西南交通大学电工学电子技术试卷A(7)

西南交通大学电工学电子技术试卷

A

成绩

电工学（电子技术）试题库试卷

试卷号：B090063

校名____________ 系名__________________ 专业__________________ 姓名____________ 学号_____________ 日期_____________

（请考生注意：本试卷共页）

大题

-一

一

-二二三四五六七八九

成绩

（本大题共13小题，总计31分）

1、（本小题2分）

2、（本小题2分）

电路如图所示，二极管D的正向压降为0.6V，反向工作峰值电压U RWM =100V ，

反向峰值电流I RM =10 "A，电源U s =100V，负载电阻R L =10 k Q，则电压U O为（）下面三幅波形图中，（）正确表达了脉冲信号的前沿。

(a) 0.6 V (b) 10 V

（c） 0.1 V

放大电路如图所示，当R F增加时，该电路的通频带（）⑻变宽（b）变窄（c）不变

nA

—

1

H 丨

4、（本小题2分）

振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）3、（本小题2

分）

(c) B 点(d) C 点

(a) O 点(b) A 点

5、（本小题2

分）

电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（

共享知识

分享快乐

的波形如图2所示，符合该波形的整流电路是图1中的（

）

7、（本小题2分）

若晶闸管的控制电流由大变小，则正向转折电压 （

）

6、（本小题2分） 三个整流电路如图1所示

变压器副边电压

，负载电压

共享知识分享快乐（a）由大变小（b）由小变大（c）保持不变

8、（本小题2分）

全加器逻辑符号如图所示，当「；“1 ”，三二“ 0”，：；L “0”时，C i和S i分别为()。

(a) G=0 5 =0(b) Q~1$=1 (c) G = 0 5=1

9、（本小题2分）

某数/模转换器的输入为8位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为0~25.5V 的模拟电压若数字信号的最高位是“ 1 ”其余各位是“ 0 ”，则输岀的模拟电压为（）

⑻ 1V （b） 12.8V （c） 13.8V

10、（

本小题3分）

图示电路，已知晶体管0= 60，念=。?7V，昆=2 kQ，忽略U BE，

如要将集电极电流I C调整到1.5 mA，R B应取（）。

⑻ 480 k '■ 1(b) 120 k 门(c) 240 k 门(d) 360k ''1

t

11、（本小题3分）

逻辑电路如图所示，输入为X，Y，同它功能相同的是（）。

⑻可控RS触发器（b） JK触发器（c）基本RS触发器（d） T触发器

12、（本小题3分）

某模/数转换器的输入为0 ~10V 模拟电压，输出为8位二进制数字信号

（D7?D o）。则该模/数转换器能分辨的最小模拟电压为（）。

2

⑻ 0 V （b） 0.1 V （c）[51 V

13、（本小题4分）

电路如图1所示，运算放大器的饱和电压为、.1 5 V，稳压管的稳定电压

U z= 6 V，正向压降为0. 7V，输入电压u i=10si nOt V时，其波形如图2所示，则

输出电压U O的波形为图3中（）。

《电工学-电子技术-下册》试题及解答

第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路 一、 单项选择题 *1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ） A 、正、反向电阻相等 B 、正向电阻大，反向电阻小 C 、反向电阻比正向电阻大很多倍 D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。 A 、不能确定 B 、等于0 C 、等于5V D 、等于3V **3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。 A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个 5．晶体管的主要特性是具有（ D ）。 A 、单向导电性 B 、滤波作用 C 、稳压作用 D 、电流放大作用 *6．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性 8．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点Q B 、确定集电结和发射结的偏置电压 C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0 D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o *9．射极输出器电路如题9图所示，C 1、C 2足够 大，对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u 0 与输入电压u i 之间的关系是( B )。 A 、两者反相，输出电压大于输入电压 B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电 压 C 、两者相位差90°，且大小相等 D 、两者同相，输出电压大于输入电压 *11．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有 负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B ) A 、减少 B 、增大 题2图 题9图

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；

电工学与电子技术B复习题及参考答案_

一、 选择题 6、欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（D ） A ．串联反馈；B 并联反馈；C ．正反馈；Ｄ．负反馈。 7、由一个三极管组成的基本门电路是（B ） A ．与门；B ．非门；C ．或门；Ｄ．异或门。 8、在脉冲门电路中，应选择（B ）的三极管。 A ．放大能力强； B ．开关速度快； C ．价格便宜；Ｄ．集电极最大耗散功率高。 9、数字集成门电路中，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（ D ） A ．与门；B ．非门；C ．或门；Ｄ．与非门。 24、对半导体而言，其正确的说法是（C ） A ．P 型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电； B ．N 型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电； C ．P 型半导体和N 型半导体本身都不带电； D ．在Ｎ型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子 25、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为9V 、4V 、3.7V ，则这3 个极分别为（A ） A ． C 、B 、E ； B ．C 、E 、B ； C ．E 、C 、B 。 26、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为-6V 、-2.3V 、-2V ，则这-2.3 V 的那个极为（B ） A ．集电极； B ．基极； C ．发射极。 27、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V 、1.2V 、1V ，则该管为（C ） A ．NPN 型硅管；B ． PNP 型锗管； C ．NPN 型锗管；D ． PNP 型硅管。 28、对某电路中的一个NPN 型硅管测试，测得U BE >0,U BC >0,U CE >0, 则此管工作在（B ） A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区。 29、对某电路中的一个NPN 型硅管测试，测得U BE <0,U BC <0,U CE >0, 则此管工作在（C ） A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区。 30、对某电路中的一个NPN 型硅管测试，测得U BE >0,U BC <0,U CE >0, 则此管工作在（A ） A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区。 31、晶体三极管的控制方式为（B ） A ．输入电流控制输出电压； B ．输入电流控制输出电流； C ．输入电压控制输出电压。 32、场效晶体管的控制方式为（C ） A ．输入电流控制输出电压； B ．输入电压控制输出电压； C ．输入电压控制输出电流。 33、射极输出器（A ） A ．有电流放大作用，没有电压放大作用； B ．有电流放大作用，也有电压放大作用； C ．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。 34、某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（B ） A ．并联电流负反馈； B ．串联电流负反馈； C ．串联电压负反馈； D ．并联电压负反馈。 35、与D C B A ???相等的为（C ） A ．D C B A ???；B ．)()(D C B A +?+；C ． D C B A +++。 36、与BC A A +相等的为（B ） A ．A+B ；B ．A+BC ；C ．BC A +。 37、若1=+=AC B A Y ，则（C ）

电工学考试试卷

《电工学》试卷 10、两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压相同而频率不同() 21 f f > 说明：1、考试时间120分钟 的两电源上，此时电磁铁中的磁通1φ和2φ的关系是 。 2、满分100分 11、某交流二端网络的端电压V t u )sin(2100ω=，输入的电流A t i )120sin(250-=ω 3、考试时可带计算器 则此网络的性质是 。 一、 填空题（每空1.5分共45分） 12、通常将电容并联在感性负载的两端来提高功率因数，从而电路的有功功 1、如果正弦交流电压的瞬时表达式为V t u )30sin(3110-=ω，那么它的 率 。 相量是=U 伏。 13、直流电机即可做 使用，也可做 使用 。 2、三相异步电动机旋转磁场的旋转方向和 一致。要改 14、在直流电动机中，电枢就是直流电动机的 。 变三相异步电动机的转向，只要 。 15、变压器的作用是 。 3、某三相异步电动机的额定转速为1470r/min ，则该电动机的磁极数为 16、受控源的四种类型是 。 极，同步转速为 ，转差率为 。 17、对于小功率的异步电动机，可以采用 方式起动，对于大功率的异 4、电感元件特性方程的相量形式是 ，电容元件特性方程的 步电动机，由于起动电流过大，影响了网络其它电器的正常运行，因此要采用 相量形式是 。 方式起动。 5、某一元件的阻抗角为?，其导纳角为θ，则阻抗角和导纳角的关系为 18、星形→三角形降压换接起动时，降压起动电流为直接起动电流的 。 。 其降压起动转矩为直接起动转矩的 。 6、正弦交流电的三要素是 ， ， 。 二、判断题（每题2分共10分） 7、通常说电路负载过大是指 过大，而负载电阻 。 1、理想电压源和理想电流源可以进行等效变换。 （ ） 当负载电阻等于 时电路将获得最大功率。 2、正弦量的复数形式即为相量，所以正弦量就是相量。（ ） ８、说明下列电工仪表符号的意义：a 、 ，b 、 。 3、电阻R 和电抗X 串联时，其复导纳为X j R Y 1 1-=。 （ ） ９、阻抗为8Ω的负载经变压器变换后，其等效阻抗为512Ω，该变压器的 4、在三相四线制供电系统中，干线上的中线不允许安装保险丝和开关。（ ） 变比为 。 5、为了对电流互感器进行保护，必须在电流互感器的副绕组装保险丝。（ ） 0.5

电工学电子技术：下册》期末试题汇总

第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路 一、单项选择题 1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ） A 、正、反向电阻相等 B 、正向电阻大，反向电阻小 C 、反向电阻比正向电阻大很多倍 D 、正、反向电阻都等于无穷大 2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。 A 、不能确定 B 、等于0 C 、等于5V D 、等于3V 3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。 A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个 4．晶体管的主要特性是具有（ D ）。 A 、单向导电性 B 、滤波作用 C 、稳压作用 D 、电流放大作用 5．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性 6．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点Q B 、确定集电结和发射结的偏置电压 C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0 D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o 7．射极输出器电路如题7图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。 A 、两者反相，输出电压大于输入电压 B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压 C 、两者相位差90°，且大小相等 D 、两者同相，输出电压大于输入电压 8．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B ) A 、减少 B 、增大 C 、保持不变 D 、大小不变，符号改变 9．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( A )。 A 、正确的 B 、不正确的 C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。 D 、耦合电容视为短路是不正确的，直流电源视为短路则正确。 10．P N 结加适量反向电压时，空间电荷区将（ A )。 A 、变宽 B 、变窄 C 、不变 D 、消失 11．题11图示三极管的微变等效电路是（ D ) 题2图 题7

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷 一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。 二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）

《电工学-电子技术-下册》期末试题汇总

2013年电工学下册复习试卷《内部资料》 第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路 一、单项选择题 1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ） A 、正、反向电阻相等 B 、正向电阻大，反向电阻小 C 、反向电阻比正向电阻大很多倍 D 、正、反向电阻都等于无穷大 2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。 A 、不能确定 B 、等于0 C 、等于5V D 、等于3V 3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。 A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个 4．晶体管的主要特性是具有（ D ）。 A 、单向导电性 B 、滤波作用 C 、稳压作用 D 、电流放大作用 5．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性 6．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点Q B 、确定集电结和发射结的偏置电压 C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0 D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o 7．射极输出器电路如题7图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。 A 、两者反相，输出电压大于输入电压 B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压 C 、两者相位差90°，且大小相等 D 、两者同相，输出电压大于输入电压 8．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B ) A 、减少 B 、增大 C 、保持不变 D 、大小不变，符号改变 9．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( A )。 A 、正确的 B 、不正确的 C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。 D 、耦合电容视为短路是不正确的，直流电源视为短路则正确。 题2图 题7

《电工学》期末考试试题及答案

电工学期末考试试题 4. 已知 u =220 Jsin （314t - 135 V ，则有效值 U = _____ V ，周期 T 二 _______ s ，初相位二 ______ t = 0.01s 时，u 二 ____ V o 5. 已知变压器的变比为4:1，测得次绕组中的电流l 2=4A ，则原绕组中的电流h 二 ____________ A o 6. 一台三相异步电动机，定子电压的频率为 f^50H Z ，极对数p=1，转差率s = 0.015。则同步转 速n 0二 ________ r /min ,转子转速 n 二 ___ r /min ，转子电流频率 f 2二 _______ H Z 。 、选择题（每题2分，共20 分） 1. 电路如图4所示，其KVL 方程正确的是（ ） 2. 图5所示电路中U AB 为（ ）V 3. 电路如图6所示，叙述正确的是（ ） A. 电流源吸收功率，电压源发出功率 C.电流源发出功率，电压源吸收功率一、填空题 1.电路如图 （每空2分，共24分） 1所示，U ab b J Q — 5V - 图1 2.各支路电流如图2所示, 3.各电阻值如图3所示，则端口等效电阻R ab - Q o A. U S RI U =0 B. Us RI -U =0 C. U s -RI U =0 D. U s - RI -U =0 B. 1.5 C. 2 D. 2.5 + O ------- 10V C )( )5/ A — 5Q — 1QQ | B Q B.电流源和电压源都吸收功率 D.电流源和电压源都发出功率 A. 1.25 21' 1 图5 10V

秦曾煌 电工学下册 电子技术课后答案

第14章 本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。 晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。 晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系 晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下： C B I I β≈ (1)E B C B I I I I β=+=+ C C B B I I I I ββ?= = ? 3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线： 晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线： 晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。在不同的B I 下， 输出特性曲线是一组曲线。B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域： 晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。 晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。此时，B I =0，C I =CEO I 。 晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。 14．3 典型例题

王兆安版电力电子技术试卷及答案

20××－20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) （时间90分钟 满分100分） （适用于 ××学院 ××级 ××专业学生） 一、 填空题（30分,每空1分）。 1．如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。（只写简称） 2．单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为 _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ；带阻感负载时，α角移相范围为 ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3．直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4．升降压斩波电路呈现升压状态时，占空比取值范围是__ _。 5．与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6．当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7．三相交交变频电路主要有两种接线方式，即 _和 。 8．矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ；控制方式是 。 9．逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为 型逆变器和 型逆变器。 10．把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题（18分,每题6分）。 1．逆变电路多重化的目的是什么？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合？ 2．交流调压电路和交流调功电路有什么异同？ 3．功率因数校正电路的作用是什么？有哪些校正方法？其基本原理是什么？ 三、计算题（40分，1题20分，2题10分，3题10分）。 1．一单相交流调压器，电源为工频220V ，阻感串联作为负载，其中R=0.5Ω，L=2mH 。 试求：①开通角α的变化范围；②负载电流的最大有效值；③最大输出功率及此时电源侧的功率因数；④当2πα＝时，晶闸管电流有效值，晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2．.三相桥式电压型逆变电路，工作在180°导电方式，U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 ．如图所示降压斩波电路E=100V ，L 值极大，R=0.5Ω，E m =10V ，采用脉宽调制控制方式，T=20μs ，当t on =5μs 时，计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值

电工学 期末复习天津理工大学

《电工与电子技术C 》直流电路部分补充题 一．单选题 1 图 示 电 路 中，理 想 电 压 源 发 出 的 功 率 P 为 ( )。 (a) 6 W (b) -6W (c) 18 W U I 6V 2S S 2 Ω 4 A 6 V . .+ 2 图 示 电 路 中，I S1 ，I S2 和 U S 均 为 正 值，且 I S2 >I S1 ，则 供 出 功 率 的 电 源 是( )。 (a) 电 压 源 U S (b) 电 流 源 I S2 (c) 电 流 源 I S2 和电压源 U S I I U S1S2S .. + 3. 在 图 示 电 路 中，已 知：当 -12 V 电 源 单 独 作 用 时，A 点 电 位 为 -6 V ，那 么 当 +12 V 电 源 单 独 作 用 时 ，A 点 电 位 V A 为 ( )。 (a) 9 V (b) 6 V (c) 3 V A 12V 1KΩ2KΩ－ 12V u +12V R 2 k 1 k ..ΩΩ 4. 图 示 电 路 中，理 想 电 流 源 发 出 的 功 率 P 为 ( )。 (a) 6 W (b) -24 W (c) 24 W U I 6V 2S S 2 Ω 4 A 6 V . .+

5. 在 图 示 电 路 中，已 知 U S = 12 V , I S = 2 A 。B 、A 两 点 间 的 电 压 U BA 为( )。 (a) -18 V (b) 18 V (c) -6 V U I A B S S Ω 3+ 6. 图 2 是 图 1 的 等 效 电 压 源 电 路。已 知 图 2 中 R 0 的 值 是 5 Ω，那 么 图 1 中 R 的 值 应 是 ( )。 (a) 1 Ω (b) 3 Ω (c) 4.5 Ω A B 图 1图 29 Ω 2 Ω 2 ΩS 1U R R U 0S A B +－+－ 7. 理 想 电 压 源 的 外 接 电 阻 越 大，则 流 过 理 想 电 压 源 的 电 流( )。 (a) 越 大 (b) 越 小 (c) 不 能 确 定 8. 理 想 电 流 源 的 外 接 电 阻 越 大，则 它 的 端 电 压 ( )。 (a) 越 高 (b) 越 低 (c) 不 能 确 定 二. 填空题 1、把 图 1 所 示 的 电 路 改 为 图 2 的 电 路，其 负 载 电 流 I 1 和 I 2 将 。 2A I I I I 1 2122V 1Ω1Ω1Ω1Ω 2V 2A 图 1 图 2+

电工学试题及答案

电工学试题及答案

第 2 页 共 19 页 课程名称 电工学A(上) 考试日期 考生姓名 学号 专业或类别 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 累分人 签题 分 30 8 10 8 12 10 10 12 100 得分 考生注意事项：1、本试卷共 页，请查看试 卷中是否有缺页。 2、考试结束后，考生不得将试 卷、答题纸和草稿纸带出考场。 一、单项选择题：将下列各题中唯一正确的答案代码填入括号内(每小题2分) 得分 评卷 1、( C )已 知 图 1所示 电 路 中 的 U S =10 V ， I S = 13 A 。电 阻 R 1 和 R 2 消 耗 的 功 率 由 ( )供 给 。 (a) 电 压 源 (b) 电 流 源 (c) 电 压 源 和 电 流 源 U U I R R S S S S 1 211Ω Ω . .. . +图1

2、( C )在图2中，N 是一线性无源网络。当 U 1 =1V，I 2 = 1A时，U 3 = 0V；当U 1 =10V，I 2 = 0A 时，U 3 =1V。则当U 1 = 0V，I 2 =10A时，U 3 = （）V A、 0 B、 1 C、－1 D、 3 图2 第 3 页共 19 页

福州大学 2007～2008学年第一学期考试A卷 第 4 页共 19 页

3、（ D ）在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（ ）。 (A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率 (C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗 4、（ D ）当三相交流发电机的三个绕组连接成 星形时，若线电压V t u BC )180sin(2380-=ω，则 相电压=C u ( )。 (a)V t )30sin(2220-ω (b) V t )30sin(2380-ω (c) V t )120sin(2380+ω （d ）2202sin(30)t ω+o 5、（ B ）图3所示 正 弦 电 路 中，R X L ==10Ω ， U U AB BC =， 且 U & 与 I & 同 相， 则 复 阻 抗 Z 为 ( )。 (a) ()55+j Ω (b) ()55-j Ω (c) 1045∠? Ω Z j A B C U R .c C L I .X + － 图3

最新电力电子技术试题及答案(1)

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择（每题1.5分，共60分） 1、 晶闸管内部有（ ）个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ） 6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在（ ）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ） A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、

电工学与电子技术B复习题及参考答案

电工学与电子技术B复习题答案 一、选择题 1、一含源二端网络，测得其开路电压为100V ,短路电流为10A，当外接10 Q负载电阻时，负载电流是（B） A. 10A; B.5A; C.15A; D.20A. 2、电动势为10V、内阻为2 Q的电压源变换成电流源时，电流源的电流和内阻是（C） A. 10A , 2 Q; B. 10A , 2 Q; C. 5A , 2Q; D. 2A , 5 Q. 3、正弦交流电压u=100sin（628t+60 o）V，它的频率为（A） A. 100Hz ; B. 50Hz ; C. 60Hz; D. 628Hz . 4、一阻值为3Q、感抗为4 Q的电感线圈接在交流电路中，其功率因数为（B） A. 0.3; B. 0.6; C. 0.5; D. 0.4 5、电力系统负载大部分是感性负载，要提高电力系统的功率因数常采用（B） A .串联电容补偿；B.并联电容补偿；C.串联电感补偿；D.并联电感补偿。 6、欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（D） A .串联反馈；B并联反馈；C.正反馈；D.负反馈。 7、由一个三极管组成的基本门电路是（B） A .与门；B.非门；C.或门；D.异或门。 8、在脉冲门电路中，应选择（B）的三极管。 A .放大能力强；B.开关速度快；C.价格便宜；D.集电极最大耗散功率高。 9、数字集成门电路中，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（D） A .与门；B.非门；C.或门；D.与非门。 10、在Y形联接的三相对称电路中，相电流与线电流的相位关系是（C） A. 相电流超前线电流30 o； B.线电流超前相电流30 o； C.相电流与线电流同相； D.相电流超前线电流 60 0。 11、在三相四线制中性点接地供电系统中，线电压指的（A）的电压。 A .相线之间；B.零线对地间；C.相线对零线间；D.相线对地间。 12、三相四线制供电的相电压为220V，则线电压为（D） A. 220V; B. 250V; C. 311V ; D. 380V. 13、纯电感电路中，（C） A.电流与电压同相位； B.电流与电压反相位； C.电压超前电流90 o；D .电压滞后电流90 0。 14、阻值为4 Q的电阻和容抗为3 Q的电容串联，总复数阻抗为（D）Q A. Z=3+j4 ; B. Z=3-j4 ; C. Z=4+j3 ; D. Z=4-j3。 15、额定电压都为220V的40W、60W和100W三只灯泡串联在220V的电源中，它们的发热量由大到小排列为（B） A. 100W、60W、40W ; B. 40W、60W、100W; C. 100W、40W、60W; D. 60W、100W、40W。 16、应用戴维南定理求含源二端网络的输入等效电阻的方法是将网络内的电动势（D） A .串联；B.并联；C.开路；D.短接。 17、用一只额定值为110V/100W 的白炽灯和一只额定值为110V/40W的白炽灯串联后接到220V的电源上，当开关闭合时，（C） A.能正常工作； B. 100W的灯丝烧毁； C. 40W的灯丝烧毁； D.两只灯丝全烧毁。 18、有一220V/1000W 的电炉，今欲接在380V的电源上使用，可串联的变阻器是（B）

电工学下册试题库试卷

(本大题共13小题，总计29分) 1、(本小题2分) 集成运算放大器的共模抑制比越大，表示该组件( )。 (a)差模信号放大倍数越大 (b)带负载能力越强 (c)抑制零点漂移的能力越强 2、(本小题2分) 电路如图所示为( )。 (a)反相式电压源 (b)同相式电压源 (c)电流源 -∞＋ ＋ R 1 ' R R F U Z U S R L R u O 3、(本小题2分) 几种类型的LC 振荡电路如图所示，电感三点式振荡电路是指下列图中（ ）。 L C C ? ? ??C 1 C 2 C 3 C 4 C E +U CC +U CC R B1 R B2 R C L I L 2 R E R E R C C 2 C E R B1 R B2 C 1 +U CC R L L 2L I R E C E R B1 R B2 C 1 + + + L ()a ()b (c) 4、(本小题2分) CMOS 门电路的扇出系数比TTL 门电路( )。 (a)小得多 (b)小 (c)大得多 5、(本小题2分) 由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关A 、B 分别有如图所示为“0”和“1”两个状态，则电灯HL 亮的逻辑式为( )。 (a)F ＝AB ＋AB (b)F ＝AB ＋AB (c)F ＝AB ＋AB

"0""0" "1""1" HL B A U 6、(本小题2分) 电路如图所示，当R F 减小时，放大电路的（ ）。 (a)频带变宽，稳定性降低 (b)频带变宽，稳定性提高 (c)频带变窄，稳定性降低 (d)频带变窄，稳定性提高 R F R 1 R u O u I －＋∞+ 7、(本小题2分) 振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（ ）。 (a)O 点 (b)A 点 (c)B 点 (d)C 点 ? ?? A B C U om U fm O 8、(本小题2分)

电力电子技术试题及答案(3)

考试试卷 一、填空题（本题共17小题，每空1分，共20分） 1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有与。 2、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以。 3、晶闸管的导通条件是。 4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSM U BO。 5、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有的特性。 6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。 7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是 触发方法。 8、可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。 9、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。 10、三相桥式整流电路中，当控制角α＝300时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。 11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值。 12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路。 13、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压U d的极性必 须保证与直流电源电势E d的极性成相连，且满足|U d|<|E d|。 14、为了防止因逆变角β过小而造成逆变失败，一般βmin应取，以保 证逆变时能正常换相。 15、载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f r，三 角波的频率为f c，则载波比表达式为K= 。 16、抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量，并用 电阻将其消耗。 17、斩波器的时间比控制方式分为、、三种方式。 二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分） 1、晶闸管的伏安特性是指( ) A、阳极电压与门极电流的关系 B、门极电压与门极电流的关系 C、阳极电压与阳极电流的关系 D、门极电压与阳极电流的关系

电工学试题及答案

*1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ） A 、正、反向电阻相等 B 、正向电阻大，反向电阻小 C 、反向电阻比正向电阻大很多倍 D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。 A 、不能确定 B 、等于0 C 、等于5V D 、等于3V *6．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性 *9．射极输出器电路如题9图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。 A 、两者反相，输出电压大于输入电压 B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压 C 、两者相位差90°，且大小相等 D 、两者同相，输出电压大于输入电压 *11．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B ) A 、减少 B 、增大 C 、保持不变 D 、大小不变，符号改变 *16．题16图示三极管的微变等效电路是（ D ) *19．题19图示放大电路，输入正弦电压u i 后，发生了饱和失真，为消除此失 真应采取的措施是（ C ） A.增大R L B.增大R C C.增大R B D.减小R B *21．电路如题21图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为0V ，则电路中电流I 的值为（ A ）。 A.4mA B.0mA C.4A D.3mA *22．固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q 如题22图所示，当温度升高时，工作点Q 将（ B ）。 A.不改变 B.向Q′移动 C.向Q″移动 D.时而向Q′移动，时而向Q″移动 *26．半导体三极管是一种（ C ） 题22图 题21图 题2图 题16图 题19图 题19图

电工学下册电子技术知识点总结

电工学下册电子技术知识点总结 模拟电路处理模拟信号，数字电路处理数字信号 第14章半导体器件 1.本征半导体概念 2.N型和P型半导体的元素、多数载流子和少数载流子、“复合”运动 3.PN结的单向导电性，扩散运动，漂移运动 4.二极管的伏安特性、等效电阻（14.3.8） 5.稳压二极管的工作区 6.三极管的放大电流特性（非放大电压）、输出特性曲线（放大区、截止区、 饱和区），判断硅管和锗管、PNP型和NPN型（14.5.1，14.5.2,14.5.3） 第15章基本放大电路 1.共发射极放大电路的组成、静态分析、动态分析，计算电压放大倍数（远大 于1，输入输出电压反相）、输入电阻（高）、输出电阻（低） 2.静态工作点的稳定：分压式偏置放大电路的组成 3.非线性失真：饱和失真（静态工作点高）、截止失真（静态工作点低） 4.射极输出器的组成、静态分析（估算法、图解法）、动态分析（微变等效电 路法、图解法），计算电压放大倍数（接近1，但小于1，输入输出电压同相）、输入电阻（高）、输出电阻（低） 5.多级放大电路的放大倍数，耦合方式三种：变压器耦合、阻容耦合（静态工 作点相对独立）、直接耦合（静态工作点相互影响，零点漂移） 6.差分(差动)放大电路：针对缓慢变化的信号，采用直接耦合，共模信号，差 模信号，抑制零点漂移，电路对称性要好 7.功率放大电路状态：甲类、甲乙类、乙类，为避免交越失真，需工作在甲乙 类状态下 第16章集成运算放大器 1.理想运算放大器的理想化条件：开环电压放大倍数∞，差模输入电阻∞，开 环输出电阻0，共模抑制比∞，工作区：线性区和饱和区 2.虚短、虚断

电工学(电工技术、电子技术)复习题及答案[1]

电工学（电工技术、电子技术）复习题 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内 1、把图 1 所示的电路改为图 2 的电路，其负载电流I1 和I2 将( )。 (a) 增大 (b) 不变 (c) 减小 2、当三相交流发电机的三个绕组接成星形时，若线电压u BC = 380sin wt V，则相电压u B = ( )。 (a) (b) (c) 3、在图示电路中，开关 S 在t = 0 瞬间闭合，若，则( )。 (a) 0.6 A (b) 0.4 A (c) 0.8A 4、两个铁心线圈除了匝数不同 (N1 > N2) 外，其他参数都相同，若将这两个线圈接在同一交流电源上，它们的磁通F1 和F2 的关系为( )。 (a) F1 > F2 (b) F1 < F2 (c) F1 = F2 5、三相异步电动机的旋转方向决定于( ) 。 (a) 电源电压大小 (b) 电源频率高低 (c) 定子电流的相序 6、在电动机的继电器接触器控制电路中，零压保护的功能是( )。 (a) 防止电源电压降低烧坏电动机 (b) 防止停电后再恢复供电时电动机自行起动 (c) 实现短路保护 7、在中点接地的三相四线制低压供电系统中，为了防止触电事故，对电气设备应采取 ( ) 措施。 (a) 保护接中( 接零 ) 线 (b) 保护接地 (c) 保护接中线或保护接地

8、图 1 与图 2 为两个正弦交流等效电路，已知R = 9 W，R￠= 10 W，C = F， C￠= F，需施加的正弦信号的角频率w为 ( )。 (a) 0.32 rad / s (b) 0.11 rad / s (c) 2 rda/s 9、图示正弦交流电路中，R = XL= 10 W，欲使电路的功率因数l = 0.707，则XC 为 ( )。 (a) 20 W (b) 10 W (c) 5 W 10、在R，L，C串联电路中，总电压，电流 i = 10sin(wt+) A，w=1 000 rad / s，L = 1 H，则R，C分别为 ( )。 (a) 10 W，1 mF (b) 10 W，1 000 mF (c) 0.1 W，1 000 mF 11、图示正弦交流电路中，Z = ( 40 + j 30 ) W，XC= 10 W，有效值U2 = 200 V，则总电压有效值U为 ( )。 (a) 178.9 V (b) 226 V (c) 120 V 12、在R，L并联的正弦交流电路中，R = 40 W，XL= 30 W ，电路的无功功率 Q = 480 var，则视在功率S为 ( )。 (a) 866 VA (b) 800 VA (c) 600 VA