电子线路-陈其纯版-第一章

课题

1.1 晶体二极管

课型

新课授课班级授课时数 1 教学目标

1．熟识二极管的外形和符号

2．掌握二极管的单向导电性

3．理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数

4．会检测二极管

教学重点

二极管的单向导电性

教学难点

二极管的反向特性

学情分析

教学效果

教后记

新课

引入

1．观察二极管的外形

2．得出共性特征：具有两个电极，将其拉入电路中会出现何种特性

呢？

3．演示实验

（1）实验电路

（2）现象

灯亮或不亮，说明电路导通或不通。

结论：有一类器件能单方向导电，这类器件是晶体二极管。

1.1.1 晶体二极管的单向导电性

1．结构：一个是正极，一个是负极

2．符号：

3．文字：V

4．结论：

a．外加电压为正极高电位，负极低电位时二极管导通，正偏。

b．外加电压为负极高电位，正极低电位时，二极管截止，反偏。

单向导电性：晶体二极管加一定正向电压时导通，加反向电压时截止。

随堂练习

判断二极管是否导通

1.1.2 PN结

1．本征半导体：不加杂质的纯净半导体，如硅、锗。

2．载流子：半导体中存在的两种导电的带电物体。

（1）自由电子：带负电。

（2）空穴：带正电。

特性：在外电场的作用下具有定向移动的效应，能形成电流。

3．P型半导体：在本征半导体中掺三价元素。

空穴数大于自由电子数。

即：多数载流子为空穴，少数载流子为电子。

4．N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素。

（展示各种

二极管）

（观察灯的

发光情况）

（引导）

（讨论、回

答、评析）

（讲解）

即：多数载流子为电子，少数载流子为空穴。

注意：无论是P型、N型半导体，其正、负电荷总是相等的，整个半导体保持电中性。

5．PN结

采用掺杂工艺，使硅或锗的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体区域，在P

区和N区的交界面形成一个具有特殊电性能的薄层，称为PN结。

将PN结加封装成二极管，从P区引出为正极，N区引出为负极。

结论：

（1）PN结正向偏置时，电阻很小，导通。

（2）PN结反向偏置时，电阻很大，截止。

（讲解）

（图形模拟）

（引导）练习

1．画一个可使灯发光的二极管电路。

2．将以下器件串联，使二极管导通。（学生完成）

3．画出图中的电流通路。

小结

半导体材料：硅、锗→P型、N型→PN结→单向导电性→二极管布置作业

习题一

1-1、1-2、1-3、1-4；

判断下图中二极管是否导通。

课题

1.1.3～1.1.5 二极管的伏安特性、简

单测试、分类、参数

课型

新课授课班级授课时数 1

教学目标

1．熟悉二极管的伏安特性

2．会简单测试二极管

3．理解二极管的分类、型号及参数教学重点

伏安特性、测试方法

教学难点

二极管的反向特性

学情分析

教学效果

教后记

新课

A．复习

1．二极管的特性是，具体体现为加电压导通，加电压截止。

2．判断下列电路中二极管导通情况。

B．引入

从以上第1题来看，V是否能导通，需进一步研究二极管的伏安特性。

C．新授课

1.1.3 伏安特性

实验：二极管伏安特性测试

目的：得出二极管电流随二极管电压的变化关系

实验电路：

调节触头，使加于二极管两端的电压变化，观察毫安表的变化情况有以下结论：

(1)当正向电压较小时，正向电流极小，称为死区，死区电压：硅0.5 V，锗0.2 V。

(2)当正向电压大于死区电压时，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。

(3)二极管导通后，两端电压基本稳定，一般硅为0.7 V，锗为0.3 V。

反向特性：

(1)当加反向电压时，二极管反向电阻很大，电流极小，此时电流为反向饱和电流。

(2)当反向电压不超过反向击穿电压时，反向饱和电流几乎与反向电压无关。

(3)当反向电流在反向电压增大到一定时突然增大，此时反向电压为反向击穿电压。

击穿：电击穿——可恢复；

热击穿——不可恢复。

注意：二极管正向电流不能过大，为限制电流，应在二极管电路中加串联电阻起限流作用。

1.1.4 二极管的简单测试（填空）（练习）

（讨论）（引导）

（演示实验、观察变化）

（讲解）

（引导分析伏安特性）

（引导）

一、测试基本原理

（1）二极管的伏安特性：正向时，电阻小，导通；

反向时，电阻大，截止。

（2）万用表电阻挡用万用表部电源。

注意：表电池的正极与黑表笔相连，不能与万用表面板的“＋”、“－”相混。 二、测试方法

1．选用万用表R ×100、R ×1k 挡

问题：为什么不选用R ×1挡（电流较大）

R ×10k 挡（电压较高，二极管损坏） 2．接线

3．结论 （1）一次电阻较大（大于几百千欧），一次电阻较小（几百欧、几千欧），说明二极管正常。

（2）阻值小的，与黑笔相接的为二极管的正极。

1.1.5 二极管的分类、型号和参数

1．分类

（1）材料：硅二极管、锗二极管 （2）结面积：点接触型、面接触型

（3）用途：整流、稳压、发光、光电、变容 2．主要参数

（1）最大整流电流I FM ：二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。 （2）最高反向工作电压V RM ：二极管允许承受的反向工作电压峰值，??

?

??≈31~21RM V 反向击穿电压。

（3）反向漏电流I R ：规定的反向电压和环境温度下的二极管反向电流值。I R 越小，二极管的单向导电性能越好。

（提问，引起思考）

（实操）

练习

模电第一章练习习题

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√） （6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×） 解： 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1

第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。 图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。

模电第一章习题解答

第一章 电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？ 解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。 P 1=-P 2P 3=U P 4=-元件2、4 1.2 3t C e (u -=i =-R u =L u = 1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求U ab 和P ab 。 解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与U ab 为关联参考方向，因此 P ab =U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。 +U 4 -b a 题1.3图

解：I=I S =2A ， U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ， U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ， 验算：P U +P I +P R =8-12+4=0 U U 1.7 求题1.7图中的I x 和U x 。 a b 10Ω题1.4图 +6V - (a) 3Ω (b) 题1.7图 2

解：（a ）以c 为电位参考点，则V a =2×50=100V I 3×100=V a =100，I 3=1A ， I 2=I 3+2=3A ， U X =50I 2=150V V b =U X +V a =150+100=250V I 1×25=V b =250, I 1=10A ， I X =I 1+I 2=10+3=13A （ 6×由 1.8 20 1a V I =，5502 +=a V I ， 10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即 010 50 55020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7 100 -= 1.9 在题1.9图中，设t S m S e I i t U u α-==0,ωsin ,求u L 、i C 、i 和u 。

童诗白模电第三版课后习题答案详解 第一章

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

模电 第一章习题答案

第一章习题参考答案 2．如图直流电路，已知电流表读数为3A ，电压表读数为10V ，元件A 产生功率为18W ，元件C 吸收功率为10W ，求元件B 和D 的产生功率 解：电流参考方向如图所示，电压参考方向与电流参考方向相关联 已知 V U U A i D C 10,31-==-= W i U P W i U P c c A A 10,1821==-== 解得 A i V U A 162-==，， 列a 点的KCL 方程： 321i i i += 解得A i 23-= 列KVL 方程 =++A C B U U U 解得 V U B 4= W i U P W i U P D D B B 20)2()10(12)3(421=-?-==-=-?== 所以B 产生12W 的功率，D 产生-20W 的功

率，即吸收20W 的功 率。 12．求图示电流i 解:对两个网孔列KVL 方程 1l 网孔 ：0105312=--i i (1) 2l 网孔： 0551=-i (2) (2)求出 1i =1mA ，代入(1)得2i =5mA 根据KCL 解得 i =1i +2i =6mA 14．图示电路，求各支路电流1I 、2I 和电压ab U 解： 根据KCL 定理，I=0，V U ab 10-= 左回路网孔KVL 方程 A I I 20 10511==-

右回路网孔KVL 方程 A I I 10 9922-==+ 17．求等效电阻 图a) 解：等效电阻为Ω=++=4)84//()4)6//3((R 图b) 解:等效电导为s S S S S S G ab 10)6//612//()2//2(=+=， Ω=1.0ab R 23．求开路电压ab U b a 8Ω 6Ω 8Ω

模电第一章期末知识点总结

模拟电子技术基础复习要点 一、常用半导体器件 1.半导体二极管 （1）掌握二极管具有单向导电的特性。用电位的方法来判断二极管是否导通，即，哪个二极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。 （2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。 （3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）。 交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值 （4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业：1.3 2. 半导体稳压管 （1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点 只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好 （2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。

（3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。 （3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6 3. 晶体三极管 （1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握Ic=βIb ） （2）掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。 晶体管有三个级，必然就有BE 间的输入，CE 间的输出，所以有两组特性曲线。 iB 和Ube 之间的关系，但是保证Uce 是一个恒定值 iC 和Uce 之间的关系，保证Ib 是一个恒定值 关于NPN 型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。主要是饱和区和截止区之间的区别 （3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。 （4）理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。作业：1.9，1.12 ，

共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈1 4. 场效应管 （1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。

模电试题库解析

模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小

作业1-2 一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管 e、c、b B.0.03mA 流进三极管 e、c、b C.0.03mA 流出三极管 c、e、b D.0.03mA 流进三极管 c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大

模电第1章作业答案

模拟电子技术作业答案 班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第1章半导体二极管及其应用电路 1．二极管电路如图1所示，设二极管是理想的。试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压U AO。 (a)(b) 图1 解：图a：对D1有阳极电位为0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，U AO=0 V。 图b：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使V A＝－6V；D1反偏而截止，故U AO＝－6V。 2．电路如图2所示，设二极管为理想的，输入电压为正弦波，试分别画出各图输出电压的波形。 (a)(b) 图2 解：图（a）：图（b）：

3．电路如图3所示，已知u i=5sin t(V)，二极管导通电压U D＝。试画出u i与u O的波形，并标出幅值。 图3 解： 4．电路如图4所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图4（b）所示，二极管导通电压U D＝。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 (a)(b) 图4

解： 5．电路如图5所示，所有稳压管均为硅稳压管，稳定电压U Z1=6V，U Z2=8V，假设输入信号U I足够大，二极管正向导通压降为。试分析图5所示各电路的工作情况，并求输出电压U O的值。 (a)(b) (c)(d) 图5 解：一般情况下，稳定电压不同的稳压管在电路中是不能直接并联使用的。本题主要涉及稳压二极管在电路中串联使用的问题。在起稳压作用时，稳压管应反向接入电路，以保证其工作在反向击穿区。如果稳压管正向接入电路，那么它在电路中的作用相当于普通二极管，工作在正向特性区间，导通压降为。电路中电阻R为限流电阻，保证各稳压管正常工作。 图5(a)所示电路中，稳压管D Z1和D Z2均反向接入电路，可以判定两个稳压管均工作在 反向击穿区，在电路起稳压的作用。因此输出电压 O U为两个稳压管稳定电压的叠加，即 O 6V8V=14V U U U =+=+ Z1Z2 图5(b)所示电路中，稳压管D Z1正向接入电路，工作在正向导通状态；稳压管D Z2反向

模电 课后作业 第1章

第一章大题 1．温度升高后，本征半导体内（ D ） a．自由电子数目增多，空穴数目基本不变。b．空穴数目增多，自由电子数目基本不变。c．自由电子和空穴数目都不变。d．自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 2、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为零的电池正向连接，该管【 B 】。 A、击穿； B、电流过大使管子烧坏； C、电流约为零； D、电流正常 3、硅稳压管工作在【 A 】，工作时它必须串联一个合适的限流电阻R。 A、反向击穿区； B、反向区； C、正向区； D、过功耗区 4．发光二极管发光时，其工作在( A )。 a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区 5、有Ⅰ，Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ四个二极管，测得他们的反向电流分别是2μA、0.5μA、5μA、0.5μA；在外加相同的正向电压时，电流分别是10mA、30mA、40mA、40mA。比较而言，（B ）管性能最好。 A Ⅳ B Ⅲ C Ⅱ D Ⅰ 6、PN结反向向偏置时，其内电场被（ B ）。 A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定 7、PN结反向电压的数值增大，小于击穿电压，（ C ）。 a：其反向电流增大；b：其反向电流减小；c：其反向电流基本不变 8、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。 a：单向导电性；b：反向击穿性；c：电容特性 9、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ C ）。 a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA 10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（A ）。 A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 11、若测得工作在放大电路中的某一个BJT的三个电极的直流电位为：U1＝6 V、U2＝11.3 V、U3＝12 V，则据此判断该管是【 B 】。 A、PNP型Ge管； B、PNP型Si管； C、NPN型Si管； D、NPN型Ge管 12．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( A )。 a．NPN 型硅管b．NPN 型锗管c．PNP 型硅管d．PNP 型锗管 13、若测得工作在放大电路中的某一个BJT的3个电极的直流电位为：U1＝3.6 V、U2＝2.9 V、U3＝12 V，则据此判断该管是【 C 】。 A、PNP型Ge管； B、PNP型Si管； C、NPN型Si管； D、NPN型Ge管 14、若测得工作在放大电路中的某一个BJT的3个电极的直流电位为：U1＝5.9 V、U2＝5.2 V、U3＝15 V，则据此判断该管是《C》。 A、PNP型Ge管； B、PNP型Si管； C、NPN型Si管； D、NPN型Ge管 16、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（C ），该管是（E ）型。

模电习题册(第1章)

专业姓名学号成绩 1-1、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 1-2、电路如图所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i与u O的波形，并标出幅值。 1-3、电路如图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。

1-4、电路如图（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 1-5、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 1-6、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。 （1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值； （2）若U I＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？

专业姓名学号成绩 1-7、在图所示电路中，发光二极管导通电压U D＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R的取值范围是多少？ 1-8、电路如图所示，V CC＝15V，β＝100，U BE＝0.7V。试问： （1）R b＝50kΩ时，u O＝？（2）若T临界饱和，则R b≈？（设临界饱和时U CES＝U BE＝0.7V） 1-9、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 解：答案填入下表

模电第一章作业解答

《模拟电子技术基础》习题解答 第一章 1.5.1在某一放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压峰－峰值分别为5μA 和5mV ，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压峰－峰值为1V 。试计算该放大电路的电压增益A v 、电流增益A i 、功率增益A p ，并换算成dB 表示。 【解答】 本题的目的是加深对增益概念的理解与应用。 【讨论】 (1) 试证明： (2) 在电子和信号中，常用到分贝(dB)的概念，该量单位引出是从能量来的，在电学中，能量是与电压或电流的平方相关联，所以在电压或电流增益中，系数为20 1.5.4 某放大电路输入电阻R i =10kΩ，如果用1μA 电流源（内阻为∞)驱动，放大电路输出短路电流为10mA ，开路输出电压为10V 。求放大电路接4kΩ负载电阻时的电压增益A v 、电流增益A i 、功率增益A p ，并分别换算成dB 数表示。 【解答】等效电路如图所示。 首先根据输出短路电流与开路电压求出输出电阻 i s L

当负载电阻为4kΩ时，有： 【讨论】 (1) 常用计算： 从而可推出： (2) 本题的目的是加深对放大器的电路等效模型、增益概念的理解与应用。要求模型、电路概念要清晰。 (3) 通过本题练习，总结归纳放大器输入电阻、输出电阻和放大倍数的测量方法。 1.5.5有以下三种放大电路备用(1)高输入电阻型：R i1=1MΩ ，A vo1=10，R o1=10kΩ；(2)高增益型：R i2=10kΩ ，A vo2=100，R o2=1kΩ ；(3)低输出电阻型：R i3=10k Ω ，A vo3=1 ，R o3=20 Ω ；用这三种放大电路组合，设计一个能在100 Ω负载电阻上提供至少0.5W功率的放大器。已知信号源开路电压为30mV(有效值) ，内阻为R s=0.5M Ω。 【解答】等效电路如图所示。 根据题意，组成多级电路时，第一给用高输入电阻放大器，第三级用低输出电阻 v s v o 图1－2