搜档网
当前位置:搜档网 › MEMS层叠式毫米波天线设计

MEMS层叠式毫米波天线设计

MEMS层叠式毫米波天线设计
MEMS层叠式毫米波天线设计

14元阵列天线方向图及其MATLAB仿真

14元阵列天线方向图及其MATLAB仿真

阵列天线方向图及其MATLAB 仿真 1设计目的 1.了解阵列天线的波束形成原理写出方向图函数 2.运用MATLAB 仿真阵列天线的方向图曲线 3.变换各参量观察曲线变化并分析参量间的关系 2设计原理 阵列天线:阵列天线是一类由不少于两个天线单元规则或随机排列并通过适当激励获得预定辐射特性的特殊天线。 阵列天线的辐射电磁场是组成该天线阵各单元辐射场的总和—矢量和由于各单元的位置和馈电电流的振幅和相位均可以独立调整,这就使阵列天线具有各种不同的功能,这些功能是单个天线无法实现的。 在本次设计中,讨论的是均匀直线阵天线。均匀直线阵是等间距,各振源电流幅度相等,而相位依次递增或递减的直线阵。均匀直线阵的方向图函数依据方向图乘积定理,等于元因子和阵因子的乘积。 二元阵辐射场: 式中: 类似二元阵的分析,可以得到N 元均匀直线振的辐射场: 令 ,可得到H 平面的归一化方向图函数,即阵因子的方向函数: 式中:ζφθψ+=cos sin kd 均匀直线阵最大值发生在0=ψ 处。由此可以得出 ])[,(212121ζθθθ?θj jkr jkr m e r e r e F E E E E --+=+=12 cos ),(21jkr m e F r E E -=ψ?θθζ φθψ+=cos sin kd ∑-=+-=10)cos sin (),(N i kd ji jkr m e e r F E E ζ?θθ?θ2πθ=)2/sin()2/sin(1)(ψψψN N A =kd m ζ?-=cos

这里有两种情况最为重要。 1.边射阵,即最大辐射方向垂直于阵轴方向,此时 ,在垂直于阵轴的方向上,各元观察点没有波程差,所以各元电流不需要有相位差。 2.端射振,计最大辐射方向在阵轴方向上,此时0=m ?或π,也就是说阵的各元电流沿阵轴方向依次超前或滞后kd 。 3设计过程 本次设计的天线为14元均匀直线阵天线,天线的参数为:d=λ/2,N=14相位滞后的端射振天线。基于MATLAB 可实现天线阵二维方向图和三维方向图的图形分析。 14元端射振天线H 面方向图的源程序为: a=linspace(0,2*pi); b=linspace(0,pi); f=sin((cos(a).*sin(b)-1)*(14/2)*pi)./(sin((cos(a).*sin(b)-1)*pi/2)*14); polar(a,f.*sin(b)); title('14元端射振的H 面方向图 ,d=/2,相位=滞后'); 得到的仿真结果如图所示: 14元端射振天线三维方向图的源程序为: y1=(f.*sin(a))'*cos(b); z1=(f.*sin(a))'*sin(b); x1=(f.*cos(a))'*ones(size(b)); surf(x1,y1,z1); 2 π?±=m

用matlab 仿真不同天线阵列个天线的相关系数

2.3.1 阵列几何图 天线阵可以是各种排列,下图所示分别为圆阵(UCA)、线阵(ULA)、矩形阵(URA)排列方式与空间来波方向关系图,为简化整列分析,假设阵元间不考虑耦合,L 为天线数目,天线间距相等且均为d ,为入射在阵列上的水平波达角,为垂直波达角。 图2- 1 阵列排列方式与空间来波方向的关系 1) 圆阵排列方式的天线响应矢量为: 011cos() cos() cos() cos() (,)[,,...,,...,]l L j j j j T U C A a e e e e ξ?ψξ?ψξ?ψξ?ψ θ?-----= 公 式2- 1 其中2/,0,1,...,1l l L l L ψπ==-为第l 天线阵元的方位角,sin(),w w k r k ξθ=为波 数 2) 线阵排列方式的天线响应矢量为: cos sin (1)cos sin (,)[1,,...,]w w jk d jk d L T U LA a e e ?θ ?θ θ?-= 公式2- 2 3) 矩形阵列方式的天线响应矢量为: (1)()[(1)] (1)[(1)(1)](,)(()())[1,,...,,,,... ,...,,...,] T jv j p v ju j u v u URA N p j u p v j N u j N u p v T a vec a u a v e e e e e e e θ?-++---+-== 公式2- 3 ,N P 分别为x ,y 方向的天线数目,这里设x y d d =, (1)()[1,,...,]ju j N u T N a u e e -=; cos sin w x u k d ?θ=; (1)()[1,,...,]jv j p v T p a v e e -=;

MATLAB仿真天线阵代码

天线阵代码 一、 clc clear all f=3e9; N1=4;N2=8;N3=12; a=pi/2; %馈电相位差 i=1; %天线电流值 lambda=(3e8)/f; %lambda=c/f 波长 d=lambda/2; beta=2.*pi/lambda; W=-2*pi:0.001:2*pi; y1=sin((N1.*W./2))./(N1.*(sin(W./2))); %归一化阵因子 y1=abs(y1); r1=max(y1); y2=sin((N2.*W./2))./(N2.*(sin(W./2))); %归一化阵因子 y2=abs(y2); r2=max(y2); y3=sin((N3.*W./2))./(N3.*(sin(W./2))); %归一化阵因子 y3=abs(y3); r3=max(y3); %归一化阵因子绘图程序, figure(1) subplot(311);plot(W,y1) ; grid on; %绘出N=4等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=4,d=1/2波长,a=π/2') subplot(312);plot(W,y2) ; grid on; %绘出N=8等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=8,d=1/2波长,a=π/2') subplot(313);plot(W,y3) ; grid on; %绘出N=12等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=12,d=1/2波长,a=π/2') %--------------------- %只有参数N改变的天线方向图 t=0:0.01:2*pi; W=a+(beta.*d.*cos(t)); z1=(N1/2).*(W);

MATLAB仿真天线阵代码

天线阵代码 .pudn./downloads164/sourcecode/math/detail750575.htm l 一、 clc clear all f=3e9; N1=4;N2=8;N3=12; a=pi/2; %馈电相位差 i=1; %天线电流值 lambda=(3e8)/f; %lambda=c/f 波长 d=lambda/2; beta=2.*pi/lambda; W=-2*pi:0.001:2*pi; y1=sin((N1.*W./2))./(N1.*(sin(W./2))); %归一化阵因子 y1=abs(y1); r1=max(y1); y2=sin((N2.*W./2))./(N2.*(sin(W./2))); %归一化阵因子 y2=abs(y2); r2=max(y2); y3=sin((N3.*W./2))./(N3.*(sin(W./2))); %归一化阵因子 y3=abs(y3);

r3=max(y3); %归一化阵因子绘图程序, figure(1) subplot(311);plot(W,y1) ; grid on; %绘出N=4等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=4,d=1/2波长,a=π/2') subplot(312);plot(W,y2) ; grid on; %绘出N=8等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=8,d=1/2波长,a=π/2') subplot(313);plot(W,y3) ; grid on; %绘出N=12等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=12,d=1/2波长,a=π/2') %--------------------- %只有参数N改变的天线方向图 t=0:0.01:2*pi; W=a+(beta.*d.*cos(t)); z1=(N1/2).*(W); z2=(1/2).*(W); W1=sin(z1)./(N1.*sin(z2)); %非归一化的阵因子K1 K1=abs(W1); %---------------------- W=a+(beta.*d.*cos(t));

matlab仿真天线辐射图

微波技术与天线作业 电工1001,lvypf(12) 1、二元阵天线辐射图matlab实现 1)matlab程序: theta = 0 : .01*pi : 2*pi; %确定θ的范围 phi = 0 : .01*pi : 2*pi; %确定φ的范围 f = input('Input f(Ghz)='); %输入频率f c = 3*10^8; %常量c lambda = c / (f*10^9); %求波长λ k = (2*pi) / lambda; %求系数k d = input('Input d(m)='); %输入距离d zeta = input('Input ζ='); %输入方向系数ζ E_theta=abs(cos((pi/2)*cos(theta))/sin(theta))*abs(cos((k*d*sin(theta)+zeta)/2)); %二元阵的E面方向图函数 H_phi=abs(cos((k*d*cos(phi)+zeta)/2)); %二元阵的H面方向图函数 subplot(2,2,1); polar(theta,E_theta); title('F_E_θ') subplot(2,2,2); polar(phi,H_phi); title('F_H_φ'); subplot(2,2,3); plot(theta,E_theta); title('F_E_θ'); grid xlim([0,2*pi]) subplot(2,2,4); plot(phi,H_phi); grid xlim([0,2*pi]) title('F_H_φ');

2)测试数据生成的图形: a)f=2.4Ghz,d=lambda/2,ζ=0 图1,f=2.4Ghz,d=lambda/2,ζ=0 b)f=2.4Ghz,d=lambda/2,ζ=pi 图2,f=2.4Ghz,d=lambda/2,ζ=pi

手把手教你天线设计——用MATLAB仿真天线方向图

手把手教你天线设计—— 用MATLAB仿真天线方向图 吴正琳 天线是一种变换器,它把传输线上传播的导行波,变换成在无界媒介(通常是自由空间)中传播的电磁波,或者进行相反的变换。在无线电设备中用来发射或接收电磁波的部件。无线电通信、广播、电视、雷达、导航、电子对抗、遥感、射电天文等工程系统,凡是利用电磁波来传递信息的,都依靠天线来进行工作。此外,在用电磁波传送能量方面,非信号的能量辐射也需要天线。一般天线都具有可逆性,即同一副天线既可用作发射天线,也可用作接收天线。同一天线作为发射或接收的基本特性参数是相同的。这就是天线的互易定理。天线的基本单元就是单元天线。 1、单元天线 对称振子是一种经典的、迄今为止使用最广泛的天线,单个半波对称振子可简单地单独立地使用或用作为抛物面天线的馈源,也可采用多个半波对称振子组成天线阵。两臂长度相等的振子叫做对称振子。每臂长度为四分之一波长、全长为二分之一波长的振子,称半波对称振子。 对称振子是一种经典的、迄今为止使用最广泛的天线,单个半波对称振子可简单地单独立地使用或用作为抛物面天线的馈源,也可采用多个半波对称振子组成天线阵。两臂长度相等的振子叫做对称振子。每臂长度为四分之一波长、全长为二分之一波长的振子,称半波对称振子。

1.1用MATLAB画半波振子天线方向图 主要是说明一下以下几点: 1、在Matlab中的极坐标画图的方法: polar(theta,rho,LineSpec); theta:极坐标坐标系0-2*pi rho:满足极坐标的方程 LineSpec:画出线的颜色 2、在方向图的过程中如果rho不用abs(f),在polar中只能画出正值。也就是说这时的方向图只剩下一半。 3、半波振子天线方向图归一化方程: Matlab程序: clear all lam=1000;%波长 k=2*pi./lam;

(完整版)波束形成-Matlab程序

1.均匀线阵方向图 %8阵元均匀线阵方向图,来波方向为0度 clc; clear all; close all; imag=sqrt(-1); element_num=8;%阵元数为8 d_lamda=1/2;%阵元间距d与波长lamda的关系 theta=linspace(-pi/2,pi/2,200); theta0=45/180*pi;%来波方向(我觉得应该是天线阵的指向) %theta0=0;%来波方向 w=exp(imag*2*pi*d_lamda*sin(theta0)*[0:element_num-1]'); for j=1:length(theta) %(我认为是入射角度,即来波方向,计算阵列流形矩阵A) a=exp(imag*2*pi*d_lamda*sin(theta(j))*[0:element_num-1]'); p(j)=w'*a; %(matlab中的'默认为共轭转置,如果要计算转置为w.'*a) end figure; plot(theta,abs(p)),grid on xlabel('theta/radian') ylabel('amplitude') title('8阵元均匀线阵方向图') 见张小飞的书《阵列信号处理的理论和应用2.3.4节阵列的方向图》

当来波方向为45度时,仿真图如下: 8阵元均匀线阵方向图如下,来波方向为0度,20log(dB)

随着阵元数的增加,波束宽度变窄,分辨力提高:仿真图如下:

2.波束宽度与波达方向及阵元数的关系clc clear all close all ima=sqrt(-1);

阵列天线方向图的MATLAB实现

阵列天线方向图的MATLAB 实现课程名称:MATLAB程序设计与应用任课教师:周金柱 班级:04091202 姓名:黄文平 学号:04091158 成绩:

阵列天线方向图的MATLAB 实现 摘要:天线的方向性是指电磁场辐射在空间的分布规律,文章以阵列天线的方向性因子F(θ,φ)为主要研究对象来分析均匀和非均匀直线阵天线的方向性。讨论了阵列天线方向图中主射方向和主瓣宽度随各参数变化的特点,借助M ATLAB绘制出天线方向性因子的二维和三维方向图,展示天线辐射场在空间的分布规律,表现辐射方向图的特点。 关键词:阵列天线;;方向图;MATLAB 前言: 天线是发射和接收电磁波的重要的无线电设备,没有天线也就没有无线电通信。不同用途的天线要求其有不同的方向性,阵列天线以其较强的方向性和较高的增益在工程实际中被广泛应用。因此,对阵列天线方向性分析在天线理论研究中占有重要地位。阵列天线方向性主要由方向性因子F(θ,φ)表征,但F(θ,φ)在远区场是一组复杂的函数,如果对它的认识和分析仅停留在公式中各参数的讨论上,很难理解阵列天线辐射场的空间分布规律[ 1 ]。MATLAB以其卓越的数值计算能力和强大的绘图功能,近年来被广泛应用在天线的分析和设计中。借助MATLAB可以绘制出阵列天线的二维和三维方向图,直观地从方向图中看出主射方向和主瓣宽度随各参数的变化情况,加深对阵列天线辐射场分布规律的理解。 1 均匀直线阵方向图分析 若天线阵中各个单元天线的类型和取向均相同,且以相等的间隔d 排列在一条直线上。且各单元天线的电流振幅均为I,相位依次滞后同一数值琢,那么,这种天线阵称为均匀直线式天线阵,如图1 所示[ 2 ]: 均匀直线阵归一化阵因子为[ 3 ]: Fn(θ,φ)是一个周期函数,所以除§= 0 时是阵因子的主瓣最大值外,§= ±2 mπ

MEMS设计、仿真软件的综合比较

《MEMS 器件、仿真与系统集成》期中测验(三)(占考试成绩的20%,中英文答题均可,5月30日交电子版。任课教师:陈剑鸣) 研究生:(签字) 学号: MEMS设计、仿真软件的综合比较。(占本课程的20%)。 具体要求: 1)用表格形式对MEMS常用的软件进行比较。比较的软件四大类:TannerPro(主要是L-edit),HFSS, CoventorWare,IntelliSense,ANSYS 2)比较的内容: ?公司、厂家; ?软件的总体描述; ?软件的模块关系(模块组成); ?按模块来阐述的主要用途; ?按模块来阐述的性能参数; ?软件所做的实例图(分模块)。 ?你对此软件(或者是具体模块)的看法和评价,不少于5个模块。 作业作答如下:

一. TannerPro(主要是L-edit) 1.1 公司、厂家: Tanner Research公司 1.2 软件的总体描述 Tanner集成电路设计软件是由Tanner Research 公司开发的基 于Windows平台的用于集成电路设计的工具软件。该软件功能十分强大,易学易用,包括S-Edit,T-Spice,W-Edit,L-Edit与LVS,从 电路设计、分析模拟到电路布局一应俱全。其中的L-Edit版图编辑 器在国内应用广泛,具有很高知名度。 L-Edit Pro是Tanner EDA软件公司所出品的一个IC设计和验 证的高性能软件系统模块,具有高效率,交互式等特点,强大而且完 善的功能包括从IC设计到输出,以及最后的加工服务,完全可以媲 美百万美元级的IC设计软件。L-Edit Pro包含IC设计编辑器(Layout Editor)、自动布线系统(Standard Cell Place & Route)、线上设计 规则检查器(DRC)、组件特性提取器(Device Extractor)、设计布 局与电路netlist的比较器(LVS)、CMOS Library、Marco Library, 这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决方案。L-Edit Pro丰 富完善的功能为每个IC设计者和生产商提供了快速、易用、精确的 设计系统。 Tanner Tools Pro是一套集成电路设计软件,包含以下几种工具:S-Edit (编辑电路图)

元阵列天线方向图及其MATLAB仿真

阵列天线方向图及其MATLAB 仿真 1设计目的 1.了解阵列天线的波束形成原理写出方向图函数 2.运用MATLAB 仿真阵列天线的方向图曲线 3.变换各参量观察曲线变化并分析参量间的关系 2设计原理 阵列天线:阵列天线是一类由不少于两个天线单元规则或随机排列并通过适当激励获得预定辐射特性的特殊天线。 阵列天线的辐射电磁场是组成该天线阵各单元辐射场的总和—矢量和由于各单元的位置和馈电电流的振幅和相位均可以独立调整,这就使阵列天线具有各种不同的功能,这些功能是单个天线无法实现的。 在本次设计中,讨论的是均匀直线阵天线。均匀直线阵是等间距,各振源电流幅度相等,而相位依次递增或递减的直线阵。均匀直线阵的方向图函数依据方向图乘积定理,等于元因子和阵因子的乘积。 二元阵辐射场: 式中: 类似二元阵的分析,可以得到N 元均匀直线振的辐射场: 令 ,可得到H 平面的归一化方向图函数,即阵因子的方向函数: ])[,(212121ζθθθ?θj jkr jkr m e r e r e F E E E E --+=+=12 cos ),(21jkr m e F r E E -=ψ?θθζ φθψ+=cos sin kd ∑-=+-=10)cos sin (),(N i kd ji jkr m e e r F E E ζ?θθ?θ2 πθ=) 2/sin() 2/sin(1)(ψψψN N A =

式中:ζφθψ+=cos sin kd 均匀直线阵最大值发生在0=ψ 处。由此可以得出 这里有两种情况最为重要。 1.边射阵,即最大辐射方向垂直于阵轴方向,此时 ,在垂直于阵轴的方向上,各元观察点没有波程差,所以各元电流不需要有相位差。 2.端射振,计最大辐射方向在阵轴方向上,此时 0=m ?或π,也就是说阵的 各元电流沿阵轴方向依次超前或滞后kd 。 3设计过程 本次设计的天线为14元均匀直线阵天线,天线的参数为:d=λ/2,N=14相位滞后的端射振天线。基于MATLAB 可实现天线阵二维方向图和三维方向图的图形分析。 14元端射振天线H 面方向图的源程序为: a=linspace(0,2*pi); b=linspace(0,pi); f=sin((cos(a).*sin(b)-1)*(14/2)*pi)./(sin((cos(a).*sin(b)-1)*pi/2)*14); polar(a,f.*sin(b)); title('14元端射振的H 面方向图 ,d=/2,相位=滞后'); 得到的仿真结果如图所示: kd m ζ?-=cos 2π ?±=m

MEMS传感器项目规划设计方案 (1)

MEMS传感器项目规划设计方案 规划设计/投资分析/产业运营

摘要说明— 纵观全球MEMS传感器市场,美、日、德一直占据着主导地位。然而近 年来,亚太地区(含日本)受到智能手机、平板电脑、可穿戴产品等市场 需求持续增长、且全球电子整机产业不断向中国转移等因素影响,增长速 度较快,2017年MEMS市场占比达到46.8%,反超美国、欧洲等区域。 该MEMS传感器项目计划总投资11442.14万元,其中:固定资产投资9291.00万元,占项目总投资的81.20%;流动资金2151.14万元,占项目 总投资的18.80%。 达产年营业收入14909.00万元,总成本费用11826.08万元,税金及 附加179.36万元,利润总额3082.92万元,利税总额3687.51万元,税后 净利润2312.19万元,达产年纳税总额1375.32万元;达产年投资利润率26.94%,投资利税率32.23%,投资回报率20.21%,全部投资回收期6.45年,提供就业职位249个。 报告内容:概论、项目建设背景、项目市场空间分析、产品规划方案、项目选址规划、工程设计说明、工艺概述、清洁生产和环境保护、项目安 全卫生、项目风险、项目节能方案分析、项目实施进度计划、项目投资方案、项目经营效益分析、项目评价等。 规划设计/投资分析/产业运营

MEMS传感器项目规划设计方案目录 第一章概论 第二章项目建设背景 第三章产品规划方案 第四章项目选址规划 第五章工程设计说明 第六章工艺概述 第七章清洁生产和环境保护 第八章项目安全卫生 第九章项目风险 第十章项目节能方案分析 第十一章项目实施进度计划 第十二章项目投资方案 第十三章项目经营效益分析 第十四章招标方案 第十五章项目评价

MEMS的计算机辅助设计方法与技术综述

MEMS的计算机辅助设计方法与技术综述 霍鹏飞 (中国兵器工业集团第212研究所 西安 710065) 摘 要:MEMS作为一个多能量域耦合、多学科交叉的复杂系统,一个成功MEMS设计必须借助 于计算机辅助设计。本文结合国际MEMS计算机辅助设计的最新成果,对MEMS的设计、建模与 仿真方法及其技术进行了详细的论述。对MEMS器件或系统设计以及MEMS CAD研究具有参考价 值。 关键词: MEMS CAD;建模与仿真;结构化设计 0 引言 微机电系统(MicroElectroMechanical Systems,MEMS)指的是可以批量制作的将微传感器、微执行器以及接口电路和控制电路、通讯接口和电源等集成于一体的微系统。MEMS作为一门多学科交叉的新兴学科,涉及精密机械、微电子材料科学、微细加工、系统与控制等技术和物理、化学、生物学等基础学科,现已成为一个新兴强大的科学领域。世界各国科研机构大力投资MEMS及其相关技术的研究,它正在对世界科技、经济发展和国防建设带来深远的影响和革命性的变革。 随着MEMS制作工艺的长足发展,目前MEMS由具有单一功能的微器件向由微机械结构、接口电路和控制电路等构成复杂功能系统的集成化方向发展,如芯片系统(System on a Chip)、芯片实验室(Lab on a Chip),因此针对单个微器件的bottom-up设计方法[0-0]已不能满足MEMS发展需求,结构化设计(structured design)[0-0]成为当前MEMS设计的主流方法。结构化设计方法是以超大规模集成电路设计为参照对象来研究MEMS的设计,其主要思想是MEMS设计分阶层,通过在不同设计阶层关注相对独立的设计问题来降低对各阶层设计人员的知识要求;同时因为不同设计阶层都是针对同一MEMS 器件,故结构化方法还强调不同设计阶层之间的数据交换、信息共享。 目前,国内外已出现了一些基于结构化设计方法的MEMS计算机辅助设计(Computer aided design,CAD)软件,如美国Coventor公司的CoventorWare[0]软件,MEMS CAP公司的MEMS Pro软件[0]等,在国内的软件有西北工业大学的MEMSGarden[0],北京大学的IMEE[0],但随着MEMS技术的发展,这些设计软件也在进一步研究和发展之中。 美国麻省理工学院(MIT)的S.D. Senturia [0,0] 教授是MEMS CAD的鼻祖,曾多次展望了MEMS CAD 的发展前景和面临的挑战,根据他的观点,MEMS的设计分为四个阶层:工艺级 (process level) 、物理级 (physical level) 、器件级 (device level) 和系统级 (system level) ,如图1所示,这也是当前国际上关于MEMS设计的一种主流分级方法。工艺级设计关注的焦点是MEMS的几何形状的可加工制造性;与工艺级所关注的焦点不同,物理级、器件级和系统级这三个设计阶层是从不同的角度或不同的抽象阶层来研究MEMS的行为特性。物理级是从物理场的角度研究分析器件内的能量与信息转换机理;相对于物理级,器件级是从更高阶层的角度研究MEMS器件内的能量与信息的转换,在该阶层只关注MEMS器件主要的行为特性,即关注主要矛盾,忽略次要因素,以便对器件行为进行快速的设计、评估;而在系统级设计中研究分析由更多微器件(如微传感器、微致动器、接口电路等)构成微系统的整体性能,以寻求相对合理的系统整体设计方案。

MATLAB仿真天线阵代码17页

天线阵代码 http://pudn/downloads164/sourcecode/math/detail750575.html 一、 clc clear all f=3e9; N1=4;N2=8;N3=12; a=pi/2; %馈电相位差 i=1; %天线电流值 lambda=(3e8)/f; %lambda=c/f 波长 d=lambda/2; beta=2.*pi/lambda; W=-2*pi:0.001:2*pi; y1=sin((N1.*W./2))./(N1.*(sin(W./2))); %归一化阵因子 y1=abs(y1); r1=max(y1); y2=sin((N2.*W./2))./(N2.*(sin(W./2))); %归一化阵因子 y2=abs(y2); r2=max(y2); y3=sin((N3.*W./2))./(N3.*(sin(W./2))); %归一化阵因子 y3=abs(y3); r3=max(y3);

%归一化阵因子绘图程序, figure(1) subplot(311);plot(W,y1) ; grid on; %绘出N=4等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=4,d=1/2波长,a=π/2') subplot(312);plot(W,y2) ; grid on; %绘出N=8等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=8,d=1/2波长,a=π/2') subplot(313);plot(W,y3) ; grid on; %绘出N=12等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=12,d=1/2波长,a=π/2') %只有参数N改变的天线方向图 t=0:0.01:2*pi; W=a+(beta.*d.*cos(t)); z1=(N1/2).*(W); z2=(1/2).*(W); W1=sin(z1)./(N1.*sin(z2)); %非归一化的阵因子K1 K1=abs(W1); W=a+(beta.*d.*cos(t)); z3=(N2/2).*(W); z4=(1/2).*(W); W2=sin(z3)./(N2.*sin(z4)); %非归一化的阵因子K2

Matlab仿真天线阵的方向图及半功率宽度概要

山东科技大学通信工程系 创新性实验设计报告 实验项目名称Matlab仿真天线阵的方向图及半功率宽度 组长姓名学号 手机 Email 成员姓名____学号__ 成员姓名____学号__ 专业通信工程班级 09—3 指导教师及职称 开课学期 2011 至 2012 学年_ 2 _学期 提交时间 2012 年 7 月 13 日 一、实验摘要

熟悉课本第183页直线等距(LES)天线阵列的基本原理; 熟悉常用的算法,包括最小均方计算(LES),递归最小平方计算(RLS)和恒模算法(CMA)。 能够利用matlab软件仿真天线阵列的方向图,并且利用matlab计算其半功率宽度。 二、实验目的 1. 了解只能天线的组成,并能对天线矩阵进行分析 2. 运用MATLAB仿真阵列天线的方向图曲线 3. 变换各参量观察曲线变化并分析参量间的关系 4. 利用matlab计算LES阵列的半波宽度。 三、实验设计方案 1、实验原理 1. 阵列天线:阵列天线是一类由不少于两个天线单元规则或随机排列并 通过适当激励获得预定辐射特性的特殊天线。 阵列天线的辐射电磁场是组成该天线阵各单元辐射场的总和—矢量和由 于各单元的位置和馈电电流的振幅和相位均可以独立调整,这就使阵列天 线具有各种不同的功能,这些功能是单个天线无法实现的。

2.方向图原理:对于单元数很多的天线阵,用解析方法计算阵的总方向图相当繁杂。假如一个多元天线阵能分解为几个相同的子阵,则可利用方向图相乘原理比较简单地求出天线阵的总方向图。一个可分解的多元天线阵的方向图,等于子阵的方向图乘上以子阵为单元 阵列天线 天线阵的方向图。这就是方向图相乘原理。一个复杂的天线阵可考虑多次分解,即先分解成大的子阵,这些子阵再分解为较小的子阵,直至得到单元数很少的简单子阵为止,然后再利用方向图相乘原理求得阵的总方向图。这种情况适应于单元是无方向性的条件,当单元以相同的取向排列并自身具有非均匀辐射的方向图时,则天线阵的总方向图应等于单元的方向图乘以阵的方向图。 2、实验内容 假设阵元间距为波长的一半,天线元数目5个,导引向量a(0,0); (1)仿真天线阵方向图实验主程序 thita=linspace(0,2*pi; fiai=0; lamda=0.4; d=lamda./2; beta=2.*pi./lamda; thita1=pi/6;

MEMS各种仿真软件的比较分析

《MEMS器件、仿真与系统集成》期中测验(三) (占考试成绩的20%,中英文答题均可,5月30日交电子版。任课教师:陈剑鸣) 研究生:段海军(签字) 学号: MEMS设计、仿真软件的综合比较。(占本课程的20%)。 具体要求: 1)用表格形式对MEMS常用的软件进行比较。比较的软件四大类:TannerPro (主要是L-edit),HFSS,CoventorWare,IntelliSense,ANSYS 2)比较的内容: ?公司、厂家; ?软件的总体描述; ?软件的模块关系(模块组成); ?按模块来阐述的主要用途; ?按模块来阐述的性能参数; ?软件所做的实例图(分模块)。 ?你对此软件(或者是具体模块)的看法和评价,不少于5个模块。 作业作答如下:由于制作表格不是很方便,每个软件包含的内容非常多,所 以我采用如下形式的方式来分析比较上面五个软件。 一TannerPro(主要是L-edit) 1.1公司、厂家: TannerResearch公司 1.2软件的总体描述 Tanner集成电路设计软件是由TannerResearch公司开发的基于Windows平台的用于

集成电路设计的工具软件。该软件功能十分强大,易学易用,包括S-Edit,T-Spice,W-Edit,L-Edit与LVS,从电路设计、分析模拟到电路布局一应俱全。其中的L-Edit版图编辑器在国内应用广泛,具有很高知名度。 L-EditPro是TannerEDA软件公司所出品的一个IC设计和验证的高性能软件系统模块,具有高效率,交互式等特点,强大而且完善的功能包括从IC设计到输出,以及最后的加工服务,完全可以媲美百万美元级的IC设计软件。L-EditPro包含IC设计编辑器(LayoutEditor)、自动布线系统(StandardCellPlace&Route)、线上设计规则检查器(DRC)、组件特性提取器(DeviceExtractor)、设计布局与电路netlist的比较器(LVS)、CMOSLibrary、MarcoLibrary,这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决方案。L-EditPro丰富完善的功能为每个IC设计者和生产商提供了快速、易用、精确的设计系统。 TannerToolsPro是一套集成电路设计软件,包含以下几种工具: S-Edit(编辑电路图)。 T-Spice(电路分析与模拟)。 W-Edit(显示T-Spice模拟结果)。 L-Edit(编辑布局图,自动布局布线,DRC,电路转化)。 LVS(版图和电路图对比)。 1.3软件的模块关系及其主要用途与实例图 S-Edit模块:可以继续在Core模块中继续寻找更低一级的模块,直至到MOS晶体管。 T-Spice模块:是电路仿真与分析的工具,文件内容除了有元件与节点的描述外,还必须加上其他的设定。有包含文件(includefile)、端点电压源设置、分析设定、输出设置。 L-Edit模块:是一个布局图的编辑环境功能包括设计导航、分析图层、截面观察、设计规则检查、转化等。 LVS模块:是用来比较布局图与电路图所描述的电路是否相同的工具,也就是说比较S-Edit绘制的电路图与L-Edit绘制的布局图是否一致。 图1S-Edit模块界面图 图2S-Edit实例图 图3(a)T-Spice模块等效电路图(b)模拟仿真结果 1.4TannerPro软件的设计流程 TannerPro软件的设计流程可用如下图4所示;将要设计的电路先以S-Edit编辑出电路图,再将该电路图输出成SPICE文件。接着利用T-Spice将电路图模拟并输出成SPICE 文件,如果模拟结果有错误,N回S-Edit检查电路图,如果T-Spice模拟结果无误,则以L-Edit进行布局图设计。用L-Edit进行布局图设计后要以DRC功能做设计规则检查,若违反设计规则,再将布局图进行修改直到设计规则检查无误为止。将验证过的布局图转化成SPICE文件,再利用T-Spice模拟,若有错误,再回到L-Edit修改布局图。最后利用

MATLAB仿真天线阵代码

clc clear all f=3e9; N1=4;N2=8;N3=12; a=pi/2; % 馈电相位差 i=1; % 天线电流值 lambda=(3e8)/f; %lambda=c/f d=lambda/2; beta=2 、 *pi/lambda; W=-2*pi:0 、 001:2*pi; y1=sin((N1 、 *W 、 /2)) 、 /(N1 、 y1=abs(y1); r1=max(y1); y2=sin((N2 、 *W 、 /2)) 、 /(N2 、 y2=abs(y2); r2=max(y2); y3=sin((N3 、 *W 、 /2)) 、 /(N3 、 y3=abs(y3); r3=max(y3); %归一化阵因子绘图程序 figure(1) subplot(311);plot(W,y1) ; grid on; % 阵因子 xlabel('f=3GHz,N=4,d=1/2 波长,a= n /2') subplot(312);plot(W,y2) ; grid on; % 阵因子 xlabel('f=3GHz,N=8,d=1/2 波长,a= n /2') subplot(313);plot(W,y3) ; grid on; % 化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=12,d=1/2 波长,a= n /2') % --------------- %只有参数N 改变的天线方向 图 t=0:0 、0 1 :2*pi; W=a+(beta 、*d 、*cos(t)); z1=(N1/2) 、*(W); z2=(1/2) 、*(W); W1=sin(z1) 、/(N1 、*sin(z2)); % 非归一化的阵因子 K1 K1=abs(W1); % --------------- 天线阵代码 波长 *(sin(W 、/2))); % *(sin(W 、/2))); % *(sin(W 、/2))); % 归一化阵因子 归一化阵因子 归一化阵因子 绘出N=4等幅等矩阵列的归一化 绘出N=8等幅等矩阵列的归一化 绘出N=12等幅等矩阵列的归一

MEMS系统设计基本理论及设计关键技术

MEMS系统设计基本理论及设计关键技术 汽车传感器设计是汽车生产较为重要环节,对于汽车的整体性能的提高有着直接的影响。随着社会的快速发展,对汽车传感器的性价比也提出了更高的要求,从设计的理念、原则等角度出发,对设计技术进行更好的优化成为发展的关键。因此,加强对MEMS汽车传感器设计关键技术的研究具有很大的现实意义,发现当前技术中存在的不足,提出针对性的指导建议,在保证传感器性能满足要求的同时,降低生产陈本,取得更好的竞争优势。 1 MEMS系统设计基本理论 1.1 MEMS设计技术 MEMS设计技术的综合性是比较强,涵盖各个方面的内容,不仅需要有相应的概念设计作为指导,还需要相应的计算机提供服务,从而对数据进行更好的分析。MEMS产品设计的后续加工与测试工作的进行也在设计技术涵盖的范围之内,设计技术对整体的产品性能发挥着关键性的作用。相较于加工技术,MEMS设计技术有着更高的要求,其辅助机械与技术是非常重要的,尤其是计算机辅助设计的应用。MEMS设计技术在当前的发展中更为趋向于自动化、智能化,满足时代多元化发展的需求,提高产品设计的效率,更好的拓展市场,也实现产品设计的实用性。 1.2 MEMS设计方法 设计方法是设计工作的基础,其不仅是设计理念的充分体现,也是对设计行为的基本规范。MEMS设计技术的重点主要体现非电信号与电信号、电能与机械能等能量之间的转换,对MEMS系统设计有着较大的影响。MEMS设计方法主要有三种,一是有限元FEM,另一个是边界元BEM,有限差分也是数值分析方法之一。系统级设计、器件级设计、工艺级设计是不同的设计手段要求,其难度层次逐级递减。 首先,系统级设计的整体性是比较强的,需要综合各个方面的内容进行分析,数值分析法在其中的应用具有一定的局限性,其设计方法的优化更加趋向于简单动态模型的构建,减少了MEMS设计技术中多种能量之间的转换。器件级设计是较为单一的,有着针对性的

matlab仿真天线阵代码

matlab仿真天线阵代码 天线阵代码 tail750575.html 一、 clc clear all f=3e9; N1=4;N2=8;N3=12; a=pi/2; %馈电相位差 i=1; %天线电流值 lambda=(3e8)/f; %lambda=c/f 波长 d=lambda/2; beta=2.*pi/lambda; W=-2*pi:0.001:2*pi; y1=sin((N1.*W./2))./(N1.*(sin(W./2))); %归一化阵因子y1=abs(y1); r1=max(y1); y2=sin((N2.*W./2))./(N2.*(sin(W./2))); %归一化阵因子y2=abs(y2); r2=max(y2); y3=sin((N3.*W./2))./(N3.*(sin(W./2))); %归一化阵因子y3=abs(y3); r3=max(y3);

%归一化阵因子绘图程序, figure(1) subplot(311);plot(W,y1) ; grid on; %绘出N=4等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=4,d=1/2波长,a=π/2') subplot(312);plot(W,y2) ; grid on; %绘出N=8等幅等矩阵列的归一化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=8,d=1/2波长,a=π/2') subplot(313);plot(W,y3) ; grid on; %绘出N=12等幅等矩阵列的归一 化阵因子 xlabel('f=3GHz,N=12,d=1/2波长,a=π/2') %--------------------- %只有参数N改变的天线方向图 t=0:0.01:2*pi; W=a+(beta.*d.*cos(t)); z1=(N1/2).*(W); z2=(1/2).*(W); W1=sin(z1)./(N1.*sin(z2)); %非归一化的阵因子K1 K1=abs(W1); %---------------------- W=a+(beta.*d.*cos(t)); z3=(N2/2).*(W); z4=(1/2).*(W); W2=sin(z3)./(N2.*sin(z4)); %非归一化的阵因子K2 K2=abs(W2); %------------------------- W=a+(beta.*d.*cos(t)); z5=(N3/2).*(W);

对称阵子天线matlab

方向图 clear lamda=10;%自由空间的波长 n=1.125; l=n*lamda; k=2*pi/lamda;%自由空间的相移常数 theta0=[0.0001:0.1:360]; theta=theta0*pi/180; for i=1:length(theta0) fe(i)=abs((cos(k*l*cos(theta(i)))-cos(k*l))/sin(theta(i))); % fh(i)=1-cos(k*l); end % figure polar(theta,fe/max(fe)); xlabel('l=1.125λ'); % figure % polar(theta,fh/max(fh)); 辐射阻抗 clear lamda=10;%自由空间的波长 n=0.1:0.01:0.9; l=n*lamda; k=2*pi/lamda;%自由空间的相移常数 gama=0.5772156; for i=1:length(n) Rr1(i)=sin(2*k*l(i))*(Si(4*k*l(i))-2*Si(2*k*l(i))); Rr2(i)=cos(2*k*l(i))*(gama+log(k*l(i))+Ci(4*k*l(i))-2*Ci(2*k*l(i))); Rr3(i)=2*(gama+log(2*k*l(i))-Ci(2*k)); Rr(i)=(Rr1(i)+Rr2(i)+Rr3(i))*30; end plot(n,Rr) 阻抗特性 clc clear lamda=100;%自由空间的波长 n=0.1:0.01:0.9; l=n*lamda; a=[30,300,3000];%l和a的比值 k=2*pi/lamda;%自由空间的相移常数 gama=0.5772156; for j=1:length(a) for i=1:length(n) Rr1(i)=sin(2*k*l(i))*(Si(4*k*l(i))-2*Si(2*k*l(i))); Rr2(i)=cos(2*k*l(i))*(gama+log(k*l(i))+Ci(4*k*l(i))-2*Ci(2*k*l(i)));

相关主题