接触电阻标准

电阻率和电导率

电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。 某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。电阻率的计算是：电阻率＝电阻*截面积/长度，即 p=RS/L； ρ为电阻率，S为横截面积，R为电阻值，L为导线的长度 所以它的单位应该是欧姆*平方毫米/米， 欧姆*平方毫米/米 =欧姆*毫米*毫米/米 =欧姆*0.001米*0.001米/米 =欧姆*0.000001*米*米/米 =欧姆*0.000001米（0.000001=1μ） =1μm ·Ω 米/（欧姆*平方毫米) =米/(欧姆*毫米*毫米） =米/（欧姆*0.001米*.001米） =1000000 /（欧姆*米） =1000000西门子/米 电导是电阻的倒数， 电导率的意义就是截面积为lcm2，长度为lcm的导体的电导。 例如：电导率为0.1μS/cm的高纯水，其电阻率应为：ρ＝I/K＝1 /0.1×106＝10MΩ·cm 电导率和电阻率的关系 电导率m/Ω?mm2，电阻率单位μΩ?cm，电导率单位%IACS m/Ω?mm2、μΩ?cm、%IACS 这三个单位有什么转换的式子吗？ IACS是导电率conductivity 试样电导率与某一标准值的比值的百分数称为该试样的导电率。19 13 年，国际退火铜标准确定:采用密度为8.89g /cm'、长度为1m 、重量为1g、电阻为。.1532 8 欧姆的退火铜线作为测量标准。在200C温度下，上述退火铜线的电阻系数为0.017 241 f1 " mm'/m(或电导率为58. 0 MS/m)时确定为100 %IACS(国际退火铜标准)，其他任何材料的导电率(%IACS)可用下式进行计算: 导电率( %IACS)=0.017241/ ρ*100% 电阻R的单位为Ω(欧姆，简称欧)，当一导体两端的电压为1V时，如果这导体通有电流1A，则这导体的电阻就规定为1Ω，即：1Ω=1V/1A 电导G的单位是S(西门子，简称西)，1S=1/1Ω R=ρ*L/S 式中ρ是取决于导体材料和温度的一个物理量，叫做材料的电阻率，其单位为Ω·mm2/m。电阻率的倒数称为电导率γ=1/ρ，其单位为S/m (西/米)。

半导体的欧姆接触

半导体的欧姆接触(2012-03-30 15:06:47)转载▼ 标签：杂谈分类：补充大脑 1、欧姆接触 欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触的主要因素有两个：金属、半导体的功函数和半导体的表面态密度。对于给定的半导体，从功函数对金属－半导体之间接触的影响来看，要形成欧姆接触，对于n型半导体，应该选择功函数小的金属，即满足Wm《Ws，使金属与半导体之间形成n型反阻挡层。而对于p型半导体，应该选择功函数大的金属与半导体形成接触，即满足Wm》Ws，使金属与半导体之间形成p型反阻挡层。但是由于表面态的影响，功函数对欧姆接触形成的影响减弱，对于n型半导体而言，即使Wm《Ws，金属与半导体之间还是不能形成性能良好的欧姆接触。 目前，在生产实际中，主要是利用隧道效应原理在半导体上制造欧姆接触。从功函数角度来考虑，金属与半导体要形成欧姆接触时，对于n型半导体，金属功函数要小于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Ti、In。对于p型半导体，金属功函数要大于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Cu、Ag、Pt、Ni。 2、一些常用物质的的功函数 物质Al Ti Pt In Ni Cu Ag Au 功函数4.3 3.95 5.35 3.7 4.5 4.4 4.4 5.20 3、举例 n型的GaN——先用磁控溅射在表面溅射上Ti/Al/Ti三层金属，然后在卤灯/硅片组成的快速退火装置上进行快速退火：先600摄氏度—后900摄氏度——形成欧姆接触； p型的CdZnTe——磁控溅射仪上用Cu－3％Ag合金靶材在材料表面溅射一层CuAg合金。 欧姆接触[编辑] 欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的 果电流- 这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 目录 [隐藏] ? 1 理论 ? 2 实验特性 ? 3 欧姆接触的制备 ? 4 技术角度上重要的接触类型 ? 5 重要性 ? 6 参考资料

EMC检验的送检要求及资料说明

EMC检验的送检要求及资料说明 送检清单（主要针对YY 0505-2012（IEC60601-1-2/EN60601-1-2）适用的设备，其他如GB/T （IEC61326-1 /EN61326-1）和GB/T （IEC61326-2-6/EN61326-2-6）实验室设备参照填写）： 1、送检样品及附件 测试附件（指注册单元中包含的全部配/附件） 测试软件（指确保样机以自动运行方式达到典型工作状态的专用应用程序） 测试工装（指模拟正常工作状态所需的试验装置，其介入不应引入额外的干扰噪声。）； 2、技术要求（电磁兼容性包括YY0505-2012全项目及现行有效专标EMC相关条款）和EMC型号覆盖安全性预评价报告（广东省企业内适用），出英文报告不需提供技术要求和预评价报告； 3、使用、技术说明书； 4、承诺书； 5、*原理图和电路图； 6、*EMC检测报告（进口产品适用）； 7、*风险分析报告； 8、产品标识、标记 设备或部件的外部标识(应符合YY0505中） 警示（应符合YY0505中） 9、产品相关资料表格（申请国内注册提供中文版本，申请出口认证提供英文版本）：

表1、基本性能（essential performance，保持残留风险在可接受限值内的必需的性能特征，见IEC60601-1 第三版） 未识别基本性能 有基本性能 备注：一般需要通过风险分析，才能得出产品的基本性能。如果没有经过风险分析，可以勾在“未识别基本性能”一栏。 表2、样品的预期使用场所或环境 备注：A类、B类的信息由检测工程师根据产品的适用范围予以确认。

表3、样品信息 L+N+PE L+N L1+L2+L3+N+PE L1+L2+L3+N L1+L2+L3+PE

连接器接触电阻

连接器接触电阻 不论是高频电连接器，还是低频电连接器，接触电阻、绝缘电阻和介质耐压（又称抗电强度）都是保证电连接器能正常可靠地工作的最基本的电气参数。通常在电连接器产品技术条件的质量一致性检验A、B组常规交收检验项目中都列有明确的技术指标要求和试验方法。这三个检验项目也是用户判别电连接器质量和可靠性优劣的重要依据。但根据多年来从事电连接器检验的实践发现；目前各生产厂之间以及生产厂和使用厂之间，在具体执行有关技术条件时尚存在许多不一致和差异，往往由于采用的仪器、测试工装、操作方法、样品处理和环境条件等因素的不同，直接影响到检验结果的准确性和一致性。为此，针对目前这三个常规电性能检验项目在实际操作中存在的问题进行一些专题研讨，对提高电连接器检验可靠性是十分有益的。 另外，随着电子信息技术的迅猛发展，新一代的多功能自动检测仪正在逐步替代原有的单参数测试仪。这些新型测试仪器的应用必将大大提高电性能的检测速度、效率和准确可靠性。 2.1 作用原理 在显微镜下观察连接器接触件的表面，尽管镀金层十分光滑，则仍能观察到5-10微米的凸起部分。会看到插合的一对接触件的接触，并不是整个接触面的接触，而是散布在接触面上一些点的接触。实际接触面必然小于理论接触面。根据表面光滑程度及接触压力大小，两者差距有的可达几千倍。实际接触面可分为两部分；一是真正金属与金属直接接触部分。即金属间无过渡电阻的接触微点，亦称接触斑点，它是由接触压力或热作用破坏界面膜后形成的。这部分约占实际接触面积的 5-10%。二是通过接触界面污染薄膜后相互接触的部分。因为任何金属都有返回原氧化物状态的倾向。实际上，在大气中不存在真正洁净的金属表面，即使很洁净的金属表面，一旦暴露在大气中，便会很快生成几微米的初期氧化膜层。例如铜只要2-3分钟，镍约30分钟，铝仅需2-3秒钟，其表面便可形成厚度约2微米的氧化膜层。即使特别稳定的贵金属金，由于它的表面能较高，其表面也会形成一层有机气体吸附膜。此外，大气中的尘埃等也会在接触件表面形成沉积膜。因而，从微观分析任何接触面都是一个污染面。 综上所述，真正接触电阻应由以下几部分组成； 1) 集中电阻 电流通过实际接触面时，由于电流线收缩（或称集中）显示出来的电阻。将其称为集中电阻或收缩电阻。 2) 膜层电阻 由于接触表面膜层及其他污染物所构成的膜层电阻。从接触表面状态分析；表面污染膜可分为较坚实的薄膜层和较松散的杂质污染层。故确切地说，也可把膜层电阻称为界面电阻。 3) 导体电阻

电阻、电阻率、方阻

电阻率的定义(Ω·m) 电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。 电阻率的单位 国际单位制中，电阻率的单位是欧姆·米(Ω·m或ohmm)，常用单位是欧姆·毫米和欧姆·米。 电阻率的计算公式 电阻率的计算公式为：ρ=RS/L ρ为电阻率——常用单位Ω·m S为横截面积——常用单位㎡ R为电阻值——常用单位Ω L为导线的长度——常用单位m 表面电阻率(Ω)(理论上等于方阻) surface resistivity 平行于通过材料表面上电流方向的电位梯度与表面单位宽度上的电流之比，用欧姆表示。 注：如果电流是稳定的，表面电阻率在数值上即等于正方形材料两边的两个电极间的表面电阻，且与该正方形大小无关。 是指表示物体表面形成的使电荷移动或电流流动难易程度的物理量。在固体材料平面上放两个长为L、距离为d的平行电极，则两电极间的材料表面电阻Rso与d成正比，与L成反比，可用下式表达： ｄ Ｒｓ＝ρｓ—— Ｌ 式中的比例系数ρs称作表面电阻率，它与材料的表面性质有关，并随周围气体介质的温度、相对湿度等因素有很大变化，单位用Ω（欧）表示。 方块电阻 ohms per square 在长和宽相等的样品上测量的真空金属化镀膜的电阻。方块电阻的大小与样品尺寸无关。 薄层电阻又称方块电阻，其定义为正方形的半导体薄层，在电流方向所呈现的电阻，单位为 欧姆每方 方阻就是方块电阻，指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻，方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有

EMC检验的送检要求及资料说明

EMC检验的送检要求及资料说明 一、送检清单 1、送检样品及附件； 2、覆盖型号申请、覆盖样机及产品差异表（申请产品型号覆 盖时提供）： 3、医疗器械注册产品标准或技术要求; 4、承诺书； 5、使用说明书和技术说明书（出具中文报告提供中文版本， 出具英文报告提供英文版本）； 6、*电路图； 7、*样品连接图； 8、*EMC检测报告（进口产品适用）； 9、*风险分析报告； 10、*EMC关键元器件相关证书； 11、产品相关资料表格（申请国内注册提供中文版本，申请出 口认证提供英文版本）： 表1.样品的适用范围； 表2.样品的工作频率、生理模拟频率和响应时间； 表3.样品的信息； 表4.样品的构成 表5.样品运行模式； 表6.产品电缆信息； 表7.样品骚扰源； 表8. EMC关键元器件清单。 注1：以上资料需提供纸质版，并盖章。 注2：带*资料为可选项，根据具体产品情况提供。

二、关于提供EMC送检所需资料的说明 1、送检样品主机一台，附件包括产品配套使用的患者电缆、互连电缆、脚踏开关、适配器、显示器、电脑、测试软件等。当送检产品为医疗器械附件时（如有创血压传感器、血氧探头等），企业应提供符合电磁兼容标准要求的主机和辅助设备。 2、当送检产品有覆盖型号时应提供覆盖申请，说明主检型号与覆盖型号的差异，并提供所有覆盖型号的样机。覆盖型号差异表样式见“三、承诺书、覆盖型号差异表及产品相关资料表格”。 以下情况不允许覆盖： a.按产品种类划分，种类不同的产品不能互相覆盖； b.按产品工作原理划分，工作原理不同的产品不能互相覆盖； c.按影响产品电磁兼容性的关键件划分，关键件、印刷电路图、 电气结构不同的产品不能互相覆盖； d.同一商标、同一规格型号的产品，由不同产地生产的不能互 相覆盖； e.台式设备与落地式设备之间不能互相覆盖。 3、申请中文报告检验时，医疗器械注册产品标准中应包含电磁兼容性的条款信息，英文报告不需要提供。根据国家规定不再要求企业提供注册产品标准时，企业只需提供技术要求，技术要求中应包含电磁兼容性的信息。 4、承诺书样式见“三、承诺书、覆盖型号差异表及产品相关资料表格”。 5、一般使用说明书和技术说明书合并，说明书内容中必须包含EMC相关信息的提示，详见YY0505（IEC60601-1-2）或GB/T 18268.26(IEC 61326-2-6)标准的条款要求，该部分如有疑问可与我所业务人员联系。出具中文报告需提供中文说明书，出具英文报告需提供英文说明书。 6、电路图包括网电源部分、应用部分、电路板等图纸。由于特殊原因不能提供电路图（如该电路是外购部件），需将该电路作为关键元器件写到关键元器件清单中。

接触电阻

导体的接触面积和接触电阻 作者：林勇发布日期：2009-4-17 10:06:41 (阅577次) 关键词: 工业插头插座驳克码 MARECHAL （摘要：在电流的传输过程中两个表面宏观接触表面应该等于导线的截面面积，两个导体真正相接触的部分只是 一定数量的点，由于材料表面的不平整性，真正的接触面积要比宏观上看到的接触表面要小。关键词：接触电阻，驳克码） 在我们给客户讲解产品的过程当中有一个经常被问到的问题，“你们这种触点连接的插头插座，导体截面积够吗？”，“触点连接比插针套筒连接的接触面积小，能保证连接可靠吗？”电气工程师都知道，电流越大，必须使用越粗大的电缆。有些人自然认为接触的面积应该等于导线的截面面积，因而对电气连接器的可靠性提出怀疑。实际上，两个表面宏观接触表面应该等于导线的截面面积，两个导体真正相接触的部分只是一定数量的点，由于材料表面的不平整性，真正的接触面积要比宏观上看到的接触表面要小。（图2） 优质的开关设备产品大都采用用银合金的接触点，通常触点是半球形的，而且把重点放在施加的力上而不是放在假定的接触面积上。种概念在接触器或者断路器制造业中得到广泛采用。从这个意义上讲，插头和插座是一个例外。 1．接触电阻的物理概念 无论使用哪一种接触，导体接触的不连续性会产生一个附加的电阻——称为“接触电阻”）。这个电阻比接 触器自身的电阻（在没有接触面存在时）要大。这个电阻值将决定连接的质量，因为：接触电阻阻值越高，则接触电阻上的压降越大，因而接触点释放的热量将越多。如果温度上升到一定的极限，接触点就会损坏。温度越高，损坏就越快，这种现象会迅速蔓延。 接触点接触电阻主要由以下两个参数决定： 接触表面的状态λ 所施加力的作用（图4）λ 1．1 接触表面的状态 三个主要参数决定了接触表面的状态：（图1） 物理化学结构λ 从微观角度来看，一个表面的物理化学结构是非常复杂的，周围环境中的外来元素与材料发生反应形成一个表面层，通常称为“侵蚀层”。 表面的粗糙度λ 一个表面的粗糙度是复杂的，表面的粗糙度由所采用的生产技术所决定，而且通常具有随机性和不可重复。它引入了材料挤压压力及塑性变形的概念。 表面的几何形状λ 从宏观角度来看，一个接触表面的几何形状是比较容易确定的。这个形状将决定在两个表面之间宏观的接触面积。 1．2 接触电阻的值 由于材料钢性及粗糙度的影响，实际的机械接触不是发

水的电导率和电阻率

水的电导率和电阻率之间的关系水的电导率和电阻率之间的关系 电阻率：是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。国际单位制中，电阻率的单位是欧姆·米，常用单位是欧姆·平方毫米/米。？ 电导率：水的导电性即水的电阻的倒数，通常用它来表示水的纯净度。 电导率是物体传导电流的能力。电导率测量仪的测量原理是将两块平行的极板，放到被测溶液中，在极板的两端加上一定的电势（通常为正弦波电压），然后测量极板间流过的电流。根据欧姆定律，电导率(G)--电阻(R)的倒数，是由电压和电流决定的。 电导率的基本单位是西门子（S），原来被称为姆欧，取电阻单位欧姆倒数之意。因为电导池的几何形状影响电导率值，标准的测量中用单位电导率S/cm来表示，以补偿各种电极尺寸造成的差别。单位电导率（C）简单的说是所测电导率（G）与电导池常数(L/A)的乘积.这里的L为两块极板之间的液柱长度，A为极板的面积。 =ρl=l/σ

(1)定义或解释电阻率的倒数为电导率。σ=1/ρ (2)单位: 在国际单位制中,电导率的单位是西门子/米。 (3)说明电导率的物理意义是表示物质导电的性能。电导率越大则导电性能越强,反之越小。 由于水中含有各种溶解盐类，并以离子的形态存在。当水中插入一对电极时，通电之后，在电场的作用下，带电的离子就会产生一定方向的移动，水中阴离子移向阳极，阳离子移向阴极，使水溶液起导电作用。水的导电能力强弱程度，就称为电导度 S （或称电导）。电导度反映了水中含盐量的多少，是水纯净度的一个重要指针。水愈纯净，含盐量愈小，电阻愈大，导电度愈低；超纯水几乎不导电，电导的大小等于电阻值的倒数。 ？ 由于水溶液中溶解盐类都以离子状态存在，因此具有导电能力，所以电导率也可以间接表示出溶解盐类的含量（含盐量），这些对于除盐水处理的水质控制及其水质标准和检测都非常重要。 几类水的电导率及电阻率大致如下： 物质电阻率/兆欧*cm 电导率/（us/cm） 30%H2SO4 1 1000*103 海水 33 33*103 %NaCl 1000 1000 天然水 20*103 50 普通蒸馏水 1000*1031

欧姆接触与肖特基接触

欧姆接触 欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。欧姆接触在金属处理中应用广泛，实现的主要措施是在半导体表面层进行高掺杂或者引入大量复合中心。 欧姆接触指的是它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 条件 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 区别 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Gap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触 (无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n+-n or Metal-p+-p等结构。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作工函数。接触金属和半导体具有不同的工函，分别记为φM和φS。当两种材料相接触时，电子将会从低工函一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低工函的材料将带有少量正电荷而高工函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能

压敏电阻如何测试

压敏电阻如何测试 发布时间：2005-05-29 作者： pilotlife 是按照伏安特性曲线？如果只有万用表，又如何简单测量？ 解答 回复：有那种专门的测试仪器 发布时间：2005-05-30 作者： zhangtao 我以前用过，但是型号忘记了。 要是需要的话，可以联系我。 zhangtaooo2003@https://www.sodocs.net/doc/774654062.html, 回复：仅有万用表是不行的 发布时间：2005-05-30 作者： 老段 可自己做一个倍压整流器（注意电流不要太大，否则会烧坏压敏），该电压要超过压敏电阻标称值，然后将倍压整流器电压加在压敏两脚，然后用万用表测量两脚电压，该值既是压敏实际电压值，若有耐压仪将更方便，若有晶体管测试仪将更准确。dtx010@https://www.sodocs.net/doc/774654062.html, 回复：电子电脑报上曾这样描述 发布时间：2005-05-30 作者： ingrid 用万用表的R ×1k 挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大。若所测电阻很小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。

回复：建议 发布时间：2005-05-30 作者： 陈工 同意楼上的方法，压敏电阻是当电压升高到一定值时，其电阻值降低，将供电系统短路，起过压保护作用，以免损坏压敏电阻以后的电路。测试时，在压敏电阻两端加上可调电压，并联一电压表，并在回路中串联一电流表监测，慢慢升高电压，当电流出现剧增时，此时的电压值为该压敏电阻的击穿电压参数，仅供参考。 回复：同意陳工的看法﹗ 发布时间： 2005-05-30 作者： merry 同意陳工的看法﹗ 回复：压敏电阻的测量与标准 发布时间：2005-05-30 作者： Wei 1 以在下愚见，使用万用表测量压敏电阻是一种非专业的业余想法。想法是好的，但要看能否实现。如前面已有专家精辟地描述了压敏电阻的主要技术属性。包括：响应时间，单双向击穿电压，瞬时吸收功率等。 2 测量之先，首要是深究标准。参数如何定义？测试条件如何规定？方法如何？设备如何？通常不以自身出发，而注重如何满足标准要求。何以要求我们依从标准？因为标准通常由业内资深专家群体较严谨、科学地起草、论证，在政府或行业团体的指导与管理下，以较周密的流程对报批稿进行审核、批准并发布。标准因此具有科学、专业与权威等性质。当然标准根据不同应用，还有强制和推荐标准等分别。关于击穿电压，通常标准将其定义为：在施加规定的电流（还有环境规定）时，所测量的电压。 3 测量的目的要清楚。是对批量生产时到货质量把关的测量？还是研发设计师对新材料进行综合性能的研究等？或是对制造的产品进行的生产检验？前者与后者对测量的要求相同，既严格遵从标准的大批量快速（Go-No go ）测试;中者则需要为设计师（还有质管师）提供丰富信息的曲线相关测试。 4 测量压敏电阻击穿电压的常用设备是“半导体管特性曲线图示仪--Curve Tracer ”.国外常用型号：TEKTRONIX--TEK-577/177，TEK-576；国内型号：BJ4830（TEK576），BJ4814，BJ4812，JT-1（TEK575），QT-2。https://www.sodocs.net/doc/774654062.html, 。 5 使用万用表测量压敏电阻的击穿电压，有的没按标准进行，有的难于定量，有的测试速度慢，有的测试范围不够。抱歉！恕在下直言了。 6 当然用扩展电压运放可做成一个高压恒流源。可按标准实现快速测量。但对于设计和质量分析而言，还是图示仪更为便捷。

ETAP接地网计算

接地网计算培训讲稿 一、关于接地网的基本知识。 在电力系统中，为了保护设备和人身的安全，接地现象是非常常见的。将电气装置、设施该接地部分经接地装置与大地做良好的电气连接称为接地。接地根据用途可以分为工作接地、保护接地、防雷接地和防静电接地。接地装置由接地体和接地线两部分组成。 埋入地中并且与大地直接接触的金属导体称为接地体；把电气装设施该接地部分经接地体连接起来的金属导体称为接地线。接地体又分为人工接地体和自然接地体。兼作接地体用的直接与大地接触的各种金属构件、非可燃气体或液体的金属管道、建筑物中的钢筋、电缆外皮、电杆基础上的避雷线和中性线等都是自然接地体；为满足接地装置接地电阻要求而专门埋设的接地体称为人工接地体。我们所研究的接地网就是一种人工接地体，接地网由由水平接地体和垂直接地体，接地网的材料一般有钢管、角钢、圆钢、扁钢和铜带，接地网祈祷的作用有泻放电流和均压作用。 不同形状接地体周围土壤电位分布演示。 电流经接地体流入大地，在大地表面形成分布电位。接地体和大地零电位点间的电压称为接地装置的对地电压（或对地电位）。接地线电阻和接地体的对地电阻（电流自接地体向外散流所遇到的电阻，又称散流电阻或扩散电阻）之和成为接地装置的接地电阻。接地线电阻基本上很小，所以可以认为接地电阻就等于扩散电阻。接地电阻数值上等于对地电位与从接地体流入大地电流的比值。按流过接地体的电流是工频电流求得的电阻称为工频接地电阻；按流过接地体的电流是冲击电流求得的电阻称为冲击接地电阻。接地电阻和土壤电阻率、接地体规格有关。所以改变接触电阻的主要手段就是改变土壤电阻率和改变接地体敷设。土壤的电阻率大小主要取决于土壤中导电离子的浓度和水分含量。干燥的土壤是不导电的，有时候为了降低土壤电阻率还会采用降阻济。 评估接地网是否满足要求的指标除了接地电阻和对地电位外，还有接触电压和跨步电压。人站在地面上里设备水平距离0.8米处手触到设备外壳、构架离地面1.8米处，加于人手与脚之间的电压称为接触电压；人在分布电位区域中沿散流方向行走，步距为 0.8米时两脚间的电压称为跨步电压。在大接地短路电流系统中接触电压和跨步电压应 满足： ;

20实验原理：金属电阻率 伏安特性曲线

厦门一中2017级高二（上）物理练习 编者：cbq 审核：hzj 自编练习 21 测定金属的电阻率 实验报告 班级 姓名 座号 一、【实验目的】 1．掌握伏安法测电阻，知道内接法与外接法的区别 2．学会使用螺旋测微器，能准确读数 3．测定金属的电阻率 二、【实验原理】 1．伏安法测电阻原理 ①电流表外接法 （1）R 测= R 真= （2）误差原因 （3）测量值比真实值偏 （4）使用外接法的条件： ②电流表内接法 （1）R 测= R 真= （2）误差原因 （3）测量值比真实值偏 （4）使用内接法的条件： 2．螺旋测微器读数原理 螺旋测微器（千分尺）是长度测量工具，用它测长度可以准确到0.01mm ，测量范围为几个厘米。螺旋测微器是依据螺旋放大的原理制成，即螺杆在螺母中旋转一周，螺杆便沿着旋转轴线方向前进或后退一个螺距的距离。因此，沿轴线方向移动的微小距离，就能用圆周上的读数表示出来。螺旋测微器的精密螺纹的螺距是0.5mm ，可动刻度有50个等分刻度，可动刻度旋转一周，测微螺杆可前进或后退0.5mm ，因此旋转每个小分度，相当于测微螺杆前进或后退0.5/50=0.01mm 。可见，可动刻度每一小分度表示0.01mm ，所以以螺旋测微器可准确到0.01mm 。由于还能再估读一位，可读到毫米的千分位，又名千分尺。 测量时，当小砧和测微螺杆并拢时，可动刻度的零点若恰好与固定刻度的零点重合，旋出测微螺杆，并使小砧和测微螺杆的面正好接触待测长度的两端，那么测微螺杆向右移动的距离就是所测的长度。这个距离的整毫米数由固定刻度上读出，小数部分则由可动刻度读出。

部分，不足半毫米的部分由可动刻度读出，即看可动刻度上的第几条刻度线与固定刻度线上的横线重合，从而读出可动刻度示数（注意估读）。即有：测量长度=固定刻度示数+可动刻度示数×精确度（注意单位为mm ）。 如图：固定刻度示数为1.0mm ，不足半毫米部分从可动刻度上读的示数为19.4格，最后的读数为：1.0+19.4×0.01mm=1.194mm 使用螺旋测微器应注意以下几点： ①测量时，在测微螺杆快靠近被测物体时应停止使用旋钮，而改用微调旋钮，避免产生过大的压力，既可使测量结果精确，又能保护螺旋测微器。 ②在读数时，要注意固定刻度尺上表示半毫米的刻线是否已经露出。 ③读数时，千分位有一位估读数字，不能随便扔掉，即使固定刻度的零点正好与可动刻度的某一刻度线对齐，千分位上也应读取为“0”。 ④当小砧和测微螺杆并拢时，可动刻度的零点与固定刻度的零点不相重合，将出现零误差，应加以修正，即在最后测长度的读数上去掉零误差的数值。 3．金属电阻率的测定 由l R s ρ =，可得ρ= ，若测得金属丝电阻R 及直径d ，则ρ= 。 三、【实验器材】 电压表、电流表、 、毫米刻度尺、待测金属丝、开关导线、学生电源 四、【实验步骤】 1．用螺旋测微器在被测金属导线上的三个 各测一次直径，求出其平均值d ，计算出导线的横截面积S 。 2．按如图所示的原理电路图连接好用伏安法测电阻的实验电路。 3．用 测量接入电路中的被测金属导线的有效长度l ，反复测量3次，求出其 。 4．把滑动变阻器的滑动片调节到使接入电路中的电阻值最大的位置，电路经检查确认无误后，闭合电键S 。改变滑动变阻器滑动片的位置，读出几组相应的电流表、电压表的示数I 和U 的值，断开电键S ，求出导线电阻R 的平均值。 5．将测得的R 、l 、S 值，代入电阻率计算公式l RS =ρ中，计算出金属导线的电阻率。 6．拆去实验线路，整理好实验器材。 五、【数据处理及实验结论】 2 所测金属的电阻率=ρ_________（公式）=_____________（数据）=____________Ωm

肖特基接触与欧姆接触

欧姆接触 是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n＋-n or Met al-p+-p等结构。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作工函。接触金属和半导体具有不同的工函，分别记为φM和φS。当两种材料相接触时，电子将会从低工函一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低工函的材料将带有少量正电荷而高工函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量φB是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，φB = φM ? χS当中χS是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，φB = Eg ? (φM ? χS)其中Eg是禁带宽度。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度W可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算: 在MKS单位制ρ 是净电荷密度而ε是介电常数。几何结构是一维的因为界面被假设为平面的。对方程作一次积分，我们得到 积分常数根据耗尽层定义为界面完全被屏蔽的长度。就有 其中V(0) = Vbi被用于调整剩下的积分常数。这一V(x)方程描述了插图右手边蓝色的断点曲线。耗尽宽度可以通过设置V(W) = 0来决定，结果为

压敏电阻检验标准

Q/WJBZ 压敏电阻试验标准 宁波伟吉电力科技有限公司发布

前言 本试验标准由宁波伟吉电力科技有限公司质量部提出本试验标准由宁波伟吉电力科技有限公司质量部归口本试验标准起草部门：质量部、研发部、办公室 本试验标准主要起草人：

压敏电阻试验标准 1范围 本试验标准规定了宁波伟吉电力科技有限公司对压敏电阻器的使用条件、电气性能、机械性能及环境性能等方面的技术要求和试验项目，规定了压敏电阻的验收标准。 本试验标准适用于本公司用压敏电阻的验收、定期确认、全性能检验。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 2423.18 电工电子产品环境试验第2部分：试验试验Kb：盐雾，交变（氯化钠溶液） GB/T 2423.28-2005 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验T：锡焊 GB/T 2423.32-2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ta 润湿称量法可焊性 GB/T 5169.11-2006 电工电子产品着火实验第11部分 GB/T 10193-1997 电子设备用压敏电阻器第1部分总规范 GB/T 17215.211-2006 交流电测量设备通用要求、试验和试验条件第11部分：测量设备 GB/T2828.1 计数抽样检验程序第1部分按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 3 检验工具 高低温交变湿热试验箱 盐雾试验箱 游标卡尺 耐压测试仪 防雷元件测试仪 雷击浪涌测试仪 灼热丝测试仪

常见物质的电阻率

常见物质的电阻率 物质温度t/℃电阻率电阻温度系数aR/℃-1 银20 1.586 0.0038(20℃) 铜20 1.678 0.00393(20℃) 金20 2.40 0.00324(20℃) 铝20 2.65480.00429(20℃) 钙 0 3.91 0.00416(0℃) 铍20 4.00.025(20℃) 镁20 4.45 0.0165(20℃) 钼 0 5.2 铱20 5.3 0.003925(0℃~100℃) 钨27 5.65 锌20 5.196 0.00419(0℃~100℃) 钴20 6.64 0.00604(0℃~100℃) 镍20 6.84 0.0069(0℃~100℃) 镉0 6.83 0.0042(0℃~100℃) 铟208.37 铁209.71 0.00651(20℃) 铂20 10.6 0.00374(0℃~60℃) 锡0 11.0 0.0047(0℃~100℃) 铷20 12.5 铬0 12.9 0.003(0℃~100℃) 镓20 17.4 铊0 18.0 铯20 20.0 铅20 20.684 0.00376 (20℃~40℃) 锑0 39.0 钛20 42.0 汞50 98.4 锰23~100 185.0 直流叫滞磁回线，不通过零点，与B座标相交叫剩磁、其面积能表达滞磁损耗，。交流只有一条曲线通过零点。 武钢硅钢标准 发布时间:2010-03-12 关键词:武钢,硅钢,标准,

冷轧无取向电工钢带（片） 1、范围 本标准规定了无取向电工钢的牌号、公称厚度、叠装系数、磁特性等技术条件。 本标准适合于武汉钢铁股份有限公司生产的冷轧无取向电工钢带（片）。 2、引用标准 下列文件中的条款通过在本标准中的引用而构成本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修 订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新 版本适用于本标准。 GB/T 228-1987 金属拉伸试验方式 GB/T 235-1988 金属反复弯曲试验方法（厚度等于或小于3mm薄板及钢带） GB/T 247-1988 钢板和钢带验收、包装、标志及质量证明的一般规定 GB/T 2522-1988 电工钢（带）层间电阻、涂层附着性、叠装系数测试方法 GB/T 3076-1982 金属薄板（带）拉伸试验方法 GB/T 3655-1992 电工钢片（带）磁、电和物理性能测量方法 GB/T 6397-1986 金属拉伸试验试样 GB/T 13789-1998 单片面性电工钢片（带）磁性能测量方法 3、牌号表示方法 为了区别于GB/T2521-1996的同类产品牌号，本标准牌号中的各符号含义表述如下： 4、技术要求 4.1磁特性 4.1.1磁感

肖特基接触与欧姆接触

欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。 理论：任何相接触的固体的费米能级（化学势）必须相等，费米能级和真空能级的差值称为功函数，因而，接触的金属和半导体具有不同的功函数。当两种材料相接触的时候电子会从低功函数的的一端流向另一端直到费米能级平衡；从而低功函数的材料带有少量正电荷，高功涵的材料带有少量负电荷，最终得到的静电势称为内建场。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。 欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height)使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加 （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等结构。 肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。 理论：当半导体与金属接触的时候由于半导体的电子逸出功一般比金属小，电子就从半导体流入了金属，在半导体的表面层形成一个带正电不可移动的杂质离子组成的空间电荷区域。电场方向由半导体指向金属，阻止电子继续向金属中扩散。界面处半导体能带发生了弯曲，想成一个高势能区，这就是肖特基势垒。 肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。

EMC检验的送检要求及资料说明

E M C检验的送检要求及资料说明?一、送检清单 1、送检样品及附件； 2、覆盖型号申请、覆盖样机及产品差异表（申请产品型号覆 盖时提供）： 3、医疗器械注册产品标准或技术要求; 4、承诺书； 5、使用说明书和技术说明书（出具中文报告提供中文版本， 注2：带*资料为可选项，根据具体产品情况提供。 ?二、关于提供EMC送检所需资料的说明 1、送检样品主机一台，附件包括产品配套使用的患者电缆、 互连电缆、脚踏开关、适配器、显示器、电脑、测试软件等。当送检产品为医疗器械附件时（如有创血压传感器、血氧探头等），企业应提供符合电磁兼容标准要求的主机和辅助设备。

2、当送检产品有覆盖型号时应提供覆盖申请，说明主检型号与覆盖型号的差异，并提供所有覆盖型号的样机。覆盖型号差异表样式见“三、承诺书、覆盖型号差异表及产品相关资料表格”。 以下情况不允许覆盖： a.按产品种类划分，种类不同的产品不能互相覆盖； b.按产品工作原理划分，工作原理不同的产品不能互相覆盖； c.按影响产品电磁兼容性的关键件划分，关键件、印刷电路图、 电气结构不同的产品不能互相覆盖； 互 GB/T 7、样品连接图，需要体现主机与其他部件的连接关系，例如适配器，探头等。医疗系统需要体现设备间的连接关系。只有主机没有其他附件的产品不需要提供连接图。 8、提供产品风险分析报告，利于根据分析报告中确认送检产品的基本性能，作为EMC抗扰度测试结果的判定依据。 9、对于进口检测设备，若在国外已经进行EMC检测，需提供相关检测报告。

10、EMC关键元器件清单详见表8，通过认证的元器件提供纸质版证书。 11、产品相关资料表格，出具中文报告需提供中文表格，出具英文报告需提供英文表格。 表1.产品的适用范围 产品的适用范围指产品预期使用的环境和场所。常见的适用范围有医院、家庭、大诊所、小诊所、医生办公室、急救室、手术室、车辆、飞机、救护车、血站、工业场所等，测试人员需要根据产品 EMC 构一致。若部件为硬件，填写硬件的型号，样品包含软件部分，应填写软件的版本号。 表5.样品的运行模式 列出送检样品的工作模式，例如：对于高频电刀，其运行模式包括电切模式、电凝模式等工作模式，测试人员根据提供的工作模式进行测试。模式描述包括具体的一些设置和运行参数，连接模拟器状况等。

电阻率

电阻率 电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件（常温下20°C）的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关，是导体材料本身的电学性质，由导体的材料决定，且与温度有关。 电阻率在国际单位制中的单位是Ω·m，读作欧姆米，简称欧米。常用单位为“欧姆·平方毫米”。 定义 在温度一定的情况下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度，S 为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，而与其截面积成反比。 电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。 在温度一定的情况下，有公式 其中的ρ就是电阻率，L为材料的长度，S为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，即在材料和横截面积不变时，长度越长，材料电阻越大：而与材料横截面积成反比，即在材料和长度不变时，横截面积越大，电阻越小。 由上式可知电阻率的定义为： 推导公式： 单位 国际单位制中，电阻率的单位是欧姆·米(Ω·m或ohmm)，常用单位是欧姆·毫米和欧姆·米。 计算公式

电阻率的计算公式为： ρ为电阻率——常用单位Ω·m S为横截面积——常用单位㎡ R为电阻值——常用单位Ω L为导线的长度——常用单位m 电阻率的另一计算公式为： ρ为电阻率——常用单位Ω·mm2/m E为电场强度——常用单位N/C J为电流密度——常用单位A/㎡ （E，J 可以为矢量） 影响电阻率的外界因素 电阻率不仅与材料种类有关，而且还与温度、压力和磁场等外界因素有关。金属材料在温度不高时，ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρ1与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率;α是电阻率的温度系数，与材料有关。锰铜的α约为1×10-1/℃(其数值极小)，用其制成的电阻器的电阻值在常温范围下随温度变化极小，适合于作标准电阻。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后，可制成电阻式温度计来测量温度。半导体材料的α一般是负值且有较大的量值。制成的电阻式温度计具有较高的灵敏度。有些金属(如Nb和Pb)或它们的化合物，当温度降到几K或十几K(绝对温度)时，ρ突然减少到接近零，出现超导现象，超导材料有广泛的应用前景。利用材料的ρ随磁场或所受应力而改变的性质，可制成磁敏电阻或电阻应变片，分别被用来测量磁场或物体所受到的机械应力，在工程上获得广泛应用。