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技 术 报 告 - 北京大学微处理器研究开发中心

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技 术 报 告 CMOS VLSI静态功耗优化技术研究

赵晓莺

2006年6月

目 录 

1概述 (1)

1.1分析所有输入向量 (1)

1.2对输入向量集合采样 (2)

1.3利用遗传算法求解MLV (2)

1.4构造泄漏电流计算网络 (2)

1.5利用整数线性规划求解MLV (4)

2基于电路状态差异度的静态功耗优化方法 (7)

3利用随机采样求解MLV (11)

3.1求解CSD (11)

3.2泄漏电流的计算 (11)

3.3实验方法与数据分析 (11)

3.3.1实验环境 (11)

3.3.2实验流程 (13)

3.3.3实验数据与分析 (14)

3.4结论 (14)

4利用遗传算法实现CMOS VLSI组合电路静态功耗优化 (16)

4.1遗传算法 (16)

4.1.1遗传编码 (16)

4.1.2遗传操作 (17)

4.1.3适应度函数 (17)

4.1.4GA停止条件 (18)

4.2实验与分析 (18)

4.2.1实验环境 (18)

4.2.2实验流程 (18)

4.2.3实验数据与分析 (19)

4.2.3.1静态功耗优化效果 (19)

4.2.3.2GA控制参数选择对静态功耗优化效果的影响 (20)

4.2.4结论 (21)

参考文献 (22)

2

1

CMOS VLSI静态功耗优化技术研究 

 

本技术报告主要介绍了基于电路状态差异度的CMOS VLSI 静态功耗优化技术。为了实现基于电路状态差异度的CMOS VLSI 静态功耗优化,我们分别使用了基于随机采样的方法和基于遗传算法的方法。本文将分别介绍利用两种方法求解CMOS 组合电路具有最小泄漏电流的输入向量(Minimum Leakage Vector :MLV )的方法。

1 概述

静态功耗随着集成电路的发展逐渐成为电路总功耗中的重要组成部分,并随着器件特征尺寸的减小不断增长。如何针对静态功耗进行有效的控制和优化在工业界和学术界都获得了广泛的研究[1][2][3]。

通过输入向量控制技术(Input Vector Control ,简称IVC )利用晶体管堆叠效应能够有效地对CMOS 电路的静态功耗进行控制。IVC 技术将一个事先确定的输入状态作为电路在空闲状态时的输入,实现对静态功耗的优化[4,5]。与其他静态功耗优化技术(如采用双阈值电压CMOS 技术[6]、多阈值电压CMOS 技术[7,8]、动态阈值电压CMOS 技术[9]、可变阈值电压技术[10]、衬底偏置技术[11]、SOI 技术[12]等)相比,应用IVC 技术能够取得理想静态功耗优化效果,对电路结构的改变很小,对性能的影响比较小,并且可以和其它的静态功耗优化手段同时使用[13]。

采用IVC 技术优化静态功耗的核心问题是求解使电路静态功耗最小的输入向量(MLV )。对输入端数目为

N 的电路来说,其输入向量空间中包含2N

个输入向量,为了求解MLV ,需要在输入向量空间中进行搜索。目前已有的求解MLV 的方法包括:(1)利用启发式算法求解MLV ,如基于随机采样的方法[14]和遗传算法[15];(2)将求解MLV 的问题转化为可以精确求解的问题,进而求解MLV[16,17,18,19]。

下面简要介绍几种典型的MLV 求解方法。

1.1 分析所有输入向量

将亚阈值电流表示为基本单元G 的类型、输入状态和输入端的个数的函数,即:

lg (,,)

leakage type in num al ateG

I Table G G I =

公式 1

其中,G type ,G in 和I num 分别表示基本单元G 的类型、输入状态和输入端的个数。 求解MLV 的基本过程为:

1. 通过晶体管级模拟得到基本单元的泄漏电流,并利用look -up table 表示。

2. 对电路进行一次模拟,得到输入端、输出端和所有内部节点的状态,然后借助基本单元泄漏电流的look

-up table 求解全电路的泄漏电流。

3. 比较所有输入向量的泄漏电流,求解MLV 。

由于基本单元泄漏电流的look -up table 是通过晶体管级电路模拟(Spice )得到的,因此其准确程度可以和电路级模拟相比拟,但是其分析对象是门级的设计,因此分析速度快,资源占用小。但是通过遍历所有的输入向量组合的方法求解MLV ,当电路的输入向量数目很多的时候,需要分析的输入向量集合会非常大,分析效率不高。

1.2 对输入向量集合采样

在实际的设计过程中,因为优化代价的问题,很多时候并没有必要找到那个使泄漏电流最小时对应的输入向量。只要选择一个输入向量,能够显著的减小泄漏电流,并且这种选择方法简单有效就可以了。

通过对输入向量集合进行采样能够有效地缩小搜索空间。

通过对输入向量集合采样求解MLV的过程为:

1.将任意选定的一组输入向量加载到电路的输入端。

2.并对每一个输入状态所对应的泄漏电流进行监视。

3.泄漏电流最小的输入向量被选择作为MLV。

实验数据表明,通过对较少数量的、任意选择的测试向量所对应的泄漏电流进行分析,就可以得到足够接近最小泄漏电流值的输入状态。很显然,采用这个方法的时候,采样的输入向量的个数决定了最终结果的品质。因此,需要分析输入向量的统计特性。

在所有可能的输入向量集合中任意选择一个测试向量,假设所有的测试向量被选中的概率相等。如果v是一个输入向量,X(v)用来表示当输入向量为v时的泄漏电流。随机挑选n个输入向量,每次选择都是独立的,而每一次选择对应的泄漏电流被视为一次采样。令Xi=X(vi),i=1.2….n,并且其概率分布函数为f(x)。由于所有向量的选择都是独立的,因此{X1,X2…Xn} 是一组随机采样。

定义一个新的参数Y=min(X1,X2…Xn),Y就是n个任意选择的输入向量对应的泄漏电流中的最小值。假设可以对足够大的n进行分析,可以得到

Ρ≤≤公式2

X yε

{}

通过对置信度的分析,可以确定需要采样的输入向量个数。试验数据表明,利用100000个随机选择的输入向量求解的MLV就能够得到比较好的静态功耗优化效果。

1.3 利用遗传算法求解MLV

利用遗传算法,选择单个输入向量作为个体,采用电路总泄漏电流作为适应度函数,对组合电路求解其MLV。

遗传算法的伪代码如下:

Minimum Leakage Power () {

GENERATION = 1; MAX_GEN = 50;

POPULATION_SIZE = 100;

Chromosome_length = the number of primary inputs

Initialize a population of chromosomes

do {

Evaluate each chromosome in the population

Sort chromosome by non-decreasing fitness

Apply linear normalization fitness technique

Roulette wheel selection to select parent chromosomes

Crossover & mutation to create children chromosomes

Produce a new generation with children chromosomes

} While (++GENERATIONS< MAX_GEN)

}

利用遗传算法求解MLV,能够取得很好的静态功耗优化效果,同时计算速度也很快。

1.4 构造泄漏电流计算网络

假设电路会产生一个sleep信号使一部分功能电路进入待机状态,这个信号可以用来对输入向量进行选择。

2

3

参考基于模拟的动态功耗估算方法,通过构造泄漏电流计算网络可以对静态功耗进行周期精确的估算。 以一个2输入与非门为例,其泄漏电流可以表示为:

1000100110101011

()j j j j j j j j Leakage Xj X X L X X L X X L X X L =+++ 公式 3

其它单元的泄漏电流表示方法类似。

所有基本单元在不同输入状态下的泄漏电流都已经事先计算出来,为了便于计算,将所有单元的泄漏电流都乘以一个倍数,使其都成为整数。

根据公式3,多个同一类型单元的泄漏电流可以表示为:

10001001101010111000100110101011101000101001101010101011

()()()()()()()()i j i i i i i i i i j j j j j j j j i i j j i i j j i i j j i i j j Leakage X Leakage X X L X L X X L X X L X X L X X L X X L X X X X L X X X X L X X X X L X X X X L +=

+++++++=+++++++

公式 4

多个同一类型单元的泄漏电流计算网络如图 1和图

2。

图 1 使用2-4

译码器表示2输入单元的输入状态组合 

图 2 同一种类型单元泄漏电流的计算网络 

利用泄漏电流计算网络,能够在进行门级模拟的过程中精确计算出电路的在每一个时钟周期的泄漏电流。

通过泄漏电流比较网络进行比较并选择

MLV 。

图 3 泄漏电流比较网络 

4

我们将图 3所示的比较用一组布尔表达式来表述。

以一个两输入的单元为例,n =2,LT 1=[a 1 a 0],LT 2=[b 1 b 0],则L total =[s 2 s 1 s 0],其中s 0=XOR (a 0,b 0),可以用下面四个布尔表达式来描述这几个参数之间的布尔关系:

1000200030004000clause a b s clause a s clause b s clause =++=++=++=++ 

通过将求解MLV 的问题转化为SAT 问题,求解的过程为: 1. 求出泄漏电流的上限和下限,LB 和UB 2. C =UB ,mlv ={}

3. 写出泄漏电流满足的布尔表达式,及条件表达式total_leakage<=C

4. 求解SAT 问题

5. 如果问题无解,停止;C +1就是最小的泄漏电流,mlv 为优化的输入向量

6. mlv =SAT 求解的输入向量

7. C =C -1

8. 如果C

采用这种方法来求解优化的输入向量时,从LB 出发,通过不断的循环逐渐向UB 逼近,求解最小的泄漏电流及其对应的输入向量。

1.5 利用整数线性规划求解MLV

为了简化对泄漏电流的分析,使用简化的亚阈值电流表达方式,称为close form leakage power model 。 以一个三输入NAND 单元为例,图 4解释了不同输入状态下,其亚阈值电流的组成。

图 4 3输入NAND单元的亚阈值电流 

假设单元中所有的NMOS 和所有的PMOS 都是完全相同的,那么状态{001}{010}{110}的亚阈值电流相同,

因为在这三种状态下,三个串联的NMOS 中的一个导通,另外两个截止,亚阈值电流将流过两个串联的NMOS 。同样,状态{011}{101}{110}的亚阈值电流也相同,三个串联的NMOS 中的两个导通,一个截止,亚阈值电流仅流过一个NMOS 。

5

不同的输入状态下,利用close form leakage power model ,三输入NAND 单元的亚阈值电流可以表示为: 1. {111}状态

{111}状态下,三个串联的NMOS 都处于开启状态,可以被认为是短路状态,对应的亚阈值电流可以被认为是三个PMOS 的亚阈值电流之和。

利用close form leakage power model ,Vds =Vdd ,Vs =0。则

()//{111}33(1)

th dd dd leakage dd sub q V V nkT

qV kT

dd E V I V Ae

e

η?+?=??=??? 其中,2 1.8

0(/)(/)ox eff A C W L kT q e

μ=。

2. {000}状态

{000}状态下,三个并联的PMOS 都处于开启状态,可以被认为是短路状态,对应的亚阈值电流可以被认为是流经三个串联NMOS 的亚阈值电流。

Vs =2Vds ,Vds =Vdd -Vs =Vdd -2Vds -> Vdd =3Vds 。则

/(2(2)(2))/(2)/(/(12))ln(1){000}(1)

dd ds th ds dd ds dd ds q V nkT ds leakage dd sub

q V V V V V nkT q V V kT dd V nkT q e E V I V Ae e ηγηηγ???+???=++?+=?=??

3. {001,010,100}状态

{001,010,100}状态下,三个串联的NMOS 中有一个处于开启状态,可以被认为是短路状态,对应的亚阈值电流可以被认为是流经另外两个串联NMOS 的亚阈值电流。

Vs =Vds ,Vds =Vdd -Vds -> Vdd=2Vds 。则

/(())/()/(/(12))ln(1){001,010,100}(1)

dd ds th ds dd ds dd ds q V nkT ds leakage dd sub

q V V V V V nkT q V V kT dd V nkT q e E V I V Ae e ηγηηγ???+???=++?+=?=??

4. {011,101,110}状态

{011,101,110}状态下,三个串联的NMOS 中有两个处于开启状态,可以被认为是短路状态,对应的亚阈值电流可以被认为是流经一个NMOS 的亚阈值电流。

Vs =0,Vds =Vdd ,则

()//{011,101,110}(1)

th dd dd leakage dd sub q V V nkT

qV kT

dd E V I V Ae

e

η?+?=?=??

在利用close form leakage power model 计算出不同输入状态下基本单元的泄漏电流之后,利用简单的整数线性规划(ILP )模型来求解一个基本单元的所有输入状态中,哪一个状态对应着最小的泄漏电流。

假设整数x i ∈{0,1},ILP 模型表示为: x i : state i ; E: Leakage Power; e i : Leakage power of state i. Objective function: min E;

(1) state constraint: 1i i

x ≡∑

;

(2) power constraint: 1#,i i i of

states e x E ?≤≤≤;

6

(3) Integer constraint: 1#,int i i of

states x ?≤≤;

以三输入NAND 单元为例,利用ILP 模型求解其泄漏电流最小的输入状态的过程如下: 1. 利用close form leakage power model 计算不同输入状态的泄漏电流。

State Variables in ILP Leakage Power {000} x1 4.01e-11 {001,010,100} x2 1.82e-09 {011,101,110} x3 5,99e-09

{111} x4 6,71e-09

2. 建立ILP 表达式,并求解泄漏电流最小的输入状态。

? ILP formulations Min: E

S: x1+x2+x3+x4=1;

States{000}: 4.010e-11x1<=E;

States{001/010/100}: 1.816e-9x2<=E; States{011/101/110}: 5.994e-9x3<=E; States{111}: 6.709e09x4<=E; Int x1,x2,x3,x4;

? Results of LP solver

x1=1. // That means state {000} is the best state.

对其他的基本单元,利用上述方法求得的泄漏电流最小的输入状态分别为:

Gates Best state Min. Leakage Power (Joules) NAND {000} 4.010e-11 NOR {111} 1.496e-11 AND {000} 4.010e-11 OR {111} 1.496e-11 Inverter {1} 2.236e-9

在此基础上,利用猜测算法求解电路的MLV 。

对输入端数目很少的标准单元来说,在已经通过Spice 模拟得到了不同输入向量所对应的泄漏电流的前提下,可以不必利用ILP 求解该类型标准单元的泄漏电流最小的输入向量。

7

2 基于电路状态差异度的静态功耗优化方法

对复杂的设计来说,基于标准单元的设计方法能够利用EDA 工具解决对人力来说几乎不可能解决的计算和优化,从而保证设计周期合理、可控。当一个设计被表示为标准单元构成的门级网表时,其电路结构由组成电路的标准单元的类型及其相互连接关系决定。在基于标准单元的设计流程中,标准单元是电路中最小的功能单元,电路的时序、功耗、面积等特性都直接取决于电路中所使用的标准单元类型及其参数。

对N 输入的电路来说,一共有2N 种不同的输入状态,每一种输入状态下,电路中所有标准单元的输入状态不完全相同,其对应的静态功耗也会存在差异。为了通过对输入向量的控制实现对电路泄漏电流的优化,最重要的是求解MLV 。确定所有的输入向量中哪一组输入向量对应的泄漏电流最小必须遍历所有输入向量,这是一个NP 完全问题。

以一个简单的2-NAND 单元为例,其内部结构如图 5所示,

图 5 2-NAND结构图 

在不同的输入状态下,其泄漏电流与输入状态的对应关系见表 1。

其中:A

n S I ,1、B n S I ,1分别表示A 、B 作为输入端时,独立NMOS 的泄漏电流,

AB n

S I ,2表示A 、B 均为低电平,

两个串联的NMOS 均截至,输出为高电平时的泄漏电流。

表 1 2-NAND 输入状态和泄漏电流的对应关系

输入状态

00 01 10 11 泄漏电流

AB n

S I ,2

A n

S I ,1

B n

S I ,1

A n

S I ,1+

B n

S I ,1

 

从电路结构的角度来分析,不同输入状态下泄漏电流的差异主要是由于在不同输入向量的驱动下,电路内部NMOS 和PMOS 的“ON ”和“OFF ”状态不同,形成了不同的泄漏电流导电路径。如果在导电通路中存在串联结构的晶体管,由于晶体管堆叠效应的作用,泄漏电流的大小将有显著差别。用LEAKAGE 来表示电路的泄漏电流,则

()

i i

LEAKAGE C v =∑ 公式 5

其中,C i (v )表示标准单元C i 在输入状态为v 时对应的泄漏电流。

在求解MLV 的过程中,如果利用泄漏电流作为静态功耗的度量,无疑是直接并且有效的,以往的静态功耗优化研究面对的优化对象基本都是泄漏电流。采用泄漏电流作为静态功耗的度量,在求解MLV 的过程中,需要进行多次的Spice 模拟从而选择那个泄漏电流最小时的输入状态,由于Spice 模拟速度和容量的限制,将影

8

响分析的效率。

在基于标准单元的分析流程中,我们希望找到一种适当的泄漏电流度量方法,不仅能够得到和采用泄漏电流作为度量方法时同样的分析结果,而且能够简化分析流程,提高分析效率。

本节介绍了电路状态差异度(Circuit Status Difference ,简称CSD )的概念。为了方便理解,定义了下列概念。

1. 标准单元的输入状态:c i 为电路C 中n 输入的标准单元,其输入状态s 为一个位数为n 的数,每一位

分别为“0”或“1”,分别代表相应位的输入状态。c i 所有可能的输入状态的集合表示为S i 。

2. 标准单元的理想状态(sideal(i)):n 输入的标准单元ci 所有的输入状态中,具有最小的静态功耗的输

入状态为c i 的理想状态。

以一个TSMC 0.18微米标准工艺库中的NAND2X1单元为例,其不同输入状态下的泄漏电流见表 2。

表 2 NAND2X1单元的输入状态与泄漏电流 

输入状态

泄漏电流(A ) 00 4.5833E-16 01 1.6880E-9 10 1.7708E-9 11 3.1965E-8

3. 电路的理想状态(S ideal ):当电路C 中所有的标准单元均处于理想状态时,电路C 处于其理想状态。

此时电路的总静态功耗最小,但是对实际的电路而言,由于电路中各标准单元处于理想状态时的输入、输出之间存在逻辑冲突,因此电路的理想状态往往并不存在。

4. 电路的状态(S(v i )):当电路的输入向量为v i ∈V 时,电路的状态表示为一个两行的数组,第一行为电

路中的标准单元c i ,第二行为该标准单元在电路的输入向量为v i 时的输入状态,即 {,,}i i i i S c s for all c C =<>∈

公式 6

5. 电路状态差异度(CSD ):当电路的输入向量为v i ∈V 时,CSD 表示为电路中所有标准单元输入状态

与其理想状态的加权汉明距离之和。即 ()()(,)

i i i ideal c C

CSD v weight c HD s s ∈=?∑ 公式 7

其中,HD(s,s ideal )为标准单元c i 在电路输入向量为v i 时的状态与其理想状态之间的汉明距离。

汉明距离常用来表示两组码字的相似程度。汉明距离越小,两组码字越相似。本文利用标准单元c i 的实际状态与其理想状态之间的汉明距离来表述其实际的静态功耗与理想状态下泄漏电流之间的差异。

图 6中给出了TSMC 0.18微米标准工艺库中几种标准单元不同状态与理想状态汉明距离和对应的泄漏电流与理想状态下泄漏电流的差异。横坐标为标准单元不同状态与其理想状态之间的汉明距离,纵坐标为对应的泄漏电流之差。

9

图 6 标准单元状态与理想状态的汉明距离及其对应的泄漏电流差异 

对选定的标准单元,该标准单元的状态与其理想状态之间的汉明距离越小,该状态下的泄漏电流与其理想

状态下泄漏电流之间的差异越小。反之亦然。

由于不同类型的标准单元构成的复杂程度不同,只考虑亚阈值电流对静态功耗的贡献时,一个标准单元的亚阈值电流的大小取决于构成该标准单元的晶体管的数目及其连接情况。图 7给出了TSMC 0.18微米标准工艺库中几种标准单元的晶体管数目与对应的泄漏电流之间的关系。泄漏电流的数值来源于工艺库中的数据。

根据图 7的数据,标准单元的泄漏电流大小与构成它的晶体管数目之间存在比例关系。我们将构成标准单元c i 的晶体管数目作为该标准单元实际状态与理想状态之间汉明距离的权重()i weight c ,能够使CSD 更加准确的表示不同电路状态与电路理想状态之间泄漏电流的差异。

图 7 标准单元晶体管数目与泄漏电流 

以ISCAS85 C17为例,我们分别计算了C17所有输入向量对应的CSD 及对应的泄漏电流,见图 8。

图 8 ISCAS85 C17所有输入向量对应的CSD和泄漏电流 

图8中横坐标为C17的输入向量,纵坐标分别为电路的总泄漏电流和CSD。

从图8的数据可以看到,对大多数输入向量来说,CSD和电路的总泄漏电流之间存在比例关系,仅有极少数输入向量例外。同时,利用CSD做为静态功耗的度量能够得到和使用泄漏电流做为静态功耗的度量同样的MLV求解结果。

10

3利用随机采样求解MLV

利用CSD作为静态功耗的度量能够有效的在求解MLV的过程中避免进行晶体管级电路模拟,从而提高分析效率。同时,分析结果的准确程度并不会受到很大的影响。

本节将利用对输入向量空间随机采样的方法,针对ISCAS85基准电路,使用CSD作为静态功耗的度量,求解其MLV。

同时,为了证明使用CSD作为静态功耗度量的有效性,我们还同时使用泄漏电流作为静态功耗的度量,通过随机采样的途径求解了最小的泄漏电流,以便进行比较。

3.1 求解CSD

根据2中的概念,针对一个选定的输入向量,为了求解其CSD我们需要确定如下参数:

?电路中使用的标准单元类型及数量;

?面向目标工艺库,确定类型标准单元的理想状态;

?电路在选定输入向量驱动下,每一个标准单元的输入状态。

针对一个给定的设计,当我们将其映射到目标工艺库中,通过逻辑综合产生门级网表之后,该设计中所使用到的标准单元的类型和数量就都已经确定了。

同时,给定了目标工艺库,其中各种类型标准单元的结构也是确定的。利用目标工艺库中所提供的Spice 网表,我们可以很快分析得到每一个不同类型标准单元的理想状态。

在门级模拟过程中,我们利用VPI实现了对每一个时钟周期内电路中所有标准单元输入状态的监控。在每一个时钟周期内,对设计中的每一个标准单元,先确定标准单元的类型,再确定其输入状态,参照事先定义好的该标准单元的理想状态,计算实际输入状态与理想状态之间的汉明距离。

3.2 泄漏电流的计算

计算泄漏电流的目的在于评价利用CSD作为静态功耗的度量得到的优化效果。

为了精确求解每一个输入向量对应的泄漏电流,我们针对目标工艺库对选定类型的标准单元进行了HSpice 模拟,得到了不同输入状态下的泄漏电流,建立了查找表。

在门级模拟的过程中,利用标准单元输入状态信息,通过查找表对电路中所有标准单元的泄漏电流求和即可。

3.3 实验方法与数据分析

3.3.1实验环境

求解MLV的实验流程如图9。

求解MLV的过程在对目标电路进行门级模拟的时候进行,状态监测和CSD的计算以及求解MLV的过程分别利用VPI实现,并在门级模拟的过程中运行。

11

试验环境中的目录结构如下:

?在Design目录中包含了ISCAS85基准电路的verilog门级网表。

?在LIB目录中包含了TSMC 0.18微米标准工艺库中标准单元的.v模型。

?在SIMTOP目录中包含了ISCAS85基准电路的模拟顶层网表,其中包含了输入产生和调用状态监测、CSD 计算、求解MLV的用户自定义函数。

?在VPI目录中是用户自定义函数的C语言描述,其中count.c文件用来统计电路中不同类型标准单元的数量,test.c文件用来实现状态监测、CSD计算、求解MLV的功能,test.tab为头文件。

?在Scripts目录中包含了对C函数的编译脚本和门级模拟的编译及运行脚本。

?实验结果被保存在Result目录中。

12

图 9 利用随机采样求解MLV的实验环境 

3.3.2实验流程

采用ISCAS85基准电路作为实验对象。

随机产生的10000个输入向量作为激励。

选择TSMC 0.18微米标准工艺库作为目标工艺库。为了简化实验,我们仅选用了2输入到4输入的NAND、

NOR单元和INVX1单元对实验电路进行了逻辑综合。这种简化并不会影响本节所述方法的通用性。

13

实验步骤如下:

1.编译利用VPI实现的用户自定义函数(以C17为例)

source scripts/c test

source scripts/c count

ar cr c17.a test.o count.o

2.编译并进行门级模拟

source scripts/compile_c17c17 > result/c17_random_sample.result

其中,斜体表示的参数需要一一对应。

3.3.3实验数据与分析

分别利用CSD和泄漏电流作为静态功耗的度量,通过随机采样10000个输入向量,求解ISCAS85电路最小的泄漏电流,其实验结果如表3。

表 3 ISCAS85基准电路分析结果 

minimum leakage current (A) Power saving

(%)

circuit

gate

count

CSD HSpice

Original

leakage ( A)

CSD HSpice

CPU time

(s)

C17 7 4.521E-9 4.521E-9 9.880E-9 54.241 54.241 1.860

C1355 486 4.098E-7 4.081E-7 8.080E-7 49.282 49.493 91.510

C1908 340 2.918E-7 2.812E-7 5.466E-7 46.615 48.555 62.690

C2670 570 5.332E-7 5.269E-7 1.065E-6 49.934 50.526 109.290

C3540 700 6.357E-7 6.357E-7 1.265E-6 49.747 49.747 142.230

C432 147 1.829E-7 1.566E-7 3.455E-7 47.062 54.674 27.890

C499 482 3.847E-7 3.729E-7 6.966E-7 44.775 46.469 92.090

C5315 1439 1.206E-6 1.206E-6 2.437E-6 50.513 50.513 281.230

C6288 2343 1.841E-6 1.841E-6 3.727E-6 50.604 50.604 492.110

C7552 1818 1.501E-6 1.499E-6 2.808E-6 46.546 46.616 345.710

C880 321 3.230E-7 3.143E-7 6.796E-7 52.472 53.752 62.410

average leakage power saving (%) 49.254 50.472 通过表3的数据,我们可以发现,利用CSD作为静态功耗的度量是能够取得与使用泄漏电流作为静态功耗的度量时同样的优化效果。但是从运行时间上来看,使用CSD作为静态功耗的度量,由于避免了HSpice的模拟过程,因此分析速度非常快。对ISCAS85基准电路,分析时间在几分钟之内。而对一个标准单元进行一次HSpice模拟以便得到其在某种输入状态下的泄漏电流往往就需要几分钟的时间。因此,采用CSD作为静态功耗的度量大大提高了利用随机采样的方法求解MLV的效率。

同时,利用CSD作为静态功耗的度量摆脱了求解MLV的过程对目标工艺库的依赖。通过对TSMC0.25微米、0.18微米和0.13微米标准工艺库中同一类型标准单元结构的比较,我们发现,对实现同样功能的逻辑单元来说,在不同的工艺下,其单元结构并没有显著变化,因此,其理想状态也不会发生变化。对不同工艺下,同一类型标准单元的HSpice模拟结果也证明了这一点。因此,我们所使用的MLV分析环境可以在不同的目标工艺库下使用,只需要少量的修改即可。这个特点更适用于基于标准单元的设计流程。

3.4 结论

1.采用电路状态差异度作为静态功耗的度量是有效的,用电路状态差异度来取代泄漏电流作为静态功耗

14

的度量,在求解MLV的过程中,能够得到比较好的优化效果。

2.采用电路状态差异度作为静态功耗的度量,能够在选取MLV的过程中,避免对Spice模拟的需求,简

化了分析流程,提高了分析效率。

3.对基于标准单元的设计流程来说,采用电路状态差异度作为静态功耗的度量,对流程的影响较小。

4.当标准单元的目标工艺库发生变化时,通过对标准单元结构的分析,可以不必对求解MLV的门级模

拟环境进行更改,快速求解MLV。

5.对MLV的分析通过门级模拟完成,分析速度快。

6.对工艺没有特殊要求。

15

4利用遗传算法实现CMOS VLSI组合电路静态功耗优化

4.1 遗传算法

在本节中,我们将介绍利用GA求解MLV的方法,我们利用CSD作为适应度函数,通过对输入向量空间的搜索,选择使电路状态最接近理想状态的输入向量作为MLV。

GA抽象于生物体的进化过程,通过全面模拟自然选择和遗传机制,形成一种具有“生成+检验”特征的搜索算法。GA以编码空间代替问题的参数空间,以适应度函数做为评价依据,以编码群体为进化基础,以对群体中个体位串的遗传操作实现选择和遗传机制,建立起一个迭代过程。在这一过程中,通过随机重组编码位串中重要的基因,时新一代位串集合优于老一代的位串集合,群体的个体不断进化,逐渐接近最优解,最终达到求解问题的目的。GA做为一种有效的全局搜索方法,从产生至今不断扩展其应用领域,比如工业设计、制造业、人工智能等[19]。

GA的流程如下:

迭代开始(iteration):t=0

初始化(initialize):P(0)={a1(0),a2(0),…,a n(0)}

适应性评价(evaluate):P(0)={f(a1(0)), f(a2(0)),…,f(a n(0))}

while(循环)T(P(t))≠true do

选择(select):

P'(t)=s(P(t),p)

s

交叉(corssover):

P''(t)=c(P'(t),p)

c

变异(mutation):

P'''(t)=m(P''(t),p)

m

新一代群体:P(t+1)=P'''(t), t=t+1

适应性评价(evaluate):P(t+1)={f(a1(t+1)), f(a2(t+1)),…,f(a n(t+1))}

结束(end do)

4.1.1遗传编码

由问题空间向GA空间的映射称作编码。CMOS组合电路的输入向量及其泄漏电流之间存在强烈的依赖关系,且输入向量的顺序对输入向量的泄漏电流没有影响。因此,对输入端数目为N的CMOS组合电路,我们使用长度为N的二进制代码构成单个染色体,即每一个染色体位串对应于电路的一个输入向量。本文中GA的单个染色体和单个群体如图10所示。

电路输入向量

0000

1111

单个染色体:N位电路输入向量单个种群

图 10 遗传编码示例 

16

17

4.1.2 遗传操作

标准GA 的操作算子一般包括选择、交叉和变异三种基本形式,它们是模拟自然选择及遗传过程中发生的繁殖、杂交和突变现象的主要载体。GA 利用遗传算子产生新一代群体来实现群体进化。

选择即从当前群体中选择适应度高的个体以生成交配持的过程。本文使用适应度比例选择的方法,其中每个个体被选择的期望数量与其适应度和群体平均适应度的比例有关,采用轮盘赌方式实现。首先计算每个个体的适应度,然后计算出此适应度在群体适应度总和中所占的比例,表示该个体在选择过程中被选中的概率。选择过程保证优良基因能够遗传给下一代个体。

对于给定的规模为n 的群体P={{a 1,a 2,…,a n },个体a j ∈P 的适应度为f(a j ),其选择概率为:

1

()

()()

j s j i i f a p a f a ==

公式 8

公式(11)决定后代种群中个体的概率分布。经过选择操作生成用于繁殖的交配池,其中父代种群中个体生存的期望数目为:

()()

1,2,...,j s j P a n p a j n

=?= 公式 9

交叉算子的作用在于将原有的优良基因遗传给下一代个体。其过程为: 1)从交配池中随机取出要交配的一对个体;

2)根据位串长度N ,对要交配的一对个体,随机选取[1,L-1]中一个和多个的整数k 做为交叉位置;

3)根据交叉概率p c (0

本文对配对个体进行交叉操作的过程见图 11。

图 11 交叉操作示例 

变异操作模拟自然界生物进化中染色体上某位基因发生的突变现象,从而改变染色体的结构和物理性状。

变异操作按一定的概率p m 对位串上的某些基因位的值进行变异,即1变为0,0变为1。

4.1.3 适应度函数

为了摆脱利用GA 求解MLV 过程对标准单元目标工艺库的依赖,我们选择CSD 做为适应度函数。 利用CSD 做为适应度函数,在评价电路的静态功耗特性时不需要再计算电路在选定输入向量激励下的泄漏电流的具体数值,而只需要监测电路中所有标准单元的类型及其在选定输入向量激励下的状态即可。由于不同类型标准单元的理想输入状态是通过对标准单元结构进行分析得到的,而不同工艺技术下,标准单元的结构变化不大,因此对于同样的设计,映射到不同的目标工艺库时,利用GA 求解的MLV 仍然可以继续使用。在本文中,将亚阈值电流视为CMOS 电路泄漏电流的主要组成部分,对标准单元理想状态的分析也是基于亚阈值电流进行的。如果考虑到栅极漏电的影响,标准单元的理想状态会产生变化,但CSD 的计算过程仍然适用,只需

要更改每一类型标准单元的s ideal参数即可。

4.1.4GA停止条件

当CSD的结果连续10代都不再发生变化时,GA结束,具有最小的CSD的输入向量被选择做为MLV。

4.2 实验与分析

4.2.1实验环境

利用遗传算法求解MLV的实验环境如图12。

图 12 利用遗传算法求解MLV的实验环境 

其中,输入向量生成和CSD评价部分的构成与3.3.1中相同。

实验环境的目录结构也与3.3.1中相同。

只是在VPI目录中增加了ga_test.c文件,这个文件的作用是实现GA操作。

4.2.2实验流程

采用ISCAS85基准电路作为实验对象。

选择TSMC 0.18微米标准工艺库作为目标工艺库。为了简化实验,我们仅选用了2输入到4输入的NAND、NOR单元和INVX1单元对实验电路进行了逻辑综合。这种简化并不会影响本节所述方法的通用性。

实验步骤如下:

3.编译利用VPI实现的用户自定义函数(以C17为例)

source scripts/c test

source scripts/c ga_test

ar cr ga_test.a test.o ga_test.o

4.编译并进行门级模拟

source scripts/compile_pli ga_test c17 > result/c17_ga.result

18

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能局限于对参考书的研读,整个的备考当中考生还需要阅读大量的paper,读哪一些、怎么去读、读完之后应该怎么做,这些也会直接影响到考生的分数。 第二,专题信息汇总整理。每一位考生在复习专业课的最后阶段都应当进行专题总结,专题的来源一方面是度历年真题考点的针对性遴选,另一方面是导师研究课题。最后一方面是专业前沿问题。每一个专题都应当建立详尽的知识体系,做到专题知识点全覆盖。 第三,专业真题及解析。专业课的试题都是论述题,答案的开放性比较强。一般每门专业课都有有三道大题,考试时间各3小时,一般会有十几页答题纸。考生在专业课复习中仅仅有真题是不够的,还需要配合对真题最权威最正统的解析,两相印证才能够把握导师出题的重点、范围以及更加偏重哪一类的答案。 第四,导师的信息。导师的著作、研究方向、研究课题、近期发表的论文及研究成果,另外就是为研究生们上课所用的课件笔记和讨论的话题。这些都有可能成为初复试出题的考察重点。同时这些信息也是我们选择导师的时候的参照依据,当然选择导师是一个综合性的问题,还应当考虑到导师的研究水平、课题能力、对待学生的态度和福利等等。 第五,时事热点话题分析。博士生导师在选择博士的时候会一般都会偏重考查考生运用基础理论知识来解决现实热点问题的能力,这一点在初试和复试中都有体现。近几年的真题中都会有联系实际的热点分析。所以考生在复习备考时就应单多阅读一些本专业本学科的最新研究方向研究成果,权威的期刊上面“大牛们”都在关心、探讨什么话题,以及一些时事热点问题能不能运用本专业的知识来加以解释解决。 五、北京大学考博英语复习指导 北京大学的考博英语满分100分,整体难度介于六级和老托福之间,对词汇量有很高的要求,特别注重对形近字、意近词和固定搭配以及语法的考察。做阅读理解一定要遵守“实事求是”的原则,翻译这一个题型很容易丢分,要想得高分,每一天都要遵循“八步法”练习三个句子。作文对于考生的英语综合能力要求很高,要做到“厚重、灵动和美观”,复习资料建议使用育明教育考博分校编写的《考博英语一本通》。每年有

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北京大学国家发展研究院经济学双学位谈 记得大一刚入学的时候,师兄师姐们是这么对我们说的:“你要想以后继续做化学,要不然就不修双要不然就修数双。你以后要想转行,就去修经双。”现在想起来,这样的说法虽然从某种程度上讲是正确的,是有道理的,但我从现在看来,总有种深深的不安感。最近在审查校外双学位报名同学的资料,很多同学在个人陈述这一栏里都是这么写的,诸如“经济学是当今社会的第一学科”、“我从小就特别热爱经济学”、“我在我们学校修读了 XX 经济学课程, 从此对经济学产生了浓厚的兴趣”云云。我并不是要对这些想法有什么否定,但我只是想要说,大家想要修读经济学双学位,到底只是随大流呢,还是真是如上所述,“对经济学有着浓厚的兴趣”?更有很多学校的主修专业就是经济的、金融的,想要来报考双学位,当然这些人是不具备报名资格条件的,但是,我想表达的东西应该不需要明说吧? 我肯定不是要劝退,只是希望大家在做出选择之前多想清楚。就我个人而言,我承认,我大一时就属于浑浑噩噩地随大流报了经双,一直那么水水地学着,直到大三快结束时决定放弃化学了,才开始对经济学有了点真正的了解。即使是现在,要问我对经济学有兴趣吗,我真心说不清。但是至少,我觉得学习经济学能让我感到自身的知识储备增长率远高于学化学时的感觉。为什么会这样?我认为经济学毕竟是一门社会科学,这个社会所发现的任何现象其实都可能纳入经济学的范畴,因此你需要里了解掌握有关你身边的任何事情,这样你就不能将自己局限于某个狭小的领域。而理科的学习,最终的归宿大多是在某个小领域努力钻研以求突破(当然对于真正的牛人来说学什么都是相通的。我喜欢这种每天都在学习,都能有新收获的感觉。 经双能给你提供的,就是这么样一种视角。虽然考虑到这样一个项目在全校的覆盖范围如此之广,因此不可能全部设置那种阳春白雪式的课程,但即使是那些并不需要太深的知识储备就能够理解的课程,也会在一个学期的学习中给你提供一个全新的思考方式,诸如我上过的法律经济学、“人文与社会”跨学科讲座,以及旁听过的大国国家发展战略,都是这么样的一些课程。当然还有一些理论性非常强,非常具有挑战性的课程,如每学期考试下来都会哀鸿遍野的计量经济学,以及我旁听过半个学期最后因为只是上课干听课下没有花时间研究而跟不上的金融计量,都是这样的课

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2019北京大学深圳研究院财经传媒考研经验分享

2019北京大学深圳研究院财经传媒考研经 验分享 2018年三月份,对我而言,是既紧张有兴奋的时期,紧张的是已经闯过初试这一关,又要面临再次的录取挑战,毕竟已经半只脚踏入北大的人谁也不想前功尽弃,而且今年开始,北大汇丰商学院的深圳财经新闻MJC不在本部面试,改在深圳研究生院面试,因此我还要长途跋涉去深圳进行面试,并且深财的复试也比北大其他新传专业的面试要晚几天,令我欣慰和愉快的是,终于最终被录取了! 一路走来,要感谢的人很多,积累的考研经验很多,能力提升了很多,自我也成熟了很多,今天写这篇经验贴,是希望给所有考研的学弟学妹们不仅仅是一种鼓励和支持,更有方法上的学习和参考! 本科学的是与新闻不太相关的专业,而成为北大学子一直是高中时的梦想,可惜因为当时偏科所以没能如愿,我便希望借此考研机会实现自己的初心,所以报考深财,怎么样,理由很简单(其中人生真的很奇妙,现在回想起来,其实风险也挺大)。备考过程中上一届学姐推荐全程一对一跟新祥旭学,在专业课的复习上方向比较明确,轻松很多。 还有就是北大深圳财经新闻MJC是北大汇丰商学院开设的偏财经领

域的新传专硕,因此招牌响亮、师资雄厚,更重要的是通过去年在北大听的深圳财经宣讲会,了解到这个专业对今后的就业或者深造来说,有非常好的发展前景和非常广阔的发展空间,于是我便选择报考这个专业!考研贵在坚持,合理的复习规划让我打赢了这场考研战。 很多经验贴上都有学霸大神说,自己是在初试前两三个月才开始复习的,确实有人在很短的时间获得最大化的效率,最终考研成功,但是我要说的是,无论是在具体的复习过程自己制定计划中还是观看别人的复习经验,都需要量体裁衣,也就是结合自身的实际水平和能力,这才是考研复习成功的根本,否则方法不当而没能考上的例子非常多。 今年深圳财经新闻的复试线是385分,真可谓高手如云,新闻传播类其他专业也都是350左右,当然主要是很多同学的专业课分数特别高,因此只要你两门公共课140左右,基本上分数都可以390以上接近400分,很多同学都是390分以上。 以往的考生,包括去年的我看的新祥旭这里考上的深圳财经新闻的学哥学姐的经验贴,觉得其实学哥学姐都很平易近人,还有几个学校也跟我一个档次,我觉得能考上,准备过程中总想知道专业课考哪些内容、需要看哪些参考书和资料,但是专业课的复习最终是用落实到考研的真题上的,两门专业课300分完全可以决定你复试的排名是靠前

北京大学2016年考研复试基本分数线

权威师资优质教学博仁考研https://www.sodocs.net/doc/84100910.html, 北京大学2016年考研复试基本分数线北京大学2016年硕士研究生入学考试复试基本分数线已经公布,报考北京大学心理学学硕和心理学专硕(应用心理硕士)、历史学的同学可以参考院校复试基本分数线和院校复试安排着手准备考研复试。考研复试同样不可小觑,复试准备时间短需要我们在有限的时间中了解复试相关信息进行充分准备。 根据教育部有关招生工作管理规定,以及北京大学和各院系的招生计划,我校按照学术学位、专业学位等不同类型考生的初试成绩,分别确定2016年硕士研究生招生复试基本分数线。满足以下各项单科成绩和总成绩要求的考生,还须达到院系确定的复试分数要求才能进入复试。 一、学术学位: 学科门类政治外语专业课1专业课2总分 哲学(01) 50 50 90 90 340 经济学(02) 55 55 90 90 370 法学(03) 50 50 90 90 340 教育学(04) 50 50 180 310 文学(05) 50 50 90 90 340 历史学(06) 50 50 180 380 理学(07) 50 50 90 90 310 工学(08) 50 50 90 90 310 管理学(12) 50 50 90 90 345 艺术学(13) 50 50 90 90 375 二、专业学位: 考试科目专业学位政治或综合外语专业课1 专业课2 总分备注 应用统计硕士 025200 50 50 90 90 375 金融硕士025100 数学科学学院50 50 90 90 360 金融数学与精 算学方向经济学院60 60 90 90 370 光华管理学院60 60 90 90 400 深圳研究生院50 50 90 90 380

北京大学2015年春季学期《投资银行学》在线作业答案

北京大学2015年春季学期投资银行学在线作业 作业ID:13715 -------------------------------------------------------------------------------- 1. 鼓励独立完成作业,严禁抄袭 从事投资银行工作需要具备的基本素质有哪些?(教材第1章第3节) 答:无论在哪一家投资银行工作,想要获得事业的成功,都必须具备以下素质。 第一,要学会自律,而且要有毅力。资本市场并不总是朝着我们预想的方向发展。这个时候,你必须保持乐观、自律、坚持完成余下工作。 第二,要对你从事的工作充满激情。激情、守信和市场知识是成功的三大法宝。一个基本的要求是对当前市场上发生的大事有所了解,投资银行就是要挑选具备这些知识的学生。 第三,具有个人技能以及沟通能力。对于所有金融服务业的公司而言,沟通和团队精神都是不可或缺的品质。具有成功潜质的人沉稳而充满自信,并且能够感染其他人。强烈的求知欲是一个基本的要求。 第四,具有领导力和团队精神。无论在什么情况下,只要有可能,团队里的每一位成员都要达成共识,并按照共识行事。要在投资银行业获得职位,领导力很重要,领导力并不是说一定要超过周围的同事,而是说要想一个领导一样的思考问题——主动地从不同角度思考问题,为那些可能已经运作良好的流程和制度寻求改进的方法,乐意为客户或同事提供额外帮助。 第五,诚信是一切商业活动的基础,在投资银行业尤其如此。无论对跟人而言,还是对职业生涯来说,信任是业务的核心。一旦你成为团队中的一分子,大家对你的期望就是保持最高的道德水准,并保证所做的一切都符合公平原则。企业只愿意雇用那些他们认为具有以上品质的人。 第六,要有被挑战的渴望。华尔街就是靠着挑战而繁荣起来的,华尔街的人们一直在寻找新的、更好的业务模式。你应当渴望挑战,向往那种能够让你的智力与激情到极致的工作。 --------------------------------------------------------------------------------

新媒体简介

新媒体 互动性是IPTV的重要特征之一。有人指出,“IPTV用户不再是被动的信息接受者,可以根据需要有选择地收视节目内容”。 网络电视迅速发展的同时也暴露出了一些制度上的弊端。业界人士提出,“网络电视不仅是电信运营商的一场盛宴,对节目制作商而言,也是一个巨大的市场机会。”然而,“在新媒体产业领域,广播电视已不再享有原先的政策保护和市场垄断优势,与市场接轨的企业制度安排至关重要”。 数字交互电视是集合了电视传输影视节目的传统优势和网络交互传播优势的新型电视媒体,它的发展给电视传播方式带来了革新。有学者指出,数字交互电视“颠覆了电视观众的‘受众’定位与电视传媒的‘传者’定位”,“数字交互电视的互动传播,使传播者与接收者之间的位置不再是固定的或先在规定的,而是不断在互相共享的、移动的。”数字交互电视的发展还使得“大众传播研究的重心”转移到了“信息使用者”身上。 数字电视,产业链有望增长 作为新媒体之一的数字电视同样在吸引着人们的眼球,广电总局正式将2004年定为“数字电视年”,并计划2005年完成3000万用户的目标。2005年对数字电视的研究依然集中呼吁加快完善广电政策的制定,以有利于数字电视产业链的增长。有人指出,“可以预见,快速增长的数字电视用户将推动传媒产业价值链的快速发展,虽然要实现市场意义上的盈利仍需要一段时间的培育,但作为政府作用的体现,传媒产业政策的放开、数字电视产业政策的推进为传媒企业指明了发展道路,提供了新的发展平台。” 还有文章从实证调查入手,对数字电视进行了深入的分析。浙江传媒学院课题组通过市场调查数据说明:“数字电视点潜在用户的经济承受能力是影响数字电视发展前景的决定性因素”。 另外,还有学者提出了数字付费推广的USP(Unique Sel l in gProposi t ion)发展模式,即认为数字电视应该有独特的销售主张,因为数字电视是“技术层面”和“内容层面”两者合一的综合体,而且必须以后者为核心,否则就失去了存在的意义。 老年人收视群体日渐受到人们的重视。有专家提出,老年受众是付费数字电视的潜在用户之一。因此付费数字电视要兼顾老年人,启动老年市场。 移动电视,强制收视的是与非

【北大考研辅导班】北大经济史考研科目参考书考研分数线拟录取考研经验

【北大考研辅导班】北大经济史考研科目参考书考研分数线拟录取考 研经验 一、北大国家发展研究院简介-启道 北京大学国家发展研究院(NSD)是北京大学的一个以经济学为基础的多学科综合性学院,前身是林毅夫等六位海归经济学博士于1994年创立的北京大学中国经济研究中心(CCER),随着更多学者的加入以及科研和教学等方面的拓展, 2008年改名为国家发展研究院(简称国发院)。 国发院拥有众多国内知名学者,除林毅夫、海闻、易纲、张维迎等创始人之外,还包括周其仁、宋国青、曾毅、闵维方、姚洋、黄益平、卢锋、刘国恩、张晓波、李玲、赵耀辉、傅军和陈春花等著名经济学、管理学、政治学、教育经济学和人口学方面的知名学者。学院秉承北大兼容并包、和而不同的学风,高度关注中国的现实问题,致力于学术与现实的结合,不遗余力地推动中国进步。经过二十多年的发展,国发院已经形成了集教学、科研和智库于一身的综合性学院,成为北大构建世界一流大学的重要组成部分。 在教学方面,国发院已经形成政、商、学三大教学体系。在学术教育方面,国发院的经济学硕士和博士项目在全国处于领先地位,毕业生已经成为中国经济学界的生力军;经济学双学位项目经过二十多年的锤炼,已经成为北大的一张重要名片。从2017年秋季起,国发院将招收国家发展方向的本科生,培养以经济学为基础,并通晓哲学、历史和政治学等人文社会科学基本原理的综合性人才。在商学教育方面,国发院旗下的BiMBA项目始于1998年,MBA和EMBA教育以学术导向和严谨的教学彰显于世,学员评价长期处于国内领先地位;EDP 项目以高端定制企业内部培训为主,广受社会的好评。在政府行政和经济管理教育方面,国发院承办商务部援外项目,创立北京大学南南合作与发展学院,专门培养发展中国家的中高级官员。 在科研方面,国发院在国内外的人均学术发表处于国内领先行列,教师的学术论文发表于《美国经济评论》(American Economic Review)、《政治经济学杂志》(Journal of Political Economy)、《经济学期刊》(Economic Journal)、《中国社会科学》、《经济研究》、《经济学季刊》等国内外著名学术杂志上,并产生了一些有影响力的研究成果。中国经济研究中心为中国经济学界提供一个重要的学术交流平台。

公共经济学-北京大学国家发展研究院

《公共财政学》教学大纲 北京大学国家发展研究院研究生课程 2013年春季学期 上课时间:每周四7-9节(15:10-18:00) 上课地点:理教314 任课教师:李力行 联系方式:lilixing@https://www.sodocs.net/doc/84100910.html, 课程介绍: 本课程为研究生专业课,要求选课同学具有微观经济学和计量经济学背景。本课程将介绍公共财政学的基本理论和分析工具,并以实证分析为基础,重点讨论个人和公司税收的经济效果、财政联邦主义理论及其在中国的应用、以及中国财政税收制度下的地方政府行为等题目。 考核方式: 20%-出勤与课堂参与; 25%-文献报告(1-2次); 25%-审稿报告(1篇); 30%-研究计划(学期结束后一个月以内提交) 课程提纲: 1. Taxation 1.1 Behavioral responses to taxation: labor supply and taxable income 1.2 Taxation and efficiency, tax avoidance and evasion 1.3 Application to China 2. Expenditure 2.1 Social security 2.2 Other public insurances 2.3 Public goods, education, and program evaluation 3. Fiscal institution and economic development 3.1 Economic theory of federalism 3.2 Fiscal decentralization in China 3.3 Interaction of fiscal and political system, local governance 阅读材料: 1. Taxation 1.1 Behavioral responses to taxation: labor supply and taxable income Macurdy, Thomas (1992). Work Disincentive Effects of Taxes: A Reexamination of Some Evidence, American Economic Association Papers and Proceedings, May, pp. 243-49. Eissa, Nada (1995) “Taxation and Labor Supply of Married Women: The Tax Reform Act of 1986 as a Natural Experiment” NBER Working Paper 5023. Eissa, Nada (1996). Labor Supply and the Economic Recovery Tax Act of 1981. In Empirical

2019北京大学新闻与传播专硕考研经验分享

2019北京大学新闻与传播专硕考研经验分享 一、我的备考顺序 看参考书目(2-8月) 画框图(3月) 画出重点背诵名词(4月) 背书(4-10月) 整理专题(6-8月) 浏览老师论文(10月) 掐表做模拟题(10-12月) 做真题(10-12月) 查漏补缺(12月) 二、参考书目 北大新媒体专硕考察的基础知识板块:传播学基础知识、批判学派、社会研究方法、新媒体理论与热点。 (一)传播学理论与历史 1.李彬《传播学引论》:这本书用通俗易懂的文字将传播学理论与历史娓娓道来,是跨专业备考考生的入门读物。 2.郭庆光《传播学教程》:无人不知无人不晓的新闻传播专业基础书,书的条理、逻辑都很清晰,建议反复记忆。 3.刘海龙《大众传播理论:范式与流派》:郭书中对批判学派涉及较浅,这本书很好地做了补充。 4.中华传媒网《传播学考研复习精编》:只有影印版。按照传统5W模式+批判学派+研究方法来编写,是一本帮助我们梳理知识体系的教材。 (二)社会研究方法 袁方《社会研究方法教程》:一本系统讲解研究方法的书,比风笑天的书更全更厚。和其他学校不同,北大新媒体专硕必考研究方法,所以一定要反复研读、记忆。研究方法比较抽象,建议大家边作对比边画框图,帮助理解。 (三)新媒体理论与热点 1.彭兰《网络传播概论》:这本书也是新闻传播必读书目 2.学院老师论文:研究老师论文非常重要,可以帮助你理解老师研究方向和角度。这项工作我是从10月份开始做的,按学院老师的不同研究方向整理,初试答题避免写出来的观点与老师相左。请尽量记忆背诵你认为可以用到的老师观点,同类论文可以一起整理。。 3.期刊杂志:阅读近半年的《国际新闻界》、《新闻与传播研究》、《新闻与写作》,适当摘抄、记忆。

【北大考研辅导班】北大计算机应用技术考研科目参考书考研分数线拟录取考研经验

【北大考研辅导班】北大计算机应用技术考研科目参考书考研分数线 拟录取考研经验 一、北大深圳研究生院简介-启道 2001年1月,北京大学与深圳市人民政府签署《合作创办北京大学深圳校区协议书》,共同创办北京大学深圳研究生院。经过十七年发展,深圳研究生院依托北大、立足深圳,逐步成为扎根深圳的北京大学研究型国际化校区,北京大学创建世界一流大学战略的重要组成部分。 发展原则和办学理念 秉承北京大学“爱国、进步、民主、科学”的光荣传统;“思想自由,兼容并包”的学术精神,“勤奋、严谨、求实、创新”的优良学风,融合深圳创新、创业,不断改革的城市文化,逐步形成了深研院的办学原则、方针和培养目标: 发展原则:与校本部差异化发展,学科互补;面向深圳,服务广东,辐射华南,为地方经济发展服务 办学方针:前沿领域、交叉学科、应用学术、国际标准 培养目标:专业知识、综合素质、国际视野、社会责任 学生情况 现有全日制在校研究生3040人;在校留学生113名,留学生来自48多个国家和地区。2002-2017年,累计招收全日制研究生13053人。 师资队伍 现有教职工665人,其中全职教师240人,全职教师中中国科学院院士1人、“长江学者”2人、“鹏城学者”35人。作为深圳研究生院师资队伍的重要补充,114名校本部教师参与深圳研究生院的教学工作。深圳研究生院另有博士后研究人员88人。国际化是深圳研究生院师资队伍的重要特征,240名全职教师中有外国专家64人、留学归国人75人。青年教师也绝大多数拥有哈佛大学、麻省理工、斯坦福大学、加州大学、康奈尔大学等世界一流大学的教育背景。 学科建设 依托北京大学学科优势,结合深圳的区位优势,深圳研究生院以“前沿领域、交叉学科、应用学术、国际标准”为办学方针,加强学科建设。现有信息工程学院、化学生物学与生物

2020年(金融保险)投资银行学(教学大纲)

(金融保险)投资银行学(教学大纲)

《投资银行学》课程教学大纲 (2006年9月修改) 课程名称:投资银行学 学时数:(1)总学时:54周数:18周学时:3 (2)总学时:36周数:18周学时:2 分院(系):金融学院 授课对象:金融学及相关专业本科生 教学目标 《投资银行学》是壹门为金融学及相关专业本科学生开设的专业课程。本课程的教学目的,使学生掌握投资银行作为资本市场的主要中介机构,其运作基本理论和机制、发展特点和趋势;进壹步把握投资银行在市场经济运行中的重要定位、基本功能和发展空间,熟悉和掌握投资银行的基本业务和投资技巧。 随着市场经济的推进,中国资本市场以从试验阶段走向快速和规范发展阶段,成为市场经济机制配置资源的核心.投资银行在资本市场的重要作用日益凸现.针对目前中国投资银行业刚处于起步阶段,运作理论和经验都十分匮乏。本课程教学是立足于中国的改革和发展,从市场经济的推进要求,特别是国有企业的深化改革和建立现代企业制度的现实出发,揭示市场经济条件下投资银行运作的内在背景和基本功能,构筑投资银行运作的基本框架,且注重讲述投资银行的具体业务,剖析投资银行运作成功的具体案例,借鉴西方发达国家的投资银行经验,且分析投资银行运作的风险以及具体业务的拓展等。以用现代投资银行理论和运作成功的实际事例来培养学生,以造就壹大批社会急需的投资银行人才。 采用教材: 戴天柱主编:《投资银行运作理论和实务》,经济管理出版社,2004年8月。 参考书目:

1.黄亚均谢联胜著:《投资银行理论和实务》,高等教育出版社; 2.[美]查里斯★R★吉斯特著、郭浩译:《金融体系中的投资银行》经济科学出版社,1998; 3.陈松男著:《金融分析——投资、融资策略和衍生创新》,复旦大学出版社,2001; 4.吴晓求著:《证券投资学》,中国人民大学出版社,2000; 5.任淮秀著:《.投资银行业务和运营》,中国人民大学出版社,2000; 6.何小峰等著:《投资银行学》,北京大学出版社,2002; 7.Benston,GeorgeJ.TheSeparationofCommercialandInvestmentBanking:TheGlass-St eagallActReconsidered.NewYork:OxfordUniversityPress,1990. 8.Hayes,SamuelL,andPhilipHubbard.InvestmentBanking.Boston:HarvardBusinessSch oolPress,1990. 课程主要内容和课时安排:

2019北大新传和新媒体对研究方法的考察规律必看

2019北大新传和新媒体对研究方法的考察规律必看 北大新传院和新媒体研究院对研究方法的考察具有很强的规律性,按照规律,掌握基础知识点,并且结合互联网时代特征进行复习,事半功倍。 研究方法学习板块 北大新传和新媒体MJC对研究方法的考察分为三个方面:研究方法的方法论、资料收集、资料分析。 也可以按照社会研究的方法体系展开的:方法论、研究方式、具体方法及技术。 2011年-2018年北大MJC历年真题总结与规律 (一)新媒体历年真题与规律 名词解释: 配额抽样(2018) 实证主义(2017) 聚类分析(2017) 相关分析(2016) 数据挖掘(2016) 简答题: 简要分析定序变量与定类变量在统计分析时的区别。(2018) 简要阐述信度与效度的关系。(2018) 信度与效度,以及在网络抽样下信度与效度的发展。(2016) 用户体验及其研究方法。(2015) 对比分层抽样和配额抽样。(2015) 论述题: 定量与定性分析的特点与异同,结合案例分析定量与定性如何在新媒体环境下使用.(2016) 大数据和小数据的关系,二者的功能。(2015) 新媒体领域你感兴趣的问题,做个研究设计。(2015) 从近年新媒体研究院考研初试题目看来,名词解释主要集中在方法论、资料分析部分,都是非常基础的概念,比较好掌握。 简答题主要围绕两个具体的概念或者研究方法展开,进行对比分析,比如“信度与效度”、“定类变量和定序变量”、“分层抽样和配额抽样”,但是每一组概念比较都是放在一个特定语境下进行考察的,比如说,“定类变量”和“定序变量”大家肯定都复习到了,但是它俩在“统计分析”部分的差异你有思考过吗?所以如果审题不认真,或者复习的不够全面,非常容易答偏,这就是为什么有的同学考试的时候把卷面答的满满的,却拿不到分数的原因。 论述题最主要的特点,是考察同学们对新媒体和互联网时代的研究方法的认识。所以在复习的时候,除了对传统研究方法理论要扎实地掌握,对其在新媒体环境下的运用和发展也要掌握。

2020北大新闻传播专硕(MJC)招生目录、培养方式、参考书目、分数线、真题

一、学院简介 北京大学是中国新闻学和新闻教育的摇篮。北京大学是国内最早开设新闻学课程的高等学府,在这里诞生了中国新闻教育史上第一本新闻学著作、第一个新闻学研究学术团体和第一份新闻学期刊。 北京大学现已形成了包括新闻学、传播学、广告学、编辑出版学、网络传播、广播影视、跨文化交流、公共关系、媒体经营管理等一系列的学科群。学院现有全职教学科研人员28人,在校本科生421人(留学生108人),研究生284人(博士生89人、硕士生195人、港澳台、留学生29人)。 研究生设置了新闻学和传播学两个硕士点,以及一个传播学博士点,专业研究方向涵盖国际新闻、新闻传播实务、新闻传播史论、国际传播与跨文化交流、大众传播、新媒体与网络传播、广告理论与实务、媒体经营管理、编辑出版学等诸多领域。 二、招生目录 2019北京大学招收新闻传播专硕(MJC)研究生的院系共有三个,分别是:新闻与传播学院、新媒体研究院以及深圳研究生院;今天主要介绍的是新闻与传播学院MJC的招生情况; MJC2019年计划招生全日制50人(其中健康传播方向15名),拟接收推免20人(健康传播方向10名); 三、考试科目 ①101 思想政治理论 ②204 英语二 ③334 新闻与传播专业综合能力

④440 新闻与传播专业基础 四、推荐参考书目 334 新闻与传播专业综合能力 张隆栋:《大众传播学总论》 郭庆光:《传播学教程》(第二版);中国人民大学出版社,2011年 施拉姆:《传播学概论》(第二版);中国人民大学出版社,2010年 李彬:《传播学引论》(第三版);高等教育出版社,2013年 邵培仁:《传播学》(第三版);高等教育出版社,2015年 赛佛林:《传播学理论:起源、方法及应用》中国传媒大学出版社,2006年 戴元光:《20世纪中国新闻学与传播学(传播学卷)》 440 新闻与传播专业基础 袁军、哈艳秋:《中国新闻事业史教程》中国广播电视出版社,2004年李磊:《外国新闻史教程》(第2版);中国传媒大学出版社,2008年雷跃捷:《新闻理论》中国传媒大学出版社,1997年 何梓华:《新闻理论教程》(修订版);高等教育出版社,2008年 雷跃捷:《媒介批评》北京大学出版社,2007年 梁一高:《现代新闻采访学教程》(修订2版)中国广播电视出版社,2008年 刘明华、徐泓、张征:《新闻写作教程》中国人民大学出版社,2002年谭云明:《新闻编辑学》华中科技出版社,2016年

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