2.1 GHz射频CMOS混频器设计

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３４２电子器件第３２卷

ｆｉｇｕｒｅｏｆｔｈｅｍｉｘｅｒｉｓ１０．８ｄＢ．１ｔｉｓａｇｏｏｄ

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Ｃｅｎｔｅｒｆｒｅｑｕｅｎｃｙ２．１ＧＨｚ

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［１］ｓｈａＩｌａＴＩｉＡＲ。ｓｈｅｆｆｅｒＤＫ，Ｌ七ｅＴＨ．Ａ１２一ｍＷｗｉｄｅＤｙｎａｌＴＩｉｃＲ８ｒＩｇｅｃＭ０ｓ

Ｆ啪ｔ．ＥＩｌｄｆｏｒａＰｏｒｔａｂｌｅＧＰＳＲｅｃｅｉｖｅｒ［Ｊ］．１ＥＥＥＪｏｕｍａｌｏｆｓｏｌｉｄ—ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ，１９９７，３２（１２）；２０６１—２０７０．

［２］Ｋａ珀ｎｉ∞ＩａｓＡＮ．Ａ２．７ｖ９００．～珏乜ｃＭ０６ＬＮＡａｆｌｄＭｉ）口盯［Ｊ］．口ＥｌＥＪｏｕｒ∞ｌｏｆ蹦ｉ士Ｓｔａｔｅａ删ｉｔｓ，１９９６，３１（１２）：１９３９＿１９４４．［３］ＬｅｅＴＨ．ＴｈｅＤｅｓ咖ｏｆｃＭｏｓＲａｄｉ伊ＦｎｅｑｕｅｎｃｙＩｎｔｅｇｒａｔｅｄａｒｃｕｉｔｓ［Ｍ］．ＢｅｉｊｉＩｌｇ：ＰｕｂｌｉｓｈｉｌｌｇＨｏｕ∞ｏｆ

Ｅｌｅｃｔ训∞Ｉｌｌｄｕｓ—

ｔｒｙ，２００２．

（下转第３４６页）

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３４６电子器件第３２卷

图７采样频率为２００ＭＨｚ，信号频率为５ＭＨｚ时输出频谱分析

５结论

设计了一种１０ｂｉｔ２００ＭＳＰＳ电流型ＤＡＣ，设计采用ＣＲＲ技术以及新型的锁存电路，电源电压为１．８Ｖ，在５０Ｑ负载条件下，满量程输出电流为４ｍＡ，功耗为１５ｍｗ。微分非线性误差（ＤＮＬ）为Ｏ．２５Ｉ郧，积分非线性误差（ＩＮＬ）为ｏ．１５Ｉ—ＳＢ。当采样频率为２００ＭＨｚ时，输人频率为５ＭＨｚ的情况下，无杂散动态范围达到７９．７ｄＢ。信噪比（ＳＮＲ）为６１．７ｄＢ，另外其建立时间仅０．９ｎＳ。

参考文献：

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［５］ＴａＩｌｇＹ，ＨｅｇｔＨ，Ｒ０ｅｒｎｌｕｎｄ八Ⅸ）Ｉ，ｂａｓｅｄｃａｌ．ｂｒａｔｉｏｎＴｅｃｈ—ＩｌｉｑｕｅｓｆｏｒｔｉｍｉＩｌｇＥｒｒｏｒｓｉｎｃｕｒｒ饥ｔ—ｓｔｅｅｒｉｎｇ叫屺ｓ［ｃ］／／ＩＥＥＥＩｎｔｅｍａｔｉｏｎＳｙＴｎｐｏｓｉｕｍ∞ｃｉｒｃｕｉｔａｌｌｄＳｙｓｔ咖，Ｍａｙ２００６．

［６］ｄ叭Ｂ（拇ｃｈＡ

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Ｍ，Ｓｔ呵勰ｒｔＭ，ａｎｄ＆ｍ锄ｗ．Ａ１０－ｂｉｔ１七ｓ白ｌＴｌｐｌｅ／ｓＮｙ删Ｓｔｏｌｎ∞ｔ—ｓｃ吲ｎｇＣＭＯＳＤ／ＡＣＯＩｌ＿Ｖｅｒｔ盯口］．ＩＥＥＥＪ．ｓ曲士ｓｔａｔｅａｒｃｕｉｔｓ，Ｍ虹２００ｌ，３６：３１５—３２４．

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［１０］ＧｒｅｅｒＩｌｅｙ＆Ａｌａｗ－Ｖｏｌｔａｇｅ１０－ｂｉｔＣＭＯｓＤＡＣｉｎｏ．０１一ｍｍＤｉｅＡｍ［Ｊ］．ＩＥＥＥＴｍ礁Ｃｉｒｃｕｉｔｓｓｙｓｔ．ＩＩ，Ｅｘｐ．蹦ｅｆｓ。ＭａｙＺ００５。５２（５）：２４６—２５０．

●洲■蝴●删，－ｏ‘，一，Ｋ洲，删，㈣，删，恻，Ｈ（上接第３４２页）

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2.1 GHz射频CMOS混频器设计

作者：李恩玲， 苑永霞， 褚蒙， 王雪， LI En-ling， YUAN Yong-xia， CHU Meng， WANG Xue 作者单位：西安理工大学理学院,西安,710048

刊名：

电子器件

英文刊名：CHINESE JOURNAL OF ELECTRON DEVICES

年，卷(期)：2009,32(2)

参考文献(10条)

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本文链接：https://www.sodocs.net/doc/4017323622.html,/Periodical_dzqj200902026.aspx