了解芯片全流程智能化制造和加快国产化进程

了解芯片全流程智能化制造和加快国产化进程

?4月26号，习近平总书记来到武汉新芯集成电路制造有限公司，查看集

成电路生产线，了解芯片全流程智能化制造和加快国产化进程等情况。习近平总书记强调：装备制造业的芯片相当于人的心脏，心脏不强，体量再大也不算强。要加快在芯片技术上实现重大突破，勇攀世界半导体存储科技高峰。“两个一百年”奋斗目标，不是敲锣打鼓，轻轻松松就能实现的。机遇前所未有，挑战前所未有。每个人都要增强责任感、使命感、在各自的岗位上，为实现中华民族伟大复兴作出更大的贡献。

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?实时航拍景观

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?我们现在看到的实时航拍画面中，这片区域就是习近平总书记在考察中详细了解的国家存储器基地项目。这个正在修建中的灰色厂房，是国家存储器基地的一号芯片生产厂房，去年9月封顶。它拥有全球单体面积最大的芯片生产车间，相当于10个标准足球场面积。

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?未来，这个厂房还会多两个“兄弟”，它们共同构成国家存储器基地，标志着我国存储芯片产业规模化发展“零”的突破。

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?4月份，芯片生产设备正式入场安装，这相当于航空母舰具备了下海启航

芯片制造流程

裸芯片制造流程 晶圆制造工序（序） 半导体的产品很多，应用的场合非常广泛，图一是常见的几种半导体组件外型。半导体组件一般是以接脚形式或外型来划分类别，图一中不同类别的英文缩写名称原文为PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 虽然半导体组件的外型种类很多，在电路板上常用的组装方式有二种，一种是插入电路板的焊孔或脚座，如PDIP、PGA，另一种是贴附在电路板表面的焊垫上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 从半导体组件的外观，只看到从包覆的胶体或陶瓷中伸出的接脚，而半导体组件真正的核心，是包覆在胶体或陶瓷内一片非常小的芯片，透过伸出的接脚与外部做信息传输。 图二是一片EPROM组件，从上方的玻璃窗可看到内部的芯片， 图三是以显微镜将内部的芯片放大，可以看到芯片以多条焊线连接四周的接脚，这些接脚向外延伸并穿出胶体，成为芯片与外界通讯的道路。请注意图三中有一条焊线从中断裂，那是使用不当引发过电流而烧毁，致使芯片失去功能，这也是一般芯片遭到损毁而失效的原因之一。 图四是常见的LED，也就是发光二极管，其内部也是一颗芯片， 图五是以显微镜正视LED的顶端，可从透明的胶体中隐约的看到一片方型的芯片及一条金色的焊线，若以LED二支接脚的极性来做分别，芯片是贴附在负极的脚上，经由焊线连接正极的脚。当LED通过正向电流时，芯片会发光而使LED发亮，如图六所示。 半导体组件的制作分成两段的制造程序，前一段是先制造组件的核心─芯片，称为晶圆制造；后一段是将晶片加以封装成最后产品，称为IC封装制程，又可细分成晶圆切割、黏晶、焊线、封胶、印字、剪切成型等加工步骤，在本章节中将简介这两段的制造程序。 须经过下列主要制程才能制造出一片可用的芯片，以下是各制程的介绍： （１）长晶（CRYSTAL GROWTH）： 长晶是从硅沙中(二氧化硅)提炼成单晶硅，制造过程是将硅石(Silica)或硅酸盐 (Silicate) 如同冶金一样，放入炉中熔解提炼，形成冶金级硅。冶金级硅中尚含有杂质，接下来用分馏及还原的方法将其纯化，形成电子级硅。虽然电子级硅所含的硅的纯度很高，可达 99.9999 99999 %，但是结晶方式杂乱，又称为多晶硅，必需重排成单晶结构，因此将电子级硅置入坩埚内加温融化，先将温度降低至设定点，再以一块单晶硅为晶种，置入坩埚内，让融化的硅沾附在晶种上，再将晶种以边拉边旋转方式抽离坩埚，而沾附在晶种上的硅亦随之冷凝，形成与晶种相同排列的结晶。随着晶种的旋转上升，沾附的硅愈多，并且被拉引成表面粗糙的圆柱状结晶棒。拉引及旋转的速度愈慢则沾附的硅结晶时间愈久，结晶棒的直径愈大，反之则愈小。 （２）切片（SLICING）： 从坩埚中拉出的晶柱，表面并不平整，经过工业级钻石磨具的加工，磨成平滑的圆柱，并切除头尾两端锥状段，形成标准的圆柱，被切除或磨削的部份则回收重新冶炼。接着以以高硬度锯片或线锯将圆柱切成片状的晶圆(Wafer) (摘自中德公司目录)。 （３）边缘研磨（EDGE－GRINDING）：

智能化工程项目操作流程(初稿)

智能化工程项目管理流程 一、项目成本核算 1、由商务部、工程部共同核出项目的初步成本作为最基本考核标准； 2、商务部核对前期商务费用、税金、预计的差旅费等计入项目成本； 3、商务部与工程部核对项目初步清单数量（可作为施工队工作清单）； 4、商务部、工程部共同核对初步成本造价，作为项目实施成本控制的蓝本； 5、商务部、工程部要列出各系统设备大致采购周期并备案； 6、施工费用由总经理、分管副总经理与工程部核定； 7、项目其他费用由总经理、分管副总经理与销售部核定。 二、项目执行流程 1、前期操作中（中标前或签合同前），总经理、副总经理制定规划，销售部主导，商务部、工程部配合；

2、项目中标或签合同后，商务部在一定时间内（根据项目大小制定工作时间计划，包括合同、投标资料、设计图纸、清单等）移交工程部接手； 3、项目深化由工程部主导，商务部予以配合，分管副总经理予以督导（根据项目大小制定工作时间计划，原则上不超过10个工作日）； 4、确定项目经理，项目实施采取项目经理负责制。编制项目章程、项目计划（包括成本、进度、质量等）； 三、外包施工的确定 施工队的选择根据初步核算清单,由销售部、工程部联合组织候选施工队进行统一报价，分管副总给出筛选建议，由总经理决定施工队后通报给工程部，由选民经理负责签订施工合同流程，施工合同采用统一格式，统一条款，如有特例需请示副总经理； 四、货物请购 1、每个项目必须由项目经理负责货物请购。请购单由项目经理填写后首先以邮件形式交分管商务 部审核（请购单的内容应包括：请购货物的品牌、型号、规格、数量、用途、相应辅材和检测报告合格证、保修书等以《采购申请表》为准），审核通过后，提交工程部分管副总经理审批。审批通过后交由商务部

芯片设计和生产流程

芯片设计和生产流程 大家都是电子行业的人，对芯片，对各种封装都了解不少，但是你 知道一个芯片是怎样设计出来的么？你又知道设计出来的芯片是 怎么生产出来的么？看完这篇文章你就有大概的了解。 复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的IC芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC设计中的建筑师究竟是谁呢？本文接下来要针对IC设计做介绍。 在IC生产流程中，IC多由专业IC设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel等知名大厂，都自行设计各自的IC芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC是由各厂自行设计，所以IC设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗IC芯片时，究竟有那些步骤？设计流程可以简单分成如下。

设计第一步，订定目标 在IC设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC设计也需要经过类似的步骤，才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。 规格制定的第一步便是确定IC的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合，像无线网卡的芯片就需要符合IEEE802.11等规範， 不然，这芯片将无法和市面上的产品相容，使它无法和其他设备连线。最后则是

确立这颗IC的实作方法，将不同功能分配成不同的单元，并确立不同单元间连结的方法，如此便完成规格的制定。 设计完规格后，接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，方便后续制图。在IC芯片中，便是使用硬体描述语言（HDL）将电路描写出来。常使用的HDL有Verilog、VHDL等，藉由程式码便可轻易地将一颗IC地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改，直到它满足期望的功能为止。 ▲32bits加法器的Verilog范例。 有了电脑，事情都变得容易 有了完整规画后，接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC设计中，逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code，放入电子设计自动化工具（EDA tool），让电脑将HDL code转换成逻辑电路，产生如下的电路图。之后，反

芯片的制造工艺流程

芯片的制造 半导体产业最上游是IC设计公司与硅晶圆制造公司，IC 设公司计依客户的需求设计出电路图，硅晶圆制造公司则以多晶硅为原料制造出硅晶圆。中游的IC制造公司主要的任务就是把IC设计公司设计好的电路图移植到硅晶圆制造公司制造好的晶圆上。完成后的晶圆再送往下游的IC封测厂实施封装与测试，即大功告成！ (1)硅晶圆制造 半导体产业的最上游是硅晶圆制造。事实上，上游的硅晶圆产业又是由三个子产业形成的，依序为硅的初步纯化→多晶硅的制造→硅晶圆制造。 a硅的初步纯化 将石英砂(SiO2)转化成冶金级硅(硅纯度98%以上)。 b多晶硅的制造 将冶金级硅制成多晶硅。这里的多晶硅可分成两种：高纯度(99.999999999%，11N)与低纯度(99.99999%，7N)两种。高纯度是用来制做IC等精密电路IC，俗称半导体等级多晶硅；低纯度则是用来制做太阳能电池的，俗称太阳能等级多晶硅。 c硅晶圆制造 将多晶硅制成硅晶圆。硅晶圆又可分成单晶硅晶圆与多晶硅晶圆两种。一般来说，IC制造用的硅晶圆都是单晶硅晶

圆，而太阳能电池制造用的硅晶圆则是单晶硅晶圆与多晶硅晶圆皆有。一般来说，单晶硅的效率会较多晶硅高，当然成本也较高。 (2)IC设计 前面提到硅晶圆制造，投入的是石英砂，产出的是硅晶圆。IC设计完成后，产出则是电路图，最后制成光罩送往IC 制造公司，设计就告一段落了！ 不过，要让理工科以外的人了解IC设计并不是件容易的事(就像要让念理工的人了解复杂的衍生性金融商品一样)，作者必需要经过多次外出取材才有办法办到。这里先大概是一下观念，请大家发挥一下你们强大的想像力！ 简单来讲，IC设计可分成几个步骤，依序为：规格制定→逻辑设计→电路布局→布局后模拟→光罩制作。 a规格制定 品牌厂或白牌厂(没有品牌的品牌厂)的工程师和IC设计工程师接触，并开出他们需要的IC的规格给IC设计工程师。讨论好规格后，工程师们就开始工作了！ b逻辑设计 所谓的“逻辑”设计图，就是指它是由简单的逻辑元件构成，而不是由半导体种类电路元件(如二极体、电晶体等)所构成。什么是逻辑元件呢？像是AND Gate(故名思意，两个输入都是1的话，输出才是1，否则输出就是0)，OR Gate(两

智能化工程项目操作流程

项目操作流程 一、项目成本核计 1、由成本核算部、采购部、工程部共同核出项目的初步成本作为最基本考核标准； 2、成本核算部核对前期商务费用计入项目成本； 3、成本核算部与工程部核对项目初步清单数量（可作为施工队工作清单）； 4、采购部、成本核算部、工程部共同核对初步成本造价，作为项目实施成本控制的蓝本； 5、采购部要列出各系统设备大致采购周期抄送工程部备案； 6、施工费用由总经理、副总经理与工程部核定； 7、项目其他费用由总经理、副总经理与工程部核定（粗略按比例折算）。 二、项目执行流程 1、前期操作中（中标前），总经理、副总经理制定规划，成本核算部主导，采购部、工程部配合； 2、项目中标后，成本核算部在一定时间内（根据项目大小制定工作时间计划，包括合同、投标资料、设计图纸、清单等）移交工程部接手； 3、项目深化由工程部主导，成本核算部、采购部、予以配合，总经理、副总经理予以督导（根据项目大小制定工作时间计划，原则上不超过10个工作日）； 4、确定项目经理，项目实施采取项目经理负责制。编制项目章程、项目计划（包括成本、进度、质量等）； 5、施工队的选择根据初步核算清单,由工程部经理组织候选施工队进行统一报价，报价的发放、回收、比价由副总经理负责实施，副总经理决定施工队后通报给工程部，由工程部经理负责签订施工合同流程，施工合同采用统一格式，统一条款，如有特例需请示副总经理； 6、每个项目必须由项目经理负责货物请购。请购单由项目经理填写后首先交工程部审核（请购单的内容应包括：请购货物的品牌、型号、规格、数量、用途、相应辅材和检测报告合格证、保修书等以《采购申请表》为准），审核通过后，

系统集成智能化项目技术培训方案

培训方案 1.1培训需求 建设一支既熟悉XXXXX系统集成又掌握信息技术的骨干队伍，是信息应用系统顺利推进和成功应用的重要保证。在项目完成后，我们保证通过培训使各级业务管理人员能够利用综合业务信息系统进行相应的管理和决策工作；使基层业务人员能够熟练掌握与XXXXXX系统集成工作相关的功能模块的使用方法和操作技巧。为了达成这样的目标，我们需要进行培训。 1.2培训的意义 此次项目全面培训对于项目的价值在于： 为XX信息化的发展提供了强大的助推力。 通过培训来提高工作人员信息技术能力。 提升了信息化管理水平。 提高项目的运行成功率，达到国家要求。 对工作人员的价值在于： 掌握项目所需的计算机软件相关技术； 掌握专业知识和专业技能； 掌握信息系统的使用； 掌握了项目管理必需的专业知识。

不断完善知识结构。

1.3培训的目的 培训的目的是为了使系统使用人员了解、掌握本系统所涉及的各种技术和设备，更有效和更全面地应用、管理系统。对于一般工作人员，应能灵活使用操作本系统，对于系统管理人员和技术人员，要能够达到独立操作、分析、判断、解决、排除系统一般故障问题。 1.4培训服务保证 在此次信息系统集成项目的培训工作中，我们遵循以下原则： 统一管理 采取集中原则，统一集中技术骨干在合适的场所进行培训，设置专门的培训组，负责培训工作的统一管理和协调，有条理的对学员进行培训。 集中授课 为保证培训取得良好效果，培训工作采取面对面集中授课的方式进行，并为学员提供良好的软硬件环境，配备专门的培训管理员以解决授课过程出现的问题。 规范与知识并重 根据不同的培训对象，设定不同的培训内容，制定相应培训手册。结业标准也应当根据不同培训对象分别对待。

智能化项目流程与实施

一、项目前期准备阶段： 1、项目交接： 1）资料移交： 针对招标文件和答疑，对于投标阶段考虑到我方利益不明确事项未在答疑中提出，但进场后需落实的事项。 投标文件中为提高中标率采取的对于报价有影响的措施，如故意降低某些单项的报价、数量；招标文件中有漏项但考虑到不提高报价，未在投标文件中报价，需进场后进行追加的； 2）项目勘察： 具备条件的还应进行现场勘察，以免因为现场情况复杂引起施工成本的增加。 3）将上述问题罗列整理成项目交底记录 2、开工前准备工作： 1）与施工队伍介绍现场情况，对于合同未完善事宜提早发现，以免后期引起纠纷 2）图纸会审：一般情况下还应包括深化设计，需结合招投标文件、答疑、合同综合考虑，对于不利因素进行规避，在设计阶段争取合理最大利润。对于深化设计定稿，应由图纸、清单或工作联系单、变更、甲方工作指令等几项组成。 3）协商好用水用电、仓库、临时办公，应注意能办理计量的尽量予以办理计量，以免后期按比例从我方费用中扣除，引起较大损失。3、提交开工报告：

对于甲方/代建方直接招标的项目，需提交开工报告，但对于总包中标，我方必选中标的项目，则一般不需提交开工报告。但相应资质文件需通过总包提交至监理处。 4、施工进场阶段： 进场材料封样： 对于我方供货的主要材料、甲方要求进行封样的部分设备、箱体，在设备进场之前需进行封样。 工程材料下单订货： 需对工程材料的采购周期进行提前了解，避免因为采购材料提前量考虑不足，材料不能及时到场，影响施工进度 工程预付款、安全文明施工费的申请 结合合同专项条款内对于上述两项的约定，及时上报，保证工程前期资金及时到位 双卡、人员卡的办理 5、按图及施工进度计划进行施工： 由于智能化项目较为特殊，难免会遇到深化设计与施工同时进行的局面，这时，需对影响施工进度的问题进行整理罗列，按照轻重缓急进行排序，及时处理，以免影响施工进度。 还应注意与其他专业的配合对接：如桥架预留洞的预留；背景音乐、门禁系统与消防专业提前沟通联动方案；楼控系统提前与强电、暖通、电梯等专业进行接口、设备参数的对接；机房装修对土建单位完成工作面的相关要求，以及我方对于设备基础的预留需土建专业的

集成电路制造工艺流程之详细解答

集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多

集成电路工艺流程

集成电路中双极性和CMOS工艺流程 摘要：本文首先介绍了集成电路的发展，对集成电路制作过程中的主要操作进行了简要 讲述。双极性电路和MOS电路时集成电路发展的基础，双极型集成电路器件具有速度高、驱动能力强、模拟精度高的特点，但是随着集成电路发展到系统级的集成，其规模越来越大，却要求电路的功耗减少，而双极型器件在功耗和集成度方面无法满足这些方面的要求。CMOS电路具有功耗低、集成度高和抗干扰能力强的特点。文章主要介绍了双极性电路和CMOS电路的主要工艺流程，最后对集成电路发展过程中出现的新技术新工艺以及一些阻 碍集成电路发展的因素做了阐述。 关键词：集成电路，双极性工艺，CMOS工艺 ABSTRACT This paper first introduces the development of integrated circuits, mainly operating in the process of production for integrated circuits were briefly reviewed. Bipolar and MOS circuit Sas the basis for the development of integrated circuit. Bipolar integrated circuits with high speed, driving ability, simulated the characteristics of high precision, but with the development of integrated circuit to the system level integration, its scale is more and more big.So, reducing the power consumption of the circuit is in need, but bipolar devices in power consumption and integration can't meet these requirements. CMOS circuit with low power consumption, high integration and the characteristics of strong anti-interference ability. This paper mainly introduces the bipolar circuit and CMOS circuit the main technological process.finally, the integrated circuit appeared in the process of development of new technology and new technology as well as some factors hindering the development of the integrated circuit are done in this paper. KEY WORDS integrated circuit, Bipolar process, CMOS process

智能化弱电系统项目管理

智能化弱电系统项目管理培训资料

智能化弱电系统的项目管理 （内部培训资料）

目录 一、概述 (5) 二、智能化弱电系统工程的工序流程 (5) 三、项目管理内容 (6) 四、技术管理 (6) 4.1 技术标准和规范管理 (6) 4.2 施工图的深化设计 (7) 4.3 安装工艺管理 (8) 4.4 技术文件管理 (8) 五、施工管理 (9) 5.1 施工组织管理 (9) 5.1.1 项目部的建立 (9) 5.1.2 组织设计和组织管理 (10) 5．2项目的进度管理 (10) 5.2.1 项目进度的制定 (10) 5.2.2 项目进度的控制 (11) 5．3 界面协调管理 (11) 六、质量管理 (11) 6.1 设计过程的质量控制 (12) 6.2 采购过程的质量控制 (12)

6.3 施工过程的质量控制 (13) 七、系统测试与验收 (14) 7.1测试验收流程 (14) 7.2 制定测试验收计划 (14) 7.3 竣工验收 (15) 八、结束语 (15)

智能化弱电系统的项目管理 一、概述 智能建筑弱电工程项目管理的目标是：运用现代化的管理技术，采用系统控制的方法，将各种资源经过管理由输入转化为输出，并排除各种干扰，实施动态管理，及时发现偏差纠正偏差从而达到合同所限定的质量、工期、成本等要求，向业主提供质量优良的工程。 智能建筑弱电工程项目管理是一项难度较大的工作，它是高新技术在建筑领域应用的产物，其主要特点是：系统技术含量高、管理的对象复杂、以及综合协调要求高。 因此智能化弱电工程的项目管理要有一个系统的考虑与统筹安排，在时间上、空间上、对各种资源进行科学的合理的综合利用，以保证项目的成功建设。 二、智能化弱电系统工程的工序流程 智能化弱电系统工程的工序流程如图一所示： 图一：智能化弱电系统工程工序流程

CMOS集成电路制造工艺流程

C M O S集成电路制造工艺 流程 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

陕西国防工业职业技术学院课程报告 课程微电子产品开发与应用 论文题目CMOS集成电路制造工艺流程 班级电子3141 姓名及学号王京（24#） 任课教师张喜凤 目录

CMOS集成电路制造工艺流程 摘要：本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程，主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素，及CMOS器件的应用。 引言：集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。硅双极工艺面世后约3年时间，于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术，并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比，MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高，但工作速度较慢。由于它们各具优劣势，且各自有适合的应用场合，双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。 关键词：工艺技术，CMOS制造工艺流程 1.CMOS器件 CMOS器件，是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构，电流小，功耗低，早期的CMOS电路速度较慢，后来不断得到改进，现已大大提高了速度。 分类 CMOS器件也有不同的结构，如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别，是器件的栅极结构所用材料的不同。P阱CMOS，则是在n型硅衬底上制造p沟管，在p阱中制造n沟管，其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早，也是应用得最广的工艺，适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS，是在p型硅衬底上制造n沟晶体管，在n阱中制造p沟晶体管，其阱一般采用离子注入方法形成。该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化，适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D－NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。双阱CMOS，是在低阻n＋衬底上再外延一层中高阻n――硅层，然后在外延层中制造n 阱和p阱，并分别在n、p阱中制造p沟和n沟晶体管，从而使PMOS和NMOS晶体管都在高阻、低浓度的阱中形成，有利于降低寄生电容，增加跨导，增强p沟和n沟晶体管的平衡性，适用于高性能电路的制造。

芯片制作工艺流程

芯片制作工艺流程 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化 Si(固) + O2 à SiO2(固) 湿法氧化 Si(固) +2H2O à SiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反

智能化工程公司设计、施工流程图

智能化工程公司设计、施工流程 设计阶段流程 1、设计招标（方案设计） 2、初步设计（技术设计）及概算 3、施工图绘制 4、图纸交底及会审 5、工程联系单 6、竣工验收 建筑设计业务流程 1、设计咨询与沟通 2、确定设计意向（签定委托设计协议） 3、实地勘测 4、初步方案设计与规划 5、编制初步工程施工估算 6、方案沟通与修正（结合估算） 7、确定设计方案，签定设计合约 8、扩初设计 9、全套施工图纸设计 10、客户确认施工图纸 11、编制工程施工招标书 12、签定施工合同 13、图纸交底，组织施工（设计师负责跟进） 14、工程竣工验收 15、质量跟踪服务 通常的就三步：做方案设计，技术设计， 和施工图绘制。 1. 方案设计：了解设计要求，获得必要设计数据，绘制出各层主要平面，剖面和立面，有必要时 甚至要画出效果图来。要标出房屋的主要尺寸，面积，高度，门窗位置和设备位置等，以充分表达出设计意图，结构形式和构造特点。这阶段和业主，使用该房屋相关人员接触比较多，如果方案确定，就可以进入下步的技术设计阶段。 2. 技术设计：一般要是不太复杂的工程，这就省掉了。这一阶段主要是和其他建筑工种互相提供资料，提出要求，协

调与各工种(比如结构，水电，暖通，电气等)之间的关系，为后续编制施工图打好基础。在建筑设计上，这一步骤就是要求建筑工种标明与其他技术工种有关的详细尺寸，并编制建筑部分的技术说明。 3. 施工图绘制：这是建筑设计中，劳动量最大，也是完成成果的最后一步，主要功能就是绘制出 满足施工要求的施工图纸，确定全部工程尺寸，用料，造型。在建筑设计上就是要完成建筑施工图的全套图纸。 最后建筑施工图完成后，审核，盖注册建筑师章，设计院出图章，设计人员审核人员等相关人员签字， 并配合其他结构施工图，水电施工图，电气施工图等，这套图纸就可以出图了，这份建筑图就具有法律效力，相关人员就要为这设计的房屋承担相应责任。 弱电工程施工流程和规范 (一)、施工流程 施工过程可分为四个阶段：即施工准备、施工阶段、调试开通和竣工验收阶段。结合本公司的实际情况，制定本流程。 一．施工准备 1．学习掌握相关的规范和标准严格遵守建筑弱电安装工程施工及验收规范和所在地区的安装工艺标准及当地有关部门的各项规定。本项目应遵守的规定主要有： 《有线电视系统工程技术规范》( GBJ50200-94) 《通信光缆的一般要求》( GB/T7427-87 ) 《民用闭路监视电视系统工程技术规范》( GB50116-92) 《建筑及建筑群综合布线系统工程设计规范》( CECS72-95) 《商用建筑线缆标准》( EAI/TIA-568A ) 2．熟悉和审查图纸 熟悉和审查图纸包括学习图纸，了解图纸设计意图，掌握设计内容和技术条件，会审图纸后形成纪要，由设计、建设、施工三方共同签字，作为施工图的补充技术文件。核对土建与安装图纸之间有无矛盾和错误，明确各专业之间的配合关系。 3．施工工期的时间表 详见施工进度计划表 4．技术交底明确所承担施工任务的特点、技术质量要求、系统的划分、施工工艺、施工要点和注意事项等，做到心中有数，以利于有计划、有组织，多快好省的完成任务。二是对工程技术的具体要求、安全措施、施工程序、配制等。 5. 施工预算建筑安装工程预算，按不同的设计阶段编制的可以分为：设计概算、施工图预算、设计预算等。 《安全防范工程费用概算编制办法》( GA/T70-94 )由国家公安部发布作为公共安全行业标准在全国推行，参照执行。 6．施工组织设计

芯片制作工艺流程

工艺流程 1)表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2)初次氧化 有热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固) 湿法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2)/(d ox)=(n ox)/(n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10--10E+11/cm–2.e V-1数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3)CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1常压CVD(Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的

芯片工艺流程图及说明

李经理: 请查看附件.环评要求你们的工艺流程及说明也要像附件中我们的芯片流程这样描述详细.(流程右边的代号是表示废水或废气,你可以用文字表述. 另外你们的原材料中有一种含氰的化学品,请你们说明其无害特点.如确实有害,则要说明处理方案. 上面的事很急,请你帮忙这两天就给出来. 芯片工艺流程图及说明 工艺流程图 红黄光芯片生产工艺流程及产污环节点见图4-2、

W 废水产出点 注：G 废气产出点 S 固废产出点 氢氟酸、S2-9、S2-7 、G 2-9 硫酸红、黄光外延片 金钛铝图4－2 红黄光芯片生产工艺流程及产污环节点

工艺流程说明 （1）外延片检测：用荧光测试仪快速测量外延片的光电参数。 （2）清洗：将外延生长好的外延片依次放入硫酸与双氧水的混合溶液、氨水与双氧水的混合溶液、异丙醇中对外延片表面进行清洗，每次清洗后使用纯水进行冲洗。此过程在通风柜里密闭进行，冲洗使用通风柜内的专用清洗槽，使用纯水进行漂洗直至槽中纯水达到工艺要求的较低离子浓度。 （3）蒸镀：清洗后的外延片放入密封蒸镀设备中，根据产品品种要求，蒸发上钛金或钛铝电极薄膜。 （4）光刻：将镀好金属的外延片在涂胶机上涂上光刻胶后，在曝光机上曝光，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，再放入显影液中，溶解去曝过光的光刻胶，未经曝光的光刻胶保留下来，得到所需的电极图形。 （5）腐蚀：将光刻后的外延片依次采用磷酸、氢氟酸与硝酸的混合液来腐蚀钛、金和铝等金属，腐蚀后用纯水冲洗外延片携带的酸液、再用去胶液去除光刻胶，得到所需的金属电极。用纯水冲去外延片携带的去胶液。 （6）高温合金：腐蚀后的外延片放在合金炉中进行热处理，使金属层与外延层形成良好的欧姆接触，减低芯片正向电压。 （7）研磨：通过蜡将外延片粘接在研磨盘上，放入研磨机内，采用三氧化二铝研磨粉，通过机械研磨的方式，减薄衬底，使外延片易于切割，并降低芯片的热阻，提高器件的可靠性。 （8）研磨后清洗：研磨后的外延片先用去蜡液、丙酮和异丙醇去除蜡，再依次放入硫酸与双氧水的混合溶液、氨水与双氧水的混合溶液进行清洗、去蜡以及每次清洗后使用纯水进行冲洗。 （9）清洗干净后的外延片，放入密闭的蒸镀机内，根据产品需要蒸发上金、镍。 （10）高温合金：蒸镀后的外延片放在合金炉中再次进行热处理，使金属层与衬底形成良好的欧姆接触，减低芯片正向电压。 （11）半切：用切割机将制作好电极的外延片切至衬底，但不把整个衬底切穿。 （12）点测：将半切好的外延片放在芯片测试机上，测试每个芯片的光电参数，并对不符合要求的芯片点墨水做出标记。 （13）切穿：用切割机将测试过的外延片切穿，切成一个个芯片。 （14）目检：在显微镜下用真空吸笔将外观不合格和点墨水的芯片剔除掉。废芯片统一保存并交由固体废物处置公司处置。 （15）包装入库：将目检过的芯片用包装膜包装后，计数并贴上有光电参数、产品规格等的标签，再交由生管成品库入库。

建筑智能化工程监理实施细则

A .0.4 ------ 工程 监理实施细则 （智能化工程） 内容提要： 专业工程特点 监理工作流程 监理工作要点监理工作方法及措施

项目监理机构（章）： _________________ 专业监理工程师：_____________________ 总监理工程师（签字）：_______ 执业印章） 日期：_______________________ 江苏省住房和城乡建设厅监制 建筑智能化工程监理实施细则 一、工程概况： 本工程为——智能化工程，幼儿园地上三层，白领公寓地上五层，街坊中心地 下一层车，地上四层。总建筑面积50780.07m2，其中幼儿园建筑面积5023.59叭建筑高度14.7米；街坊中心建筑面积19966.5卅，建筑高度19.9米；白领公寓建筑面积9114.67卅，建筑高度17.4米。本工程将要建成“智慧徐州”具有示范作用的智慧信息服务中心，以人为本，以智慧管理和智能办公为导向，以“物联化、互联化、智能化”进行建设，最终打造一个绿色低碳、安全可靠、高效便捷、健康舒适的徐州智慧的商业、公寓、幼儿园配套信息服务中心。 本工程智能化部分主要设计有：主要包括光缆布线、综合系统、信息面板安装等。 二、编制依据 1. 已批准的监理规划； 2. 相关的地方性技术标准、规范及标准图集； 3. 本工程的设计图纸及有关技术文件、设计变更； 4. 现行智能化工程施工相关规范、规定，主要有： ⑴《智能建筑工程质量验收规范》GB50339-2013 ⑵《公共建筑节能设计标准》GB50189-2015 ⑶《建筑设计防火规范》GB50016-2014 ⑷《建筑与建筑群综合布线工程验收规范》GB/T50312 ⑸《民用建筑电气设计规范》JGJ16-2008;

芯片制作流程

芯片制作全过程 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况

智能化工程公司设计、施工流程

智能化工程公司设计、施工流程 、设计阶段流程 1、设计招标（方案设计） 2、初步设计（技术设计）及概算 3、施工图绘制 4、图纸交底及会审 5、工程联系单 6、竣工验收 、建筑设计业务流程 1、设计咨询与沟通 2、确定设计意向（签定委托设计协议） 3、实地勘测 4、初步方案设计与规划 5、编制初步工程施工估算 6、方案沟通与修正（结合估算） 7、确定设计方案，签定设计合约 8、扩初设计 9、全套施工图纸设计 10、客户确认施工图纸 11、编制工程施工招标书 12、签定施工合同 13、图纸交底，组织施工（设计师负责跟进） 14、工程竣工验收 15、质量跟踪服务 通常的就三步：做方案设计，技术设计， 和施工图绘制。 1. 方案设计：了解设计要求，获得必要设计数据，绘制出各层主要平面，剖面和立面，有必要时甚至要画出效果图来。要标出房屋的主要尺寸，面积，高度，门窗位置和设备位置等，以充分表达出

设计意图，结构形式和构造特点。这阶段和业主，使用该房屋相关人员接触比较多，如果方案确定，就可以进入下步的技术设计阶段。 2. 技术设计：一般要是不太复杂的工程，这就省掉了。这一阶段主要是和其他建筑工种互相提供资料，提出要求，协调与各工种(比如结构，水电，暖通，电气等)之间的关系，为后续编制施工图打好基础。在建筑设计上，这一步骤就是要求建筑工种标明与其他技术工种有关的详细尺寸，并编制建筑部分的技术说明。 3. 施工图绘制：这是建筑设计中，劳动量最大，也是完成成果的最后一步，主要功能就是绘制出满足施工要求的施工图纸，确定全部工程尺寸，用料，造型。在建筑设计上就是要完成建筑施工图的全套图纸。 最后建筑施工图完成后，审核，盖注册建筑师章，设计院出图章，设计人员审核人员等相关人员签字， 并配合其他结构施工图，水电施工图，电气施工图等，这套图纸就可以出图了，这份建筑图就具有法律效力，相关人员就要为这设计的房屋承担相应责任。 三、弱电工程施工流程和规范 (一)、施工流程施工过程可分为四个阶段：即施工准备、施工阶段、调试开通和竣工验收阶段。结合本公司的实际情况，制定本流程。 一．施工准备 1．学习掌握相关的规范和标准严格遵守建筑弱电安装工程施工及验收规范和所在地区的安装工艺标准及当地有关部门的各项规定。本项目应遵守的规定主要有： 《智能建筑设计标准》 (GB/T50314-2006 ) 《综合布线系统工程设计规范》 (GB 50311-2007 ) 《综合布线系统工程验收规范》 (GB 50312-2007 ) 《建筑与建筑群综合布线工程系统设计规范》(GB／ T50311-2000 ) 《有线电视广播技术规范》(GY/T106-1999 ) GYT T播电影电视标准 《有线电视系统工程技术规范》( GB50200-94) 《有线电视网络工程施工及验收规范》( GY5073-2005) 《有线数字电视系统技术要求和测量方法》(GYT221-2006) 《会议电视系统工程设计规范》(YD5032-2005) YD通信行业标准