内存命名规则
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit 的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数
据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Micron内存颗粒
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面
就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
西门子内存颗粒
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB （兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）× 8 片/8=128MB （兆字节）。
Kingmax内存颗粒
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间× 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间× 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间× 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间× 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间× 16位数据宽度。Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；
b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns 〔PC-100CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100
LGS内存颗粒:
LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
GM72V XX XX X 1 X X T XX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。
最后的XX自然是代表速度：
7.5：7.5ns［133MHz］
8：8ns［125MHz］
7K：10ns［PC-100 CL2或3］
7J：10ns［100MHz］
10K：10ns［100MHz］
12：12ns［83MHz］
15：15ns［66MHz］
高士达（LGS）SDRAM内存芯片的识别
一、高士达SDRAM内存芯片编号识别
GM 72 X X XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
现代SDRAM的内存芯片上的编号如上所示，其各位编号的意义如下：
1：PREFIX OF LGS（LGS产品的前缀）
MEMORY IC的前缀
2：FAMILY（内存种类）
72:SDRAM
3：PROCESS＆POWER SUPPLY(工艺和电压)
V:CMOS(3.3V)
4：DENSITY＆REFRESH（内存密度和刷新）
16:16M,4K Ref
17:16M,2K Ref
28:128M,4K Ref
55:256M,16K Ref
56:256M,8K Ref
57:256M,4K Ref
64:64M,16K Ref
65:64M,8K Ref
66:64M,4K Ref
5：DATA WIDTH（数据带宽）4:×4
8:×8
16:×16
32:×32
6：BANK（芯片组成）
1:1 BANK
2:2 BANK
4:4 BANK
8:8 BANK
7：I/O INTERFACE（I/O界面）1:LVTTL
8：REVISION NO.（修正版本）BLANK:ORIGINAL
A:FIRST
B:SECOND
C:THIRD
D:FOURTH
E:FIFTH
F:SIXTH
9：POWER（功率）Blank:STANDARD
L:LOW－POWER
10：PACKAGE（IC封装）T:TSOP(NORMAL)
R:TSOP(REVERSE)
I:BLP
K:TSOL
S:STACK
11：SPEED（速度）
6:150MHz
7:143MHz
74:135MHz
75:133MHz
8:125MHz
7K:(PC100,2－2－2)＊7J:(PC100,3－2－2)＊＊10K:(PC66)＊＊＊
10J:(PC66)＊＊＊＊
12:83MHz
15:66MHz
Note（注释）:
＊7K means to meet tCK=10ns,C.L=2,tAC=6ns。
＊＊7J means to meet tCK=10ns,C.L=3,tAC=6ns。
＊＊＊10K means to meet tCK=15ns,C.L=2,tAC=9ns。
＊＊＊＊10J means to meet tCK=15ns,C.L=3,tAC=9.5ns。
现代内存编号规则
一、DDR SDRAM：
现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。
二、DDR2 SDRAM：
DDR2 SDRAM作为一种已经在显卡领域得到尝试性应用，并将很快成为主机内存设备的产品，现在在市场中还并不多见，但对于下半年，以至于未来几年内存市场的主打型号，消费者还是有必要对其进行一定了解的。更何况，由于此种产品的编号是从DDR SDRAM编号演变而来，所以，只要您对我们刚才提到的DDR SDRAM编号有所了解，那么辨认DDR2 SDRAM也并不是什么难事。
HYNIX DDR2 SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 - 13 14
细心的读者可以从上表发现区别，现代DDR2 SDRAM的颗粒编号，实际上要比DDR SDRAM少一位。其中原本第11位代表的『封装堆栈』被省略，而其他位编号的定义基本保持不变，只是针对新的DDR2 SDRAM颗粒的属性，增加了一些新的含义。
颗粒编号解释如下：（这里只对存在区别的部分加以说明）
2．内存芯片类型：（5P=DDR2 SDRAM）
3．处理工艺及供电：（仅有S一种，对应参数为：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4．芯片容量密度和刷新速度：（保留28、56、12、1G四种编号；新增2G：2G 8K刷新）
7．接口类型：（保留2=SSTL_2；而SSTL_18则变为1表示）
10．封装类型：（F＝FBGA；S＝FBGA Stack封装；M＝FBGA DDP(Dual Die Package)）
12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13．速度：（S7=DDR2-800 7-7-7；S6=DDR2-800 6-6-6；Y6=DDR2-667 6-6-6；Y5=DDR2-667 5-5-5；C5=DDR2-533 5-5-5；C4=DDR2-533 4-4-4；C3=DDR2-533 3-3-3；E4=DDR2-400 4-4-4；E3=DDR2-400 3-3-3）
算下来，有变化的部分，大概有7位，基本上都是因为技术更新，而简略了旧的规格代码，加入了新的代码定义。其中，最值得大家注意的，还是第13位的数字。现代公司对DDR2 SDRAM内存的这一位编号，进行了全新的改革。将会以S、Y、C、E这四个英文字母，分别代表DDR2的四种工作频率，依次是：800MHz、667MHz、533MHz、400MHz。而7、6、5、4、3这五个数字，显然是代表该对应内存的细节设定分别是7-7-7、6-6-6、5-5-5、4-4-4、3-3-3。
三、SDRAM：
由于现在使用SDRAM内存的用户还很多，其中还想升级现有SDRAM内存容量的用户比例更是不少，因此SDRAM内存还不会现在就退出市场。在此文的最后，我们就再返回来说说现代内存在SDRAM方面的编号设定。
其实，现代SDRAM内存的编号和DDR SDRAM同属现代DRAM类产品，因此编号都基本相同。用户只需记住编号中“－”后面的一位或两位数字，就能轻松识别现代SDRAM内存性能。现在现代SDRAM内存最这一位代码的设定，分如下几种：
5
200MHz
55
183MHz
6
166MHz
7
143MHz
K
PC133,CL=2
H
PC133,CL=3
8
125MHz
P
PC100,CL=2
S
PC100,CL=3
10
100MHz
一般在市场中，我们最长见到编号尾数为“H”的产品，即PC133且CL=3的产品，如果当用户购买的内存结尾为其他数字或字母时，最好能先依照上面列表中的数字进行比对，以免买到性能低下的内存产品。
结论：
正如上面三部分的介绍，现在市场中销售的使用现代颗粒的内存，基本都符合这些编号定义。不同的规格型号，区别可能仅仅在于编号中的某一位数字不同，因此，要想避免上当受骗，消费者就一定要牢记这些编号的含义。尤其是第13位的参数更是十分重要，它将决定这款内存所用颗粒的最高工作速度。
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Micron内存颗粒
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以
MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
西门子内存颗粒
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；
HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）× 8 片/8=128MB（兆字节）。
Kingmax内存颗粒
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量： 64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间× 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间× 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间× 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间× 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间× 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D =DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、 3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k 代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s= 10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，
15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit 和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100
LGS内存颗粒:
LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J 和7K才是PC 100的SDRAM，7J 和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K 的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K 冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz 时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
GM72V XX XX X 1 X X T XX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。
最后的XX自然是代表速度：
7.5：7.5ns［133MHz］
8：8ns［125MHz］
7K：10ns［PC-100 CL2或3］
数控刀具命名规则-及牌号(材质)详情
数控刀具命名规则-及牌号(材质)详情
数控刀具型号编号规则——山特维克 事例：CNMG120408-PM 4205 C:刀片形状，菱形80 N:刀片后脚，负角型刀片 M:公差 G:刀片类型 PM：刀片槽形 4205：刀片牌号（材质） GC4205(HC)–P05(P01-P15） CVD涂层牌号，具有优良的耐沟槽磨损性和抗塑性变形性。当在钢的半精加工到粗加工应用中要求高金属去除率时推荐用于稳定的工况。能承受高温，并且不会降低干湿加工应用中的刃线安全性。 1.
2.
刀片牌号（车削）用于普通车削的牌号
----P钢、铸钢、长切屑可锻铸铁。 基本牌号 CT5015(HT)–P10(P01-P20) 具有优良的抗积屑瘤和抗塑性变形能力的非涂层金属陶瓷牌号。新型配方提高了韧性。用于要求高表面质量与/或低切削力的低合金钢和合金钢的精加工。fnxap<0.35mm2 GC1125(HC)–M25(M10-M30 PVD涂层微颗粒硬质合金。推荐用于中等到低切削速度下各种不锈钢的精加工。锋利的切削作用与优良的切削刃韧性相结合时，或要求很高的表面质量时，该牌号表现优异。其很高的耐热冲击性能适用于轻间断切削。 GC1525（HC）-P15（P05-P25）
PVD涂层金属陶瓷牌号。具有优良的耐磨损性和刃口韧性。用于低碳钢和低合金钢的精加工和半精加工。适用于中等和高切削速度下要求高表面质量的场合。fnxap<0.35mm2 GC4205(HC)–P05(P01-P15 CVD涂层牌号，具有优良的耐沟槽磨损性和抗塑性变形性。当在钢的半精加工到粗加工应用中要求高金属去除率时推荐用于稳定的工况。能承受高温，并且不会降低干湿加工应用中的刃线安全性。 GC4215(HC)-P15(P01-P30) 用于精加工到粗加工的CVD涂层硬质合金牌号，适合于钢和钢铸件的连续切削至轻型间断切削应用。梯度基体与耐磨涂层相结合，最佳化了硬度和韧性。不论湿切削还是干切削均能承受高温，同时又不会牺牲刃线安全性。 GC4225(HC)-P25(P10-P40
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法 1、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 3、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn 结器件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
杜邦塑料原料命名规则
各种产品等级 ?. SK = 玻纤增强的树脂 ?. S=未增强树脂 ?. LW = 低翘曲树脂 ?. T=增韧树脂 ?. ST = 超韧级别 ?. HR= 抗水解改良 词尾 ?. HF=高流动 ?. FR=UL-94 V-0 树脂 Delrin. POM 多数Delrin. 产品被编码以3 个或4 个数字以第一数字(如果3 数字共计) 或第一2 个数字(如果4 个数字共计) 近似地代表融解流速的. (使用ISO1133标准 , 与2 .16 KG装载, g/10min) 。因而, 100系列是黏度最高的系列(或最低的融指), 300, 500, 900,以此类推流动性越来越高。 多数等级被编码正如每以下例子: Delrin. 500P NC010 Delrin. - 产品系列和注册商标 500 -产品编码 P - 词尾 NC010 .-颜色代码 编码.-特例 X00 系列.-经常是“classic”均聚物一般用途等级 X00P 系列.-基于一个改良的热量稳定系统; 这些通用级别的均聚牌号有在更大的范围内更好的稳定性。 X11P 系列.-同P一样经热稳定改良，在通用均聚物和改良级别中提高了结晶成型周期, 降低模具收缩, 减少翘曲和的空隙, 并且增强注塑制件的尺寸稳定。X60 系列.-共聚物一般用途等级
X07 系列.-紫外稳定等级。 X27UV 系列.-是热稳定和紫外稳定等级。 X50 系列.-挤出等级 编码.-前缀 DE .-发展或商业代码, 随机号 编码.-后缀含义 AL .-添加先进的润滑剂 Kevlar? 改良 ST .-超韧 P .-热稳定改良 T .-增韧 MT .-半增韧 紫外稳定 抗静电/加硬 抗静电/增韧 ATB .- 抗静电/增韧, 选择级 CM .-X42CM 2次加工成型 AF .-PTFE及 Teflon.填充 CL .-添加化学润滑剂 LM .-可做激光标志 TL .-添加PTFE 润滑剂 GR .-玻纤增强 MF .-矿物填充 E .-低放射性 DP .-尺寸稳定和高产量级 Delrin的颜色代码 NC010 .-自然色为通用等级 NC000 .-自然色为GR 或MF 等级 BK602, 402 .-标准黑代码 BK601, 401 .-黑色防UV级别 BK000 .-黑色代码某些被填充的级别 BKL001 .-可做激光标志的颜色代码(在这种情况下为黑色) ** 注意.-在某些情况下, 可以是没有颜色代码的如500
产品命名规则
Cisco网络设备命名规则 CISCO 开头的产品都是路由器； 2. RSP 开头的都是CISCO7500 系列产品的引擎； 3. VIP 开头的产品都是CISCO 7500系列产品的多功能接口处理器模块； 4. PA 开头的产品都是CISCO 7500/7200系列产品的模块； 5. NPE 开头的都是CISCO7200 系列产品的引擎； 6. NM 开头的都是CISCO低端路由器模块； 7. WIC 开头的都是CISCO低端路由器的广域网接口模块； 8. VWIC 开头的都是CISCO低端路由器的语音接口模块； 9. WS-C 开头的产品都是交换机； 10. WS-X 开头的产品是交换机的引擎或模块； 11. WS-G 开头的产品是交换机的千兆光纤模块。 关键字： TT:适用2960 CE500交换机，表示电口 TC:适用2960 CE500交换机,表示电口＋双介质口 LC:适用CE500,包括POE＋电口＋2SFP TS：适用3560，3750 表示电口＋SFP PS：适用3560,3750 表示POE＋SPF T：适用3750，仅电口 TD：适用3750，表示电口＋10GBE cisco路由的命名规则都是以CISCO开头比如：cisco1721，cisco2621，ci sco3662，cisco3745。这些都是路由器。 比如：cisco2621 其中cisco：是品牌,前两位数字是系列号，这款产品属于2600系列， 后两位是具体的型号。 其中cisco 路由器有以下几个系列： cisco2500系列：cisco2501、cisco2502、一直到cisco2514，这些都是国 内能见到的设备，再往上就是国外的了，国内很少见到。 cisco1700：1720、1721、1751、1760 cisco1800：1821、1841 cisco2600系列：2610、2611、2620、2621、2651 cisco2600XM 系列：2610XM、2611XM、2620XM、2621XM cisco3600：3620、3640、3660 cisco3700：3725、3745 cisco3800：3825、3845 cisco7200：7204、7206、7204VXR、7206VXR这些都是机箱，使用当中 需要引擎的支持（NPE-225、NPE-300、NPE-400、NPE-G1、最新的是NP E-G2）和业务模块的支持东西很多了，这就不写了。 cisco7500：7507、7513 同样也需要引擎的支持（RSP2、RSP4、RSP8、 RSP16）和业务模块的支持，7200上的业务模块都能在75上使用，需要一块VIP 卡的支持。 在上面就是12000 系列：12008，12016这些是目前最高端的。同样也需要
数控刀具命名规则-及牌号(材质)详情
数控刀具型号编号规则——山特维克 事例：CNMG120408-PM 4205 C:刀片形状，菱形80 N:刀片后脚，负角型刀片 M:公差 G:刀片类型 PM：刀片槽形 4205：刀片牌号（材质） GC4205(HC)–P05(P01-P15） CVD涂层牌号，具有优良的耐沟槽磨损性和抗塑性变形性。当在钢的半精加工到粗加工应用中要求高金属去除率时推荐用于稳定的工况。能承受高温，并且不会降低干湿加工应用中的刃线安全性。 1. 2.
刀片牌号（车削） 用于普通车削的牌号 ----P钢、铸钢、长切屑可锻铸铁。 基本牌号 CT5015(HT)–P10(P01-P20) 具有优良的抗积屑瘤和抗塑性变形能力的非涂层金属陶瓷牌号。新型配方提高了韧性。用于要求高表面质量与/或低切削力的低合金钢和合金钢的精加工。fnxap<0.35mm2
GC1125(HC)–M25(M10-M30 PVD涂层微颗粒硬质合金。推荐用于中等到低切削速度下各种不锈钢的精加工。锋利的切削作用与优良的切削刃韧性相结合时，或要求很高的表面质量时，该牌号表现优异。其很高的耐热冲击性能适用于轻间断切削。 GC1525（HC）-P15（P05-P25） PVD涂层金属陶瓷牌号。具有优良的耐磨损性和刃口韧性。用于低碳钢和低合金钢的精加工和半精加工。适用于中等和高切削速度下要求高表面质量的场合。fnxap<0.35mm2 GC4205(HC)–P05(P01-P15 CVD涂层牌号，具有优良的耐沟槽磨损性和抗塑性变形性。当在钢的半精加工到粗加工应用中要求高金属去除率时推荐用于稳定的工况。能承受高温，并且不会降低干湿加工应用中的刃线安全性。 GC4215(HC)-P15(P01-P30) 用于精加工到粗加工的CVD涂层硬质合金牌号，适合于钢和钢铸件的连续切削至轻型间断切削应用。梯度基体与耐磨涂层相结合，最佳化了硬度和韧性。不论湿切削还是干切削均能承受高温，同时又不会牺牲刃线安全性。 GC4225(HC)-P25(P10-P40 CVD涂层硬质合金材质，用于钢和钢铸件的精加工到粗加工。梯度基体与厚的耐磨涂层相结合，在钢车削时具有最佳的硬度和韧性。此材质能以高金属去除率进行连续切削和间断切削，并且其应用范围极广。 GC4235(HC)-P35(P20-P45 涂层硬质合金牌号，用于工况差时钢和钢铸件的粗加工。梯度基体与厚的耐磨涂层相结合，在钢车削时具有最佳硬度和和韧性。刃线高安全性使此牌号能用于以高金属去除率进行的间断切削。 GC3005(HC)-P10(P01-P25 CVD涂层硬质合金牌号，高耐磨涂层与硬基体的结合强度高，可以承受很高的温度。用于高合金钢的高切削速度精加工和半精加工。 补充牌号 GC1025(HC)–P25(P10-P35) PVD涂层微颗晶粒硬质合金牌号。推荐用于要求优良的表面质量时的低碳钢或其它“粘性”材料的精加工。它的高耐热冲击性能使它适用于断续切削。 GC2015(HC)–P25(P20-P30) CVD涂层硬质合金牌号。与槽形相结合提供锋利的切削作用，推荐用于低碳钢和其它“粘性”材料的精加工到轻粗加工。 GC2025(HC)–P35(P25-P40)
物料命名规范
b物料命名规范(公司编号和图) 目的：规范公司ERP系统的编码规则，使ERP系统运行有效，符合公司管理要求范围：所有产品料号及公司规范物品、设备、工具 公司现有的物料分类： 物料分类ERP内部编码 NI板卡N A5000 ~ A5171 连接器电子元件 D A1000 ~ A1*** PCB板P A3018 开关电源k A3000 ~ A3202 原材料传感器 C A6000 ~A 6056 物料电线、电缆X A1075 A1079 A1082 A3191 A3188 机箱、机箱内外部配件S A4000 ~ 装固物料：螺丝L A4108 ~ 包装标志物料 B A7053 工具类G A4123 ~ 4127 固定资产JB01 ~ JX01 办公用品Y A7000 ~ A7061 成品T A8000 ~ A8012 物料编码规则： 1.物料编号由名称、规格、型号、材质、产地、品牌、重量、体积、颜色、长度来组成 仓库ERP物料编辑栏里已有种类、规格、单位、厂家，所以名称可使用狭义词+品牌、颜色 比如电源线： 电源线+包尔星克+黑色 也可： 电源线 规格材质长度颜色厂家写多几种物料属性进行描述，说明物料的差异化。名称要简单化
U盘----金士顿----淘宝使用功能一致，通过品牌、供应商区分U盘----闪迪------京东 A7028 A7>办公用品的代码028 >序号
J是固定资产代码B是“笔”记本拼音大写005是序号 编码要求： 命名基本要求： 1、正确性：确定物料名称、规格、型号，做到名称准确，型号清晰简洁 2、同一性：同一物料类别，应采用相同物料名称。 3、名称长度不能超过30个汉字
杜邦材料命名规则
杜邦材料命名规则
各种产品等级 Crastin.PBT ?. SK = 玻纤增强的树脂 ?. S=未增强树脂 ?. LW = 低翘曲树脂 ?. T=增韧树脂 ?. ST = 超韧级别 ?. HR= 抗水解改良 词尾 ?. HF=高流动 ?. FR=UL-94 V-0 树脂 Delrin. POM 多数Delrin. 产品被编码以3 个或4 个数字以第一数字(如果3 数字共计) 或第一2 个数字(如果4 个数字共计) 近似地代表融解流速的. (使用ISO1133标准, 与2 .16 KG装载, g/10min) 。因而, 100系列是黏度最高的系列(或最低的融指), 300, 500, 900,以此类推流动性越来越高。 多数等级被编码正如每以下例子: Delrin. 500P NC010 Delrin. - 产品系列和注册商标 500 -产品编码 P - 词尾 NC010 .-颜色代码 编码.-特例 X00 系列.-经常是“classic”均聚物一般用途等级 X00P 系列.-基于一个改良的热量稳定系统; 这些通用级别的均聚牌号有在更大的范围内更好的稳定性。 X11P 系列.-同P一样经热稳定改良，在通用均聚物和改良级别中提高了结晶成型周期, 降低模具收缩, 减少翘曲和的空隙, 并且增强注塑制件的尺寸稳定。
Hytrel.TEEE Hytrel. 高性能和通用级别全部以四位数命名原则命名, 典型的通用级别是在数字前面加G 。前两个数字代表Shore D 硬度。第三个数字代表相对黏度在相同的硬度和等级之内。例如, 如果您比较G5544, 5526, 和5556, 硬度全部是55D 。而G5544 是通用级别。在5526 和5556 之间, 5526 有更低的融指或更高的流动性。第四个数字表示稳定性类型: 0-5 变色和6-9 不变色的。 专业等级, 当加前缀HTR, 根据连续数字体系命名。否则, 遵循上述命名原则。 ?Hytrel. . 3078 .-最软的级别 ?. HTR6108 有最低的渗透性 ?. 5555HS 添加了热稳剂适合用于高温环境 ?. HTR8068 是所有Hytrel.级别中唯一的UL V-0等级。 吹塑级别全部是黑色命名也根据连续数字系统。 DYM 等级是全部染黑的, 并且数字代码代表聚合物的弯曲模量根据ISO178标准在室温, MPa下测得的。因而DYM100BK 比DYM350BK 更具有韧性的。Rynite. PET 树脂代码 ?. 100 系列是基于RBR的树脂 ?. 400 系列是变增韧的树脂 ?. 500 系列是通用树脂 ?. 800 系列是包装树脂 ?. 900 系列是矿物l/玻璃薄片/云母增强树脂 词尾 ?. FR=UL-94 V-0 树脂 ?. PCR=基于RBR树脂 ?. SST=超韧树脂 Zenite. LCP
最新整理Intel处理器命名规则是怎样的
I n t e l处理器命名规则是怎样的 相信我们大多数人电脑都是使用I n t e l的处理器，处理器有很多种，官方都是怎么进行命名的呢?在I n t e l C P U型号中，都有哪些C P U是带后缀的呢?请看下文解析。 I n t e l处理器命名规则是怎样的? M：笔记本专用C P U，一般为双核，M前面一位数字是0，意味着是标准电压处理器，如果是7，则是低电 压处理器。 U：笔记本专用低电压C P U，一般为双核，U前面一位数字为8，则是28W功耗的低压处理器(标准电压双核处理器功耗为35W)，若前一位数字为7，则是17W功耗的低压处理器，若为0，则是15W功耗的低压处理器。 H：是高电压的，是焊接的，不能拆卸。 X：代表高性能，可拆卸的。 Q：代表至高性能级别。 Y：代表超低电压的，除了省电，没别的优点的了，是不能拆卸的。 T：是涡轮增压技术，能增加C P U的转速，比如5400转的，可以提升到7200转，用来增加C P U性能。 K：可以超频的版本。
无后缀的是标准版。 Q M(第四代开始改为M Q)：笔记本专用C P U，Q是Q u a d 的缩写，即四核C P U。若Q M前一位数字是0，则表示此产品为功耗45W的标准电压四核处理器，若为2，则表示此产品为35W功耗的低电压四核处理器，若为5，与对应为0的C P U主要规格相同，但集成的核芯显卡频率更高(如3630Q M和3635Q M，后者核显最大频率 1.2G H z，前者则是 1.15G H z)。 H Q：第四代C P U新出现的系列，主要参数和标准的四核C P U一致，但集成了性能空前强大的核芯显卡I r i s P r o5200系列，这种核显的性能可以直接媲美中端独立显卡。目前有i74750H Q，4850H Q和4950H Q三款C P U，后来出了一款i7 4702H Q，并没有集成高性能核芯显卡，是定位较为模糊的一款产品。 X M：最强大的笔记本C P U，功耗一般为55W。X意为E x t r e m e，此类型C P U完全不锁频，在散热和供电允许 的情况下可以无限制超频，而即便是默认频率下，也比同一时代的其它产品强大得多。这类C P U都是工厂生产后精心挑选出来得极品，质量极佳，性能完美，但价格非常昂贵。一块X M系列的C P U批发价可达1000美金以
产品型号命名规则
编制 Writer 李长春批准Approver 产品命名规则 为规范本公司的产品，现将本公司现有产品的命名规则规范如下： 1.外置灯管：External Tube 例：GXLED-NS1-48-2-CW-C 即这个是24W系列灯管（一个电源2根灯管，1.2M长，色温5000K，透明罩。 型号单支功率灯珠 GXLED-NS1-48-2-XX-X 12 3528 GXLED-NS1-48-3-XX-X 18 3528 GXLED-NS1-96-1-XX-X 24 5730 GXLED-NS2-48-2-XX-X 18 5730 GXLED-NS2-2U-2-XX-X 18 5730 GXLED-NS3-48-2-XX-X 18 2835 2.内置灯管：Internal Tube 例：GXLED-NSN-48-3-3-CW-C 即常规系列1.2M长，277V 27W色温5000K，透明罩。
编制 Writer 李长春批准Approver 产品命名规则 3.玉米灯Corn light 样例：GXT20-CW-1-E4即玉米灯20W 色温5000k 输入电压100-277Vac,E39/E40灯头的产品。 4.冰箱灯Refrigerator lamps 样例：GX-CS185070D即这个产品是1.8M的冰箱灯。 5.射灯spot light 样例：GXSL-M81-CW-2即MR16型的8W射灯，输入电压12V，色温5000K，发光角度20°。
编制 Writer 李长春 批准Approver 产品命名规则 6.面板灯 AXON LED Panel light 例：GXTF-A2-1-CW 即这个产品是600X600 110V 调光 5000K 色温面板灯。 7.NOVASTRIP （灯管替换类 灯板LED PCBA+电源DRIVE+PC COVER ） GXNP - X - XX - XX 8、SNOW MACHINE 雪花灯 DIG-HPS 15 NOVASTRI 灯板数 2:1拖2 功率24:24W 色温：SW=3000K WW=3500K 客户公司名 DIGICO IMAGING INC Happy 2015
主流显卡命名规则
1楼 在Nvidia的显卡中。GT表示的是加强版的意思。8800GT就是8800的加强版。不过GTS是加加强版，所以8800GTS是比8800GT强的。还有就是Ultra是加加加强版的意思。说白了就是文字游戏，Nvidia现在的显卡最低也是GT，全是加强版，没意思。 显卡后缀解释： 1、NVIDIA方面： Ultra：NV暂时的顶级型号，以前认为和GTX一个等级，自从8800U出来以后就不同啦，比GTX更强！！Ultra现在可以认为是GTX的官方超频板，Best！！ GTX：暂时比Ultra低端一些，以前的旗舰型号，但绝对是不容小时的... GTS：新兴的显卡型号，起初出现于G80系列，定位约等于ATI的XT，定位比T更高，代表作有8600GTS和8800GTS... GT：高级版，现在定位比GTS低一些，主要在于PCB、核心频率和显存规格，以前是中段产品的最高级版，代表作8600GT... GS：Nv系列中中段偏上的显卡型号，比GT还要低，但是在G80系列中已不见踪影，代表作7600GS和7300GS.. LE：最差的一种，缩水版，一般不推荐购买：7300LE最为经典... 2、ATI方面： XTX：最高的等级，只限于旗舰产品！如1900XTX和1950XTX... XT：频率比XTX稍低一点的型号，但也代表着中低端的最高型号，如1650XT、1950XT... GT/PRO：大概就是高级般的意思，“PRO”在英语中就是“高能”的意思，地位比XT稍低，最典型的就是1650GT和2600pro... 总结：还是ATI的型号简洁，不像Nvidia一样一个系列变一次。 2楼 ATi显卡命名规律 和nVIDIA一样，ATi显卡的命名也按照了一定的规律进行，对相同核心的不同型号显卡，以不同的命名规则区分开，以方便消费群体识别好显卡之间的级别，下面我们就说说ATi 常见的命名规律。 XTX > XT > XL/GTO > Pro/GT > SE XTX：ATI系列中最高端显卡型号的后缀，如：1800XTX，1900XTX。这个后缀编号都是当时最高端的ATi显卡所配有的。 XT：这个编号比较有意思，ATi和nVIDIA都采用这个编号，但两者表达的意义却不同，用户需要区分开。 在ATi方面，XT是代表了顶级显卡的型号，一般就运行频率稍低于XTX，XT与XTX的关系就像nVIDIA中GTX和Ultra的一样。我们知道的高端显卡就有Radeon X1950XT、 Radeon HD 2900XT，它们都采用了XT这个后缀。 而在nVIDIA方面，XT却是代表了简化版，比标准版更低，如GeForce 5600XT，消费者需要区分开来。但在以后的代数中，nVIDIA也很少用到XT这个后缀命名。 XL：用于ATi高端显卡系列的后缀，级别比顶级级别的XT低，主要表现在频率和管线上有所缩水。 GTO：是ATi较为特殊的命名后缀，也是用于中高端显卡系列，其意义就有点类似于nVIDIA 的“GS”一样，比XL级别稍低。
线路板型号命名规则
一、目的及范围 统一规划产品开发中所涉及电路板型号命名，提供和识别产品具体信息内容及相关文档的可控性，便于操作和统一管理，特此规范与说明。 作用范围包括环氧、铝基、瓷基、柔性、纸基等通用型线路板。 二、适用性 适用于xxxxxx 硬件开发部。 三、公司产品开发思路 当前所发布的产品和公司的业务发展方向----向智能感知、物联网方向发展，因此，为 保证产品开发进度，采用模块化产品开发模式，不同模块组合构成柔性的、可变的、多样化的产品，从而尽量缩短开发时间，同时减少商务、生产、测试的物流流转时间，为争取最快的上市时间提供保障。实现“以不变（模块系列）应多变（用户需求）的产品开发模式。 模块化设计的基本方法： 新产品=不变部分（通用模块）+准通用部分（改型模块）+专用部分（新功能模块） 从公司当前业务发展和及方向看，通用模块主要有（以后有新的需求再增加）： A ：基于视频分析应用通用模块； B ：基于物联网应用的通用模块； C ：基于逻辑控制的通用模块； D ：基于数据交换的通用模块。 因此线路板的命名分为通用模块线路板命名规则和专用功能接口线路板命名规则。 1、通用模块线路板命名规则 商标“HFC ” 业务应用类型 特征信息 附属信息 版本信息
商标信息：固定为“HFC ”； 业务应用类型（最多3位）： 基于视频分析应用通用模块：标识“A ”； 基于物联网应用的通用模块：标识“M2M ”； 基于逻辑运算控制类通用模块：标识“ LOC ”； 基于数据交换的通用模块：标识为“SW ”。 *若后续有补充，可进行增添。 特征信息（最多3位）： 主要描述通用模块关键特征，利于区分相同业务应用类型模块之间差异。例如：交换机 有5以太网，则此位标识“5”，有8口，则此位标识“8”。如果没有，默认用“n ”标识。 附属信息（最多4位，可数值也可文字） 主要表述核心芯片的信息，诸如，A8板采用TI Davinic DM6446芯片，则在附属信息中“6446”用于标识； 版本信息（2位数值） 该标识位表示线路板的版本，用括号内数值代表，默认第一版用“(10)”（以版本号右 移一位作为版本标识），若更改线路板相关内容，即改版打样，数值相应增加，如改过一次大的，一次局部布局，并打样，最新版本为“(21)”。 2、专用部分线路板命名规则 在此之前的产品没有按此规则命名的，在改版后必须按以下命名规则执行。 商标“HFC ” 产品类型 用途信息 附属信息 版本信息 商标信息：固定为“HFC ”；
各种铁芯材料命名规则
各種鐵芯材料命名規則方法 (一)大冶鐵芯命名規則及方法﹕ 1.Example (one): N5X T 3.5 * 1.7 * 2 -P 2. c 3. Example (two): NP1 DR 8.4 * 4 (2.4-3.4) Material Intial permeability (最初磁導率) Color code NI 850 NP1 2500 Yellow N5X 5000 N05 5000 Green N07 7000 Dark green N10 10000 Dark green N4X 4500 Parylence coating: 帕利靈涂料耐壓1000Vrms(油漆膜) Height:厚度 Inside Dimension:內徑 外徑 Produce type toroidal core:環形類鐵芯 Material:材質 內徑 DimensionC:幅寬 DimensionB:長度 DimensionA:高度 Core type:鐵芯類型(圓筒 型) 材質
(二) 邁拓鐵芯命名規則﹕ 1. Example (one): (1)Material Designator 有不同類型﹐其磁導率不同﹕ (2)Product type 有不同的種類﹕ 產品最大尺寸標注﹕1/1000 inch 的單位來表示﹐描述鐵芯的主要直徑 (表示外徑0.155 inch) (5)01P 0 表示鐵芯的厚度參數 1 表示自定義要求(電氣特性和物理特性) P 表示涂料類型 油漆漆料 特殊自定義 鐵芯厚度 基本尺寸描述 材質序號 Material designator:材質序號 T: Toroidal cores:環形鐵芯 N:Balun and some non toroidal: ----不平衡與非環形 M:Misceuaneous non-standard: ----非標准的多樣化鐵芯 E:E-Cores: E 型鐵芯 (3) Coating Designations: P-Parylence 油漆膜 Q-Parylence 油漆膜 G-Epoxy 環氧樹脂 H-Epoxy 環氧樹脂 O-No Coating 沒有浸膜
显卡命名规则
显卡命名规则 蓝宝石、华硕、迪兰恒进、丽台、XFX讯景、技嘉、映众、微星、艾尔莎、富士康、捷波、磐正、映泰、耕升、旌宇、影驰、铭瑄、翔升、盈通、祺祥、七彩虹、斯巴达克、索泰、双敏、精英、昂达 英伟达（nvidia）命名规则： 一般的版本有GTX 、GTS 、GT 、GS排序是GTX ＞GTS ＞GT ＞GS GS （入门级）普通版或GT的简化版。 GT （主流级）常见的游戏芯片。比GS高一个档次,因为GT没有缩减管线和顶点单元。 GTS（性能级）介于GT和GTX之间的版本GT的加强版 GTX (GT eXtreme 旗舰级)代表着最强的版本简化后成为成为GT 版本级别: 除了上述标准版本之外，还有些特殊版，特殊版一般会在标准版的型号后面加个后缀，常见的有： GE 也是简化版不过略微强于GS一点点,影驰显卡用来表示"骨灰玩家版"的东东 ZT 在XT基础上再次降频以降低价格。 XT 降频版，而在A Ti中表示最高端。 LE (Lower Edition 低端版) 和XT基本一样，A Ti也用过。 SE 和LE相似基本是GS的简化版最低端的几个型号 MX 平价版，大众类，如著名的MX440 Ultra 在GF8系列之前代表着最高端，但9系列最高端的命名就改为GTX 。 GT2 eXtreme 双GPU显卡。 TI (Titanium 钛)以前的用法一般就是代表了nVidia的高端版本。 Go 用于移动平台。 TC (Turbo Cache)可以占用内存的显卡 GX2（GT eXtreme２）指两块显卡以SLI并组的方式整合为一块显卡，不同于SLI的是只有一个接口。如9800GX2 7950GX2 自G100系列之后，NVIDIA重新命名显卡后缀版本，使产品线更加整齐 GTX高端/性能级显卡GTX295 GTX275 GTX285 GTX280 GTX260 GT代表主流产品线GT120 GT130 GT140 GTS250(9500GT 9600GT 9800GT 9800GTX+ ) G低端入门产品G100 G110 (9300GS 9400GT ) AMD（A TI）的命名规则： A TI显卡是按一定的规则命名的，对于相同核心不同型号的显卡，以不同的命名规则命名，
牌号命名方法
牌号命名方法 彩涂板的牌号由彩涂代号、基板特性代号和基板类型代号三个部分组成，其中基板特性代号和基板类型代号之间用加号“＋”连接。 彩涂代号用“涂”字汉语拼音的第一个字母“T”表示。 基板特性代号 a) 冷成形用钢 电镀基板时由三个部分组成，其中第一部分为字母“D”，代表冷成形用钢板；第二部分为字母“C”，代表轧制条件为冷轧；第三部分为两位数字序号，即01、03和04。 热镀基板时由四个部分组成，其中第一和第二部分与电镀基板相同，第三部分为两位数字序号，即 51、52、53和54；第四部分为字母“D”，代表热镀。 b) 结构钢 由四个部分组成，其中第一部分为字母“S”，代表结构钢；第二部分为3位数字，代表规定的最小屈服强度（单位为MPa），即250、280、300、320、350、550；第三部分为字母“G”，代表热处理；第四部分为字母“D”，代表热镀。 基板类型代号 “Z”代表热镀锌基板、“ZF”代表热镀锌铁合金基板、“AZ”代表热镀铝锌合金基板、“ZA”代表热镀锌铝合金基板，“ZE”代表电镀锌基板。 TDC51D+AZ: T -- 彩涂代号用“涂”字汉语拼音的第一个字母 D--冷成形用钢板 C--轧制条件为冷轧 51--两位数字序号 D--热镀 AZ--热镀铝锌合金基板 冷轧卷 B210P1 : (抗凹陷性冷连轧钢带牌号命名方法) B——宝钢（BAOSTEEL）缩写 210——最小屈服点值 P——强化方式（P：强化；H：烘烤硬化） 1——由1或2表示（1：超低碳；2：低碳） 例：B210P1：深冲压用高强度钢；B250P2：一般加工用含磷高强度钢；B180H1：深冲用烘烤硬化钢SAE1010(美): 等同于国内牌号的10F（平均含碳量为0.1％的沸腾钢）普通含锰量钢组 用途：用4mm以下冷压深冲制品，如深冲器皿、炮弹弹体。也可制造锅炉管、油桶顶盖及钢带、钢丝、焊接件、机械零件。 SAE1008和SPHC比较近SAE1006和SPHD比较近，两者一般不作结构用途热轧产品．SAE1006这东西要比SS300，ST33软，抗冷热脆性也要好，可惜是非抗时效型热轧产品．但现在还是主流．SAE1006＆1008是深冲用冷轧的热轧基板． 美国机动车工程师学会（SAE）和美国材料与试验协会（ASTM） BUSD: （一）冲压用冷连轧钢带牌号命名方法 1、一般冲压用钢：BLC B——宝钢（BAOSTEEL）缩写；L——低碳（Low Carbon）；C——一般用（Commercial） 2、抗时效性低屈服钢：BLD B——宝钢（BAOSTEEL）缩写；L——低碳（Low Carbon）；D——冲压用（Drawing） 3、非时效性极深冲用钢：BUFD （ BUSD ）
现代内存颗粒编码细则
现代(Hynix)内存编号示含义 (2010-01-21 17:04:43) 转载▼ 标签： 分类：电脑知识 电脑 ddr400 hynix ddr内存 it HY5DU56822AT-H 现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。 B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二
所示D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR 内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K 刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit 第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank 第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18 第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位置越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，“A”表示第二版，依次类推，到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好 第9部分代表的是功耗，如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了“L”字母，则代表该内存颗粒为低功耗 第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP 封装，“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装 第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表
杜邦塑料原料命名规则(实操分享)
杜邦化工在中国销售的塑料原料品牌很多，各个品牌的命名也不尽相同，以下是我补全网上的一些牌号介绍的不足，整理的一份杜邦塑料原料齐全的杜邦塑料原料产品型号命名规则资料，关注我可了解的更多塑料动态。 各种产品等级 Crastin.PBT ?. SK = 玻纤增强的树脂 ?. S=未增强树脂 ?. LW = 低翘曲树脂 ?. T=增韧树脂 ?. ST = 超韧级别 ?. HR= 抗水解改良 词尾 ?. HF=高流动 ?. FR=UL-94 V-0 树脂 Delrin. POM 多数Delrin. 产品被编码以3 个或4 个数字以第一数字(如果3 数字共计) 或第一2 个数字(如果4 个数字共计) 近似地代表融解流速的. (使用ISO1133标准, 与2 .16 KG装载, g/10min) 。因而, 100系列是黏度最高的系列(或最低的融指), 300, 500, 900,以此类推流动性越来越高。 多数等级被编码正如每以下例子: Delrin. 500P NC010 Delrin. - 产品系列和注册商标 500 -产品编码 P - 词尾 NC010 .-颜色代码 编码.-特例 X00 系列.-经常是“classic”均聚物一般用途等级 X00P 系列.-基于一个改良的热量稳定系统; 这些通用级别的均聚牌号有在更大的范围内更好的稳定性。
X11P 系列.-同P一样经热稳定改良，在通用均聚物和改良级别中提高了结晶成型周期, 降低模具收缩, 减少翘曲和的空隙, 并且增强注塑制件的尺寸稳定。 X60 系列.-共聚物一般用途等级 X07 系列.-紫外稳定等级。 X27UV 系列.-是热稳定和紫外稳定等级。 X50 系列.-挤出等级 编码.-前缀 DE .-发展或商业代码, 随机号 编码.-后缀含义 AL .-添加先进的润滑剂 KM.- Kevlar? 改良 ST .-超韧 P .-热稳定改良 T .-增韧 MT .-半增韧 UL.-紫外稳定 AS.-抗静电/加硬 AT.-抗静电/增韧 ATB .- 抗静电/增韧, 选择级 CM .-X42CM 2次加工成型 AF .-PTFE及Teflon.填充 CL .-添加化学润滑剂 LM .-可做激光标志 TL .-添加PTFE 润滑剂 GR .-玻纤增强 MF .-矿物填充 E .-低放射性 DP .-尺寸稳定和高产量级 Delrin的颜色代码 NC010 .-自然色为通用等级 NC000 .-自然色为GR 或MF 等级 BK602, 402 .-标准黑代码 BK601, 401 .-黑色防UV级别 BK000 .-黑色代码某些被填充的级别 BKL001 .-可做激光标志的颜色代码(在这种情况下为黑色)
各种品牌存储IC简单命名介绍
各种品牌存储IC简单命名介绍 存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。 有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。 美光（Micron） 图1 美光芯片颗粒 美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍： MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 8M8——内存颗粒容量为8M。 A2——内存内核版本号。 TG——封装方式，TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。 亿恒（In fineon）