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SG3525中文资料+引脚图+应用电路图

SG3525中文资料+引脚图+应用电路图
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SG3525中文资料引脚图应用电路图

随着电能变换技术的发展,功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用。为此,美国硅通用半导体公司推出了SG3525,以用于驱动N沟道功率MOSFET。SG3525是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片,它简单可靠及使用方便灵活,输出驱动为推拉输出形式,增加了驱动能力;内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM 锁存器,有过流保护功能,频率可调,同时能限制最大占空比。其性能特点如下:

1)工作电压范围宽:8~35V。

2)内置5.1 V±1.0%的基准电压源。

3)芯片内振荡器工作频率宽100Hz~400 kHz。

4)具有振荡器外部同步功能。

5)死区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需要,末级采用推拉式工作电路,使开关

速度更陕,末级输出或吸入电流最大值可达400mA。

6)内设欠压锁定电路。当输入电压小于8V时芯片内部锁定,停止工作(基准源及必要电路

除外),使消耗电流降至小于2mA。

7)有软启动电路。比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚8,可外接软启动电容。该电容器内部的基准电压Uref由恒流源供电,达到2.5V的时间为t=(2.5V/50μA)C,

占空比由小到大(50%)变化。

8)内置PWM(脉宽调制)。锁存器将比较器送来的所有的跳动和振荡信号消除。只有在下一

个时钟周期才能重新置位,系统的可靠性高。

l 脉宽调制器SG3525简介

1.1 结构框图

SG3525是定频PWM电路,采用原理16引脚标准DIP封装。其各引脚功能如图1所示,

内部原理框图如图2所示。

1.2 引脚功能说明

直流电源Vs从脚15接入后分两路,一路加到或非门;另一路送到基准电压稳压器的输入端,产生稳定的元器件作为电源。振荡器脚5须外接电容CT,脚6须外接电阻RT。振荡

器频率厂由外接电阻RT和电容CT决定,振荡器的输出分为两路,一路以时钟脉冲形式送至双稳态触发器及两个或非门;另一路以锯齿波形式送至比较器的同相输入端,比较器的反向输入端接误差放大器的输出,误差放大器的输出与锯齿波电压在比较器中进行比较,输出一个随误差放大器输出电压高低而改变宽度的方波脉冲,再将此方波脉冲送到或非门的一个输入端。或非门的另两个输入端分别为双稳态触发器和振荡器锯齿波。双稳态触发器的两个输出互补,交替输出高低电平,将PwM脉冲送至三极管VT1及V T2的基极,锯齿波的作用是加入死区时间,保证VT1及VT2不同时导通。最后,VTl及V

T2分别输出相位相差为180°的PWM波。

2 系统结构设计

本电源输入电压是由带隔离变压器的+30V电源提供,图3是选用SG3525设计的DC—DC直流变换器原理图。性能指标是:输入电压为DC24~35V可调,输入额定电压为30 V,输出为5V/lA。本系统由SG3525产生两路反向方波来控制MOSFET的导通与关闭,MOSFET驱动采用推挽方式,本设计在变压器的中心抽头加入30V直流电压,输出部分采用全波整流,在输出点上有分压电阻给TL431提供参考电压,并通过光电隔离反馈到SG3 525,以调节控制输出方波占空比来稳定输出电压。由于本设计采用推挽式功率变换电路,在输入回路中仅有一个开关的通态压降,而半桥和全桥电路有2个,因此在同样的条件下,产生的通态损耗较小,这种拓扑特别适合输入电压较低的场合,这也是本设计为什么采用推挽变换器的原因。其中的变压器可同时实现直流隔离和电压变换的功能,磁性元件数目较少,

成本较低。

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