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半导体硅片清洗工艺发展方向

闫志瑞

【期刊名称】《电子工业专用设备》

【年(卷),期】2004(033)009

【摘要】对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,同时在此基础上,对新的清洗办法(改进的RCA清洗办法)进行了一定的说明,指出了硅片清洗工艺的发展方向.

【总页数】4页(23-26)

【关键词】硅片;RCA清洗;硅片清洗;硅片表面

【作者】闫志瑞

【作者单位】有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京,100088【正文语种】中文

【中图分类】TN305.97

【相关文献】

1.半导体硅片清洗工艺的发展研究 [J], 舒福璋

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3.两岸半导体产业及台湾半导体产业发展方向 [J], 刘常忠

4.半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨 [J], 寇文杰; 王晓飞

5.半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨 [J], 马作军

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