AM335X UBIFS NandFlash Programming Guide v1.1

(完整word版)各种接口针脚定义大全,推荐文档

3.5mm插头 最常见的立体声耳机分三层，标准分布为“左右地红白”（从端部到根部依次是左声道、右声道、地线，其中左声道常用红色线皮，右声道常用白色的）。 最常见的是银白色的和铜黄色的，银色的是铜镀银，铜黄色的就是铜。由于银的稳定性和电子工程性优于铜，所以铜镀上银后可以升级使用该插头设备的用户体验。 USB接口 USB是一种常用的pc接口，他只有4根线，两根电源两根信号，故信号是串行传输的，usb接口也称为串行口，usb2.0的速度可以达到480Mbps。可以满足各种工业和民用需要.USB接口的输出电压和电流是： +5V 500mA 实际上有误差，最大不能超过+/-0.2V 也就是4.8-5.2V 。usb接口的4根线一般是下面这样分配的，需要注意的是千万不要把正负极弄反了，否则会烧掉usb设备或者电脑的南桥芯片：黑线：gnd 红线：vcc 绿线：data+ 白线：data-

USB接口定义图 USB接口定义颜色 一般的排列方式是：红白绿黑从左到右 定义： 红色－USB电源：标有－VCC、Power、5V、5VSB字样 白色－USB数据线：（负）－DATA-、USBD-、PD-、USBDT- 绿色－USB数据线：（正）－DATA+、USBD+、PD+、USBDT+ 黑色－地线： GND、Ground USB接口的连接线有两种形式，通常我们将其与电脑接口连接的一端称为“A”连接头，而将连接外设的接头称为“B”连接头(通常的外设都是内建USB数据线而仅仅包含与电脑相连的“A”连接头)。 USB接口是一种越来越流行的接口方式了，因为USB接口的特点很突出：速度快、兼容性好、不占中断、可以串接、支持热插拨等等，

NandFlash简介

NandFlash简介 分类：Linux2013-03-06 14:34 2945人阅读评论(0) 收藏举报 Flash Memory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。 从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，即使断电了，也不会丢失，这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的入硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。 FLASH的分类：功能特性分为两种：一种是NOR型闪存，以编码应用为主，其功能多与运算相关；另一种为NAND型闪存，主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。 NOR FLASH和NAND FLASH NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结结，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少 在NOR Flash中, 所有的存储区域都保证是完好的, 同时也拥有相同的耐久性。在硬模中专门制成了一个相当容量的扩展存储单元—他们被用来修补存储阵列中那些坏的部分，这也是为了保证生产出来的产品全部拥有完好的存储区域。为了增加产量和降低生产成本, NAND Flash 器件中存在一些随机bad block 。为了防止数据存储到这些坏的单元中, bad block 在IC烧录前必须先识别。在一些出版物中, 有人称bad block 为“bad block”, 也有人称bad block 为“invalid block”。其实他们拥有相同的含义, 指相同的东西。 从实际的应用上来说, NOR Flash与NAND Flash主要的区别在于接口。NOR Flash拥有完整的存取-映射访问接口, 它拥有专门的地址线和数据线, 类似与EPROM。然而在NAND Flash中没有专门的地址线。它发送指令,地址和数据都通过8/16位宽的总线(I/O接口)到内部的寄存器。 SLC/MLC基本原理

NAND Flash中文版资料

NAND Flash 存储器 和 使用ELNEC编程器烧录NAND Flash 技术应用文档 Summer 翻译整理 深圳市浦洛电子科技有限公司 August 2006

目录 一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18

linux下的fpga驱动

#ifndef _FPGA_H_ #define _FPGA_H_ #define INTMSK (0x4A000008) #define EINTMASK (0x560000A4) #define S3C2410_ENABLE_EINT8_23 (~(1<<5)) #define S3C2410_ENABLE_EINT18 (~(1<<18)) #undef PDEBUG /* undef it, just in case */ #define DEBUG //调试时添加此行程序，实际产品中需要注释掉 #ifdef DEBUG # define PDEBUG(fmt, args...) printk( KERN_WARNING "fpga: " fmt, ## args) #else # define PDEBUG(fmt, args...) /* not debugging: nothing */ #endif #define DEVICE_NAME "FPGA" #ifndef FPGA_NR_DEVS #define FPGA_NR_DEVS 1 /*设备数*/ #endif #define FPGAMEM_SIZE 1024/*FPGA每次产生中断可以读取到缓存的数据大小*/ #define FPGACMD_SIZE 3 /*FPGA每次产生中断可以读取到缓存的数据大小*/ #define FPGA_ADDR_START (0x08000000) //nGCS1地址 #define FPGA_ADDR_SIZE 0x30 //申请IO内存的大小 #define FPGA_ADDR_DATA 0x10 //FPGA数据寄存器偏移地址 #define FPGA_ADDR_CMD 0x14 //FPGA命令寄存器偏移地址 /* 定义幻数，定义一个字符，8位，用于检测是否是这类设备，ioctl-number.txt中给出了已经使用的幻数，定义的时候注意避免冲突*/ #define FPGA_IOC 'k' /* 定义命令，这里的命令都是unsigned int类型*/ #define FPGA_IOC_ALLON _IO(FPGA_IOC, 0) // #define FPGA_IOC_ALLDOWN _IO(FPGA_IOC, 1) // #define FPGA_IOC_SET _IOW(FPGA_IOC, 2, int) // #define FPGA_IOC_CLEAR _IOW(FPGA_IOC, 3, int)// #define FPGA_IOC_MAXNR 4 //定义命令的最大序列号

嵌入式点亮一个LED灯的程序

飞凌OK6410开发板（裸板）第一个点亮LED灯程序，主要的C程序，完整程序请下载附件。 #define rGPMCON (*(volatile unsigned *)(0x7F008820)) #define rGPMDAT (*(volatile unsigned *)(0x7F008824)) #define rGPMPUD (*(volatile unsigned *)(0x7F008828)) void msDelay(int time) { volatile unsigned int i,j; for(i = 0; i < 2000000; i++) for(j=0; j

1.设计要求 EM-STM3210E开发板上有一个LED灯D1，编写程序点亮该灯。 2.硬件电路连接 在开发板上，D1与STM32F103ZE芯片上的引脚PF6相连，如下图所示。 3.软件程序设计

根据任务要求，程序内容主要包括： 1、配置Reset and clock control (RCC)以使能GPIOF端口模块的时钟 2、配置GPIOF端口的PF6引脚（50MHz,推挽输出） 3、调用STM32标准固件库函数GPIO_WriteBit以令PF6引脚输出高电平，从而点亮LED灯D1。 整个工程用户只需要实现源代码文件：main.c，其他工程文件由MDK和STM32标准固件库提供。 main.c文件的内容如下： [cpp] /** ********************************************************** ******************** * @file main.c * @author Max Liao * @version * @date 02-Novenber-2012 * @brief Main program body ********************************************************** ******************** */ /* Includes ------------------------------------------------------------------*/ #include "stm32f10x.h" /* Private typedef -----------------------------------------------------------*/ /* Private define ------------------------------------------------------------*/ /* Private macro -------------------------------------------------------------*/

完整word版各种接口针脚定义大全

3.5mm 插头 最常见的立体声耳机分三层，标准分布为“左右地红白”（从端部到根部依次是左声道、右声道、地线，其中左声道常用红色线皮，右声道常用白色的）。 最常见的是银白色的和铜黄色的，银色的是铜镀银，铜黄色的就是铜。由于银的稳定性和电子工程性优于铜，所以铜镀上银后可以升级使用该插头设备的用户体验。 USB接口 USB是一种常用的pc接口，他只有4根线，两根电源两根信号，故信号是串行传输的，usb接口也称为串行口， usb2.0的速度可以达到480Mbps。可以满足各种工业和民用需要.USB接口的输出电压和电流是： +5V 500mA 实际上有误差，最大不能超过+/-0.2V 也就是4.8-5.2V 。usb接口的4根线一般是下面这样分配的，需要注意的是千万不要把正负极弄反了，

否则会烧掉usb设备或者电脑的南桥芯片：黑线：gnd 红线：vcc 绿线：data+ 白线：data- 1 USB接口定义图 USB接口定义颜色 一般的排列方式是：红白绿黑从左到右 定义： 红色－USB电源：标有－VCC、Power、5V、5VSB字样 白色－USB数据线：（负）－DATA-、USBD-、PD-、USBDT- 绿色－USB数据线：（正）－DATA+、USBD+、PD+、USBDT+ 黑色－地线： GND、Ground USB接口的连接线有两种形式，通常我们将其与电脑接口连接的一端称为“A”连接头，而将连接外设的接头称为“B”连接头(通常的外设都是内建USB数据线而仅仅包含与电脑相连的“A”连

接头)。 USB接口是一种越来越流行的接口方式了，因为USB接口的特点很突出：速度快、兼容性好、不占中断、可以串接、支持热插拨等等， 2 所以如今有许多打印机、扫描仪、数字摄像头、数码相机、MP3播放器、MODEM等都开始使用USB做为接口模式，USB接口定义也很简单： 1 ＋5V 2 DATA－数据－ 3 DATA＋数据＋ 4 GND 地 串口 主板一般都集成两个串口，可Windows却最多可提供8个串口资源供硬件设置使用(编号COM1到COM8)，虽然其I/O地址不相同，但是总共只占据两个IRQ(1、3、5、7共享IRQ4，2、4、6、8共享IRQ3)，平常我们常用的是COM1～COM4这四个端口。我们经常在使用中遇到这个问题——如果在COM1上安装了串口鼠标或其他外设，就不能在COM3上安装如Modem之类的其它硬件，这就是因为IRQ设置冲突而无法工作。这时玩家们可以将另外的外设安装在COM2或4。 标准的串口能够达到最高115Kbps的数据传输速度，而一些增强型串口如ESP(Enhanced Serial Port，增强型串口) 、Super

基于FPGA直流电动机驱动的设计

河南大学2014届本科毕业论文 论文题目 基于FPGA直流电动机驱动的设计 论文作者姓名：______________ 作者学号：___1003618004_______ 所在学院：民生学院 所学专业：_电子信息科学与技术_ 导师姓名职称：___ _______ 论文完成时间： 2014年04月24日 _ I

河南大学民生学院本科毕业论文 目录 摘要： ..................................................................................... 错误！未定义书签。 0 前言 (2) 1 绪论 (2) 1.1 课题的来源 (2) 1.2 课题研究的目的及意义 (3) 1.3 课题国内外研究现状 (4) 1.4 课题实质性展现 (4) 2直流电动机的概括 (4) 2.1 直流电动机的基本构成 (4) 2.2 直流电动机的工作原理 (5) 2.3 直流电动机的性能 (6) 3 直流电动机的控制及PWM（脉宽调制） (7) 3.1 控制器的控制电路 (7) 3.2 转子位置传感器 (8) 3.3 直流电动机的控制原理详解 (9) 3.4 直流电机转速控制与PWM脉宽调制 (11) 4 FPGA及其组成的控制器 (12) 4.1 FPGA芯片 (13) 4.2 VHDL硬件描述语言 (14) 4.3 运用FPGA来实现对直流电动机的控制 (15) 4.4 PWM（脉宽调制信号） (16) 4.5速度检测 (19) 5 结论 (20) 参考文献 (20) II

基于FPGA的直流电机驱动的设计 电子信息技术在如今的社会中已然达到迅猛发展阶段，国家也在大力加强电子商务领域的引导性投资，可见其在当今社会中的重要性。 电子技术的发展方向。可以说模拟电子技术是电子技术的根本，在调制解调，功率放大，信号放大、整流稳压等电路方面具有非常重要作用，移动通信等领域都不可或缺。电子技术的另外一个重要组成部分数字电子技术同等重要的，和模拟电子技术相对比，数字电子技术具有稳定性好，精度高，抗干扰性强的优势。也正是因为数字电子的这些优势使得它在一些领域的发展更胜于模拟电子，数字滤波器就是一个很好的证明。 数字电子技术目前也在向两个截然相反的方向发展，一是基于通用处理器的软件开发技术，如单片机、bps等技术，它们是在一个通用处理器的基础上结合少量的硬件电路设计来完成系统的硬件电路，而将主要精力集中在算法、数据处理等软件层次上的系统方法。另一个方向是基于CPLD/FPGA的可编程逻辑器件的系统开发，其特点是将算法、数据加工等工作全部融入系统的硬件设计当中，在“线与线的互联”当中完成对数据的加工。 单片机微处理器作为核心来实现直流电机的控制已然跟不上时代发展的需求。由此电机控制器也由模拟分立原件构成的电路向数模混合、全数字方向发展。此文章主要研究了FPGA芯片在直流电机控制器中的作用。文章详细的介绍了直流电机的类型、结构、工作原理、PWM调速原理和FPGA集成芯片。后对所需应用的硬件语言VHDL方面知识也进行了介绍。从而为论文的具体设计部分提供了理论基础。FPGA的电机控制中，最基本的作用有三：组合逻辑、计数器、状态机。 关键词： FPGA芯片；直流电机；硬件描述语言（VHDL）；PWM；现场可编程门阵列 DC motor driven FPGA-based design Electronic information technology in today's society has already reached the rapid development stage, countries are vigorously strengthen the field of electronic commerce to guide investment, and its importance in today's society . Direction of development of electronic technology. It can be said analog electronics technology is the fundamental electronic technology, the modem, power amplification, signal amplification, rectification regulators and other aspects of the circuit has a very important role in areas such as mobile communications are indispensable. Another important part of the digital electronic technology as important as electronic technology, and the relative ratio of analog electronics, digital electronics technology has good stability, high accuracy, strong anti-interference advantages. It is also because of these advantages make it the development of digital electronics in some areas more than analog electronics, digital filter is a good proof. Digital electronic technology is also currently the two diametrically opposite 1

海力士NANDFlash选型

Q1’2011 DATABOOK Rev 0.1

NAND Flash –SLC / MLC / TLC AND Flash N NAND Flash SLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark HY27US08281A 90nm 128Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP Now HY27US08561A 90nm 256Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now HY27US08121B 70nm 512Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now H27U518S2C 57nm 512Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27US081G1M 70nm 1Gb 16KB Mono 3.3v/X8USOP Now HY27UF081G2A 70nm 1Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now HY27US081G2A 70nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Now H27U1G8F2B 48nm 1Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP,FBGA Now H27U1G8F2B 48nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Now H27U1G8F2CTR 32nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8TSOP Q4 '11H27U1G8F2CFR 32nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Q4 '11HY27UF082G2B 57nm 2Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP,FBGA, LGA Now H27U2G8F2C 41nm 2Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27UF084G2B 57nm 4Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27U4G8F2D 41nm 4Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27UG088G5(D)B 57nm 8Gb 128KB DDP 3.3v/X8TSOP Now 2CE/Dual CH.H27U8G8G5D 41nm 8Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27QBG8GDAIR-BCB 32nm 32Gb 512KB DDP 1.8v/x8VFBGA Now 2CE/Dual CH.H27QCG8HEAIR-BCB 32nm 64Gb 512KB QDP 1.8v/x8VFBGA Now 4CE/Dual CH.H27QDG8JEAJR-BCB 32nm 128Gb 512KB ODP 1.8v/x8 JFBGA Feb. '11 4CE/Dual CH.NAND Flash MLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark H27U8G8T2B 48nm 8Gb 512KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27UAG8T2M 48nm 16Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8TSOP/VLGA Now H27UAG8T2A 41nm 16Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8TSOP Now H27UBG8U5A 41nm 32Gb 512KB(4KB Page)DDP 3.3v/X8TSOP Now H27UBG8T2M 41nm 32Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8VLGA Now H27UBG8T2A 32nm 32Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now H27UCG8VFA 41nm 64Gb 512KB(4KB Page)QDP 3.3v/X8TSOP Now H27UCG8UDM 41nm 64Gb 512KB(4KB Page)DDP 3.3v/X8VLGA Now Dual CH.H27UCG8U5(D)A 32nm 64Gb 2MB(8KB Page)DDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now Dual CH. LGA H27UCG8T2M 26nm 64Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8VLGA Now H27UDG8VEM 41nm 128Gb 512KB(4KB Page)QDP 3.3v/X8VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UDG8V5(E)A 32nm 128Gb 2MB(8KB Page)QDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UEG8YEA 32nm 256Gb 2MB(8KB Page)ODP 3.3v/x8VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UAG8T2B 32nm 16Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP Now H27UBG8T2B 26nm 32Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP Now Legacy H27UCG8U2B 26nm 64Gb 2MB(8KB Page)DDP 3.3v/x8TSOP Jan. '11Legacy H27UDG8V2B 26nm 128Gb 2MB(8KB Page)QDP 3.3v/x8FBGA-100Feb. '11HS(ONFi2.2)H27UEG8Y2B 26nm 256Gb 2MB(8KB Page) ODP 3.3v/x8 FBGA-100 Mar. '11 HS(ONFi2.2)NAND Flash TLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark H27UAG8M2M 41nm 16Gb 768KB (4KB page)SDP 3.3V/x8VLGA Now H27UBG8M2A 32nm 32Gb 1MB (4KB page) SDP 3.3V/x8 VLGA Now

NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)

NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)2012-03-30 00:57:33 NOR-FLASH是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架 构.NOR-FLASH在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,但是由于NOR-FLASH只支持块擦除,其擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，导致擦除和编程操作所花费的时间很长,所以在纯数据存储和文件存储的应用中显得力不从心. NOR-FLASH的特点是: 1. 程序和数据可存放在同一芯片上，FLASH芯片拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随 机读取，并且允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 2. 可以单字节或单字读取，但不能单字节擦除，必须以部分或块为单位或对整片执行擦除操 作，在执行写操作之前,必需先根据需要对部分,块或整片进行擦除,然后才能写入数据。 以SST系列NOR-FLASH芯片为例介绍FLASH的使用方法及驱动. 首先,在驱动的头文件中,要根据芯片的具体情况和项目的要求作如下定义: 1. 定义操作的单位,如 typedef unsigned char BYTE; // BYTE is 8-bit in length typedef unsigned short int WORD; // WORD is 16-bit in length typedef unsigned long int Uint32; // Uint32 is 32-bit in length 在这里地址多是32位的,芯片写操作的最小数据单位为WORD,定义为16位,芯片读操作的最小数据单位是BYTE,定义为8位. 2. 因为芯片分为16位和32位的,所以对芯片的命令操作也分为16位操作和32位操作(命令 操作在介绍具体的读写过程中将详细介绍). #ifdef GE01 /*宏NorFlash_32Bit，若定义了为32位NorFlash，否则为16位NorFlash*/ #define NorFlash_32Bit #endif 3. 根据芯片的情况,定义部分(段)和块的大小. #define SECTOR_SIZE 2048 // Must be 2048 words for 39VF160X #define BLOCK_SIZE 32768 // Must be 32K words for 39VF160X

JTAG各类接口针脚定义及含义

JTAG各类接口针脚定义及含义 JTAG有10pin的、14pin的和20pin的，尽管引脚数和引脚的排列顺序不同，但是其中有一些引脚是一样的，各个引脚的定义如下。 一、引脚定义 Test Clock Input (TCK) -----强制要求1 TCK在IEEE1149.1标准里是强制要求的。TCK为TAP的操作提供了一个独立的、基本的时钟信号，TAP的所有操作都是通过这个时钟信号来驱动的。 Test Mode Selection Input (TMS) -----强制要求2 TMS信号在TCK的上升沿有效。TMS在IEEE1149.1标准里是强制要求的。TMS信号用来控制TAP状态机的转换。通过TMS信号，可以控制TAP在不同的状态间相互转换。 Test Data Input (TDI) -----强制要求3 TDI在IEEE1149.1标准里是强制要求的。TDI是数据输入的接口。所有要输入到特定寄存器的数据都是通过TDI接口一位一位串行输入的（由TCK驱动）。 Test Data Output (TDO) -----强制要求4 TDO在IEEE1149.1标准里是强制要求的。TDO是数据输出的接口。所有要从特定的寄存器中输出的数据都是通过TDO接口一位一位串行输出的（由TCK驱动）。 Test Reset Input (TRST) ----可选项1 这个信号接口在IEEE 1149.1标准里是可选的，并不是强制要求的。TRST可以用来对TAPController进行复位（初始化）。因为通过TMS也可以对TAP Controll进行复位（初始化）。所以有四线JTAG与五线JTAG之分。 (VTREF) -----强制要求5 接口信号电平参考电压一般直接连接Vsupply。这个可以用来确定ARM的JTAG接口使用的逻辑电平（比如3.3V还是5.0V?） Return Test Clock ( RTCK) ----可选项2 可选项，由目标端反馈给仿真器的时钟信号,用来同步TCK信号的产生,不使用时直接接地。System Reset ( nSRST)----可选项3 可选项,与目标板上的系统复位信号相连,可以直接对目标系统复位。同时可以检测目标系统的复位情况，为了防止误触发应在目标端加上适当的上拉电阻。 USER IN 用户自定义输入。可以接到一个IO上，用来接受上位机的控制。 USER OUT 用户自定义输出。可以接到一个IO上，用来向上位机的反馈一个状态 由于JTAG经常使用排线连接，为了增强抗干扰能力，在每条信号线间加上地线就出现了这种20针的接口。但事实上，RTCK、USER IN、USER OUT一般都不使用，于是还有一种14针的接口。对于实际开发应用来说，由于实验室电源稳定，电磁环境较好，干扰不大。

NandFlash的基础知识

NAND FLASH的基础知识 NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page，(Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Byte，每32 个page 形成一个Block， Sizeof(block)=16kByte = 32 page = 32 * 528 byte Numberof(block)=64Mbyte/16kbyte=4096 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area) Nand flash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： --Block Address -- Page Address --Column Address 对于NAND Flash 来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。 512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address。32 个page 需要5bit 来表示，占用A[13:9]，即该page 在块内的相对地址。Block的地址是由A14 以上的bit 来表示，例如512Mbit的NAND，共4096block，因此，需要12 个bit 来表示，即A[25:14]，如果是1Gbit 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:24]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为：Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512Mbit x8 的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。以NAND_ADDR 为例： ◆第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0] 上，而halfpage pointer 即bit8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读写。而真正的bit8 的值是don't care 的。 ◆第2 步就是将NAND_ADDR 右移9 位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上 ◆第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O 上 ◆第4 步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O 上因此，整个地址传递过程需要4 步才能 完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是256Mbit 以下，那么，block adress 最高位只到bit24，因此寻址只需要3 步。下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候bit8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和x8 的使用方法完全相同。 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同，典型的分配是这样的

浅谈NorFlash的原理及其应用

浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR

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3.5mm插头 最常见的立体声耳机分三层，标准分布为“左右地红白”（从端部到根部依次是左声道、右声道、地线，其中左声道常用红色线皮，右声道常用白色的）。 最常见的是银白色的和铜黄色的，银色的是铜镀银，铜黄色的就是铜。由于银的稳定性和电子工程性优于铜，所以铜镀上银后可以升级使用该插头设备的用户体验。 USB接口 USB是一种常用的pc接口，他只有4根线，两根电源两根信号，故信号是串行传输的，usb接口也称为串行口，usb2.0的速度可以达到480Mbps。可以满足各种工业和民用需要.USB接口的输出电压和电流是： +5V 500mA 实际上有误差，最大不能超过+/-0.2V 也就是4.8-5.2V 。usb接口的4根线一般是下面这样分配的，需要注意的是千万不要把正负极弄反了，否则会烧掉usb设备或者电脑的南桥芯片：黑线：gnd 红线：vcc 绿线：data+ 白线：data-

USB接口定义图 USB接口定义颜色 一般的排列方式是：红白绿黑从左到右 定义： 红色－USB电源：标有－VCC、Power、5V、5VSB字样 白色－USB数据线：（负）－DATA-、USBD-、PD-、USBDT- 绿色－USB数据线：（正）－DATA+、USBD+、PD+、USBDT+ 黑色－地线： GND、Ground USB接口的连接线有两种形式，通常我们将其与电脑接口连接的一端称为“A”连接头，而将连接外设的接头称为“B”连接头(通常的外设都是内建USB数据线而仅仅包含与电脑相连的“A”连接头)。

USB接口是一种越来越流行的接口方式了，因为USB接口的特点很突出：速度快、兼容性好、不占中断、可以串接、支持热插拨等等，所以如今有许多打印机、扫描仪、数字摄像头、数码相机、MP3播放器、MODEM等都开始使用USB做为接口模式，USB接口定义也很简单： 1 ＋5V 2 DATA－数据－ 3 DATA＋数据＋ 4 GND 地 串口 主板一般都集成两个串口，可Windows却最多可提供8个串口资源供硬件设置使用(编号COM1到COM8)，虽然其I/O地址不相同，但是总共只占据两个IRQ(1、3、5、7共享IRQ4，2、4、6、8共享IRQ3)，平常我们常用的是COM1～COM4这四个端口。我们经常在使用中遇到这个问题——如果在COM1上安装了串口鼠标或其他外设，就不能在COM3上安装如Modem之类的其它硬件，这就是因为IRQ设置冲突而无法工作。这时玩家们可以将另外的外设安装在COM2或4。 标准的串口能够达到最高115Kbps的数据传输速度，而一些增强型串口如ESP(Enhanced Serial Port，增强型串口) 、Super