LCD、半导体电子化学品项目可行性研究报告

LCD、半导体电子化学品项目可行性研究报告

中咨国联出品

目录

第一章总论 (9)

1.1项目概要 (9)

1.1.1项目名称 (9)

1.1.2项目建设单位 (9)

1.1.3项目建设性质 (9)

1.1.4项目建设地点 (9)

1.1.5项目负责人 (9)

1.1.6项目投资规模 (10)

1.1.7项目建设规模 (10)

1.1.8项目资金来源 (12)

1.1.9项目建设期限 (12)

1.2项目建设单位介绍 (12)

1.3编制依据 (12)

1.4编制原则 (13)

1.5研究范围 (14)

1.6主要经济技术指标 (14)

1.7综合评价 (16)

第二章项目背景及必要性可行性分析 (18)

2.1项目提出背景 (18)

2.2本次建设项目发起缘由 (20)

2.3项目建设必要性分析 (20)

2.3.1促进我国LCD、半导体电子化学品产业快速发展的需要 (21)

2.3.2加快当地高新技术产业发展的重要举措 (21)

2.3.3满足我国的工业发展需求的需要 (22)

2.3.4符合现行产业政策及清洁生产要求 (22)

2.3.5提升企业竞争力水平，有助于企业长远战略发展的需要 (22)

2.3.6增加就业带动相关产业链发展的需要 (23)

2.3.7促进项目建设地经济发展进程的的需要 (23)

2.4项目可行性分析 (24)

2.4.1政策可行性 (24)

2.4.2市场可行性 (24)

2.4.3技术可行性 (24)

2.4.4管理可行性 (25)

2.4.5财务可行性 (25)

2.5LCD、半导体电子化学品项目发展概况 (25)

2.5.1已进行的调查研究项目及其成果 (26)

2.5.2试验试制工作情况 (26)

2.5.3厂址初勘和初步测量工作情况 (26)

2.5.4LCD、半导体电子化学品项目建议书的编制、提出及审批过程 (27)

2.6分析结论 (27)

第三章行业市场分析 (28)

3.1市场调查 (28)

3.1.1拟建项目产出物用途调查 (28)

3.1.2产品现有生产能力调查 (28)

3.1.3产品产量及销售量调查 (29)

3.1.4替代产品调查 (29)

3.1.5产品价格调查 (29)

3.1.6国外市场调查 (30)

3.2市场预测 (30)

3.2.1国内市场需求预测 (30)

3.2.2产品出口或进口替代分析 (31)

3.2.3价格预测 (31)

3.3市场推销战略 (31)

3.3.1推销方式 (32)

3.3.2推销措施 (32)

3.3.3促销价格制度 (32)

3.3.4产品销售费用预测 (32)

3.4产品方案和建设规模 (33)

3.4.1产品方案 (33)

3.4.2建设规模 (33)

3.5产品销售收入预测 (34)

3.6市场分析结论 (34)

第四章项目建设条件 (35)

4.1地理位置选择 (35)

4.2区域投资环境 (36)

4.2.1区域概况 (36)

4.2.2地形地貌条件 (36)

4.2.3气候条件 (36)

4.2.4交通区位条件 (37)

4.2.5经济发展条件 (38)

第五章总体建设方案 (40)

5.1总图布置原则 (40)

5.2土建方案 (40)

5.2.1总体规划方案 (40)

5.2.2土建工程方案 (41)

5.3主要建设内容 (42)

5.4工程管线布置方案 (43)

5.4.2供电 (45)

5.5道路设计 (47)

5.6总图运输方案 (47)

5.7土地利用情况 (47)

5.7.1项目用地规划选址 (47)

5.7.2用地规模及用地类型 (47)

第六章产品方案 (50)

6.1产品方案 (50)

6.2产品性能优势 (50)

6.3产品执行标准 (50)

6.4产品生产规模确定 (50)

6.5产品工艺流程 (51)

6.5.1产品工艺方案选择 (51)

6.5.2产品工艺流程 (51)

6.6主要生产车间布置方案 (58)

6.7总平面布置和运输 (58)

6.7.1总平面布置原则 (58)

6.7.2厂内外运输方案 (58)

6.8仓储方案 (59)

第七章原料供应及设备选型 (60)

7.1主要原材料供应 (60)

7.2主要设备选型 (60)

7.2.1设备选型原则 (61)

7.2.2主要设备明细 (61)

第八章节约能源方案 (64)

8.1本项目遵循的合理用能标准及节能设计规范 (64)

8.2建设项目能源消耗种类和数量分析 (64)

8.2.1能源消耗种类 (64)

8.2.2能源消耗数量分析 (65)

8.3项目所在地能源供应状况分析 (65)

8.4主要能耗指标及分析 (65)

8.4.1项目能耗分析 (65)

8.4.2国家能耗指标 (66)

8.5节能措施和节能效果分析 (66)

8.5.1工业节能 (66)

8.5.2电能计量及节能措施 (67)

8.5.3节水措施 (67)

8.5.4建筑节能 (68)

8.6结论 (69)

第九章环境保护与消防措施 (70)

9.1设计依据及原则 (70)

9.1.1环境保护设计依据 (70)

9.1.2设计原则 (70)

9.2建设地环境条件 (70)

9.3 项目建设和生产对环境的影响 (71)

9.3.1 项目建设对环境的影响 (71)

9.3.2 项目生产过程产生的污染物 (72)

9.4 环境保护措施方案 (73)

9.4.1 项目建设期环保措施 (73)

9.4.2 项目运营期环保措施 (74)

9.4.3环境管理与监测机构 (75)

9.5绿化方案 (76)

9.6消防措施 (76)

9.6.1设计依据 (76)

9.6.2防范措施 (76)

9.6.3消防管理 (78)

9.6.4消防设施及措施 (78)

9.6.5消防措施的预期效果 (79)

第十章劳动安全卫生 (80)

10.1 编制依据 (80)

10.2概况 (80)

10.3 劳动安全 (80)

10.3.1工程消防 (80)

10.3.2防火防爆设计 (81)

10.3.3电气安全与接地 (81)

10.3.4设备防雷及接零保护 (81)

10.3.5抗震设防措施 (82)

10.4劳动卫生 (82)

10.4.1工业卫生设施 (82)

10.4.2防暑降温及冬季采暖 (83)

10.4.3个人卫生 (83)

10.4.4照明 (83)

10.4.5噪声 (83)

10.4.6防烫伤 (83)

10.4.7个人防护 (83)

10.4.8安全教育 (84)

第十一章企业组织机构与劳动定员 (85)

11.1组织机构 (85)

11.2激励和约束机制 (85)

11.3人力资源管理 (86)

11.4劳动定员 (86)

11.5福利待遇 (87)

第十二章项目实施规划 (88)

12.1建设工期的规划 (88)

12.2 建设工期 (88)

12.3实施进度安排 (88)

第十三章投资估算与资金筹措 (90)

13.1投资估算依据 (90)

13.2建设投资估算 (90)

13.3流动资金估算 (92)

13.4资金筹措 (92)

13.5项目投资总额 (93)

13.6资金使用和管理 (98)

第十四章财务及经济评价 (99)

14.1总成本费用估算 (99)

14.1.1基本数据的确立 (99)

14.1.2产品成本 (100)

14.1.3平均产品利润与销售税金 (101)

14.2财务评价 (101)

14.2.1项目投资回收期 (101)

14.2.2项目投资利润率 (102)

14.2.3不确定性分析 (102)

14.3综合效益评价结论 (105)

第十五章风险分析及规避 (107)

15.1项目风险因素 (107)

15.1.1不可抗力因素风险 (107)

15.1.2技术风险 (107)

15.1.3市场风险 (107)

15.1.4资金管理风险 (108)

15.2风险规避对策 (108)

15.2.1不可抗力因素风险规避对策 (108)

15.2.2技术风险规避对策 (108)

15.2.3市场风险规避对策 (108)

15.2.4资金管理风险规避对策 (109)

第十六章招标方案 (110)

16.1招标管理 (110)

16.2招标依据 (110)

16.3招标范围 (110)

16.4招标方式 (111)

16.5招标程序 (111)

16.6评标程序 (112)

16.7发放中标通知书 (112)

16.8招投标书面情况报告备案 (112)

16.9合同备案 (112)

第十七章结论与建议 (113)

17.1结论 (113)

17.2建议 (113)

附表 (114)

附表1 销售收入预测表 (114)

附表2 总成本表 (115)

附表3 外购原材料表 (116)

附表4 外购燃料及动力费表 (117)

附表5 工资及福利表 (118)

附表6 利润与利润分配表 (119)

附表7 固定资产折旧费用表 (120)

附表8 无形资产及递延资产摊销表 (121)

附表9 流动资金估算表 (122)

附表10 资产负债表 (123)

附表11 资本金现金流量表 (124)

附表12 财务计划现金流量表 (125)

附表13 项目投资现金量表 (127)

附表14 借款偿还计划表 (129)

附表 (131)

附表1 销售收入预测表 (131)

附表2 总成本费用估算表 (132)

附表3 外购原材料表 (133)

附表4 外购燃料及动力费表 (134)

附表5 工资及福利表 (135)

附表6 利润与利润分配表 (136)

附表7 固定资产折旧费用表 (137)

附表8 无形资产及递延资产摊销表 (138)

附表9 流动资金估算表 (139)

附表10 资产负债表 (140)

附表11 资本金现金流量表 (141)

附表12 财务计划现金流量表 (142)

附表13 项目投资现金量表 (144)

附表14借款偿还计划表 (146)

第一章总论

总论作为可行性研究报告的首章，要综合叙述研究报告中各章节的主要问题和研究结论，并对项目的可行与否提出最终建议，为可行性研究的审批提供方便。总论章可根据项目的具体条件，参照下列内容编写。（本文档当前的正文文字都是告诉我们在该处应该写些什么，当您按要求写出后，这些说明文字的作用完成，就可以删除了。编者注）

1.1项目概要

1.1.1项目名称

企业或工程的全称，应和项目建议书所列的名称一致

LCD、半导体电子化学品生产项目

1.1.2项目建设单位

承办单位系指负责项目筹建工作的单位，应注明单位的全称和总负责人

中咨国联项目管理咨询有限公司

1.1.3项目建设性质

新建或技改项目

1.1.4项目建设地点

本项目建设地点为陕西省兴平市庄头镇工业园区

1.1.5项目负责人

刘海

1.1.6项目投资规模

本次项目的总投资为XXX万元，其中，建设投资为XX万元（土建工程为XXX万元，设备及安装投资XXX万元，土地费用XXX万元，其他费用为XX万元，预备费XX万元），铺底流动资金为XX万元。

本次项目建成后可实现年均销售收入为XX万元，年均利润总额XX 万元，年均净利润XX万元，年上缴税金及附加为XX万元，年增值税为XX万元；投资利润率为XX%，投资利税率XX%，税后财务内部收益率XX%，税后投资回收期(含建设期)为5.47年。

项目的总投资为17000.00万元，其中，建设投资为10000.00万元（土建工程为3234.00万元，设备及安装投资4565.00万元，土地费用750.00万元，其他费用为1189.16万元，预备费261.84万元），建设期利息为367.50万元，铺底流动资金为6632.50万元。

项目建成后，达产年可实现年产值50000.00万元，年均销售收入为39545.45万元，年均利润总额10350.34万元，年均净利润7762.75万元，年均上缴税金及附加为222.61万元，年均上缴增值税为2226.11万元；投资利润率为60.88%，投资利税率75.29%，税后财务内部收益率50.24%，税后投资回收期(含建设期)为3.22年。

1.1.7项目建设规模

主要产品及副产品品种和产量，案例如下：

本次“LCD、半导体电子化学品产业项目”建成后主要生产产品：LCD、半导体电子化学品

达产年设计生产能力为：年产LCD、半导体电子化学品产品XXX(产量)。

项目总占地面积XX亩，总建筑面积XXX.00平方米；主要建设内容及规模如下：

主要建筑物、构筑物一览表

工程类别工段名称层数占地面积（m2）建筑面积（m2）

1、主要生产系统生产车间1 1 生产车间2 1 生产车间3 1 生产车间4 1 原料库房 1 成品库房 1

2、辅助生产系统

办公综合楼8 技术研发中心 4 倒班宿舍、食堂 5 供配电站及门卫室 1 其他配套建筑工程 1 合计

行政办公及生活设施占地面积

3、辅助设施道路及停车场 1 绿化 1

本项目建成后主要生产产品为LCD、半导体电子化学品，达产年设计产能为：年产LCD、半导体电子化学品系列产品XXX万吨。

本次建设项目占地面积50亩，总建筑面积20020.00 平方米；主要建设内容及规模如下：

主要建筑物、构筑物一览表

序号单体名称占地面积（m2）层数建筑面积（m2）

1 标准工业厂房9000.00 1 9000.00

2 标准库房4600.00 1 4600.00

3 办公综合楼800.00 3 2400.00

4 职工宿舍、食堂800.00 4 3200.00

5 配电房220.00 1 220.00

6 门卫室40.00 1 40.00

7 环保处理站300.00 1 300.00

8 其他辅助设施260.00 1 260.00

合计16020.00 20020.00 行政办公及其他设施占地面积1060.00

公共设施道路及硬化9800.00 9800.00 绿化4200.00 4200.00

1.1.8项目资金来源

本次项目总投资资金XX.00万元人民币，其中由项目企业自筹资金XX.00万元，申请银行贷款XX.00万元。

本项目总投资资金17000.00万元人民币，资金来源为项目企业自筹资金12000.00万元，申请银行贷款5000.00万元。

1.1.9项目建设期限

本次项目建设期从2018年XX月至2019年XX月，工程建设工期为XX个月。

本项目建设从2018年6月—2020年5月，建设工期共计24个月。

1.2项目建设单位介绍

项目公司简介

1.3编制依据

在可行性研究中作为依据的法规、文件、资料、要列出名称、来源、发布日期。并将其中必要的部分全文附后，作为可行性研究报告的附件，这些法规、文件、资料大致可分为四个部分：

项目主管部门对项目的建设要求所下达的指令性文件；对项目承办单位或可行性研究单位的请示报告的批复文件。

可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件。

国家和拟建地区的工业建设政策、法令和法规。

根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料。

案例如下：

1.《中华人民共和国国民经济和社会发展“十三五”规划纲要》；

2.《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020）》；

3.《产业“十三五”发展规划》；

4.《本省国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要》；

5.《国家战略性新兴产业“十三五”发展规划》；

6.《国家产业结构调整指导目录（2011年本）》；

7.《建设项目经济评价方法与参数及使用手册》（第三版）；

8.《工业可行性研究编制手册》；

9.《现代财务会计》；

10.《工业投资项目评价与决策》；

11.项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据；

12.国家公布的相关设备及施工标准。

1.4编制原则

（1）充分利用企业现有基础设施条件，将该企业现有条件（设备、场地等）均纳入到设计方案，合理调整，以减少重复投资。

（2）坚持技术、设备的先进性、适用性、合理性、经济性的原则，采用国内最先进的产品生产技术，设备选用国内最先进的，确保产品的质

量，以达到企业的高效益。

（3）认真贯彻执行国家基本建设的各项方针、政策和有关规定，执行国家及各部委颁发的现行标准和规范。

（4）设计中尽一切努力节能降耗，节约用水，提高能源的重复利用率。

（5）注重环境保护，在建设过程中采用行之有效的环境综合治理措施。

（6）注重劳动安全和卫生，设计文件应符合国家有关劳动安全、劳动卫生及消防等标准和规范要求。

1.5研究范围

本研究报告对企业现状和项目建设的可行性、必要性及承办条件进行了调查、分析和论证；对产品的市场需求情况进行了重点分析和预测，确定了本项目的产品生产纲领；对加强环境保护、节约能源等方面提出了建设措施、意见和建议；对工程投资、产品成本和经济效益等进行计算分析并作出总的评价；对项目建设及运营中出现风险因素作出分析，重点阐述规避对策。

1.6主要经济技术指标

项目主要经济技术指标表

序号项目名称单位数据和指标

一主要指标

1 总占地面积亩

2 总建筑面积㎡

3 道路㎡

4 绿化面积㎡

5 总投资资金，其中：万元

建筑工程万元

设备及安装费用万元

土地费用万元

二主要数据

1 达产年年产值万元

2 年均销售收入万元

3 年平均利润总额万元

4 年均净利润万元

5 年销售税金及附加万元

6 年均增值税万元

7 年均所得税万元

8 项目定员人

9 建设期月

三主要评价指标

1 项目投资利润率% 29.80%

2 项目投资利税率% 40.55%

3 税后财务内部收益率% 18.97%

4 税前财务内部收益率% 26.51%

5 税后财务静现值(ic=10%)万元

6 税前财务静现值(ic=10%)万元

7 投资回收期(税后)含建设期年 5.47

8 投资回收期(税前)含建设期年 4.36

9 盈亏平衡点% 45.18%

项目主要经济技术指标表

序号项目名称单位数据和指标一主要指标

1 总占地面积亩50.00

2 总建筑面积㎡20020.00

3 达产年设计生产能力万吨/年10.00

4 总投资资金，其中：万元17000.00 4.1 建筑工程费用万元3234.00 4.2 设备及安装费用万元4565.00 4.3 土地费用万元750.00 4.4 其他费用万元1189.16 4.

5 预备费用万元261.84 4.

6 建设期利息万元367.50 4.

7 铺底流动资金万元6632.50 二主要数据

1 正常达产年年产值万元50000.00

2 计算期内年均销售收入万元39545.45

3 年平均利润总额万元10350.34

电子化学品细分市场概况

●集成电路电子化学品 为集成电路（IC）产业配套的主要是光刻胶、高纯试剂、电子特种气体、封装材料等。集成电路配套的电子化学品是最关键的材料，目前世界集成电路水平已经由微米级（1.0μm）、亚微米级（1.0-0.35μm）、深亚微米级（0.35μm以下）进入到纳米级（90-65nm）阶段。 2007 年全球IC （集成电路）工艺化学品的市场需求达到190 亿美元，2012 年前的年均增速将达到7%~7.5%。 国内集成电路用等电子试剂主要品种有上百种，但只占国内总需求量的20％。2～3μm技术用试剂已基本可以实现生产供应，0．8～1．2μm用试剂仍处开发阶段，国内市场几乎全部依赖进口。“十五”期间国内集成电路用超纯试剂的需求量接近1万吨，而国内生产企业实际能提供的量仅10％。随着电子工业飞速发展，对配套电子试剂将有更大的需求。 ●半导体行业需求 工程院调查和预测，中国2005年半导体材料材料的需求情况是（见表8）：多晶硅需求将达1500吨；单晶硅约600吨；硅抛光片约8000万平方英寸；硅外延片500万平方英寸；GaAs单晶2000千克；GaAs外延片3～4万片；InP单晶120千克；化学试剂8000吨；塑封料8000吨；键合金丝3000千克。 ●液晶行业需求 由于技术、成本等方面的优势，TFT 液晶显示器（TFT-LCD）已经成为显示器之主流。数据显示2008 年全球液晶电视首次超过CRT 电视，出货量为10504 万台，占总量的51.3%。并且有报告显示到2010 年，TFT-LCD显示器将占据显示器领域的90%的市场份额。目前，国内企业投入建设和规划建设的TFT-LCD 生产线主要是京东方在成都建造4.5 代TFT-LCD生产线，主要涉及中小尺寸面板；京东方在合肥建造6 代TFT-LCD 生产线，主要涉及电视用液晶面板；京东方在北京建造8 代TFT-LCD 生产线，主要涉及大电视用液晶面板。同时上广电规划在上海建设8 代TFT-LCD 生产线，TCL 在深圳建设8.5 代TFT-LCD 生产线，龙腾光电规划建设7.5 代TFT-LCD 生产线等，彩虹集团在张家港建设6 代生产线。此外国外面板生产企业由于制造成本较高，具有将生产线向国内转移的趋势，如韩国LG 将在广州投资兴建8.5 代生产线。 保守估计到2010 年，大尺寸液晶面板对全球液材料的需求量560 吨，单体液晶的需求量超过600 吨；2012 年，大尺寸液晶面板对全球液晶材料的需求量超过700 吨，单体液晶的需求量达到770 吨。 2010 年我国液晶电视同比增长79.5%，预计全球液晶电视2010 年产量增速为17%，三大终端领域均出现强劲增长，且国内增速大大超过全球增速。2008年中国液晶电视销量占全球的12.5%，保守估计2010年中国占全球比为28.3%，2010 年，我国大尺寸液晶面板对液晶材料的需求量158 吨，2012年220吨。 未来我国液晶材料需求的增长来自于两个方面：需求量本身的增长和产品升级（如TFT 材料在需求结构中的日益上升）带来的增长。根据大尺寸液晶面板的计算方法，我们预计2010 年我国大陆中小尺寸液晶面板对液晶材料的需求量在53 吨，单体液晶的需求量接近60 吨。 ●LED LED 光源可广泛应用于背光源、广告显示屏、汽车照明以及交通信息标识、通用照明等领域。

中科大半导体器件原理考试重点

《半导体器件原理》课程复习提纲 2017.12 基础：半导体物理、半导体器件的基本概念、物理效应。 重点：PN结、金半结、双极型晶体管、JFET、MESFET、MOSFET。根据物理效应、物理方程、实验修正等，理解半导体器件的工作原理和特性曲线，掌握器件的工作方程和各种修正效应，了解器件的参数意义，能够进行器件设计、优化、应用、仿真与建模等。 第一章：半导体物理基础 主要内容包括半导体材料、半导体能带、本征载流子浓度、非本征载流子、本征与掺杂半导体、施主与受主、漂移扩散模型、载流子输运现象、平衡与非平衡载流子。 半导体物理有关的基本概念，质量作用定律，热平衡与非平衡、漂移、扩散，载流子的注入、产生和复合过程，描述载流子输 运现象的连续性方程和泊松方程。（不作考试要求） 第二章：p－n结 主要内容包括热平衡下的p－n结，空间电荷区、耗尽区（耗尽层）、内建电场等概念，p－n结的瞬态特性，结击穿，异质结与高低结。 耗尽近似条件，空间电荷区、耗尽区（耗尽层）、内建电势等概念，讨论pn结主要以突变结（包括单边突变结）和线性缓变结为例，电荷分布和电场分布，耗尽区宽度，势垒电容和扩散电容的概念、定义，直流特性：理想二极管IV方程的推导；

对于考虑产生复合效应、大注入效应、温度效应对直流伏安特性的简单修正。PN的瞬态特性，利用电荷控制模型近似计算瞬变时间。结击穿机制主要包括热电击穿、隧道击穿和雪崩击穿。要求掌握隧道效应和碰撞电离雪崩倍增的概念，雪崩击穿条件，雪崩击穿电压、临界击穿电场及穿通电压的概念，异质结的结构及概念，异质结的输运电流模型。高低结的特性。 第三章：双极型晶体管 主要内容包括基本原理，直流特性，频率响应，开关特性，异质结晶体管。 晶体管放大原理，端电流的组成，电流增益的概念以及提高电流增益的原则和方法。理性晶体管的伏安特性，工作状态的判定，输入输出特性曲线分析，对理想特性的简单修正，缓变基区的少子分布计算，基区扩展电阻和发射极电流集边效应，基区宽度调制，基区展宽效应，雪崩倍增效应，基区穿通效应，产生复合电流和大注入效应，晶体管的物理模型E－M模型和电路模型G－P 模型。跨导和输入电导参数，低频小信号等效电路和高频等效电路，频率参数，包括共基极截止频率fα和共射极截止频率fβ的定义，特征频率f T的定义，频率功率的限制，其中少子渡越基区时间，提高频率特性的主要措施。开关特性的参数定义，开关时间的定义和开关过程的描述，利用电荷控制方程简单计算开关时间。 开关晶体管中最重要的参数是少子寿命。异质结双极型晶体管的结构及优点。

电子技术基础1.4(半导体器件)

场效应管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以输入电阻高，且温度稳定性好。 绝缘栅型场效应管 MOS管增强型NMOS管耗尽型NMOS管增强型PMOS管耗尽型PMOS管 1.4 绝缘栅场效应管(IGFET)

1. G 栅极D 漏极 S 源极B 衬极 SiO 2 P 型硅衬底耗尽层 N + N + 栅极和其它电极之间是绝缘的，故称绝缘栅场效应管。 MOS Metal oxide semiconductor 1.4.1 N 沟道增强型绝缘栅场效应管(NMOS)电路符号 D G S

G D S B P N + N + 2. 工作原理 (1) U GS 对导电沟道的控制作用(U DS =0V) 当U GS ≥U GS(th)时，出现N 型导电沟道。 耗尽层 开启电压：U GS(th) U GS N 型沟道 U GS 值越大沟道电阻越小。

G D S B P N + N + (2) U DS 对导电沟道的影响(U GS >U GS(th)) U GS U DD R D U DS 值小，U GD >U GS(th)，沟道倾斜不明显，沟道电阻近似不变，I D 随U DS 线性增加。 I D U GD =U GS -U DS 当U DS 值增加使得U GD =U GS(th)，沟道出现预夹断。U DS =U GS -U GS(th) 随着U DS 增加，U GD

1 234 U GS V 2 4 6I D /mA 3. 特性曲线 输出特性曲线:I D =f (U DS ) U GS =常数 转移特性曲线:I D =f (U GS ) U DS =常数 U GS =5V 6V 4V 3V 2V U DS =10V 恒流区 U GS(th) U DS /V 5 10 151 234 I D /mA 可变电阻区 截止区 U GD =U GS(th) 2 GS D DO GS(th)1U I I U ?? =- ? ??? I DO 是U GS =2U GS(th)时的I D 值 I DO U GD >U GS(th) U GD

半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)

常用术语翻译 active region 有源区 2.active ponent有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性 22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）

浅说半导体封装材料

浅说半导体封装材料 (无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214002) 摘要：本文阐述了半导体封装材料的进展情况，其中包括半导体封装材料市场在整个电子材料市场中所占的比例，以及半导体封装材料随半导体封装产业的发展所取得的研究成果。 关键词：半导体封装材料；电子材料供应商；市场 1前言 Managing公司和Prismark公司合伙人Shiuh-kaoChiang博士于2002年在上海《SEMICOM China 2002Technical Symposium》会上发表了题为"半导体封装材料供应链"的论文(英文)。他是一位半导体封装材料的专家，毕业于台湾NationalTsingHua大学材料科学和工程系，曾获NotreDame大学金属工程学硕士、Ohio State大学陶瓷工程学博士和ClevelandState大学MBA。他在电子材料、封装和工艺领域拥有多项专利和多部(篇)学术著作和论文。 半导体封装材料是电子材料的重头戏，所占份额居首位。随着半导体器件封装的小型化、片状化、薄型化和焊球阵列化，对半导体封装材料的要求越来越高，期望半导体封装材料朝多功能化、多品种化和低价格化方向发展。 2电子材料市场 在过去20年电子工业制造业发展很快，年增长率达6％-7％，2002年全球电子工业制造业市场达1万亿美元，包括计算机、蜂窝电话、路由器、DVD、发动机控制器和起搏器等。亚洲(除日本外)是世界电子工业制造业的中心之一，它包括中国、台湾地区和韩国等，其市场约占全球电子工业制造业市场的20％，即200亿美元，其年增长率超过10％，而全球其他地区的年增长率仅为5％-6％。 电子材料市场是随着电子工业制造业市场的发展而增长，电子材料市场约占电子工业制造业市场的7％，2002年电子材料市场将达669亿美元。电子材料市场中有源器件占29％，无源器件占26％，互连衬底占15％，能量转换占14％，数据存储占8％，系统输入／输出占5％，装配、热防护层占3％。有源器件包括半导体分立器件和IC，其中，前道材料占电子材料市场的22％，达149亿美元；后道材料占7％，达45亿美元。有源器件材料中占重头的是晶圆，加工晶圆的相关晶圆的相关材料和半导体封装材料。前道材料包括Si晶圆、玻璃光掩模坯、光致抗蚀剂、湿化学试剂、其他晶圆、抗蚀剂辅助材料、化学机械抛光(CMP)材料、淀积靶、镀覆和电解质等。其中CMP和化合物半导体晶圆发展最快，年增长率超过11．7％。后道材料，即半导体封装材料，包括模塑化合物、芯片粘接、填充料、键合线和灌封料等。上述电子材料中不包括CRT玻璃壳、光学透镜、铜缆、光缆、连接和开关用聚合物、铅酸电池材料、薄板金属和包装箱等。电子材料指主要涉及发展电子工业的工程材料。 3电子材料供应商 电子材料供应商主要由日本和美国公司所霸占。欧洲只有少数的几家公司，成功的只有一家，如DELO公司。亚洲半导体封装材料供应商(除日本外)开始步人封装材料市场的大门，如Chang Chun、Eternal公司等已成为该行业的著名公司，将来有望成为重要的封装材料供应商。表1给出了全球20大电子材料供应商名单，它包括名次、销售额和所提供的电子材料。封装材料供应商常常是电子材料公司业务中的一个产品集团。表1所统计的数据是基于财政年度最终结日的兑换率，日本公司财政年度终结日为2001，3，31，其他大多数公司财政年度终结日为2000，12，31，外汇兑换率为：1美元=126．33日元1．06202欧元。 从表1可知，半导体封装材料供应商也是由少数几家公司处"统治"地位，如Ablestik公司是

半导体封装技术向高端演进 (从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP)

半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。总体说来，半导体封装经历了三次重大革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，满足了市场对高引脚的需求，改善了半导体器件的性能；芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到最小。 高级封装实现封装面积最小化 芯片级封装CSP。几年之前封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比逐步减小到接近1的水平，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来区别以前的封装。就目前来看，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有的公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP，而有的公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1.4或1.2的定为CSP。目前开发应用最为广泛的是FBGA和QFN等，主要用于内存和逻辑器件。就目前来看，CSP的引脚数还不可能太多，从几十到一百多。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置。 CSP封装具有以下特点：解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题；封装面积缩小到BGA的1/4至1/10；延迟时间缩到极短；CSP封装的内存颗粒不仅可以通过PCB板散热，还可以从背

面散热，且散热效率良好。就封装形式而言，它属于已有封装形式的派生品，因此可直接按照现有封装形式分为四类：框架封装形式、硬质基板封装形式、软质基板封装形式和芯片级封装。 多芯片模块MCM。20世纪80年代初发源于美国，为解决单一芯片封装集成度低和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上组成多种多样的电子模块系统，从而出现多芯片模块系统。它是把多块裸露的IC芯片安装在一块多层高密度互连衬底上，并组装在同一个封装中。它和CSP封装一样属于已有封装形式的派生品。 多芯片模块具有以下特点：封装密度更高，电性能更好，与等效的单芯片封装相比体积更小。如果采用传统的单个芯片封装的形式分别焊接在印刷电路板上，则芯片之间布线引起的信号传输延迟就显得非常严重，尤其是在高频电路中，而此封装最大的优点就是缩短芯片之间的布线长度，从而达到缩短延迟时间、易于实现模块高速化的目的。 WLCSP。此封装不同于传统的先切割晶圆，再组装测试的做法，而是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后再切割。它有着更明显的优势：首先是工艺大大优化，晶圆直接进入封装工序，而传统工艺在封装之前还要对晶圆进行切割、分类；所有集成电路一次封装，刻印工作直接在晶圆上进行，设备测试一次完成，有别于传统组装工艺；生产周期和成本大幅下降，芯片所需引脚数减少，提高了集成度；引脚产生的电磁干扰几乎被消除，采用此封装的内存可以支持到800MHz的频

半导体器件基本结构

课题4.1 半导体器件基本结构 4.2晶体二极管 教学目标【知识目标】掌握PN结单向导体的原理 【能力目标】1.懂得什么是半导体 2.理解PN结的单向导电性 3.掌握半导体的分类 4.懂得半导体的主要参数【德育目标】培养学生的抽象理解能力 教 学重点半导体的主要参数 教 学 难 点 PN结单向导体的原理 教 学时间2课时（第11周） 教 具 准 备 半导体、电阻、电流表 教学组织与实施 教师活动学生活动 【新课导入】 提问1： 【新课讲授】 1.导体绝缘体和半导体 各种物体对电流的通过有着不同的阻碍能力，这种不同的物体允许电流通过的能力叫做物体的导电性能。 通常把电阻系数小的（电阻系数的范围约在0.01~1欧毫米/米）、导电性能好的物体叫做导体。例如：银、铜、铝是良导体。 含有杂质的水、人体、潮湿的树木、钢筋混凝土电杆、墙壁、大地等，也是导体，但不是良导体。 电阻系数很大的（电阻系数的范围约为10~10欧姆·毫米/米）、导电性能很差的物体叫做绝缘体。例如：陶瓷、云母、玻璃、橡胶、塑料、电木、纸、棉纱、树脂等物体，以及干燥的木材等都是绝缘体（也叫电介质）。 举例说明哪些是导体哪些是绝缘体哪些是半导体

导电性能介于导体和绝缘体之间的物体叫做半导体。例如：硅、锗、硒、氧化铜等都是半导体。半导体在电子技术领域应用越来越广泛。 2.PN结 PN结（PN junction）。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。 P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴； N型半导体（N指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。 3.PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN 结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。 如果外加电压使PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压，简称正偏； PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。 (2)PN结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 分清楚P型半导体和N型半导体

我国电子化学品的现状和发展

电子化学品,一般是指为电子工业配套地专用化学品,主要包括集成电路和分立器件用化学品、印制电路板配套用化学品、表面组装用化学品和显示器件用化学品等.目前电子化学品地品种已达上万种,它具有质量要求高、用量少、对生产及使用环境洁净度要求高和产品更新换代快等特点. 我国历来十分重视电子化学品地研制、开发和生产,现在地产品已能部分满足我国信息产业地生产需求.现将2类比较重要地电子化学品地现状简要介绍如下：b5E2RGbCAP 1.1囊成电瘩用地电子化学品关键地有4类,(1>是超净高纯试剂.BV一Ⅲ级试剂已达到国外semi—c7质量标准,适合于0.8～1.2微M工艺(1M一4M值>,已形成500t／a规模地生产能力,MOS级试剂已开发生产20多个品种,年产量超过4 000t；(2>是光刻胶.目前每年生产100 t左右,其中紫外线负皎已国产化.紫外线正胶可满足2微M地工艺要求,辐皎和电子束胶可提供少量产品；(3>是特种电子气体.目前少量由国内生产,30多个品种主要由美国、法国和日本等国家地公司提供；(4>是环氧模塑料.目前国内已有3 000t／a地生产能力,可满足0.8微M工艺要求,现在正在研制0.35m工艺要求地封装材料.p1EanqFDPw 1.2印刷电路板(PCB>配套用地电子化学品印制电路板配套用地化学品主要也分4类：

(1>基板用化学品,包括基体树脂和增强材料,基体树脂主要是酚醛树脂、环氧树脂、聚酯树脂和聚酰亚胺树脂等.用作基体地酚醛树脂.目前国内年产量为5 000t左右,用量最大地是环氧树脂,国内生 产厂家较多,其中年生产能力超过1万t地有3家,目前总地年生产 能力在5万t左右,只能部分满足基板生产地要求,大部分仍需进 口.1999年进口环氧树脂已超过5万t增强材料中,用量最大地是电子级玻璃纤维布,目前国内已有十多家企业建立了无碱池窑生产线, 1999年生产具有代表性地7628布已选1000万m左右.DXDiTa9E3d (2>线路成像用光致抗蚀剂和网印油墨.光致抗蚀剂是制造印制 电路板电路图形地关键材料,目前主要用液态光致抗蚀剂(Liquid photo—resist>和干膜抗蚀剂(dry film resist>2大类,其中干膜 抗蚀剂地用量最大,在各种抗蚀剂中占90%以上.现在国内有7～8家企业生产干膜抗蚀剂,年产干膜抗蚀剂100万心左右, 远远不能满足国内PCB制造地需求,大部分靠进口.1999年,我国干膜抗蚀剂地使 用量约1500万平方M.液态抗蚀剂有4种类型,即自然干燥型、加热固化型,uvf紫外光>固化型和感光成像型,前3种类型地抗蚀剂是用丝网印刷地方法制作电路图形,主要适用于线宽在200 btm以上地单面印制电路板地生产,后一种是用光致成像地光刻工艺制作电路图形,适用于制作精细、高密度双面和多层印制电路板,现在国内有7～8 个厂家生产各种类型地抗蚀剂,年产量在1500t左右,还不能满足国 内PCB制造地需求,尤其是液态感光成像光致抗蚀剂,1999年地用量接近200 t,主要靠进口.PCB用网印油墨,主要产品有阻焊剂、字符

先进半导体设备制造技术及趋势_图文(精)

先进半导体设备制造技术及趋势 张云王志越 中国电子科技集团公司第四十五研究所 摘要：本文首先介绍了国内外半导体设备市场，认为市场虽有起伏，但前景良好。从晶圆处理和封装的典型设备入手介绍了当前最先进半导体设备技术，之后总结出半导体设备技术发展的四大趋势

。 １国内外半导体设备市场 根据ＳＥＭＩ的研究，２００６年全球半导体设备市场为３８８．１亿美元，较２００５年增长１８％，主要原因是各地区投资皆有一定程度的成长，少则２０％（日本），多则２２９％（中国大陆），整体设备订单成长率则较２００５年成长５１％，比２００５年底预测值多出２８．４亿美元。 ＳＥＭＩ在ＳＥＭＩＣＯＮＪａｐａｎ展会上发布了年终版半导体资本设备共识预测（ＳＥＭＩＣａｐｉｔａｌＥｑｕｉｐｍｅｎｔＣｏｎ－ｓｅｎｓｕｓＦｏｒｅｃａｓｔ），预计２００７年全球半导体制造设备市场销售增长减缓为３％，达到４１６．８亿美元；２００８年全球半导体设备市场将出现衰退，下滑１．５％；而到２００９年及２０１０年恢 长６％达到３０６．１亿美元，封装设备领域增长１１％至２７．２亿美元，而测试设备领域预计将出现１５％下滑 了１２．４％。表二为按地区划分的市场销售额，包括往年的实际销售额和未来的预测。

虽然半导体设备市场有一定的起伏，但是很明显，市场的前景非常好，总体一直是稳中有升。中国大陆２００６年半导体设备销售额超过２３亿美元，比２００５年增长了７４．４％，中国大陆的市场销售额一直呈上升趋势，国内半导体设备具有非常诱人的市场前景。这和中国半导体产业的快速发展有着直接关系，中国的市场也越来越引起国际半导体设备厂商的重视，投资的力度会越来越大，对我们国内半 复增长，预计实现高个位数增速，至５４．７亿美元。表一为按设备类型２０１０年销售额达到４７９．９亿美元。 ＳＥＭＩ总裁兼ＣＥＯＳｔａｎｌｅｙＴ．Ｍｙｅｒｓ表示，２００７年半导体制造、封 划分的市场销售额，包括往年的实际销售额和未来的预测。 从区域市场分析，北美、日本及 下降装及测试设备销售情况略高于去年，欧洲半导体设备市场出现下滑，成为业界历史上销售额第二高的一年。ＳＥＭＩ成员将继续推进半导体制造设备的强势增长，预计到２０１０年市场销售额达到４８０亿美元。 从设备类型分析，占有最大份额的晶圆处理设备领域２００７年将增 幅度分别为８．９％、３．１％及１１．７％；而台湾和中国大陆销售增长幅度最大，分别为２８．９％和２３．８％，台湾地区销售额达到９４．２亿美元，有史以来第二次超过日本；南韩市场略微增长５．２％，其余地区市场也下降 ４０半导体行业

半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)

半导体集成电路封装技术试题汇总 第一章集成电路芯片封装技术 1. (P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。 广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。 2.集成电路封装的目的：在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。 3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④结构保护与支持。 4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，可靠性和成本目标。 5.封装工程的技术的技术层次？ 第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。第二层次，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。第三层次，将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。第四层次，将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。 6.封装的分类？

按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为：单芯片封装与多芯片封装两大类，按照密封的材料区分，可分为高分子材料和陶瓷为主的种类，按照器件与电路板互连方式，封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。依据引脚分布形态区分，封装元器件有单边引脚，双边引脚，四边引脚，底部引脚四种。常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装，双边引脚元器件有双列式封装小型化封装，四边引脚有四边扁平封装，底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。 7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子 8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面？ 1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多 对封装的要求：1小型化2适应高发热3集成度提高，同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性 9.有关名词： SIP ：单列式封装 SQP：小型化封装 MCP：金属鑵式封装 DIP：双列式封装 CSP：芯片尺寸封装 QFP：四边扁平封装 PGA：点阵式封装 BGA：球栅阵列式封装 LCCC：无引线陶瓷芯片载体 第二章封装工艺流程 1.封装工艺流程一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作

浅析电子化学品现状及发展趋势

2018·09 行业动态1 Chenmical Intermediate 当代化工研究浅析电子化学品现状及发展趋势 ＊乔　超 （南京中电熊猫平板显示科技有限公司 江苏 210033） 摘要：通过对当前我国的电子化学品发展情况进行合理的分析，明确该行业的实际发展状况，并对不同类型的电子化学品进行合理的分析，了解各种电子化学品的实际情况，并提出合理的发展思路以及重点任务等，在结合实际情况来制定规划实施策略以及相应的政策建议，为我国电子化学品行业的稳定发展奠定有利基础。 关键词：电子化学品；现状；发展趋势 中图分类号：O 文献标识码：A Discussion on the Current Situation and Development Trend of Electronic Chemicals Qiao Chao (Nanjing China Electric Panda Flat-panel Display Technology CO., LTD., Jiangsu, 210033) Abstract：Through a reasonable analysis of the current development situation of electronic chemicals in our country, the actual development situation of the industry is clarified, and different types of electronic chemicals are reasonably analyzed to understand the actual situation of various electronic chemicals, and reasonable development ideas and key tasks are put forward. In combination with the actual situation, the planning and implementation strategies and corresponding policy recommendations are formulated, which will lay a favorable foundation for the stable development of the electronic chemicals industry in our country. Key words：electronic chemicals；current situation；development trend 1.发展情况分析 (1)行业现状分析 在当前环境下是电子化学品事业更好发展的重要时期，在近几年的时间里，电子化学品事业在内需市场的引导下，一直都得到一定的重视，发展速度也逐渐加快，而且其产值和效益也呈现稳定上升的趋势，这为我国国民经济的不断提升提供了一定的帮助。在当前环境下，我国电子化学品行业发展的表现有以下几点： 首先，市场的规模正在快速的增长中。在近几年的时间里电子化学品行业的市场规模也在不断扩大，而且各个类型的化学品生产规模也比往年成上升趋势，这对电子化学品的发展有着极大的优势。其次，整体的生产技术水平也在不断增强。随着我国科学技术的不断发展，各个行业对技术的要求不断提升，而对于电子化学品行业也逐渐意识到生产技术水平不断提升的重要性，随之各种先进的生产技术被运用到电子化学品事业当中，这为该行业的发展有着极大的意义。最后，行业实力在逐步提升。在当前环境下我国已经成立了一批有着自主创新能力和国际竞争水平的电子化学品公司。而在其专业领域中，例如，集成电路中配套材料和光电显示材料等，都有着较强的实力和水平。 (2)电子化学品的发展情况 第一，光致刻蚀剂现状。在当前的一些中低端的市场，已经具有和国外产品竞争的能力，可是在高端的市场环境下，而对于光致刻蚀剂的生产，在国内还未能达到尺寸在（≥8in,≥20.3cm）的要求，对于那些生产线和要求高的平板显示行业，已经能够替代一些国外先进的产品了。而以市场份额情况分析，在近几年的时间内，国内的光致刻蚀剂已经占国内市场13%的作用，而对于其他的都还需要进口来满足相应需求。因此我国应加强对光致刻蚀剂技术水平的提升，从而更好的满足我国对该产品的需求。 第二，高纯试剂发展情况。对于我国的高纯试剂，其一般会运用到大规模的集成电路以及平板显示屏的湿法工艺当中，而其在实际的工艺技术平台和市场表现等角度上已经得到了良好发展，而且也进入到高端的领域当中。而从实际角度来说，对于大陆地区的一些企业当中，已经受小尺寸的平板显示中运用到的高纯试剂中得到良好的市场份额，而在设计经济不断发展的环境下，也在努力的取得该技术的突破，向更高端的方向不断发展。 第三，电子特气的发展情况。现今我国已建立了电子特气的国产化体系结构。这使得我国从电子特气的进口转型部分进口和部分自给的过程，而且也有一部分产品会进行出口。并且在实际当中也要注意的是一些关键电子特气技术在国内还需突破，而且也要进一步实现本地化生产要求。 第四，封装材料现状。我国的一些终端领域需求正在不断提升，而对于封装的轻薄短小化的发展，其单个的IC封装用材以及用量也满足了微增的要求。另外在实际的研究和应用当中，也和国外存在一定的差距性。而且如高折光、粘结性好以及可靠性好的封装材料，还是以进口为主。 第五，液晶材料的发展情况。我国的液晶材料技术水平与国外相比还是存在较大的差距，首先，对于一些液晶材料的厂商想要生产出较为稳定且性能好的液晶产品的难度是相对较大的，而且整体的技术水平很难满足较高的技术要求。其次，我国企业当中的专利方面呈现受制于人的表现。在我国企业中一般会以生产单晶以及中间体，而混晶的产能却相对偏低。 第六，偏光片发展情况。该材料的制备技术的含量偏高，而且对于成膜制造技术也主要以日本和韩国等国家垄断，这使得大陆一些企业在生产TFT型偏光片时，其技术上会出现极大的困难，在当中多以盛波光电和三利谱两条宽幅TFT振光片产线为主，因此很难满足当前市场的需求。

半导体电子国产化产业分析

半导体电子国产化产业分析三大周期叠加，国产化加速

创新周期、政策周期、资本周期三大周期叠加，5G、云、人工智能、可穿戴等为核心的创新周期不断。政策周期，国家多次强调支持科技产业，以华为为代表的科技自立，国产产业链重塑；资本周期，科创板推出，华为为代表的龙头崛起增强科技自信，一批硬核资产长期发展空间明确！我们着重关注本轮疫情中大陆电子龙头产业链地位提升、供应链份额集中、库存下降以及国产替代加速背景下的全产业链受益。我们坚定认为，随着后续疫情拐点到来、需求恢复叠加新一轮创新启动，A 股电子企业有望率先受益，继续迎来黄金发展期。 国之重器、新型举国体制攻坚，【中芯国际】作为产业链核心将深度受益。国 务院接连出相关政策，探索关键核心技术新型举国体制，同时对集成电 路及软件进行力度空前的减税，标志全面立体式支持的开始。对于免税政策，相对于过去第一次提出基于nm 级的分类，尤其28nm 的关键制程值得重点关注。28nm 是半导体的重要节点，理论上进行纯国产化是具备短期可能性的（尤其是光刻机等重要设备28nm 是分界点），也是重要公司解决生存问题的关键节点。我们认为【中芯国际】作为大陆代工龙头，先进制程率先突破，作为产业链核心将深度受益，并有望拉动配套设备、材料企业共同发展。 全球代工行业景气度有望开启，8 寸PMIC、Driver IC 率先启动，中芯国际基本盘有望巩固！近期我们行业跟踪下来，台系代工企业【联电】、 【世界先进】等纷纷超预期股价大涨，全球代工企业资产重估开启！我们 认为本轮8 寸景气主要由消费电子类PMIC、大尺寸Driver IC 等率先反转所拉动，中芯国际亦有望同步受益。我们观察到公司天津8 寸厂产能由6.3 万片提升至7.3 万片，下游主要亦为PMIC 领域。 消费电子核心龙头高增长，中国供应链在全球地位提升。消费电子海外门 店和供应商陆续复工。苹果、三星部分线下零售店陆续恢复营业，消费电 子领域5G 手机创新、TWS、光学、可穿戴（智能手表）等主线进一步提升景气度。优质公司处于长期估值底部！2020 年优于疫情压制需求，5G 引领持续创新，有望戴维斯双击。TWS 耳机继续高增长。苹果618 大促销，降价幅度历史级，同时airpod 等销量预期回升。光学赛道价量齐升，成为终端厂商的必争之地。 面板：从周期修复到价值转换。短期景气度位置价格接近前低底部，Q3/Q4 旺季带动备货+韩厂实质性退出，国内二线面板厂潜在重组，价格修复或 优于预期。两个尾声、一个定局：产能扩张尾声，区域竞争尾声，行业双寡头定局，周期性有望减弱。龙头厂商产业地位更高，潜在ROE、FCF 中枢修复。打造科技价值白马。 PCB：5G 引领行业新生，行业全面受益。5G 的建设目前得到了积极的推荐，中国三大运营商均加速进行了5G 基站的铺设。各类消费电子中的主板为了承载更多信息量以及传输速率的同时，又要保持其体积的微小，高端HDI 的产能却并未有较大的提升，或者说较多国内厂商目前仍然不具备高端HDI 的批量生产工艺，我们认为HDI 的领先厂商将会从中受益。随着消费电子产品不断迭代，产品不断向着小型、轻薄、多功能转变，FPC 将得益于下游领域创新迎来新发展。

电子化学品细分市场概况

集成电路电子化学品 为集成电路（IC）产业配套的主要是光刻胶、高纯试剂、电子特种气体、封装材料等。集成电路配套的电子化学品是最关键的材料，目前世界集成电路水平已经由微米级（μm）、亚微米级（）、深亚微米级（μm 以下）进入到纳米级（90-65nm）阶段。 2007 年全球IC （集成电路）工艺化学品的市场需求达到190 亿美元，2012 年前的年均增速将达到7%~%。 国内集成电路用等电子试剂主要品种有上百种，但只占国内总需求量的20％。2～3μm技术用试剂已基本可以实现生产供应，0．8～1．2μm用试剂仍处开发阶段，国内市场几乎全部依赖进口。“十五”期间国内集成电路用超纯试剂的需求量接近1万吨，而国内生产企业实际能提供的量仅10％。随着电子工业飞速发展，对配套电子试剂将有更大的需求。 半导体行业需求 工程院调查和预测，中国2005年半导体材料材料的需求情况是（见表8）：多晶硅需求将达1500吨；单晶硅约600吨；硅抛光片约8000万平方英寸；硅外延片500万平方英寸；GaAs单晶2000千克；GaAs外延片3～4万片；InP单晶120千克；化学试剂8000吨；塑封料8000吨；键合金丝3000千克。 液晶行业需求 由于技术、成本等方面的优势，TFT 液晶显示器（TFT-LCD）已经成为显示器之主流。数据显示2008 年全球液晶电视首次超过CRT 电视，出货量为10504 万台，占总量的%。并且有报告显示到2010 年，TFT-LCD显示器将占据显示器领域的90%的市场份额。目前，国内企业投入建设和规划建设的TFT-LCD 生产线主要是京东方在成都建造代TFT-LCD生产线，主要涉及中小尺寸面板；京东方在合肥建造6 代TFT-LCD 生产线，主要涉及电视用液晶面板；京东方在北京建造8 代TFT-LCD 生产线，主要涉及大电视用液晶面板。同时上广电规划在上海建设8 代TFT-LCD 生产线，TCL 在深圳建设代TFT-LCD 生产线，龙腾光电规划建设代TFT-LCD 生产线等，彩虹集团在张家港建设6 代生产线。此外国外面板生产企业由于制造成本较高，具有将生产线向国内转移的趋势，如韩国LG 将在广州投资兴建代生产线。 保守估计到2010 年，大尺寸液晶面板对全球液材料的需求量560 吨，单体液晶的需求量超过600 吨；2012 年，大尺寸液晶面板对全球液晶材料的需求量超过700 吨，单体液晶的需求量达到770 吨。 2010 年我国液晶电视同比增长%，预计全球液晶电视2010 年产量增速为17%，三大终端领域均出现强劲增长，且国内增速大大超过全球增速。2008年中国液晶电视销量占全球的%，保守估计2010年中国占全球比为%，2010 年，我国大尺寸液晶面板对液晶材料的需求量158 吨，2012年220吨。 未来我国液晶材料需求的增长来自于两个方面：需求量本身的增长和产品升级（如TFT 材料在需求结构中的日益上升）带来的增长。根据大尺寸液晶面板的计算方法，我们预计2010 年我国大陆中小尺寸液晶面板对液晶材料的需求量在53 吨，单体液晶的需求量接近60 吨。 LED LED 光源可广泛应用于背光源、广告显示屏、汽车照明以及交通信息标识、通用照明等领域。随着LED 对传统光源的替代，全球LED 市场将进入快速成长阶段。DisplaySearch 预计2010 年

2017年度战略性先进电子材料指南稿要点

附件12 “战略性先进电子材料”重点专项 2017年度项目申报指南建议 为落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》和《中国制造2025》等提出的任务，国家重点研发计划启动实施“战略性先进电子材料”重点专项。根据本重点专项实施方案的部署，现提出2017年度项目申报指南建议。 本重点专项总体目标是：面向国家在节能环保、智能制造、新一代信息技术领域对战略性先进电子材料的迫切需求，支撑“中国制造2025”、“互联网+”等国家重大战略目标，瞄准全球技术和产业制高点，抓住我国“换道超车”的历史性发展机遇，以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，通过体制机制创新、跨界技术整合，构建基础研究及前沿技术、重大共性关键技术、典型应用示范的全创新链，并进行一体化组织实施。培养一批创新创业团队，培育一批具有国际竞争力的龙头企业，形成各具特色的产业基地。 本重点专项按照第三代半导体材料与半导体照明、新型显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料4

个方向，共部署35个研究任务。专项实施周期为5年（2016 - 2020年）。 1. 面向新一代通用电源的GaN基电力电子关键技术 1.1用于小型化电源模块的高速GaN基电力电子技术 研究内容：研究大尺寸Si衬底上高均匀性GaN外延生长技术；研究Si衬底上GaN基高速开关器件设计与产业化制备技术；研究GaN高速器件动态导通电阻的衰退机制及其控制方法；研究适用于GaN基高速开关器件的驱动与系统集成技术；开发低寄生参数封装工艺；研究小型化电源模块，应用于通讯设备及新一代数据中心服务器等领域。 考核指标：6～8英寸Si衬底上GaN基异质结构材料方块电阻<350 Ω/sq，方阻不均匀性<3%；100 V场效应晶体管导通电阻<7 mΩ，动态电阻上升<50%，建立动态导通电阻衰退模型；实现开关频率>1 MHz的无引脚封装；应用于开关频率1 MHz的300 W电源模块，转换效率≥96%；形成6～8英寸GaN基电力电子器件生产线；申请发明专利15项，发表论文10篇。 1.2 用于中等功率通用电源的高效率GaN基电力电子技术 研究内容：研究Si衬底上高耐压GaN材料外延生长技术；研究低动态导通电阻、高稳定性大电流功率开关管和二极管平面器件的设计与产业化制备技术；建立异质结构材料与器件的可靠性评价体系，研究器件的失效机理与高耐压、