可剥离蓝胶,可剥离保护胶
光刻胶步骤
1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～250C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming）方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。 4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备； 5、边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。方法：a、化学的方法（Chemical EBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA 去边溶剂，喷出少量在正反面边缘出，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；b、光学方法（Optical EBR）。即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解； 6、对准（Alignment）对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat 进行激光自动对准；b、通过对准标志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。 7、曝光（Exposure）曝光中最重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。曝光方法： a、接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。 b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应，降低了分辨率。1970后适用，但是其最大分辨率仅为2～4μm。 c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类：扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm （DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一
去除光刻胶的总结
Photoresists, developers, remover, adhesion promoters, etchants, and solvents ... Phone: +49 731 36080-409 www.microchemicals.eu e-Mail: sales@microchemicals.eu Dissolubility of Processed Photoresist Films Non cross-linked AZ ? and TI photoresists can be removed easily and residual-free from the substrate in many common strippers. If not, one or more of the following reasons decreasing the removableness of resist films have to be considered: From temperatures of approx. 150°C on (e. g. during a hardbake, dry etching, or coat-ing), positive photoresists cross-linking thermally activated. If applicable, the tempera-tures should be lowered. Cross-linking also takes place optically activated under deep-UV radiation (wavelengths < 250 nm) in combination with elevated temperatrues which occurs during evaporation or sputtering of coatings, or dry-etching. The desired crosslinking of negative resists is enhanced during any subsequent process steps with elevated temperatures, and the resist removal might become difficult. Material re-deposited on the resist structures during dry etching will also make it difficult to remove the resist film. Using Solvents as Remover Acetone is not well-suited as stripper for photoresists: The high vapour pressure of acetone causes a fast drying and thus re-deposition of stripped photoresist onto the substrate form-ing striations. If nevertheless acetone shall be used for this purpose, a subsequent rinse with isopropyl alcohol - immediately after the acetone step - is recommended in order to remove the resist-contaminated acetone residual-free. NMP (1-Methyl-2-pyrrolidon) is a powerful stripper due to its physical properties: NMP yields a low vapour pressure (no striation formation), strongly solves organic impurities as well as resists, keeps the removed resist in solution, and can be heated to 80°C due to its high boiling point. However , since NMP is classified as toxic and teratogenic, a recommended alternative ist ... DMSO (Dimethyl sulfoxide) has a performance as photoresist stripper comparable to the performance of NMP , and is a kind of “safer-solvent” substitute for NMP . We already have high-purity DMSO in our product range, please contact us for the specifications or/and a free sample! Alkaline Solutions as Remover If the alkaline stability of the substrate is high enough, aqueous alkaline solutions such as 2-3 % KOH or NaOH (= typical developer concentrates) can be used as remover . For highly cross-linked resists, higher concentrations or/and elevated temperatures might be required.It has to be considered that many metals (Al, Cu ...) are not sufficiently alkaline stable, and also crystalline silicon will be attacked at high pH-values and temperatures. AZ ? 100 Remover AZ ? 100 Remover is an amine-solvent mixture, and a ready-to-use standard remover for AZ ? and TI photoresists. In order to improve its performance, AZ ? 100 Remover can be heated to 60°C. Since AZ ? 100 Remover is strongly alkaline, aluminium containing substrates might be at-tacked as well as copper- or GaAs alloys/compounds. In this case, AZ ? 100 Remover should be used as concentrate, any dilution or contamination (even in traces!) of AZ ? 100 Remover with should be avoided.
【CN110187614A】光阻剥离方法及光阻剥离装置【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910392055.4 (22)申请日 2019.05.13 (71)申请人 深圳市华星光电技术有限公司 地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明 大道9-2号 (72)发明人 陈梦 (74)专利代理机构 深圳翼盛智成知识产权事务 所(普通合伙) 44300 代理人 黄威 (51)Int.Cl. G03F 7/42(2006.01) (54)发明名称 光阻剥离方法及光阻剥离装置 (57)摘要 本申请提供一种光阻剥离方法及光阻剥离 装置，通过使光阻剥离后的基板经过至少一盛放 第一溶液的清洗子单元处理以去除光阻剥离后 的基板上的残留剥离液，以避免残留剥离液对基 板上的金属造成腐蚀，改善光阻剥离过程中的金 属掏空程度。权利要求书1页 说明书5页 附图1页CN 110187614 A 2019.08.30 C N 110187614 A
权 利 要 求 书1/1页CN 110187614 A 1.一种光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置包括： 光阻剥离单元，所述光阻剥离单元用于盛装剥离液以处理待剥离光阻的基板； 第一清洗单元，所述第一清洗单元包括多个清洗子单元，至少一所述清洗子单元用于盛装第一溶液，第一溶液用于与光阻剥离后的所述基板上的残留剥离液发生中和反应； 其中，所述待剥离光阻的基板包括基板、形成于所述基板上的图案化的金属层以及覆盖所述图案化的金属层的光阻层。 2.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述剥离液为有机胺溶液，所述第一溶液为酸性溶液。 3.根据权利要求2所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述酸性溶液为甲酸溶液、乙酸溶液以及碳酸溶液中的至少一种。 4.根据权利要求2所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述酸性溶液在室温下的pH值为0-7。 5.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置还包括超声清洗单元，所述超声清洗单元设置于所述光阻剥离单元和所述第一清洗单元之间。 6.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置还包括第二清洗单元，所述第二清洗单元设置于所述光阻剥离单元和第一清洗单元之间，所述第二清洗单元用于盛装去离子水以对所述光阻剥离后的所述基板进行清洗。 7.根据权利要求6所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置还包括第一超声清洗单元以及第二超声清洗单元，所述第一超声清洗单元设置于所述第二清洗单元以及所述光阻剥离单元之间，所述第二超声清洗单元设置于所述第二清洗单元以及所述第一清洗单元之间。 8.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置还包括干燥单元，所述干燥单元包括风刀单元和低压干燥单元，所述风刀单元位于所述第一清洗单元和所述低压干燥单元之间。 9.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述图案化的金属层包括依次层叠于所述基板上的图案化钼层以及图案化铜层。 10.一种光阻剥离方法，其特征在于，所述光阻剥离方法包括如下步骤： 提供一待剥离光阻的基板，所述待剥离光阻的基板包括基板、形成于所述基板上的图案化的金属层以及覆盖所述图案化的金属层的光阻层； 使所述待剥离光阻的基板经过盛装剥离液的光阻剥离单元处理以去除所述光阻层； 使去除所述光阻层的所述基板经过第一清洗单元处理以去除所述基板上的残留剥离液，所述第一清洗单元包括多个清洗子单元，至少一所述清洗子单元用于盛装第一溶液，所述第一溶液用于与所述残留剥离液发生中和反应。 2
【EP3537474A1】光刻胶剥离剂【专利】
Printed by Jouve, 75001 PARIS (FR) (19) E P 3 537 474A 1 TEPZZ￥5￥7474A_T (11) EP 3 537 474A1 (12) EUROPEAN PATENT APPLICATION (43)Date of publication: 11.09.2019Bulletin 2019/37 (21)Application number: 19161776.0(22)Date of filing: 09.03.2019(51)Int Cl.: H01L 21/311(2006.01) G03F 7/42(2006.01) (84)Designated Contracting States: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR Designated Extension States: BA ME Designated Validation States: KH MA MD TN (30)Priority:07.03.2018US 201862639962 P 27.02.2019US 201916286808 (71)Applicant: Versum Materials US, LLC Tempe, AZ 85284 (US) (72)Inventors: ?CAO, Yuanmei Tempe, AZ 85284-2601 (US)?PHENIS, Michael T. Tempe, AZ 85284-2601 (US)?DALTON PETERS, Richard Tempe, AZ 85284-2601 (US) (74)Representative: Sommer, Andrea Andrea Sommer Patentanw?lte PartG mbB Uhlandstra?e 2 80336 München (DE) (54)PHOTORESIST STRIPPER (57) Improved stripper solutions for removing pho-toresists from substrates are provided that typically have flash points above about 95 °C and high loading capac-ities. The stripper solutions comprise diethylene glycol butyl ether, quaternary ammonium hydroxide, and an al-kanolamine having at least two carbon atoms, at least one amino substituent and at least one hydroxyl substit-uent, the amino and hydroxyl substituents attached to two different carbon atoms. Some formulations can ad-ditionally contain a secondary solvent. The formulations do not contain DMSO. Methods for use of the stripping solutions are additionally provided.
加厚网印可剥蓝胶
加厚网印可剥蓝胶、碳油的新技术 2009-9-15 15:56:24 资料来源:PCBcity 作者: 刘德林、渠继建摘要：本文就PCB在网印可剥蓝胶时如何达到4MM或以上的厚度，给出了新的制作方法关键词：可剥蓝胶，铝片，CNC，制网 前言 电子产品在SMT/SMD 端进行回流焊及波峰焊时，其最高炉温有铅系焊料在235℃，而在无铅焊料系的波峰焊设置温度则达到了260℃-270℃之高。 而某些电子元部件却不能承受如此高温，在这样的高温下或破裂或损坏，所以要在波峰焊后进行焊接，而为了避免此处PCB焊盘在波峰焊时上锡，此处往往在PCB生产时用可剥蓝胶将其覆盖，在波峰焊后撕掉蓝胶再进行焊接。一般此类蓝胶的厚度客户要求在0.5-1mm
左右，使用正常的丝网印刷即可达到要求。但也有甚者，要求达到4-5MM之厚，如果仍使用传统的丝印方法是无法达到此种要求的。本文提出了一种新的网印方式，其印刷的可剥蓝胶厚度固化后可达到4-10MM。 一、可剥蓝胶简介与网版制作改进技术 1. 我司使用的为德国peters公司SD2955型蓝胶，此种蓝胶以耐高温热固型树脂为主剂，其含量接近100% ，无溶剂类物质，其固化前后的重量基本无差别，可以耐多次3回流焊接及2次波峰焊，可针对焊盘、孔进行加工，对镀金焊垫、碳油焊垫无污染；过热后可轻易剥除，无残留。 ⑴、传统丝印存在的缺点： A. 由于网纱厚度不足，在印碳油、蓝胶时每印一次其厚度在0.3-0.5mm 无法达到更厚 B. 丝印蓝胶或碳油使用的丝网，目数在15-25T（T：单位面积上孔的个数），由于网目数较小（单位面积上孔的数量越小其孔越大），在晒网及显影后冲出的图形不可能整齐，所以印的越厚越容易出现外渗，造成蓝胶互边在一起。 ⑵、改进的方向 A. 可以有效增加厚度 B. 避免外渗 C. 成本低，可操作性强，尽量使用PCB制造工厂有的相关物料 2. 经过测试用一般的丝网进行印蓝胶，无法达到4-5MM厚度，尝试过很多试验方法后我司找到了几种新的方法进行厚蓝胶的印制，而较理想的为： ⑴直接按照客户需求开相应厚度的钢网（类似SMT印锡膏使用之钢网），⑵是用铝片进行网版制作，经过对比两者的效果等同，但铝片制网方法有以下优势： A. 成本要比开钢网低廉数倍；