模拟电子技术基础试卷7-1
题目部分，(卷面共有39题,308.0分,各大题标有题量和总分)一、非客观题(39小题,共308.0分)
(10分)[1]可调基准电压源电路如图所示，稳压管的稳压值Z U ＝5V 。A 为理想运算放大器，1．求输出电压O U 的调节范围。
2．若要求改变O U 的极性，电路应如何改接？
U O
VD (8分)[2]基准电压－电压变换器电路如图所示，设A 为理想运算放大器。1．若要求输出电压O U 的变化范围为4.2～10.2V ，应选电位器w R
＝？2．欲使输出电压O U 的极性与前者相反，电路将作何改动？
U O
R W
(12分)[3]晶体管β测量电路如图所示，A 为理想运算放大器，VT 为硅管，BE U ＝0.7V 。1．欲实现O 20U =β的测量关系，问电阻R ＝？
2．设计-测量PNP 锗管β的电路，测量关系式仍为O 20U =β，BE U ＝－0.2V 。画出电路，确定元件参数。
EE ( 10V)
R U O
(8分)[4]晶体三极管β测量电路如图所示，A 为理想运算放大器，VT 为硅管，BE U ＝0.7V 。当测得输出电压O U ＝5V 时，问该三极管的β＝？
U O
EE ( 10V)
(10分)[5]大电流的电流－电压变换电路如图所示，A 为理想运算放大器。
1．导出输出电压O U 的表达式O U ＝f （I I ）。若要求电路的变换量程为1A ～5V ，问3R ＝？2．当I I ＝1A 时，集成运放A 的输出电流O I ＝？
R L
R 1
O
+V (8分)[6]微分运算电路如图（a ）所示，图（b ）为输入电压I u 波形，A 为理想运算放大器。试画出输出电压O u 的波形图，并标明有关数值。
u O
u I
t s
u I u O V
t s
( b )
(8分)[7]微分运算电路如图（a ）所示，图（b ）为输入电压I u 波形，A 为理想运算放大器。试画出输出电压O u 的波形图，并标明有关数值。
u I
t s
u I u O V
t s
( b )
O
(8分)[8]微分运算电路如图（a ）所示，图（b ）为输入电压I u 波形图，A 为理想运算放大器。试画出输出电压O u 的波形，并标明有关数值。
u O
u I
t s
u I u O t s
( b )
1(8分)[9]微分运算电路如图（a ）所示，图（b ）为输入电压I u 波形，A 为理想运算放大器。试画出输出电压O u 的波形图，并标明有关数值。
u O
u I
u I u O V
s
( b )
(10分)[10]电流-电流变换电路如图所示，A 为理想运算放大器。1．写出电流放大倍数S
L
I I A i =
的表达式。若mA 10S ＝
I ，L I ＝？
2．若电阻F R 短路，L I ＝？
I R
P Ω
(6分)[11]用来测量电流的电流－电压变换电路如图所示，I X 为被测电流，A 为理想运算放大器。
1．写出输出电压U O 与I X 间的关系式。
2．若Ω=k 10f R ，运放最大输出电压U OM ＝±10V ，问能测量的最大电流I XM ＝?
O
(6分)[12]电压测量电路如图所示，已知集成运算放大器A 具有理想特性，输出端接满量程为5V 的电压表，测量电路量程分别为50V 、10V 、1V 三挡。若要求电压测量电路的输入电阻为200V /k
Ω，试计算电路中各电阻值。
u O u
(12分)[13]试用一只集成运算放大器及必要的电阻，设计一个电压放大电路，画出电路图，要求：
1．电压放大倍数10I
O
-==
u u A u 2．电压放大倍数5.5I
O
==
u u A u 所用电阻的阻值为Ωk 10和Ωk 100。
3．上述两个电路中，集成运放输入端的共模信号电压u Ic 各是多大？(12分)[14]试用一只理想运算放大器，按下列要求选择外部电阻参数值，分别设计运算电路，并回答以下问题。
1．2-=u A ，Ω=k 100i R ；2．5.0=u A ，Ω=k 100i R ；
3．上述运算电路中集成运放输入端的共模信号电压各为多少？
(6分)[15]测量电流的电路如图所示，已知A 为理想运算放大器，I X 为被测电流，输出端接满量程为5V 的电压表。
开关S 接至各点、分别测量I X 为5mA 、0.5mA 、0.1mA 、50A μ时，输出电压表满量程，问电阻R
5V
(5分)[16]增益可以调节的放大电路如图所示。R W 为调节增益的电位器，设A 为理想运算放大器。
1．导出电路的电压放大倍数I
O
u u A u =
的表达式。2．电压放大倍数可以调节的范围是多少？
u O
(5分)[17]增益可以调节的放大电路如图所示。R W 是调节增益的电位器，设A 为理想运算放大器。
1．计算R W 的滑动端处在中点位置时的电压放大倍数I
O
u u A u =。2．计算电压放大倍数可以调节的最大和最小值。
O
(8分)[18]图示反相积分电路中，设运算放大器A 是理想的，其它参数如图。
1．若输入电压I u 为100mV 直流电压，求输出电压O u 从起始值()V 10O =u 下降到－1V 所需要的时间t ＝？
2．若当O u 达到－1V 时，I u 突然变为－200mV ，问再经过40ms
，O u ＝？
O
u I
(8分)[19]图示反相积分电路中，设运算放大器A 是理想的，其它参数如图。
1．若输出电压O u 的起始值()V 10O =u ，输入电压I u 为100mV 直流电压，问经过20ms 后，输出电压O u ＝？
2．当t 为20ms 时，突然将I u 改为－200mV
，问再经过多长时间输出电压为7V 。
O
u I
(8分)[20]图示反相积分电路中，设运算放大器A 是理想的。
1．若输入电压I u 为100mV 直流电压，求输出电压从起始值()V 00O =u 下降到－1V 所需要的时间t ＝？
2．若在O u 达到－1V 时，I u 突然变为－100mV ，问再经过50ms ，O u ＝？
O
u I
(6分)[21]图示积分电路中，已知A 为理想运算放大器，初始状态为t ＝0时，()V 10O =u 。若突然加2V 的输入电压I u ，经0.1s 输出电压O u ＝－1V ，问电阻R
＝？
O
u I
(8分)[22]图示反相积分电路中，设运算放大器A 是理想的。问：
1．若输入电压I u 为－100mV 直流电压，求输出电压O u 从起始值()V 00O =u 上升到+1V 所需要的时间t ＝？
2．若在O u 达到+1V 时，I u 突然变为+200mV ，问再经过40ms ，O u
＝？
O
u I
(6分)[23]图示积分电路中，已知A 为理想器件，电容C 的初始电压()V 10==t C t u 。若突然加2V 的输入电压I u ，问0.2s 后，输出电压?O =u 写出()I O u f u =
的表达式。
O
u I
(6分)[24]图示积分电路中，已知A 为理想集成运算放大器，初始状态为：t ＝0时，()V 10O =u 。
若突然加2V 的输入电压I u ，当输出电压－1V 时，问需经多长时间？
O
u I
(6分)[25]图示积分电路中，已知A 为理想集成运算放大器，初始状态为t ＝0时()V 10O =u 。若突然加2V 的输入电压I u ，经0.1s 输出电压O u ＝－1V ，问积分电容C ＝？
C
O
u I
(8分)[26]图示放大电路中，已知A 1、A 2为理想集成运算放大器，V 5.0I1=u ，V 6.0I2-=u ，
V 8.0I3=u ，其他参数如图所示。
1．写出输出电压O u 的表达式。
2．在输入电压作用下，V 5O -=u ，问3R ＝？P R ＝？
u O
u u u (8分)[27]图示放大电路中，已知A 1、A 2为理想运算放大器，V 7.0I1-=u ，V 5.0I3I2==u u 。1．写出输出电压O u 的表达式。
2．若要求输入电阻Ω=k 50i2R ，输出电压V 5O -=u ，问2R ＝？5R ＝？
u O
I1u I2u
I3
(8分)[28]图示放大电路中，已知A 1、A 2为理想运算放大器，且V 5.0I1=u ，V 6.0I2-=u ，
V 8.0I3=u ，其他参数如图所示。
1．写出输出电压O u 的表达式。
2．若在上述输入电压作用下，V 06.5O -=u ，问7R ＝？
u
O
u u u (8分)[29]如图所示放大电路中，已知A 1、A 2为理想运算放大器，V 5.0I1=u 、V 6.0I2-=u 、
V 3.0I3-=u ，其他参数如图。
1．写出输出电压O u 的表达式。
2．若已知输入电压I1u 端的输入电阻Ω=k 501i R ，在输入电压作用下，输出电压
V 2.7O -=u ，问电阻1R ＝？4R ＝？7R ＝？
u O
I1u I2u
I3
(6分)[30]图示放大电路中，已知A 1、A 2为理想运算放大器。且1R 3R ＝2R 4R ，4R /3R ＝9，
I1u ＝20mV ，
I2u ＝40mV 。
1．问O u ＝？2．电压放大倍数I2
I1O
u u u A u －=
＝？
u O
u (6分)[31]图示放大电路中，已知A 1、A 2为理想运算放大器。1．写出输出电压O u 与输入电压I1u 、I2u 间的关系式。2
．已知当V 1I1=u 时，O u ＝3V ，问I2u ＝？
u O
u (8分)[32]图示放大电路中，已知A 1、A 2均为理想运算放大器。1．当I1u ＝I2u ＝I u 时，证明输出电压O u 与输入电压I u 间关系式为：
I
3142O 1u R R R R u ???? ?
?=－2．当I1u ＝－4V 时，O u ＝－3.2V ，问2R 应取多大?
u O
u (10分)[33]图示放大电路中，A 1、A 2为理想运算放大器。1．导出输出电压O u 与输入电压I u 的关系式。
2．当V 1I =u 时，要求O u ＝3V ，问电阻W R 应为多大？当W R 从10Ωk 变化到20Ωk 时，问电压放大倍数I
O
u u
A u =
的变化范围是多少？O
u I
(6分)[34]写出输出电压O u 的表达式，求该电路的电压放大倍数?I
O
==u u A u 设A 1、A 2、A 3均为理想集成运算放大器。
u O
u I
(6分)[35]写出该电路输出电压O u 的表达式。若V 2I2=u 时，O u ＝5V ，问？=I1u 设集成运放A 1、A 2、A 3均为理想器件。
u O
u u (6分)[36]图示放大电路中，已知集成运算放大器A 1～A 3具有理想特性。
1．写出输出电压O u 的表达式。当输入电压V 2.0I1=u ，V 2.4O -=u 时,问输入电压?I2=u 2．若电阻
4R 改为50Ωk ，在上述输入电压的作用下，输出电压？
=O u u O
u u (10分)[37]图示电路中，已知A 1、A 2、A 3为理想运算放大器。
试说明各运放输入端所承受的共模电压Ic u 是多少？写出输出电压O u 的表达式。并计算其值。
u O
u u (10分)[38]图示放大电路中，A 1～A 3是理想运算放大器，V sin I1m I1t U u ω=，V 8.0I2=u 。1．写出输出电压O u 的表达式。计算？
=O u
2．已知A 3的最大共模输入电压V 5Ic ±=u ，最大输出电压V 10OM ±=U ，当V 2I2=u 时，问I1u 的最大允许值是多少？
u O
u u (10分)[39]图示放大电路中，A 1～A 3都是理想运算放大器。1．写出输出电压O u 的表达式。
2．已知集成运放A 3允许输入共模电压V 5Ic ±=u ，输出最大电压V 12O ±=u ，输入电压
V 1I =u ，V sin I2m I2t U u ω=。为使电路实现不失真放大，I2m U 最大值应是多大？
u
O
u u ====================答案====================
答案部分，(卷面共有39题,308.0分,各大题标有题量和总分)一、非客观题(39小题,共308.0分)(10分)[1][答案]1．
()()??????
?=???? ??++--=-动端接上端动端接地w Z 12Z 1
2w Z 12
O V 51 V 10R U R R U R R R U R R u
O U ＝－10～5V
2．将＋V CC 改为－V CC ，稳压管的正、负极对换，得O U ＝10～－5V (8分)[2][答案]1．()w 211O R R R R U
U ++=
???
?
?
?++=1w 21R R R U 当O U ＝4.2V 时，0w =R 当O U ＝10.2V 时，Ω=k 10w R 应选电位器的阻值Ω
≥k 10w R 2．若要求O U 改为负极性，只要将电压源的极性翻转即可。(12分)[3][答案]
1．R I R I U B C O β==()
b
BE EE R U V R -=β
代入参数值，欲实现O 20U =β，则R ＝5k Ω。2．
U O
EE (+10V)
(8分)[4][答案]
R R I U B C O β==()
b
BE EE R U V R -=β
代入参数值，得O 20U =β。当O U ＝5V 时，100=β。(10分)[5][答案]1．I 12
3
O I R R R U -
≈
将参数代入上式，得
Ω=?-
=k 500I O
123I U R R R 2．I
2
2
1O //I R R R I =
mA 01.0I 2
1
=≈
I R R (8分)[6][答案]
t
u
t u RC
u d d 1d d I I O ?-=-=波形如图所示。
t s
u O (8分)[7][答案]
t
u t u RC
u d d 1d d I I O ?-=-=波形如图所示。
t s
u O (8分)[8][答案]
t
u t u RC
u d d 1d d I I O ?-=-=波形如图所示。
t s
u O (8分)[9][答案]
t
u t u RC
u d d 1d d I I O ?-=-=波形如图所示。
t s
u O (10分)[10][答案]1．F
S P R I U =S F S P L R 1I R I R U I ??? ?
?
+=+=
＝110mA
2．若F R 短路，则
mA
10S L ==I I (6分)[11][答案]1．X f O I R u =2．mA 1f
OM
XM ==
R u I (6分)[12][答案]
按电压测量电路输入电阻的要求确定R 11～R 13。R 11＝200Ωk /V ×50V ＝10M ΩR 12＝2M ΩR 13＝200Ω
k 根据输出端所接电压表的量程5V 确定R f ，则R f ＝1M Ω(12分)[13][答案]
1．电路形式如下图。
u O
u 2．电路如下图。
u O
u I
3．电路1
V 0Ic =u 电路2
I Ic 2
1u u =
(12分)[14][
答案]
1．为反相比例运算电路。
O
u
2．为同相比例运算电路，可用跟随器实现。（方案之一）
u O
u 3．电路1：集成运放输入端的共模电压为0。
电路2：集成运放输入端的共模电压为2
I
u 。(6分)[15][答案]I X ＝5mA 时，R 1＝1Ω
k I X ＝0.5mA 时，R 2＝
Ω=-k 90.5mA V
51R ；
I X ＝0.1mA 时，R 3＝
()Ω=+-k 400.1mA V
521R R ；I X ＝50μA 时，R 4＝
()Ω=++-k 500.05mA
V
5321R R R 。(5分)[16][答案]
1．1
2I O 1R R u u A u +==
2．当01=R 时，A 为开环应用，∞→u A 。3．当W 1R R =、02=R 时，1=u A 。（跟随器）
u A 的调节范围为：1～∞。
(5分)[17][答案]1．26
6
1≈+
=u A 2．12
max =u A 091.111
11
1min ≈+
=u A (8分)[18][答案]
1．()0d 1O 0 I O u t u RC u t
+-
=?V
11I +-=t u RC ms
1==RC τ故
ms
20)
1(I
O =--=
u u RC t 2．ms
40=?t ()V 10O -=u V 1I
O -?-
=t RC
u u ＝7V (8分)[19][答案]
1．()0d 1
O 0
I O u t u RC
u t
+-
=?
)0(1
O I u t u RC
+-
=ms
1==RC τ()V
10O =u t ＝20ms
求得V 1O -=u 。2．)1(O I
+-
=u u RC
t ms 40=(8分)[20][答案]
1．()
0d 1
O 0
I O u t u RC u t
+-
=?
t
u RC
I 1-=故ms 10I
O
=-=
u RCu t 2．ms
50=?t ()V 10O -=u ()V 1I
O -+?-
=t RC
u u ＝4V (6分)[21][答案]
()()00d 1
O I
O 0
I O u t RC
u u t u RC
u t
+-
=+-
=?
故()[]Ω
=--
=k 1000O O I C
u u t
u R (8分)[22][答案]
1．()0d 1O 0 I O u t u RC u t
+-
=?t u RC
I 1-=ms
1==RC τ故
ms 10I
O
=-=
u RCu t 2．ms
40=?t ()V 10O =u V 1I
O +?-
=t RC
u u ＝－7V (6分)[23][答案]
()()0d 1
O I
0t 0
I O u t RC
u t u t u RC
u C t
+-
=+-
==?
代入数值计算，得
V
3O -＝u (6分)[24][答案]
()()00d 1
O I
O 0
I O u t RC
u u t u RC
u t
+-
=+-
=?
故()s
1.00I
O O =--
=RC u u u t
(6分)[25][答案]
()()00d 1O I
O 0
I O u t RC
u u t u RC
u t
+-
=+-
=?
故()[]10O O I =--
=R
u u t
u C μF
(8分)[26][答案]
1．???
?
??
++???? ??+-=3I3
2I21
I1564O 1R u R u R u R R R u 2．代入数值，求得
Ω
=k 503R Ω
≈=k 4//////4321P R R R R R (8分)[27][答案]1．?
??? ??++=3I32I21
I1564
O R u R u R u R R R u 2．2i1R R ≈，得Ω=k 502R 。据V 5O -=u ，求得Ω=k 105R 。(8分)[28][答案]
1．???
?
??++???? ??+-=3I32I21I1784O 1R u R u R u R R R u 2．代入数值，求得
Ω
=k 107R (8分)[29][答案]1．?
??? ??++=3I32I21
I1564
O R u R u R u R R R u 2．1i1R R ≈，则Ω=k 501R 。将数值代入O u 式中，求得
Ω
=k 1204R Ω
≈=k 8.12//////43217R R R R R
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？ 模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 “模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。 （3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。 浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题（1） 一、填空（共30分，1分/空） 1、在本征半导体中加入 价元素可形成N 型半导体，加入 价元素可形成P 型半导体。 2、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位：①端为1.5V 、②端为4V 、③端为2.1V ，则①端为 极、②端为 极、②端为 极，该管子为 型。 3、集成运放实际上是一种高性能的直接耦合放大电路。通常由 、 、 和 等四部分组成。 4、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 5、为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈；为了增大放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。 6、电路如图1.1所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V 。填空：电路引入了 (填入反馈组态)交流负反馈，电路的输入电阻趋近于 ，电压放大倍数=f u A 。设V U I 1=，则=O U ；若1R 开路，则O U 变为 V ；若1R 短路，则O U 变为 V ；若2R 开路，则O U 变为 V ；若2R 短路，则O U 变为 V 。 图1.1 7、 比例运算电路的输入电流等于零，而 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 8、当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈 ；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英品体呈 ；其余情况下石英晶体呈 。 9、已知电路如图1.2所示，电路中D 1和D 2管的作用是消除 。 图1.2 10、整流的目的是 ；直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 二、 判断题（20分，1分/题） 1、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ） 2、所有二极管都不能正常工作在击穿区。 （ ） 3、可以说任何放大电路都有功率放大作用。 （ ） 4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （ ） 5、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立。 （ ） 6、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。 （ ） 7、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。 （ ） 8、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （ ） 9、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。 （ ） 10、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。 （ ） 11、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 （ ） 12、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。 （ ） 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA 变为2mA，那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降 UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。 选择一个合适的答案填入空。 （1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈；【】 A.2V B.3V C.6V U ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW， （2）当 i 则输出电压的幅值将；【】 A.减小 B.不变 C.增大 U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大（3）在 i 输入电压，则输出电压波形将；【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 （4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。【】 A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.sodocs.net/doc/911138121.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.sodocs.net/doc/911138121.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.sodocs.net/doc/911138121.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.sodocs.net/doc/911138121.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一 个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.sodocs.net/doc/911138121.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。 学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。 电子电工专业试卷 说明：本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，第Ⅰ卷XXX页，第Ⅱ卷XXX页。两卷满分为100分，考试时间120分钟。Ⅰ卷答案涂在答题卡上，Ⅱ卷答案写在试卷上。 第Ⅰ卷（选择题，共35分） 注意事项： 每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。 一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。） 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（） A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（） 图2 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（） A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) 模拟电子技术基础试卷一附答案 一．（10分）设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出图（a）电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图（b）电路的输出电压V o1。 （a） （b） 二.（10分）放大电路如图所示。已知： R b1=62K，R b2=15K，R s=10K，R c=3K， R e=1K，R L=3K，C1=C2=10μ，C e=220μ， V CC=+15V，β=80，V BE=0.7V。 1.说明电路属于何种组态， 画出该电路的直流通路；（5分） 2.计算该电路的静态工作点。（5分） 3.画小信号等效电路，求电压放大倍数，输入 电阻，输出电阻。 4.说明电路属于何种组态， 三.（18分）放大电路如图所示。已知C足够大，场效应管的参数g m=0.8ms，R2=6.8KΩ，三极管的参数β=50，r be=0.5K，R3=90KΩ，R4=10KΩ，R5=4KΩ，R6=1.5KΩ，R L=4KΩ。 1.画出其小信号模型等效电路。（4分） 2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。（10分） 3.若R s=10K时，计算源电压放大倍数A vs，说明R6对电路频率响应的影响。（4分） 四.（12分）反馈放大电路如图示。 1.判断各电路中级间交流反馈的极性（要求在图上标出反馈极性）。（4分） 2.对于级间交流反馈为负反馈的电路，进一步判断反馈的类型，同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益（写出表达式）。并简单说明电路对输入电阻，输出电阻的影响，对信号源内阻有什么要求？（8分） （a ） （b ） 五.（10分）集成运算放大器构成的运算电路如图示，求电路的输出电压。 1.求出电路（a ）的输出电压。（4分） 2.在电路（b ）中，设t =0时v c =0，此时加入v i =1V ，求t =40ms 时v o =？（6分） （a ） （b ） 六.（10分）电路如图所示，试用相位平衡条件判断哪个能振荡，哪个不能振荡（要 求在电路中应标出i V ，o V ，f V 以及它们的瞬时极性）？对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。 （a ） （b ） 七.（10分）比较器电路如图所示，设运放是理想器件。 1.求门限电压值V th ，并画出比较器的电压传输特性 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4 (120) 1．纯净的半导体叫（）。掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。 A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子 2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。 A．扩散B．漂移C．小D．大 3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。A．双极B．空穴C．单极D．自由电子 4．负反馈放大电路的含义是（）。 A．输出与输入之间有信号通路 B．电路中存在反向传输的信号通路 C．除放大电路之外还有信号通路 D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号 5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB 6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。 A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路 7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。 A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容 8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。 A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强 9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。 A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。 A．带阻B．带通C．低通D．有源 11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。 A．比较B．滤波C．调整 (210) 1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。（） 3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（） 1．设图3-1中二极管、为理想二极管，判断它们是导通还是截止？输出电压= ？（4分）模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章
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