第四章应用ANSOFT HFSS对曲面结构贴片天线的模拟
4.1应用HFSS对锥形衬底圆贴片天线的模拟
所求解的结构体图型如4.1.1图所示。
图4.1.1结构体模型
结构体的具体尺寸如下所示:
a=1.2λ0
h=0.6λ0
其中介质锥的介电常数εr =2.0。选定工作频率为f=15GHz,相对应的真空中的波长为λ0=20 mm,这样结构体的几何尺寸已经完全确定,下面介绍求解的全过程。
选定求解方式为(Solution Type)Driven modal。
1.建立所求结构体的几何模型(单位:mm)。
由于此结构体的几何形状较简单,使用工具栏中的Draw命令可直接画出,这里不再赘述述。画出的结构体如图4.1.2所示。
2.充结构体的材料
选定结构体中的锥体部分,添加其介电常数εr =2.0的介质材料。
图4.1.2 结构体的几何模型
注:如果HFSS中没有提供与所需参数完全相同的材料,用户可以通过新建材料或修改已
有材料,使其参数满足用户需求。
3. 设定结构体的边界条件及其激励源。
a.选定结构体的贴片部分,设定其为理想导体(PerfE)。
b.画出尺寸为X×Y×Z=70mm×70mm×40mm的长方体作为辐射边界,并设定其边界条
件为辐射边界条件(Radiation Boundary)。
c.由于要求出结构体的RCS,因此设定激励源为平面入射波(Incident Wave Source)。如
图4.1.3所示。
图4.1.3 设置激励源为平面入射波图4.1.4 求解过程的设定细节
4. 设定求解细节,检验并求解
a.设定求解过程的工作频率为f=15GHz.其余细节设定如图4.1.4所示。
b. 设定远区辐射场的求解(Far Field Radiation Sphere 栏的设定)。
c. 使用V alidation check命令进行检验,无错误发生,下一步运行命令Analyze,对柱锥结
构体进行求解。如图4.1.5和4.1.6所示。
图4.1.5 V alidation栏
图4.1.6程序运行过程中
5.计算结果的察看和处理。
a.锥形结构体的RCS曲线如图4.1.7(σθθ)和图4.1.8(σφφ)所示。
图4.1.7柱锥结构体的双站RCS(σθθ)
图4.1.8 柱锥结构体的双站RCS(σφφ)
b. 柱锥结构体上表面的贴片电流分布如图4.1.9和图4.1.10所示。
图4.1.9 φ极化的入射波时的贴片表面电流分布图4.1.10 θ极化的入射波时的贴片表面电流分布
4.2 HFSS对球形圆贴片天线的RCS的计算
球形圆贴片天线的几何结构如图4.2.1所示,球体的内部为理想导体,外部球层是介电常数为2.2的电介质,贴片的位置如图所示以Z轴为中心,其工作频率为f=7GHz。
图4.2.1 球形贴片天线的几何外形
球形贴片天线的几何尺寸如下所示:
a=30 mm
b=3.7874 mm
h=0.7874 mm
r=7.1 mm
d
=13.18°
介质衬底的介电常数为εr=2.2 。入射波为沿-Z方向的平面波。
下面为用HFSS 9.0对此球形圆贴片天线的详细模拟过程:
1.运行HFSS 9.0 ,新建项目,并将其名称保存为”球形圆贴片”。下一步,使用命Project>Insert
HFSS Design进入模型建立及其后序求解界面如图4.2.2所示.下面用命令HFSS>Solution Type设定求解方式,如图4.2.3所示。
图4.2.2 图4.2.3
弹出Solution Type栏,如图4.2.4所示。这里为微波高频求解选择求解方式为Driven Model.接下来用命令3D Modeler>Units 设定模型尺寸,弹出Set Model Units对话框,如图4.2.5所示,选择单位mm。
图4.2.4 图4.2.5
下面的部分详细列出画三维几何模型的过程
a. 衬底(sub)及内导体(in_metal)的画法:
使用Draw命令画出半径为30mm的球体,弹出如图4.2.6所示的球体属性的对话框Properties栏。
图4.2.6
点击Attribute项在Name栏中输入in_metal作为内导体,如图4.2.7所示。
图4.2.7
与画内导体相似,画出半径为30.7874的球,弹出如图4.2.8所示的Properties
栏。点选Attribute项,在Name栏中填入sub作为衬底如图4.2.9所示。
图4.2.8 图4.2.9
在点选vacuum项弹出Select Definition栏如图4.2.10所示.通过查找得到相对介电常数为2.2的介质,选中其中满足要求的介质即可。选中Rogers RT/duroid 5880(tm)。
图4.2.10
但由于衬底只是整个球体的一部分,并且HFSS中不允许有材料在几何模型中相交,所以需要将衬底中内导体部分去掉而又要保留现有的内导体,采用下面的方法来实现,首先将内导体复制一下产生两个内导体球,具体使用Edit>Select>Select by name 命令,弹出Select Object栏如图4.2.11所示。
图4.2.11 图4.2.12
选择in_metal并点击ok按钮,再使用命令Edit>Copy和Edit>Plaste命令完成内导体的复制,HFSS自动间复制的内导体命名为in_metal1,与上面相似使用Edit>Select>Select by name 命令,同时选择sub和in_metal1两个物体在使用命令3D Modeler>Boolean>Subtract弹出Subtract栏如图4.2.12所示。
Blank栏中为sub,Tool Parts栏中为in_metal1,其余设定如图4.2.12所示点击OK按钮,完成衬底的模型的建立。
b. 下面开始画出圆形的贴片,由于HFSS中的Draw工具并不能直接画出所要求的贴在球
表面的圆形贴片,所以只能通过旋转弧线由其扫过的部分得到所要的圆形贴片,这是由Draw中的Sweep命令来实现的.先选择在XZ平面内三点画弧线法以原点为圆心以
30.7874mm为半径画出弧段,其中使用球坐标使其转过的角度为θ0=13.18°,画好的弧
线如图4.2.13所示。
选择所画出的弧线用Draw>Sweep>Around Axis命令,弹出Sweep Around Axis对话框,旋转轴选为Z轴,旋转度数选为360度,如图4.2.14所示,点击ok。
图4.2.14
这样就画好了球衬底表面上的圆形贴片,在贴片的属性栏中将其命名为patch,画好后的整体模型如图4.2.15所示。
图4.2.13 图4.2.15
2.设定边界条件及激励源
a.由于金属贴片的厚度很薄,且其对计算的结果影响较小,故HFSS中不用设定其厚度。
选择贴片(patch),用Hfss>Boundaries>Assign>PerfE命令,弹出如图4.2.16所示的Perfect
E Boundary栏,将其命名为PerfE_patch,点击OK。
图4.2.16
设定贴片为理想导体。设定好的贴片如图4.2.17所示。
图4.2.17 图4.2.18
与此相似,设定内导体也为理想导体命名为PerfE_in_metal,设定好后如图4.2.18所示。
b. 下面来设定辐射边界条件,由于HFSS要求辐射边界条件需要离模型体至少要0.25λ0
远的距离,因此以圆心为中心作出边长为100mm的立方体完全满足解的要求,作好的立方体命名为boundary,如图4.2.19所示。
图4.2.19 图4.2.21 选择立方体boundary,使用Hfss>Boundaries>Assign>Radiation命令设定其为辐射边界条件,弹出Radiation Boundary栏,如图4.2.20所示.点击OK按钮。
图4.2.20
设定好的辐射边界条件如图4.2.21所示。
c.对于激励源的设定,由于这里所要求解的是散射场,故激励源为平面入射波,方向为沿-Z
方向。使用HFSS>Excitation>Assign>Incident Wave命令,弹出Incident Wave Source 栏,如图4.2.22所示。
图4.2.22 图4.2.23
选择specrial项,点击”下一步”,出现入射波方向设定栏如图4.2.23所示。
设定入射波phi为0deg,theta为0deg极化方向为phi方向,点击”完成”按钮。完成激励源入射波的设定,如图4.2.24所示。
图4.2.24
3.建立求解的细节,使用命令HFSS>Analysis Setup>Add Solution Setup 弹出Solution Setup
栏,solution为7GHz,Maximum Number of Passes为5,Maximum Delta E为0.1,如图
4.2.25所示。
图4.2.25 图4.2.26 与辐射边界条件相对应,该设定远区辐射场,使用命令HFSS>Radiation>Insert far field Setup >Infinite sphere,弹出如图4.2.26所示的Far Field Radiation Sphere Setup栏,theta和phi均为0度到360度,步进为1度。
使用用命令HFSS>Validation Check对模型进行检验,如图4.2.27所示。
图4.2.27
检验模型没有错后,对模型进行模拟求解,使用命令HFSS>Analyze,对模型求解,如图
4.2.28所示。
图4.2.28
4. 求解运算后,使用命令HFSS>Results>Solution Data,弹出Solution Data 栏,点击
convergence项下的plot,可以看到求解的收敛曲线,如图4.2.29所示。
图4.2.29
使用HFSS>Results>Create Report 命令,弹出Cretat Report栏,在Report Type栏中选择
Far Field 项,Dislay Type栏中选择Rectangular Plot项,如图4.2.30所示。
图4.2.30
点击OK,弹出Traces栏,在Y项中,Category选为RCS,Quantity选为RCSphi,Function 选为dBm如图4.2.31所示。
图4.2.31 图4.2.32
在X项中勾选Use Primary Sweep。
在sweeps项中点选Use current Design and Project variable,并且在第一栏中的Name项为Theta,Type项为Primary Sweep,Description项为All V alues,第二栏中Name为phi,Type 项为Piont(s),Description项为0deg,如图4.2.32所示。
点击Add Traces按钮,在点击Done按钮,生成如图4.2.33所示的RCS(φφ)曲线。
图4.2.33
选择贴片,使用命令HFSS>Fields>Plot Fields>Mag_Jsurf,弹出Create Field Plot栏,如图4.2.34所示,点击Done按钮,产生贴片表面电流的模拟,如图4.2.35 所示。
图4.2.34
相似的方法可以得到θ极化时的RCS(θθ)曲线,如图4.2.36和θ极化时的表面电流分布,如图4.2.37所示。
图4.2.36
图4.2.35 φ极化时的表面电流图4.2.37 θ极化时的表面电流
4.3 HFSS对柱形体贴片阵列的模拟
所求的柱形体衬底贴片阵列为8×1阵列,几何模型的具体尺寸如图4.3.1所示,其中内导体为理想导体,衬底为介电常数为2.0的电介质,厚度为0.1λ0。
图4.3.1 柱形体贴片阵列的几何模型
图4.3.1中的几何体各参数如下所示:
Ф0=67.5°
b =2λ0/π
t=0.1λ0
h=4.25λ0
Dφ=Dz=d=0.25λ0
厚为h的衬底的介质的介电常数为εr=2.0。贴片阵列的工作频率为f=5GHz,则相对应的工作波长为λ0=60 mm。该柱形体贴片阵列的激励源为沿-X方向的平面入射波。下面为用HFSS对该结构体模拟的全过程:
选定求解方式为(Solution Type)Driven modal。
1.建立柱形体贴片阵列的三维几何模型.
a. 在XOZ平面内画出柱形体贴片的截面图为矩形,然后应用sweep命令向顺时针和逆时针
两方向分别旋转33.75度可以画出该柱形体的衬底及内导体的几何模型,具体细节这里不在赘述。
b.下面详细介绍一下贴片阵列的画法。
按图4.1中的坐标系在XOZ平面和衬底外表面的交线上距XOY平面λ0/8处沿+Z方向依次画出长度为0.25λ0,间距为0.25λ0的线段4段,如图4.3.2所示。
图4.3.2 贴片与衬底外表面在XOZ平面的交线图4.3.3 Z>0部分的贴片
分别将图4.3.2中的4段线段绕Z轴向顺时针和逆时针方向旋转可得到所要求得的贴片,如图4.3.3所示。
选中图4.3.3中所画的4个贴片,将这4个贴片沿XOY平面作一镜像的到所要的8×1贴片阵列。这样就画好了柱形体贴片阵列的几何模型,如图4.3.4所示。
2. 对画好的几何体模型填充相应的材料。
选中衬底部分将其中填充介电常数为εr=2.0的介质材料。
3. 设定模型的边界条件及激励源。
图4.3.4 柱形体贴片的几何体模型图4.3.5 辐射边界条件的设定
a. 选中柱形体的内导体部分,将其设定为理想导体(PerfE)。
b. 选中贴片阵列中的所有贴片,设定它们为理想导体(PerfE)。
c. 作X×Y×Z=120 mm×120 mm×320 mm的长方体,设定其为辐射边界条件(Radiation
Boundary),如图4.3.5所示。
d.该模型的激励源为沿-X轴方向的平面入射波,设定后如图4.3.6所示。
图4.3.6 平面入射波的设定
4. 设定求解细节,并运行求解。
a. 设定求解频率为f=5GHz ,详细的设定如图4.3.7所示。
图4.3.7 工作频率及其它细节的设定图4.3.8 远区场求解的设定
b. 设定远区辐射场的求解(Far Field Radiation Sphere 栏的设定),如图4.3.8所示。
c. 使用Validation check命令进行检验,无错误发生,接下来运行命令Analyze,对柱形
体贴片进行求解。
5. 结果曲线及相应参数的提取。
a. 入射波为沿-X方向的平面入射波时,双站RCS(σφφ)曲线,如图4.3.9所示。
b. 入射波为沿-X方向的平面入射波时,双站RCS(σθθ)曲线,如图4.3.10所示。
图4.3.9双站RCS(σφφ) (dB) 图4.3.10 双站RCS(σθθ) (dB)
4.4 HFSS对覆盖8×8贴片阵列的介质柱的RCS的计算
所求解的8×8贴片阵列的介质柱的几何模型如图4.4.1所示,其中内圆柱为理想导体,理想导体的外层为介质衬底,贴片均匀分布在衬底柱的侧面,具体参数如图4.4.1(a)所示,
其中:
f=5GHz
λ0=60mm
Ф0=45°
b =2λ0/π=38.2165mm
t=0.1λ0=6mm
h=4.25λ0=255mm
Dφ=Dz=d=0.25λ0=15mm
图4.3.1
将(a)图绕Z轴依次旋转45度,90度,135度,180度,225度,270度,315度,并将旋转后得到的几何体组合起来就得到图4.4.1中(b)所示的柱形体.其中衬底基片的介电常数为2.0。
用HFSS 9.0对柱形贴片阵列的模拟详细步骤如下:
1.用HFSS的Draw工具对该柱形贴片阵列三维几何模型的建立。由于该天线为对称结构,
故可以先画出图4.4.1中(a),再进行旋转,组合而得到所要的几何模型(b)。
运行HFSS 9.0,新建工程为Project1,将其保存名称为”full cylinder patch”的项目。使用命令Project>Insert HFSS Design进入模型建立及其后序求解界面,接下来使用HFSS> Solution Type设定求解方式,弹出Solution Type栏,如图4.4.2所示。这里为微波高频求解选择求解方式为Driven Model。
图4.4.2
接下来用命令3D Modeler>Units 设定模型尺寸,弹出Set Model Units对话框,如图4.4.3
所示,选择单位mm。
图4.4.3
下面的部分详细列出画三维几何模型的过程:
a.画出衬底(sub)及内导体(in_metal)
在XOZ平面内,以原点为一个顶点,画出X×Z=38.2165mm×127.5mm的矩形,弹出
如图4.4.4所示的Properties栏。
图4.4.4 图4.4.5
点击Attribute项,在Name栏中输入Rec1作为其名称如图4.4.5所示。
由于所画的几何体尺寸较大,会超过屏幕范围可用命令CTRL+D使所画的几何模型大
小在屏幕之内.画好的矩形如图4.4.6所示。
图4.4.6 图4.4.7
选择矩形Rec1,使用Draw>Sweep>Around Axis命令,弹出Sweep Around Axis栏,点选Z轴,旋转角度为22.5度,如图4.4.7所示。
点击OK,得到如图4.4.8所示的柱形体的一部分。
图4.4.8 图4.4.9
选择所作出的柱形体部分,使用命令Edit>Copy和命令Edit>Plaste,产生同样的柱形体部分,名称为Rec2如图4.4.9所示。
打开名称为Rec2的柱形体部分的Properties栏,将X size修改为32.2165mm,作为内导体,如图4.4.10所示。
图4.4.10
在Attribute栏中将Rec2改为in_metal作为内导体,如图4.4.11所示。
.
图4.4.11
使用命令Edit>Copy和命令Edit>Plaste将in_metal复制一份,其名称为in_metal1,使用Edit>Select>Select by name 命令,弹出Select Object栏如图4.4.12所示的Select Object栏.点选Rec1和in_metal1,点击OK。
图4.4.12 图4.4.13
使用命令3D Modeler>Boolean>Subtract,弹出Subtract栏,如图4.4.13所示。
其中Blank栏中为Rec1,Tool Parts栏中为in_metal1,点击OK按钮。打开柱形体Rec1的Properties栏,在Name栏中输入sub作为衬底的名称,点选vacuum项,弹出如图4.4.14所示的Select Definition栏。
图4.4.14