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Dicing Tape与 Die Saw 制程

Dicing Tape与 Die Saw 制程
Dicing Tape与 Die Saw 制程

Dicing Tape与Die Saw 制程

一般在切割(DIE SAW)的过程中最容易发生问题的地方有二个,Free Dice 和Chipping 。

一、Free Dice

Free Dice发生的原因:

1、粘着面不清洁。

2、TAPE 与被粘着面粘力不足。

粘着面不清洁的解决方法:

一般使用者遇到Free Dice的问题时,通常都只考虑到粘力不足,不常考虑到Wafer back surface与Substrate 贴合面的状态,清洗贴合面有助于增加Tape的贴合面,通常使用的清洗方法大致有两种:

1、超声波清洗。

2、电将清洗。

TAPE 与被粘着面粘力不足

通常粘力=(Tape与Die的接触面积)×(Tape对Wafer 或Substrate背面的粘度)

所以当Die越小,或是Tape粘度低时会产生Free Dice的机会说越多。

针对Free Dice的解决方法:

1、选用粘度较大而unwinding force 又不太高的Tape。

2、增加Tape与Die背面的接触面积(MOUNT 之后

CURE)。

为了增加Tape与Wafer的接触面积,可分为Pre-cure(预热)与MOUNT 之后烘烤两种,Pre-cure主要是在MOUNT 之前利用Wafer Chuck Table加温,达到Tape MOUNT到Wafer时Tape的胶层稍微软化,达到较好的贴合效果。

MOUNT之后的烘烤,主要是Pre-cure的效果没有达到的需要的粘力,所以用此方法,预防在Die Saw过程中发生Free Dice现象。

TAPE 的化学特性

Wafer由于在Back Grinding后有TTV值的存在,表示

并非百分之百的平面,用烤箱烘烤使胶层软化,以达到填充Wafer Back Side 的微小凹面,使Tape与Wafer Back Side的

接触面增加,以达到增加粘力的效果。

Adhesion(gf/20cm)

23 60 Temperature(℃) 由图可知,当胶层温度由23℃上升到60℃时(由A到B),

胶层的粘度变小,但胶的流动性变大,使胶层比较容易渗入

不平整的Wafer背面,以增加接触面积,当Wafer要Saw之前,胶层又回到原来的温度(B到A’),因为胶对温度的

变化是一种不可逆的过程,所以A不等于A’。

烘烤前Tape与Wafer的粘力=(A的粘度)×(烘烤前Tape

与Wafer的接触面积)

烘烤后Tape与Wafer的粘力=(A’的粘度)×(烘烤前Tape

与Wafer的接触面积)

由于并非长时间烘烤,所以A的粘度与A’的粘度并不会

大幅改变,主要改变粘力的因素在于Tape与Wafer的接触

面积的增加。

Tape与Wafer的接触面积(%)

用烘烤的方法增加粘力,基本上有一些限制,当Tape Mount 到Si Wafer的Back Side后以60 ℃热源烘烤三分钟其Tape 与Wafer的接触面积已经达到80%以上,此时若再继续烘烤十分钟最多增加10%,所以我们可以得出结论,虽然烤的越久,Tape与Wafer的接触面积增加越多所以越粘,但后面的烘烤时间也会越没效率。

烘烤的缺点:

烘烤的目的就是要增加粘性,对解决Free Dice而言当然越粘越好,但对于Die Bond而言,Tape越粘,顶针的力量就越大,对Wafer 背面留下的伤痕的机会也越大,所以建议您使用Dicing Tape时,如果Dice的尺寸小于2mm×2mm,或是您有如上述顶针刮痕的问题,我们建议使用UV Tape。

二、Chipping

Chipping大约可分为:(1)Up Side Chipping;(2)Back Side Chipping;(3)Angle Chipping;(4)Crack Chipping。

发生Chipping的原因大致可分为三大因素:

(A)刀具因素;(B)Wafer材料的因素;(C)Tape 因素。这里主要针对Tape因素加以讨论:

(A)刀具因素

以下条件越容易发生Chipping:

1、切割速度越快;

2、刀具主轴转速越快;

3、Dice越小;

4、DI Water喷的越少;

(B)Wafer材料的因素

1、有Passivation的Wafer会比Mirror Wafer较容易发

生Chipping;

2、较薄的Wafer较容易发生Chipping;

(C)Tape因素

1、Chipping的位置:

一般Chipping发生时应该都会在Dice的同一边,对Dice 而言,第4个切割边常是最容易发生Chipping的地方。

4 th

主要原因为:(1)其切割地方的前方已经存在Dicing Line。

(2) 对Dice而言,切割边就是最后一个支撑边,

如果没有很优良的Tape做为切割平台, Wafer

很容易发生Chipping。

2、Tape的制造误差

制造误差越小,Tape的表面越平整,Chipping的问题就

越小。

解决方法:如果使用一般的Tape,那么建议使用电子级的Tape。

3、刀具切入Tape的深度

Wafer

(d)

Tape

基本上,刀具穿Wafer后切入Tape的深度越大,越不容易Chipping,但是也不能切的太深,一般由于Tape厚度都是80mm,通常切入Tape大约10--20um。

解决方法:

1、使用Tape厚度较厚,同样是PVC基材的Tape。

2、使用相同厚度的Tape,但其基材必须为不可扩展的

(Non-Expandable Base Film)Tape。

4、切割平台

切割(Die Saw)时会Chipping 的现象,除了以上原因外,最重要的原因在于Die Saw过程中如何保持Dice不受移动是非常重要的,胶层太软,容易使Dice在Die Saw 过程中晃动而产生chipping。

解决方法:

提高胶层硬度,因为胶层紧贴着Wafer。在Die Saw过程中,胶层的作用就等于的切割平台,切割平台够硬,chipping问题自然改善。

产能分析报告

产能分析报告 一、产能修改记录及主要产品信息 注:产能分析报告——修改记录 1)产能发生变化时以便及时追踪。如进行增产以达到完全生产能力,此时生产线通过一系列步骤可以达到完全生产能力,则应记录下这些变化。填写论证产能时也应同时填写日期。 2)此次产能分析报告均记作初次提交。 注:产品信息 1)完成产能分析报告的首先要明确需要分析的产品的详细信息。包括产品名称、型号、产能概况、客户需求信息等。 2)必要时应完善产品主要零部件供应商信息,以便及时掌握配套商供货情况,平衡零部件供货影响系数。 二、现有设备产能核算 1、预订工作时间标准

注: 1)单班时间:每班总时间-每班的总计可用小时数。 2)班次:表示的是每天每个工艺操作的班次数。 3)作业率:(总工时-无效工时)/总工时。 人员休息-如果在人员休息的时候,机器也停止运转,则输入每班中机器不运转的时间长度。 计划的维修时间-这是计划的每班中机器停机用于维护的时间长度。 4)年出勤时间:年出勤天数-表示的是每年的工艺运作的天数(扣除法定节假日、双休日)。 5)计算举例:每班8小时、每天2班次、作业率80%、年出勤302天,净可用时间=8*2*80%*302=时。 2、代表产品制程/线能力计算

注: 1)代表产品:所谓代表产品指产品制程包含其他所有产品制造过程包含的所有工艺过程;如存在两种以上产品包含不同工艺过程、需分别取各类型产品代表产品制程并进行线能力分析。 2)评价瓶颈工序应排除可用外协、其他生产线可用设备借代等因素影响。 3)每条生产线选取一种或2种产品作为代表说明制程及瓶颈工序即可,其他产品可直接计算毛产能。3、毛产能核算 注: 1)毛产能核算过程没有排除产品合格率、设备故障率、人员负荷等因素对产能的影响,不能作为需求平衡分析的依据,需进一步平衡。 2)其他产品可根据代表产品计算方法计算出出毛产能。

光刻工艺流程

光刻工艺流程 Lithography Process 摘要:光刻技术(lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学,物理刻蚀法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术,其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小,集成度不断提高,从而使得器件不断缩小,性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光,提高了产量,质量,降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为:涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical - chemical reaction principle and chemical, physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printing technology in the photo lithographic process. Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure → development →hard bake → etching → Strip Photoresist. 关键词:光刻,涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,刻蚀,去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Soft bake,exposure,development,hard bake ,etching, Strip Photoresist. 引言: 光刻有三要素:光刻机;光刻版(掩模版);光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备,也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单,70年代中期前使用,分辨率只有微

光刻工艺简要流程介绍

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。 光刻机是生产线上最贵的机台,5~15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15~20个直径为200~300mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于10nm)。其折旧速度非常快,大约3~9万人民币/天,所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning)光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。 光刻工艺过程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking) 方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~2500C,1~2分钟,氮 气保护) 目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气,是基底表面由亲水性变为憎水性,增强表面的黏附性(对光刻胶或者是 HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。 2、涂底(Priming) 方法:a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸汽淀积,200~2500C,30秒钟;优点:涂底均匀、避免颗粒污染;b、旋转涂底。缺点:颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。

目的:使表面具有疏水性,增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶(Spin-on PR Coating) 方法:a、静态涂胶(Static)。硅片静止时,滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂(原光刻胶的溶剂约占65~85%,旋涂后约占10~20%); b、动态(Dynamic)。低速旋转(500rpm_rotation per minute)、滴胶、加速 旋转(3000rpm)、甩胶、挥发溶剂。 决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻胶的厚度越薄;旋转速度,速度越快,厚度越薄; 影响光刻胶厚度均运性的参数:旋转加速度,加速越快越均匀;与旋转加速的时 间点有关。 一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关(因为不同级别的曝光波长对应不 同的光刻胶种类和分辨率): I-line最厚,约0.7~3μm;KrF的厚度约0.4~0.9μm;ArF的厚度约0.2~ 0.5μm。 4、软烘(Soft Baking) 方法:真空热板,85~120℃,30~60秒; 目的:除去溶剂(4~7%);增强黏附性;释放光刻胶膜内的应力;防止光刻胶 玷污设备; 边缘光刻胶的去除(EBR,Edge Bead Removal)。光刻胶涂覆后,在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀,不能得到很好的图形,而且容易发生剥离(Peeling)而影响其它部分的图形。所以需要去除。

[塑料] 塑胶喷涂丝印工艺、不良缺陷及QC控制要点

[塑料]塑胶喷涂/丝印工艺、不良缺陷及QC控制要点 一、喷漆常见缺陷 1. 飞油因套模不正或胶件变形导致油从套缝中飞出: ~) l; n% f& W 2. 流油因喷漆末干而流动的油层 3. 积油喷漆不均匀积成油块# e' U; o6 R8 Y 4. 油渍胶件上粘有油质而导致喷时不上漆 5. 油污胶件被油漆污染* | j' r" |5 e& O1 \+ u6 F6 s 6. 上色不足喷漆时颜色没有签板深( k! h N2 |$ r& o# H7 G' w 7. 砂孔反映在制品表面象砂子大小的孔,打磨后可再加工8 N0 O; B4 y; q4 Z) j 8. 走位涂层处理位置不正确,同样板有偏差,调整相应机械或工具可改善 9. 起牙边涂层处理后其边参差不齐,调整丝印网版,移印胶头或喷漆模可改善# r) T1 ~! F! l& R4 H# M 10. 甩油涂层处理后,表面一块块脱掉,可改变盛放方法及等涂层全干后投入生产 11. 反底因胶件或油漆的原因令油层遮盖不到胶件的颜色$ V6 {8 P5 G* x, |$ \: g; N) Q9 | 12. 漏喷漆应喷漆而没有喷漆的位置 13. 刮花胶件或喷漆层由于外界碰擦而刮花的痕迹4 t" H* b3 m2 S7 M! H 14. 色差涂层颜色不一致,异于样板,常见于配套配色胶件; I5 ^. O0 h- n 15. 哑色或称无光泽,由油漆质量或喷涂层厚薄所致。 16. 拉丝由于涂层太浓,而致使移开网版,胶头或模具时而留下的丝状物( F7 j2 Z! E0 b1 f: |% p 17. 油面末干油面接触到硬物件时,其硬度不够凹下 二、移印常见缺陷 1. 漏印规定移印的位置末有移印 2. 重印移印过多次,图案上易有叠影* P9 D x; `2 n- L% M3 T( T 3. 印错位没有将图案印在规定的位置# m/ U, j+ R& ]2 Q3 P! w" q5 Y 4. 移位移印的图案位置与规定的位置有误差' v- Y+ |4 k/ I% h" V 5. 变形移印的图案的形状与签板规定的形状不完全相同& q! z, q# x1 ?7 U. U8 S/ g 6. 油起毛因油干,机头回转时有油层 7. 油不清晰因油调得太稀而导致移印在啤件上的图案颜色不明显Z# o4 _2 O9 K9 z* l& ]# m 8. 油不均匀油还没调和,致使移印图案清晰程度不完全相同 9. 不对色移印图案的颜色与签板的颜色不完全相同 10. 套色偏移套色移印时位置发生误差4 k# v/ g. U g* y; O5 m9 ^ 11. 断线字体或图案自某一部分断开来,看上去不是一个完整的整体( E; _' V& y7 {& n F 三、丝印) i) { P% j I: @' a 1. 飞油字体、图案边缘出现不规则的图形,比原来印出的图案浅色 2. 尘埃字体或图案边缘有多出的小点,小孔或图形缺损& T* R3 T+ G+ @; C- i/ v9 M 3. 漏油在不需要印刷的部位多了一些油点,严重的出现大面积油污: R! F! V+ M, X# m: j% r4 z 4. 干网字体或图案边角位变得圆滑、无棱角或图案变小 5. 起泡印刷面上出现一粒粒的凹凸不光滑图形,如橙皮一样皱纹 6. 粘网在图案上出现厚薄不均匀现象,有时印出的油很薄,干后出现砂孔,有时印出的油很厚,干后出现爆裂 7. 起丝图案边缘出现一条条的细丝或相连小点9 P0

TFT Array制程技术简介(20080917)

TFT Array製程技術 ~The Technology of TFT Array Processing 中小事業部產品設計總處 面板設計處AR設計部isplaying your vision!

isplaying your vision!E/B and E/S TFT Structure Data Line & Source Passivation SiNx Gate Line Cs Line & Cst Gate Insulator Glass Substrate Gate Line & Cst Glass Sub. Passivation SiNx Gate Insulator Data Line & Source E/B Type TFT & Cs on Common TFT Array Structure E/S Type TFT & Cs on Gate TFT Array Structure

Pixel Elements isplaying your vision!

isplaying your vision! 5-Photo Exposure Process Insulator Passivation (1)Gate Patterning (Mask 1) (2)SiN/a-Si/n+ a-Si Deposition (3)a-Si Pattering (Mask 2) (4)S/D Metal Patterning (Mask 3) (5)Back Channel Etching for B/E structure (6)Passivation Layer Coverage (7)Contact Hole/ Window Etching (Mask 4)(8)ITO Pixel Electrode Patterning (Mask 5)

制程能力分析

制程能力分析 緒言 在產品生產周期內統計技朮可用來協助制造前之開發活動、制程變異性之數量化、制程變性相對于產品規格之分析及協助降低制 程內之變異性。這些工作一般稱為制程能力分析(process capability analysis)。制程能力是指制程之一致性,制程之變異性可用來衡量制程輸出之一致性。 我們一般是將產品品質特性之6個標准差范圍當做是制程能力之量測。此范圍稱為自然允差界限(natural tolerance limits)或稱為制程能力界限(process capability limits)。圖9-1顯示品質特性符合常態分配且平均值為μ,標准差為σ之制程。制程之上、下自然允差界限為 UNTL=μ+3σ上自然允差界限 LNTL=μ-3σ下自然允差界限 對于一常態分配,自然允差界限將包含99.73%之品質數據,或者可說是0.27%之制程輸出將落在自然允差界限外。如果制程數據之分配不為常態,則落在μ±3σ外之機率將不為0.27%。

(例) 產品外徑之規格為5±0.015cm,由樣本資料得知X=4.99cm,σ=0.004cm,試計算制程之自然允差界限。 (解): UNTL=4.99+3(0.004)=5.002 LNTL=4.99-3(0.004)=4.978 制程能力分析可定議為估計制程能力之工程研究。制程能力分析通常是量測產品之功能參數而非制程本身。當分析者可直接觀察制程及控制制程數據之收集時,此種分析可視為一種真的制程能力分析。因為經由數據收集之控制及了解數據之時間次序性,可推論制程之穩定性。若當只有品質數據而無法直接觀測制程時,這種研究稱為產品特性分析(product characterization)。產品特性分析只可估計產品品質特性之分布,或者是制程之輸出(不合格率),對于制程之動態行為或者是制程是否在管制內則無法估計。這種性形通常是發生在分析供應商提供之品質數據或者是進貨檢驗之品質資料。

Array制程光刻胶残留不良改善方法研究

? 5 ? ELECTRONICS WORLD?探索与观察 Array制程光刻胶残留不良改善方法研究福州京东方光电科技有限公司 柴国庆 余舒娴 翁 超 周维忠 刘 超 崔泰城 【摘要】光刻胶剥离制程为TFT-LCD制造Array基板的重要制程,剥离与洗净效果决定TFT产品质量。光刻胶残留是其主要不良。本文分析光刻胶残留的现象和成因,通过剥离设备的结构调整与保养、工艺参数的优化来改善光刻胶残留。研究表明,通过优化技术人员作业手法,增大剥离区间流量,严格管控剥离液药液浓度和水洗区间清洁与改造等的联合运用,可以有效避免光刻胶的大面积残留,提高产品质量,减少重剥而降低产能Loss,同时最大限度降低对真空设备的影响。 【关键词】TFT-LCD;Array;光刻胶剥离;光刻胶残留;工艺参数Research on the Improvement Methods of Photoresist Remain in Array Process CHAI Guoqing,YU Shuxian,WENG Chao,ZHOU Weizhong,LIU Chao,CUI Taicheng (Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co.,Ltd) Abstract:in TFT-LCD industry Array manufacturing,large photoresist remain(PR Remain)defect after left-off has great in?uence on the quality,yield and directly relates to the effectiveness of manufacturing enterprises.In this article,we analyzed the morphology and the causes of PR Remain and introduces the better prevent of PR Remain through equipment cleaning and maintenance,optimizing the process conditions,Such as stripper and water ?ow,and modifying the construc-tion of equipment.The research shows that the combined utilization of optimize operation technique and Stripper maintenance,can effectively decrease PR remain occurrence,and reduce to the re-strip ratio of array mass production(MP).Meanwhile,the quality and ef?ciency of production was improved and the in?uence on V acuum equipment was reduced. Key Word:TFT-LCD;Array;Photoresist Stripper;Photoresist Remain;Technologi-cal Parameter 1 引言 随着国内大力投资发展显示面板行业,TFT-LCD面板越来越大,所能做出显示器件也越来越大,同时也增大了各工艺的难度。其中,Array基板为TFT-LCD屏重要组成部分,它主要是在玻璃基板上制造所需要的电路,根据扫描信号选择像素和根据显示信号控制液晶偏转量[1]。Array基板的制造是由成膜(Sput-ter),涂布(Coater),曝光(Photo),显影(Developer),刻蚀(Etch),剥离(Stripper)。目前主要应用在a-Si TFT-LCD和Oxide相关工艺方向的有4Mask 和5mask工艺。较为前沿的研究也进行了3mask的探索[2]图1所示是典型的0+4 Mask产品Array基板在显微镜下的画面。 无论是选择何种生产工艺,光刻胶(Photoresist,PR)均会应用在形成所需要的图案的各制程中,又因为各膜层材质的不同,光刻胶涂覆工艺和粘附性也有较大差异,与之相对应的是在光刻胶剥离(Stripper)工序中的剥离(Lift-off)程度的难易。湿法剥离是重复次数最多的工序之一,其制程质量控制要点是:光刻胶的去除能力,Mura的控制,金属线的腐蚀,Particle的控制[5] 。 图1 0+4Mask显微镜下画面 光刻胶(PR胶),在曝光区域发生光化学反应,造成曝光和非曝光区在碱液显影液(Developer)中溶解性产生明显的差异,经适当的溶剂处理后,溶去可溶性部分,得到所需图像。根据其化学反应机理可分负性胶和正性胶两类。Array基板制造过程中使用的是正性胶,主要成分和作用是:(1)线性酚醛树脂为成膜树脂,经涂布工艺在沉积有金属膜层的玻璃基材表面形成树脂涂层,利用光刻工艺,在涂层上“复制”电路。(2)感光剂(photo-active compo und,简称PAC)采用邻重氮萘醌(简称为DNQ)磺酸酯,利用PAC在感光和非感光部分反应的不同,得到所需的图案。(3)溶剂和添加剂,溶剂作用是获得均匀的稀释液体,使其具有良好的流动性,有利于形成均一平整的图层;添加剂含量很小,目地是增强附着性,增加光感度,改善表面成膜性等,正性胶有良好的分辨率,成本也相对较高[3]。湿法剥离(Wet Stripper)原理与过程如图2 所示。 图2 Wet Stripper剥离光刻胶原理 由于该工序存在于TFT制造的每个制程的最后一道工序,其质量直接影响下一制程品质。在生产制造过程中,我们将各制程经过剥离工序后仍有PR胶存在于膜层之上

产品缺陷定义判定管理

产品缺陷定义、判定管理文件编号:KQ/QP07-02-2012 文件版本:A/0 制订日期:2012/10/20 制订单位:技术部

目录 1、第一章产品缺陷的等级和判定基准(AQL)-------------------------1-5 2、第二章产品缺陷分类-----------------------------------------------------6-9

第一章产品缺陷的等级和判定基准(AQL)为了尽早的发现问题,最大限度的减少损失,要求每一位作业人员要进行自主检验,下面讲述行业中对一些缺陷的通用等级判定标准。在碰到一些问题时能够触类旁通,迅速的作出准确的判定,以节省时间和减少不必要的浪费。 一.首先明确什么叫检验(检查):是用目视测量、试验、测定或其它方法将需检验的产品的特征值与标准值对比的一个过程。符合标准的即为合格品,反之,不符合标准的即为不合格品。不符合处有可能是一处也可能是多处,但只要有一个该产品就为不合格品。 二.缺陷的分类 将缺陷和含有该缺陷的不合格品分为三个等级: 1.极严重缺陷(或称致命缺陷)、极严重不合格品。与安全有关的缺陷如突出的锐角、漏电、有毒等危及人体安全与健康的均属此类。 2.严重缺陷、严重不合格品:与安全无关而与功能有关的缺陷、不合格品。如产品厚度不够、功能不健全影响使用但不危及人体安全及健康。 3.轻微缺陷、轻微不合格品:不影响使用只影响美观性的缺陷如刮伤、色差甚至缺料但不是关键部位不影响组装、功能都均属于轻微缺陷。 三、抽样检验 抽样检验分为计量检验和计数检验两种。在下列情况下一般用抽样检验: 1.需用破坏性手段去检验的,如检验产品的使用寿命,产品内部尺寸无法用检具直接测量的 2.数量较多,时间上不允许的.在品管或客户只检验了一部分产品,发现了一至二个不合格品,就要整批判退. 抽样检验是依据目前国际通行的GB/T2828.1-2003部分为依据.该抽样标准较为复杂,我司主要采用其中的普通单次抽样标准,另外还有普通多次、加严、放宽、减量等各种抽样方案,视质量水平的稳定性和宽严而决定采用哪一种。 ㈠表格的认识 1.批量: 送检的总数,实际制程中可视一箱或半箱为一个 批量. 2.样本: 根据批量的大小所应抽取检验的数量. 3.AQL值:如0、0.2、0.4等均为AQL值. A Q L Accept Quality Levese 允收质量水平可接受的质量水平 前面讲述缺陷的三个等级,这些值就是以这三个等级来进行对应规定的,根据各个厂的实际情况,我厂规定极严重为0 、严重0.65、轻微1.5 4.允收极限: AC RE 允收缺陷个数的极限。 ㈡使用范例 假设我厂有一批水阀芯1200PCS送检该如何使用抽样 查表来判定呢? 1.首先明确AQL值:我厂为严重0.65、轻微1.5。 2.确定送检的批量数:1200PCS。 3.查表得出应抽检的样本数:80PCS。 4.得出检验结果并记录:假设为缩水4PCS、功能柱粘模1PCS或者缩水2PCS、功能柱粘模2PCS。 5.查表找出0.65和1.5的允收值:严重AC 1、RE 2,轻微AC 3、RE 4。 6.与检验结果相对照,在第一种假设中表面刮伤属外观问题属轻微等级,孔位不对为严重等级,对应查表的结果,轻微问题4个大于AQL值3个的允收极限,那么此1200PCS当判退,虽然孔 位不对为严重问题,未超出允收极限但二者只要有一项不符均不可。在第二种假设中轻微问题

关于品质DPPM的计算知识

内容 ? DPPM是什么 意思 相 关 PPM就不用我说了吧!看一下中文意思就明白,至于DPPM的计算方法我在网上找到了(下面的那个个网址上有详细的计算方法)。 劣质成本(COPQ) 直通率(FPY,RTY,TPY) 每百万次缺陷数(PPM) 单件产品缺陷率(DPU) 单件机会缺陷率(DPO) 每百万次机会缺陷率(DPMO) 能力指数(Cp, Cpk, Ppk, σ水平) DPPM的计算方法请看下面的文章,这是我剪贴下来的,也可看下面这个网页:https://www.sodocs.net/doc/704443340.html,/spc/SPC4.htm 1、前言 1998年5月1日品质学会召开出版委员会,主任委员卢瑞?┫壬ㄌ车钠焚|奖个人奖得奖人,忆华电机总经理)提到一个令人疑惑的问题。多年前他曾经访问美国矽谷旭电公司(Solectron)(1991年曾获美国国家品质奖),当问到该公司目前的品质水准时,该公司?董事长答道说:『经多年的整体改善活动,目前已达到500个ppm的品质水准』。但是卢总经理自己经营的忆华电机,目前制程品质水准也可以达到200个ppm,是否以忆华的品质水准也应可以申请美国国家品质奖?可是目前忆华还不曾申请台湾 的品质奖,这是否意味著台湾的品质奖较美国国家品质奖的门槛还高。本人曾经替忆华电机设计即时制程管制系统,系统中要求以dppm为单位计算制程的品质水准,所以熟知忆华电机品质水准的计算方式,当时就以下例?碚f明两者ppm 的计算方法不同,而造成品质指标不一致的结果。假设某制程;例如SMT,AI或HI,某天的生产日报如下: 产品别检点数/台生产台数不良台数合计缺点数 A 200点/台1000台5台10点 B 100点/台1000台10台20点

光刻工艺介绍

光刻工艺介绍 一、定义与简介 光刻是所有四个基本工艺中最关键的,也就是被称为大家熟知的photo,lithography,photomasking, masking, 或microlithography。在晶圆的制造过程中,晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成,这些部件是预先做在一块或者数块光罩上,并且结合生成薄膜,通过光刻工艺过程,去除特定部分,最终在晶圆上保留特征图形的部分。 光刻其实就是高科技版本的照相术,只不过是在难以置信的微小尺寸下完成,现在先进的硅12英寸生产线已经做到22nm,我们这条线的目标6英寸砷化镓片上做到0.11um。光刻生产的目标是根据电路设计的要求,生成尺寸精确的特征图形,并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。

二、光刻工艺流程介绍 光刻与照相类似,其工艺流程也类似: 实际上,普通光刻工艺流程包括下面的流程:

1)Substrate Pretreatment 即预处理,目的是改变晶圆表面的性质, 使其能和光刻胶(PR)粘连牢固。主要方法就是涂HMDS,在密闭腔体内晶圆下面加热到120℃,上面用喷入氮气加压的雾状HMDS,使得HMDS和晶圆表面的-OH健发生反应已除去水汽和亲水健结构,反应充分后在23℃冷板上降温。该方法效果远比传统的热板加热除湿好。 2)Spin coat即旋转涂光刻胶,用旋转涂布法能提高光刻胶薄膜的 均匀性与稳定性。光刻胶中主要物质有树脂、溶剂、感光剂和其它添加剂,感光剂在光照下会迅速反应。一般设备的稳定工作最高转速不超过4000rpm,而最好的工作转速在2000~3000rpm。 3)Soft Bake(Pre-bake)即软烘,目的是除去光刻胶中溶剂。一般是 在90℃的热板中完成。 4)Exposure即曝光,这也是光刻工艺中最为重要的一步,就是用 紫外线把光罩上的图形成像到晶圆表面,从而把光罩上面的图形转移到晶圆表面上的光刻胶中。这一步曝光的能量(Dose)和成像焦点偏移(Focus offset)尤为重要. 5)Post Exposure Bake(PEB)即后烘,这是非常重要的一步。在 I-line光刻机中,这一步的目的是消除光阻层侧壁的驻波效应,

产品缺陷定义、判定管理

产品缺陷定义、判定管理 文件编号:KQ/QP07-02-2012 文件版本:A/0 制订日期:2012/10/20 制订单位:技术部 受控印位:

目录 1、第一章产品缺陷的等级和判定基准(AQL)-------------------------1-5 2、第二章产品缺陷分类-----------------------------------------------------6-9

第一章产品缺陷的等级和判定基准(AQL) 为了尽早的发现问题,最大限度的减少损失,要求每一位作业人员要进行自主检验,下面讲述行业中对一些缺陷的通用等级判定标准。在碰到一些问题时能够触类旁通,迅速的作出准确的判定,以节省时间和减少不必要的浪费。 一.首先明确什么叫检验(检查):是用目视测量、试验、测定或其它方法将需检验的产品的特征值与标准值对比的一个过程。符合标准的即为合格品,反之,不符合标准的即为不合格品。不符合处有可能是一处也可能是多处,但只要有一个该产品就为不合格品。 二.缺陷的分类 将缺陷和含有该缺陷的不合格品分为三个等级: 1.极严重缺陷(或称致命缺陷)、极严重不合格品。与安全有关的缺陷如突出的锐角、漏电、有毒等危及人体安全与健康的均属此类。 2.严重缺陷、严重不合格品:与安全无关而与功能有关的缺陷、不合格品。如产品厚度不够、功能不健全影响使用但不危及人体安全及健康。 3.轻微缺陷、轻微不合格品:不影响使用只影响美观性的缺陷如刮伤、色差甚至缺料但不是关键部位不影响组装、功能都均属于轻微缺陷。 三、抽样检验 抽样检验分为计量检验和计数检验两种。在下列情况下一般用抽样检验: 1.需用破坏性手段去检验的,如检验产品的使用寿命,产品内部尺寸无法用检具直接测量的 2.数量较多,时间上不允许的.在品管或客户只检验了一部分产品,发现了一至二个不合格品,就要整批判退. 抽样检验是依据目前国际通行的GB/T2828.1-2003部分为依据.该抽样标准较为复杂,我司主要采用其中的普通单次抽样标准,另外还有普通多次、加严、放宽、减量等各种抽样方案,视质量水平的稳定性和宽严而决定采用哪一种。 ㈠表格的认识 1.批量: 送检的总数,实际制程中可视一箱或半箱为一个 批量.

光刻工艺流程及未来发展方向

集成电路制造工艺 光刻工艺流程 作者:张少军 陕西国防工业职业技术学院电子信息学院电子****班 24 号 710300 摘要:摘要:光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去 的工艺,在此之后,晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。 关键词:光刻胶;曝光;烘焙;显影;前景 Abstract: photoetching lithography (is) through a series of steps will produce wafer surface film of certain parts of the process, remove after this, wafer surface will stay with the film structure. The part can be eliminated within the aperture shape is thin film or residual island. Keywords: the photoresist, Exposure; Bake; Enhancement; prospects 基本光刻工艺流程— 1 基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光 1.1 光刻十步法 表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀—光刻胶去除—最终目检。 1.2 基本的光刻胶化学物理属性 1.2.1 组成聚合物+溶剂+感光剂+添加剂,普通应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反应,它们称为光学光刻胶(optical resist),还

spc制程能力分析

SPC 概述Statistical Process Control

SPC Introduction 统计性统计管理(SPC = Statistical Process Control)? ? Statistical ... ?统计性方法是用Sampling的Data Monitoring 、分析Process 变动时使用。 Process ... ?反复性的事情或者阶段 (SIPOC : Supplier → Input → Process → Output → Customer) Control ... ? Process正在变化的事实早期警报。 警报是指最终Output出来之前纠正问题,能够具有充分的时间 (管理图 : 随着时间工程散布的变化) SPC –对某个 Process掌握品质规格和工程能力状态, 利用统计性资料和分析技法, 在所愿的状态下一直能管理下去的技法。 2

SPC 的发展历史 SPC 的特征:控制过程,防患于未然。 重点在于预防

?電視機彩色密度 投机?美國:無不合規格產品出廠,注意力在符合規格?日本: 0.3% 超出產品規格,致力於命中目標

製程- 產品-顧客 產品 (Output) Measurement 製程(過程)(Process) 展開 特性 特徵 顧客 滿意 Man Machine Material Method Environmental 4M1E

製程,程序 影響工作結果之所有原因的集合,亦即為達成工作 結果之製造過程中所有活動的集合 管制,控制 確保達到要求標準,必要時採取矯正行動 何謂製程管制 (程序控制) 工作 結果 原材料 方法 環境 機器 人員 原因 手段 特性 目的

光刻工艺

光刻工艺 一、提示: 光刻工艺是集成电路制造中最关键的工艺之一。光刻是一种复印图像和化学腐蚀相结合的综合性技术。光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和掺杂的晶圆上。这些结构首先以图形形式制作在被称为光刻掩膜版的石英膜版上,光刻工艺首先将事先做好的光刻掩膜版上的图形精确地、重复地转移到涂有光刻胶的待腐蚀层上,然后利用光刻胶的选择性保护作用,对需腐蚀图形层进行选择性化学腐蚀,从而在表面形成与光刻版相同或相反的图层。 二、概要: 光刻实际是将图形转移到一个平面的任一复制过程。本章先介绍了光刻的概念,接着介绍了光刻工艺的基本步骤,并相继介绍了光刻过程中的必备的两种材料,即掩膜版和光刻胶,然后对多种光刻设备做了简要介绍。本章需重点掌握光刻工艺、光刻胶及光刻设备等。 三、关键知识: 光刻的概念:光刻处于晶圆加工过程的中心,一般认为是集成电路(IC)制造中最关键的步骤,需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。光刻过程实际是图形由掩膜版转移到晶圆表面的过程。 光刻工艺的基本步骤:光刻工艺是一个复杂的过程,其中有很多影响其工艺宽容度的工艺变量。为了方便起见,这里将光刻工艺分成8个基本操作:气相成底膜、旋转涂胶、软烘(前烘)、曝光、烘焙、显影、坚膜(后烘)、显影检查。 光刻胶的分类:光刻包括两个基本的工艺类型,即正性光刻和负性光刻,因此用于光刻的光刻胶也有正胶和负胶之分。正性光刻是把与掩膜版上相同的图形复制到晶圆上,负性光刻是把与掩膜版上图形的相反图形复制到晶圆表面。 光刻设备:从早期的晶圆制造以来,光刻设备经历了几代的发展,每一代又以当时获得的特征尺寸分辨率所需的设备类型为基础。主要的光刻设备认为以下五代:接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影光刻机、分步重复光刻机和步进扫描光刻机。 四、重点讲解: 1、光刻的主要参数: (1)特征尺寸:一般是指MOS管的最小栅长,减小特征尺寸可以在单个晶圆上布局更多的芯片。光刻技术决定了在晶圆上的特征尺寸数值。 (2)分辨率:是指将晶圆上两个邻近的特征图形区分开来的能力。焦深是光焦点周围的一

光刻工艺流程

光刻工艺流程 Lithography Process 摘要:光刻技术(lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学,物理刻蚀法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术,其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小,集成度不断提高,从而使得器件不断缩小,性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光,提高了产量,质量,降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为:涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuitsusing optical - chemical reaction principle and chemi cal, physical etching method, the circuit pattern is transferredto the single crystal surfaceor the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printingtechnology in the photo lithographi cprocess. Development of lithography technologymakes graphic swidth shrinking, integration continues toimprove, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flowis: Photoresist Coating → Soft bake→exposure →development →hard bake→ etching → Strip Photoresist. 关键词:光刻,涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,刻蚀,去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Softbake,exposure,development,hard bake ,etching,Strip Photoresist.

产能分析报告及指标明细

产能分析报告及指标明细 The document was prepared on January 2, 2021

产能分析报告模板及指标明细 一、产能修改记录及主要产品信息 注:产Array能分析 报告— —修改 记录 1) 产能发 生变化 时以便 及时追踪。如进行增产以达到完全生产能力,此时生产线通过一系列步骤可以达到完全生 产能力,则应记录下这些变化。填写论证产能时也应同时填写日期。 2)此次产能分析报告均记作初次提交。 注:产品信息 1)完成产能分析报告的首先要明确需要分析的产品的详细信息。包括产品名称、型号、产能概况、客户需求信息等。 2)必要时应完善产品主要零部件供应商信息,以便及时掌握配套商供货情况,平衡零部件供货影响系数。 二、现有设备产能核算

1、预订工作时间标准 注:Array 1)单班 时间:每 班总时间 -每班的 总计可用 小时数。 2)班 次:表示 的是每天 每个工艺操作的班次数。 3)作业率:(总工时-无效工时)/总工时。 人员休息-如果在人员休息的时候,机器也停止运转,则输入每班中机器不运转的时间长度。 计划的维修时间-这是计划的每班中机器停机用于维护的时间长度。 4)年出勤时间:年出勤天数-表示的是每年的工艺运作的天数(扣除法定节假日、双休日)。 5)计算举例:每班8小时、每天2班次、作业率80%、年出勤302天,净可用时间 =8*2*80%*302=时。 2、代表产品制程/线能力计算

1)代 表产 品:所 谓代表 产品指 产品制 程包含 其他所 有产品 制造过 程包含 的所有 工艺过 程;如 存在两种以上产品包含不同工艺过程、需分别取各类型产品代表产品制程并进行线能力分析。2)评价瓶颈工序应排除可用外协、其他生产线可用设备借代等因素影响。 3)每条生产线选取一种或2种产品作为代表说明制程及瓶颈工序即可,其他产品可直接计算毛产能。 3、毛产能核算

各制程不良分析

各制程不良分析手册 站别号问题点定义原因分析标准 1 CU 皮 起 泡 1.IU或IIU前板面药水污染等板面不洁造成结合不佳 2.电镀参数不合理导镀面结合粗糙不均不允许 2 线 状 缩 腰 1.因刮伤或汗清洁不良,导致干膜S/C暗区产生条状凹痕 2.因人造成或压膜不良造成干膜折痕 3.D/F后站药水污染致D/F板暗区扩涨 无造成断路,且 不小于规范线 径之20% 3 线 路 分 层 1.IU或CUII前处理不彻底,造成CU面结合不牢 2.槽液温度过低等参数不当致CU层沉积粗糙,与前者之CU 不能很好结合 3. D/F湿影不彻底 不允许 4 蚀 刻 不 尽 1.蚀刻参数未管控好 2.流锡或剥膜不尽 3.IU或IIU前干膜掉落(刮落或与板面结合不牢) 4.干膜前板面沾胶 线路间不超过 规范线径之 20%,且未造成 短路

电镀5 线 路 分 层 1.IU或CUII前处理不彻底,造成CU面结合不牢 2.槽液温度过低等参数不当致CU层沉积粗糙,与前者之CU 不能很好结合 3.D/F湿影不彻底 不允许 6 脏 点 短 路 1.干膜S/C未清洁净,致其明区沾污部分未被曝光固化,即 此线距部分会被镀上CU及sn/pb而造成短路 不允许 7 CU 面 凹 陷 1.基材本身有针点凹陷不良(检查基板表面) 2.压合时CU皮表面沾尘或PP质量不良造成压合后此瑕玼 3.电镀铜时因槽液特别是光泽剂不正常导致CU积不良 (2.3.可通过做切片观查,以作为参考) A手指不允许, 板面每点不大 于20mil,不超过 板厚的1/5 8 CU 面 残 缺 1.D/F沾膜,撕膜不净,导致蚀刻时被蚀掉 2.板面沾胶或沾药水导致CU面无保护层 3.电镀部分喷嘴不损造成局部过蚀 大铜面每点不 大于20mil,每面 只允许1点,其 它地方不允许

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