Magnetoresistance and magnetic breakdown in the quasi-two-dimensional conductors (BEDT-TTF)

a r X i v :c o n d -m a t /9608041v 1 8 A u g 1996

Magnetoresistance and magnetic breakdown in the quasi-two-dimensional conductors

(BEDT-TTF)2MHg(SCN)4[M=K,Rb,Tl]

Ross H.McKenzie,1?G.J.Athas,2J.S.Brooks,3R.G.Clark,1A.S.Dzurak,1R.Newbury,1R.P.Starrett,1

A.Skougarevsky,1M.Tokumoto,4N.Kinoshita,4T.Kinoshita,4and Y.Tanaka 4

1

School of Physics and National Pulsed Magnet Laboratory,University of New South Wales,Sydney 2052,Australia

2

Physics Department,Boston University,Boston,MA 02215

3

National High Magnetic Field Laboratory,Florida State University,Tallahassee,FL 32306

4

Electrotechnical Laboratory,Tsukuba,Ibaraki 305,Japan

(Received 21June 1996)

The magnetic ?eld dependence of the resistance of (BEDT-TTF)2MHg(SCN)4[M=K,Rb,Tl]in the density-wave phase is explained in terms of a simple model involving magnetic breakdown and a reconstructed Fermi surface.The theory is compared to measurements in pulsed magnetic ?elds up to 51T.The value implied for the scattering time is consistent with independent determinations.The energy gap associated with the density-wave phase is deduced from the magnetic breakdown ?eld.Our results have important implications for the phase diagram.

To appear in Physical Review B,Rapid Communications,September 15,1996.PACS numbers:72.15.Gd,74.70.Kn,75.30.Fv,71.45.Lr

Conducting organic molecular crystals based on the BEDT-TTF and TMTSF molecules are novel low-dimensional electronic systems.1,2The family (BEDT-TTF)2MHg(SCN)4[M=K,Rb,Tl,NH 4]are of particular interest because they have a rich phase diagram and coex-isting quasi-one-dimensional and quasi-two-dimensional Fermi surfaces.Metallic,superconducting,and density-wave phases are possible,depending on temperature,pressure,magnetic ?eld,and anion type.2At ambient pressure,the family with M=K,Rb,Tl undergo a tran-sition from a metal to a density-wave (DW)phase at a temperature T DW =8,9,and 12K,respectively.There is currently controversy as to whether this is a spin-density wave or a charge-density wave.3,4,5,6This phase is de-stroyed above a magnetic ?eld,H k ,known as the kink ?eld (for M=K,Tl,and Rb,H k =23,27,and 32T,respectively).2,7

The purpose of this Rapid Communication is to present new measurements of the ?eld dependence of the magne-toresistance up to 51T and explain this dependence in terms of magnetic breakdown and a reconstructed Fermi surface in the DW phase.The ?eld dependence has the following features (compare Figure 1).(1)At low ?elds the resistance increases rapidly up to H max ～15T.The maximum resistance is roughly an order of magnitude larger than the zero ?eld resistance.(2)The resistance then decreases with increasing ?eld.(3)Above about 30T the background (non-oscillating)resistance saturates to a value much larger than the zero-?eld resistance.(4)At low temperatures hysteresis is seen near the kink ?eld.This is because destruction of the DW phase is a ?rst or-der transition at low temperatures.(5)The maximum resistance increases and H max decreases as the tempera-ture is lowered.Measurements on poorer quality samples

give smaller maximum resistance.8,9(6)As the angle be-tween the ?eld and the conducting planes is increased H max increases 5,10,11,12but H k does not vary.5,11

The measurements shown in Figure 1were made at the Australian National Pulsed Magnet Laboratory.13Sam-ples were studied in a top loading 3He refrigerator and aligned so the magnetic ?eld was in the least-conducting direction (the b axis).The voltage and current were also along the b axis.The magnet system was pulsed up to 51T with a duration of 20ms.Measurements were made with dc constant current (80-200μA)sources and low noise,di?erential pre-ampli?ers.Pick-up from the dB/dt term was never more than 50%of the signal above 25T.The pick-up term was eliminated from the data by aver-aging forward and reverse current traces.A RuO 2ther-mometer mounted within 5mm of the sample was used to monitor the temperature before and after each pulse.No systematic changes in temperature were observed as a result of the pulse.Preliminary data for a single temper-ature was brie?y reported elsewhere.14,15Similar results have been obtained by other groups on the K and Tl salts in ?elds up to 30T 8,9,10,16,17and on K up to 50T.18The room-temperature Fermi surface of (BEDT-TTF)2MHg(SCN)4[M=K,Rb,Tl]in the conduct-ing plane,calculated within a tight binding model 19,20is shown in the inset of Figure 2.There is a cylindri-cal or quasi-two-dimensional hole Fermi surface and a quasi-one-dimensional electron Fermi surface consisting of two warped sheets.It is believed that the nesting of the quasi-one-dimensional Fermi surface is responsible for the formation of the DW phase.The DW introduces a new periodic potential with wavevector Q into the system resulting in reconstruction of the quasi-two-dimensional Fermi surface.Two di?erent reconstructions of the Fermi

surface have been proposed 22,23and are described below.We shall focus on the one shown in Figure 2,purely for

reasons

of calculational simplicity.We show here that if magnetic breakdown,which causes the holes to return to their original unreconstructed closed orbits,is taken into account the complete ?eld dependence of the resistance can be explained.Similar results are expected for the second proposed Fermi surface.21

In the DW phase the large magnetoresistance oscillates as the orientation of the magnetic ?eld relative to the most conducting planes is varied (angle-dependent mag-netoresistance oscillations (AMRO)).2To explain this ef-fect a reconstructed Fermi surface consisting of of two open sheets and many small “lens”orbits (Fig.2)has been proposed.22The sheets give rise to a large magne-toresistance,except when the current direction is per-pendicular to the sheets.At low ?elds the magnetoresis-tance will increase quadratically with ?eld.This model has been used to give a quantitative description of the AMRO for ?elds up to about 15T.24However,these cal-culations do not include magnetic breakdown and cannot explain the decrease in resistance with increasing ?elds above 15T.

There are several problems with the Fermi surface re-construction shown in Figure 2.The existence of open sheets depends on a delicate balance between the size and shape of the Fermi surface and the direction of the DW wavevector.There is experimental 23,25,26and theoretical 27evidence that the desired conditions are not met.Uji et al.23proposed an alternative reconstructed Fermi surface with no open https://www.sodocs.net/doc/497333636.html,pensated elec-tron and hole pockets produce a large magnetoresistance which will be reduced by magnetic breakdown.5Due to the above problems,Yoshioka 28proposed an explanation for the AMRO that does not require reconstruction of the Fermi surface.29

The e?ect of magnetic breakdown on magnetoresis-tance has been considered in detail by Pippard 30and Falicov and Sievert.31They quantitatively described the shape of the magnetoresistance curves for zinc and magnesium,30,32which are similar to those in Figure 1.We have calculated the magnetoresistance for the model Fermi surface shown in Figure 2using the formalism of Falicov and Sievert.31,33The ratio of the resistance in a ?eld H ,ρ(H ),to the zero ?eld resistance,ρ0,depends on the dimensionless quantities H/H 0and eH 0τ/m ?where τis the scattering time (assumed to be the same at all points on the Fermi surface),e is the electronic charge,m ?the e?ective mass,and H 0is the magnetic breakdown ?eld 30

H 0=

πE 2g

πm ?

.(2)

The holes experience an e?ective scattering rate 31τ?1+4eH 0/πm ?where the second term represents additional scattering due to magnetic breakdown.35

Figure 3shows the ?eld dependence of the resistance for values of eH 0τ/m ?ranging from 10to 100.The cur-rent is parallel to the open Fermi surface and the ?eld is perpendicular to the plane.No magneto-oscillations are present because the model is semiclassical.Note the following features,all similar to that observed in (BEDT-TTF)2MHg(SCN)4[M=K,Rb,Tl].(1)For low ?elds the resistance increases quadratically with ?eld.(2)There is a maximum at a ?eld H max .(3)Above about 0.8H 0the resistance depends weakly on the ?eld and on the scattering rate.(4)As the scattering rate decreases the maximum value of the resistance increases and H max de-creases.

It should be noted that the current orientation in our calculation is not the same as in the experiment.In the experiment the current and ?eld were set parallel to the least conducting direction,as others have done,because this produces a large signal to noise ratio.In such a con?guration no Lorentz force acts on the electrons and so no classical magnetoresistance and no oscillations are expected.Yet,for reasons that are not understood,5the data is similar to that seen when the current is in the most conducting plane.8,9,10,36

Comparing our data for Tl to the theory gives val-ues for τand H 0of (3±2)×10?12sec and 60±20T,respectively.The value of τcorresponds to a Dingle temperature of 0.4±0.3K.This value is comparable to values of about 0.2K deduced from the ?eld depen-dence of SdH and dHvA oscillations above H K for the K salt.37This value is much smaller than the values of about 3-4K deduced from the ?eld dependence of the oscillations below H K .37This may be reasonable because the ?eld dependence of the closed hole orbit (also known as the αorbit)below H K will be dominated by magnetic breakdown and not scattering.38

The temperature dependence of the magnetoresistance might appear to be due to the temperature dependence of the scattering rate.If so the scattering rate in the Tl salt should change by a factor of about two as the temperature changes from 0.36to 4.4K.However,no such change is observed in the zero ?eld resistance.39The deduced value of H 0and (1)gives a value for E g of 10±2meV.40It is important to note that the same periodic potential (due to the DW wave)reconstructs the hole Fermi surface and produces an energy gap E 1on the quasi-one-dimensional electron Fermi surface.El-ementary band theory 41implies E 1=E g .As far as we are aware E 1has not been determined previously.

A rough estimate of this gap can be made by noting that for a quasi-one-dimensional system(with no coex-isting two-dimensional Fermi surface)mean-?eld theory implies E1=3.52k

B T DW.A transition temperature of T DW=9K gives E1=3meV.However,in typical quasi-one-dimensional materials the gap is actually two to?ve times that predicted by this relation(see Table II in Ref.

42),probably due to?uctuations reducing the transition temperature.Hence the value we deduce for the break-down?eld is quite reasonable.For the Rb salt we deduce a slightly larger value of H0,and thus E1,consistent with the trend in transition temperatures(9K versus12K). That we can describe the?eld dependence of the re-sistance using the magnetic breakdown model applied to the reconstructed Fermi surface has important implica-tions for the phase diagram and what one deduces from magnetoresistance measurements.Within our framework the transition at the kink?eld represents only a small change in the magnetoresistance.In contrast,for the Tl salt it has been suggested that because the resistance de-creases between H max and H k this?eld region represents a di?erent phase.9,36Also,it has been suggested that the absence of AMRO above H k denotes destruction of the reconstructed Fermi surface.18However,within our model this may not be the case:the Fermi surface may still be reconstructed but due to magnetic breakdown the open Fermi surface has little e?ect on the resistance. The question of the nature of the high?eld phase will be considered in more detail elsewhere.6

In conclusion,we have presented measurements of the?eld and temperature dependence of the resistance of(BEDT-TTF)2MHg(SCN)4[M=Rb,Tl]up to51T and shown how the?eld dependence can be explained in terms of magnetic breakdown and a reconstructed Fermi surface in the density-wave phase.Our successful expla-nation has important implications for the phase diagram. It is not necessary to assume that there is a new phase between H max and H k,and the high?eld phase may not be the same as the zero?eld metallic phase.

Work at UNSW was supported by the Australian Re-search Council.GJA and JSB were supported in part by NSF grant DMR92-14889.We thank P.M.Siev-ert,J.Singleton,S.Uji,and T.Ziman for helpful dis-cussions.We thank M.V.Kartovsnik for sending us a well-characterized sample of(BEDT-TTF)2TlHg(SCN)4. Figure2was produced by D.Scarratt.We thank T.Zi-man and E.Canadell for providing the data for the inset of Figure2.

(Ref.

32,p.343?.).This means the Dingle temperature of

3-4K(Ref.37)corresponds to H0?60-80T.Although the

consistency of this with our independent estimate of H0is

appealing,this argument would also predict the same?eld

dependence for the?rst and second harmonic,contrary to

experiment.37

39T.Sasaki,S.Endo,and N.Toyota,Phys.Rev.B48,1928

(1993).

40The Fermi velocity was estimated from the Fermi wave

vector k F calculated from the area of the hole Fermi surface

implied by the frequency(670T)14of Shubnikov de Haas

oscillations.32We used an e?ective mass m?=2.7m e,given

by the temperature dependence of the SdH oscillations.37

41N.W.Ashcroft and N.D.Mermin,Solid State Physics

(Saunders,Philadelphia,1976),p.158.

42R.H.McKenzie,Phys.Rev.B52,16428(1995).

MAGNETIC FIELD (TESLA)

R

E

S

I

S

T

A

N

C

E

(

A

R

B

.

U

N

I

T

S

)

FIG.1.Magnetic?eld dependence of the resistance of

(BEDT-TTF)2MHg(SCN)4at di?erent temperatures for(a)

M=Tl and(b)M=Rb.The pulsed magnetic?eld and the cur-

rent direction were parallel to the least-conducting direction.

Note that the resistance increases rapidly up to about15T,

then decreases until about30T.The inset of(a)shows two

curves corresponding to up and down sweeps of the magnetic

?eld.They do not coincide near27T(the”kink?eld”)due

to hysteresis associated with the?rst order transition there.

For clarity only down sweeps are shown in the main Figure.

The measurements on Tl were four terminal and those on Rb

were two terminal with a large contact resistance.

FIG.2.One possible reconstruction of the Fermi surface

by the periodic potential due to the density wave.The inset

shows the calculated Fermi surface for the Tl salt20,27at room

temperature.It consists of quasi-two-dimensional cylinders

for holes and quasi-one-dimensional open sheets for electrons.

The main?gure shows the reconstructed hole Fermi surface

used in our calculations.It now comprises open orbits and

closed orbits.The former produce a large magnetoresistance

at low?elds.At high?elds magnetic breakdown results in

only closed orbits(dashed lines).The open electron Fermi

surface shown in the inset disappears due to the opening of

an energy gap.

FIG.3.Magnetic?eld dependence of the resistance for the Falicov-Sievert model with the Fermi surface shown in Figure 2.The calculation is for a?eld perpendicular to the plane and the current parallel to the open sheet of the reconstructed Fermi surface.The upper curves correspond to larger scatter-ing timesτ,i.e.,lower temperatures or higher quality samples. The magnetic?eld is normalised to the magnetic breakdown ?eld H0de?ned in Eq.(1).The resistance is normalised to its value at high?elds given by Eq.(2).A similar?eld depen-dence is expected for the alternative Fermi surface proposed by Uji et al.23

旧版《标准日本语》初级下 单词

《标准日本语》初级下册 第26课 词汇Ⅰ 空港 (くうこう) (0) [名] 机场 両替する (りょうがえする) (0) [动3] 换钱，兑换 忘れる (わすれる) (0) [动2] 忘记 出迎える (でむかえる) (0) [动2] 迎接 全部 (ぜんぶ) (1) [名] 一共 出迎え (でむかえ) (0) [名] 来迎接 見つける (みつける) (0) [动2] 找，找到 歓迎 (かんげい) (0) [名] 欢迎 訪日 (ほうにち) (0) [名] 访日，访问日本 出口 (でぐち) (1) [名] 出口 背 (せ) (1) [名] 个子 ほか (0) [名] 以外 紹介する (しょうかいする) (0) [动3] 介绍 よろしくお願いします (よろしくおねがいします) (0 + 6) [寒暄] 请多关照楽しみ (たのしみ) (4) [名] 盼望，期待，乐于 言葉 (ことば) (3) [名] 语言，词，话语，词语 覚える (おぼえる) (3) [动2] 记住，学会 来日 (らいにち) (0) [名] 来日，来到日本 目的 (もくてき) (0) [名] 目的 展示場 (てんじじょう) (0) [名] 展览会，展览现场 自動車 (じどうしゃ) (2) [名] 汽车 見学 (けんがく) (0) [名] 参观 ホテル (1) [名] 饭店，旅馆 だいじょうぶだ (3) [形动] 不要紧，没关系 李 (り) (1) [专] 李 ～団 (だん) ～目 (め) ～場 (じょう) 词汇Ⅱ おもしろさ (3) [名] 趣味，乐趣 おもしろみ (0) [名] 趣味，妙趣 苦しい (くるしい) (3) [形] 苦 苦しさ (くるしさ) (3) [名] 痛苦 苦しみ (くるしみ) (0) [名] 痛苦 甘さ (あまさ) (0) [名] 甜味，甜头 甘み (あまみ) (0) [名] 甜味 片づける (かたづける) (4) [动2] 收拾，整理 酒 (さけ) (0) [名] 酒 結婚する (けっこんする) (0) [动3] 结婚 火事 (かじ) (1) [名] 着火，火灾 ストーブ (2) [名] 炉子 消す (けす) (0) [动1] 熄，灭

精神分裂症的病因及发病机理

精神分裂症的病因及发病机理 精神分裂症病因：尚未明，近百年来的研究结果也仅发现一些可能的致病因素。（一）生物学因素1．遗传遗传因素是精神分裂症最可能的一种素质因素。国内家系调查资料表明：精神分裂症患者亲属中的患病率比一般居民高6.2倍，血缘关系愈近，患病率也愈高。双生子研究表明：遗传信息几乎相同的单卵双生子的同病率远较遗传信息不完全相同 的双卵双生子为高，综合近年来11项研究资料：单卵双生子同病率（56.7%），是双卵双生子同病率（12.7%）的4.5倍，是一般人口患难与共病率的35-60倍。说明遗传因素在本病发生中具有重要作用，寄养子研究也证明遗传因素是本症发病的主要因素，而环境因素的重要性较小。以往的研究证明疾病并不按类型进行遗传，目前认为多基因遗传方式的可能性最大，也有人认为是常染色体单基因遗传或多源性遗传。Shields发现病情愈轻，病因愈复杂，愈属多源性遗传。高发家系的前瞻性研究与分子遗传的研究相结合，可能阐明一些问题。国内有报道用人类原癌基因Ha-ras-1为探针，对精神病患者基因组进行限止性片段长度多态性的分析，结果提示11号染色体上可能存在着精神分裂症与双相情感性精神病有关的DNA序列。2．性格特征：约40%患者的病前性格具有孤僻、冷淡、敏感、多疑、富于幻想等特征，即内向

型性格。3．其它：精神分裂症发病与年龄有一定关系，多发生于青壮年，约1/2患者于20～30岁发病。发病年龄与临床类型有关，偏执型发病较晚，有资料提示偏执型平均发病年龄为35岁，其它型为23岁。80年代国内12地区调查资料：女性总患病率（7.07%。）与时点患病率（5.91%。）明显高于男性（4.33%。与3.68%。）。Kretschmer在描述性格与精神分裂症关系时指出：61%患者为瘦长型和运动家型，12.8%为肥胖型，11.3%发育不良型。在躯体疾病或分娩之后发生精神分裂症是很常见的现象，可能是心理性生理性应激的非特异性影响。部分患者在脑外伤后或感染性疾病后发病；有报告在精神分裂症患者的脑脊液中发现病毒性物质；月经期内病情加重等躯体因素都可能是诱发因素，但在精神分裂症发病机理中的价值有待进一步证实。（二）心理社会因素1．环境因素①家庭中父母的性格，言行、举止和教育方式（如放纵、溺爱、过严）等都会影响子女的心身健康或导致个性偏离常态。②家庭成员间的关系及其精神交流的紊乱。③生活不安定、居住拥挤、职业不固定、人际关系不良、噪音干扰、环境污染等均对发病有一定作用。农村精神分裂症发病率明显低于城市。2．心理因素一般认为生活事件可发诱发精神分裂症。诸如失学、失恋、学习紧张、家庭纠纷、夫妻不和、意处事故等均对发病有一定影响，但这些事件的性质均无特殊性。因此，心理因素也仅属诱发因

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励磁芯损耗的两倍。例如，对于许多开关电源来说，具有矩形波激励磁芯的 5V、20A和30A输出的电源，必须采用多股绞线或利兹(Litz)线绕制线圈，不能使用粗的单股导线。 2Q值曲线 所有磁性材料制造厂商公布的Q值曲线都是低损耗滤波器用材料的典型曲线。这些测试参数通常是用置于磁芯上的最适用的绕组完成的。对于罐形磁芯，Q值曲线指出了用作生成曲线时的绕组匝数和导线尺寸，导线是常用的利兹线，并且绕满在线圈骨架上。 对于钼坡莫合金磁粉芯同样是正确的。用最适合的绕组，并且导线绕满了磁芯窗口时测试，则Q值曲线是标准的。Q值曲线是在典型值为5高斯或更低的低交流(AC)激励电平下测量得出的。由于在磁通密度越高时磁芯的损耗越大，故人们警告，在滤波电感器工作在高磁通密度时，磁芯的Q值是较低的。3电感量、AL系数和磁导率 在正常情况下，磁芯制造厂商会发布电感器和滤波器磁芯的AL系数、电感量和磁导率等参数。这些AL的极限值建立在初始磁导率范围或者低磁通密度的基础上。对于测试AL系数，这是很重要的，测试AL系数是在低磁通密度下实施的。 某些质量管理引入检验部门，希望由他们用几匝绕组检查磁芯，并用不能控制频率或激励电压的数字电桥测试磁芯。几乎毫不例外，以几百高斯、若干

栏杆机说明书

MAGSTOP MIB 2O／3O／40 栏杆机 及MAGTRONIC MLC 控制器 操作指导 @1999年马格内梯克控制系统(上海)有限公司 地址：上海浦东新区宁桥路999号二幢底西层邮编：201206 电话：(21)58341717 传真：(21)58991233

目录 1. 系统概述 2 1.1 停车场系统的布局 2 1. 2 系统组件概述 2 2 安全 3 2.1一般安全信息3 2.2 建议用途 3 2.3 本手册中使用的安全标志3 2.4 操作安全 4 2.5 技术发展 4 2.6 质量保证 4 3. 装配及安装 5 3.1 构筑安装地基 5 3.2 安装感应线圈 6 3.3 安装机箱 8 3.4 安装栏杆机臂 8 3.5 基本机械结构 9 3.6 设置及校准弹簧 9 3.7 校准栏杆机臂位置 10 4. 电源连接 10 5. MLC控制器 11 5.1 命令发生器：在不同操作模式下的连接及功能 12 5.2 MLC控制器的操作 14 5.3 MLC控制器显示信息的解释 14 5.4 MLC控制器的复位 14 5.5 栏杆机的操作 15 5.6 编制及读取操作数据 16 5.7 校准感应线圈 18 6. 初始化操作 19 6.1 委托程序 19 6.2 在启动过程中显示的信息 19 7. 技术数据 21 7.1 栏杆机 21 7.2 控制器 21 8. 附录 22 8.1校准角度传感器及优化栏杆机的动作22 8.2 校准安全设备的角度 24 8.3 读取时间计数器 25 8.4 读取操作循环计数器 25 8.5 读取制动设置 25 8.6 复位情况的说明 26 8.7 测试模式 27 8.8 校准传感器 28 9. 技术支持 28 10. 备用零部件 29

新版标准日本语初级下册语法总结

▲ cn^明日会議疋使刁資料（这是明天会议要用的资料） ▲b^L^明日乗召飛行機总中国航空^To （我明天乘坐的飞机是中国航空公司的） ▲中国買二尢CD总友達忙貸L^L^o （我把在中国买的CD借给朋友了）操作力?簡単欲LUPT。（我想要操作简单的个人电脑） ▲自転車忙2人疋乗危肚S^To （骑自行车带人很危险） ▲李絵总力y①力*好吉^T相。（小李你喜欢画画啊） ▲手紙总出TO^忘n去L尢。（我忘了寄信） ▲明日①朝总大雨（明天早晨会下大雨吧） ▲森今日会社总休住力、哲Ln去乜人。（森先生今天也许不来公司上班了） ▲子供O時，大吉肚地震力?笳◎去L尢。（我小的时候，发生过大地震。） ▲李亍"丄总見肚力食事^LT^^To （小李边看电视边吃饭） ▲李^人，明日八一亍彳一忙行（小李，你明天参加联欢会吧。） 森^人、昨日駅前O喫茶店森先生，昨天你在车站附近的咖啡店来着吧？ 2.映画总見召時後30席忙座◎去To 看电影时，（我）经常坐在最后 的座位。 ▲馬尢LQ地図^

单端反激式开关电源磁芯尺寸和类型的选择

单端反激式开关电源磁芯尺寸和类型的选择字体大小：大|中|小2008-08-28 12:53 - 阅读：1655 - 评论：1 单端反激式开关电源磁芯尺寸和类型的选择徐丽红王佰营wbymcs51.blog.bokee .net A、InternationalRectifier 公司--56KHz 输出功率推荐磁芯型号 0---10WEFD15 SEF16 EF16 EPC17 EE19 EF(D)20 EPC25 EF(D)25 10-20WEE19 EPC19 EF(D)20 EE,EI22 EF(D)25 EPC25 20-30WEI25 EF(D)25

EPC25 EPC30 EF(D)30 ETD29 EER28(L) 30-50WEI28 EER28(L) ETD29 EF(D)30 EER35 50-70WEER28L ETD34 EER35 ETD39 70-100WETD34 EER35 ETD39 EER40 E21 摘自 InternationalRectifier,AN1018- “应用 IRIS40xx 系列单片集成开关 IC 开关电源的反激式变压器设计” B、ELYTON公司https://www.sodocs.net/doc/497333636.html, 型号输出功率（ W） <5 5-10 10-20 20-50 50-100 100-200 200-500 500-1K

EI EI12.5 EI16 EI19 EI25 EI40 -- EI50 EI60 EE EE13 EE16 EE19 EE25 EE40 EE42 EE55 EE65 EF EF12.6 EF16 EF20 EF25 EF30 EF32 EFD -- EFD12 EFD15 EFD20 EFD25 EFD30 EPC -- EPC13 EPC17 EPC19 EPC25 EPC30 EER EER9.5 EER11 EER14.5 EER28 EER35 EER42 EER49 -- ETD ETD29 ETD34 ETD44 ETD49 ETD54 -- EP EP10 EP13 EP17 EP20 -- RM RM4 RM5 RM6 RM10 RM12 POT POT1107 POT1408 POT1811 POT2213POT3019 POT3622 POT4229 -- PQ -- -- -- PQ2016 PQ2625 PQ3230 PQ3535 PQ4040 EC ---------------------------- -- EC35 EC41 EC70 摘自 PowerTransformers OFF-LINE Switch Mode APPLICATION NOTES

精神分裂症的发病原因是什么

精神分裂症的发病原因是什么 精神分裂症是一种精神病，对于我们的影响是很大的，如果不幸患上就要及时做好治疗，不然后果会很严重，无法进行正常的工作和生活，是一件很尴尬的事情。因此为了避免患上这样的疾病，我们就要做好预防，今天我们就请广州协佳的专家张可斌来介绍一下精神分裂症的发病原因。 精神分裂症是严重影响人们身体健康的一种疾病，这种疾病会让我们整体看起来不正常，会出现胡言乱语的情况，甚至还会出现幻想幻听，可见精神分裂症这种病的危害程度。 (1)精神刺激：人的心理与社会因素密切相关，个人与社会环境不相适应，就产生了精神刺激，精神刺激导致大脑功能紊乱，出现精神障碍。不管是令人愉快的良性刺激，还是使人痛苦的恶性刺激，超过一定的限度都会对人的心理造成影响。 (2)遗传因素：精神病中如精神分裂症、情感性精神障碍，家族中精神病的患病率明显高于一般普通人群，而且血缘关系愈近，发病机会愈高。此外，精神发育迟滞、癫痫性精神障碍的遗传性在发病因素中也占相当的比重。这也是精神病的病因之一。 (3)自身：在同样的环境中，承受同样的精神刺激，那些心理素质差、对精神刺激耐受力低的人易发病。通常情况下，性格内向、心胸狭窄、过分自尊的人，不与人交往、孤僻懒散的人受挫折后容易出现精神异常。 (4)躯体因素：感染、中毒、颅脑外伤、肿瘤、内分泌、代谢及营养障碍等均可导致精神障碍，。但应注意，精神障碍伴有的躯体因素，并不完全与精神症状直接相关，有些是由躯体因素直接引起的，有些则是以躯体因素只作为一种诱因而存在。 孕期感染。如果在怀孕期间，孕妇感染了某种病毒，病毒也传染给了胎儿的话，那么，胎儿出生长大后患上精神分裂症的可能性是极其的大。所以怀孕中的女性朋友要注意卫生，尽量不要接触病毒源。 上述就是关于精神分裂症的发病原因，想必大家都已经知道了吧。患上精神分裂症之后，大家也不必过于伤心，现在我国的医疗水平是足以让大家快速恢复过来的，所以说一定要保持良好的情绪。

高速公路自动栏杆机控制模块维修

高速公路自动栏杆机控制模块维修实例【转贴】 本人在成绵高速公路长期的维护工作中收集、总结的一些关于自动栏杆机控制模块的维护心得，供大家参考。成绵高速公路自动栏杆机控制模块主要是恒富威和magnetic专业设计的自动栏杆机控制模块，主要用于栏杆机的控制。采用了先进的微处理器技术和可靠的开关控制技术，系统集成度高，逻辑功能强，满足高速公路环境下的应用。下面我介绍下栏杆机控制模块面板的功能与接线栏杆机控制模块中的数字代表意义货接法如 下：“1”表示接电源L（火线）220V。“2”表示接电源N （零线）。“3”表示电源线地线。“4”表示电机接地线PE。“5”表示电机公共绕组U；接电机公共绕组U。“6”表示电机落杆绕组V；接电机绕组V。“7”表示电机升杆绕组W；接电机绕组W。“8、9”表示降压减速阻容（R=5Ω/25W C=2uF/AC450V，电阻和电容串联）。“10、11”表示电机运行电容 （4uF/AC450V）。“17”表示24V接地线。“18”表示表示电源+24V。“19”表示控制信号共用线（+24V）。“20”表示开脉冲，和控制信号共用线（+24V）短接有效。“21”表示环路感应器2输入（用于车辆到时自动提杆，用于6、8模式）。“22”表示关脉冲，和控制信号共用线（+24V）短接有效。“23”表示抬杆、落杆限位开关输入信号。“24”示安全开关，接常闭触点；断开时，系统不会执行落杆动作。“25”表示控制信号共用线（+24V）,同“19”功能一样。“26”表示档杆状态输出公共触点。“27、28”完全等同于“20、22”表示计数输出，常开触点 （300ms）。“29”表示抬杆状态输出触点。“30”表示落杆状态输出触点。“30、31”表示报警输出，常开触点。栏杆机控制模块长期处于工作状态，每天控制栏杆上下达千次以上；是栏杆机易坏元件之一，下面我介绍常见几点常见的故障和实用的维修方法，供大家参 考。首先，维修设备之前，务必将故障设备的灰尘清除掉，养成这个习惯可以让你维修和检查故障起来轻松、准确许多。 故障一控制模块无电现象控制模块电源长期处于带电中，供电系统元件容易老化，容易出现无供电现象。这种情况一般先观察，所谓观察就是用眼睛看。注意观察栏杆机控制模块的外观、形状上有无什么异常，电器元件，如变压器，电容，电阻等有无出现变形，断裂，松动，磨损，冒烟，腐蚀等情况。其次是鼻子闻，一般轻微的气昧是正常的，如果有刺鼻的焦味，说明某个元器件被烧坏或击穿，应替换相应的元器件。最后用手试，当然是触摸绝缘的部分，有无发热或过热，用手去试接头有无松动；以确定设备运行状况以及发生故障的性质和程度。如某站一道出现控制模块无电，经测试是电源保险管（250V 4A）烧毁。我在更换前观察其他元件外表是否变形断裂，用手触摸电容、电感等接头有无松动。其次我就用万用表跑线，看是否有短路现象。经我检查后初步判定为保险丝被击穿，准备替换。替换前应认清被替换元器件的型号和规格。（同时替换某些元件时还应该注意方向。）最后我将同一型号的保险丝替换上并加电，控制模块工作灯亮起，用外用表测试控制模块，修复。有时，无电现象还由变压器（PIN9 0-115V PIN16 115V-0）损坏造成的。控制模块

新标准日本语初级下册25-48课单词中文对照默写版

1 25 [名]数学 [名]专门 [名]女演员 [名]营业科 [名]市内，市街，繁华街道 [名]道路，马路 [名]交通流量，通行量 [名]机场 [名]高速公路 [名]零件制造厂 [名]电梯 [名]图画书，连环画 [名]大自然 [名]工资 [名]今天晚上 [名]伤 [动1]住，过夜，住宿 [动1]连接，系 [动1]印，记下 [动2]出生，诞生 [动3]倒闭，破产 [动3]堵车，停滞 [动3]确认 [形2]充裕，丰富 [连体]大的 [连体]小的 [副]并不 [专]戴 [专]周 [专]唐 [专]中国航空 [专]天安饭店 [专]三环路 _____________________________________________ 这一带，这附近 26 [名]大雨 [名]樱花 [名]风 [名]月亮 [名]表 [名]握手 [名]习惯 [名]鞠躬 [名]寒暄 [名]手 [名]顾客，客人 [名]一般，普通 [名]这回，下面，下回 [名]超市 [名]费用 [名]会费 [名]降价出售 [名]信用卡 [名]彩色铅笔 [名]丰收 [名]关系，友情，友谊 [名]忘记的东西，遗忘的物品 [动1]防御，防备，防守 [动1]走访;转;绕弯 [动1]跑，奔跑 [动1]吹 [动2]举，举起 [动2]足，够 [动3]素描，写生 [动3]发言 [动3]得冠军 [动3]及格，合格 [副]也许 [动3]约定 [副]不知不觉地，无意中 [副]就要，立刻，马上 [副]大部分，几乎 [连]因此 [专]铃木 [专]杨 [专]加藤 [专]叶子 [专]阳光百货商店 [专]北京猛虎队<棒球队名称> _________________________________________ 寒暄拜访 不行，不好，不可以 社 27 [名]经济 [名]国际关系学 [名]许多，众多 [名]高中

精神分裂症的病因是什么

精神分裂症的病因是什么 精神分裂症是一种精神方面的疾病，青壮年发生的概率高，一般 在16～40岁间，没有正常器官的疾病出现，为一种功能性精神病。 精神分裂症大部分的患者是由于在日常的生活和工作当中受到的压力 过大，而患者没有一个良好的疏导的方式所导致。患者在出现该情况 不仅影响本人的正常社会生活，且对家庭和社会也造成很严重的影响。 精神分裂症常见的致病因素： 1、环境因素：工作环境比如经济水平低低收入人群、无职业的人群中，精神分裂症的患病率明显高于经济水平高的职业人群的患病率。还有实际的生活环境生活中的不如意不开心也会诱发该病。 2、心理因素：生活工作中的不开心不满意，导致情绪上的失控，心里长期受到压抑没有办法和没有正确的途径去发泄，如恋爱失败， 婚姻破裂，学习、工作中不愉快都会成为本病的原因。 3、遗传因素：家族中长辈或者亲属中曾经有过这样的病人，后代会出现精神分裂症的机会比正常人要高。 4、精神影响：人的心里与社会要各个方面都有着不可缺少的联系，对社会环境不适应，自己无法融入到社会中去，自己与社会环境不相

适应，精神和心情就会受到一定的影响，大脑控制着人的精神世界， 有可能促发精神分裂症。 5、身体方面：细菌感染、出现中毒情况、大脑外伤、肿瘤、身体的代谢及营养不良等均可能导致使精神分裂症，身体受到外界环境的 影响受到一定程度的伤害，心里受到打击，无法承受伤害造成的痛苦，可能会出现精神的问题。 对于精神分裂症一定要配合治疗，接受全面正确的治疗，最好的 疗法就是中医疗法加心理疗法。早发现并及时治疗并且科学合理的治疗，不要相信迷信，要去正规的医院接受合理的治疗，接受正确的治 疗按照医生的要求对症下药，配合医生和家人，给病人创造一个良好 的治疗环境，对于该病的康复和痊愈会起到意想不到的效果。

Magnetic TOLL栏杆机中文说明书

9 电气连接 9.1 安全 请参照18页，第2.6节“专业安全和特殊危险”中的安全注意事项。 电压 危险 一般 警告

热的表面 小心 电磁干扰 个人保护装备

在施工过程中，必须穿戴以下几种保护装备： ■工作服 ■保护手套 ■安全鞋 ■保护头盔。 9.2安装电保护设备 根据地区或当地的规定，安全设备需要提供给客户。通常有以下几种：■漏电保护器 ■断路器 ■ EN 60947-3的可锁定的2极开关。 9.3连接电源线 电压 危险 注意！ 电源线的导线截面在1.5到4mm2 之间。要遵守国家关于 导线长度和相关电缆截面积的规定.

危险！ 电压有致命的危险！ 1.断开栏杆机系统电源。确保系统断电。确保机器不会再启动。 接线的准备—剥电缆外皮和铁芯绝缘 2.照下图剥开电源线和磁芯 图37：剥电源供应线。 1 电位 2 零线 3 地线 安置电源线 3.照下图，把电源线正确安装在相应的终端线夹上。也可参照，163页，第17.1节的“接线图”。 ■在机箱中正确安装电源线。此电源线不可连接移动部件。 ■用两个束线带固定电源线。 图38 安置电源线 1 电源线

2 束线带 3 束线带的金属突出物 连接电源线 图39：连接电源线 1 电源线的终端线夹 2 电位L 3 零线 N 4 地线 PE 9.4连接控制线路（信号设备） 以下连接对控制和反馈端有效： ■控制栏杆机的8个数码输入 ■反馈信息的4个数码输出 ■反馈信息的6个继电器输出。3个常开，3个转换触点。 危险！ 电压有致命危险！ 1.断开栏杆机系统电源。确保系统断电并不会重启。 连接控制线 2.将控制线穿过穿线孔。 ■在机箱中合理的放置控制线。控制线不可进入可移动部件。 ■安装控制线夹和绑线。通过轻微按压或移动，线夹可以在轨道上移动到预期的位置。绑线可以绑扎在金属突出物上。 3. 根据接线图连接控制线。请参照163页，第17.1节的“接线图”。

新版中日交流标准日本语初级上下册

新版中日交流标准日本语初级上下册单词测试

初级上册 第1课 〔名〕中国人〔名〕日本人〔名〕韩国人〔名〕美国人〔名〕法国人〔名〕（大）学生 〔名〕老师〔名〕留学生〔名〕教授〔名〕职员〔名〕公司职员 〔名〕店员〔名〕进修生〔名〕企业〔名〕大学（我）父亲〔名〕科长〔名〕总经理，社长 〔名〕迎接〔名〕那个人〔代〕我〔代〕你〔副〕非常，很 〔叹〕哎，是（应答）；是的〔叹〕不，不是 〔叹〕哎，哎 呀 〔专〕李 〔专〕王 〔专〕张 〔专〕森 〔专〕林 〔专〕小野 〔专〕吉田 〔专〕田中 〔专〕中村 〔专〕太郎 〔专〕金 〔专〕迪蓬 〔专〕史密斯 〔专〕约翰逊 〔专〕中国 〔专〕东京大 学 〔专〕北京大 学 〔专〕日中商 社 --------------- ------ 你好 对不起，请问 请 请多关照 初次见面 我才要（请您 ～） 是（这样） 不是 不知道 实在对不起 ～さん∕～ち ゅん∕～君く ん 第2课 〔名〕书 〔名〕包，公 文包 〔名〕笔记本， 本子 〔名〕铅笔 〔名〕伞 〔名〕鞋 〔名〕报纸 〔名〕杂志 〔名〕词典 〔名〕照相机 〔名〕电视机 〔名〕个人电 脑 〔名〕收音机 〔名〕电话 〔名〕桌子， 书桌 〔名〕椅子 〔名〕钥匙， 锁 新版中日交流标准日本语初级上、下册单词汇总

〔名〕钟，表〔名〕记事本〔名〕照片〔名〕车〔名〕自行车〔名〕礼物〔名〕特产，名产 〔名〕丝绸〔名〕手绢〔名〕公司〔名〕（敬称）位，人 〔名〕人〔名〕家人，家属 〔名〕（我）母亲 〔名〕母亲〔名〕日语〔名〕汉语，中文 〔代〕这，这个 〔代〕那，那个 〔代〕那，那个 〔疑〕哪个〔疑〕什么〔疑〕谁〔疑〕哪位〔连体〕这，这个〔连体〕那， 那个 〔连体〕那， 那个 〔连体〕哪个 〔叹〕啊 〔叹〕哇 〔叹〕（应答） 嗯，是 〔专〕长岛 〔专〕日本 〔专〕汕头 〔专〕伦敦 --------------- ------ 谢谢 多大 何なん～∕～ 歳さい 第3课 〔名〕百货商 店 〔名〕食堂 〔名〕邮局 〔名〕银行 〔名〕图书馆 〔名〕（高级） 公寓 〔名〕宾馆 〔名〕便利店 〔名〕咖啡馆 〔名〕医院 〔名〕书店 〔名〕餐馆， 西餐馆 〔名〕大楼， 大厦 〔名〕大楼， 建筑物 〔名〕柜台， 出售处 〔名〕厕所， 盥洗室 〔名〕入口 〔名〕事务所， 办事处 〔名〕接待处 〔名〕降价处 理大卖场 〔名〕自动扶 梯 〔名〕衣服 〔名〕风衣， 大衣 〔名〕数码相 机 〔名〕国，国 家 〔名〕地图 〔名〕旁边 〔名〕附近，

(完整版)《中日交流标准日本语》初级下册_所有课文译文1

《中日交流标准日本语》初级下册所有课文译文 第26课学日语很愉快 （1） 小李说：" 学日语很愉快。" 小李日语说得好。 小李忘记在飞机场换钱了。 （2） 今天,田中在机场迎接中国来的代表团。代表团一共5人。机场里人多而且拥挤。抵达机场的人要马上找到来迎接的人很不容易。田中拿着写有"欢迎中国访日代表团"的大纸，在出口等候。 一位高个子的男人说道："您是田中先生吗回?我是代表团的，姓李。"小李日语说得好。他用汉语向其他4人介绍了田中。小李用日语对田中说："请多关照。我们期望学到日本的"先进科学技术." （3） 田中：您日语讲得不错啊，来日本几次了? 李：第一次,是听广播学的日语，学会外语很愉快。 田中：是吗?这次来日本的目的是参观机器人展览会和汽车制造厂吧。 李：对。我们期望学到先进的科学技术。 田中：从明天开始就忙了。今天在饭店好好休息吧。 李：在机场忘了兑换日元，不要紧吧？ 田中：不要紧，在饭店也能换。

第27课日本人吃饭时用筷子 （1） 日本人吃饭时用筷子。进屋时脱鞋。 田中说："边吃边谈好不好，大家肚子都饿了吧。" （2） 今晚，田中领小李一行人去饭店附近的一家日本餐馆。小李还一次也没吃过日本饭菜。 田中说："这是家有名的餐馆，顾客总是很多。今天大概也很拥挤吧"。 餐馆的服务员一面上菜，一面逐个说明菜的名称和吃法。小李他们边喝啤酒边吃饭。 日本人吃饭前要说："那我吃了"，吃完后说："我吃好了"。小李他们也按照日本的习惯那样说了。 （3） 田中：饭菜怎么样？ 李：很好吃。代表团的各位大概都很满意的。 田中：那太好了。 李：而且餐具非常雅致。 田中：是的，日本饭菜很讲究餐具和装盘。有人说："是用眼睛欣赏的饭菜。" 李：哎，日本人吃饭时不怎么说话啊。田中：是的，中国的情况如何？ 李：平时安安静静地吃。不过，喜庆的时候很热闹。吃饭时大家有说有笑。

精神分裂症应该怎么治疗

精神分裂症应该怎么治疗 1、坚持服药治疗 服药治疗是最有效的预防复发措施临床大量统计资料表明，大多数精神分裂症的复发与自行停药有关。坚持维持量服药的病人复发率为40%。而没坚持维持量服药者复发率高达80%。因此，病人和家属要高度重视维持治疗。 2、及时发现复发的先兆，及时处理 精神分裂症的复发是有先兆的，只要及时发现，及时调整药物和剂量，一般都能防止复发，常见的复发先兆为：病人无原因出现睡眠不好、懒散、不愿起床、发呆发愣、情绪不稳、无故发脾气、烦躁易怒、胡思乱想、说话离谱，或病中的想法又露头等。这时就应该及时就医，调整治疗病情波动时的及时处理可免于疾病的复发。 3、坚持定期门诊复查 一定要坚持定期到门诊复查，使医生连续地、动态地了解病情，使病人经常处于精神科医生的医疗监护之下，及时根据病情变化调整药量。通过复查也可使端正人及时得到咨询和心理治疗解除病人在生活、工作和药物治疗中的各种困惑，这对预防精神分裂症的复发也起着重要作用。 4、减少诱发因素 家属及周围人要充分认识到精神分裂症病人病后精神状态的薄弱性，帮助安排好日常的生活、工作、学习。经常与病人谈心，帮助病人正确对待疾病，正确对待现实生活，帮助病人提高心理承受能力，学会对待应激事件的方法，鼓励病人增强信心，指导病人充实生活，使病人在没有心理压力和精神困扰的环境中生活。 首先是性格上的改变，塬本活泼开朗爱玩的人，突然变得沉默寡言，独自发呆，不与人交往，爱干净的人也变的不注意卫生、生活

懒散、纪律松弛、做事注意力不集中，总是和患病之前的性格完全 相悖。 再者就是语言表达异常，在谈话中说一些无关的谈话内容，使人无法理解。连最简单的话语都无法准确称述，与之谈话完全感觉不 到重心。 第三个就是行为的异常，行为怪异让人无法理解，喜欢独处、不适意的追逐异性，不知廉耻，自语自笑、生活懒散、时常发呆、蒙 头大睡、四处乱跑，夜不归宿等。 还有情感上的变化，失去了以往的热情，开始变的冷淡、对亲人不关心、和友人疏远，对周围事情不感兴趣，一点消失都可大动干戈。 最后就是敏感多疑，对任何事情比较敏感，精神分裂症患者，总认为有人针对自己。甚至有时认为有人要害自己，从而不吃不喝。 但是也有的会出现难以入眠、容易被惊醒或睡眠不深，整晚做恶梦或者长睡不醒的现象。这些都有可能是患上了精神分裂症。 1.加强心理护理 心理护理是家庭护理中的重要方面，由于社会上普遍存在对精神病人的歧视和偏见，给病人造成很大的精神压力，常表现为自卑、 抑郁、绝望等，有的病人会因无法承受压力而自杀。家属应多给予 些爱心和理解，满足其心理需求，尽力消除病人的悲观情绪。病人 生活在家庭中，与亲人朝夕相处，接触密切，家属便于对病人的情感、行为进行细致的观察，病人的思想活动也易于向家属暴露。家 属应掌握适当的心理护理方法，随时对病人进行启发与帮助，启发 病人对病态的认识，帮助他们树立自信，以积极的心态好地回归社会。 2.重视服药的依从性 精神分裂症病人家庭护理的关键就在于要让病人按时按量吃药维持治疗。如果不按时服药，精神病尤其是精神分裂症的复发率很高。精神病人在医院经过一系统的治疗痊愈后，一般需要维持2~3年的

标准日本语旧版 初级上册课文

第一課私は田中です 私は田中です。 田中さんは日本人です。 田中さんは会社員です。 私は王です。 王さんは日本人ではありません。 王さんは中国人です。 王さんは会社員ではありません。 王さんは学生です。 王さんは東京大学の留学生です。 田中：初めまして。 王：初めまして。わたしは王です。 田中：わはしは田中です。 王：田中さんは会社員です。 田中：はい，そうです。会社員です。旅行社の社員です。 あなたは会社員ですか？ 王：いいえ、そうではありません。

第二課これは本です （１） これは本です。 これは雑誌ではありません。 それは王さんの万年筆です。 それは私の万年筆ではありませうん。 あれは中国語の辞書です。 あれは日本語の辞書ではありません。 （２） この新聞は日本の新聞ですか。 はい、それは日本の新聞です。 その本は科学の本ですか。 いいえ、これは科学の本はありません。歴史の本です。あの人はだれでうか。 あの人は私の友達です。 あの人は張さんです。 （３） 田中：こんにちは。 王：こんにちは。 田中：それは何ですか。 王：これは辞書です。 田中：それは英語の辞書ですか

王：いいえ、英語の辞書ではありません。これはフランス語の辞書です。 田中：その辞書は王さんのですか。 王：いいえ、そうではありません。友達のです。これは張さんの辞書です。 第三課ここは学校です （１） ここは学校です。 ここは王さんの学校です。 そこは教室です。 そこは日本語の教室です。 あそこは体育館です。 あそこは図書館です。 （２） 郵便局はここです。 映画館はそこです。 駅はあそこです。 デパートはどこですか。 デパートはあそこです。 デパートは駅の前です。

标准日本语初级总结下册

1、動詞ます形去ます+ ①方～的方法この漢字の読み方を教えてください。「２」 ②やすい易于~ 秋は天気が変わりやすいです。「２」 ③にくい难于~ 法律の文章はわかりにくいです。「２」 ④すぎます做··过头昨日食べ過ぎて、お腹が痛くなりました。「９」 ⑤出します·出来/·起来 テーブルにぶつけたので、拓哉は泣き出しました。「１３」 ⑥始めます开始做··田中さんはスポーツジムに通い始めました。「１６」 ⑦続けます坚持做··田中さんは学生のときから日記を書き続けています。「１６」 ⑧終わります做完·· 張さんはやっと新製品のマニュアルを書き終わりました。「１６」 2、動詞て形＋ ①てもいい表示许可，可以··明日の試験は辞書を使ってもいいです。「３」てもかまいません表示许可，·也没关系 わたしのパソコンでゲームをしてもかまいません。「３」②てはいけません 不准··不行··不许テスト中は、話してはいけません。「３」③ても/でも 名词+でも表示同类相中列举出的一项 二次会はカラオケでも行きませんか。「２」 動詞て形+も い形形容詞去い变くて+も な形形容詞詞干でも 名詞でも 表示“即使··也··” 雨が降っても、試合は中止しません。「８」疑问词+でも 无论· 席はどこでもいいです。「７」④てみます。 试着做·· 上海に行ったら、リニアモーターカーに乗ってみます。「９」⑤ておきます 事先做某事或暂且防止不管 友達が来るので、部屋を掃除しておきます。「９」⑥てきます 某动作由远及近会議のとき、虫が会議室に飛んできました。「１２」做完某事再回来今からさっそく１０箱を買ってきます。「１２」某状态从过去发展到现在 最近、中国へ留学に来る外国人留学生がだんだん増えてきました。「１２」⑦ていきます 某动作由近及远子供が走っていきました。「１２」做完某事再离开毎朝、わたしは駅でサンドイッチを買っていきます。「１２」

精神分裂症患者在怎样的情况下会自杀

精神分裂症患者在怎样的情况下会自杀 精神分裂症是最常见的一种精神病。早期主要表现为性格改变，如不理采亲人、不讲卫生、对镜子独笑等。病情进一步发展，即表现为思维紊乱，病人的思考过程缺乏逻辑性和连贯性，言语零乱、词不达意。精神分裂症患者随时有可能出现危险行为，这主要是指伤人毁物、自伤自杀和忽然出走。这些危险行为是受特定的精神症状支配的.那么精神分裂症患者在什么情况下会自杀呢？ 被害妄想：这是所有精神病人最常见的症状之一，多数病人采取忍耐、逃避的态度，少数病人也会“先下手为强”，对他的“假想敌”主动攻击。对此，最重要的是弄清病人的妄想对象，即：病人以为是谁要害他。假如病人的妄想对象是某个家里人，则应尽量让这位家属阔别病人，至少不要让他与病人单独在一起。 抑郁情绪：精神分裂症病人在疾病的不同时期，可能出现情绪低落，甚至悲观厌世。特别需要留意的是，有相当一部分自杀成功的病人，是在疾病的恢复期实施自杀行为的。病人在精神病症状消除以后，因自己的病背上了沉重的思想包袱，不能正确对待升学、就业、婚姻等现实问题，感到走投无路，因此选择了轻生。对此，家属一定要防患于未然，要尽早发现病人的心理困扰，及时疏导。 对已经明确表示出自杀观念的病人，家属既不要惊慌失措，也不要躲躲闪闪，要主动与病人讨论自杀的利弊，帮助病人全面、客观地评估现实中碰到的各种困难，找出切实可行的解决办法。 另外，这种病人在自杀之前，是经过周密考虑，并且做了充分预备的，例如写遗书、收拾旧物、向家人离别、选择自杀时间、预备自杀工具等。这类病人的自杀方式也是比较温顺的，多数是服药自杀。因此，他需要一定的时间来积攒足足数目的药物，这时就能看出由家属保管药品的重要性了。只要家属密切观察病人的情绪变化，是不难早期发现病人的自杀企图的。 药源性焦虑：抗精神病药的副作用之一是可能引起病人莫名的焦躁不安、手足无措，并伴有心慌、出汗、恐惧等。这些表现多是发作性的，多数发生在下午到傍晚时分，也有的病人在打长效针以后的2?3天内出现上述表现。这种时间上的规律性，有助于家属判定病人的焦虑情绪是否由于药物所致。病人急于摆脱这种强烈的痛苦，会出现冲动伤人或自伤，这些行为只是为了发泄和解脱，并不以死为终极目的。家属可以在病人发作时，给他服用小剂量的安定类药物，或者在医生的指导下，调整抗精神病药的剂量或品种，这样就可以有效地控制病人的焦虑发作。 极度兴奋：病人的精神症状表现为严重的思维紊乱、言语杂乱无章、行为缺乏目的性，这类病人也可能出现自伤或伤人毁物。由于病人的兴奋躁动是持续性的，家属有充分的思想预备，一般比较轻易防范。家属要保管好家里的刀、剪、火、煤气等危险物品，但最根本的办法，是使用大剂量的、具有强烈镇静作用的药物来控制病人的兴奋。假如在家里护理病人确有困难，则可以强制病人住院治