晶闸管技术术语

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电力电子变流技术-模拟题

《电力电子变流技术》模拟题 一简单题 1.晶闸管的串联的目的是什么?存在什么问题? [答案]:当晶闸管的额定电压小于实际要求时,可以用两个以上的同型号器件相串联.由于串联各器件的正向阻断(或反向)特性不同,但却流过相同的漏电流,因而各器件所承受的电压是不相等的. 目的:当晶闸管额定电压小于要求时,可以串联. 问题:理想串联希望器件分压相等,但因特性差异,使器件电压分配不均匀. 2.过电流有几种情况?过流保护常采用什么方法? [答案]:过电流——过载和短路两种情况 常用措施: 快速熔断器,直流快速断路器和过电流继电器 同时采用几种过电流保护措施,提高可靠性和合理性. 3.什么是整流?它与逆变有何区别? [答案]:整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为逆变,它是对应于整流的逆向过程. 4.晶闸管的并联的目的是什么?存在什么问题? [答案]:目的:多个器件并联来承担较大的电流 问题:会分别因静态和动态特性参数的差异而使电流分配不均匀 措施:均流措施 (1)挑选特性参数尽量一致的器件 (2)采用均流电抗器 (3)用门极强脉冲触发也有助于动态均流 (4)当需要同时串联和并联晶闸管时 (5)常采用先串后并的方法联接. 5.快熔对器件的保护方式有哪两种?分别说明用在什么场合. [答案]:全保护和短路保护两种 (1)全保护:过载,短路均由快熔进行保护,适用于小功率装置或器件裕度较大的场合 (2)短路保护方式:快熔只在短路电流较大的区域起保护作用 (3)对重要的且易发生短路的晶闸管设备,或全控型器件(很难用快熔保护),需采用电子电路进行过电流保护.常在全控型器件的驱动电路中设置电子电路过电流保护环节,响应最快. 6.在单相交流调压电路中,当控制角小于负载功率因数角时为什么输出电压不可控? α<时电源接通,如果先触发T1,则T1的导通角θ>180°如果采用窄脉冲触发,当下[答案]:当φ 的电流下降为零,T2的门极脉冲已经消失而无法导通,然后T1重复第一周期的工作,这样导致先触发一只晶闸管导通,而另一只管子不能导通,因此出现失控. 7.试述单相交-交变频电路的工作原理三相交-交变频电路有哪两种接线方式?它们有什么区别?

电力电子题库含答案

1．一型号为KP10-7的晶闸管，U TN= 700V I T(A V)= 10A 。1 2．中间直流侧接有大电容滤波的逆变器是电压型逆变器，交流侧输出电压波形为矩形波。 3．晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是__均压______措施。4．在SPWM的调制中，载波比是载波频率和调制波频率的比值。5．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为换相重叠角。 6．功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。7．三相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是150°。8．三相全控桥电路有 6 只晶闸管，应采用宽脉冲或双窄脉冲才能保证电路工作正常。电压连续时每个管导通120 度，每间隔60 度有一只晶闸管换流。接在同一桥臂上两个晶闸管触发脉冲之间的相位差为180°。 9．型号为KP100-8的晶闸管其额定参数为：额定电压800v，额定电流100 A 。10．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为换相重叠角 11．抑制过电压的方法之一是用_电容__吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。而为抑制器件的du/dt和di/dt，减小器件的开关损耗，可采用接入缓冲电路的办法。 12．在交-直-交变频电路中，中间直流环节用大电容滤波，则称之为电压型逆变器，若用大电感滤波，则为电流型逆变器。 13．锯齿波触发电路由脉冲形成环节、锯齿波的形成和脉冲移相环节、同步环节、双窄脉冲形成环节构成。 14．若输入相电压为U2，单相桥式电路的脉冲间隔= 180 ，晶闸管最大导θ180 ，晶闸管承受的最大电压U dm= 0.9U2 , 整流电压脉动通= m a x 次数m= ; 三相半波电路的脉冲间隔= 120 , 晶闸管最大导通 θ150 ，晶闸管承受的最大电压U dm= 1.17U2 ,整流电压脉动次数= max m= ; 15．GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示：可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管 16．在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角大于30°时，输 出电压波形出现负值，因而常加续流二级管。 17．三相电压型逆变电路基本电路的工作方式是180°导电方式，设输入电压为U d，输出的交流电压波形为矩形，线电压宽度为180°其幅值为U d；相电压宽度为120°，幅值为2/3 U d。 二、判断题 1．各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。(× ) 2．对于门极关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，而当门极

电力电子技术 复习题答案

第二章： 1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若 du/dt过大，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若di/dt过大，会导致晶闸管_损坏__。 2.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有电力晶体管、可关断晶闸管、 功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管几种。简述晶闸管的正向伏安特性 答: 晶闸管的伏安特性 正向特性当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。 3.使晶闸管导通的条件是什么 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 4.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管 （GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于半控型器件的是 SCR 。 5.晶闸管的擎住电流I L 答：晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。 6.晶闸管通态平均电流I T(AV) 答：晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 7.晶闸管的控制角α（移相角） 答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。

技术分析常用术语

技术分析常用术语 Corporation standardization office #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8

《证券投资学》参考资料 技术分析常用术语 1开盘价：当天的第一笔交易成交价格 2 收盘价：当天的最后一笔交易成交价格 3 最高价：当天的最高成交价格 4 最低价：当天的最低成交价格 5 多头：在一个时间段内看好股市者 6 空头：在一个时间段内看跌股市者 7 高开：今日开盘价在昨日收盘价之上 8 平开：今日开盘价与昨日收盘价持平 9 低开：今日开盘价在昨日收盘价之下 10 套牢：买入股票后，股价下跌，如果抛出则出现亏损 11 趋势：股价在一段时间内朝同一方向运动，即为趋势 12 涨势：股价在一段时间内不断朝新高价方向移动 13 跌势：股价在一段时间内不断朝新低价方向移动 14 盘整：股价在有限幅度内波动 15 压力点，压力线：股价在涨升过程中，碰到某一高点（或线）后停止涨升或回落，此点（或线）称为压力点（或线） 16 支撑点，支撑线：股价在下跌过程中，碰到某一低点（或线）后停止下跌或回升，此点（或线）称为支撑点（或线） 17 突破：股价冲过关卡或上升趋势线 18 跌破：股价跌到压力关卡或上升趋势线以下 19 反转：股价朝原来趋势的相反方向移动分为向上反转和向下反转 20 回挡：即股价下跌 21 探底：寻找股价最低点过程，探底成功后股价由最低点开始翻升 22 底部：股价长期趋势线的最低区域 23 头部：股价长期趋势线的最高区域 24 高价区：多头市场的末期，此时为中短期投资的最佳卖点 25 低价区：多头市场的初期，此时为中短期投资的最佳买点 26 买盘强劲：股市交易中买方的欲望强烈，造成股价上涨 27 卖压沉重：股市交易中持股者争相抛售股票，造成股价下跌 28 骗线：操盘手利用市场心理，在趋势线上做手脚，使投资者作出错误的决定 29 超买：股价持续上升到一定高度，买方力量基本用尽，股价即将下跌 30 超卖：股价持续下跌到一定低点，卖方力量基本用尽，股价即将回升

电力电子变流技术课后答案解析第1章

第一章 电力半导体器件 习题与思考题解 1-1．晶闸管导通的条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关断？ 解：晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。导通后的晶闸管管压降很小。 使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流 ＩＨ以下。其方法有二： １）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压； ２）增加负载回路中的电阻。 1-2．型号为KP100-3的晶闸管，维持电流I H =4mA ，使用在题1-2图中的电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？ 解：根据机械工业部标准JB1144-75规定，ＫＰ型为普通闸管，KP100-3的晶闸管，其中100是指允许流过晶闸管的额定通态平均电流为100A ，3表示额定电压为300V 。 对于图(a)，假若晶闸管V 被触发开通，由于电源为直流电源，则晶闸管流过的最大电流为 ()mA I V 210500100 3 =?= 因为I V < I H ，而I H < I L ，I L 为擎住电流，通常I L =(2~4) I H 。可见，晶闸管流过的最大电流远小于擎住电流，所以，图(a)不合理。 对于图(b)，电源为交流220V ，当α=0°时，最大输出平均电压 9922045.045.02=?=≈U U d （Ｖ） 平均电流 9.910 99 === R U d VAR I (A)

波形系数 57.1≈= VAR V f I I K 所以， ＩＶ＝K f 。ＩＶＡＲ＝1.57×9.9＝15.5(A) 而KP100-3允许流过的电流有效值为I VE ＝1.57×100＝157(A)， I L < I V 300(V) 所以，图(b)不满足电压指标，不合理。 对于图(c)，电源为直流电源，Ｖ触发导通后，流过Ｖ的最大电流为I V ＝150／1＝150(A),即为平均值，亦是有效值。而I VE ＝150A ，I V ＝150(A)<157（A ），即I L < I V

通信网络常用技术术语解释

专业类别：动力与环境（66条） 【英文缩写】ATS 【中文名称】自动转换开关 【中文解释】它具有更好的灵活性、可靠性，更高的分断能力和更高的选择性，但体积保持不变，具有手动，遥控转换装置.在通信局（站）电源系统中，ATS开关有三种应用：即二路市电电源在低压供电系统上的切换、市电与备用发电机组供电系统的切换、电力机房交流引入电源的切换。二路电源切换的开关间应具有机械和电气连锁功能，以确保设备、供电及人身的安全。 【所属专业】动力与环境 【英文缩写】DC—DC 【中文名称】直流一直流变换器 【中文解释】直流一直流变换器是一种将直流基础电源转变为其他电压种类的直流变换装置。目前通信设备的直流基础电源电压规定为－48V，由于在通信系统中仍存在－24V（通信设备）及±12V、±5V（集成电路）的工作电源，因此，需要将-48V基础电源通过直流—直流变换器变换到相应电压种类的直流电源。 【所属专业】动力与环境 【英文缩写】SPD 【英文全称】（Surge Protective DeviceS , SPD） 【中文名称】电涌保护器 【中文解释】过电压保护器件又叫电涌保护器，是用于各类通信系统对各种雷电电流、操作过电压等进行保护的器件。它由气体放电管、放电间隙、MOV （氧化物压敏电阻）、SAD （半导体放电管）、齐纳二极管、滤波器、保险丝等元件组成。 【所属专业】动力与环境 【英文缩写】UPS 【英文全称】Uninterruptible Power Syste 【中文名称】UPS电源 【中文解释】交流不间断电源设备有逆变器和UPS两种，小容量设备可采用逆变器或UPS，大容量设备一般都采用UPS。UPS电源不仅能提供不间断的交流电源，还具备对交流市电电源进行净化的功能。UPS电源广泛应用于计算机机房、数据（网管）中心等场所。在电信网络中，UPS电源设备主要用于为数据网络设备、智能网设备、支撑系统、增值业务系统、网管系统等供电。UPS电源主要由7部分组成，即输入整流滤波电路、功率因数校正电路、蓄电池组、充电电路、逆变器电路、静态开关电路、控制监测显示及保护电路。【所属专业】动力与环境 【英文缩写】VRLA 【中文名称】阀控式密封蓄电池 【中文解释】阀控式密封蓄电池是在普通的防酸隔爆式铅酸蓄电池的基础上，从材料、结构、工艺诸方面进行改进的一种新型电池。目前在直流供电系统中应用比较广泛。阀控式铅酸蓄

电力电子变流技术(下)题库

《电力电子变流技术》机械工业出版社命题人王翠平 第六章晶闸管的串并联和保护 知识点： ●晶闸管的串联 ●晶闸管的并联 ●晶闸管的过电压保护 ●晶闸管的过电流保护 一、填空题 1、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 2、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。 3、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可） 4、在电力晶闸管电路中，常用的过电流保护有快速熔断器；电路串电抗器；过流时快速移相；和直流快速开关等几种。 5 、和门极G。 6、晶闸管的导通条件阳极加正电压、门极加正向电压；关断条件是阳极电流大于掣住电流、阳极电流小于维持电流或加反向电压。 7、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。8、晶闸管的过电流能力比较差，必须采用保护措施，常见的快速熔断器、过流继电器、直流快速开关、、限流与脉冲移相保护。 二、判断题 1、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×） 2、晶闸管并联使用时，必须注意均压问题。（×） 3、两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而

采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。（√） 4、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√） 5、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×） 6、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×） 7、晶闸管一旦导通，门极没有失去控制作用。（×） 8、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。× 9、双向晶闸管额定电流的定义，与普通晶闸管的定义相同。（√） 10、逆变角太小会造成逆变失败。（√） 11、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。（√）、 三、简答题 1、抑制过电压的方法有几种？分别是什么？ 2、晶闸管装置发生过电流的原因有哪些？可以采用那些过电流保护措施？ 第七章自关断器件 知识点： 1、掌握GTR 、电力MOSFET 、GTO 、IGBT 、MCT 、SIT 、SITH 的工作原理。 2、掌握GTR 、电力MOSFET 、GTO 、IGBT 、MCT 、SIT 、SITH 的电气符号 3、掌握GTR 、电力MOSFET 、GTO 、IGBT 、MCT 、SIT 、SITH 的开关特性、参数。 4、了解GTR 、电力MOSFET 、GTO驱动电路、缓冲电路。 二、填空题 1、目前常用的电力晶体管有: 单管GTR 、达林顿管、 GTR模块。 2、电力晶体管的三个极分别为：发射极、集电极、基极。 3、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用__快速恢复______ 型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 4、动态特性描述GTR的开关过程的瞬态性能，又称开关特性。 5、GTR能够安全运行的范围称为安全工作区。 6、功率场效应晶体管的三个极分别为栅极、源极、漏极 7、、功率场效应晶体管的导电沟道分为N沟道和P沟道。 8、功率MOSFET的保护分为静电保护和工作保护 9、过电压保护措施主要是利用缓冲电路抑制过电压的产生。 10、IGBT缓冲电路，也称为吸收电路。 11、MOS控制晶闸管是一种单极型和双极型组合而成的复合器件。 12、MCT的三个极分别为：阳极、阴极、门极

电力电子变流技术课后答案第2章

第二章 单相可控整流电路 习题与思考题解 2-1．什么是整流？它是利用半导体二极管和晶闸管的哪些特性来实现的？ 解：整流电路是一种AC ／DC 变换电路，即将交流电能变换为直流电能的电路，它是利用半导体二极管的单向导电性和晶闸管是半控型器件的特性来实现的。 2-2．某一电热装置（电阻性负载），要求直流平均电压为75V ，电流为20A ，采用单相半波可控整流电路直接从220V 交流电网供电。计算晶闸管的控制角α、导通角θ、负载电流有效值，并选择晶闸管。 解：(1)整流输出平均电压 Ｕd = ?π α ωωπ 22).(.sin 221t td U = ?π α ωωπ ).(.sin 2212t td U = 2cos 145.02cos 12 2 2ααπ+≈??? ??+U U cos α= 5152.01220 45.0752145.022=-??=-U U d 则 控制角α≈60° 导通角θ=π-α=120° (2).负载电流平均值 I d = R U d =20(A) 则 R ＝U d ／I d ＝75／20=Ω 负载电流有效值I ，即为晶闸管电流有效值I V1，所以 I =I V1=()???? ? ??π αωωπt d t R U 2 2sin 221=π α παπ22sin 412-+R U ＝(A) (3).当不考虑安全裕量时 I V1=k fe I VEAR = 则晶闸管通态平均电流 I VEAR =I V1 /= /=(A) 晶闸管可能承受的最大正反向电压为 311220222≈?= U (V) 所以，可选择额定通态平均电流为30A 、额定电压为400V 的晶闸管。 按裕量系数2，可选择额定通态平均电流为50A 、额定电压为700V 的晶闸管。

电力电子第二讲晶闸管

2.3 半控型器件—晶闸管 全称晶体闸流管，又称可控硅整流器（SCR）。 1、晶闸管的结构与工作原理 晶闸管结构图、双晶体管模型图、工作原理图和符号图如图1所示，晶闸管的管芯是P1N1P2N2四层半导体，形成3个PN结J1、J2和J3。可等效为PNP和NPN两个三极管。 图1 晶闸管结构图、双晶体管模型图、工作原理图和符号图 晶闸管的工作原理是：门极电流I G↑→I b2↑→I c2(I b1)↑→Ic1↑→I K↑，阳极A、阴极K饱和导通。 2、晶闸管工作特点是： （1）承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 （2）承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 （3）晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 （4）要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 3、闸管静态特性 晶闸管静态V-I特性曲线图如图2所示。 图2 晶闸管静态V-I特性曲线图 （1）正向特性：I G=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。正向电压超过正向转折电压U bo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 （2）反向特性：反向特性类似二极管的反向特性。反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 4、动态特性 晶闸管的开通和关断过程波形如图3所示。 图3晶闸管的开通和关断过程波形 （1）开通过程：延迟时间t d：0.5~1.5?s。上升时间t r：0.5~3?s。开通时间t gt：以上两者之和，t gt=t d+ t r。 （2）关断过程：反向阻断恢复时间t rr，正向阻断恢复时间t gr，关断时间t q是以上两者之和t q=t rr+t gr。普通晶闸管的关断时间约几百微秒。 5、晶闸管的主要参数 （1）电压定额 断态重复峰值电压U DRM：在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。

电力电子技术复习提纲

《电力电子技术》复习提纲 期末考试： 总成绩分配比例：平时10%+实验20%+期末70% 题型：填空、简答、计算、分析题（1308、1309） 第一章绪论 本章要点：1、电力电子技术概念。 2、电力变换的种类。 1电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。 2 电力变换的种类： （1）交流变直流AC-DC：整流 （2）直流变交流DC-AC：逆变 （3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现 （4）交流变交流AC-AC：一般称作交流电力控制 3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术 4.电力电子技术的诞生1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管，1904年出现电子管，1947年美国著名贝尔实验室发明了晶体管。 5 电子技术分为信息电子技术与电力电子技术。信息电子技术主要用于信息处理，电力电子技术主要用于电力变换。 第2章电力电子器件 本章要点：1、电力电子器件的分类。 2、晶闸管的基本特性和主要参数（额定电流和额定电压的确定）。 3、全控型器件的电气符号。 复习参考：P42 2、3、4 1、电力电子器件一般工作在开关状态。 2、通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。 3、电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。 4、按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。 5、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。 6、属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET，属于双极型器件的有电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR，属于复合型电力电子器件得有IGBT ；在可控的器件中，容量最大的是晶闸管，工作频

镇流器电子镇流器的常用术语

1、镇流器（安定器）损失值（Ballast Loss） 这一数值代表电子镇流器（电子安定器）本身所消耗的能源转换成热能而非光能，此数值可由总输出功率减去全部灯管所消耗的功率，一般而言，传统40W 双灯之镇流器约消耗2 2W，而电子镇流器约为7W。 2、光输出比值（Ballast Factor） 这一数值可以看出使用电子镇流器光输出的相对效果，其值是由测得电子镇流器的光输出值，除以标准镇流器点灯下的光输出值，所求得百分比，一般而言，此一数值愈高，代表光输出效果愈佳，对电子镇流器而言，不得小于0.9，但也有为专门强调高输出值而设计的电子镇流器，其光输出比值可高达1.18至1.28 。 3、镇流器效率值（Ballast Efficacy Factor） 这一数值可同光输出比值（Ballast Factor）除以镇流器输入功率值（Input Power），在美国市场卖方通常以这一数值，来衡量比较各家电子镇流器效率的优劣，这一数值愈高， 代表电子镇流器的效率愈佳。 4、波峰比（Crest Factor） 也叫波高率，此一数值大小对灯管的寿命有直接并且攸关的冲击，绝大多数的灯管厂商建议此一数值最好小于1.7，过高的数值容易造成灯管黑化，降低灯管的使用寿命，而波峰比的定义是指使用电子镇流器对日光灯管点灯时，所产生的峰值电流除以平均电流而求得。 5、功率因素（Power Factor） 这一数值可以表示电子镇流器将外界输入电压和电流转换成可供使用功率的效率值，功率因素值愈高，峄供应电力系统之公司（指电力公司）十分有利，国外的电力公司为鼓励消费者使用高功率因素的电子镇流器，比采用补贴政策，但是一般消费者以为PF值愈高愈省电，这是一种错误的观念，其实省电的多少和PF值没有关联。 6、总谐波（Total Harmonic Distortion） 一般三相式供电系统频率周期（50/60HZ）3的倍数（3、6、9、12）容易对交流电的正弦波造成扭曲，导致引起不当的大电流，对电器设备有所伤害。对电子镇流器而言，各国安规皆有明确规定总谐波（Total Harmonic Distortion，THD）值必须小于一特定值，欧洲I EC、美国ANSI、台湾CNS、日本JIS规定THD值必须小于33%，但是在美国市场上将电子镇流器分成二种等级，THD小于20%一个等级，以及THD小于20%一个等级。一般而言，在大量使用电脑声所或者使用精密电子仪器或设备的场所，应该使用较严谨或较低的THD值。 7、并联式、串联式回路（Parallel vs Series Circuit） 当一颗电子镇流器可以同时点亮2只灯管，此时会牵涉到并联式或者串联式回路，如果其中一技灯管发生故障，另外一枝灯管马上跟着熄灭，其设计上属于串联式设计，如果另外一只灯管还继续亮着，则其设计上属于并联式设计。一般而言，并联式需要2组单独回路，

技术术语100个问与答

技术术语100个问与答 1．什么称为数控加工？ 答：根据被加工零件图样和工艺要求，编制成以数码表示的程序输入到机床的数控装置或控制计算机中，以控制工件和工具的相对运动，使之加工出合格零件的方法。 2．什么称为原材料？ 答：投入生产过程以创新产品的物质。 3．什么称为主要材料？ 答：构成产品实体的材料。 4．什么称为辅助材料？ 答：在生产中起辅助作用而不构成产品实体的材料。 5．什么称为代用材料？ 答：在使用功能上能够代替原设计要求的材料。它具有被代替材料所具备的全部或主要性能。6．什么称为易损材料？ 答：在正常使用条件下，容易损坏或失效的材料。 7．什么称为废料？ 答：在制造某种产品过程中，剩下的而对本生产对象不再有用的材料。 8．什么称为型材？ 答：金属或非金属材料通过拉制、轧制或压制等方法所获得的具有特定几何形状截面的材料。9．什么称为板材？ 答：金属或非金属材料通过轧制或压制等方法而获得的各种不同厚度的板状材料。 10．什么称为棒材？ 答：金属或非金属材料通过拉延、轧制工艺获得的圆、方、六角形截面的材料。 11．什么称为铸件？ 答：将熔融金属浇入铸型，凝固后所得到的金属制件或毛坯。 12．什么称为锻件？ 答：金属材料经过锻造变形而得到的工件或毛坯。 13．什么称为焊接件？ 答：用焊接方法而得到的结合件。 14．什么称为模压件？ 答：利用模具压制的工件。 15．什么称为冲压件？ 答：用冲压的方法制成的工件或毛坯。 16．什么称为合格品？ 答：通过检验质量特性符合标准要求的制品。 17．什么称为不合格品？ 答：通过检验,质量特性不符合标准要求的制品。 18．什么称为废品？ 答：不能修复又不能降级使用的制品。 19．什么称为返修品？ 答：通过修复或重行加工，质量特性符合标准要求的制品。 20．什么称为样品？ 答：用于材料试验分析，产品质量对照及商品宣传的单个或多个物品。

现代电力电子及变流技术(A)

东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 现代电力电子及变流技术试 卷（作业考核 线下） A 卷 答案1027888482 一、单选题（每题2分，共10分） 1. 晶闸管的额定电流是以（ ）的形式定义的。 A.电流峰值 B.电流有效值 C.电流平均值 D.电流瞬时值 2. （ ）是电流控制型电力电子器件。 A.GTR 、SITH B.TRIAC 、GTR C.P-MOSFET 、IGBT D.GTO 、MCT 3. 晶闸管变流电路逆变工作时，（ ）。 A. 90≤α B. 90>α C ． 180>α D ． 90>β 4. 场效应管三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极； B.第一基极，发射极，第二基极； C.源极，栅极，漏极； D.阴极，门极，阳极。 5. 120°导电型交-直-交电流变频器，任意时刻有（ ）导通。 A. 一只开关管 B. 两只开关管 C. 三只开关管 D. 四只开关管 二、多选题（每题3分，共15分） 1. 全控型电力电子器件有（ ）。 A. Thyristor 、GTR 、P-MOSFET 、IGBT B. GTR 、P-MOSFET 、IGBT 、IGCT C. IGBT 、MCT 、GTR 、GTO D. Power Diode 、MCT 、GTO 、IGBT 2. 晶闸管导通的条件是（ ）。 A. 阳极电位高于阴极电位 B. 在控制极施加对阴极为正的且满足要求的触发脉冲 C. 阴极电位高于阳极电位 D. 在控制极施加对阳极为正的且满足要求的触发脉冲 3. 交流调功电路（ ）。 A. 通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率； B. 靠改变移相触发角来改变输出功率； C. 将电源接通几个周波，再断开几个周波； D. 每个周期的控制触发角固定不变。 4. 三相桥式全控整流电路，自然换相点是（ ）。 A. 三相电源线电压的过零点 B. 三相电源相电压正半周波形的交点 C. 三相电源相电压负半周波形的交点 D. 三相电源线电压正半周波形的交点

电力电子 填空

1、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在__开关_______状态。当器 件的工作频率较高时，_开关______损耗会成为主要的损耗。 2、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为___载波比__________，当它 为常数时的调制方式称为_同步________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为__分段同步调制__________调制。 3、面积等效原理指的是，_冲量________相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性 的环节上时，其效果基本相同。 4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_______，单管输出功 率最大的是_____________，应用最为广泛的是___IGBT________。 5、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反 向电压为电源线电压的峰值，即根号6 ，其承受的最大正向电压为根号2 。 6、逆变电路的负载如果接到电源，则称为有源逆变逆变，如果接到负载，则称 为无源逆变。 7、___GTR______存在二次击穿现象，____IGBT________存在擎住现象。 8、功率因数由和这两个因素共同决定 的。 9、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压_ 措施。 10、同一晶闸管，维持电流I H 与掣住电流I L 在数值大小上有I L _（2~4）I H 。

11、电力变换通常可分 为：AC-DC 、AC-AC 、DC-DC 和DC-AC 。 12、在下图中，_V1______和__VD1______构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作 于第1象限；V2___和__VD2_____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能 转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于_第2___象限。 13、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT 是MOSFET 和GTR 的复 合管。 14、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功 率、触发前沿要陡幅值要 高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同 步。 15、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方是串专用均流电 抗器。

实验一调光台、调光器的使用

实验一调光台、调光器的使用 一、实验目的 1、了解演播厅灯光知识 2、了解掌握调光台、调光器的的原理 3、掌握调光台、调光器的的设备连接和操作使用 二、实验原理 （一）演播厅灯光知识 演播室的灯具的配置：1．以冷光源为主，灯体采用铝型材所制，重量轻，发光面积大,光线柔和.阴影谈化。不眩目,不刺眼.长时间拍摄室内温度不升高.寿命长，灯管寿命不低于一万小时. 2．冷光聚光灯,光学设计合理，光效高、重量轻、散热性能好,灯具冲压成型,耐高温喷塑工艺。采用新型大螺纹透镜，高纯铝金属反光碗，光洁度达到国际水平，永不老化.变色.压弹式灯泡插座，换灯泡方便，安全可靠，灯具散热性能好。 悬挂部分：1．主、副轨采用铝合金“工”字轨,重量轻，承重性能好,移动无噪音,不导磁.是演播室首选悬挂器材. 2．万向滑车、灯具滑车采用铝合金材料。滑轮采用承重轴承，移动灵活方便,万向滑车可360度旋转、滑动.可将灯具任意调整。 布光部分：轮廓光、面光、侧光、背景光 （二）调光台、调光器 调光台走灯原理：由运放接成施密特门再接成多谐振荡器产生走灯脉冲，脉冲送入计数器CD4028，计数器再产生移位脉冲，形成走灯效果。 调光台输出原理：线性混合电路能将走灯信号、分控信号、点控信号叠加，按“输出电压大者优先输出”原则加入运放的正确输入端，进行混合，因运放的输入阻抗无穷大，减少了信号经二极管隔离后的非线性影响，等效于线性混合。运放还有电流放大作用，信号经放大后输出。 调光器原理：模拟调光台所发出的模拟信号，经传输电缆送至本机模拟信号输入座，通过触发电源板形成触发脉冲后，使得输出模块产生随输入信号幅值而变化的输出，从而驱动与玻璃钢输出座相连的负载灯具。 三、实验仪器 HDL-3006调光台1台，HDL-调光器1台，演播厅灯光设备1套（轮廓光、面光、侧光、背景光），连接线若干，220V交流电等。 四、实验步骤 1、确认交流电源是关闭的。 2、调光台的连接和使用（见HDL-3006调光台说明书3-4） 3、调光器的连接和使用（见HDL-3006DS（N）调光台说明书6-8） 五、实验心得

DAC和ADC的56个常用技术术语解析

采集时间 采集时间是从释放保持状态（由采样-保持输入电路执行）到采样电容电压稳定至新输入值的1 LSB范围之内所需要的时间。采集时间（Tacq）的公式如下： 混叠 根据采样定理，超过奈奎斯特频率的输入信号频率为“混叠”频率。也就是说，这些频率被“折叠”或复制到奈奎斯特频率附近的其它频谱位置。为防止混叠，必须对所有有害信号进行足够的衰减，使得ADC不对其进行数字化。欠采样时，混叠可作为一种有利条件。 孔径延迟 ADC中的孔径延迟（tAD）是从时钟信号的采样沿（下图中为时钟信号的上升沿）到发生采样时之间的时间间隔。当ADC的跟踪-保持切换到保持状态时，进行采样。 孔径抖动 孔径抖动（tAJ）是指采样与采样之间孔径延迟的变化，如图所示。典型的ADC孔径抖动值远远小于孔径延迟值。

二进制编码（单极性） 标准二进制是一种常用于单极性信号的编码方法。二进制码（零至满幅）的范围为从全0 （00.。.000）到全1的正向满幅值（11.。.111）。中间值由一个1 （MSB）后边跟全0 （10.。.000）表示。该编码类似于偏移二进制编码，后者支持正和负双极性传递函数。 双极性输入 术语“双极性”表示信号在某个基准电平上、下摆动。单端系统中，输入通常以模拟地为基准，所以双极性信号为在地电平上、下摆动的信号。差分系统中，信号不以地为基准，而是正输入以负输入为参考，双极性信号则指正输入信号能够高于和低于负输入信号。 共模抑制（CMRR） 共模抑制是指器件抑制两路输入的共模信号的能力。共模信号可以是交流或直流信号，或者两者的组合。共模抑制比（CMRR）是指差分信号增益与共模信号增益之比。CMRR通常以分贝（dB）为单位表示。 串扰（Crosstalk） 串扰表示每路模拟输入与其它模拟输入的隔离程度。对于具有多路输入通道的ADC，串扰指从一路模拟输入信号耦合到另一路模拟输入的信号总量，该值通常以分贝（dB）为单位表示；对于具有多路输出通道的DAC，串扰是指一路DAC输出更新时在另一路DAC输出端产生的噪声总量。 微分非线性（DNL）误差 对于ADC，触发任意两个连续输出编码的模拟输入电平之差应为1 LSB （DNL = 0），实际电平差相对于1 LSB的偏差被定义为DNL。对于DAC，DNL误差为连续DAC编码的理想与实测输出响应之差。理想DAC响应的模拟输出值应严格相差一个编码（LSB）（DNL = 0）。（DNL指标大于或等于1LSB保证单调性。）（见“单调”。）

调光设备常用术语-中华人民共和国文化部

中华人民共和国文化行业标准 WH／T0203—96 调光设备常用术语 1996—02—06发布1996—07—01实施 中华人民共和国文化部发布

前言 本标准根据国家标准GB／T1.1—1993《标准化工作导则》及GB10112-88《确立术语的一般原则与方法》原则制订，同时参照了我国有关国家标准，作了必要、适当的规定及补充。 本标准主要供制订技术标准、编制技术文件、编写和翻译专业手册、教材、书刊及专业人员、设备制造单位使用。 本标准的附录A、附录B、附录C都是标准的附录。 本标准由中华人民共和国文化部提出并归口。 本标准由浙江舞台电子技术研究所、文化部舞台电子设备检测所负责起草。 本标准主要起草人：俞健张霞鲁星詹有根

中华人民共和国文化行业标准 WH／T 0203—96 调光设备常用术语 1 主题内容与适用范围 本标准规定了调光设备的常用术语。 本标准适用于舞台、演播室、摄影棚、娱乐场所等使用场合的调光设备。其它使用场合的调光设备也可参照执行。 2 引用标准 GB／T 13582—92 电子调光设备通用技术条件 GB／T 14218—93 电子调光设备性能参数与测试方法 GB／T 2900.33—94 电工名词术语变流器 GB 15734—1995 电子调光设备无线电骚扰特性限值及测量方法 3 术语 3.1 一般术语 3.1.1 调光器dimming equipment 在控制信号作用下，能实现灯光亮度变化的装置。 3.1.2 调光柜dimmer rack 调光器的柜式组合。 3.1.3 控制台console 向调光器输出控制信号。进行调光控制的工作台。 3.1.3.1 手动控制台manual console 以段控或开关式编组为控制方式的灯光控制台。 3.1.3.2 微机控制台memory console 以中央处理器(CPU)和微处理器(MPU)为控制核心，用各类微存储器记忆编排内容的灯光控制台。 3.1.4 控制信号control signal 设备控制部分馈给调光器的信号。 3.1.5 控制回路control channel 独立变化控制信号的最小单元，简称通道。 3.1.6 调光回路dimmer 在控制信号作用下，能实现调光的独立功率输出回路，简称回路。 3.1.7 亮度level 控制回路输出电压的比率。 3.1.8 模拟调光analogue dimming 受模拟信号控制进行灯光控制的方式。 3.1.9 数字调光digital dimming 受数字信号控制，以数字方式进行触发的灯光控制方式。 3.1.10 组group 若干具有相同亮度的控制回路组成的一个调光集合。 3.1.11 集submaster 中华人民共和国文化部1996—02—06批准1996—07—01实施

电信技术名词解释：什么是SDH

电信技术名词解释：什么是SDH https://www.sodocs.net/doc/9217214032.html, 2004年07月15日 18:40 新浪科技 信息高速公路近来已成为人们的热门话题。到21世纪，人们借助与信息高速公路，可以在家中完成各种日常活动。而构成信息高速公路的最基本单元——公路——就将由SHD设备构成。 ——SDH(SynchronosDigitalHierarchy)是一种新的数字传输体制。它将称为电信传输体制的一次革命。 ——我们可将信息高速公路同目前交通上用的高速公路做一个类比：公路将是SDH 传输系统(主要采用光纤作为传输媒介，还可采用微波及卫星来传输SDH)信号，立交桥将是大型ATM交换机SDH系列中的上下话量复用器(ADM)就是一些小的立交桥或叉路口，而在“SDH高速公路”上跑的“车”，就将是各种电信业务(语音、图像、数据等)。 ——SDH技术同传统的PDH技术相比，有下面几个明显的优点： ——1、统一的比特率： ——在PDH中，世界上存在着欧洲、北美及日本三种体系的速率等级。而SDH中实现了统一的比特率。此外还规定了统一的光接口标准，因此为不同厂家设备间互联提供了可能。 ——2、极强的网管能力： ——在SDH帧结构中规定了丰富的网管字节，可提供满足各种要求的能力。 ——3、自愈保护环： ——在SDH设备还可组成带有自愈保护能力的环网形式，这样可有效地防止传输媒介被切断，通信业务全部终止的情况。 ——4、SDH技术中采用的字节复接技术： ——若把SDH技术与PDH技术的主要区别用铁路运输类比一下的话，PDH技术如同散装列车，各种货物(业务)堆在车厢内，若想把某一包特定货物(某一项传输业务)在某

电力电子变流技术

电力电子技术试题（第一章） 一、填空题 1、普通晶闸管内部有PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。 1、两个、阳极A、阴极K、门极G。 2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。 2、正向、触发。 3、、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。 3、阻断、导通、阻断。 4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为，50表示，7表示。 4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。 5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。 5、维持电流。 6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会。 6、减小。 7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。 7、电阻、电感、反电动势。 8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。 8、减小、并接、续流二极管。 9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。要求管子的额定电流值要些。 9、小、脉冲、小、大。 10、单结晶体管的内部一共有个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是极、极和极。 10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。 11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止。 11、峰点、谷点。 12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。 12、同步、时刻。 13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。 13、正弦波、锯齿波。 14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。 14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。 15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。 15、关断过电压。 16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。 16、硒堆、压敏电阻。 16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫。 16、快速熔断器。 二、判断题对的用√表示、错的用×表示（每小题1分、共10分） 1、普通晶闸管内部有两个PN结。（×） 2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。（×） 3、型号为KP50—7的半导体器件，是一个额定电流为50A的普通晶闸管。（） 4、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。（×） 5、只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（×） 6、晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。（√） 7、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。（×） 8、单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。（×） 9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。（×） 10、增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。（×） 11、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。（√） 12、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。（×） 13、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。（×） 14、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。（×） 15、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。（√）