NAND FLASH在储存测试中的应用

NAND FLASH在储存测试系统中的应用(3)

2009-11-09 22:35:43 来源:王文杰马游春李锦明

关键字：NAND FLASH 储存测试K9K8G08UOM

2 NAND FLASkI Memory的硬件部分

本设计当中，FLASH的数据输入输出口、控制端口通过调理电路与FPGA的端口相连，图4所示是其硬件连接电路。

从图4中可知，FLASH的数据输入输出端口I／00～7、控制端口／CE、是通过芯片SN54LV245与FPGA相连；FLASH的控制端口cLE、ALE、／WE、／RE通过芯片SN54LV245和芯片74HCl4与ITGA相连。其中F-CLE、F-ALE、F—WE、F-RE、F—CE、F- R／Bur是FPGA的I／O口，是FPGA逻辑的输入输出口。CLE、ALE信号是FLASH存储器命令、地址锁存使能信号,／WE是保证命令、地址、数据能否及时正确的写入FLASH 的信号，／RE信号控制着数据的读取，这些信号的精确度关系着FLASH存储、读数功能的实现。所以，这些信号的好坏直接关系着FLASH的正常工作。经实践的电路调试，这些信号在传输过程中受到了其它因素的干扰，信号明显失真，在电路中加入74HCl4(非门)以后，信号会变得光滑，准确。

芯片SN54LV245是八进制三态总线收发器，DIR=1时，总线传输方向从A→B；DIR=0时，总线传输方向从B→A。／OE是片选信号。／0E，DIR信号是由FPGA内部编程逻辑控制的。

FL,ASH接口中，为了保证／wE、／RE、／CE、R／B控制信号初始状态无效，由硬件电路实现端口值拉高。本设计中不使用写保护功能，所以／WP端口也接上了上拉电阻。

3 结束语

基于闪存技术的固态存储器存储密度大，功耗小，可靠性高，体积小重量轻且成本也在不断降f氐，在航空应用中有良好的应用前景。在设计储存测试系统时选用大容量的NAIXD FLASH存储器大大提高了储存、读取速度，并且设计电路结构简单，易于修改。

(本文转自电子工程世界：http://www.eewo

闪存芯片KM29N32000TS在单片机系统中的应用

发布:2011-09-02 | 作者: | 来源: ducuimei | 查看:492次 | 用户关注：

摘要：介绍32M位闪存芯片（FlashMemory）KM29N32000TS,并以87C552单片机为例介绍它在单片机系统中的硬件连接和软件编制方法。该芯片与单片机的硬件连接电路简单，可扩容能力强，易于编程，且体积小、容量大，具有很高的实用价值。关键词：KM29N32000TSFlash 存储器单片机系统在许多测量和测试应用系统中，如便携式仪器等其它电池供电系统，需要保证数据的可靠性和可用性，即使整个系统掉电，而所采集到的数据仍能长时间的保持不丢失

摘要：介绍32M位闪存芯片（Flash Memory）KM29N32000TS,并以87C552单片机为例介绍它在单片机系统中的硬件连接和软件编制方法。该芯片与单片机的硬件连接电路简单，可扩容能力强，易于编程，且体积小、容量大，具有很高的实用价值。

关键词：KM29N32000TS Flash存储器单片机系统

在许多测量和测试应用系统中，如便携式仪器等其它电池供电系统，需要保证数据的可靠性和可用性，即使整个系统掉电，而所采集到的数据仍能长时间的保持不丢失。闪存技术的发燕尾服提供了这种可能性。闪存的非易失性非常优越，数据可保存长达10的。本文将介绍32M位闪存芯片KM29N32000TS及其在87C552单片机系统中的应用。

1 KM29N32000TS简介

KM29N32000TS作为闪速存储器兼有E2PROM的可编程能力和非易失性，并且容量大、速度快，只需单5V供电便可做读、编程、擦除等操作。图1是它的存储器组织图。

KM29N32000TS是44（40）脚表面封装器件，封装尺寸为

18.80mm×11.78mm×1.20mm，内部有（4M+128K）×8位的存储空间，组织成8192行，（512+16）列，其中最后16列为后备列，列地址为512～527。可以进行以512字节为一页的页读、字操作和以8K字节为一块的块擦除操作，有一个528字节的页豁口用于页读、页编程时存储单元的数据传输。

KM29N32000TS的突出优点在于：命令、地址和数据信息均通过8条I/O线传输，这样4MB空间的22位地址需要分三次写入地址寄存器，经译码后访问相应单元。对单片机而言，当需扩展的存储空间超过64KB时，寻址便会存在一定困难，系统的连线复杂而使可靠性降低。采用这种闪速存储器便能克服上述困难，而且便于各式级到更大容量而无需要改外部连接。

图2为其引脚功能图，各引脚的功能如下：

CLE：命令锁存使能。其为高时，命令通过I/O口线在WE信号的上升沿被锁入命令寄存器。

ALE：地址锁存使能。当其为高时，地址在WE信号的上升沿被锁入地址寄存器；当其为低时，锁定输入数据。

CE：片使能。读操作期间，CE变高，器件转入standby模式；编程或擦除期间，器件处于忙状态时，CE高将被忽略。

WE：写使能。命令、地址和数据在WE信号的上升沿被锁定。

RE：读使能。下降沿有效。WP：写保护。在电源电压过渡期间，使WP为低电平时，可产生写/擦除保护。

R/B：操作状态指示。为低电平时，指示正在编程或读操作中，操作结束后变成高，开路输出。

I/O口：（I/O0～I/O7）三态。输入命令、地址和数据以及读操作时输出数据。

对该存储器的各种操作有着共同的特点：首先通过I/O口将操作命令字送入命令寄存器，然后在三个连续的写周期内送入欲操作单元的地址（顺序为A0～A7，A9～A16，A17～A21，A8会根据所访问的存储区域的不同而自动设定为高或低）。

2 与87C552单片机的连接

KM29N32000TS与87C552单片机的接口电路如图3所示。由单片机的P1口直接与存储器的I/O0～I/O7相连，实现命令、地址和数据的传输；P1.0接CLE，控制命令输入；P1.2接ALE，控制地址输入；P1.1接CE，控制片选；P1.3接R/B，监测存储器的工作状态；WR、RD分别接WE、RE，控制读、写操作。

图3中的MAX809是一个电源电压监测芯片。当电源电压低于某一个值时（门限电压），输出低电平，使得存储器进入写保护状态。当电源电压超过门限电压240ms后，才解除写保护状态，可以正常写入数据。这样可以保证写入存储器的数据都是有效的。MAX809的工作电流只有17μA。

3 软件设计

与存储器有关的操作有读数据、写数据（即页编程）和擦除数据，下面仅以读写操作来说明其操作过程，具体过程的程序流程如图4、图5所示。

①在读操作子程序中，既可以一次读取一整页的数据，也可以读取指定地址处的数据。如果要连续读取多页数据，则需要根据存储器的读时序修改子程序。

②页编程子程序每次可以写一页的数据，也可以在起始地址所在的当前页中写入数据，但不能实现跨页编程。如果数据个数超出页边界，将会造成数据丢失。

结语

该芯片及应用系统已在石油钻井井下随钻测量系统中得到实际应用，虽历经多次系统掉电，但数据仍保存完好。实践证明，其可靠性高，性能稳定，有很高的实用价值

瑞文标准推理测验简介

瑞文标准推理测验简介 Document serial number【LGGKGB-LGG98YT-LGGT8CB-LGUT-

《瑞文标准推理测验(SPM)》简介瑞文标准推理测验（Raven’s Standard Progressive Matrices，简称SPM）是由英国心理学家瑞文（J. C. Raven）1938年编制的非言语智力测验。它的主要任务是要求被试根据一个大图形中的符号或图案的规律，将适当的图形填入大图形的空缺中，如下图所示。自其问世以来，许多国家对它做了修订，直到现在仍广泛使用，有着重要的理论意义与实用价值。 瑞文推理测验有三种类型：（1）标准推理测验（简称SPM，1938）：适用于8岁到成人被试，有5个黑白系列；（2）儿童彩色渐进测验（Raven’s Color Progressive Matrices，简称CPM，1947），有三个系列；（3）高级推理测验（Raven’s Advanced Progressive Matrices，简称APM，1956），适用于高智力水平者。这三种推理测验在我国已修订发行。 瑞文测验在编制在理论上依据斯皮尔曼的智力二因素理论。该理论认为智力主要有两个因素构成，其一是一般因素，又称“G”因素，它可以渗入所有的智力活动中，每个人都具有这种能力，但在水平上有差异；另一因素是特殊因素，可用“S”表示，这种因素种类多，与特定任务高相关，例如音乐能力、数学、交际能力等。瑞文推理测验测量的是智力的一般因素（“G”因素），尤其与人的问题解决，清晰知觉和思惟，发现和利用自己所需信息，以及有效地适应社会生活的能力有关。

NAND Flash中文版资料

NAND Flash 存储器 和 使用ELNEC编程器烧录NAND Flash 技术应用文档 Summer 翻译整理 深圳市浦洛电子科技有限公司 August 2006

目录 一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18

功能测试报告模板

功能测试报告模板

XXXX项目功能测试报告日期: 2016-××-××

文档修订记录 版本号日期撰写人审核人批准人变更摘要 & 修订位置V1.020160224 V2.020160301

目录 1 项目概述 (4) 1.1项目背景 (4) 1.2编写目的 (4) 1.3术词及缩略语 (4) 2 系统概述 (4) 2.1功能概述 (4) 2.2系统业务流 (4) 2.3与其它系统间关系 (4) 3 测试设计 (5) 3.1测试准备 (5) 3.1.1 测试目标 (5) 3.1.2 测试范围 (5) 3.1.2.1. 功能测试 (5) 3.1.3 测试环境 (5) 3.1.4 业务流测试方法 (6) 4 测试用例 (6) 5 测试执行 (6) 6 测试结果分析 (6) 6.1测试需求覆盖率分析 (6) 6.2用例执行率 (6) 6.3按缺陷级别统计 (7) 6.4按缺陷类型统计 (7) 6.5缺陷分析 (7) 6.6残留缺陷与未解决问题 (7) 7 测试总结 (7) 8 约束和假设 (7) 9 测试交付物 (7) 10 测试建议 (7)

1项目概述 1.1项目背景 <对整个项目的描述、对被测系统的简要描述> 1.2编写目的 <阐本测试报告的具体编写目的，指出预期的读者范围> 实例：本测试报告为XXX项目的测试报告，目的在于总结测试阶段的测试以及分析测试结果，描述系统是否符合需求（或达到XXX功能目标）。预期参考人员包括用户、测试人员、、开发人员、项目管理者、其他质量管理人员和需要阅读本报告的高层经理。 1.3术词及缩略语 <详细解释本次测试涉及的专业用语和缩略语>

CS测试简介

测试目的 评估EUT 在共模射频(150kHz～80MHz)传导下的抗扰度测试标准 IEC61000-4-6 可参考GB17626.6 测试项目 Conducted Immunity 测试 测试要求 实验室环境要求 Temperature 15℃~35℃ Relative Humidity 25%~75% 大气压68(680) ~ 106(1060) kPa 隔音屏蔽室 仪器要求 CDN参数要求阻抗（至少要100欧姆） 0.15~26兆赫兹 150欧姆(±20欧姆) 26~80兆赫兹 150欧姆（+60/-45）

SG要求 选择测试注入法规则 测试原理 标准EN61000-4-6定义了传导抗扰度的测试方法. 第一,耦合方法.在EN61000-4-6定义的三种耦合方法,最好的方法是通过耦合/去耦(CDN)直接注入电压,这样插入损耗为零,因此只需要较小的功率. 第二,电缆射频注入测试要求远离EUT的电缆末端上的共模阻抗固定不变.所以,每一种类型的电缆都必须在其远端有一个共模去耦网络或阻抗稳固网络(ISN),以确保这一阻抗,并将任何辅助设备与电缆上的射频电流影响隔离开,并且,使用该网络将射频电压耦合到电缆上. 第三,传导抗扰度测试虽然不需要昂贵的电磁吸波屏蔽室设施,但当几根电缆连接到EUT上时,它能否反映EUT的真实情况还值得怀疑.所以,这种电压注入法不太适合按规定有很多电缆连接到其上的设备. 第四,对传导抗扰度测试的主要限制条件是频率.EUT尺寸远小于测试频率的波长时,射频能量的大部分被暴露在辐射场中的设备电缆所获得,因此传导测试可以反映真实情况.但随着频率的增大,以至于EUT尺寸接近半波长时,则电缆的主导作用减小,并且在较高频率上,场耦合路径与EUT尺寸的结构、内部电路及其电缆相互影响.所以标准EN61000-4-6规定上限频率在80～230MHz(相应设备尺寸约为0.6～2m). 根据电磁辐射环境,测试水平为1V、3V或10V.在设计的测试中，我们选择3V的测试水平。实际施加的信号需用1kHz正弦波进行80%深度的幅度调制.

测试报告编写方法及注意事项

测试报告编写方法及注意事项软件测试 一：测试报告编写方法 测试报告是把测试的过程和结果写成文档，并对发现的问题和缺陷进行分析，为纠正软件的存在的质量问题提供依据，同时为软件验收和交付打下基础。本文提供测试报告模板以及如何编写的实例指南。 测试报告是测试阶段最后的文档产出物，优秀的测试经理应该具备良好的文档编写能力，一份详细的测试报告包含足够的信息，包括产品质量和测试过程的评价，测试报告基于测试中的数据采集以及对最终的测试结果分析。 下面以通用的测试报告模板为例，详细展开对测试报告编写的具体描述。 PARTⅠ首页 0.1页面内容： 密级 通常，测试报告供内部测试完毕后使用，因此密级为中，如果可供用户和更多的人阅读，密级为低，高密级的测试报告适合内部研发项目以及涉及保密行业和技术版权的项目。 XXXX项目/系统测试报告 报告编号 可供索引的内部编号或者用户要求分布提交时的序列号 部门经理______项目经理______ 开发经理______测试经理______ XXX公司XXXX单位（此处包含用户单位以及研发此系统的公司） XXXX年XX月XX日 0.2格式要求： 标题一般采用大体字（如一号），加粗，宋体，居中排列 副标题采用大体小一号字（如二号）加粗，宋体，居中排列 其他采用四号字，宋体，居中排列

0.3版本控制： 版本作者时间变更摘要 新建/变更/审核 PARTⅡ引言部分 1.1编写目的 本测试报告的具体编写目的，指出预期的读者范围。 实例：本测试报告为XXX项目的测试报告，目的在于总结测试阶段的测试以及分析测试结果，描述系统是否符合需求（或达到XXX功能目标）。预期参考人员包括用户、测试人员、、开发人员、项目管理者、其他质量管理人员和需要阅读本报告的高层经理。 提示：通常，用户对测试结论部分感兴趣，开发人员希望从缺陷结果以及分析得到产品开发质量的信息，项目管理者对测试执行中成本、资源和时间予与重视，而高层经理希望能够阅读到简单的图表并且能够与其他项目进行同向比较。此部分可以具体描述为什么类型的人可参考本报告XXX页XXX章节，你的报告读者越多，你的工作越容易被人重视，前提是必须让阅读者感到你的报告是有价值而且值得浪费一点时间去关注的。 1.2项目背景 对项目目标和目的进行简要说明。必要时包括简史，这部分不需要脑力劳动，直接从需求或者招标文件中拷贝即可。 1.3系统简介 如果设计说明书有此部分，照抄。注意必要的框架图和网络拓扑图能吸引眼球。 1.4术语和缩写词 列出设计本系统/项目的专用术语和缩写语约定。对于技术相关的名词和与多义词一定要注明清楚，以便阅读时不会产生歧义。 1.5参考资料 1．需求、设计、测试用例、手册以及其他项目文档都是范围内可参考的东东。 2．测试使用的国家标准、行业指标、公司规范和质量手册等等 PARTⅢ测试概要

CS测试简介

?测试目的 评估EUT 在共模射频(150kHz～80MHz)传导下的抗扰度 ?测试标准 IEC61000-4-6 可参考GB17626.6 ?测试项目 Conducted Immunity 测试 ?测试要求 ●实验室环境要求 Temperature 15℃~35℃Relative Humidity 25%~75% 大气压68(680) ~ 106(1060) kPa 隔音屏蔽室 ●仪器要求 CDN参数要求阻抗（至少要100欧姆） 0.15~26兆赫兹150欧姆(±20欧姆) 26~80兆赫兹150欧姆（+60/-45） SG要求 ●选择测试注入法规则 ?测试原理 标准EN61000-4-6定义了传导抗扰度的测试方法. 第一,耦合方法.在EN61000-4-6定义的三种耦合方法,最好的方法是通过耦合/去耦(CDN)直接注入电压,这样插入损耗为零,因此只需要较小的功率. 第二,电缆射频注入测试要求远离EUT的电缆末端上的共模阻抗固定不变.所以,每一种类型的电缆都必须在其远端有一个共模去耦网络或阻抗稳固网络(ISN),以确保这一阻抗,并将任何辅助设备与电缆上的射频电流影响隔离开,并且,使用该网络将射频电压耦合到电缆上. 第三,传导抗扰度测试虽然不需要昂贵的电磁吸波屏蔽室设施,但当几根电缆连接到EUT上时,它能否反映EUT的真实情况还值得怀疑.所以,这种电压注入法不太适合按规定有很多电缆连接到其上的设备. 第四,对传导抗扰度测试的主要限制条件是频率.EUT尺寸远小于测试频率的波长时,射频能量的大部分被暴露在辐射场中的设备电缆所获得,因此传导测试可以反映真实情况.但随着频率的增大,以至于EUT尺寸接近半波长时,则电缆的主导作用减小,并且在较高频率上,场耦合路径与EUT尺寸的结构、内部电路及其电缆相互影响.所以标准EN61000-4-6规定上限频率在80～230MHz(相应设备尺寸约为0.6～2m).

NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)

NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)2012-03-30 00:57:33 NOR-FLASH是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架 构.NOR-FLASH在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,但是由于NOR-FLASH只支持块擦除,其擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，导致擦除和编程操作所花费的时间很长,所以在纯数据存储和文件存储的应用中显得力不从心. NOR-FLASH的特点是: 1. 程序和数据可存放在同一芯片上，FLASH芯片拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随 机读取，并且允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 2. 可以单字节或单字读取，但不能单字节擦除，必须以部分或块为单位或对整片执行擦除操 作，在执行写操作之前,必需先根据需要对部分,块或整片进行擦除,然后才能写入数据。 以SST系列NOR-FLASH芯片为例介绍FLASH的使用方法及驱动. 首先,在驱动的头文件中,要根据芯片的具体情况和项目的要求作如下定义: 1. 定义操作的单位,如 typedef unsigned char BYTE; // BYTE is 8-bit in length typedef unsigned short int WORD; // WORD is 16-bit in length typedef unsigned long int Uint32; // Uint32 is 32-bit in length 在这里地址多是32位的,芯片写操作的最小数据单位为WORD,定义为16位,芯片读操作的最小数据单位是BYTE,定义为8位. 2. 因为芯片分为16位和32位的,所以对芯片的命令操作也分为16位操作和32位操作(命令 操作在介绍具体的读写过程中将详细介绍). #ifdef GE01 /*宏NorFlash_32Bit，若定义了为32位NorFlash，否则为16位NorFlash*/ #define NorFlash_32Bit #endif 3. 根据芯片的情况,定义部分(段)和块的大小. #define SECTOR_SIZE 2048 // Must be 2048 words for 39VF160X #define BLOCK_SIZE 32768 // Must be 32K words for 39VF160X

APP软件功能测试报告

APP软件功能测试报告

目录 1概述 (3) 1.1编写目的 (3) 1.2测试范围 (3) 1.3参考资料 (4) 2测试环境 (4) 3问题统计 (4) 3.1按BUG状态统计 (4) 3.2测试问题总结 (5) 4.综合评价 (5) 4.1软件能力 (5) 4.2建议 (5)

1概述 1.1编写目的 本测试报告为。。。的测试报告，目的在于总结测试阶段的测试情况以及分析测试结果，描述系统是否符合用户需求，是否已经达到用户预期的功能目标，并对测试质量进行分析。测试报告参考文档提供给用户、测试人员、开发人员、项目管理者、其他管理人员和需要阅读本报告的高层经理阅读。 本报告详细说明了。。功能测试报告。 表 1概述 1.2测试范围 测试主要根据用户需求说明书以及相应的文档进行功能测试、兼容性测试等，而单元测试和集成测试由开发人员来执行。 表2 测试模块

1.3参考资料 表3参考资料2测试环境 表4 测试环境3问题统计 3.1按BUG状态统计

优先级扇形图1、项目进度扇形图2 3.2测试问题总结 本测试持续（时间），到目前为止发现的Bug数量是。。其中，重新开启：，未解决：已解决：。在整个系统测试执行期间，项目组开发人员及时的解决测试人员提出的各种缺陷，在一定程度上较好的保证了测试执行的效率以及测试最终期限。 4.综合评价 4.1软件能力 经过项目组开发人员、测试人员以及相关人员的协力合作，xxxxx项目已达到交付标准。该项目能够实现用户需求说明书上的功能，能够满足需求方和管理人员的需求。 4.2建议 需求提出方可以在使用改系统的基础上，继续收集用户的使用需求反馈，以便在今后的版本中补充并完善

浅谈NorFlash的原理及其应用

浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR

软件测试之软件测试报告编写指南

软件测试之软件测试报告编写指南 测试报告编写指南 由安博测试空间技术中心:///提供摘要 测试报告是把测试的过程和结果写成文档，并对发现的问题和缺陷进行分析，为纠正软件的存在的质量问题提供依据，同时为软件验收和交付打下基础。本文提供测试报告模板以及如何编写的实例指南。 关键字 测试报告缺陷 正文 测试报告是测试阶段最后的文档产出物，优秀的测试经理应该具备良好的文档编写能力，一份详细的测试报告包含足够的信息，包括产品质量和测试过程的评价，测试报告基于测试中的数据采集以及对最终的测试结果分析。 下面以通用的测试报告模板为例，详细展开对测试报告编写的具体描述。 PARTⅠ 首页 0.1页面内容： 密级 通常，测试报告供内部测试完毕后使用，因此密级为中，如果可供用户和更多的人阅读，密级为低，高密级的测试报告适合内部研发项目以及涉及保密行业和技术版权的项目。XXXX项目/系统测试报告 报告编号 可供索引的内部编号或者用户要求分布提交时的序列号 部门经理 ______项目经理______ 开发经理______测试经理______ XXX公司 XXXX单位（此处包含用户单位以及研发此系统的公司） XXXX年XX月XX日 0.2格式要求： 标题一般采用大体字（如一号），加粗，宋体，居中排列 副标题采用大体小一号字（如二号）加粗，宋体，居中排列 其他采用四号字，宋体，居中排列 0.3版本控制： 版本作者时间变更摘要 新建/变更/审核 PARTⅡ 引言部分 1.1编写目的 本测试报告的具体编写目的，指出预期的读者范围。

实例：本测试报告为XXX项目的测试报告，目的在于总结测试阶段的测试以及分析测试结果，描述系统是否符合需求（或达到XXX功能目标）。预期参考人员包括用户、测试人员、、开发人员、项目管理者、其他质量管理人员和需要阅读本报告的高层经理。 提示：通常，用户对测试结论部分感兴趣，开发人员希望从缺陷结果以及分析得到产品开发质量的信息，项目管理者对测试执行中成本、资源和时间予与重视，而高层经理希望能够阅读到简单的图表并且能够与其他项目进行同向比较。此部分可以具体描述为什么类型的人可参考本报告XXX页XXX章节，你的报告读者越多，你的工作越容易被人重视，前提是必须让阅读者感到你的报告是有价值而且值得浪费一点时间去关注的。 1.2项目背景 对项目目标和目的进行简要说明。必要时包括简史，这部分不需要脑力劳动，直接从需求或者招标文件中拷贝即可。 1.3系统简介 如果设计说明书有此部分，照抄。注意必要的框架图和网络拓扑图能吸引眼球。 1.4术语和缩写词 列出设计本系统/项目的专用术语和缩写语约定。对于技术相关的名词和与多 义词一定要注明清楚，以便阅读时不会产生歧义。 1.5参考资料 1．需求、设计、测试用例、手册以及其他项目文档都是范围内可参考的东东。 2．测试使用的国家标准、行业指标、公司规范和质量手册等等 PARTⅢ 测试概要 测试的概要介绍，包括测试的一些声明、测试范围、测试目的等等，主要是测试情况简介。（其他测试经理和质量人员关注部分） 2.1测试用例设计 简要介绍测试用例的设计方法。例如：等价类划分、边界值、因果图，以及用这类方法。 提示：如果能够具体对设计进行说明，在其他开发人员、测试经理阅读的时候就容易对你的用例设计有个整体的概念，顺便说一句，在这里写上一些非常规的设计方法也是有利的，至少在没有看到测试结论之前就可以了解到测试经理的设计技术，重点测试部分一定要保证有两种以上不同的用例设计方法。 2.2测试环境与配置 简要介绍测试环境及其配置。 提示：清单如下，如果系统/项目比较大，则用表格方式列出 数据库服务器配置 CPU：

总结NAND FLASH控制器的操作

NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序， 1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。 NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括 几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。 NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。 K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。 K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。 共2K 块 每块大小16 页 每页大小2K + 64BYTE 即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。 OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。 NCON：NAND FLASH类型选择信号。 GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。 GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。 GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。 访问NAND FLASH 1）发生命令：读、写、还是擦除 2）发生地址：选择哪一页进行上述操作 3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态 NAND FLASH支持的命令： #define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1 #define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2 #define CMD_READID 0x90 //读ID 命令 #define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1 #define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2 #define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1 #define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2 #define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令 #define CMD_RESET 0xff //复位 #define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1

STM32使用FSMC控制NAND flash 例程概要

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处。 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B,我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K,多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动。 本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A 首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明: 1、Nor读取速度比NAND稍快 2、Nand写入速度比Nor快很多 3、NAND擦除速度(4ms远快于Nor(5s 4、Nor 带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很轻松的挂接到CPU 地址和数据总线上,对CPU要求低 5、NAND用八个(或十六个引脚串行读取数据,数据总线地址总线复用,通常需要CPU支持驱动,且较为复杂 6、Nor主要占据1-16M容量市场,并且可以片内执行,适合代码存储 7、NAND占据8-128M及以上市场,通常用来作数据存储 8、NAND便宜一些 9、NAND寿命比Nor长 10、NAND会产生坏块,需要做坏块处理和ECC 更详细区别请继续百度,以上内容部分摘自神舟三号开发板手册

下面是NAND的存储结构: 由此图可看出NAND存储结构为立体式 正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nand flash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。 需要注意的是,对于flash的读写都是以一个page开始的,但是在读写之前必须进行flash 的擦写,而擦写则是以一个block为单位的。 我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍: Memory Cell Array = (2K+64 Bytes x 64 Pages x 1,024 Blocks 由此可见,该NAND每页2K,共64页,1024块。其中:每页中的2K为主容量Data Field, 64bit为额外容量Spare Field。Spare Field用于存贮检验码和其他信息用的,并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte,即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口: 由此图可见,此颗粒为八位总线,地址数据复用,芯片为SOP48封装。 软件驱动:(此部分写的是伪码,仅用于解释含义,可用代码参见附件 主程序: 1. #define BUFFER_SIZE 0x2000 //此部分定义缓冲区大小,即一次写入的数据 2. #define NAND_HY_MakerID 0xAD //NAND厂商号 3. #define NAND_HY_DeviceID 0xF1 //NAND器件号 4. /*配置与SRAM连接的FSMC BANK2 NAND*/

测试报告书编写格式、范文

测试报告书编写格式 测试报告书是测试阶段最后的文档产出物，“优秀的测试人员”应该具备良好的文档编写能力，一份详细的测试报告书应该包含足够的信息，包括产品质量和测试过程的评价，测试报告基于测试中的数据采集以及对最终的测试结果分析。 测试报告 测试报告就是把测试的过程和结果写成文档，并对发现的问题和缺陷进行分析，为纠正产品的存在的质量问题提供依据，同时为产品验收和交付打下基础。 一、测试报告书内容 测试报告书的内容可以总结为以下目录： （1）首页 （2）引言 目的 背景 缩略语 参考文献 （3）测试概要 测试方法 测试范围 测试环境 测试工具) （4）测试结果与缺陷分析 功能测试 性能测试 （5）测试结论与建议 项目概况 测试时间 测试情况 结论性能汇总 （6）附录 缺陷统计 二、测试报告书各部分的格式内与容

1、首页 （1）测试报告名称 产品名称 版本号 XX测试报告 （2）测试报告委托方 报告责任方 报告日期等 （3）测试版本变化历史 （4）测试密级 2、引言 2.1 引言编写 引言编写目的是简单的阐述该测试报告的具体编写目的，指出预期的读者范围。 实例：本测试报告为XXX项目的测试报告，目的在于总结测试阶段的测试以及分析测试结果，描述系统是否符合需求（或达到XXX功能目标）。预期参考人员包括用户、测试人员、、开发人员、项目管理者、其他质量管理人员和需要阅读本报告的高层经理。 2.2 项目背景 对项目目标和目的进行简要说明。必要时包括简史，这部分不需要脑力劳动，直接从需求或者招标文件中拷贝即可。

2.3 系统简介 如果设计说明书有此部分，照抄。注意必要的框架图和网络拓扑图。 2.4 术语和缩略语 列出设计本系统/项目的专用术语和缩写语约定。对于技术相关的名词和与多义词一定要注明清楚，以便阅读时不会产生歧义。 2.5 参考资料 （1）需求、设计、测试用例、手册以及其他项目文档都是范围内可参考的资料。 （2）测试使用的国家标准、行业指标、公司规范和质量手册等等。 3、测试概要 3.1 测试的概要介绍 包括测试的一些声明、测试范围、测试目的等等，主要是测试情况简介。 3.2 用例设计方法 简要介绍测试用例的设计方法 3.3 测试环境与配置 简要介绍测试环境及其配置。 提示：清单如下，如果系统/项目比较大，则用表格方式列出数据库服务器配置。 4、测试结果与缺陷分析 整个测试报告中这是最重要的部分，这部分主要汇总各种数据

NAND FLASH在储存测试中的应用

NAND FLASH在储存测试系统中的应用(3) 2009-11-09 22:35:43 来源:王文杰马游春李锦明 关键字：NAND FLASH 储存测试K9K8G08UOM 2 NAND FLASkI Memory的硬件部分 本设计当中，FLASH的数据输入输出口、控制端口通过调理电路与FPGA的端口相连，图4所示是其硬件连接电路。 从图4中可知，FLASH的数据输入输出端口I／00～7、控制端口／CE、是通过芯片SN54LV245与FPGA相连；FLASH的控制端口cLE、ALE、／WE、／RE通过芯片SN54LV245和芯片74HCl4与ITGA相连。其中F-CLE、F-ALE、F—WE、F-RE、F—CE、F- R／Bur是FPGA的I／O口，是FPGA逻辑的输入输出口。CLE、ALE信号是FLASH存储器命令、地址锁存使能信号,／WE是保证命令、地址、数据能否及时正确的写入FLASH 的信号，／RE信号控制着数据的读取，这些信号的精确度关系着FLASH存储、读数功能的实现。所以，这些信号的好坏直接关系着FLASH的正常工作。经实践的电路调试，这些信号在传输过程中受到了其它因素的干扰，信号明显失真，在电路中加入74HCl4(非门)以后，信号会变得光滑，准确。 芯片SN54LV245是八进制三态总线收发器，DIR=1时，总线传输方向从A→B；DIR=0时，总线传输方向从B→A。／OE是片选信号。／0E，DIR信号是由FPGA内部编程逻辑控制的。 FL,ASH接口中，为了保证／wE、／RE、／CE、R／B控制信号初始状态无效，由硬件电路实现端口值拉高。本设计中不使用写保护功能，所以／WP端口也接上了上拉电阻。 3 结束语 基于闪存技术的固态存储器存储密度大，功耗小，可靠性高，体积小重量轻且成本也在不断降f氐，在航空应用中有良好的应用前景。在设计储存测试系统时选用大容量的NAIXD FLASH存储器大大提高了储存、读取速度，并且设计电路结构简单，易于修改。 (本文转自电子工程世界：http://www.eewo

光模块原理简介

光模工作原理介 块简 目录 摘要 (2) 关键词 (2) 1 引用的文档和参考标准说明 (2) 2 缩写说明 (2) 3 正文 (2)

摘要 以SFP光模块为例，介绍光模块内部的组成和工作原理。 关键词 SFP光模块 1引用的文档和参考标准说明 2缩写说明 SFP：Small Form-factor Pluggable 小型化可插拔 3正文 光模块是我们群路科都要用到的PHY层的器件，虽然封装，速率，传输距离有所不同，但是其内部组成基本是一致的。SFP收发合一Transceiver因其小型化，热插拔方便，支持SFF8472标准，模拟量读取方便（IIC读取），且检测精度高（+/-2dBm以内）而逐渐成为运用的主流，下面就以SFP光模块为例，介绍其内部的组成和相关的工作原理。 SFP内部结构图 SFP光模块的内部结构： 由上图可见，光模块主要部分是由光发射组件，激光驱动器，光接收组件（L16.2光模块光接收部分使用APD接收机，还需要升压电路），限幅放大器和控制器组成的。驱动芯片和限幅放大器一般都支持从155Mb/s到2.67Gb/s多速率。速率不同，传输距离不同的光模块有很多只是前端光组件的差别，高速率SFP光模块BOM成本的90％都集中在光组件上。由上图还可以看出，为了保证上电顺序，SFP光模块的金手指部分的长度是不一样的，最长的是信号地，其次是电源，最短的是信号，这样在插拔的时候就保证了地－电源－信号的顺序。 光发射组件 TOSA（Transmiter Optical Sub-Assembly）： 常用的光发射组件由两大类，一类是采用发光二极管LED封装的TOSA，一类是采用半导体激光二极

功能测试实验报告模版

《软件质量保证与测试实验》课程 实验报告 实验2: 功能测试和Uft 工具使用

学号: 姓名: 班级: 一、实验类型 参照《实验指导书》 一、实验目的和要求 1. 实验目的 参照《实验指导书》 2. 实验要求 参照《实验指导书》 二、实验步骤 参照《实验指导书》

三、实验环境 参照《实验指导书》 四、测试方法 参照《实验指导书》，结合教材内容简单描述所使用的测试方法 五、实验题目和测试用例 （一）实验题目 第1题A加B程序的加法功能测试 这是一个计算1～100 之间两个整数之和的加法器程序，用Java 语言编写。程序的具体要求：如果输入数据为1～100 之间两个整数，则计算和并输出；否则给出提示信息“请输入1～100 之间的整数”。 第2题Windows 系统自带的计算器程序除法功能测试 （二）设计测试用例 针对每一个题使用等价类划分方法设计测试用例（见附录 1 ） 六、实验过程和记录 （一）第１题的实验过程和记录 （1））准备一个Excel 表文件，表名取为“加法-测试参数化表-学号-姓名”，文件名取为“等

价类-1 至100 加法-测试用例及测试记录-学号-姓名”，内容为根据等价类划分方法设计的 测试用例； （2））启动UFT ，工作空间命名为学号，在选择插件对话框中勾选“Java 插件”，新建一个测试“EX2-1 ”并新建解决方案“EX2-1 ”； （3））在数据视图界面的“数据”选项卡中“Action1 ”导入Excel 表文件数据； （4））在“Action1 ”中对数据进行编辑，删除作为标题的第一行； （5））进行录制脚本设置，设置“可执行文件”为本次实验的A 加B版本1中的APLUSB 程序; （6））录制脚本，为输出结果插入检查点，录制完成后在编辑脚本页面修改脚本代码（见附录3）； （7））在流程界面中，为Action1 设置操作调用属性，将迭代方式设置为“从行 1 运行到行23”； （8））运行脚本，记录运行结果，填写测试记录（见附录4）。 注意： （1））成功录制脚本并运行，观察脚本运行情况 （2））分析测试报告，完成测试记录 （二）第２题的实验过程和记录 参照第一题，详细阐述实验过程和记录。测试和解决方案命名为“EX2-2 ”。 六、实验总结 要求 (1) 测试结果和分析,并且给一个评估.

GBT 11049燃烧测试标准介绍

GB/T 11049燃烧测试标准介绍 GB/T 11049地毯燃烧性能室温片剂试验方法 GB/T 11049Burning behaviour of carpets-Tablet test at ambient temperature GB/T 11049 应用范围 GB/T 11049规定了地毯在控制的实验室条件下，以水平位置暴露于小火源时的表面燃烧性能试验方法。 GB/T 11049适用于各种组织结构和纤维组分的地毯。 GB/T 11049规定试样处于水平位置，其试验结果不适用以其他位置使用的地毯的燃烧性能。 GB/T 11049仅用于在控制的实验室条件下，地毯材料或组合系统对热和火焰的反应性能评定，而不能用于对地毯在实际着火条件下的易燃性的评价或规定。在贸易中，按照IS0 2859 抽样方案进行抽样，本方法可以作为一种满意的试验手段在商品验收试验中广泛应用。 GB/T 11049 参考标准 QB/T 1087 机制地毯物理试验的取样和试样的截取法（IS0 1957） IS0 139 纺织品的调试和试验用标准大气 IS0 2589 计数抽样操作程序和表格 GB/T 11049 测试原理 在规定条件下，将水平位置的试样暴露在小火源即六亚甲基四胺片剂(以下简称片剂)的作用中，并测量试验后的损毁长度和火焰蔓延时间。 GB/T 11049 测试要求 试验结果应以每块试样的最大损毁长度(mm) 表示。 GB/T 11049 类似标准 ISO 6925 Textile floor coverings-Burning behaviour - Tablet test at ambient temperature, IDT ISO 6925 铺地纺织品-燃烧性能-室温片剂测试 办理燃烧测试流程： 1、项目申请——向检测机构监管递交申请。 2、资料准备——根据要求，企业准备好相关的认证文件。 3、产品测试——企业将待测样品寄到实验室进行测试。 4、编制报告——认证工程师根据合格的检测数据，编写报告。 5、递交审核——工程师将完整的报告进行审核。 6、签发证书——报告审核无误后，颁发报告。

nandflash用法

6 NAND FLASH CONTORLLER OVERVIEW In recent times, NOR flash memory gets high in price while an SDRAM and a NAND flash memory is comparatively economical , motivating some users to execute the boot code on a NAND flash and execute the main code on an SDRAM. S3C2440A boot code can be executed on an external NAND flash memory. In order to support NAND flash boot loader, the S3C2440A is equipped with an internal SRAM buffer called ‘Steppingstone’. When booting, the first 4K Bytes of the NAND flash memory will be loaded into Steppingstone and the boot code loaded into Steppingstone will be executed. Generally, the boot code will copy NAND flash content to SDRAM. Using hardware ECC, the NAND flash data validity will be checked. Upon the completion of the copy, the main program will be executed on the SDRAM. comparatively 比较地、相当地 motivating v. 激励；刺激；调动…的积极性（motivate的ing形式） execute vt. 实行；执行；处死 internal n. 内脏；本质adj. 内部的；里面的；体内的；（机构）内部的 Steppingstone n. 踏脚石；进身之阶；达到目的的手段 validity n. [计] 有效性；正确；正确性 content n. 内容，目录；满足；容量adj. 满意的；vt. 使满足 FEATURES 1. Auto boot: The boot code is transferred into 4-kbytes Steppingstone during reset. After the transfer, the boot code will be executed on the Steppingstone. 2. NAND Flash memory I/F: Support 256Words, 512Bytes, 1KWords and 2KBytes Page. 3. Software mode: User can directly access NAND flash memory, for example this feature can be used in read/erase/program NAND flash memory. 4. Interface: 8 / 16-bit NAND flash memory interface bus. 5. Hardware ECC generation, detection and indication (Software correction). 6. SFR I/F: Support Little Endian Mode, Byte/half word/word access to Data and ECC Data register, and Word access to other registers 7. SteppingStone I/F: Support Little/Big Endian, Byte/half word/word access. 8. The Steppingstone 4-KB internal SRAM buffer can be used for another purpose after NAND flash booting. 特性 1。自动引导:在复位时，引导代码写入4-k字节的中转区，在转移后启动 代码将在中转区上执行。 2。NAND闪存接口:支持256字，512字节，1k字和2KB字节页。 3。软件模式:用户可以直接访问NAND闪存，例如这个特性可以用于 读/写/擦除NAND闪存。