集成电路(IC)和射频(Radio Frequency)方向比较

集成电路（IC)和射频（Radio Frequency）方向比较

雷达射频集成电路的发展及应用

龙源期刊网 https://www.sodocs.net/doc/6614918687.html, 雷达射频集成电路的发展及应用 作者：黄林锋 来源：《山东工业技术》2017年第24期 摘要：本文概述了雷达射频集成电路技术的特点，是一种以半导体和射频电路技术为基础，一种集信号放大、数据传输和转化功能为一体的技术，并从其发展与演变切入进行研究，探讨了目前常用的几种雷达射频集成电路的发展成果及其应用状况。 关键词：雷达射频集成电路;发展;应用 DOI：10.16640/https://www.sodocs.net/doc/6614918687.html,ki.37-1222/t.2017.24.099 现代的雷达系统越来越注重高精度的距离探测与跟踪，还要求较强的抗干扰性、目标识别作用和气象探测功能。由此，要求完整一套的现代雷达系统包含近万个信号接收器和信号发射装置，这也极大提高了系统的复杂性和设备的成本造价。雷达系统的现代化除保留上述基本功能，还应减少设备的造价，这推进了射频集成电路在现代雷达领域的研发 [1]。由无线天线、电磁信号处理器、显示屏幕、控制面板、信号的发射和接收器所组成的现代雷达系统。目前，射频集成系统已经应用于信号的发射和接收器，下文从射频集成电路在雷达系统的研发入手，通过深入研究，介绍雷达系统目前的几种应用现状。 1 雷达射频集成电路的发展概述 随射频集成技术和信息化在雷达系统中的深入发展，射频集成电路已经演变了好几个架构形态[2]。以信号接收系统为例，在三十年内演化出三种不同的形态。在此过程，雷达系统的 数字化不断提高，实现某些频段的完全数字化，使射频集成电路向混合集成电路的方向不断发展。 2 雷达系统射频集成电路的发展及应用研究 2.1 射频集成SOC 以单片作为射频电路的集成基板，SiGe和CMOS作为集成射频与数字化特点的技术平台。技术的快速发展极大提高了射频电路的集成化程度，上部集混合频率、放大频率和合成信号功能为一体，下部集增频、分贝放大功能的器件。雷声公司（美国）研发的最新设备——X 波段应用了上述技术 [3]，其在实际中具有高性能、减小雷达体积和节约造价的应用优势。 2.2 射频多通道集成电路 在一个集成芯片上集多通道于一体，这种集成电路没有射频集成电路那么多的器件，应用系统的封装工艺，以高度集成化的多通道芯片，实现射频混合电路的性能优化和结构简化。采

最详细解读射频芯片

最详细解读射频芯片 传统来说，一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机，一般包含五个部分部分：射频部分、基带部分、电源管理、外设、软件。 射频部分：一般是信息发送和接收的部分； 基带部分：一般是信息处理的部分； 电源管理：一般是节电的部分，由于手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要； 外设：一般包括LCD，键盘，机壳等； 软件：一般包括系统、驱动、中间件、应用。 在手机终端中，最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大；基带芯片负责信号处理和协议处理。那么射频芯片和基带芯片是什么关系？ 1. 射频芯片和基带芯片的关系 先讲一下历史，射频（Radio Frenquency）和基带（Base Band）皆来自英文直译。其中射频最早的应用就是Radio——无线广播（FM/AM），迄今为止这仍是射频技术乃至无线电领域最经典的应用。 基带则是band中心点在0Hz的信号，所以基带就是最基础的信号。有人也把基带叫做“未调制信号”，曾经这个概念是对的，例如AM为调制信号（无需调制，接收后即可通过发声元器件读取内容）。 但对于现代通信领域而言，基带信号通常都是指经过数字调制的，频谱中心点在0Hz的信号。而且没有明确的概念表明基带必须是模拟或者数字的，这完全看具体的实现机制。 言归正传，基带芯片可以认为是包括调制解调器，但不止于调制解调器，还包括信道编解码、信源编解码，以及一些信令处理。而射频芯片，则可看做是最简单的基带调制信号的上变频和下变频。 所谓调制，就是把需要传输的信号，通过一定的规则调制到载波上面让后通过无线收发器（RF Transceiver）发送出去的工程，解调就是相反的过程。 2.工作原理与电路分析 射频简称RF射频就是射频电流，是一种高频交流变化电磁波，为是Radio Frequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围在300KHz～300GHz之间。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。高频（大于10K）；射频（300K-300G）是高频的较高频段；微波频段（300M-300G）又是射频的较高频段。射频技术在无线通信领域中被广泛使用，有线电视系统就是采用射频传输方式。

RF 设计与应用----射频集成电路封装

RF设计与应用----射频集成电路封装 关键词：射频，多层电路板，电路封装 摘要：针对无线通信产品业者所面临的课题，本文试着从封装技术在射频集成电路上应用的角度，来介绍射频集成电路封装技术的现况、现今封装技术对射频集成电路效能的影响，以及射频集成电路封装的未来发展和面临的挑战。 在行动通讯质量要求的提高，通讯带宽的需求量大增，因应而生的各项新的通讯规范如GPRS、W-CDMA、CDMA-2000、Bluetooth、 802.11b纷纷出笼，其规格不外乎：更高的数据传输速率、更有效的调变方式、更严谨的噪声规格限定、通讯功能的增强及扩充，另外再加上消费者对终端产品“轻、薄、短、小、久（包括产品的使用寿命、维护保固，甚至是手机的待机时间）”的诉求成了必要条件；于是乎，为了达成这些目的，各家厂商无不使出混身解数，在产品射频(Radio Frequency)、中频(Intermediate Frequency)与基频(Base Band)电路的整合设计、主动组件的选择应用、被动组件数目的减少、多层电路板内线路善加运用等，投注相当的心血及努力，以求获得产品的小型化与轻量化。 针对这些无线通信产品业者所面临的课题，我们试着从封装技术在射频集成电路上应用的角度，来介绍射频集成电路封装技术的现况、现今封装技术对射频集成电路效能的影响，以及射频集成电路封装的未来发展和面临的挑战。 射频集成电路封装技术的现况 就单芯片封装(Single Chip Package)的材质而言，使用塑料封装( P l a s t i c Pac kage)的方式，是一般市面上常见到的高频组件封装类型，低于3GHz工作频率的射频集成电路及组件，在不严格考虑封装金属导线架(Metal Lead Frame)和打线(Wire Bond)的寄生电感(Parasitic Inductance)效应下，是一种低成本且可薄型化的选择。由于陶瓷材料防水气的渗透性特佳及满足高可靠度的需求，故也有采用陶瓷封装技术；对于加强金属屏蔽作用及散热效果的金属封装，可常在大功率组件或子系统电路封装看到它的踪迹。

2014射频集成电路复习

第一章 1.频谱划分 ?无线电波段中，将30～300千赫范围内的频率称低频(LF) ?中频（MF）是指，频段由300KHz 到3000KHz的频率 ?高频(HF)，介于3MHz与30MHz之间的频率 ?RFID，13MHz ?个人移动通信: 900MHz,1.8GHz,1.9GHz,2GHz ?射频：频率范围从300KHz～30GHz之间，目前研究的主要频段为 30MHz ～3GH 2.通信系统模型 4.调制原因 ?为了有效地把信号用电磁波辐射出去 ?有效的利用频带传输多路频率范围基本相同的基带信号 第二章 1.阻抗匹配网络的作用 阻抗匹配网络的使用是为了让放大器从信号源获得最大的功率，或者让放大器向负载传输最大的功率，或使放大器具有最小噪声系数等。 2.长线、短线概念，集总参数、分布参数 传输线有长线和短线之分。所谓长线是指传输线的几何长度与线上传输电磁波的波长比值(电长度)大于或接近1，反之称为短线。满足L<<λ条件的电路称为集总参数电路。不满足L<<λ条件的电路称为分布参数电路。 3.馈线匹配问题 ?无限长传输线上各处的电压与电流的比值定义为传输线的特性阻抗，用Ｚ 0 表示。 ?同轴电缆的特性阻抗的计算公式为 Ｚ。＝〔60/√εr〕×Log ( D/d ) [ 欧]。 ?式中，D 为同轴电缆外导体铜网内径；d 为同轴电缆芯线外径；εr为 导体间绝缘介质的相对介电常数。通常Ｚ0 = 50 欧，也有Ｚ0 = 75 欧的。 由上式不难看出，馈线特性阻抗只与导体直径D和d以及导体间介质的介电常数εr有关，而与馈线长短、工作频率以及馈线终端所接负载阻抗无关 4.史密斯圆图的用途 ①读取阻抗、导纳、反射系数、驻波比等②阻抗和传输线匹配网络设计 ③微波、射频放大器设计④微波、射频振荡器设计 第三章 1.分立电路与集成电路中，无源元件与有源元件的对比 ?分立电路中，无源元件和有源元件相比价格低、易实现 ?集成电路中，无源元件占用面积大、成本高、品质因数低 2.趋肤效应：随着频率的增加，电流趋向于导体表面的效应

集成电路与系统

集成电路与系统 集成电路设计与集成系统专业工资待遇 截止到 2013年12月24日，57740位集成电路设计与集成系统专业毕业生的平均薪资为4639元，其中应届毕业生工资3701元，0-2年工资4104元，10年以上工资5104元，3-5年工资6069元，8-10年工资10494元，6-7年工资11198元。 集成电路设计与集成系统专业就业方向 集成电路设计与集成系统专业学生毕业后可到国内外各通信、雷达、电子对抗等电子系统设计单位和微电子产品的单位从事微电子系统的研发设计。。 集成电路设计与集成系统专业就业岗位 硬件工程师、电气工程师、模拟集成电路设计工程师、研发工程师、射频集成电路设计工程师、设计工程师、等。 集成电路设计与集成系统专业就业地区排名 集成电路设计与集成系统专业就业岗位最多的地区是上海。薪酬最高的地区是肇庆。 就业岗位比较多的城市有：上海[36个]、北京[30个]、深圳[28个]、苏州[11个]、西安[10个]、武汉[9个]、广州[7个]、成都[6个]、无锡[6个]、济南[6个]等。 就业薪酬比较高的城市有：肇庆[8065元]、信阳[6999元]、北京[6279元]、上海[6194元]、佛山[5265元]、厦门[5231元]、杭州[5024元]、南京[5013元]、惠州[4999元]、沈阳[4867元]、大连[4799元]等。 集成电路设计与集成系统专业在同类专业排名

集成电路设计与集成系统专业在专业学科中属于工学类中的电气信息类，其中电气信息类共34个专业，集成电路设计与集成系统专业在电气信息类专业中排名第28，在整个工学大类中排名第95位。 在电气信息类专业中，就业前景比较好的专业有：计算机科学与技术，自动化，软件工程，信息工程，电气工程及其自动化，网络工程，计算机软件，电子信息工程，通信工程等。

射频前端国内主要企业市场情况梳理

Ii:] 核心观点－：射频前端市场由滤波器、PA、开关、LNA等组件构成射频前端市场2019年规模在170亿美元，2025年有望达到250亿美元。当前滤波器所占份额超过50°o/,P A超过30°o/，开关、LNA以及调谐器等真他组件所占份额在15°/o左右。 Ii:] 核心观点二：射频前端市场CR4超过90°/o，被日美广商垄断全球四大射频半导体巨头分别为Skyworks、Qor vo、Broadcom 以及Murata , 均为综合性器件以及模组生产厂商F 占据市场份额自守9 0°/o以上。全球射频前端市场为日本、美国厂商所基本垄断。 Ii:] 核心观点三：SG需求推动射频前端器件量价齐升 随着SG通信标准的使用p 频段数量的增加以及频率提升使得射频前端器件的数量和单价均有所提升，这使得分立器件市场快速发展。另一方面？由于终端轻薄化需求量模组化的趋势也愈发明显。

建议关注： ?卓胜微：国内射频开关、LNA龙头，国产替代+5G需求驱动模组化发展 ?立昂微：国内半导体硅片龙头，射频器件衬底空间巨大 ?经纬辉开（诺思微）：BAW技术全球领先，有望突破日美厂商高端滤波技术垄断?信维通信：国内天线龙头，射频开关/SAW稳步发展 ?韦尔股份：全球领先CIS公司，积极布局射频前端业务 ?三安光电：国内化合物代工龙头，射频材料业务有望深度受益国产替代进程 ?麦捷科技：SAW滤波器已量产出货，有望打开国产滤波器市场

5.1、射频前端厂商产业链示意图 分立器件厂商 终端品牌厂商 模组化及制造、封装厂商 华为OPP O Vivo 小米苹果代工厂

5.2、射频前端产业链厂商

2020半导体射频行业竞争现状分析

2020半导体射频行业竞 争现状分析 2020年

从2011 年至2018 年全球射频前端市场规模以年复合增长率13.10%的速度增长，2018 年达149.10 亿美元。受到5G 网络商业化建设的影响，自2020 年起，全球射频前端市场将迎来快速增长。2018 年至2023 年全球射频前端市场规模预计将以年复合增长率16.00%持续高速增长。 2020 年初以来，全球范围内发生了新型冠状病毒（COVID-19）肺炎重大传染性疫情，在疫情的影响下，消费者对智能终端的需求减弱或有所延迟，从而为5G 手机的普及带来一定的不确定性。预计2020 年全球智能手机出货量预计为12 亿部，相较2019 年下滑11.9%，智能手机终端市场的萎缩将有可能带来射频前端市场规模的整体增速的放缓。

然而，随着包括中国在内的部分国家及地区疫情逐渐得到控制，上述不利因素影响将逐步减弱，多数手机厂商的5G 新品发布节奏未受到显著影响，且5G网络的建设速度有所恢复，因此，全球射频前端市场所受到的抑制程度相对可控。 行业内主要芯片设计厂商一般同时向市场提供射频开关、射频低噪声放大器、射频功率放大器等多种产品。行业内主要竞争厂商包括欧美传统大厂Broadcom、Skyworks、Qorvo、NXP、Infineon、Murata 等，及国内竞争厂商紫光展锐、飞骧科技、唯捷创芯、韦尔股份等。 现阶段，全球射频前端芯片市场主要被Broadcom、Skyworks、Qorvo 等国外企业占据。其中Broadcom、Skyworks、Qorvo、Murata、Infineon、NXP、韦尔股份为上市公司，根据其年报披露的公开信息，其基本信息、收入情况、技术水平如下。

射频集成电路综述

射频集成电路低噪声放大器研究前景

摘要 近年来，随着无线通信技术在移动通信、全球互联接入以及物联网等领域越来越广泛的应用。对于现代通信系统往往要求提供两个甚至更多的无线服务，因此就要求射频电路前端中的关键部件低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）能在多个频带下具有放大能力。因此如何能够放大多个频带的宽带低噪声放大器成为研究热点。 低噪声放大器是现代无线通信、雷达、电子对抗系统等应用中的十分重要的部分，常用于接收系统的前端，在放大信号的同时降低噪声干扰，提高系统灵敏度。如果在接受系统的前端连接高性能的低噪声放大器，在低噪声放大器增益足够大的情况下，就能抑制后级电路的噪声，则整个接收机系统的噪声系数将主要取决于放大器的噪声。如果低噪声放大器的噪声系数降低，接收机系统的噪声系数也会变小，信噪比得到改善，灵敏度大大提高。由于可见噪声放大器的性能制约了整个接收系统的性能，对于整个接收系统技术水平的提高，也起了决定性的作用。 宽带低噪声放大器是一种需要有良好的输入匹配的部分。输入匹配是要求兼顾阻抗匹配和噪声系数的，对于这两个指标一般来说是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路各部分参数，通过对阻抗匹配和噪声系数这两个指标的折中设定来达到输入匹配的要求，因此给设计增大了难度。 噪声抵消技术是一种可以有效的将上述两个重要参数进行分离的方法，对降低设计复杂度、缩短设计周期、降低设计成本具有重要意义。现有的噪声抵消电路结构基本上都是基于CMOS工艺的。近年来，随着SiGe 技术的发展，SiGe BiCMOS工艺逐渐成为射频集成电路工艺的主流。然而，基于 SiGe工艺的采用噪声抵消结构的设计方法还未见报道。因此，本文基于SiGe工艺，开展对工作于0.8-5.2GHz频段低噪声放大器的噪声抵消电路结构的设计研究。

2020年射频行业分析报告

2020年射频行业分析 报告 2020年2月

目录 一、射频领域两个核心矛盾 (4) 5 1、射频：国产替代深水区 .................................................................................... 2、射频龙头扩产陆续启动，中期供需预计紧张 (7) 3、射频前端：5G必争之地，量价齐升 (8) （1）射频前端模组化趋势驱动SiP/AiP (13) 4、5G时代来临，化合物前景广阔 (14) 二、射频相关公司 (16) 1、三安光电：全工艺平台布局，持续加码化合物半导体 (16) 2、卓胜微：进击的射频龙头，从LNA、Switch向SAW/分级模组拓展 (18) 3、天和防务/成都通量：环形器之外，射频芯片有望加速放量 (20) 4、麦捷科技：切入SAW滤波器赛道 (21) 5、和而泰/铖昌科技：布局毫米波已久，有望率先产业化 (23)

2020年，射频领域重点关注两个核心矛盾：1、5G基站建设、5G 手机、5G CPE设备等放量带来的需求大幅提升与目前有限产能的矛盾；2、中高端国产化迫切需求与现有国产厂家亟待提升的矛盾。 随着后续正常复工、换机潮开启，2020年起射频行业有望迎来量价齐升，部分产品不排除出现涨价。同时由于目前射频赛道是国产化深水区，以华为为代表的龙头企业产业转移需求迫切，有望孕育出一批快速发展的优质射频公司！ 对行业代工龙头稳懋跟踪来看，受益于非A供应链崛起，去年8月份以来单月营收占比持续维持55%以上高速增长，同时率先开启新一轮资本开支，但是考虑A系射频代工产能从美国本土向亚洲地区外溢、同时考虑射频芯片核心材料RF-SOI硅片供需格局，我们预计射 频整体中期供给增加有限，2020年大概率会出现供需紧张情况。 5G射频前端用量大幅提升，RF-SOI产能预计紧张！射频前端芯片市场规模主要受移动终端需求的驱动。近年来，随着移动终端功能的逐渐完善，手机、平板电脑等移动终端的出货量保持稳定。而移动 数据传输量和传输速度的不断提高主要依赖于移动通讯技术的变革， 及其配套的射频前端芯片的性能的不断提高。 5G手机射频前端模组化趋势催生SiP、AiP等封装方式渗透率提升。随着频段增多及载波聚合的应用，分离式多模多频已无法满足要求，射频模组PAMiD渐成主流，即将PA和滤波器封装到一个模组里，这样可以降低频段之间的相互干扰。这要求PA供应商加深同滤波器供应商的合作，因此同时具备PA和滤波器产线厂商具备优势。

2017年射频前端芯片市场分析报告

2017年射频前端芯片市场分析报告

目录 第一节射频前端芯片是移动通信发展过程中最受益领域 (6) 一、手机射频前端模块简介 (6) 二、从“五模十七频”说起，回溯2G 到4G 手机频段发展 (7) 三、2G 到4G，射频前端芯片数量和价值均明显增长 (8) 第二节射频前端模块市场分析：3 年内突破200 亿美元规模 (12) 一、市场整体规模和变化趋势 (12) 二、市场占有率分析，巨头企业优势难以撼动 (13) 三、深入财务数据分析，揭秘寡头企业核心竞争力 (14) 四、只待捅破窗户纸，国内射频前端企业竞争力分析 (17) 五、射频前端芯片企业竞争新趋势 (20) 第三节商用倒计时—5G 的脚步声近了 (22) 一、性能全面提升，5G 通信网络概述 (22) 二、5G 标准演进路线图 (23) 三、5G 射频空口关键技术分析 (25) 第四节5G 技术推动射频前端芯片的发展 (30) 一、Sub-6GHz 先行，更多频谱资源将投入使用 (30) 二、载波聚合数量成倍增长给射频前端芯片设计带来了新的挑战 (30) 三、推动高频滤波器向BAW 方向技术升级 (32) 四、基站射频前端芯片市场，三大技术营造氮化镓PA 风口 (34) 五、IoT 市场将成为驱动增长新引擎 (37) 第五节射频前端芯片产业链分析 (39) 一、全球终端功率放大器产业链概貌 (39) 二、全球终端功率放大器产业链分析——晶圆制造企业 (41) 三、全球终端功率放大器产业链分析——芯片封装企业 (42) 四、全球终端功率放大器产业链分析——芯片测试企业 (44) 五、全球终端功率放大器产业链分析——外延片企业 (45) 六、全球射频开关产业链分析 (46) 七、全球射频滤波器产业链分析 (48)

射频电路和射频集成电路线路设计

射频电路和射频集成电路线路设计(9天) 培训时间为9天 课程特色 1）本讲座总结了讲演者20多年的工作,报告包括 o设计技术和技巧的经验， o获得的美国专利， o实际工程设计的例子， o讲演者的理论演译。 o 【主办单位】中国电子标准协会 【协办单位】智通培训资讯网 【协办单位】深圳市威硕企业管理咨询有限公司 o 2）本讲座分为三个部分： A. 第一部分讨论和強调在射频电路设计中的设计技术和技巧, 着重论述设计中关鍵性 的技术和技巧,譬如,阻抗匹配,射频接地, 单端线路和差分线路之間的主要差別,射频集成电路设计中的难题……可以把它归类为橫向论述. 到目前为止，这种着重于设计技巧的論述是前所未有的，也是很独特的。讲演者认为，作为一位合格的射频电路设计的设计者，不论是工程师，还是教授，应当掌握这一部分所论述的基本的设计技术和技巧，包括： ?阻抗匹配； ?接地； ?射频集成电路设计； ?测试 ?画制版图； ? 6 Sigma 设计。 B. 第二部分: 描述射频系统的基本参数和系统设计的基本原理。

C. 第三部分: 提供个别射频线路设计的基本知识。这一部份和现有的有关射频电路和 射频集成电路设计的书中的论述相似, 其內容是讨论一个个射频方块,譬如,低噪声放大器,混频器,功率放大器,壓控振蕩器,頻率综合器……可以把它归类为纵向论述，其中的大多数内容来自本讲座的讲演者的设计 ?在十几年前就已经找到了最佳的低噪声放大器的设计方法但不曾经发表过。在低噪声放大器的设计中可以同时达到最大的增益和最小的噪 声； ?获得了可调谐濾波器的美国专利； ?本讲座的讲演者所建立的用单端线路的设计方法来进行差分对线路的设计大大简化了设计并缩短了线路仿真的时间； ?获得了双线巴伦的美国专利。 学习目标在本讲座结束之后，学员可以了解到 o比照数码电路，射頻电路设计的主要差別是什麼? o什么是射频设计中的基本概念? o在射频电路设计中如何做好窄带的阻抗匹配？ o在射频电路设计中如何做好宽带的阻抗匹配？ o在射频线路板上如何做好射频接地的工作? o为什么在射频和射频集成电路设计中有从单端至双差分的趋势? o为什么在射频电路设计中容许误差分析如此重要? o什么是射频和射频集成电路设计中的主要难题？射频和射频集成电路设计师如何克服这些障碍?

射频前端行业深度报告

射频前端行业深度报告

目录 1、数字时代，射频器件是无线通讯发展的基石 (3) 1.1、射频芯片过去几十年经历数代升级 (3) 1.2、射频前端由多个核心器件组成 (4) 1.3、射频前端芯片应用场景随着通信网络升级不断扩展 (5) 2、5G 通信推动射频芯片技术革新和市场爆发 (8) 2.1、5G 高速网络催生射频芯片的不断升级 (9) 2.2、5G 通信带来射频芯片海量需求，成长空间广阔 (17) 3、海外厂商占据主导，国产化浪潮助力本土厂商逐步崛起 (26) 3.1、全球发展格局：海外厂商技术和市场遥遥领先 (26) 3.2、市场倍增和国产化给本土射频前端公司带来大量机遇 (34) 3.3、本土射频前端各环节不断涌现优秀公司 (35) 4、国内产业投资逻辑与上市公司 (39) 4.1、卓胜微：国内领先射频芯片供应商 (40) 4.2、三安光电：化合物半导体专家，中国稳懋静待起航 (42)

4.3、长电科技：国内领先SIP 封装厂 (44) 4.4、麦捷科技：国内优秀射频器件提供商 (46) 4.5、优秀公司战略入股射频前端企业，做强本土射频赛道 (47) 5、投资建议 (49) 6、风险提升 (50)

1、数字时代，射频器件是无线通讯发展的基石 1.1、射频芯片过去几十年经历数代升级 在过去的五十年中，射频（RF）电路经历了快速发展和技术演变，一共经历了四个时期。第一个时期，从20 世纪60 年代中期到20 世纪70 年代中期，其特点是使用二极管有源器件和波导传输线和谐振器。第二个时期的主要特点是使用了GaAs MESFET 器件，通过连接诸如GaAs MESFET 和二极管的有源器件来组装电路。第三个时期主要特点在于不断降低RF /微波固态电路的成本，尺寸和重量，遵循数字IC 和模拟IC 一样的路径，GaAs 集成电路的制造技术于20 世纪80 年代中期开始出现，单片的MMIC 集成电路取代当时存在的大部分陶瓷微带混合硬件。第四个时期随着无线应用场景需求的增多，降成本的需求促使基于Si 工艺的RFIC取得快速发展，LDMOS 工艺大陆应用于射频领域。现在也有新的变化，随着5G 的高频特性，基于GaAs 或GaN 材料的射频芯片正在快速发展。

射频介绍

《射频集成电路设计基础》讲义 课程概述 关于射频(RF) 关于射频集成电路 无线通信与射频集成电路设计 课程相关信息 RFIC相关IEEE/IEE期刊和会议

关于射频 ? 射频= Radio Frequency (RF) → Wireless! ? Why Wireless? – 可移动(Mobile) – 个人化(Personalized) – 方便灵活(Self-configuring) – 低成本(在某些情况下) – and more ... ? Why Wired? <<>><>?

<<>><>? ? 多高的频率才是射频？ ? 为什么使用高频频率？ 30-300kHz LF 中波广播530-1700 kHz 300kHz-3MHz MF 短波广播 5.9-26.1 MHz 3-30MHz HF RFID 13 MHz 30-300MHz VHF 调频广播88-108 MHz 我们关心的频段 300-1000MHz UHF (无线)电视54-88, 174-220 MHz 1-2 GHz L-Band 遥控模型72 MHz 2-4 GHz S-Band 个人移动通信900MHz, 1.8, 1.9, 2 GHz 4-8 GHz C-Band WLAN, Bluetooth (ISM Band) 2.4-2.5GHz, 5-6GHz 注1：本表主要参考国外标准 注2：ISM ＝Industrial, Scientific and Medical

关于射频集成电路 ? 是什么推动了RFIC的发展？ – Why IC? – 体积更小，功耗更低，更便宜→移动性、个人化、低成本 – 功能更强，适合于复杂的现代通信网络 – 更广泛的应用领域如生物芯片、RFID等 ? Quiz: why not fully integrated? ? 射频集成电路设计最具挑战性之处在于,设计者向上必须 懂得无线系统的知识,向下必须具备集成电路物理和工艺 基础,既要掌握模拟电路的设计和分析技巧,又要熟悉射频 和微波的理论与技术。(当然,高技术应该带来高收益:) <<>><>?

2018年射频前端芯片行业分析报告

2018年射频前端芯片行业分析报告 2018年3月

目录 一、行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策 (6) 1、行政主管部门及监管体制 (6) 2、行业主要法律法规及产业政策、标准 (7) 二、行业发展情况 (9) 1、集成电路设计行业简介 (9) （1）集成电路行业 (9) （2）集成电路设计行业 (11) 2、射频前端芯片市场分析 (12) （1）射频前端芯片组成部分及功能介绍 (12) （2）射频前端芯片市场概况 (13) （3）各细分市场分析 (17) ①射频开关市场 (17) ②射频低噪声放大器市场 (18) 三、行业经营模式 (18) 1、集成电路行业产业链 (18) （1）芯片设计 (19) （2）晶圆生产 (19) （3）芯片封测 (19) 2、集成电路行业的商业模式 (20) （1）IDM模式 (20) （2）Fabless模式 (21) 四、行业竞争格局 (22) 1、行业市场化程度 (22) 2、主要企业 (22)

（1）Skyworks（思佳讯） (22) （2）Qorvo (22) （3）Broadcom（博通） (23) （4）NXP（恩智浦） (23) （5）Infineon（英飞凌） (23) （6）Murata（村田） (23) （7）锐迪科（RDA） (24) （8）国民飞骧（Lansus） (24) （9）唯捷创芯（Vanchip） (24) （10）韦尔股份（WillSemi） (24) 五、进入本行业的壁垒 (24) 1、技术壁垒 (25) 2、产业化壁垒 (25) 3、客户壁垒 (26) 4、人才壁垒 (26) 5、资金壁垒 (26) 六、行业利润水平情况 (27) 七、影响行业发展的因素 (27) 1、有利因素 (27) （1）集成电路行业受到国家持续性关注和政策支持 (27) （2）下游终端市场对芯片的需求巨大 (28) （3）集成电路行业重心的转移为国内设计企业带来更多发展机遇 (29) 2、不利因素 (29) 八、行业技术水平及特点 (30) 九、行业周期性、季节性和区域性 (30)

课程名称：射频集成电路设计方法学专题

课程名称：射频集成电路设计方法学专题 先修课程：微波电路、微波技术 适用学科范围：电磁场与微波技术 开课形式：双语授课方式 课程目的和基本要求： 射频，通常指包括高频、甚高频和超高频，其频率在 3 MHz-1000 MHz ，是无线通信领域最为活跃的频段。在最近十几年里，无线通信技术得到了飞跃式的发展，射频器件快速的代替了使用分立半导体器件的混合电路，这些技术都是对设计者的挑战。现在使用的数字、模拟手机电话，个人通信服务和一些新技术都离不开RFIC的应用和设计，例如，无线局域网、汽车的无钥进入、无线收费、全球自动定位（GPS）自动导航系统、自动跟踪系统、远端控制。形成了对收发信机射频集成电路（RFIC）的巨大需求。随着特征尺寸的减小，深亚微米工艺MOS管的特征频率已经达到50GHz以上，使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路成为可能，并在全世界形成了一个研究热点。 目前，IC工作的频率越来越高，在设计中必须考虑信号频率高带来的相应问题。具有RF电路的知识有助于提高IC设计能力。本课程从设计方法学角度讲解射频集成电路设计的问题、方法和常用电路。主要包括：RF基本原理、分析方法、常用电路和技术，以及相关仿

真软件的使用等，使学生了解通信系统中的RFIC的应用和使用RF 电路仿真软件正确设计RF电路。本课程重点是如何设计和构造主要射频电路模块以使IC技术与RF技术相结合的方法学。 课程主要内容： 对于RFIC设计而言，只有在工艺出现后才可能有RF器件模型和库，因此RFIC具有其特殊半导体集成工艺与射频电路相结合所具有的独特的特点而形成了一门新的学科方向。随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能，.本课程讨论用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题.首先介绍各种收发器的体系结构,对它们的优缺点进行比较,指出在设计中要考虑的一些问题。其次讨论CMOS 射频前端的重要功能单元,包括低噪声放大器、混频器、频率综合器和功率放大器。对各单元模块在设计中的技术指标，可能采用的电路结构以及应该注意的问题进行了讨论。 本课程还讨论射频频段电感、电容等无源器件集成的可能性以及方法。本课程还讨论对射频模块的不同的设计限制，包括设计中主要涉及的频率响应、增益、稳定性、噪声、失真（非线性）、阻抗匹配和功率损耗。本课程重点是如何设计和构造主要射频电路模块以使IC技术与RF技术相结合的方法学。第一章介绍RF基本原理、分析方法、常用电路和技术，以及相关仿真软件的使用等。第二章主要描述模块

射频开关基础知识详细讲解

射频开关基础知识详细讲解 射频和微波开关可在传输路径内高效发送信号。此类开关的功能可由四个基本电气参数加以表征。 虽然多个参数与射频和微波开关的性能相关，然而以下四个由于其相互间较强的相关性而被视为至关重要的参数：隔离度，插入损耗，开关时间，功率处理能力。 隔离度即电路输入端和输出端之间的衰减度，是衡量开关截止有效性的指标。插入损耗（也称传输损耗）为开关处于导通状态下时损耗的总功率。由于插入损耗可直接导致系统噪声系数的增大，因此对于设计者而言，插入损耗是最为关键的参数。 开关时间是指开关从“导通”状态转变为“截止”状态以及从“截止”状态转变为“导通”状态所需要的时间。该时间上可达高功率开关的数微秒级，下可至低功率高速开关的数纳秒级。开关时间的最常见定义为自输入控制电压达到其50%至最终射频输出功率达到其90%所需的时间。此外，功率处理能力定义为开关在不发生任何永久性电气性能劣化的前提下所能承受的最大射频输入功率。

图示为使用12个不同SMA母同轴连接器的单刀十二掷机电式开关一 例 射频和微波开关可分为机电式继电器开关以及固态开关两大类。这些开关可设计为多种不同构型——从单刀单掷到可将单个输入转换成16种不同输出状态的单刀十六掷，或更多掷的构型。切换开关为一种双刀双掷构型的开关。此类开关具有四个端口以及两种可能的开关状态，从而可将负载在两个源之间切换。 机电式继电器开关的插入损耗较低（《0.1dB），隔离度较高（》 85dB），且可以毫秒级的速度切换信号。此类开关的主要优点在于，其可在直流~毫米波（》50 GHz）频率范围内工作，而且对静电放电不敏感。此外，机电式继电器开关可处理较高的功率水平（达数千瓦的峰值功率）且不发生视频泄漏。

射频集成电路应用及发展

射频集成电路应用及发展 简介 射频集成电路（Radio Frequency Integrated Circuit，RFIC），严格来说，是指在0.8GHz以上频段工作的模拟电路，包括微博和毫米波电路。射频集成电路主要包括滤波器、低噪放放大器（LNA）、压控振荡器（VCO）、混频器、放大/驱动器、频率合成器、功率放大器（PA）和功率管理等电路。用这些射频集成电路可以构成RF收发器，其中，用LNA、VCO、混频器、驱动器等可以构成信号接收链的接受前端，即接收器系统；而频率合成器和功率放大器等则构成发射器。对于数字无线接收器，还必须使用A/D转换器和D/A转换器将信号进行转换。以便进行所需的计算、处理和实现所需要的发送功能。 主要技术性能 我国已经研制多款的RF收/发芯片， 应用范围 射频集成电路的应用十分的广泛，是最重要的一类军用核心器件。主要RFIC 应用与电子对抗、智能武器、军用航空装备、军用卫星、各类航天器、导弹、全球卫星定位系统、雷达系统、通信设备、诱骗术、无源毫米波成像、高度仪、远距离遥感和仪器仪表中。单片微博集成电路（MMIC）在军事航空领域的应用不断的增加。在一个雷达系统中，一个自适应相控天线可能有成千上万个T/R模块，MMIC非常好的重复生产性、小尺寸、轻重量等优点，对其实现就非常的重要和必要了。在通信领域中，MMIC可应用与光纤系统、卫星系统、陆地固定及移动无线系统。 技术和发展趋势 射频集成电路是20世纪90年代中期以来随着IC工艺的改进而出现的一种新型器件。射频移动通信技术的总趋势是走向高速化、大宽带。在军用领域，高频化是主要趋势之一，军事需求仍是RF技术发展的重要推动力。在高传输速率、大频带的要求条件下，接收机要有大的动态范围，然而对发射机而言，则要求具有高线性度的信号放大能力和更高的功率。MMIC高性能、小体积、低成本等特点使其在军事、航天、同性等领域大战迅速，单片化已成为RFIC发展的重要趋势。 RFIC的技术发展趋势主要有工作频率更高、尺寸更小的新器件研究；专用高频、高速电路设计技术研究；专用测试技术研究；高频封装技术研究。

模拟射频IC设计理论学习过程

模拟射频IC设计基础理论知识学习及进阶过程 模拟集成电路设计最重要的是基础理论知识，基础理论的重要性很多人一开始并没有意识到，工作一段时间，做过几个项目以后就会深有感触。除此之外就是个人的学习能力和分析问题、解决问题的能力，其实这些能力还是与基础知识有极大关系。 因为理论知识的学习需要一个系统的学习过程，其中涉及到非常多的相关课程，并不是一门实践课所能解决的。基础理论知识的学习途径很多，可以是学校的基础课和专业课，也可以是个人自学相关课程，IC设计所需要的理论知识的深度不是完成学业应付考试的水平所能比拟的，因此需要一个刻苦的深入学习过程。本文主要介绍模拟射频IC设计中所需要的相关基础理论知识的学习过程。 本文就从模拟、射频IC所需要的基础理论知识说起，一步一步说明如何进阶学习。最基础的是高等数学，电路分析基础，模拟电路基础，数字电路，信号与系统，自动控制理论，高频电路基础，射频微波电路理论，无线通信原理，这些是电路方面需要具备的基础知识，其中模拟电路和射频电路需要深入学习，学校课程上的那点皮毛是完全不够用的，需要做到知其然也知其所以然，很多公式及理论的计算推导过程最好彻底吃透；射频电路的S参数、smith圆图、阻抗匹配、噪声系数、线性度、射频收发机结构等理论知识很关键，这个过程非常考验个人的学习能力；无线通信原理是做射频ic必须熟悉的系统方面的知识，射频ic绝大部分是用于通信领域的。然后需要学习的是半导体工艺相关的基础知识，包括半导体器件物理、半导体工艺技术及流程等微电子基础理论知识，因为模拟射频集成电路用到的晶体管、无源器件建模和半导体工艺关系紧密，射频电路实际设计中采用的增强隔离性及降低噪声耦合等的方法和工艺息息相关。 基础知识扎实以后可以开始具体模拟ic设计的课程学习，当然这部分的学习过程也可以和基础知识学习过程结合起来，很多经典ic设计教材都是从基础知识开始讲起，一步一步进阶模拟ic设计的。这个过程比较推荐P.R.Gray的《模拟集成电路分析与设计》，当然最好是英文原版，翻译版本错误多多，容易把初学者带沟里，这本教材的分析推导过程无比详细，能够跟着推导一遍的话绝对收获无穷，从基础的工艺，器件模型，基本放大电路到模拟电路的精髓---运算放大器每一部分都是ic设计的核心基础。其它经典模拟ic教材还有Allen的《CMOS analog circuit design》，拉扎维的《Design of Analog CMOS Integrated Circuits》等等。 模拟ic课程以后就可以进入到射频集成电路的设计课程，这里也有很多经典教材，拉扎维的《射频微电子》，托马斯李的《CMOS射频集成电路设计》，还有清华池保永编写的《CMOS

2018年5G射频前端芯片行业分析报告

2018年5G射频前端芯片行业分析报告 2018年9月

目录 一、射频前端是通信核心，消费需求和技术创新带来新机会 (5) 1、射频前端是通信设备核心，包括分立器件和前端模组 (5) 2、射频前端单机价值超20美元，未来还将持续增长 (8) （1）iPhone 8/8Plus/X射频前端拆解 (8) （2）iPhone射频前端ASP已达30美元，未来还将持续增长 (9) （3）射频前端价值分布不均，滤波器、射频开关、PA 合占9 成 (10) 3、终端和物联网双轮驱动，无线连接增长扩大前端需求 (11) 4、消费需求和技术创新下，2017-2023 年前端市场翻倍 (13) 二、5G浪潮加速射频前端创新，模组化进一步推高前端市场 (14) 1、三大服务加速通信技术创新，射频前端面临新挑战 (14) （1）从智能手机到智能万物，5G将成为多样化应用和服务的中心平台 (14) （2）5G三大服务对射频前端提出新挑战 (15) ①大规模物联网服务对射频前端的要求 (16) ②关键任务服务对射频前端的要求 (17) ③增强型带宽服务对射频前端的要求 (17) 2、三大技术CA、MIMO、QAM对射频前端提出新需求 (17) （1）载波聚合从2CC到5CC，射频前端需求同比例提升 (18) （2）从2x2 MIMO到4x4 MIMO，射频前端下行链路器件数量翻倍 (20) （3）从低阶调制到256QAM，射频前端需满足更高线性度要求 (21) 3、频谱划断全面提升，高频化推动前端工艺演变 (22) 4、射频前端模组化加速，进一步推高前端市场 (23) （1）射频前端呈现模组化趋势 (23) （2）多样化竞争策略下，射频前端具有灵活的模组解决方案 (26) （3）具有更高射频前端价值的中高端机型渗透提升，进一步推高射频前端市场 (29) （4）从器件级到封装级，LCP封装有望实现最高程度的模组化 (30) 三、前端主力市场暂由海外巨头垄断，而5G可能重构前端格局 .. 31

射频集成电路设计基础.

《射频集成电路设计基础》讲义 低噪声放大器(LNA) LNA的功能和指标 二端口网络的噪声系数 Bipolar LNA MOS LNA 非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声 CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配 参考文献 <<>><>?

LNA的功能和指标 ? 第一级有源电路，其噪声、非线性、匹配等性 能对整个接收机至关重要 ? 主要指标 LNA – 噪声系数(NF) 取决于系统要求，可从1 dB以下到好几个dB，NF与工作点有关– 增益(S21) 较大的增益有助于减小后级电路噪声的影响，但会引起线性度的恶化– 输入输出匹配(S11, S22) 决定输入输出端的射频滤波器频响 – 反向隔离(S12) – 线性度(IIP3，P1dB) 未经滤除的干扰信号可通过互调(Intermodulation)等方式使接收质量降低 <<>><>?

二端口网络的噪声系数 ? 噪声参数 , 定义 ,则 Noiseless Network i n S,2 Y S v n2i n 2 Source Two-port Network i n i u i c + =i c Y c v n = F i n S,2i n v n Y S + []2 + i n S,2 -----------------------------------------= F i n S,2i u v n Y S Y c + () + []2 + i n S,2 ---------------------------------------------------------= 1 i u2Y S Y c +2v n2 + i n S,2 ------------------------------------- + = Y S G S jB S + =,Y c G c jB c + =R n v n2 4kT f? -------------- =,G u i u2 4kT f? -------------- = , G S i n S,2 4kT f? -------------- = F1 G u Y S Y c +2R n + G S ---------------------------------------- +1 G u G S ----- G S G C + ()2B S B C + ()2 + G S ----------------------------------------------------------R n ++ == <<>><>?