60寸等离子参数-杭州朋联科技
本产品有毒有害物质或元素的名称及含量标识如下表：
有毒有害物质或元素
部件名称鉛
（Pb）汞
（Hg）镉
（Cd）六价铬
（Cr6+）多溴联苯
（PBB）
多溴二苯醚
（PBDE）
外 壳○○○○○○
电路板组件※× ○ × ○○○
电源线/适配器× ○ × ○○○
外部信号连接线× ○○○○○液晶面板× × × ○○○
摇控器（含电池）× ○ × ○○○※：电路板组件包括印刷电路板及其构成的零部件，如电阻、电容、集成电路、连接器等。
○：表示该有毒有害物质在该部件所有均质材料中的含量均在《电子信息产品中有毒有害物质的限量要求标准》标准规定的限量要求以下。
×：表示该有毒有害物质至少在该部件的某一均质材料中的含量超出SJ/T113632006《电子信息产品中有毒有害物质的限量要求》规定的限量要求。
目录
第一章外观、接口介绍 (2)
1.1 60等离子介绍 (2)
1.2 接口端子介绍 (2)
第二章信号连接 (3)
2.1地址码设置 (3)
2.2 串口控制 (4)
2.3 信号连接 (4)
第三章控制软件操作 (6)
3.1 启动系统 (6)
3.2 运行软件 (6)
3.3系统设定 (6)
3.4操作方法 (7)
第一章外观、接口介绍
1.1 60等离子介绍
1.2 接口端子介绍
接口信号说明
编号 描述 编号 描述
1 APL输入 1
2 VGA信号
2 APL输出 1
3 B/Pb信号
3 电源指示灯 1
4 G/Y信号
4 HDMI信号输入 1
5 R/Pr信号
5 ID地址编码器 1
6 Y/C视频输入
6 软件升级接口 1
7 Y/C视频环路输出Y/C视频环路
7 ISP和外接遥控接口（RJ45） 18 复合视频输入
8 RS232环路输出口A（RJ45） 19 H.SYNC信号
9 RS232环路输出口B（RJ45） 20 V.SYNC信号
10 RS232输入口B（RJ45） 21 复合视频环路输出
11 DVI信号输入 22 AC电源输入
第二章信号连接
2.1地址码设置
如上图所示，介绍地址码设置方法。（关机再拨地址码）
行地址开关为：1-4，列地址开关为：5-8，其地址设置方式按照BCD码进行设置。每一位开关设定拨在上位有效(图中白色为权值所在位)，权值为1，拨在下位无效，权值为0。
行的地址= (权值1)×1+ (权值2)×2 + (权值3)×4+ (权值4)×8 列的地址= (权值5)×1+ (权值6)×2+ (权值7)×4+ (权值8)×8
如：3乘3的行、列表示方法
列1 列2 列 3 行1
行2
行3
屏1对应的拼接盒的地址开关应设为:
行的地址= (权值1)×1+(权值2)×2 + (权值3)×4 + (权值4)×8
1×1 + 0×2 + 0×4 + 0×8 =1
列的地址= (权值5)×1+(权值6)×2 + (权值7)×4 +(权值8)×8
1 ×1 + 0×
2 + 0×4 + 0×8 =1
屏8对应的拼接盒的地址开关应设为:
行的地址= (权值1)×1 +(权值2)×2 + (权值3)×4+(权值4)×8
1×1 + 1×2 + 0×4 + 0×8 =3
列的地址= (权值5)×1+(权值6)×2 + (权值7)×4 +(权值8)×8
0×1 + 1×2 + 0×4 + 0×8 =2
2.2 串口控制
通过RS232输入接口和电脑串口连接，实现数据传输对拼接单元显示屏的控制。具体连接方法（如图）：从电脑的串口或USB口出来通过串口线连接，然后转接到RJ45接口，最后接入屏体RJ45输入控制接口。注意：通过USB转串口连接必须安装相应驱动，才能实现正常控制。
2.3 信号连接
用DVI-D(或HDMI)信号线连接电脑和监视器，输入标准信号，监视器信号源切换到DVI(或HDMI) 通道（具体连接如图）。实现信号
源切换可参照本册4.4具体操作。
RGB HV 信号线连接监视器或PC
（两
PC 信号
视频输出到监视器，用视频连接线连接。信号源切换到Video 通当使用
S 端子连接时比
HDMI 连线
DVI 连线
VGA
第三章 控制软件操作
3.1 启动系统
系统运行前，确保下列连线正常：
1：运行本软件的计算机的RS232线已正确连接至控制器。 2：相关控制器的信号线，电源线已连接正确；
3：相关的电源已经打开。
3.2 运行软件
本控制软件是一个绿色原件，不需要安装，
直接点击运行（如遇到杀毒软件报警，请放行）。出现以下操作界面：
上图中用红色字体标出操作界面的各部分的功能说明： 1. 菜单区： 一些相关的菜单功能选择执行区。
2. 模拟操作区： 每一个方格单元代表对应的控制屏幕，可以通过鼠标或键盘的点选，拖拉的方式选择相应控制单元。
3.功能区：包含常用的功能按钮。
3.3系统设定
1. 通讯设置
功能区
模拟操作区
菜单区
（1）单击主菜单中“系统配置”出现图一所示：
图一
（2）串口设置
串口的设置串口号必需和主控电脑的串口号一致。
主控电脑的串口号可以用以下方式查询:选中单击右键，点击属性，点击设备管理器，在设备管理器上查看串口的端口，如下图二所示：
图二
设置完成后，点击“应用”，后单击“确定”。
3.4操作方法
下面以一个三行三列拼接屏为例子，说明软件该如何操作。
1、点击，打开控制软件，进行相关的设定，如下图所示
图三
2、进入控制软件后，单击主菜单中“系统配置”，按照图四进行配置，再点击“应用”，点击“确定”，系统设置生效。
（其中需要注意的是，串口设置项要根据主控机的输出串口来定，一
般来说控制主机的串口都为com1，本例选择com1。）
3、在功能区点击按钮。
4、在功能区把勾上，为实现矩阵与控制软件间的相互
操作。矩阵通道即为矩阵的输入通道，选择不同的通道可以切换不同
的输入信号，本例选择。
5、信号类型选择，信号类型即显示屏幕能够接受的信号类型，
本系统信号类型VIDEO, SV,RGB,DVI,RGBHV。本例选择。
6、模拟区域的选择，模拟区和实际的显示屏幕的关系式一一对应的。通过鼠标或键盘的点选，拖拉的方式选择相应控制单元。本例选中所有的区域，如上图三所示。
7、点击按钮。实际显示画面将显示一个三行三列的电脑信号。
同理，选着不同的信号类型，矩阵通道，会显示不同的信号。拖拉选择相应控制单元会显示不同的拼接。
8、图像的调整，图像调整包括以下调整：
亮度：调节屏幕图像的亮度。
对比度：调节屏幕图像的亮度。
水平位置：调节屏幕图像显示的水平位置
垂直位置：调节屏幕图像显示的垂直位置
时钟：调节图像采样频率，往右调整，图像会横向拉长，往左则相反。相位：调节图像采样相位
色彩亮平衡
红色：调节色温亮平衡红色分量
绿色：调节色温亮平衡绿色分量
蓝色：调节色温亮平衡蓝色分量
色彩暗平衡
红色：调节色温暗平衡红色分量
绿色：调节色温暗平衡绿色分量
蓝色：调节色温暗平衡蓝色分量
自动调整：系统自动调节图像色彩及显示位置。
注意：“自动调整”过程需要大概3－6秒种，请在点击后，不要经行其他操作或关掉电源。
本机复位：单击此按钮，将对所选区域的显示单元所有调整参说恢复到出厂状态。。
注意：“本机复位”过程需要大概5－10秒种，请在点击后，不要进行其他操作或关掉电源。
9、用户管理
本系统设置有两级操作权限：
1.管理员：拥有完全权限。
2.操作员：只能执行基本的拼接操作，不能进行图像调整等功能。操作方法：点击主菜单“文件” --------“管理员”可以进行管理员登录，管理员权限退出，可以修改管理员登录密码。
初始管理员登录密码为“123456”，密码如修改后请牢记。
状态栏会显示当前的操作权限。
10、附加功能区
预设场景：
该项功能是出厂时预置的一些常用的拼接形式的通讯命令宏定义。用户可以选择项目，用户也可以自定义保存和调出预案。
11、框架效果
使用框架功能可以消除因拼接单元之间的物理缝隙，而形成的拼接后的图形变形不对位。调节水平框架尺寸和上下框架尺寸以达到比较好的效果。
12、驱动升级
使用驱动升级功能，能直接通过USB接口对屏体进行固件升级，完整升级过程需要约10至20秒，期间不要对屏体进行任何操作，以免升级失败。升级成功后屏体将重新启动。
13、ISM功能
ISM功能是内嵌屏体防灼烧功能，默认为开启。在无特殊要求情况下建议用户开启此功能。在长时间显示静态画面后，屏幕会留有静态画面残影，残影消除功能能很好解决这一问题。关闭ISM功能可以防止图像画面在一段时间后慢慢变暗的现象。
焊接工艺参数
手工电弧焊的焊接工艺参数选择 选择合适的焊接工艺参数，对提高焊接质量和提高生产效率是十分重要. 焊接工艺参数(焊接规范)是指焊接时,为保证焊接质量而选定的诸多物理量. 1、焊接电源种类和极性的选择 焊接电源种类：交流、直流 极性选择：正接、反接 正接：焊件接电源正极，焊条接电源负极的接线方法。 反接：焊件接电源负极，焊条接电源正极的接线方法。 极性选择原则：碱性焊条常采用直流反接，否则，电弧燃烧不稳定， 飞溅严重，噪声大，酸性焊条使用直流电源时通常采用直流正接。 2、焊条直径 可根据焊件厚度进行选择。一般厚度越大，选用的焊条直径越粗，焊条直径与焊件的关系见下表： 焊件厚度(mm) 2 3 4-5 6-12 >13 焊条直径(mm) 2 3.2 3.2-4 4-5 4-6 3、焊接电流的选择 选择焊接电流时，要考虑的因素很多，如：焊条直径、药皮类型、工件厚度、接头类型、焊接位置、焊道层次等。但主要由焊条直径、焊接位置、焊道层次来决定。 （1）焊条直径焊条直径越粗，焊接电流越大。下表供参考 焊条直径（mm) 1.6 2.0 2.5 3.2 4.0 5.0 6.0 焊接电流（A)
25-45 40-65 50-80 100-130 160-210 260-270 260-300 （2）焊接位置平焊位置时，可选择偏大一些焊接电流。横、立、仰焊位置时，焊接电流应比平焊位置小10~20%。角焊电流比平焊电流稍大一些。 （3）焊道层次 打底及单面焊双面成型，使用的电流要小一些。 碱性焊条选用的焊接电流比酸性焊条小10%左右。不锈钢焊条比碳钢焊条选用的焊接电流小左右等。 总之，电流过大过小都易产生焊接缺陷。电流过大时，焊条易发红，使药皮变质，而且易造成咬边、弧坑等到缺陷，同时还会使焊缝过热，促使晶粒粗大。 （4）电弧电压 电弧电压主要决定于弧长。电弧长，则电弧电压高；反之，则低。 在焊接过程中，一般希望弧长始终保持一致，而且尽可能用短弧焊接。所谓短弧是指弧长焊条直径的0.5~1.0倍，超过这个限度即为长弧。 （5）焊接速度 在保证焊缝所要求尺寸和质量的前提下，由操作者灵活掌握。速度过慢，热影响区加宽，晶粒粗大，变形也大；速度过快，易造成未焊透，未熔合，焊缝成型不良好等缺陷。 （6）速度以及电压与焊工的运条习惯有关不用强制要求，但是根据经验公式，可知当电流小于600A时，电压取20＋0.04I。当电流大于600A时电压取44V。 参考资料：https://www.sodocs.net/doc/694200782.html,/jl 16 回答者： trilsen 焊接工艺参数的选择 手工电弧焊的焊接工艺参数主要有焊条直径、焊接电流、电弧电压、焊接层数、电源种类及极性等。 1．焊条直径 焊条直径的选择主要取决于焊件厚度、接头形式、焊缝位置和焊接层次等因素。在一般情况下，可根据表6-4按焊件厚度选择焊条直径，并倾向于选择较大直径的焊条。另外，在平焊时，直径可大一些；立焊时，所用焊条直径不超过5mm；横焊和仰焊时，所用直径不超过4mm；开坡口多层焊接时，为了防止产生未焊透的缺陷，第一层焊缝宜采用直径为3.2mm 的焊条。
数控等离子切割机使用手册
数控等离子切割机使用 手册 Company number：【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】
数控等离子切割机 使 用 手 册 济南阿尔法数控设备有限公司 目录
注意 警示标志：应总是留心与下列警示标志相关联的事项： 电气可能引起危险常规警告常规提示 在安装和开始应用前请首先阅读本文档，错误的操作会造成财物和人身伤害。你必须始终检查系统规格和技术条件（参阅设备标签和相关的文档）。 本说明书仅见略介绍操作步骤，更详尽内容请参阅数控系统说明书、等离子电源说明书、弧压调高器说明书和电容调高器说明书。我公司保留对设备配置进行修改的权利，本书内容可能与设备实际情况不符，具体以设备为准。 我公司对不符合操作要求而引起的设备损坏不负保修责任。设备出现故障，请勿擅自更换配件，请先于我公司联系。 1、验收 小心损坏或有故障的产品不可投入使用。 2、运输与储存
注意运输与储存中应注意防潮，不可在产品上攀爬或站立，不可在上面放置重物，前面板和显示屏应特别注意防止碰撞与划伤。 3、安装 小心数控系统的外壳非防水设计，安装时应防止日晒及雨淋。 注意数控系统安装应防止尘埃、腐蚀性气体、导电物体、液体及易燃物侵入。 数控系统应安装在远离易燃、易爆物品、及强电磁干扰的场所。 数控系统安装必须牢固，避免振动。 4、接线 警告参与接线或检查的人员都必须具有做此项工作的充分能力；连接电线不可有破损，不可受挤压，不可带电打开数控系统机箱。 小心任何一个接线插头上的电压值和极性都必须符合说明书的规定。 在插拨插头或扳动开关前，手应保持干燥。 注意所有接线必须正确、牢固。 数控系统必须可靠接地。 5、调试运行 小心运行前，应先检查参数设置是否正确。
P+T焊接工艺参数
P+T焊接设备对不锈钢产品工艺的要求 一、P+T焊接设备： 该设备由纵缝机、环缝机组成，适用于碳钢、不锈钢以及某些有色金属对接焊接。 纵缝机参数： 1、3-8mm 可不开坡口直接焊接，对于较薄板直接用等离子不填丝焊接； 8-14mm 板厚要求开坡口等离子焊接，然后用填丝盖面。拖罩保护焊缝。 2、工件精度要求： 焊缝直线度要求10m长直线度误差≤2mm（直线度不能保障时，可通过摄像监控系统调整焊枪位置） 对接间隙≤1/10T（T 为试件板厚）且不大于 错边≤（T 为试件板厚）且不大于1mm 3.工作对象 ①直径范围：φ1500～φ3200mm ②工件壁厚： 2-14mm（一次熔透8mm，大于8mm需开坡口填丝） ③工件长度：≤2500 mm ④工件材质：不锈钢、碳钢、钛基合金等 工件施焊端面采用机械加工，拼缝要求规则均匀 4.设备参数
可夹持最小壁厚： 2mm 可夹持最大壁厚： 14mm 焊枪行走速度： 100-3000mm/min 跟踪滑板速度：≤200mm/min 液压升降台承载：≤6T 一、设备的用途： 等离子环缝焊接系统用于各类碳钢\合金钢(碳钢、不锈钢、钛基合金等)环缝焊接，采用等离子焊接工艺，壁厚8mm以下可不开坡口直接焊接一次性单面焊双面成形。对于较薄板直接用等离子焊接；对于8mm 板厚以上视情况采用等离子添丝焊接的方式。焊接时正面有拖罩保护焊缝，反面有背气保护系统 设备采用一套飞马特等离子焊接系统和一套KM4030焊接操作机，一套视频系统，一套20T可调式滚轮架，采用等离子高效焊接，实现工件的环缝焊接。 电控系统部分以三菱PLC为控制核心，能够准确控制设备的各种动作，操作盒上安装有触摸屏，便于修改各项控制参数，使用安全可靠，故障率低。 1、焊接成型工艺： 2-8mm 可不开坡口直接焊接，对于较薄板直接用等离子不填丝焊接； 8-14mm 板厚要求开坡口等离子焊接，然后用TIG填丝盖面。拖罩保护焊缝。
数控等离子切割机使用手册总结
数控等离子切割机 使 用 手 册 济南阿尔法数控设备有限公司
目录 注意 (3) 1、验收 (3) 2、运输与储存 (3) 3、安装 (3) 4、接线 (4) 5、调试运行 (4) 6、使用 (4) 7、故障处理 (5) 8、电源供应 (5) 设备安装篇 (7) 对切割机主体和电控柜的连接电缆建议采用地槽走线方式铺设，既保护电缆,又方便维护. (8) 四、电源 (8) 五、气源 (9) 切割操作篇 (9) 一、关于准备 (9) 二、自动调高器的设定 (10) （一）弧压调高器 (10) 三、伺服系统测试 (12) 四、编制切割图形 (12) 1、运用专业绘图软件（如AUTOCAD）绘制切割图形。 (12) 2、使用系统自带图库编辑。 (12) 4、使用系统自带钢板套料功能。 (12) 五、切割参数设定 (12) 1、修改切割参数。 (12) 2、系统设置。 (12) 六、切割过程 (12) 七、切割完毕 (14) 维护保养篇 (15) 附录 (17) 附1、等离子弧切割规范 (17) 1．切割电流 (17) 2．气体流量 (18) 3．割嘴高度 (18) 4．切割速度 (18) 5.切割厚度与工艺 (19) 6.钢板表面预处理 (19) 附2、弧压调高器当前参数设定 (20)
注意 警示标志：应总是留心与下列警示标志相关联的事项： 电气可能引起危险 常规警告常规提示 在安装和开始应用前请首先阅读本文档，错误的操作会造成财物和人身伤害。你必须始终检查系统规格和技术条件（参阅设备标签和相关的文档）。 本说明书仅见略介绍操作步骤，更详尽内容请参阅数控系统说明书、等离子电源说明书、弧压调高器说明书和电容调高器说明书。 我公司保留对设备配置进行修改的权利，本书内容可能与设备实际情况不符，具体以设备为准。 我公司对不符合操作要求而引起的设备损坏不负保修责任。设备出现故障，请勿擅自更换配件，请先于我公司联系。 1、验收 小心损坏或有故障的产品不可投入使用。 2、运输与储存 注意运输与储存中应注意防潮，不可在产品上攀爬或站立，不可在上面放置重物，前面板和显示屏应特别注意防止碰撞与划伤。 3、安装 小心数控系统的外壳非防水设计，安装时应防止日晒及雨淋。
激光焊接的工作原理及其主要工艺参数
激光焊接的工作原理及其主要工艺参数摘要：焊接技术主要应用在金属母材热加工上，常用的有电弧焊，电阻焊，钎焊， 电子束焊，激光焊等多种，本文详细介绍了激光焊接的工作原理与工艺参数，还讨论了激光焊接技术在现代工业中的应用，并与其他焊接方法进行对比。研究表明激光焊接技术将逐步得到广泛应用。 关键词：焊接技术；激光焊接；工作原理；工艺参数。 1. 引言 目前常用的焊接工艺有电弧焊、电阻焊、钎焊、电子束焊等。电弧焊是目前应用最广泛的焊接方法，它包括手弧焊、埋弧焊、钨极气体保护电弧焊、等离子弧焊、熔化极气体保护焊等。但上述各种焊接方法都有各自的缺点，比如空间限制，对于精细器件不易操作等，而激光焊接不但不具有上述缺点，而且能进行精确的能量控制，可以实现精密微型器件的焊接。并且它能应用于很多金属，特别是能解决一些难焊金属及异种金属的焊接。 激光指在能量相应与两个能级能量差的光子作用下，诱导高能态的原子向低能态跃迁，并同时发射出相同能量的光子。激光具有方向性好、相干性好、单色性好、光脉冲窄等优点。激光焊接是利用大功率相干单色光子流聚焦而成的激光束为热源进行的焊接，这种焊接通常有连续功率激光焊和脉冲功率激光焊。激光焊接从上世纪60年代激光器诞生不久就开始了研究，从开始的薄小零器件的焊接到目前大功率激光焊接在工业生产中的大量的应用，经历了近半个世纪的发展。由于激光焊接具有能量密度高、变形小、热影响区窄、焊接速度高、易实现自动控制、无后续加工的优点，近年来正成为金属材料加工与制造的重要手段，越来越广泛地应用在汽车、航空航天、造船等领域。虽然与传统的焊接方法相比，激光焊接尚存在设备昂贵、一次性投资大、技术要求高的问题，但激光焊接生产效率高和易实现自动控制的特点使其非常适于大规模生产线。 2. 激光焊接原理 2.1激光产生的基本原理和方法 光与物质的相互作用，实质上是组成物质的微观粒子吸收或辐射光子。微观粒子都具有一套特定的能级，任一时刻粒子只能处在与某一能级相对应的状态，物质与光子相互作用时，粒子从一个能级跃迁到另一个能级，并相应地吸收或辐射光子。光子的能量值为此两能级的能量差△E，频率为ν=△E/h。爱因斯坦认为光和原子的相互作用过程包含原子的自发辐射跃迁、受激辐射跃迁和受激吸收跃迁三种过程。我们考虑原子的两个能级E1和E2，处于两个能级的原子数密度分别为N1和N2。构成黑体物质原子中的辐射场能量密度为ρ，并有E2 -E1=hν。 2.1.自发辐射 处于激发态的原子如果存在可以接纳粒子的较低能级，即使没有外界作用，粒子也有一定的概率自发地从高能级激发态（E2）向低能级基态（E1）跃迁，同时辐射出能量为（E2-E1）的光子，光子频率ν=（E2-E1）/h。这种辐射过程称为自发辐射。自发辐射发出的光，不具有相位、偏振态上的一致，是非相干光。 2.2.受激辐射 除自发辐射外，处于高能级E2上的粒子还可以另一方式跃迁到较低能级。当频率为ν=（E2-E1）/h的光子入射时，也会引发粒子以一定的概率，迅速地从能级E2跃迁到能级E1，同时辐射一个与外来光子频率、相位、偏振态以及传播方向都相同的光子，
等离子切割机安全操作规范(正式)
编订：__________________ 单位：__________________ 时间：__________________ 等离子切割机安全操作规 范(正式) Standardize The Management Mechanism To Make The Personnel In The Organization Operate According To The Established Standards And Reach The Expected Level. Word格式 / 完整 / 可编辑
文件编号：KG-AO-1258-61 等离子切割机安全操作规范(正式) 使用备注：本文档可用在日常工作场景，通过对管理机制、管理原则、管理方法以及管理机构进行设置固定的规范，从而使得组织内人员按照既定标准、规范的要求进行操作，使日常工作或活动达到预期的水平。下载后就可自由编辑。 一、使用前及切割时 1、应检查并确认电源、气源、水源无漏电、漏气、漏水，接地或接零安全可靠。 2、小车、工件应放在适当位置，并应使工件和切割电路正极接通，切割工作面下应设有溶渣坑。 3、应根据工件材质、种类和厚度选定喷嘴孔径，调整切割电源、气体流量和电极的内缩量。 4、自动切割小车应经空车运转，并选定切割速度。 5、操作人员必须戴好防护面罩、电焊手套、帽子、滤膜防尘口罩和隔音耳罩。不戴防护镜的人员严禁直接观察等离子弧，裸露的皮肤严禁接近等离子弧。 6、切割时，操作人员应站在上风处操作。可从工作台下部抽风，并宜缩小操作台上的敞开面积。 7、切割时，当空载电压过高时，应检查电器接地、
Ar等离子体下的反应离子刻蚀
Vol.34,No.5Journal of Semiconductors May2013 Reactive ion etching of Si2Sb2Te5in CF4/Ar plasma for a nonvolatile phase-change memory device Li Juntao(李俊焘)1;2; ,Liu Bo(刘波)1; ,Song Zhitang(宋志棠)1,Yao Dongning(姚栋宁)1, Feng Gaoming(冯高明)3,He Aodong(何敖东)1;2,Peng Cheng(彭程)1;2, and Feng Songlin(封松林)1 1State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences,Shanghai200050,China 2University of Chinese Academy of Sciences,Beijing100049,China 3United Laboratory,Semiconductor Manufacturing International Corporation,Shanghai201203,China Abstract:Phase change random access memory(PCRAM)is one of the best candidates for next generation non- volatile memory,and phase change Si2Sb2Te5material is expected to be a promising material for PCRAM.In the fabrication of phase change random access memories,the etching process is a critical step.In this paper,the etching characteristics of Si2Sb2Te5films were studied with a CF4/Ar gas mixture using a reactive ion etching system.We observed a monotonic decrease in etch rate with decreasing CF4concentration,meanwhile,Ar concentration went up and smoother etched surfaces were obtained.It proves that CF4determines the etch rate while Ar plays an im- portant role in defining the smoothness of the etched surface and sidewall edge https://www.sodocs.net/doc/694200782.html,pared with Ge2Sb2Te5, it is found that Si2Sb2Te5has a greater etch rate.Etching characteristics of Si2Sb2Te5as a function of power and pressure were also studied.The smoothest surfaces and most vertical sidewalls were achieved using a CF4/Ar gas mixture ratio of10/40,a background pressure of40mTorr,and power of200W. Key words:reactive ion etching;phase-change material;Si2Sb2Te5 DOI:10.1088/1674-4926/34/5/056001PACC:7360F;8160 1.Introduction Nowadays,phase change random access memory (PCRAM)has been regarded as one of the most promising non-volatile memories,and has received more and more attention because of its superior performance and other mer-its?1;2 .It was devised by Ovshinsky in1968?3 based on the rapid reversible phase change effect in some materials under the influence of an electric current pulse,and the different resistances between crystalline and amorphous states define the logic state of an individual bit. Phase change Si2Sb2Te5material,expected as a promising material for PCRAM,possesses a wider band-gap comparing to Ge2Sb2Te5.The band-gap width of amorphous and poly-crystalline Si2Sb2Te5are determined to be0.89and0.62eV by means of Fourier transform infrared spectroscopy?4 .The mate-rial possesses a low threshold current from amorphous to poly-crystalline state in voltage–current measurement,and shows a good data retention.These properties prove Si2Sb2Te5is a po-tential material?4;5 . In this paper,the reactive ion etching(RIE)process of Si2Sb2Te5films in CF4/Ar plasma is described.The etch rate and surface roughness were examined systematically as a func-tion of pressure,power,and Ar concentration in the CF4/Ar mixture gas.A smooth surface was successfully obtained us- ing the optimization approach described below. 2.Experiment In this study,Si2Sb2Te5films were deposited with the ra- dio frequency(RF)-magnetron sputtering method using single element targets at room temperature.The thickness of the films was about400nm measured by a cross-sectional scanning elec- tron microscope(SEM,Hitachi S-4700).The compositions of films were determined by means of energy dispersive spec- troscopy(EDS).Shipley6809photo-resist was used for pattern definition.An Oxford80plus RIE system with a maximum RF power of600W was used to etch the Si2Sb2Te5films.The etch gas ratio was controlled by mass flow controllers,and the gas pressure in the chamber was adjusted by a clapper valve. The temperature of the sample holder was controlled by heat transfer fluid(Hexid)and held at30?C.The experimental con-trol parameters were the gas flow rate,chamber background pressure,CF4/Ar ratio and the incident RF power applied to the lower electrode.A total flow rate of CF4C Ar was50sccm throughout the experiment,while the CF4/Ar ratio was varied as an optimization parameter. Etching depths were measured using a surface profile- *Project supported by National Key Basic Research Program of China(Nos.2010CB934300,2011CBA00607,2011CB9328004),the Na-tional Integrate Circuit Research Program of China(No.2009ZX02023-003),the National Natural Science Foundation of China(Nos. 60906004,60906003,61006087,61076121,61176122,61106001),the Science and Technology Council of Shanghai(Nos.11DZ2261000, 11QA1407800),and the Chinese Academy of Sciences(No.20110490761). ?Corresponding author.Email:jet_lee@https://www.sodocs.net/doc/694200782.html,;liubo@https://www.sodocs.net/doc/694200782.html, Received25August2012,revised manuscript received3December2012?2013Chinese Institute of Electronics
空气等离子切割机使用方法
空气等离子切割机使用 方法 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】
空气等离子切割机使用方法 1、安装注意事项 （1）安装设备置于干燥，清洁且通风良好场所。 （2）设备应有保护接零，即将机壳部分与三相四线中的零线连接（带电源插头的产品出厂时已内接）。 （3）工作场所电网供电应正常，无过度波动现象，否则设备无法保证正常工作。 （4）设备安装的示意图如图四所示： 1）电源进线与用户自备的合适容量的三相开关相接。三相开关应装设符合规定的熔丝，不能任意放大。三相开关应供切割机专用。 2）气源通过供气管道接到切割机箱后板上的过滤减压阀进气端，即面对压力表的左侧接头。 3）将切割机的工作地线夹头（切割电源正极输出端）夹持在工件上。 2.使用操作： （1）操作准备 1）检查外接电源准确无误。 2）检查工件地线已夹持在工件上。
3）接通气源，排放积水。 4）检查电源开关在断位。 5）闭合电网供电总开关，此时风扇开始工作，注意检查风向，风应该朝里吹，否则因主变压器得不到通风冷却，会缩短工作时间。 6）将面板上的电源开关扳到“通”位，电源指示灯亮。此时应有压缩空气从割炬中流出。注意过滤减压阀压力表指针是否在—兆帕位置，若压力不符， 应在气体流动的情况下，调节过滤减压阀压力表上部旋钮，顺时针转动为增加压力，反之则降低。 7）让气体流通数分钟，以除去焊炬中的冷凝水汽。 （2）切割操作 1）割炬与工件接触按下按钮即可切割。可以从工件边缘开始切割，板材厚度不大时，也可在工件任何一点开始切割。割炬可垂直于工件或向一侧略为倾斜，但在工件中间开口时，割炬应略向一侧倾斜，以便吹除熔化金属，割穿金属。 2）将手把按钮按下并保持主电路接通，同时高频振荡器工作，直至切割电弧形成，高频振荡器即停止工作。此后可依靠割炬的移动来进行切割。同时切割指示灯亮。 3）切割时必须割穿金属后方能均匀移动，否则将损坏喷咀。移动速度过快或过慢将影响切割质量。 4）切割气压的调整：切割气压过高，流量过大，将影响切割厚度。切割气压过小将将影响喷咀的使用寿命。
材料的等离子弧焊接
材料的等离子弧焊接 索引：穿孔型等离子弧焊接最适于焊接厚度3～8mm不锈钢、厚度12mm 以下钛合金、板厚2～6mm低碳或低合金结构钢以及铜、黄铜、镍及镍合金的对接焊缝。这一厚度范围内可不开坡口，不加填充金属，不用衬垫的条件下实现单面焊双面成形。厚度大于上述范围时可采纳V形坡口多层焊。 关键词: 高温合金, 铝及铝合金, 钛及钛合金, 银与铂, 等离子弧焊接 穿孔型等离子弧焊接最适于焊接厚度3～8mm不锈钢、厚度12mm 以下钛合金、板厚 2～6mm低碳或低合金结构钢以及铜、黄铜、镍及镍合金的对接焊缝。这一厚度范围内可不开坡口，不加填充金属，不用衬垫的条件下实现单面焊双面成形。厚度大于上述范围时可采用V形坡口多层焊。
１．高温合金的等离子弧焊接 用等离子弧焊焊接固溶强化和Al、Ti含量较低的时效强化高温合金时，能够填充焊丝也能够不加焊丝，均能够获得良好质量的焊缝。一般厚板采纳小孔型等离子弧焊，薄板采纳熔透型等离子弧焊，箔材用微束等离子弧焊。焊接电源采纳陡降外特性的直流正极性，高频引弧，焊枪的加工和装配要求精度较高，并有专门高的同心度。等离子气流和焊接电流均要求能递增和衰减操纵。 焊接时，采纳氩和氩中加适量氢气作为爱护气体和等离子气体，加入氢气能够使电弧功率增加，提高焊接速度。氢气加入量一般在5％左右，要求不大于15％。焊接时是否采纳填充焊丝依照需要确定。选用填充焊丝的牌号与钨极惰性气体爱护焊的选用原则相同。 高温合金等离子弧焊的工艺参数与焊接奥氏体不锈钢的差不多相同，应注意操纵焊接热输入。镍基高温合金小孔法自动等离子弧焊的工艺参数见表1-1。在焊接过程中应操纵焊接速度，速度过快会产生气孔，还应注意电极与压缩喷嘴的同心度。高温合金等离子弧焊接接头力学性能较高，接头强度系数一般大于90％。
等离子切割机工作原理
第九章空气等离子切割机 第一节空气等离子切割机工作原理 一、等离子弧的产生与特点 通常把电弧密度为自然条件下的电弧密度（未经压缩）的电弧称为自由弧；自由弧的导电气体设有完全电离，电弧的温度在6000℃到8000℃之间。而在气压、电压和磁场的作用下，柱状的自由弧（柱截面积正比于功率）可以压缩成等离子弧，等离子弧的导电截面小能量集中。弧柱中气体几乎可全部达到离子状态。电弧温度可高达15000℃-30000℃。能使金属等物体迅速熔化。 二、等离子切割的原理与应用 切割，一般指的是金属的切割。等离子弧切割是利用极细而高温的等离子弧，使局部金属迅速熔化，再用气流把熔化的金属吹走的切割方法。等离子弧切割由于切割效率高、损耗低、适用范围广等优点已广泛应用于各类工程建设、制造等行业。 三、等离子弧切割电源与氩弧焊电源技术参数比较 四、等离子切割机工作技术参数
五、等离子切割与气体切割比较 第二节等离子切割的起弧方式 一、接触起弧与转移起弧 等离子弧切割一般有两种起弧方式： 1、接触式：即把与极针绝缘的喷嘴贴在工件（联接切割电源正端）上，然后把高频 高压电流加到联接电源负端的电极针（钨针），使极针喷出电弧，电弧在电压、 气压、磁场作用下形成等离子弧，通过大电流维持等离子弧稳定燃烧，然后稍 抬高喷嘴（避免炽热的工件损坏喷嘴），开始切割。其过程简图如图9.1 这种切割方式多适用于小电流（小功率的切割机）。 图9.1 2、转移弧式（维弧式）：即把电源正端通过一定的电阻和继电器开关联接到喷嘴上， 使得极针与喷嘴间形成电弧（由于有电阻限流，电弧较小），然后把喷嘴靠近直 接联接电源正端的工件上，极针与工件间便形成能量更大的电弧，电弧被压缩 后形成等离子弧，而喷嘴与电源正端的联接被断开，开始切割。 图9.2为其过程简图 图9.2 转移弧式切割方式可以避免电弧在气压的作用下偏离喷嘴中心而损坏喷嘴。此种方式适用于大功率切割机。 二、转移起弧控制电路原理 转移弧式切割方式要求先在极针上喷嘴间产生小电弧，然后靠近工件产生等离子弧，通以大电流维持电弧稳定后断开用于起弧的高频高压电流以及小电弧，其控制电路原理图9.3 图9.3
等离子切割机操作规程(正式)
等离子切割机操作规程(正式) Standardize The Management Mechanism To Make The Personnel In The Organization Operate According To The Established Standards And Reach The Expected Level. 使用备注：本文档可用在日常工作场景，通过对管理机制、管理原则、管理方法以及管理机构进行设置固定的规范，从而使得组织内人员按照既定标准、规范的要求进行操作，使日常工作或活动达到预期的水平。下载后就可自由编辑。 1．应检查并确认电源、气源、水源无漏电、漏气、漏水，接地或接零安全可靠。 2．小车、工件应放在适当位置，并应使工件和切割电路正极接通，切割工作面下应设有熔渣坑。 3．应根据工件材质、种类和厚度选定喷嘴孔径，调整切割电源、气体流量和电极的内缩量。
4．自动切割小车应经空车运转，并选定切割速度。 5．操作人员必须戴好防护面罩、电焊手套、帽子、滤膜防尘口罩和隔音耳罩。不戴防护镜的人员严禁直接观察等离子弧，裸露的皮肤严禁接近等离子弧。 6．切割时，操作人员应站在上风处操作。可从工作台下部抽风，并宜缩小操作台上的敞开面积。 7．切割时，当空载电压过高时，应检查电器接地、接零和割炬手把绝缘情况，应将工作
台与地面绝缘，或在电气控制系统安装空载断路继电器。 8．高频发生器应设有屏蔽护罩，用高频引弧后，应立即切断高频电路。 9．使用钍、钨电极应符合JGJ33—2001第12.7.8条规定。 10．作业后，应切断电源，关闭气源和水源。 请在这里输入公司或组织的名字 Please enter the name of the company or organization here
等离子弧焊的研究现状及发展趋势
等离子弧焊的研究现状及发展趋势 1 概述 等离子弧焊发明于1953年，英文学名为“Plasma Arc Welding”，缩写为PAW，由钨极氩弧焊发展而成，是该领域内的一项重大技术创新。等离子弧焊与原始的TIG焊相比，具有优质、高效、经济等优点，早在上世纪60年代初已成功用于金属制品生产。近20年来，等离子弧焊技术获得了进一步的发展，并成为现代焊接结构制造业中不可缺少的精密焊接工艺方法,在压力容器、管道、航天航空、石化装置、核能装备和食品及制药机械生产中得到普遍的推广应用，可以焊接普通优质碳钢、低合金钢、不锈钢、镍基合金、铜镍合金、钛、钽、锆及其合金和铝及其合金等金属材料。 为充分发挥等离子弧焊方法的潜在优势,增强其工艺适应性，进一步扩大应用范围，已开发出各种等离子弧焊工艺方法，如微束等离子弧焊、熔透型（弱等离子）等离子弧焊、锁孔型等离子弧焊、脉冲等离子弧焊、交流变极性等离子弧焊、等离子弧钎焊和等离子弧堆焊等。可以预料，等离子弧焊必将在现代工业生产中发挥出愈来愈重要的作用。 2 等离子弧焊的基本工作原理 等离子弧焊是早期对焊接电弧物理深入研究的最重要的成果之一。通过试验研究发现，在任何一种焊接电弧中，都存在温度超过3000℃的等离子区，但在自由状态的电弧中，这一区域的尺寸显得过小，且紧靠阴极，未能充分发挥其作用。TIG焊自由状态电弧的形貌成锥形，大部分能量被散失，电弧的热效率很低,从而大大降低了焊接效率。为充分利用电弧的能量，自然萌发出将电弧柱进行压缩，使其能量集中的想法，并逐步形成了等离子弧焊的设计思想。 等离子弧是一种被压缩的钨极氢弧，或者说是一种受约束的非自由电弧。一般情况下，借助于水冷喷嘴的约束作用，等离子体电弧弧柱在压缩作用下形成压缩电弧，即等离子弧。等离子弧由特殊结构的等离子体发生器产生，具有热压缩效应、机械压缩效应以及电磁压缩效应的特点。根据电极接电方式，等离子弧可以分为非转移型等离子弧和转移型等离子弧。 非转移型等离子弧的电极接负极，喷嘴接正极，电极与喷嘴之间产生等离子
等离子切割机操作规程
等离子切割机操作规程 1一样规定： 1.1为降低能耗，提高喷嘴及电极的寿命，当切割较薄工件时，应尽量采纳“低档”切割。 1.2当“切厚选择”开关置于“高档”时应采纳非接触式切割式切割（专门情形除外）并优先选择水割割炬。 1.3当必须调换“切厚选择”开关档位时，一定要先关断主机电源开关，以防损坏机件。 1.4当装拆或移动主机时，一定要先关断供电电源方可进行，以防发生危险。 1.5应先关断主机电源开关后，方可装拆主机上附件、部件（如割炬、切割地线、电极、喷嘴、分配器、压帽、爱护套等）。幸免反复快速地开启割炬开关，以免损坏引弧系统或相关元件。 1.6当需要从工件中间开始引弧切割时，切割不锈钢≤20mm厚，能够直截了当穿孔切割。方法为：把割炬置于切缝起始点上，并使割炬喷嘴轴线与工件平面呈约75°夹角，然后，开启割炬开关，引弧穿孔；同时，缓慢地调整喷嘴轴线与工件面夹角，至切割穿工件时止应调整至90°。切穿工件后，沿切缝方向正常切割即可。但假如超过上述厚度时须穿孔切割，就必须在切割起始点上钻一小孔（直径不限），从小孔中引弧切割。否则，容易损坏割炬喷嘴。 1.7主机连续工作率70%（“切厚选择”开关置于低档时，连续工作可接近100%）。若连续工作时刻过长而导致主机温度过高时，温度爱护系统将自动关机，必须冷却20分钟左右才能连续工作。 1.8当压缩空气压力低于0.22MP a时设备应赶忙处于爱护关机状态，现在应检修供气系统，排除故障后，压力复原0.45MP a时方能连续工作。 1.9若三相输入电源缺相时，主机则不能正常工作，部份机型“缺相指示”红灯亮。须排除故障后，才能正常切割。 1.10水冷机型必须将水箱注满自来水，并插好水泵电源插头。 1.11将电源开关旋至“开机”位置，如“气压不足”指示灯亮，应按要求调至0.45MPa。因此“气压不足”指示灯灭。风扇转向应按标志方向。水冷机水泵转向应符合要求，否则“水压不足”指示灯亮，应调整输入电源相位。 1.12依照工件厚度，将“切厚选择”开关拨至相应位置，选择合适的割炬，割炬按使用范畴自小到大有多种规格。禁止超过额定电流范畴，否则必将损坏。将割炬置于工件切割起点按下割炬开关，若一次未引燃，可再次按动割炬开关，引弧成功，开始切割。 1.13每工作四~八小时（间隔时刻视压缩空气干燥度定），应按“空
P+T焊接工艺参数
P+T焊接工艺参数-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII
P+T焊接设备对不锈钢产品工艺的要求 一、P+T焊接设备： 该设备由纵缝机、环缝机组成，适用于碳钢、不锈钢以及某些有色金属对接焊接。 纵缝机参数： 1、3-8mm 可不开坡口直接焊接，对于较薄板直接用等离子不填丝焊接； 8-14mm 板厚要求开坡口等离子焊接，然后用填丝盖面。拖罩保护焊缝。 2、工件精度要求： 焊缝直线度要求10m长直线度误差≤2mm（直线度不能保障时，可通过摄像监控系统调整焊枪位置） 对接间隙≤1/10T（T 为试件板厚）且不大于0.5mm 错边≤0.2T（T 为试件板厚）且不大于1mm 3.工作对象 ①直径范围：φ1500～φ3200mm ②工件壁厚： 2-14mm（一次熔透8mm，大于8mm需开坡口填丝） ③工件长度：≤2500 mm ④工件材质：不锈钢、碳钢、钛基合金等 工件施焊端面采用机械加工，拼缝要求规则均匀 4.设备参数
可夹持最小壁厚： 2mm 可夹持最大壁厚： 14mm 焊枪行走速度： 100-3000mm/min 跟踪滑板速度：≤200mm/min 液压升降台承载：≤6T 一、设备的用途： 等离子环缝焊接系统用于各类碳钢\合金钢(碳钢、不锈钢、钛基合金等)环缝焊接，采用等离子焊接工艺，壁厚8mm以下可不开坡口直接焊接一次性单面焊双面成形。对于较薄板直接用等离子焊接；对于8mm 板厚以上视情况采用等离子添丝焊接的方式。焊接时正面有拖罩保护焊缝，反面有背气保护系统 设备采用一套飞马特等离子焊接系统和一套KM4030焊接操作机，一套视频系统，一套20T可调式滚轮架，采用等离子高效焊接，实现工件的环缝焊接。 电控系统部分以三菱PLC为控制核心，能够准确控制设备的各种动作，操作盒上安装有触摸屏，便于修改各项控制参数，使用安全可靠，故障率低。 1、焊接成型工艺： 2-8mm 可不开坡口直接焊接，对于较薄板直接用等离子不填丝焊接； 8-14mm 板厚要求开坡口等离子焊接，然后用TIG填丝盖面。拖罩保护焊缝。
等离子体刻蚀机原理
等离子体刻蚀机原理 什么是等离子体？ ?随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。它们统称为物质的 三态。 ?当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相 互碰撞而离解为电子和正离子。这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和 正离子（或是带正电的核）组成的状态。这种状态的物质叫等离子体。它可以称 为物质的第四态。 等离子体的应用 等离子体的产生
等离子体刻蚀原理 ?等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。 ?这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。 等离子体刻蚀反应
?首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 CF4→CF3，CF2，CF，C，F ?其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。 ?生产过程中，在CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。 等离子体刻蚀工艺 ?装片 在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 检验方法 ?冷热探针法 检验原理 ?热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处
电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。 ?同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。 ?此电势差可以用简单的微伏表测量。 ?热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙 铁。 检验操作及判断 ?确认万用表工作正常，量程置于200mV。 ?冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 ?用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为负值，说明导电类型为p，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为p型。 ?如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。 一．等离子体刻蚀工艺原理: 等离子体刻蚀机是基于真空中的高频激励而产生的辉光放电将四氟化碳中的氟离子电离出来从而获得化学活性微粒与被刻蚀材料起化学反应产生辉发性物质进行刻蚀的。同时为了保证氟离子的浓度和刻蚀速度必须加入一定比例的氧气生成二氧化碳。 二．主要用途及适用范围： 该设备主要对太阳能电池片周边的P—N结进行刻蚀，使太阳能电池片周边呈开路状态。也可用于半导体工艺中多晶硅，氮化硅的刻蚀和去胶。 三．使用环境及工作条件： 1）环境温度：5℃—40℃； 2）相对湿度：<70%； 3）环境净化等级：>10000级； 4）大气压强：一个标准大气压； 5）电源：三相交流380（1±10%）V，频率50 （1±10%）Hz； 6）所用气体压力：0.1Mpa—0.2 Mpa；所用气体为四氟化碳、氧气和氮气。 7）每台设备要有良好的，独立的接地且接地电阻最好小于0.1Ω；四．总体结构： 本设备由真空管路系统、气路系统、反应室、压力控制系统、SY型射频功率源、电源供电及控制部分组成。 1）真空管路系统主要由2X—15型旋片式真空泵、电磁隔断放气阀、波纹管、碟阀、预抽阀、电磁隔断阀组成。 2）气路系统主要由控制四氟化碳、氧气、尾气、稀释、氮气的电磁阀及不锈钢管和软管组成。其中为了精确控制四氟化碳和氧气10:1的混合比例，在控制四氟化碳和氧气电磁阀的后级加了质量流量计。（这里要附带讲一下关于工作压差的问题，我们所用的质量流量计的工作压差为0.1Mpa—0.5Mpa。而反应室的辉光工作压力为80Pa或更低，尤其是在充气瞬间。因此这就是为什么要求供气压力设定为0.1Mpa—0.2 Mpa的原因。以前出现过由于硅片刻不通，操作