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经典电工学电子技术试题库

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电工电子技术试题库

一、单项选择题

1.硅稳压管的工作状态是( D)

A.正向导通

B.正向击穿

C.反向截止

D.反向击穿

2.要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的(C )

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.六价元素

3.下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是( C )

A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子

C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子4.理想运算放大器的两个基本特点是( C )

A.虚地与虚断B.虚短与虚地

C.虚短与虚断D.断路与短路

5.在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成( B )

A.P型半导体,其少子为自由电子B.N型半导体,其多子为自由电子C.P型半导体,其少子为空穴D.N型半导体,其多子为空穴6.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U O为( B )A.3V

B.10V

C.-3V

D.-10V

7.关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为( B )

A.基区很薄B.基区掺杂浓度最高

C.发射区掺杂浓度最高D.发射结的结面积小于集电结的结面积8.测得某放大电路中的三极管,各管脚电位如题4图所示,则可判定该管为( D )

A.锗管①为b极

B.硅管③为c极

C.锗管②为e极

D.硅管③为b极

9.放大电路如题7图所示,该电路引入了交直流( B )

A.电流并联负反馈

B.电流串联负反馈

C.电压并联负反馈

D.电压串联负反馈

10.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U0为( B ) R

C.+6V

D.+10V

型三极管处在放大状态时,各电极的电位关系是( D )

极电位最高,C极电位最低极电位最高,B极电位最低

极电位最高,B极电位最低极电位最高,E极电位最低

12.若要求放大电路输入电阻高,且稳定输出电压,在放大电路中应引入的负反馈组态为( C )

A.电流串联

B.电流并联

C.电压串联

D.电压并联

13.要降低放大电路输入电阻,可引入( D ) A.电压负反馈 B.电流负反馈 C.串联负反馈

D.并联负反馈

14.共射极放大电路直流负载线由( C ) A.电流放大系数β确定

B.基极电阻Rb 与电源Ucc 确定

C.集电极电阻Rc 与电源Ucc 确定

D.负载电阻RL 确定

15.函数Y A B C =++等价于( B ) =ABC B. C B A Y ??= =AB+C

D. Y A B C =++

16.下列与F=A+B+C 相等的逻辑函数为( C ) =ABC =A+B+C =ABC

=A+B+C

17.下列逻辑式中,正确的逻辑公式是( D ) A .AA A = B .1AA = C .AA A =

D .0AA =

18.逻辑表达式AB 与下列式子中的哪一个相等 ( D ) A.A B + B.A B ⊕ C.AB

D.A B +

19.逻辑符号如下图所示,其中表示“与非”门的是( C ) 20.在以下输入情况中,“或非”运算的结果为逻辑1的是( A )

A.全部输入为0 B.全部输入为1

C.任一输入是0,其它输入为1 D.任一输入是1,其它输入为0 21.主从型JK触发器,当J=K=0时,则CP脉冲来到后JK触发器的次状态Q n+1为( C )

A.0 B.1

C.Q n D.n Q

22.题l2图为同步RS触发器,已知S D=R D=l。在CP=1期间,当S=1,R=0时,触发器输出状态Q n+1为( A )

A.1

B.0

C.Q n

D.不定

23.由主从JK触发器构成的电路如题15图所示,可知该电路实现的功能为( A )

A.保持

B.置0

C.置1

D.计数

24.把JK触发器的J与K都接到高电平上,则其特性方程变为( B )

+1=Q n+l=n Q

+1=1 +1=0

25.在CP 有效的情况下,当输入端D=0时,则D 触发器的输出端Q n+1=( A )

D.n Q

1、集成运算放大器的共模抑制比越大,表示该组件( C )。 (a)差模信号放大倍数越大 (b)带负载能力越强 (c)抑制零点漂移的能力越强

2、电路如图所示为( B )。 (a)反相式电压源 (b)同相式电压源

(c)电流源

3、由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关A 、B 分别有如图所示为“0”和“1”两个状态,则电灯HL 亮的逻辑式为( c )。 (a)F =AB +AB (b)F =AB +AB (c)F =AB +AB

4、电路如图所示,当R F 减小时,放大电路的( b )。 (a)频带变宽,稳定性降低 (b)频带变宽,稳定性提高 (c)频带变窄,稳定性降低 (d)频带变窄,稳定性提高

5、整流电路如图所示,直流电压表V (内阻设为无穷大)的读数均为90V ,二极管承受的最高反向电压为141V 的电路是下列图中( c )。

6、某数/模转换器的输入为8位二进制数字信号(D 7~D 0),输出为0~的模拟电压。若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”,则输出的模拟电压为 (a)。 (a)

(b) (c)

7、电路如图1所示,二极管D 为理想元件,U u =3V,i =6sin ωt V ,则输出电压

u O 的波形为图2中( B )。

8、逻辑电路如图所示,输入为X,Y,同它功能相同的是( b )。

(a)可控RS触发器(b)JK触发器(c)基本RS触发器(d)T触发器

9、电路如图所示,该电路的名称是(c)。

(a) 单相桥式整流电路(b) 单相全波整流电路(c) 单相半波整流电路

10、由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电灯暗为“0”,则该电路为( b )。

(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门

11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( c )。

(a) 正、反向电阻相等

(b) 正向电阻大,反向电阻小

(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍

(d) 正、反向电阻都等于无穷大

12、运算放大器电路如图所示,RF1和RF2均为反馈电阻,其反馈极性为( D) 。

(a) RF1引入的为正反馈,RF2引入的为负反馈

(b) RF1和RF2引入的均为负反馈

(c) RF1和RF2引入的均为正反馈

(d) RF1引入的为负反馈,RF2引入的为正反馈

13、电路如图所示,已知UCC=12V,RC=3k ,β=40且忽略UBE,若要使静态时UCE=9V,则RB 应取( c )。

(a) 600 k (b) 240 k (c) 480 k (d) 360 k

二、填空题。

1.在P型半导体中,____自由电子___是少数载流子。

2.半导体二极管的最大反向电流I RM越大,说明管子的_____单向导电____性能越差。

型晶体三极管,发射结正向偏置时,应是基极电位比发射极电位___高______。4.晶体二极管的主要特性是正偏导通,反偏____截止____。

5.若测得某双极型晶体管基极电流I B=10μA,集电极电流I C=1mA,则晶体管的电流放大倍数β=__100______。

6.理想运算放大器可分为两个工作区,它们是___线性区和饱和区_____。7.已知某放大状态的晶体管 =99,I E=1mA,则I B=。

8.引入电压负反馈可以稳定放大电路的____输出电压___。

9.理想集成运放开环电压增益A uo=_____∞__。

10.组合逻辑电路的输出状态仅决定于_当前输入状态的复杂逻辑电路______。

11.函数F=ABC+A B C+C的最简与或表达式为F=_________。

12.稳压二极管在正常工作时,应工作在___反向击穿区_____状态。

13.若Y=AB+(A+B)(C+D+E),则其反函数Y=________。

14.在N型半导体中__自由电子____是多数载流子。

15.在基本逻辑公式中A+A=___A___。

16.数字电路按功能可分为组合逻辑电路和____组合_逻辑电路。

触发器的特性方程为______。

18.T触发器的特性方程为__________。

三、简答题

1.集成运放的输入端,在满足什么条件下,存在虚短路,虚断路在反相比例运算电路中,反相输入端是如何形成虚地的

2 电子电路中的反馈组态有哪几种

3.写出R-S触发器的特性方程和特性表。

4. 什么是理想运算放大器

理想运放具有以下主要特征:

1、运放输入阻抗无穷大

2、运放输出阻抗为零

3、运放放大倍数无穷大

4、运放带宽无穷大

5、运放共模抑制比无穷大

具有这些特征的运放为理想运放放大器

5.用公式法化简逻辑函数Y AB BCD AC BC

=+++

6. 逻辑函数的表示方法有哪几种

逻辑真值表

逻辑函数式

逻辑图

7.简单描述一下二极管的开关特性。

二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关.利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路.

8. 晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件个为什么

内部条件

基区:较薄,掺杂浓度低.

发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高).

集电区:面积较大(利于少子漂移).

外部条件

发射结加正向偏置电压,使其正向导通.

集电结加反向偏置电压,使其反向截止.

9. 晶体管输出特性曲线可分为那几个区

放大区.条件:发射结正偏,集电结反偏. 起放大作用

饱和区.条件:发射结正偏,集电结正偏. 三极管导通

截止区.条件:发射结反偏,集电结反偏. 三极管断开

三极管工作于饱和区和截止区相当于开关.

10. 负反馈对放大电路的工作性能有那些影响

1,负反馈对放大倍数的影响

放大倍数下降,但稳定性提高了

2,改善输出波形的非线性失真

3,负反馈对输入电阻的影响,:

4,负反馈对输出电阻的影响:

5,负反馈对频带的宽度影响:展宽通频带,这样的话上限频率更高了,下限频率更低了。改善了放大电路的频率性能 四、分析计算题

1.电路如图所示:图中R 1=1K Ω,R 2=2K Ω,R 3=R 4=5K Ω 试求:(1)U 0与U i1和U i2的关系式;

(2)当U i1 =,U i2=时,计算输出电压U 0值,运放输入端电位,U N 、U P 值。 2. 晶体管放大电路如图1所示,已知

.40,240,3,12=Ω=Ω==β晶体管的k R k R V U B C CC

(1)画出直流通路和交流通路; (2)用直流通路估算各静态值。

3.比较器电路如图所示,U R V =3,运放输出的饱和电压为±U OM , 要求: (1) 画出传输特性;

(2) 若u

t I V =6s i n ω, 画出u O 的波形 。 +U CC

R

e u

o

+ –

4.由理想集成运算放大器构成的运算电路如题26图所示。 ①请问A 1、A 2各构成何种运算电路 ②若u i =10mV ,分别计算u Ol 和u O2; ③指出A 2引入了何种负反馈组态。

5.将下列逻辑函数式化为最简“与或”式。 F 2=ABC ABC ABC ABC +++ 6.已知电路如题28图所示。要求:

①写出F 的逻辑函数表达式并化为最简“与或”式; ②列写真值表;

③对应输入A 、B 、C 的波形画出输出F 的波形。

7.逻辑电路图如图所示,各触发器的初始状态为“0”,已知R D 和S D 和C 的波形,试画出Q 0,Q 1和F 的波形。

8.固定偏置放大电路如题32图所示,已知晶体管的β=80,U BEQ =,欲使I B =40

μA ,U C =6V ,试计算电阻R B 和R C 的值。

9.题36图所示组合逻辑电路,写出0123,,,Y Y Y Y 的逻辑表达式,完成下列真值

表,并说明该电路的逻辑功能。

10.利用公式法化简下列表达式,写出最简与或式。

11.如图电路(1)指出A 1A 2各构成什么电路。(2)写出V Ol 及V O 表达式。 12.某型号电冰箱制冷原理如图所示。已知基准电压U 1=2V ,U 2=4V ,U S 为温

控取样电压,R t 为负温度系数的热敏电阻,KA 为继电器,FF

0为同步R -S 触发器,M 为单相电动机。要求:(1)说明A 1,A 2在此电路中的作用;(2)说明电位U S

随温度变化的规律;(3)当温度单方向变化,U S 由高变低时,将各部分电路的工作状态填入表中。

14.整流电路如图所示 , 二极管为理想元件, 变压器原边电压有效值U 1 为220V , 负载电 阻R L =750Ω。 变压器变比 102

1

==

N N k .试 求:

(1) 变压器副边电压有效值U 2; (2) 负载电阻R L 上电流平均值 I 0;

(3) 在下表列出的常用二极管中选出哪种型号的二极管合适 。 五、设计题

1.用一个集成运放设计一个电路,实现u o =5u i 的关系,已知反馈电阻R F =100K Ω。

(1)画出设计的电路图; (2)计算图中各电阻值。

2.已知某逻辑函数的真值表如题31表所示,A 、B 、C 为输入 F 为输出。 (1)写出逻辑函数F 的表达式; (2)将(1)中的结果化为最简与或式; (3)将(2)中的结果化为与非—与非式; (4)画出仅用与非门和非门实现的逻辑电路。

电力电子技术期末考试试题及答案(1)

电力电子技术试题 第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为 __开关损耗 __。 3.电力电子器件组成的系统,一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加 _保护电路 __。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通,承受反相电压截止 _。 6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。 7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为, UDSM_大于 __Ubo。 11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。 14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。 15.IGBT 的开启电压 UGE(th )随温度升高而 _略有下降 __,开关速度 __小于__电力 MOSFET。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在 1/2 或1/3 额定电流以下区段具有 __负___温度系数,在1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

电工学试题库和试题及答案

第1章 直流电路 习题参考答案 一、 填空题: 1. 任何一个完整的电路都必须有 、 和 3个基本部分组成。具有单一电磁特性的电路元件称为 电路元件,由它们组成的电路称为 。电路的作用是对电能进行 、 和 ;对电信号进行 、 和 。 2. 反映实际电路器件耗能电磁特性的理想电路元件是 元件;反映实际电路器件储存磁场能量特性的理想电路元件是 元件;反映实际电路器件储存电场能量特性的理想电路元件是 元件,它们都是无源 元件。 3. 电路有 、 和 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U =0时,此种状态称作 ,这种情况下电源产生的功率全部消耗在 上。 4.从耗能的观点来讲,电阻元件为 元件;电感和电容元件为 元件。 5. 电路图上标示的电流、电压方向称为 ,假定某元件是负载时,该元件两端的电压和通过元件的电流方向应为 方向。 二、 判断题: 1. 理想电流源输出恒定的电流,其输出端电压由内电阻决定。 ( ) 2. 电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 ( ) 3. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 ( ) 4. 绝缘体两端的电压无论再高,都不可能通过电流。 ( ) 三、选择题:(每小题2分,共30分) 1. 当元件两端电压与通过元件的电流取关联参考方向时,即为假设该元件( )功率;当元件两端电压与通过电流取非关联参考方向时,即为假设该元件( )功率。 A 、吸收; B 、发出。 2. 一个输出电压几乎不变的设备有载运行,当负载增大时,是指( ) A 、负载电阻增大; B 、负载电阻减小; C 、电源输出的电流增大。 3. 当电流源开路时,该电流源内部( ) A 、有电流,有功率损耗; B 、无电流,无功率损耗; C 、有电流,无功率损耗。 4. 某电阻元件的额定数据为“1K Ω、2.5W ”,正常使用时允许流过的最大电流为( ) A 、50mA ; B 、2.5mA ; C 、250mA 。

《电工学-电子技术-下册》试题及解答

第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路 一、 单项选择题 *1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C ) A 、正、反向电阻相等 B 、正向电阻大,反向电阻小 C 、反向电阻比正向电阻大很多倍 D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V ,当U i =3V 时,则U 0的值( D )。 A 、不能确定 B 、等于0 C 、等于5V D 、等于3V **3.半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。 A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个 5.晶体管的主要特性是具有( D )。 A 、单向导电性 B 、滤波作用 C 、稳压作用 D 、电流放大作用 *6.稳压管的稳压性能是利用PN 结的( D )。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性 8.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A 、确定静态工作点Q B 、确定集电结和发射结的偏置电压 C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r 0 D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r o *9.射极输出器电路如题9图所示,C 1、C 2足够 大,对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u 0 与输入电压u i 之间的关系是( B )。 A 、两者反相,输出电压大于输入电压 B 、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电 压 C 、两者相位差90°,且大小相等 D 、两者同相,输出电压大于输入电压 *11.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有 负载电阻R L 增大时,电压放大倍数将( B ) A 、减少 B 、增大 题2图 题9图

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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电工学(一)试题库一

资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除 (一)选择题 1. 电荷的基本单位是(C )。 A.安秒 B.安培 C.库仑 D.千克 2. 1安培等于(B )微安。 A. 10 3 B. 10 6 C. 109 D. 10 2 3. 将一根导线均匀拉长为原长度的3倍,则阻值为原来的(C )倍。 A. 3 B. 1/3 C. 9 D. 1/9 4. 产生串联谐振的条件是(C )。 A. X L>X c B. X L V X c C. X L= Xc D. X L>X c E. X L< X c 5. 空载高压长线路的末端电压(B )始端电压。 A.低于 B.高于 C.等于 D.低于或等于 6. 三相对称负载的功率,其中是(B )之间的相位角。 A.线电压与线电流 B.相电压与线电流 C.线电压与相电流 D.相电压与相电流 7. 当电源频率增加后,分别与灯泡串联的R、L、C3个回路并联,与(B )串联的灯泡亮度增加 A. R B. L C. C D. R 和L E. R 和C 8 .额定电压为220V的灯泡接在110V电源上,灯泡的功率是原来的(D )。 A. 2 B. 4 C. 1/2 D. 1/4 9. 两只额定电压相同的电阻串联接在电路中,其阻值较大的电阻发热(B )。 A.相同 B.较大 C.较小 10. 用叠加原理计算复杂电路,就是把一个复杂电路化为(A )电路进行计算的。 A.单电源 B.较大 C.较小 D. R、L 11?电路主要由负载、线路、电源、(B )组成。 A.变压器 B.开关 C.发电机 D.仪表 12. 电流是由电子的定向移动形成的,习惯上把(D )定向移动的方向作为电流的方向。 A.左手定则 B.右手定则 C. N-S D.正电荷 E.负电荷 13、电流的大小用电流强度来表示,其数值等于单位时间内穿过导体横截面的(B )代数和。

湖南农业大学电工学试题库

试题库 一.选择题 1.N型半导体的多数载流子是(),少数载流子是() A)自由电子,空穴B)空穴,自由电子C)电子,质子2.有一晶体管接在放大电路中,今测得三管脚的电位(对“地”)分别为-6V,-2.3V,-2V,试判别管子的类型及管脚() A) NPN型;E,B,C B)PNP型;C,B,E C)NPN型;B, E,C 3.某晶体管的P CM=100mW,I CM=20mA,U(BR)CEO=15V,试问下列三种情况哪种是正常工作?() A) I C=40mA,U CE=2V B) I C=10mA,U CE=3V C) I C=20mA,U CE=6V 4.下图所示电路中,Uo=() A)Uo=5V;B)Uo=12V;C)Uo=7V 5.稳压管是一种特殊的面结接触型二极管,它通常工作在() A)正向特性区B)反向击穿区C)反向截止区6.要求输出电压基本稳定,并能提高输入电阻,应引入哪种类型的负反馈() A)并联电压负反馈B)串联电压负反馈C)串联电流负反馈7.集成运算放大器,采用的耦合方式是() A)阻容耦合B)变压器耦合C)直接耦合 8.下列哪种电路属于组合逻辑电路?() A)寄存器B)计数器C)加法器9.如下图所示门电路,其中能完成F=A+B+C的电路是()。

10.函数 的最简式是( ) A) 0 B) 1 C) ABC 11. PN 结的单向导电性是指( ) A ) 加正向电压呈导通状态,加反向电压呈截止状态 B ) 加正向电压呈截止状态,加反向电压呈导通状态 C ) 加正向电压时正向电流小,加反向电压偏置时反向电流大 12.或非门电路的电子符号为( ) A ) B ) C ) 13.下列等式中不正确的有( ) A )A B =BA B )A +B C =(A +B )(A +C ) C )1+A =A 14.理想运算放大器应具备的条件有:( ) A )开环电压放大倍数→∞ B )差模抑制比→∞ C )输入电阻→∞,输出电阻→∞ 15.串联负反馈对放大电路性能影响有( ) A )提高电压放大倍数 B )提高电路输入电阻 C )降低电路输出电阻 16.N 型半导体,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子,所以N 型半导体( ) A )带正电 B )呈中性 C )带负电 17.逻辑式B A +可等效以哪个表达式( ) A ) B A + B )A ·B C )B A 18.下面哪项是属于时序逻辑电路( ) A )编码器 B )显示译码器 C )寄存器 二、集成运算放大电路 1.已知u 1=5mv ,u 2=10mv ,u 3=2mv ,请计算下列运算放大电路的输出电压。

电力电子技术经典试题

1.什么是电力电子技术? 答:应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。 2.说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗? 答:对。 3.模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗? 答:不是。 4.举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。答: 电动自行车的充电器,手机充电器,电警棍等。 5.简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。 答: 开关电源: 优点:体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。 缺点:由于开关工作模式和高频工作状态,对周围设备有一定的干扰。需要良好的屏蔽及接地。 线性电源: 优点:电源技术很成熟,可以达到很高的稳定度,波纹也很小,而且没有开关电源具有的噪声干扰。 缺点:是需要庞大而笨重的变压器,所需的滤波电容的体积和重量也相当大,效率低。将逐步被开关电源所取代。 6.解释:不可控器件 ( 说明导通和关断的条件 ) 、半控型器件、全控型器件,并举出代表性 器件的名称。 答: 不可控器件:不用控制信号来控制其通、断。导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。典型器件:电力二极管 导通条件:正向偏置,即承受正向电压,且正向电压>阀值电压。 关断条件:反向偏置,即承受反向电压。 半控型器件:用控制信号来控制其导通,一旦导通门极就失去控制作用。关断取决于其在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。典型器件:晶闸管

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全控型器件:导通和关断均由电路的触发控制信号驱动(驱动状态需保持)。 典型器件: GTR、IGBT、 POWER MOSFET。 7.如图示的二极管伏安特性曲线,示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿电 压 UB”、“门槛电压 UTO”、“正向导通电流 IF ”及其对应的“正向压降 UF”、“反向漏电流”。答:

电工学试题及答案

*1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C ) A 、正、反向电阻相等 B 、正向电阻大,反向电阻小 C 、反向电阻比正向电阻大很多倍 D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V ,当U i =3V 时,则U 0的值( D )。 A 、不能确定 B 、等于0 C 、等于5V D 、等于3V *6.稳压管的稳压性能是利用PN 结的( D )。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性 *9.射极输出器电路如题9图所示,C 1、C 2足够大,对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。 A 、两者反相,输出电压大于输入电压 B 、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电压 C 、两者相位差90°,且大小相等 D 、两者同相,输出电压大于输入电压 *11.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时,电压放大倍数将( B ) A 、减少 B 、增大 C 、保持不变 D 、大小不变,符号改变 *16.题16图示三极管的微变等效电路是( D ) *19.题19图示放大电路,输入正弦电压u i 后,发生了饱和失真,为消除此失 真应采取的措施是( C ) A.增大R L B.增大R C C.增大R B D.减小R B *21.电路如题21图所示,设二极管为理想组件,其正向导通压降为0V ,则电路中电流I 的值为( A )。 A.4mA B.0mA C.4A D.3mA *22.固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q 如题22图所示,当温度升高时,工作点Q 将( B )。 A.不改变 B.向Q′移动 C.向Q″移动 D.时而向Q′移动,时而向Q″移动 *26.半导体三极管是一种( C ) 题22图 题21图 题2图 题16图 题19图 题19图

(完整版)《电工电子技术基础》试题库(附有答案)

一、填空题 1.已知图中 U1=2V, U2=-8V,则U AB=-10。 2.电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3.有三个6Ω的电阻,若把它们串联,等效电阻是 18 Ω;若把它们并联,等效电阻 2Ω;若两个并联后再与第三个串联,等效电阻是 9 Ω。 4.用电流表测量电流时,应把电流表串联在被测电路中;用电压表测量电压时,应把电压表与被测电路并联。 5.电路中任意一个闭合路径称为回路;三条或三条以上支路的交点称为节点。 6.电路如图所示,设U=12V、I=2A、R=6Ω,则U AB= -24 V。 7.直流电路如图所示,R1所消耗的功率为2W,则R2的阻值应为 2 Ω。 8.电路中电位的参考点发生变化后,其他各点的电位均发生变化。 9.在直流电路中,电感可以看作短路,电容可以看作断路。 9.我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10.三相对称负载作三角形联接时,线电流I L与相电流I P间的关系是:I P=3 I L。 11.电阻元件是耗能元件,电容元件是储能元件。

12.已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V ,则其最大值为 311 V ,频率为 100 Hz ,初相位为 -60o 。 13.在纯电阻交流电路中,已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V ,电阻R=10Ω,则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o ,电阻消耗的功率P= 4840 W 。 14.三角形联结的三相对称负载,若线电压为380 V ,则相电压为 380 V ;若相电流为10 A ,则线电流为 17.32 A 。 15.式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16.正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17.电感元件是一种储能元件,可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18.若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3,则称此种相序为 正序 。 19.在正弦交流电路中,电源的频率越高,电感元件的感抗越 大 。 20.已知正弦交流电压的有效值为200V ,频率为100Hz ,初相角为30o,则其瞬时值表达式u= 282.8sin (628t+30o) 。 21.正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22.对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23.电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U =0时,此种状态称作 短路 ,这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷 一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分) 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时, _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大 的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。 8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____; (3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5 时间段内,电流的通路为___VD1____;

工科--电工电子试题库(附答案)

电工电子技术试题 一、填空题 1、电路如图1所示,U= 伏。 答案:5V 2、电路如图2所示, 当开关K打开时,V A = V,V B = V,U AB = V; 当开关K闭合时,V A = V,V B = V,U AB = V。 答案:当开关K打开时,V A = 10 V,V B = 0 V,U AB = 10 V; 当开关K闭合时,V A = 10 V,V B = 4 V,U AB = 6 V。 3、电路图3的电流I= 安,U A = 伏,U B = 伏;U C = 伏,U BC = 伏。 答案:I= 0.001 安,U A = 5 伏,U B = 2 伏;U C = 0 伏,U BC = 2 伏。 4、如图4所示电路,则B、C间的等效电阻R BC = ,A、C间的等效电R AC = 若在A、C间加10V的电压时,则图中电流I= A。 答案:R BC = 4Ω,R AC = 10Ω,I= 1 A。 则电流源的I S = A,R = Ω。 答案:I S = 10 A,R = 0.5 Ω。

6、如图6所示图中,若U=10V ,I=2A ,则元件A 的功率P A = W ,此元件是 (吸收或输出)功率;元件B 的功率P B = W ,此元件是 (吸收或输出)功率。 答案:P A = 20 W ,此元件是 吸收 (吸收或输出)功率;元件B 的功率P B = -20 W ,此元件是 输出 (吸收或输出)功率。 7、如图7 答案:I 3 8、把一只110V 、9W 的指示灯接在380V 的电源上,应串联 欧的电阻,串接电阻的功率为 W 。 答案:应串联 3300 欧的电阻,串接电阻的功率为 22 W 。 9、有只额定值分别为40Ω、10W 的电阻,其额定电流为 A ,额定电压为 V 。 答案:额定电流为 0.707 A ,额定电压为 20 V 。 10、在如图8所示的电路中,已知I 1=1A ,I 2=3A ,I 5= 4.5A ,则I 3= A ,I 4= A ,则I 6= A 。 答案:I 3= 4 A ,I 4= 0.5 A ,则I 6= 3.5 A 。 11、电路图如图9所示,则电路中的电流I= mA,U ab = V,U bc = V,V a = V. 答案:I= 1 mA,U ab = 4 V,U bc = 4 V,V a = 10 V. 12、有一个1KW,220V 的电炉,正常工作时电流是 A;若不考虑温度对电阻的影响,则电炉的电阻是 欧;若把它接入110V 的电压上,它的实际功率是 。 答案:工作时电流是 4.5 A ,电炉的电阻是 48.4 欧,实际功率是 250W 。

电力电子技术试卷及答案..

一、填空题(每空1分,34分) 1、实现有源逆变的条件为和。 2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。 3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经 的电流。为了减小环流,一般采用αβ状态。 4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。 5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通。 6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时 与电路会出现失控现象。 7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;这说明电路的纹波系数比电路要小。 8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。 9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。 10、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断。 三、选择题(10分) 1、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差度。 A 、180度;B、60度;C、360度;D、120度; 2、α= 度时,三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,输出电压波形处于连续和断续的临界状态。 A、0度; B、60度; C 、30度;D、120度; 3、通常在晶闸管触发电路中,若改变的大小时,输出脉冲相位产生移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压; B、控制电压; C、脉冲变压器变比; 4、可实现有源逆变的电路为。

A、单相全控桥可控整流电路 B、三相半控桥可控整流电路 C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路 5、由晶闸管构成的可逆调速系统中,逆变角βmin选时系统工作才可靠。 A、300~350 B、100~150 C、00~100 D、00 四、问答题(每题9分,18分) 1、什么是逆变失败?形成的原因是什么? 2、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求? 五、分析、计算题:(每题9分,18分) 1、三相半波可控整流电路,整流变压器的联接组别是D/Y—5,锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。试确定同步变压器TS的接法钟点数为几点钟时,触发同步定相才是正确的,并画出矢量图。(8分) 2、如图所示:变压器一次电压有效值为220V,二次各段电压有效值为100V,电阻性负载,R=10Ω,当控制角α=90o时,求输出整流电压的平均值U d,负载电流I d,并绘出晶闸管、整流二极管和变压器一次绕组电流的波形。(10分) 一、填空题 1、要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电工学试题库和试题

电工电子学考试大纲 一、课程名称:电工电子学<11 ) <双语) 二、课程代码:15011550 三、课程性质:必修课程 四、考核内容: 1>电路部分 a.电路的基本概念和分析方法:基尔霍夫定律,受控电源,采用戴维宁定理、电源的等效变换、叠加定理等方法分析直流电路,最大功率传输。 b.电路的暂态分析:电感与电容的伏安特性以及串并联等效,电路的暂态、稳态以及时间常数的概念,初始值的求解,一阶线性电路暂态分析的三要素法。 c.正弦稳态分析及频率特性:正弦量的相量表示法,电路基本定律的相量形式、复阻抗和相量图,用相量法计算简单正弦交流电流电路的方法,有功功率、功率因数的概念和计算方法,无功功率、视在功率的概念和提高功率因数的经济意义,正弦交流电路的戴维宁等效电路以及最大功率传输的条件,三相交流电路电源和负载的联接方式,相序的概念,对称三相电路的分析计算,滤波器和转移函数的概念,滤波器的分类与工作原理,交流电路串联谐振和并联谐振的条件、特征和频率特性。 2>数字逻辑电路部分 a.组合逻辑电路:与门、或门、非门、与非门、异或门等逻辑门电路的逻辑功能,逻辑代数的基本运算法则,简单组合逻辑电路的分析和设计以及用卡诺图化简逻辑函数的方法。 b.时序逻辑电路:R-S触发器、J-K触发器、D触发器的逻辑功能,寄存器、计数器等时序逻辑电路的工作原理。 3>模拟电路部分 a.二极管:二极管、稳压管的工作原理和特性曲线,理想二极管电路的分析与计算,单相整流电路、滤波电路和稳压管稳压电路的工作原理 b.放大电路的分类与外特性:放大电路的分类与特性参数,各种放大电路之间的转换,多级放大的概念,各种理想放大电路的特性,差动放大电路的工作原理,差模信号和共模信号的概念。 c.场效应管:MOS场效应管的基本结构、3个工作区域以及特性方程,共源极单管放大电路的基本结构和工作原理,静态工作点的估算,简化的小信号等效电路的分析法,源极输出器的结构与基本特点。 d.双极结型晶体管:共射极单管放大电路的基本结构和工作原理,静态工作点的估算,简化的小信号等效电路的分析法,射极输出器的结构与基本特点。 e.运算放大电路:理想运算放大器的特性,“虚断”与“虚断”的概念,由理想运算放大器构成的反相输入、同相输入和差动输入三种组态电路。 第1章直流电路习题参考答案 填空题: 1.任何一个完整的电路都必须有电源、负载和中间环节3个基本部分组成。具有单一电磁特性的电路元件称为理想电路元件,由它们组成的电路称为电路模

(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案

电 力 电 子 复 习 姓名:杨少航

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可

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