS管工作在_ 饱和_区,电流受栅源过驱动电压控制,我们定义_跨导_来 表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数,对于较长的沟道,λ值____较小___(较大、较小)。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高,因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素,共模输入电平的变化会引起差动输 出的改变。 7、理想情况下,_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响,实际应用中,为了抑制 沟长调制效应带来的误差,可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解,在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示,电路的输入电容C in为__ C F(1-A)__。 10、λ为沟长调制效应系数,λ值与沟道长度成___反比__(正比、反比)。 二.名词解释(每题3分,共15分) 1、阱 解:在CMOS工艺中,PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上,其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上,这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解:实际上,V GS=V TH时,一个“弱”的反型层仍然存在,并有一些源漏电流,甚至当V GS

2013年计算机期末试题

1、在计算机中,所有信息的存放与处理采用()。 [A] ASCII码 [B] 二进制 [C] 十六进制 [D] 十进制 2、计算机能直接执行的程序是()。 [A] 高级语言程序 [B] Visual Basic 程序 [C] 汇编语言程序 [D] 机器语言程序 3、冯·诺依曼理论的核心是()和“程序控制”。 [A] 顺序存储 [B] 随机存取 [C] 存储程序 [D] 运算控制 4、世界上第一台微型计算机是()年在美国的Intel公司诞生的。 [A] 1946 [B] 1970 [C] 1965 [D] 1971 5、计算机按()划分为四代。 [A] 字长 [B] 主频 [C] 逻辑元件 [D] 年代 6、在分析机的设计中,巴贝奇采用了三个具有现代意义的装置是()。 [A] 存储装置、运算装置和控制装置 [B] 运算装置、传输装置和存储装置 [C] 输入装置、输出装置和运算装置 [D] 控制装置、输入装置和输出装置 7、在计算机中,运算器和控制器合称为()。 [A] 逻辑部件 [B] 算术运算部件 [C] 算术和逻辑部件 [D] 中央处理单元 8、目前计算机应用最广泛的领域是()。 [A] 科学计算 [B] 过程控制 [C] 信息处理 [D] 人工智能 答案:BDCA CADB 1、在下列设备中,读取数据速度从快到慢的顺序为()。 [A] 内存、cache、硬盘、移动盘 [B] cache、内存、硬盘、移动盘 [C] cache、硬盘、内存、移动盘 [D] 内存、硬盘、移动盘、cache 2、下列4个无符号的十进制数中,能用八位二进制表示的是()。 [A] 256 [B] 255 [C] 299 [D] 300 3、在下列字符中,其ASCII码值最小的一个是()。 [A] 控制符[B] 9 [C] A [D] a 4、计算机发展过程按使用的电子器件可划分为四代,其中第二代计算机使用的器件为()。 [A] 晶体管 [B] 电子管 [C] 集成电路 [D] 大规模集成电路 5、在计算机中,表示16种状态需要二进制的位数是()。 [A] 2 [B] 3 [C] 4 [D] 5 6、非零的无符号二进制整数后加4个零得到一新数,该新数是原数的()。 [A] 四倍 [B] 八倍 [C] 十倍 [D] 十六倍 7、微型计算机系统采用总线结构对CPU、存储器和外部设备进行连接。总线通常由三部分组成,它们是()。 [A] 逻辑总线、传输总线和通信总线 [B] 地址总线、运算总线和逻辑总线 [C] 数据总线、信号总线和传输总线 [D] 数据总线、地址总线和控制总线 8、在键盘中,不能单独使用的键是()。

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理课程考试题A卷(120分钟)一张A4纸开卷教师:邓小川 一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释:(7分) 答:Moore law:芯片上所集成的晶体管的数目,每隔18个月翻一番。 特征尺寸:集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless:IC 设计公司,只设计不生产。 SOI:绝缘体上硅。 RTA:快速热退火。 微电子:微型电子电路。 IDM:集成器件制造商。 Chipless:既不生产也不设计芯片,设计IP内核,授权给半导体公司使用。 LOCOS:局部氧化工艺。 STI:浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少,是何家企业生产?请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术(与亚微米工艺相比)?(7分) 答:国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有:铜互联;Low-K材料;金属栅;High-K材料;应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中,主要有哪两种隔离工艺?目前的主流深亚微米隔离工 艺是哪种器件隔离工艺,为什么?(7分) 答:集成电路制造工艺中,主要有局部氧化工艺-LOCOS;浅槽隔离技术-STI两种隔离工艺。 主流深亚微米隔离工艺是:STI。STI与LOCOS工艺相比,具有以下优点:更有效的器件隔离;显著减小器件表面积;超强的闩锁保护能力;对沟道无 侵蚀;与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中,轻掺杂漏(LDD)注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场,从而防止热载流子的产生?(7分) 答:如果没有LDD形成,在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

东南大学高数(上)至年期末考试(附答案)

东南大学高数(上)至年期末考试(附答案)

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03~10级高等数学(A )(上册)期末试卷 2003级高等数学(A )(上)期末试卷 一、单项选择题(每小题4分,共16分) 1.设函数()y y x =由方程 ? +-=y x t x dt e 1 2 确定,则 ==0 x dx dy ( ) .e 2(D) ; 1-e (C) ; e -1(B) ;1)(+e A 2.曲线41 ln 2+-+ =x x x y 的渐近线的条数为( ) . 0 (D) ; 3 (C) ; 2 (B) ; 1 )(A 3.设函数)(x f 在定义域内可导,)(x f y =的图形如右图所示, 则导函数)(x f y '=的图形为( ) 4.微分方程x y y 2cos 34=+''的特解形式为( ) . 2sin y )( ;2sin 2cos y )(;2cos y )( ;2cos y )( * ***x A D x Bx x Ax C x Ax B x A A =+=== 二、填空题(每小题3分,共18分) 1._____________________)(lim 2 1 =-→x x x x e 2.若)(cos 21arctan x f e x y +=,其中f 可导,则_______________=dx dy 3.设,0, 00 ,1sin )(?????=≠=α x x x x x f 若导函数)(x f '在0=x 处连续,则α的取值范围是__________。

2013年春五年级数学期末试卷2

2012——2013学年春学期期末试卷 五年级数学 ) ( 28 ) ( ) ( 4 25 .0 8 ) ( = = = =% 2.5600立方分米 = ( ) 立方米 7.12升 = ( ) 毫升 3.李明有ɑ张邮票,张华的邮票张数是李明的 8 5 ,李明和张华共有()张邮票. 4. 把一个棱长为2分米的正方形切成两个体积相等的长方形,其中一个长方形的表 面积是()平方分米。 5. 松树的棵数比柳树少 4 1 ,松树的棵数是柳树的()。 6. 25克盐放入100克水中,那么盐水的含盐率是()。 7.某班男生有27人,女生有23人,男生人数占全班人数的()%,女生人 数占全班人数的()%。 8.一辆汽车每小时行驶45千米,这辆汽车 5 4 小时行驶()千米。 9. 4 3 吨的 5 2 是()吨; 6 5 小时的 3 1 是()小时。 10.已知a× 8 7 =b÷ 8 7 =c,其中a、b、c是不为零的自然数,若按从大到小的顺序 将a、b、c排列起来应是()?()?()。 11.五(2)班有50人,今天有2人请假,该班今天的出勤率是() 12.一个正方体的棱长之和是48厘米,它的表面积是() 平方厘米;它的体积是()。 二、我会判断。(正确的在括号里打“√”,错误的打“×”每小 题1分,共5分) 1、一个正方体的棱长扩大2倍,它的体积扩大4倍。() 2、做101个零件,全部合格,合格率是101 %() 3、一盒糖,小明先取走了其中的 4 1 ,小红取走余下的 4 1 ,两人取走的糖一样多。 ( ) 4、3米的 5 1 与1米的 5 3 同样长。() 5、 5 1 吨也就是20吨。() 三、我会选(选一个正确的答案填在题后的括号内,每小题2分,共10分) 1、比20米的 5 1 多 4 3 的算式是 ( )。 A 20× 5 1 × 4 3 B 20× 5 1 + 4 3 C 20× 5 1 - 4 3 2、把10克盐溶解在40克水中,盐的重量是盐水重量的 ( )。 A、 25% B、 20% C、 80% 3、一件上衣降价5元后,按45元售出,降价 ( )。 A、 9% B、 11.1% C、 10% 4、学校舞蹈队有学生24人,合唱队的人数比舞蹈队的人数多 4 1 。计算合唱队有多 少人的算式是( )。 A、 24×(1+ 4 1 ) B、 24×(1- 4 1 ) C、24÷(1+ 4 1 ) 5、把5.8%的百分号去掉,这个数比原数( )。 A、扩大2倍 B、扩大10倍 C、扩大100倍 D、大小不变 四.计算(共29分) 1、口算(5分) = ? 23 5 69= ÷ 3 5 5 3 = ? 9 2 5 4 9 5 ÷ 18 5 = 0.74+ 5 2 = 2 1 5 1 2-= 20 7 × 7 5 = 14 5 ×21 = 6 5 ×0 ÷ 6 5 = 12×( 4 1 + 3 1 )= 2、我会解方程。(12分) 校 : 班 级 : 姓 名 : 考 场 : 第 考 场 … … … … … … … … … … 密 … … … … 封 … … … … 线 … … … … 内 … … … … 不 … … … … 准 … … … … 答 … … … … 题 … … … … … … … … … …

东南大学往年高数期末考试试题及答案-8篇整合

东南大学往年高数期末考试试题及答案-8篇 整合 https://www.sodocs.net/doc/432913494.html,work Information Technology Company.2020YEAR

2 东 南 大 学 考 试 卷( A 卷) 一.填空题(本题共5小题,每小题4分,满分20分) 1.2 2lim sin 1 x x x x →∞ =+ 2 ; 2.当0x →时 ,()x α=2()x kx β=是等价无穷小,则 k = 3 4 ; 3.设()1sin x y x =+,则d x y π == d x π- ; 4.函数()e x f x x =在1x =处带有Peano 余项的二阶Taylor 公式为 ()223e e 2e(1)(1)(1)2 x x x ο+-+ -+- ; 5.已知函数3 2e sin , 0()2(1)9arctan ,0 x a x x f x b x x x ?+

2013年学前卫生学期末考试试卷

1 / 10 一.填空题。(每题1分,共10分) 1.从出生到生后28天,为()。 2.新生儿每分钟心跳的次数为()次左右。 3.“种瓜得瓜,种豆得豆”这句话包含了()的内涵。 4.人类的染色体中有22对常染色体,1对(),男女有别,女性为XX,男性为XY。 5.运动系统有骨、()、和骨骼肌但部分组成。 6.幼儿患佝偻病是因为缺乏xx()。 7.传染病发生和流行的三个基本环节包括()、传播途径和易感人群。 8.人体的必须氨基酸有()种,婴儿要比成人多一种组氨酸。 9.幼儿可以利用自然因素进行锻炼: xx、()。 10.()是由于颅内压力增高引起的,没有感到恶心即喷吐出来。 二.单项选择题。在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 (每题1分,共20分) 1.儿童体格发育最重要及最常用的形态指标是()。 A.手长、足长 B.上下肢xx C.身高和体重

D.头围和胸围 2 / 10 2.具有低烧、多汗、夜惊、磨牙症状表现的儿童可能患了()。 A.蛔虫病 B.蛲虫病 C.钩虫病 D.绦虫病 3.下列幼儿常见疾病中,属于“小儿四病”的是()。 A.急性咽炎 B.婴儿肺炎 C.麻疹 D.肥胖症 4.儿童梦魇现象属于()。 A.睡眠障碍 B.情绪障碍 C.品行障碍 D.心理机能发育迟缓 5.一般而言,幼儿每日应有小事()小时的户外活动。 A.1—2 B.2—3 C.3—4 D.4—5 6.在细胞里发现了(),是能传送遗传信息的物质。 3 / 10 A.染色体

B.蛋白质 C.DNA D.基因 7.若父母一方是患者(aa),另一方为携带者(Aa),其后代的发病率为百分之()。 A.100 B.50C25 D.20 8.一般认为,妇女的最佳生育年龄是()。 A.20—22岁 B.22—26岁 C.24—27岁 D.24—28岁 9.小动作多,易冲动,注意力有明显的缺陷是()的主要表现。 A.梦魇 B.暴怒 C.儿童恐惧症 D.多动症 10.夜盲症是由于儿童体内缺少()。A.xxA B.xxB1 4 / 10 C.xxC D.xxB2 11.儿童对水的需要量相对比成人多。年龄越小,所占的比重越大。 新生儿体内水分约占体重的(),婴儿为70%,幼儿为65%,成人为60%。

集成电路设计练习题

集成电路设计练习题2009 1、说明一个半导体集成电路成本的组成。 2、简述CMOS工艺流程。简述CMOS集成电路制造的过程中需要重复进行的工艺步骤。 3、描述你对集成电路工艺的认识。列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?简述CMOS工艺技术的发展趋势。 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种? 5、现有一用户需要一种集成电路产品,要求该产品能够实现如下功能:y=lnx 其中,x为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出,要求保留两位小数。电源电压为3~5v 假设公司接到该项目后,交由你来负责该产品的设计,试讨论该产品的设计全程。 6、请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路,你觉得应该具备哪些方面的知识? 7、描述你对集成电路设计流程的认识。 8、集成电路前端设计流程,后端设计流程,相关的工具。 9、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool. 10、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。 11、简述半定制数字电路的设计流程。 12、简要说明并比较数字集成电路几种不同的实现方法。 13、什么是集成电路的设计规则。 14、同步电路和异步电路的区别是什么? 15、画出CMOS电路的晶体管级电路图,实现Y=AB+C(D+E) 16、在CMOS电路中,要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平,这个单管你会用P管还是N 管,为什么? 17、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管,N阱的阱电位的连接有什么要求? 18、名词解释:VLSI, CMOS, EDA, VHDL, DRC, LVS, DFT, STA 19、画出CMOS与非门的电路,并画出波形图简述其功能。

[整理]东南大学高等数学期中期末试卷.

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------------- ------------- (A) ∑ ∞ =1 21 n n (B) ∑∞ =??? ??+111ln n n (C) ()n n n n n ??? ??+-∑∞ =111 (D) ∑?∞=+1 1 04 d 1n n x x x 4. 下列结论正确的是 [ ] (A) 若[][]b a d c ,,?,则必有 ()()?? ≤b a d c x x f x x f d d . (B) 若()x f 在区间[]b a ,上可积,则()x f 在区间[]b a ,上可积. (C) 若()x f 是周期为T 的连续函数,则对任意常数a 都有()()?? +=T T a a x x f x x f 0 d d . (D) 若()x f 在区间[]b a ,上可积,则()x f 在[]b a ,内必有原函数. 三. (每小题7分,共35分) 1. ()()30 2 0d cos ln lim x t t t x x ?+→. 2. 判断级数 ∑∞ =-1 354n n n n 的敛散性. 3. x x x x d cos cos 04 2?-π. 4. ?∞+13 d arctan x x x . 5. 求初值问题 ()()?? ? ??-='=+=+''210,10sin y y x x y y 的解. 四.(8分) 在区间[]e ,1上求一点ξ,使得图中所示阴影部分绕 x 轴旋转所得旋转体的体积最小 五.(7分) 设 b a <<0,求证 ()b a a b a b +-> 2ln . 六.(7分) 设当1->x 时,可微函数()x f 满足条件 ()()()0d 1 10=+- +'?x t t f x x f x f 且()10=f ,试证:当0≥x 时,有 ()1e ≤≤-x f x 成立. 七.(7分) 设()x f 在区间[]1,1-上连续,且 ()()0d tan d 1 1 11 ==??--x x x f x x f , x ln

2013年1月期末试题及答案

试卷代号:2347 中央广播电视大学2012-2013学年度第一学期“开放专科”期末考试 建筑结构试题 一、单项选择题(每小题2分,共计30分,将选择结果填入括弧内) 1.我国混凝土结构设计规范规定:混凝土强度等级依据( )确定。 A.圆柱体抗压强度标准 B.轴心抗压强度标准值 C.棱柱体抗压强度标准值 D.立方体抗压强度标准值 2.下列关于混凝土收缩变形的说法,正确的是( )。 A.与混凝土所受的应力大小有关 B.随水泥用量的增加而减小 C.随水灰比的增加而增大 D.与养护条件无关 3.下列各项中,( )应按正常使用极限状态设计。 A.结构作为刚体失去平衡 B.因过度的塑性变形而不适于继续承载 C.影响耐久性能的局部损坏 D.构件丧失稳定 4.( )是结构按极限状态设计时采用的荷载基本代表值,是现行国家标准《建筑结构荷载规范》(GB 50009-2001)中对各类荷载规定的设计取值。 A.荷载标准值 B.荷载组合值 C.荷载频遇值 D.荷载准永久值 A.防止出现超筋破坏 B.防止出现少筋破坏 C.保证受压钢筋屈服 D.保证受拉钢筋屈服 6.梁斜截面破坏有多种形态,均属脆性破坏,相比较之下脆性最严重的是( )。 A.斜压破坏 B.剪压破坏 C.斜拉破坏 D.斜弯破坏 7.螺旋箍筋柱较普通箍筋柱承载力提高的原因是( )。 A.螺旋筋使纵筋难以被压屈 B.螺旋筋的存在增加了总的配筋率 C.螺旋筋约束了混凝土的横向变形 D.螺旋筋的弹簧作用 8.对于对称配筋的钢筋混凝土受压柱,大小偏心受压构件的判断条件是( )。

9.预应力混凝土构件,当采用钢绞丝、钢丝、热处理钢筋做预应力钢筋时,混凝土强度等级不宜低于( )。 A.C25 B.C30 C.C40 D.C45 10.屋盖结构分无檩屋盖和有檩屋盖两种,有檩屋盖由( )组成。 A.大型屋面板、檩条、屋架(包括屋盖支撑) B.小型屋面板、檩条、屋架(包括屋盖支撑) C.大型屋面板、屋面梁或屋架(包括屋盖支撑) D.小型屋面板、屋面梁或屋架(包括屋盖支撑) 11.作用在厂房结构上的大部分荷载都是通过( )传给基础、再传到地基中去。 A.屋盖 B.纵向排架 C.地基 D.横向排架 12.单层厂房结构中,( )的作用是将墙体和柱、抗风柱等箍在一起,增加厂房的整体刚性,防止由于地基发生过大的不均匀沉降或较大振动荷载引起的不利影响。 A.圈梁 B.连系梁 C.过梁 D.基础梁 13.下列关于多层与高层房屋结构荷载的说法,错误的是( ) A.主要包括竖向荷载、水平荷载和温度作用 B.对结构影响较大的是竖向荷载和水平荷载 C.水平荷载随房屋高度的增加而迅速增大 D.对于超高层房屋,水平荷载不可能对结构设计起控制作用 14.( )在水平荷载下表现出抗侧刚度小、水平位移大的特点,故属于柔性结构,此类房 屋一般不超过15层。 A.框架结构 B.剪力墙结构 C.砌体结构 D.简体结构 15.( )是将预制梁、柱和板在现场安装就位后,在梁的上部及梁、柱节点处再后浇混凝 土使之形成整体。 A.全现浇式框架 B.半现浇式框架

2013至2014年度第一学期期末试卷

y O b kx y +=x 2012至2013年度第一学期八年级 上册数学期末测试卷 班级:___________ 姓名:____________ 座号:___________ 成绩:__________ 一、选择题(本题共有10个小题,每小题3分,共30分)在每小题给出的四个选项中,只有一项是正确的,把正确的序号填在题后的括号内。 1.下列实数中是无理数的是( ) (A )38.0 (B )π (C ) 4 (D ) 7 22 - 2.在平面直角坐标系中,点A (1,-3)在( ) (A )第一象限 (B )第二象限 (C )第三象限 (D )第四象限 3.-8的立方根是( ) (A )2± (B )2 (C ) -2 (D )24 4.下列四组数据中,不能..作为直角三角形的三边长是( ) (A )3,4,6 (B )7,24,25 (C )6,8,10 (D )9,12,15 5.下列各组数值是二元一次方程43=-y x 的解的是( ) (A )???-==11y x (B )???==12y x (C )???-=-=21y x (D )? ??-==14y x 6.已知一个多边形的内角各为720°,则这个多边形为( ) (A )三角形 (B )四边形 (C )五边形 (D )六边形 7.某商场对上周末某品牌运动服的销售情况进行了统计,如下表所示: 颜色 黄色 绿色 白色 紫色 红色 数量(件) 120 150 230 75 430 经理决定本周进货时多进一些红色的,可用来解释这一现象的统计知识是( ) (A )平均数 (B )中位数 (C )众数 ( D )平均数与中位数 8.一次函数y=5-x与y=2x-1的图像的交点坐标为( ) (A )(2,-3 )(B )(2,3)(C )(1 ,2)(D )(1,3) 9.在平面直角坐标系中,已知一次函数b kx y +=的图象大致如 图所示,则下列结论正的是( ) (A )k >0,b >0 (B )k >0, b <0 (C )k <0, b >0 (D )k <0, b <0. 10.下列说法正确的是( ) (A )矩形的对角线互相垂直 (B )等腰梯形的对角线相等 (C )有两个角为直角的四边形是矩形 (D )对角线互相垂直的四边形是菱形

《集成电路设计原理》试卷及答案课件

电科《集成电路原理》期末考试试卷 一、填空题 1.(1分) 年,第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2 . ( 2 分 ) 摩 尔 定 律 是 指 。 3. 集 成 电 路 按 工 作 原 理 来 分 可 分 为 、 、 。 4.(4分)光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和去胶。 5.(4分)MOSFET 可以分为 增强型NMOS ,耗尽型NMOS ,增强型PMOS ,耗尽型PMOS___四种基本类型。 6.(3分)影响MOSFET 阈值电压的因素有: 、 以及 。 7.(2分)在CMOS 反相器中,V in ,V out 分别作为PMOS 和NMOS 的 栅极, 和 漏极 ; VDD , 作为PMOS 的源极和体端, ,GND 作为NMOS 的源极和体端。 8.(2分)CMOS 逻辑电路的功耗可以分为 和 。 9.(3分)下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =,电路中各节点的初始电压为0,如果不考虑衬偏效应,则各输出节点的输出电压Y 1= 4 V ,Y 2= 3 V ,Y 3= 3 V 。 DD 1 3 2 10.(6分)写出下列电路输出信号的逻辑表达式:Y 1= ;Y 2= ;Y 3= 。 A B Y 1 A B 2 3 二、画图题:(共12分)

1.(6分)画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CD =+的电路图,要求使用的MOS管最少。 2.(6分)用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC =,画出其相应的电路图。 三、简答题:(每小题5分,共20分) 1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程,n阱的作用是什么? 2.场区氧化的作用是什么,采用LOCOS工艺有什么缺点,更好的隔离方法是什么? 3.简述静态CMOS电路的优点。

东南大学2015年毛概期末复习试题答案高分答案

考试时间:6月18日(周四)18:30-20:30 题型题量:简答题(每题10分,3题,共30分); 辨析题(先判断正误再说明理由,每题20分,2题,共40分); 材料题(每题30分,1题,共30分)。 1.如何理解“马克思主义中国化"的科学内涵? P3(和2,4相似)马克思主义中国化,就是将马克思主义的基本原理同中国的具体实际相结合,不断形成具有中国特色马克思主义成果的过程。 一方面是在实践中学习和运用理论,用理论指导实践的过程,另一方面又在总结实践经验的基础上深化对理论的认识并丰富和方展理论的过程。 1)马克思主义在指导中国革命、建设和改革的实践中实现具体化. 2)把中国革命、建设和改革的实践经验和历史经验上升为理论。 3)把马克思主义植根于中国的优秀文化之中,以形成具有中国特色的马克思主义理论。 2.马克思主义中国化的两大理论成果是什么,两者的关系是 怎样的? 毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系是马克思主义中国化的两大理论成果,它们之间是一脉相承又与时俱进的关系。 1)毛泽东思想是中国特色社会主义理论体系的重要思想渊源。 ①毛泽东思想所蕴含的马克思主义的立场,观点和方法,为中国特色社会 主义理论体系提供了基本遵循。 ②毛泽东思想关于社会主义建设的理论,为开创和发展中国特色社会主 义作了重要的理论准备。 2)中国特色社会主义理论体系在新的历史条件下进一步丰富和发展了毛泽东思想.

3)毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系都是马克思列宁主义在中国的运用和发展。 3.毛泽东思想的活的灵魂和历史地位是什么? (和5相似)毛泽东思想的活的灵魂:是贯穿于毛泽东思想各个理论(新民主主义理论,社会主义革命和社会主义建设理论,革命军队建设和军事战略的理论,政策和策略的理论,思想政治工作和文化工作理论,党的建设理论-—了解)组成部分的立场、观点和方法,它们有三个基本方面:实事求是,群众路线,独立自主. 毛泽东思想的历史地位: 1)它是马克思主义中国化第一次历史性飞跃的理论成果。 2)它是中国革命和建设的科学指南. 3)它是党和人民的宝贵精神财富。 4.中国特色社会主义理论体系的主要内容和历史地位是什 么? (第一章,简答题,字数超50)主要内容: 1)中国特色社会主义的思想路线 2)建设中国特色社会主义总依据理论 3)社会主义本质和建设中国特色社会主义总任务理论 4)社会主义改革开放理论 5)建设中国特色社会主义总布局理论 6)实现祖国完全统一的理论 7)中国特色社会主义外交和国际发展战略理论 8)中国特色社会主义建设的根本目的和依靠力量理论

2013-2014学年期末试卷

西北农林科技大学 2013-2014 学年期末考试 分子生物学本科考试试题 ________________________________________ 注意事项:1.答案必须写在答题纸上 2.字迹要清楚、卷面要整洁 3.草稿纸另发,考试结束,统一收回———————————————————— 一、名词解释(30分) 内含子单克隆抗体顺式作用元件回文序列 cDNA SD序列半保留复制 GU-AG规则启动子转录 二、填空(每空1分,共计10分) 1、原核生物DNA指导的RNA聚合酶的核心酶的组成是ααββ'_。 2、原核细胞核糖体的小亚基上的16SrRNA 协助辨认起始密码子。 3、新生肽链每增加一个氨基酸单位都需要经过进位,转肽,移位三步反应,其中,在进位和移位反应中各需要一分子的GTP 提供能量。 4、通过基因重排调节基因活性的典型例子是免疫球蛋白结构基因的表达。 5、核糖体包括两个 tRNA 分子的结合位点:肽酰 tRNA 结合区,即 P 位点,紧密结合与多肽链延伸属端连接的 tRNA 分子;氨酰tRNA 结合区,即 A 位点,结合带有一个氨基酸的tRNA 分子。 6、在所有细胞中,都有一种特别的起始 tRNA 识别起始密码子AUG,它携带一种特别的氨基酸,即甲硫氨酸,作为蛋白质合成的起始氨基酸。 三、简答题(60分) 1、根据翻译过程所涉及的各个步骤,设计出至少 6 种抑制翻译的方案。 答:通过以下影响核糖体加工的方法可以抑制翻译: ①阻碍起始因子三级结构的形成; ②用反义 RNA与 mRNA 结合形成双链结构抑制 RNA 翻译; ③选择性地封闭 30S 亚基的 P 位点与 A 位点; ④引入错义抑制; ⑤抑制 30S 与 50S 亚基的装配; ⑥抑制转肽反应; ⑦抑制核糖体的转位; ⑧抑制核糖体的解离。

集成电路设计方案习题答案章

集成电路设计方案习题答案章

CH1 1.按规模划分,集成电路的发展已经经历了哪几代?它的发展遵循了一条业界著名的定律,请说出是什么定律? 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE 定律 2.什么是无生产线集成电路设计?列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术,但不拥有生产线。特点:电路设计,工艺制造,封装分立运行。环境:IC产业生产能力剩余,人们需要更多的功能芯片设计 3.多工程晶圆

的作用。P13 5.列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6.SOI材料是怎样形成的,有什么特点? SOI绝缘体上硅,能够经过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点:电极与衬底之间寄生电容大大减少,器件速度更快,功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点? 肖特基接触:阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触:载流子能够容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 CH31.写出晶体外延的意义,列出三种外延生长方法,并比较各自的优缺点。 意义:用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长,气相外延生长,金属有机物气相外延生长 2.写出掩膜在IC制造过程中的作用,比较整版掩膜和单片掩膜的区别,列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3.写出光刻的作用,光刻有哪两种曝光方式?作用:把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4.X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点? X 射线

东 南 大 学 高等数学下期末考试( A 卷)

共 5 页 第 1 页 东 南 大 学 考 试 卷( A 卷) 一. 填空题 1.设一平面过原点及点()6,3,2-,且与平面428x y z -+=垂直,则此平面的方程是 . 2. 幂级数() () 1 1 12ln 1n n n n x n ∞ =-+∑的收敛域为 . 3. 交换积分次序:()()12 20 01 d ,d d ,d y y y f x y x y f x y x -+=??? ? . 4. 设曲线C 为圆周2 2 1x y +=,则曲线积分()2 23d C x y x s +-=? . 二. 单项选择题 1.曲面24e 3z xy z +-=在点()1,2,0处的法线与直线 12 112 x y z --== -的夹角为 [ ] (A) 4π (B) 3π (C) 2 π (D) 0 2.设区域D 由直线,y x y x ==-和1x =围成,1D 是D 位于第一象限的部分,则[ ] (A )()()1 sin d d 2d d D D xy y xy x y xy x y +=???? (B )()()()1 sin d d 2sin d d D D xy y xy x y y xy x y +=???? (C )()()()()1 sin d d 2sin d d D D xy y xy x y xy y xy x y +=+???? (D ) ()()sin d d 0D xy y xy x y +=?? 3.设∑ 为上半球面z = ,则曲面积分 ∑ 的值为 [ ] (A )4π (B ) 165π (C )16 3 π (D )83π

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