Alignment

Alignment 光刻对准

University of California, Santa Barbara ME/ECE 141 B Alignment In order to make useful devices the patterns for different lithography steps that belong to a single structure must be aligned to one another. The first pattern transferred to a wafer usually includes a set of alignment marks, which are high precision features that are used as the reference when positioning subsequent patterns, to the first pattern (as shown in figure 1). Often alignment marks are included in other patterns, as the original alignment marks may be obliterated as processing progresses. It is important for each alignment mark on the wafer to be labeled so it may be identified, and for each pattern to specify the alignment mark (and the location thereof) to which it should be aligned. By providing the location of the alignment mark it is easy for the operator to locate the correct feature in a short time. Each pattern layer should have an alignment feature so that it may be registered to the rest of the layers. Figure 1: Use of alignment marks to register subsequent layers Depending on the lithography equipment used, the feature on the mask used for registration of the mask may be transferred to the wafer (as shown in figure 2). In this case, it may be important to locate the alignment marks such that they don't effect subsequent wafer processing or device

几种视频文件的插入方法

几种视频文件的插入方法： 一、avi、asf、asx、mlv、mpg、wmv等视频文件的插入方法： 1、使用PoerPoint“插入”菜单中的“插入影片”命令法方法简单常用，在这里不再赘述； 2、使用PoerPoint“插入”菜单中的“插入对象”命令法； 3、使用插入控件法 使用这种方法必须保证系统中安装有Windows MediaPlayer或者RealPlayer播放器，首先将视频文件作为一个控件插入到幻灯片中，然后通过修改控件属性，达到播放视频的目的。 步骤如下： （1）运行PowerPoint程序，打开需要插入视频文件的幻灯片； （2）打开“视图”菜单，通过“工具栏”子项调出“控件工具箱”面板，从中选择“其他控件” 按钮单击； （3）在打开的控件选项界面中，选择“Windows Media Player”选项，再将鼠标移动到PowerPoint的幻灯片编辑区域中，画出一个合适大小的矩形区域，这个矩形区域会自动转变 为Windows Media Player播放器的界面； （4）用鼠标选中该播放界面，然后单击鼠标右键，从弹出的快捷菜单中选择“属性”命令， 打开该媒体播放界面的“属性”窗口； （5）在“属性”窗口中，在“URL”设置项处正确输入需要插入到幻灯片中视频文件的详细路径（绝对路径和相对路径都可以）和完整文件名，其他选项默认即可； （6）在幻灯片播放时，可以通过媒体播放器中的“播放”、“停止”、“暂停”和“调节音量” 以及“进度条”等按钮对视频进行自如的控制。 二、rm、ra、rmvb等视频文件的插入方法 使用Windows Media Player控件可以实现mpg、asf、avi、wmv等视频文件的播放，但它不支持RM视频文件的播放，那么如何在PowerPoint中实现RM视频文件的播放呢？ 如果通过其他的视频转换软件把RM视频文件转换成A VI或MPG格式的文件再插入，速度慢且转换后的文件体积也大，我们同样可以通过利用PowerPoint中的“控件工具箱”来插 入RM格式的视频文件，方法如下： 1、打开PowerPoint幻灯片文件，打开需要插入视频文件的幻灯片；

提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径

提高多晶S i薄膜太阳电池转换效率的途径 Prepared on 22 November 2020

本文由【】搜集整理。免费提供海量教学资料、行业资料、范文模板、应用文书、考试学习和社会经济等w o r d文档“微纳电子技术”2008年第4期 专家论坛 187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 纳米器件与技术 193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟 198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模 纳米材料与结构 205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜 209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质MEMS器件与技术 214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展 219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究 显微、测量、微细加工技术与设备 222-纳米光刻对准方法及其原理 231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针 235-一维纳米结构的拉伸力学测试 240-Si 基GaN薄膜的制备方法及结构表征 ======================================= 专家论坛 187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 彭英才1，2，姚国晓3，马蕾1，王侠1 （1. 河北大学电子信息工程学院，河北保定071002； 2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京 100083； 3. 中国天威英利新能源有限公司，河北保定071051）

摘要：多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低，被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线，介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-I-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施；综述了近5年来多晶Si薄膜电池在材料生长、结构制备和性能参数方面取得的最新进展，并对其发展前景做了预测。 关键词：多晶Si薄膜；大晶粒；氢钝化；p-I-n结构；太阳电池；转换效率纳米器件与技术 193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟 赵守磊，李惠军，吴胜龙，刘岩 （山东大学孟尧微电子研发中心，济南250100） 摘要：基于通信系统中射频电路设计的特殊要求，对小尺寸（基区宽度低于100 nm）、超高频（特征频率高于15 GHz）双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟，为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现，在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上，实现了该器件工艺级（Sentaurus Process）及器件物理特性级（Sentaurus Device）的仿真，提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明，在高频指标参数 17GHz下，所得β值接近于80，满足设计要求。 关键词：小尺寸；双极器件；频率特性；工艺仿真；特性模拟 198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模 孙海定，江建军 （华中科技大学电子科学与技术系，武汉430074） 摘要：以单电子晶体管为研究对象，系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模。采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间。通过分析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据。

监控系统安装流程(视频监控安装教程)

监控安装指导与注意事项 A、线路安装与选材 1、电源线：要选“阻燃”电缆，皮结实，在省成本前提下，尽量用粗点的，以减少电源的衰减。 2、视频线：SYV75-3线传输在300米内，75-5线传输500米内，75-7的线可传输800米;超过500米距离，就要考虑采用“光缆”。另外，要注意“同轴电缆”的质量。 3、控制线：一般选用“带屏蔽”2*1.0的线缆，RVVP2*1.0。 4、穿线管：一般用“PVC管”即可，要“埋地、防爆”的工程，要选“镀锌”钢管。 B、控制设备安装 1、控制台与机柜：安装应平稳牢固，高度适当，便于操作维护。机柜架的背面、侧面，离墙距离，考虑到便于维修。 2、控制显示设备：安装应便于操作、牢靠，监视器应避免“外来光”直射，设备应有“通风散热”措施。 3、设置线槽线孔：机柜内所有线缆，依位置，设备电缆槽和进线孔，捆扎整齐、编号、标志。

4、设备散热通风：控制设备的工作环境，要在空调室内，并要清洁，设备间要留的空间，可加装风扇通风。 5、检测对地电压：监控室内，电源的火线、零线、地线，按照规范连接。检测量各设备“外壳”和“视频电缆”对地电压，电压越高，越易造成“摄像机”的损坏，避免“带电拔插”视频线。 C、摄像机的安装 1、监控安装高度：室内摄像机的安装高度以2.5～5米,为宜，室外以3.5～10米为宜;电梯内安装在其顶部。 2. 防雷绝缘：强电磁干扰下，摄像机安装，应与地绝缘;室外安装，要采取防雷措施。 3、选好BNC：BNC头非常关键，差的BNC头，会让你生不如死，一点都不夸张。 4、红外高度：红外线灯安装高度，不超过4米，上下俯角20度为佳，太高或太过，会使反射率低。 5、红外注意：红外灯避免直射光源、避免照射“全黑物、空旷处、水”等，容易吸收红外光，使红外效果大大减弱。 6、云台安装：要牢固，转动时无晃动，检查“云台的转动范围”，是否正常，解码器安装在云台附近。

光刻技术新进展

光刻技术新进展 刘泽文李志坚 一、引言 目前，集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件，其增长过程遵从一个我们称之为摩尔定律的规律，即集成度每3年提高4倍。这一增长速度不仅导致了半导体市场在过去30年中以平均每年约15%的速度增长，而且对现代经济、国防和社会也产生了巨大的影响。集成电路之所以能飞速发展，光刻技术的支持起到了极为关键的作用。因为它直接决定了单个器件的物理尺寸。每个新一代集成电路的出现，总是以光刻所获得的线宽为主要技术标志。光刻技术的不断发展从三个方面为集成电路技术的进步提供了保证：其一是大面积均匀曝光，在同一块硅片上同时作出大量器件和芯片，保证了批量化的生产水平；其二是图形线宽不断缩小，使用权集成度不断提高，生产成本持续下降；其三，由于线宽的缩小，器件的运行速度越来越快，使用权集成电路的性能不断提高。随着集成度的提高，光刻技术所面临的困难也越来越多。 二、当前光刻技术的主要研究领域及进展 1999年初,0.18微米工艺的深紫外线(DUV)光刻机已相继投放市场,用于 1G位DRAM生产。根据当前的技术发展情况，光学光刻用于2003年前后的0.13微米将没有问题。而在2006年用到的0.1微米特征线宽则有可能是光学光刻的一个技术极限，被称为0.1微米难关。如何在光源、材料、物理方法等方面取得突破，攻克这一难关并为0.07，0.05微米工艺开辟道路是光刻技术和相应基础研究领域的共同课题。

在0.1微米之后用于替代光学光刻的所谓下一代光刻技术（ＮＧＬ）主要有极紫外、Ｘ射线、电子束的离子束光刻。由于光学光刻的不断突破，它们一直处于"候选者"的地位，并形成竞争态势。这些技术能否在生产中取得应用，取决于它们的技术成熟程度、设备成本、生产效率等。下面我们就各种光刻技术进展情况作进一步介绍。 1．光学光刻 光学光刻是通过光学系统以投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结 构图形"刻"在涂有光刻胶的硅片上，限制光刻所能获得的最小特征尺寸直接与光刻系统所能获得的分辨率直接相关，而减小光源的波长是提高分辨率的最有效途径。因此，开发新型短波长光源光刻机一直是国际上的研究热点。目前，商品化光刻机的光源波长已经从过去的汞灯光源紫外光波段进入到深紫外波段（DUV），如用于0.25微米技术的KrF准分子激光（波长为248纳米）和用于0.18微米技术的ArF准分子激光(波长为193纳米)。 除此之外，利用光的干涉特性，采用各种波前技术优化工艺参数也是提高光刻分辨率的重要手段。这些技术是运用电磁理论结合光刻实际对曝光成像进行深入的分析所取得的突破。其中有移相掩膜、离轴照明技术、邻近效应校正等。运用这些技术，可在目前的技术水平上获得更高分辨率的光刻图形。如1999年初Canon公司推出的FPA-1000ASI扫描步进机，该机的光源为193纳米ArF，通过采用波前技术，可在300毫米硅片上实现0.13微米光刻线宽。 光刻技术包括光刻机、掩模、光刻胶等一系列技术，涉及光、机、电、物理、化学、材料等多个研究领域。目前科学家正在探索更短波长的F2激光（波长为157纳米）光刻技术。由于大量的光吸收，获得用于光刻系统的新型光学及掩模衬底材料是该波段技术的主要困 难。

软光刻技术的研究现状

大连理工大学研究生试卷 系别：机械工程学院 课程名称：微制造与微机械电子系统 学号： 姓名： 考试时间：2015年1 月15日

PDMS软光刻技术的研究现状 摘要：软光刻技术作为一种新型的微图形复制技术，和传统的光刻技术相比，软光刻技术更加灵活，而且 有许多技术方面的优势。软光刻技术已经广泛应用于光学、生物技术、微电子、传感器以及微全分析系统 的加工诸领域，并且取得了一定的进展。本文，从软光刻技术的原理、分类、国内外以及我们实验室的应 用上来说明软光刻技术的研究现状，是一种很有发展的重要光刻技术。 关键词：软光刻技术研究现状应用 Research Status of PDMS Soft Lithography Abstract：Soft lithography technology as a new type of micro-replication technology graphics, and compared to conventional lithographic techniques, soft lithography technology is more flexible and has many technical advantages. Soft lithography technology has been widely used in optical processing areas such as biotechnology, microelectronics, sensors and micro total analysis system, and has made some progress. In this paper, the principle soft lithography techniques, classification, abroad and in our lab up on the status of the application of soft lithography, photolithography technique is a very important development. Keywords：Soft lithography technologyResearch StatusApplication 1. 软光刻技术概况 20世纪90年代末，一种新的微图形复制技术脱颖而出。该技术用弹性模（大多为PDMS 材料制作）替代传统光刻技术中使用的硬模来产生微结构或者微模具，被称作软光刻技术[1]。软光刻技术作为一种新型的微图形复制技术，和传统的光刻技术相比，软光刻技术更加灵活，而且有许多技术方面的优势，主要有：能制造复杂的多层结构或者三维结构，甚至能在不规则曲面上来制作模具，而且不受材料和化学表面的限制；能突破光刻技术100nm 的限制，实现更为精细的微加工等。此外，它所需设备比较简单，进而在制作成本上也比以前的光刻技术更经济使用。在普通的实验室环境下就能应用，因此软光刻是一种便宜、方便、适于实验室使用的技术。 目前，软光刻技术已经广泛应用于光学、生物技术、微电子、传感器以及微全分析系统的加工诸领域，并且取得了一定的进展。 1.1 软光刻技术的分类 软光刻的核心技术是制作弹性模印章（elastomeric stamp）。通过光刻蚀和模塑的方法，可以快速、高效的获得这种印章。PDMS，即聚二甲基硅氧烷，是软光刻中最常用的弹性模印章制作材料，在设计过程中应该注意防止在PDMS弹性模上产生缺陷，此外，由于PDMS 材料的弹性，过大的深宽比也会导致弹性模结构的倒塌。软光刻的关键技术包括：毛细管成模（micromolding in capillaries，MIMIC）、再铸模（replica molding，REM）、微接触印刷（microcontact printing，uCP）、溶剂辅助成模（solventassistedmicromolding，SAMIM）、

光刻机的技术原理和发展趋势

光刻机的技术原理和发展趋势 王平0930******* 摘要： 本文首先简要介绍了光刻技术的基本原理。现代科技瞬息万变，传统的光刻技术已经无法满足集成电路生产的要求。本文又介绍了提高光刻机性能的关键技术和下一代光刻技术的研究进展情况。 关键字：光刻；原理；提高性能；浸没式光刻；下一代光刻 引言： 光刻工艺直接决定了大规模集成电路的特征尺寸，是大规模集成电路制造的关键工艺。作为光刻工艺中最重要设备之一，光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。因此，了解光刻技术的基本原理，了解提高光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。本文就以上几点进行了简要的介绍。 光刻技术的基本原理： 光刻工艺通过曝光的方法将掩模上的图形转移到涂覆于硅片表面的光刻胶上，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上。 1、涂胶 要制备光刻图形，首先就得在芯片表面制备一层均匀的光刻胶。截止至2000年5月23日，已经申请的涂胶方面的美国专利就达118项。在涂胶之前，对芯片表面进行清洗和干燥是必不可少的。目前涂胶的主要方法有：甩胶、喷胶和气相沉积，但应用最广泛的还是甩胶。甩胶是利用芯片的高速旋转，将多余的胶甩出去，而在芯片上留下一层均匀的胶层，通常这种方法可以获得优于+2%的均匀性（边缘除外）。胶层的厚度由下式决定： 式中：F T为胶层厚度，ω为角速度，η为平衡时的粘度，ρ为胶的密度，t为时间。由该式可见，胶层厚度和转速、时间、胶的特性都有关系，此外旋转时产生的气流也会有一定的影响。甩胶的主要缺陷有：气泡、彗星（胶层上存在的一些颗粒）、条纹、边缘效应等，其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。

视频监控系统控件安装(从IE访问)

使用IE访问监控设备的时候，会自动从设备上下载控件并自动注册。当控件HCNetVideoActiveX.cab没有下载或注册成功的时候，则不能正常访问设备。 安装HCNetVideoActiveX.cab控件的方法如下： １.使用IE访问前的注意事项： 降低IE的安全级别，选择IE“工具”－＞“Internet选项”－＞“安全”－＞“自定义级别”，将涉及到控件下载运行和脚本运行的选项都设置成“启用”和“提示”。然后再打开监控的IP地址，会自动安装控件。 ２.使用IE访问的时候提示“网页上有错误”或者有“×”的显示 出现该情况，很有可能是控件没有下载成功或则有残余的控件相关内容没有删除。可参考3.清除控件的方法进行清除处理后，在设置安全级别后进行访问。 ３.清除控件的方法： １.关闭IE,进入Windows系统目录下，找到Downloaded ProgramFiles文件夹中的相关控件信息是否还在，若在，将其删除。（HCNetVideoActiveX.cab对应HCNetVideoActiveX Control，NewHCNetActiveX.cab对应NewHCNetActiveX Control） ２.进入system32文件夹下，确认是否还有残留的相关文件，若存在将其删除。如果是XP 的操作系统，还需要将Windows下LastGood文件夹中的相关文件删除。 HCNetVideoActiveX.cab的相关文件是 HCNetVideoActiveX.ocx，HCNetSDK.dll,playm4.dllShowHCRemCfgWnd.dll RemoteCfgRes_CHI.dll,RemoteCfgRes_ENG.dll,RemoteCfgRes_TRAD.dll. NewHCNetActiveX.cab的相关文件是 newocx.ocx,HCNetSDK.dll, playm4.dll,langchg.dll,ShowHCRemCfgWnd.dll,RemoteCfgRes_CHI.dll, RemoteCfgRes_ENG.dll,RemoteCfgRes_TRAD.dll. ３.在“开始”的“运行”中输入：regedit进入注册表，在“我的电脑”下的第一个文件夹“HKE_CLASSES_ROOT”下查找相关内容，如果存在，则是控件手动注册后，没有手动注销掉，需要用手动注销控件方法将其销毁。 说明：该情况一般适用于有我们提供的控件包，并使用其进行手动注册的情况。具体方法见4.手动注册的方法。 ４.如果完成上述步骤后，还是无法下载控件，建议重启下电脑或换台电脑测试。IE浏览涉及到的内容较多，系统其他的插件有可能造成OCX控件下载不成功。 4.手动注册的方法：

提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径

本文由【中文word文档库】搜集整理。中文word文档库免费提供海量教学资料、行业资料、范文模板、应用文书、考试学习和社会经济等word文档 “微纳电子技术”2008年第4期 专家论坛 187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 纳米器件与技术 193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟 198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模 纳米材料与结构 205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜 209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质MEMS器件与技术 214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展 219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究 显微、测量、微细加工技术与设备 222-纳米光刻对准方法及其原理 231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针 235-一维纳米结构的拉伸力学测试 240-Si 基GaN薄膜的制备方法及结构表征 ======================================= 专家论坛 187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 彭英才1，2，姚国晓3，马蕾1，王侠1 （1. 河北大学电子信息工程学院，河北保定071002； 2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京 100083； 3. 中国天威英利新能源有限公司，河北保定071051） 摘要：多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低，被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线，介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-I-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以

Shaft Alignment

The Lifetime Reliability Solutions Certificate Course in Maintenance and Reliability Module 4 – Precision Maintenance Techniques for Machinery Session 18 Machine Installation – Shaft Alignment 1. Introduction There is no dispute between vibration and reliability trainers, practitioners and commentators that misalignment, and related problems, is the principal cause of problems in rotating machinery. It is generally accepted that this is in the order of 50% of adverse vibration cases, it will of course vary from industry to industry. Attention to alignment issues alone would be a very productive place to start any reliability programme. Unlike bearings, there are no published standards for alignment tolerances. Those that have been prepared have been by industry interest groups, such as API, or by trainers who have had access to a wide input from industry as to what is effective and produces worthwhile results. A popular misconception is that flexible couplings will accommodate misalignment without detriment to other components in the machine, and adopt those criteria. The criteria given for couplings is related to the transmission of the rated torque, they give no consideration to the bearings or seals etc. There are numerous problems which have an influence upon the final alignment result and it is important to address these. Where these other issues have not been attended to an alignment task can take many hours longer than one where they have been, and the final result is most probably not so good or enduring. There is a truth that correcting the contributory problems is probably more important, and ultimately profitable, than the actual alignment itself. This session will look at these related problems and at the techniques of alignment. 30-40

电子束光刻技术研究

电子束光刻技术研究 摘要：介绍了纳米加工领域的关键技术——电子束光刻技术及其最新进展。简要介绍了电子束光刻技术和目前这种技术所存在的技术缺陷和最新的研究成果和解决办法，如：关于邻近效应的解决，关于电子束高精度扫描成像曝光效率很低的问题，如电子束与其他光学曝光系统的匹配和混合光刻等问题，以及关于抗蚀剂工艺的最新进展等。 关键词：电子束光刻技术邻近效应电子束高精度扫描成像电子束与其他光学曝光系统的匹配混合光刻抗蚀剂工艺 Abstract: This paper introduces the key technology——electron beam lithography technology and the latest developments in the field of nanofabrication. A brief introduction and electron beam lithography technology currently exists drawback of this technology and the latest research results and solutions, such as: the effect on neighboring settlement, on the low-precision electron beam exposure scanning imaging efficiency issues, such as electron beam mixing and matching and other optical lithography exposure system and other issues, as well as the latest developments on the resist process and the like. 一：概述 电子束光刻与传统意义的光刻(区域曝光)加工不同，其设备如图1所示，它是利用电子束在涂有电子抗蚀剂的晶片上直接描画或投影复印图形的技术。电子束光刻机与SEM(扫描电子显微镜)的原理基本相同，电子束被电磁场聚焦成微细束照到电子抗蚀剂(感光胶) 上，由于电子束可以方便地 由电磁场进行偏转扫描，复 杂的图形可以直接写到感 光胶上而无需使用掩模版。 与其他光刻技术相比，电子 束光刻的优点非常明显：首 先，电子束光刻分辨率高， 可达0．1 m，如直接进行刻 蚀可达到几个纳米。用电子图1

常见以太网错误帧的解释

常见以太网错误帧的解释 1 引言 我们在测试中经常会听到各种以太网帧术语，比如说CRC，Alignment，Fragment，超小帧（Runt），超长帧(oversize)，Jabber帧, Jumbo帧等。很多初学者对这些概念不清楚，我在此想对这些术语做些总结。首先介绍一些基本的概念然后再做关于错误的介绍。 2 以太网帧基本概念 以太网主要有两种帧结构Ethernet II帧和IEEE 802.3帧： Preamble : 称前导符, 由0,1 交替组成的7字节, 通知目的地准备接收 SOF: 帧首定界字符, 由两个连续的代码1结尾, 标识一帧的开始 Destination Adress & Source Adress:目的MAC地址\源MAC地址,可以是单播,组播或广播地址; T ype\Length：type表明数据域类型长度；Length表明紧随其后数据段的字节数。该值的大小区分Ethernet II帧和IEEE 802.3帧 大于1500：类型域中数值大于1500的帧是Ethernet II帧，该域中的值最小为1536 (600 hex)。 小于等于1500：长度域中数值小于等于1500的帧是IEEE 802.3帧, 该域中的值最大为1500。 DATA: 数据段, 以太网的字节传输最大值是1518 bytes(未启用Jumbo)，最小值是64 bytes，数据包中的字节数必须要能被8整除。 FCS : 帧校验,该序列为4个字节的循环冗余校验CRC, 发送方按一定计算方式产生,接收方对接收到的数据用同样的方式计算并将得到的校验码和接收到的校验码比较,如果一致认为传输正确.。 Jumbo帧：伴随着以太网速率的提高，千兆以太网的产生而提出了Jumbo帧.也称巨型帧即字节数大于1518字节的帧. 现在的单板TGE，SEC，RSEB\RSEA, MSEB\MSEA都有支持Jumbo帧的配置选项. MSEB单板最大支持的帧长可以达到64kbyte(需求只要求9600byte). 3 以太网CRC实现 在传输系统中,为了保证数据传输的正确性, 对传输过程进行差错控制, 循环冗余校验(CRC)就是一种差错控制机制.循环冗余码是建立在近世代数基础上的，编解码电路简单，

Cinestyle(佳能插件)简介和前期安装详解

Cinestyle简介和前期安装详解 Cinestyle是由Technicolor公司发布的一个针对Canon单反视频用户开发的颜色分级工具。通过使用Cinestyle加上后期的LUT，可以让佳能单反相机拍摄的视频获得更大的动态范围，更平滑的明暗过渡，更多的画面细节，以及更少的噪点。Cinestyle是针对5D Mark II开发的，但同样适用7D，550D，60D等其它Canon单反，它可以明显有效的提升单反视频的画质，就像是Red 的HDRx，或Sony的S-Log。 自从几个月前Cinestyle发布以来，着实在单反视频的世界里引起了一场不小的轰动。现在再来讲Cinestyle似乎晚了点，网上到处都是相关的信息，很多朋友也已经熟知Cinestyle的使用了。不过最近还是连续有人来问我相关的问题，很多入门级的朋友希望能有更加简明的操作指南。为了节省这些朋友和我自己的时间，我现在把Cinestyle前后期的使用方法写在这里。 这个工具的使用方法是：先将Cinestyle文件作为一个画面风格档导入相机之中，前期使用该风格档拍摄，会得到一个非常“平”的画面，保留更多的细节，保留更大的动态范围。进入后期制作时，可以在编辑软件或调色软件中调用LUT文件或直接使用调色软件来进行调整，达到理想的画面效果。 前期安装详解： １、免费下载的Cinestyle工具。先到 https://www.sodocs.net/doc/6c4690510.html,/en/hi/theatrical/visual-post-production/digit al-printer-lights/cinestyle，填写一些信息后会进入下载页面。

光刻工艺 光刻对准资料

NIKON工艺 一、对位 概述 对光刻而言，其最重要的工艺控制项有两个，其一是条宽控制，其二是对位控制。随着产品特征尺寸的越来越小，条宽和对位控制的要求也越来越高。目前0.5um的产品，条宽的要求一般是不超过中心值的10%，即条宽在0.5±0.05um之间变化；对位则根据不同的层次有不同的要求，一般而言，在多晶和孔光刻时对位的要求最高，特别是在孔光刻时，由于孔分为有源区和多晶上的孔，对位的要求更高，部分产品多晶上孔的对位偏差甚至要求小于0.14um。 在现在的IC电路制造过程中，一个完整的芯片一般都要经过十几到二十几次的光刻，在这么多次光刻中，除了第一次光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准。对位的过程存在于上版和圆片曝光的过程中，其目的是将光刻版上的图形最大精度的覆盖到圆片上已存在的图形上。它包括了以下几部分：光刻版对位系统、圆片对位系统（又包括LSA、FIA等）。对于NIKON的步进重复曝光机（Step & Repeat）而言，对位其实也就是定位，它实际上不是用圆片上的图形与掩膜版上的图形直接对准来对位的，而是彼此独立的，即，确定掩膜版的位臵是一个独立的过程，确定圆片的位臵又是另一个独立的过程。它的对位原理是，在曝光台上有一基准标记，可以把它看作是定位用坐标系的原点，所有其它的位臵都相对该点来确定的。分别将掩膜版和圆片与该基准标记对准就可确定它们的位臵。在确定了两者的位臵后，掩膜版上的图形转移到圆片上就是对准的。 光刻版对位系统 略。 圆片对位系统 圆片对位系统中，根据特定的应用或为解决依赖于圆片工艺（如铝层）而产生的对位错误，发展了各种各样对位系统：LSA、LIA、FIA。这里先作一个比较：这三种方式的最大差异是处理对位过程中遇到问题的侧重点不同，特别是在铝上，高温溅射的铝在

光刻对准

Course No. 04813190 MEMS DEVICES AND DESIGN , Spring 2004
Lecture17: MEMS Layout Design
Haixia Zhang Institute of Microelectronics, PKU
MEMS DEVICES AND DESIGN , Spring 2004, Lecture17-Layout Design, Haixia Zhang, PKU

OUTLINE
●版图设计内容与方法 ●光刻原理 ●对准标记 ●注意事项
MEMS DEVICES AND DESIGN , Spring 2004, Lecture17-Layout Design, Haixia Zhang, PKU

Layout Design 版图设计
器件设计
工艺设计
结构的几何尺寸
制造的工艺流程
版图设计
结构尺寸的参 数化/图形化 对准标记 质 量监控图形等
光刻掩膜板 工艺加工
MEMS DEVICES AND DESIGN , Spring 2004, Lecture17-Layout Design, Haixia Zhang, PKU

版图设计的主要内容
● 结构尺寸 ● 工艺要求 ● 检测图形
来自器件设计的结果 来自工艺设计的结果 加工过程的质量监控
细节
MEMS DEVICES AND DESIGN , Spring 2004, Lecture17-Layout Design, Haixia Zhang, PKU

BLAST相关术语及参数详解

Alignment: 序列比对。将两个或多个序列排在一起，以达到最大一致性的过程（对于氨基酸序列是比较它们的保守性），这样可以评估序列间的相似性和同源性。Algorithm: 算法。在计算机程序中包含的一种固定过程。 Bit score: 二进制。二进制值S＇源于统计性质被数量化的打分系统中产生的原始比对分数S。由于二进制值相对于打分系统已经被标准化，它们常用于比较不同搜索之间的比对分数。 BLOSUM: 模块替换矩阵。在替换矩阵中，每个位置的打分是在相关蛋白局部比对模块中观察到的替换的频率而获得的。每个矩阵被修改成一个特殊的进化距离。例如，在BLOSUM62矩阵中，是使用一致性不超过62%的序列进行配对来获得打分值的。一致性大于62%的序列在配对时用单个序列表示，以避免过于强调密切相关的家族成员。Conservation: 保守。指氨基酸或DNA（普遍性较小）序列某个特殊位置上的改变，并不影响原始序列的物理化学性质。 Domain: 结构域。蛋白质在折叠时与其他部分相独立的一个不连续的部分，它有着自己独特的功能。 DUST: 一个低复杂性区段过滤程序。 E value: E值。期望值。在一个数据库中所搜索到的打分值等于或大于S的不同比对的个数。E值越低，表明该打分值的显著性越好。 Filtering: 过滤，也叫掩蔽（masking）。指对那么经常产生乱真的高分数的核苷酸或氨基酸序列区域进行隐藏的过程。 Gap: 空位。在两条序列比对过程中需要在检测序列或目标序列中引入空位，以表示插入或删除。为了避免在比对时出现太多的空位，可以在收入空位的同时，从比对的打分值中减去一个固定值（空位值）。在多余的核苷酸或氨基酸周围引入空位时，也要对比对的打分值进行罚分。 Global Alignment: 整体联配。对两个核苷酸或蛋白质序列的全长进行的比对。 H: 相对熵值。目标残基和底物残基频率的相对熵记作H。H可以衡量某个位置（这个位置可以通过概率来区分比对）上由于偶然因素而得到的平均信息（用字节表示）。H值越高，短的比对就越可以通过概率来区分；H值越低，需要的比对长度越长。 Homology: 同源性。由共同的祖先所遗传得到的相似性。 HSP: High-scoring segment pair，高打分值片段。在一个给定的搜索中，没有空位的局部比对能得到最高的比对打分值。 Identity: 一致性。两个（核苷酸或氨基酸）序列比对时不变部分的长度。 K: K值。用来计算BLAST程序中打分函数的一个统计参数。它可以看作搜索空间大小的一个自然衡量尺度。K值通常用于将原始比对值S转换为二进制值S＇。 Lambda: λ值。用来计算BLAST程序中打分函数的一个统计参数；它可以看作打分系统的一个自然衡量尺度。λ值通常用于将原始比对值S转换为二进制值S＇。 Local Alignment: 局部联配。对两个核苷酸或蛋白质序列的一部分所进行的比对。 Low Complexity Region（LCR）: 低复杂性区域。指组分（包括均聚物、短周期重复片段）区域和有许多单个或多个残基的区域。SEG程序用来筛选或过滤氨基酸序列中低复杂性区域。DUST程序用来筛选或过滤核苷酸序列中的低复杂性区域。 Masking: 掩蔽。也叫过滤（filtering），指为了提高对序列相似性搜索是时的敏感性，而从序列中移除重复的或低复杂性区域的过程。

实习四：多序列比对(Multiple alignment)

实习四：多序列比对（Multiple alignment） 学号姓名专业年级 实验时间提交报告时间 实验目的： 1. 学会利用MegAlign进行多条序列比对 2. 学会使用ClustalX、MUSCLE 和T-COFFEE进行多条序列比对分析 3. 学会使用HMMER进行HMM模型构建，数据库搜索和序列比对 实验内容： 多序列比对是将多条序列同时比对，使尽可能多的相同（或相似）字符出现在同一列中。多序列比对的目标是发现多条序列的共性。如果说序列两两比对主要用于建立两条序列的同源关系，从而推测它们的结构和功能，那么，同时比对多条序列对于研究分子结构、功能及进化关系更为有用。例如，某些在生物学上有重要意义的相似区域只能通过将多个序列同时比对才能识别。只有在多序列比之后，才能发现与结构域或功能相关的保守序列片段，而两两序列比对是无法满足这样的要求的。多序列比对对于系统发育分析、蛋白质家族成员鉴定、蛋白质结构预测、保守模块的搜寻以及PCR引物设计等具有非常重要的作用。 作业： 1.Align the orthologous nucleotide and protein sequences from 5 organisms you found from first practice with MegAlign. Describe the sequences you used (the title of each sequence), explain whether the phylogenetic tree is consistent with the species tree from NCBI taxonomy database. Set the alignment report to show consensus strength and decorate the residues different from consensus with green shade. (Hint: use the taxonomy common tree from NCBI to get the evolutionary relationship among the organisms. Save your organism name in a text file with each organism name in a line, and upload the file, choose Add from file, and you will see the relationship among the specified organisms) https://www.sodocs.net/doc/6c4690510.html,/Taxonomy/CommonTree/wwwcmt.cgi Hint 2：Change the accession number in your fasta or genPept format sequence file to organism name, so that the phylogenetic tree can be easily understood. 方法与结果： 打开Megalign，选择FILE下的Enter sequence ，打开之前保存的来自于五个物种的蛋白(或核酸)序列； 首先选择打分矩阵，点击“Align”，选择Set residue Weight Table 选择矩阵：PAM100(核酸则设为weighted)，通过“method parameters”查看参数，使用Clustal V的默认值； 其次进行序列的比对，选择Align下的“by Clustal V Method”开始比对， 再次待其结束后，进行比对结果的显示，选择view下的“Phylogenetic Tree”，显示出树形图；（图）与NCBI上找到的树形图进行对比（图）；