cadence画版图快捷键总结

cadence快捷键总结

2009-03-28 11:10

Cadence版图布局软件Virtuso Layout Editor快捷键归纳(也就是Virtuso中说的Bindkey)

写在前面：以下我所归纳的快捷键是我在版图培训时通过阅读Cadence帮助文件和菜单命令一个个试出来的，有些我只知道作用而暂时想不到相应的中文翻译。还有一些快捷键帮助文件中有，但我试了没用，可能是要在Unix下吧^_^。希望对学版图设计的有所帮助吧。有不妥的地方还请多多指教啊。

首先介绍下鼠标操作吧。

单击左键选中一个图形(如果是两个图形交叠的话，单击左键选中其中一个图形，再单击选中另一个图形)

用左键框选，选中一片图形，某个图形要被完全包围才会被选中。

中键单击调出常用菜单命令(很少用，要点两下，麻烦。我们有快捷键的嘛)右键点击拖放用来放大。放大后经常配合F键使用，恢复到全部显示。配合Tab 键使用，平移视图。右键还有“Strokes”，就是点住右键画些图线，就能实现调用某些命令。

Shift+左键加选图形，Ctrl+左键减选图形。(Cadence菜单中大写表示+按shift，Ctrl写成^)

F1显示帮助窗口。

F2保存。

F3这个快捷键很有用，是控制在选取相应工具后是否显示相应属性对话框的。比如在选取Path工具后，想控制Path的走向，可以按F3调出对话框进行设置。

F4英文是TogglePartialSelect，就是用来控制是否可以部分选择一个图形。

F5打开。

F6，F7帮助上有，但我试过，没反应-_-!!!

F8 Guided Path Create切换至L90XYFirst。

F9是Filter Size我不知道怎么用。

Ctrl+A全选。这个和windows下是一样的。

Shift+B Return。这个牵扯到“Hierarchy”。我翻译成“等级”。这个命令就是等级升一级，升到上一级视图。

B键去某一级(Go to Level)。

Ctrl+C中断某个命令，不常用。一般多按几次Esc键取消某个命令。

Shift+C裁切(Chop)。首先调用命令，选中要裁切的图形，后画矩形裁切。

C键复制。复制某个图形。

Ctrl +D取消选择。这个也可用鼠标点击空白区域实现。这个快捷键和Photoshop中的取消选区的快捷键是一样的。还有Shift+D，和D也是取消选择，我觉得很不实用。

Shift+E和E是控制用户预设的一些选项。

Ctrl+F显示上层等级Hierarchy。Shift+F显示所有等级。

F键满工作区显示。就是显示你所画的所有图形。

Ctrl+G(Zoom To Grid)。

G这个快捷键是开关引力(Gravity)的。Gravity我觉得和AutoCAD里的吸附Snap差不多，就是会吸附到某些节点上去。有时候这个Gravity是很讨厌的，总是乱吸附，这时可以点击G键关闭Gravity，操作完成后再打开。

I键插入模块(Instance)。

Shift+K清除所有标尺。要清除的话总是要清除所有标尺，这个让人很不爽。

K键标尺工具。Ruler

L键标签工具。Label。标签要加在特定的text层上，这个有些人总忘记。

Shift+M合并工具。Merge

M键移动工具。Move。点选Move工具后，选中要移动的图形，然后在屏幕上任意一处单击一下，这个就是确定移动的参考点，然后就可以自由移动了。

这个也可以通过鼠标先选中一个图形，移动鼠标当鼠标箭头变成十字方向的时候就可以拖动来实现。

Ctrl+N，Shift+N和N是控制走向的。

Ctrl+N先横后竖。L90XFirst

Shift+N直角正交。Orthogonal

N键斜45对角+正交。Diagonal

Shift+O旋转工具。Rotate

O键插入接触孔。Create Contact

Ctrl+P插入引脚。Pin

Shift+P多边形工具。Polygon

P键插入Path，我翻译成“路径”。有人翻译成“管道”。这些最后都要Convert to Polygon的。

Shift+Q打开设计属性对话框。选中一个图形先。

Q键图形对象属性。这个实用。经常用来更改图形属性。也是选中一个图形先。

Ctrl+R是Redraw重画。

Shift+R是Reshape重定形。就是在原来的图形上再补上一块图形。

R键矩形工具。Rectangle应该是用的最多的工具了吧。

Ctrl+S是Split。我翻译成“添加拐点”。就是配合Stretch命令可以是原来直的Path打弯。

Shift+S是Search查找。

S键拉伸工具。Stretch。要求是框选要拉伸图形，再拉伸。我觉得这个拉伸工具是Virtuso版图设计区别于其他绘图软件的精华所在，能在保持图形原有性质的前提下，自由拉伸。这个符合Layout布局的要求。

Ctrl+T (Zoom to Set)。

Shift+T (Tree)，我觉得其实应该叫Hierarchy Tree。

T键是LayerTap，层切换。这个菜单命令中没有。这个快捷键其实挺方便。

按过T后点击一个图形，就自动切换到刚刚点击图形的的层上去了。有了这个快捷键就不必频繁点击LSW窗口了。

Shift+U重复Redo。撤销命令后，再反悔。

U键撤销Undo。Ctrl+V (Type in CIW)

V键关联Attatch。这个命令要解释一下。将一个子图形(child)关联到一个父图形(parent)后。关联后，若移动parent，child也将跟着移动；移动child，parent不会移动。可以将Label关联到Pad上。

Ctrl+W关闭窗口。关闭窗口的另一种方法。^_^

Shift+W下一个视图。Next View

W键前一视图。Previous View

Ctrl+X适合编辑。Fit Edit。感觉和F差不多。

Shift+X下降一等级。Descend

X键(Edit in Place)这个比较搞，很难翻译。在Hierarchy菜单下。

Ctrl+Y叫Cycle Select试了下没成功。

Shift+Y粘贴Paste。配合Yank使用。

Y键区域复制Yank。和Copy是有区别的，Copy只能复制完整图形对象。

Ctrl+Z视图放大两倍Zoom In by 2

Shift+Z视图缩小两倍Zoom Out by 2

Z键视图放大。

ESC键Cancel。

Tab键平移视图Pan。按Tab，用鼠标点击视图区中某点，视图就会移至以该点为中心。

Delete键删除。

BackSpace键撤销上一点。这个很有用。就不用因为Path一点画错而删除重画。可以撤销上一点。

Enter键确定一个图形的最后一点。也可双击鼠标左键结束。

Ctrl+方向键移动Cell。

Shift+方向键移动鼠标。每次半个格点的距离。

方向键移动视图。

版图经验总结

1查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025. 2Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查. 3布局前考虑好出PIN的方向和位置 4布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起 5对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 6对pin分类,vdd,vddx注意不要混淆,不同电位(衬底接不同电压)的n井分开.混合信号的电路尤其注意这点. 7在正确的路径下(一般是进到~/opus)打开icfb. 8更改cell时查看路径,一定要在正确的library下更改,以防copy过来的cell 是在其他的library下,被改错. 9将不同电位的N井找出来. 10更改原理图后一定记得check and save 11完成每个cell后要归原点 12 DEVICE的个数是否和原理图一至(有并联的管子时注意)；各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。 一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEVICE，(DIVECE之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。对每个device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线必须先有考虑(与经验及floorplan的水平有关).13如果一个cell 调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来。 14尽量用最上层金属接出PIN。 15接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间.

集成电路版图复习课答案总结

1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义 ⑴集成度(Integration Level)：以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。 ⑵特征尺寸 (Feature Size) /（Critical Dimension）：特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。 ⑶晶片直径(Wafer Diameter)：当前的主流晶圆的尺寸为12寸(300mm)，正在向18寸(450mm)晶圆迈进。 ⑷芯片面积(Chip Area)：随着集成度的提高，每芯片所包含的晶体管数不断增多，平均芯片面积也随之增大。 ⑸封装（Package）：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。 2、简述集成电路发展的摩尔定律。 集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小倍，这就是摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 3、集成电路常用的材料有哪些？ 集成电路中常用的材料有三类：半导体材料，如Si、Ge、GaAs?以及InP?等；绝缘体材料，如SiO2、SiON?和Si3N4?等；金属材料，如铝、金、钨以及铜等。

4、集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类，各有什么特点。 双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）。优点是速度高、驱动能力强，缺点是功耗较大、集成度较低。 CMOS集成电路：主要由NMOS、PMOS构成CMOS电路，功耗低、集成度高，随着特征尺寸的缩小，速度也可以很高。 BiCMOS集成电路：同时包括双极和CMOS晶体管的集成电路为BiCMOS集成电路，综合了双极和CMOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 5、解释基本概念: 微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延 微电子：微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及微电子系统的电子学分支。 集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。 集成度：集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。

Layout(集成电路版图)注意事项及技巧总结

Layout主要工作注意事项 ●画之前的准备工作 ●与电路设计者的沟通 ●Layout 的金属线尤其是电源线、地线 ●保护环 ●衬底噪声 ●管子的匹配精度 一、l ayout 之前的准备工作 1、先估算芯片面积 先分别计算各个电路模块的面积，然后再加上模块之间走线以及端口引出等的面积，即得到芯片总的面积。 2、Top-Down 设计流程 先根据电路规模对版图进行整体布局，整体布局包括：主要单元的大小形状以及位置安排；电源和地线的布局；输入输出引脚的放置等；统计整个芯片的引脚个数，包括测试点也要确定好，严格确定每个模块的引脚属性，位置。 3、模块的方向应该与信号的流向一致 每个模块一定按照确定好的引脚位置引出之间的连线 4、保证主信号通道简单流畅，连线尽量短，少拐弯等。 5、不同模块的电源，地线分开，以防干扰，电源线的寄生电阻尽可能较小，避免各模块的 电源电压不一致。 6、尽可能把电容电阻和大管子放在侧旁，利于提高电路的抗干扰能力。 二、与电路设计者的沟通

搞清楚电路的结构和工作原理明确电路设计中对版图有特殊要求的地方 包含内容：（1）确保金属线的宽度和引线孔的数目能够满足要求（各通路在典型情况和最坏情况的大小）尤其是电源线盒地线。 （2）差分对管，有源负载，电流镜，电容阵列等要求匹配良好的子模块。 （3）电路中MOS管，电阻电容对精度的要求。 （4）易受干扰的电压传输线，高频信号传输线。 三、layout 的金属线尤其是电源线，地线 1、根据电路在最坏情况下的电流值来确定金属线的宽度以及接触孔的排列方式和数目，以避免电迁移。 电迁移效应：是指当传输电流过大时，电子碰撞金属原子，导致原子移位而使金属断线。在接触孔周围，电流比较集中，电迁移更容易产生。 2、避免天线效应 长金属（面积较大的金属）在刻蚀的时候，会吸引大量的电荷，这时如果该金属与管子栅相连，可能会在栅极形成高压，影响栅养化层质量，降低电路的可靠性和寿命。 解决方案：（1）插一个金属跳线来消除（在低层金属上的天线效应可以通过在顶层金属层插入短的跳线来消除）。 （2）把低层金属导线连接到扩散区来避免损害。 3、芯片金属线存在寄生电阻和寄生电容效应 寄生电阻会使电压产生漂移，导致额外的噪声的产生 寄生电容耦合会使信号之间互相干扰 关于寄生电阻： （1）镜像电流镜内部的晶体管在版图上放在一起，然后通过连线引到各个需要供电的版图。

cadence快捷键

原理图：i放大o缩小 ctrl+mouse 放大缩小 ctrl+pageup ctrl+pagedown 左右移动 ctrl+n 下一PART ctrl+b 上一PART view->package 查看全部Part view->part 查看某一PART edit->browse 查看part、nets等 alt断开连接移动 R旋转，V垂直，H水平 原理图R 旋转shift 任意角度走线alt拖动元件时切断连接 全局修改器件属性：edit->browse->parts->shift全选所有器件->edit->properties->browse spreadsheet修改即可。 原理图库：D:\Cadence\SPB_16.3\tools\capture\library\Discrete.olb (散件) 建立原理图库：new->library Cadence olb ：ctrl+N 切换到下一PART ctrl+B 切换到前一PART 栅格的控制都在options->preferences->Grid Display Schemtic page grid控制原理图栅格 Part and symbol grid控制元器件库栅格 ******************************************************************************* ******************************* PCB例程：D:\Cadence\SPB_16.3\share\pcb\examples\board_design 测量距离：display->measure / Find->pins PCB Editor：右键->cancel 取消 类、子类color visible PCB提供两种模式，布局布线，封装库（package symbol） PCB 封转库中，怎样设置图纸大小？ 显示栅格大小？ 焊盘—>元件封装 layout->pins:x0 0 ->右键done dra place_bound_top(矩形) silkscreen_top == assemble_top assemble_top:x0 0.75 ix 1.8 iy -1.5 ix -1.8 iy 1.5 (add line) silkscreen_top: x0.6 0.94 ix -1.38 iy -1.88 ix 1.38 (add line) x1.2 0.94 ix 1.38 iy -1.88 ix -1.38 place_bound_top:add rectangle x-0.85 1 x2.65 -1 参考标号：layout->label->refdes Assembly_top 内部 Silkscreen_top 左上角 file->new->package symbol 必须有：1引脚2零件外形，轮廓线3参考编号4place_bound放置安装区 psm元件封装数据文件，dra元件封装绘图文件

PCB图布线的经验总结

PCB图布线的经验总结 1.组件布置 组件布置合理是设计出优质的PCB图的基本前提。关于组件布置的要求主要有安装、受力、受热、信号、美观六方面的要求。 1.1.安装 指在具体的应用场合下，为了将电路板顺利安装进机箱、外壳、插槽，不致发生空间干涉、短路等事故，并使指定接插件处于机箱或外壳上的指定位置而提出的一系列基本要求。这里不再赘述。 1.2.受力 电路板应能承受安装和工作中所受的各种外力和震动。为此电路板应具有合理的形状，板上的各种孔（螺钉孔、异型孔）的位置要合理安排。一般孔与板边距离至少要大于孔的直径。同时还要注意异型孔造成的板的最薄弱截面也应具有足够的抗弯强度。板上直接"伸"出设备外壳的接插件尤其要合理固定，保证长期使用的可靠性。 1.3.受热 对于大功率的、发热严重的器件，除保证散热条件外，还要注意放置在适当的位置。尤其在精密的模拟系统中，要格外注意这些器件产生的温度场对脆弱的前级放大电路的不利影响。一般功率非常大的部分应单独做成一个模块，并与信号处理电路间采取一定的热隔离措施。 1.4.信号 信号的干扰PCB版图设计中所要考虑的最重要的因素。几个最基本的方面是：弱信号电路与强信号电路分开甚至隔离；交流部分与直流部分分开；高频部分与低频部分分开；注意信号线的走向；地线的布置；适当的屏蔽、滤波等措施。这些都是大量的论着反复强调过的，这里不再重复。 1.5.美观 不仅要考虑组件放置的整齐有序，更要考虑走线的优美流畅。由于一般外行人有时更强调前者，以此来片面评价电路设计的优劣，为了产品的形象，在性能要求不苛刻时要优先考虑前者。但是，在高性能的场合，如果不得不采用双面板，而且电路板也封装在里面，平时看不见，就应该优先强调走线的美观。下一小节将会具体讨论布线的"美学"。 2.布线原则 下面详细介绍一些文献中不常见的抗干扰措施。考虑到实际应用中，尤其是产品试制中，仍大量采用双面板，以下内容主要针对双面板。 2.1.布线"美学" 转弯时要避免直角，尽量用斜线或圆弧过渡。 走线要整齐有序，分门别类集中排列，不仅可以避免不同性质信号的相互干扰，也便于检查和修改。对于数字系统，同一阵营的信号线（如数据线、地址线）之间不必担心干扰的问题，但类似读、写、时钟这样的控制性信号，就应该独来独往，最好用地线保护起来。 大面积铺地（下面会进一步论述）时，地线（其实应该是地"面"）与信号线

cadence操作常用快捷键总结

x：检查并存盘，这个经常使用，它会 检查一些简单的连线错误。 s：存盘，保存（save） [：缩小 ]：放大 鼠标上的前后滚轮是放大、缩小 F：整图居中显示 u：撤销上一次操作 Esc：清楚刚键入的命令 Esc 这个很重要，是退出当前快捷方 式，要经常使用。 除非选择了另外的快捷键，否则当前 的快捷键一直存在，所以经常用Esc。 c：复制 m：移动 shift+m：移动器件但不移动连线 按住shift拖动是复制添加 Delete：删除 e 进入symbol的内部电路 Ctrl+e 从symbol内部电路中退回 i：添加元器件 p：添加端口 r：旋转器件并拖动连线 r 是90度旋转 r 后再按F3 可以选择左右翻转或者上 下翻转方向键当然可以上下左右移动 q：属性编辑 L：添加线名 shift+L：标注 N：添加几何图形 shift+N：添加标号 g：查看错误 shift+z：缩小 ctrl+z：放大 F：整图居中显示 u：撤销上一次操作 Esc：清楚刚键入的命令 Ctrl +D：取消选择，这个也可用鼠标 点击空白区域实现。经常使用这个 快捷键可以防止误操作。 c：复制 m：移动 q：显示属性 Delete：删除 i：插入模块(Instance) S：拉伸工具Stretch，要求是框选要拉 伸图形，再拉伸。我觉得这个拉伸 工具是Virtuso版图设计区别于其他 绘图软件的精华所在，能在保持图 形原有性质的前提下，自由拉伸。 这个符合Layout布局的要求。 R：画矩形 Shift+P：多边形工具Polygon P：插入Path，我翻译成“路径”。有

人翻译成“管道”。这些最后都要 Convert to Polygon的。 K：标尺工具 shift+K：清除所有标尺 L：标签工具，标签要加在特定的text 层上，这个有些人总忘记。 Shift+C：裁切(Chop)，首先调用命令，选中要裁切的图形，后画矩形裁 切。在用P快捷键画了一条Path 后，如果需要调整线宽，就需要用

版图LAYOUT布局经验总结94条

layout布局经验总结 布局前的准备: 1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025. 2 Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查. 3 布局前考虑好出PIN的方向和位置 4 布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起 5 对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 6 对pin分类,vdd,vddx注意不要混淆,不同电位(衬底接不同电压)的n井分开.混合信号的电路尤其注意这点. 7 在正确的路径下(一般是进到~/opus)打开icfb. 8 更改cell时查看路径,一定要在正确的library下更改,以防copy过来的cell是在其他的library下,被改错. 9 将不同电位的N井找出来. 布局时注意: 10 更改原理图后一定记得check and save 11 完成每个cell后要归原点 12 DEVICE的个数是否和原理图一至(有并联的管子时注意)；各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEVICE，(DIVECE 之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。对每个device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线必须先有考虑(与经验及floorplan的水平有关). 13 如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来。 14 尽量用最上层金属接出PIN。 15 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间. 16 金属连线不宜过长； 17 电容一般最后画，在空档处拼凑。 18 小尺寸的mos管孔可以少打一点. 19 LABEL标识元件时不要用y0层，mapfile不认。 20 管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小. 21 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联. 22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。 23 栅上的孔最好打在栅的中间位置. 24 U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方法生成U形栅. 25 一般打孔最少打两个 26 Contact面积允许的情况下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因为电流较大.但如果contact阻值远大于diffusion则不适用.传导线越宽越好,因为可以减少电阻值,但也增加了电容值. 27 薄氧化层是否有对应的植入层 28 金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间.

集成电路Cadence IC常用快捷键整理

Cadence常用快捷键整理Cadence 版图绘制 Ctrl＋A 全选 Shift＋B Return，升到上一级视图 Ctrl＋C 中断某个命令，一般用ESC代替。 Shift＋C 裁切（chop）。 C 复制，复制某个图形 Ctrl＋D 取消选择。亦可点击空白处实现。 Ctrl＋F显示上层等级 Shift＋F显示所有等级 F fit，显示你画的所有图形 K 标尺工具 Shift＋K清除所有标尺 L 标签工具 M 移动工具 Shift＋M 合并工具，Merge N 斜45对角＋正交。

Shift＋O 旋转工具。Rotate O 插入接触孔。 Ctrl＋P 插入引脚。Pin Shift＋P 多边形工具。Polygon P 插入Path（路径） Q 图形对象属性（选中一个图形先） R 矩形工具。绘制矩形图形 S 拉伸工具。可以拉伸一个边，也可以选择要拉伸的组一起拉伸 U 撤销。Undo。 Shift＋U重复。Redo。撤销后反悔 V 关联attach。将一个子图形（child）关联到一个父图形（parent）后，若移动parent，child 也跟着移动；移动child，parent不会移动。 Ctrl＋W 关闭窗口。 Shift＋W下一个视图。 W 前一个视图。 Y 区域复制Yank。和copy有区别，copy只能复制完整图形对象。 Shift＋Y 黏贴Paste。配合Yank使用。 Ctrl＋Z 视图放大两倍（也可点住鼠标右键拖动）

Shift＋Z 视图缩小两倍 Z 视图放大 ESC键撤销功能 Tab键平移视图Pan。按Tab，用鼠标点击视图区中某点，视图就会移至以该点为中心。Delete键删除 BackSpace键撤销上一点。这就不用因为Path一点画错而删除重画。可以撤销上一点。Enter键确定一个图形最后一点。也可以双击鼠标左键。 Ctrl＋方向键移动Cell。 Shift＋方向键移动鼠标。 方向键移动视图。 Cadence 仿真常用快捷键 先介绍一些快捷键，快捷键以后会经常使用。 i 是添加instance （instance） f 是合适的显示所有内容（fit） m是移动（move） w是连线（wire） q 看属性（property）

集成电路版图基础知识练习

一、填空 1.ls (填写参数)命令用于显示隐藏文件。（-a） 2.进入当前目录的父目录的命令为 (%cd ..) 3.查看当前工作目录的命令为：（%pwd） 4.目录/home//uuu已建立，当前工作目录为/home/，采用绝对路径进入/home//uuu 的命令为：（%cd /home//uuu） 5.假设对letter文件有操作权限，命令%chmod a+rw letter会产生什么结果：（对 所有的用户增加读写权限。） 6.显示当前时间的命令为：（%date） 7.打开系统管理窗口的命令为：（%admintool） 8.与IP地址为166.111.4.80的主机建立FTP连接的命令为：（%ftp 166.111.4.80 or %ftp %open 166.111.4.80） 9.建立FTP连接后，接收单个文件的命令为：（%get） 10.建立FTP连接后，发送多个文件的命令为：（%mput） 11.有一种称为0.13um 2P5M CMOS单井工艺, 它的特征线宽为______，互连层共有 _____层，其电路类型为_______。0.13um 7 CMOS 12.请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序： a.生成多晶硅 b.确定井的位置和大小 c.定义扩散区，生成源漏区 d.确定有源区的位置和大小 e.确定过孔位置 正确的顺序为：___ _________________。bdace 13.集成电路中的电阻主要有__________, ____________, _____________三种。井电 阻，扩散电阻，多晶电阻 14.为方便版图绘制，通常将Contact独立做成一个单元，并以实例的方式调用。若该 Contact单元称为P型Contact，由4个层次构成，则该四个层次分别为：_________，_________, _________, ___________. active, P+ diffusion, contact, metal. 15.CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为 ___________________________________。报证PN结反偏，使MOS器件能够正常工 作。 16.版图验证主要包括三方面：________，__________，__________; 完成该功能的 Cadence工具主要有（列举出两个）：_________，_________。DRC, LVS, ERC, Diva, Dracula 17.造成版图不匹配的因数主要来自两个方面：一是制造工艺引起的，另一个是 __________;后者又可以进一步细分为两个方面：_______________， _____________。片上环境波动，温度波动，电压波动。 18.DRC包括几种常见的类型，如最大面积（Maximum Dimension），最小延伸（Minimum Extension），此外还有_________，_________，_________。最小间距，最小宽度，最小包围（Minimum Enclosure）。 19.减少天线效应的三种方法有：____________，____________，__________。插入二 极管，插入缓冲器，Jumper (或者，通过不同的金属层绕线)。 20.由于EDA工具的不统一，出现了各种不同的文件格式，如LEF, DEF等，业界公认 的Tape out的文件格式为 _______，它不可以通过文本编辑器查看，因为它是

版图要点

匹配性设计： 作者通过查阅参考资料及版图经验,总结出以下几个匹配原则: 1.匹配器件相互靠近放置:两个器件相互放置越近,其匹配度就越高; 2.保持器件的方向一致:在工艺中,不同的方向多晶桂刻烛的速度及精度都是不一样的,因此需要保持多晶娃的方向一致; 3.选择一个中间值作为根部件:当几个器件需要匹配时,选择一个中间值的根部件可以快速有效进行串联或者并联; 4.采用指状交叉方式排列:任何器件甚至金属连线,只要两个以上就可以采用类似ABABAB交叉排列; 5.采用共质心版图:差分输入对通常采用共质心版图; 6.使用虚拟器件(Dummy):在工艺中,扩散的相互作用与多晶桂的刻烛速率变化都是无法避免的,增加Drnnmy的目的是给需要匹配的器件提供相同的工艺环境以保证扩散及刻烛的一致性,通常,Dummy都自身短接,或高电位或地电位; 7.版图每个部分都要匹配:例如:连线匹配,通孔匹配甚至寄生参数匹配等。 总体版图设计技术： 1.根据电路芯片封装引脚的排布确定各Pad布局从而确定各个子电路模块的位置; 2.相关联的模块要尽可能的放置在一起,各个模块之间一定要留够距离,方便输入及输出信号的连接走线; 3.模块输入信号与输出信号的方位一致,一般规定:输入信号在模块左侧,输出信号在模块右侧; 3.噪声模块和敏感模块要尽可能的远离 4.在不影响版图面积前提下,电源线和地线尽可能的宽,一般情况下,宽度10um为宜; 5.采用隔离环Guard Ring,隔离噪声影响; 6.模拟电路的金属连线需要倒角,而数字电路不需要倒角,一般是45°角; 7.同一层金属走线方向要保持一致,例如:金属1横方向,金属2竖方向; 8.整体电路版图拼成一个长条型,最好具有一定的对称型。

cadence操作常用快捷键

cadence操作常用快捷键(Layout) Layout快捷键： shift+z：缩小 W快速显示最小化的LSM ctrl+z：放大 F：整图居中显示 c：复制 m：移动 shift+x：进入下一层版图 ctrl+x：还回上一层版图 i：插入模块 R：画矩形 Shift+P：多边形工具Polygon P：插入Path K：标尺工具 shift+K：清除所有标尺 L：标签工具，标签要加在特定的text层上，这个有些人总忘记。 Shift+C：裁切(Chop)，首先调用命令，选中要裁切的图形，后画矩形裁切。在用P快捷键画了一条Path后，如果需要调整线宽，就需要用到这个快捷键。Ctrl+Z 视图放大两倍Zoom In by 2Shift+Z 视图缩小两倍Zoom Out by 2Z键视图放大。 Shift+O 旋转工具。RotateCtrl+P 插入引脚。Pin Cadence Virtuoso Layout Editor快捷键归纳 右键点击拖放用来放大。放大后经常配合F键使用，恢复到全部显示。配合Tab 键使用，平移视图。 u：撤销上一次操作

Esc：清楚刚键入的命令 Ctrl +D：取消选择，这个也可用鼠标点击空白区域实现。经常使用这个快捷键可以防止误操作。 q：显示属性 Delete：删除 S：拉伸工具Stretch，要求是框选要拉伸图形，再拉伸。 O键插入接触孔。Create Contact Shift+左键加选图形， Ctrl+左键减选图形。 F2 保存。 F3 这个快捷键很有用，是控制在选取相应工具后是否显示相应属性对话框的。比如在选取Path工具后，想控制Path的走向，可以按F3调出对话框进行设置。F4 英文是Toggle Partial Select，就是用来控制是否可以部分选择一个图形。 F5 打开。 F8 Guided Path Create 切换至L90XYFirst。 Ctrl+A 全选。这个和windows下是一样的。 Shift+B Return。这个牵扯到“Hierarchy”。我翻译成“等级”。这个命令就是等级升一级，升到上一级视图。 Ctrl+C 中断某个命令，不常用。一般多按几次Esc键取消某个命令。 Shift+C 裁切(Chop)。首先调用命令，选中要裁切的图形，后画矩形裁切。 Shift+E和E是控制用户预设的一些选项。 Ctrl+F显示上层等级Hierarchy。 Shift+F显示所有等级。 F键满工作区显示。就是显示你所画的所有图形。 Ctrl+G(Zoom To Grid)。 G 这个快捷键是开关引力(Gravity)的。Gravity我觉得和AutoCAD里的吸附Snap 差不多，就是会吸附到某些节点上去。有时候这个Gravity是很讨厌的，总是乱吸附，这时可以点击G键关闭Gravity，操作完成后再打开。 Shift+M 合并工具。Merge M键移动工具。Move。点选Move工具后，选中要移动的图形，然后在屏幕上任意一处单击一下，这个就是确定移动的参考点，然后就可以自由移动了。这个也可以通过鼠标先选中一个图形，移动鼠标当鼠标箭头变成十字方向的时候就可以拖动来实现。 Ctrl+N，Shift+N和N是控制走向的。 Ctrl+N 先横后竖。L90XFirst Shift+N 直角正交。Orthogonal N键斜45对角+正交。Diagonal Shift+P 多边形工具。Polygon Shift+Q 打开设计属性对话框。选中一个图形先。 Q键图形对象属性。这个实用。经常用来更改图形属性。也是选中一个图形先。Ctrl+R 是Redraw重画。 Shift+R 是Reshape重定形。就是在原来的图形上再补上一块图形。Ctrl+S 是Split。我翻译成“添加拐点”。就是配合Stretch命令可以是原来直的Path打弯。 Shift+S 是Search查找。

第二章 cadence ic5141教程版图部分

第二章．Virtuoso Editing的使用简介 全文将用一个贯穿始终的例子来说明如何绘制版图。这个例子绘制的是一个最简单的非门的版图。 § 2－1 建立版图文件 使用library manager。首先，建立一个新的库myLib，关于建立库的步骤，在前文介绍cdsSpice时已经说得很清楚了，就不再赘述。与前面有些不同的地方是：由于我们要建立的是一个版图文件，因此我们在technology file选项中必须选择compile a new tech file,或是attach to an exsiting tech file。这里由于我们要新建一个tech file，因此选择前者。这时会弹出load tech file的对话框，如图2-1-1所示。 图2-1-1 在ASCII Technology File中填入csmc1o0.tf即可。接着就可以建立名为inv的cell了。为了完备起见，读者可以先建立inv的schematic view和symbol view（具体步骤前面已经介绍，其中pmos长6u，宽为0.6u。nmos长为3u，宽为0.6u。model 仍然选择hj3p和hj3n）。然后建立其layout view，其步骤为：在tool中选择virtuoso－layout，然后点击ok。 § 2－2绘制inverter掩膜版图的一些准备工作 首先，在library manager中打开inv这个cell的layout view。即打开了virtuoso editing窗

图2-2-1 virtuoso editing窗口 口，如图2-2-1所示。 版图视窗打开后，掩模版图窗口显现。视窗由三部分组成：Icon menu , menu banner ,status banner. Icon menu(图标菜单)缺省时位于版图图框的左边，列出了一些最常用的命令的图标,要查看图标所代表的指令，只需要将鼠标滑动到想要查看的图标上，图标下方即会显示出相应的指令。 menu banner（菜单栏）,包含了编辑版图所需要的各项指令，并按相应的类别分组。几个常用的指令及相应的快捷键列举如下： Zoom In -------放大 (z)Zoom out by 2------- 缩小2倍(Z) Save ------- 保存编辑(f2) Delete ------- 删除编辑(Del) Undo ------- 取消编辑(u)Redo -------恢复编辑 (U) Move ------- 移动(m)Stretch ------- 伸缩(s) Rectangle -------编辑矩形图形(r)Polygon ------- 编辑多边形图形(P) Path ------- 编辑布线路径(p) Copy -------复制编辑 (c) status banner（状态显示栏），位于menu banner的上方，显示的是坐标、当前编辑指令等状态信息。 在版图视窗外的左侧还有一个层选择窗口（Layer and Selection Window LSW）。

集成电路版图设计论文

集成电路版图设计 班级12级微电子姓名陈仁浩学号2012221105240013 摘要：介绍了集成电路版图设计的各个环节及设计过程中需注意的问题，然后将IC版图设计与PCB版图设计进行对比，分析两者的差异。最后介绍了集成电路版图设计师这一职业，加深对该行业的认识。 关键词: 集成电路版图设计 引言: 集成电路版图设计是实现集成电路制造所必不可少的设计环节，它不仅关系到集成电路的功能是否正确，而且也会极大程度地影响集成电路的性能、成本与功耗。近年来迅速发展的计算机、通信、嵌入式或便携式设备中集成电路的高性能低功耗运行都离不开集成电路掩模版图的精心设计。一个优秀的掩模版图设计者对于开发超性能的集成电路是极其关键的。 一、集成电路版图设计的过程 集成电路设计的流程：系统设计、逻辑设计、电路设计（包括：布局布线验证）、版图设计版图后仿真（加上寄生负载后检查设计是否能够正常工作）。集成电路版图设计是集成电路从电路拓扑到电路芯片的一个重要的设计过程，它需要设计者具有电路及电子元件的工作原理与工艺制造方面的基础知识，还需要设计者熟练运用绘图软件对电路进行合理的布局规划，设计出最大程度体现高性能、低功耗、低成本、能实际可靠工作的芯片版图。集成电路版图设计包括数字电路、模拟电路、标准单元、高频电路、双极型和射频集成电路等的版图设计。具体的过程为： 1、画版图之前，应与IC 工程师建立良好沟通在画版图之前，应该向电路设计者了解PAD 摆放的顺序及位置，了解版图的最终面积是多少。在电路当中，哪些功能块之间要放在比较近的位置。哪些器件需要良好的匹配。了解该芯片的电源线和地线一共有几组，每组之间各自是如何分布在版图上的？ IC 工程师要求的工作进度与自己预估的进度有哪些出入？ 2、全局设计：这个布局图应该和功能框图或电路图大体一致,然后根据模块的面积大小进行调整。布局设计的另一个重要的任务是焊盘的布局。焊盘的安排要便于内部信号的连接，要尽量节省芯片面积以减少制作成本。焊盘的布局还应该便于测试，特别是晶上测试。 3、分层设计：按照电路功能划分整个电路，对每个功能块进行再划分，每一个模块对应一个单元。从最小模块开始到完成整个电路的版图设计，设计者需要建立多个单元。这一步就是自上向下的设计。 4、版图的检查： （1）Design Rules Checker 运行DRC，DRC 有识别能力，能够进行复杂的识别工作，在生成最终送交的图形之前进行检查。程序就按照规则检查文件运行，发现错误时，会在错误的地方做出标记，并且做出解释。

版图重点总结

第一章基本概念 (1) ☆☆集成电路：Integrated Circuit ，缩写IC IC是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的一种器件。 (2)特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。 (3)就设计方法而言，设计集成电路的方法可以分为三种方式： 全定制（Full-Custom Design Approach） 半定制（Semi-Custom Design Approach） （标准单元、积木块、门阵列、门海） 可编程IC （PLD：Programmable Logic Device） （PROM 、GAL 、PLA、PAL、PLD 、FPGA ） （4）☆☆积木块法(BB)与标准单元法（sc）不同之处是：第一，它既不要求每个单元（或称积木块）等高，也不要求等宽。每个单元可根据最合理的情况单独进行版图设计，因而可获得最佳性能。设计好的单元存入库中备调用。第二，它没有统一的布线通道，而是根据需要加以分配。 （5）☆☆门阵列方法与门海方法的比较 门阵列方法的设计特点： 设计周期短，设计成本低，适合设计适当规模、中等性能、要求设计时间短、数量相对较少的电路。 不足：设计灵活性较低；门利用率低；芯片面积浪费。 门海方法的设计特点： 门利用率高，集成密度大，布线灵活，保证布线布通率。 不足：仍有布线通道，增加通道是单元高度的整数倍，布线通道下的晶体管不可用。（6）集成电路设计：根据电路功能和性能要求，在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期以保证全局优化，设计出满足需求的集成电路。其最终的输出结果是掩膜版图，通过制版和工艺流片可以得到所需的集成电路。 （7）版图是一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示，版图与所采用的制备工艺紧密相关。 （8）版图设计：根据逻辑与电路功能和性能要求以及工艺水平要求来设计光刻用的掩膜版图，是集成电路设计的最终输出。 （9）布图规划：在一定约束条件下对设计进行物理划分，并初步确定芯片面积和形状、单元区位置、功能块的面积形状和相对位置、I/O位置，产生布线网格，还可以规划电源、地线以及数据通道分布。 （10）布局：根据级别最低的功能块中各基本单元直接的连接关系或较高级别的功能块中各较小功能块之间的连接关系，分配各基本单元或较小功能块的位置，使芯片面积尽可能的小。（11）布线：进行单元间或功能块间的连接，合理分配布线空间，使布线均匀，布通率达到百分之百。

cadence操作常用快捷键总结

CIS Explore Ctrl+Tab 切换到原理图页面而不关闭CIS Explore CIS Explore Ctrl+Shift+Tab 切换到原理图页面而不关闭CIS Explore 原理图页面编辑CTRL+A 全选所有 原理图页面编辑 B 放置总线BUS 原理图页面编辑 E 放置总线BUS的分支Entry 原理图页面编辑 F 放置电源符号 原理图页面编辑G 放置GND符号 原理图页面编辑J 放置连接点 原理图页面编辑N 放置网络别名 原理图页面编辑P 放置元件(从元件库) 原理图页面编辑T 放置文本Text 原理图页面编辑W 放置电气连线 原理图页面编辑Y 放置图形连线 原理图页面编辑X 放置无连接符号 原理图页面编辑F7 记录宏操作 原理图页面编辑F8 回放宏操作 原理图页面编辑F9 配置宏操作 元件库编辑(绘图) CTRL+B 跳转至前一个part 元件库编辑(绘图) CTRL+N 跳转至后一个part 原理图页面及元件库编辑 CTRL+E 编辑属性 原理图页面及元件库编辑 CTRL+F 查找 原理图页面及元件库编辑 CTRL+T 吸附格点设置 原理图页面及元件库编辑 CTRL+Y 重做(恢复) 原理图页面及元件库编辑 CTRL+Z 撤销 原理图页面及元件库编辑 F4 重复操作 原理图页面及元件库编辑 C 以鼠标指针为中心 原理图页面及元件库编辑 H 水平镜像 原理图页面及元件库编辑 I 放大 原理图页面及元件库编辑 O 缩小 原理图页面及元件库编辑 R 旋转 原理图页面及元件库编辑 V 垂直镜像 原理图页面及元件库编辑 E 结束连线、BUS、图形连线

CADENCE工具VIRTUSO-DRACULA入门介绍

CADENCE工具VIRTUSO/DRACULA入门介绍 (2) 1．使用V IRTUSO/D IV A/D RACULA之前的准备 (2) 1.1．找一台装有IC工具的服务器 (2) 1.2．连接到这台计算机上 (2) 2．IC工具的软件环境配置 (3) 2.1．创建IC工具的启动目录，即工作目录。 (3) 2.2．将配置文件拷贝到IC工具的启动目录 (3) 2.3．将工艺文件和显示文件拷贝至工作目录 (3) 2.4．启动IC工具,命令为icfb& (3) 3．IC工具的使用 (4) 3.1．新建一个设计库 (4) 3.2．Compile一个工艺文件 (5) 3.3．创建新设计 (5) 3.4．编辑电路图 (5) 3.5．编辑版图 (6) 3.6．根据习惯改变版图层次的显示特性 (7) 3.7．完成版图编辑之后保存,退出 (8) 4．版图的DRC检查 (8) 4.1．基于Diva的方式(不推荐) (8) 4.2．基于Dracula的方式(推荐) (8) 5．LVS (10) 5.1．准备版图的GDS文件 (10) 5.2．准备电路网表 (10) 5.3．用LOGLVS转换电路网表成LVS要求格式 (11) 5.4．修改lvs的命令文件 (12) 5.5．运行PDRACULA来生成lvs任务的可执行文件 (12) 5.6．在控制台下，运行https://www.sodocs.net/doc/9713306543.html,文件 (12) 5.7．查看错误 (12) 5.8．修正版图或网表错误 (13) 6．一些小经验 (13) 7．附件清单 (14)

Cadence工具Virtuso/Dracula入门介绍 （以上华0.6um DPDM工艺设计库为例） Cadence 是一套功能强大的EDA软件，包含有诸如IC、SE等常用芯片设计工具。其中IC是针对全定制芯片设计应用的，IC本身仍是一套工具集。本手册主要讨论其中的全定制版图设计工具Virtuso和验证工具Diva/Dracula之使用方法。其中Diva是基于Xwindow 的方式，而Dracula是基于命令行的方式；Virtuso中提供这两者的相关接口。 采用Virtuso/ Diva/Dracula进行芯片的设计和验证大致有如下几步：准备schmematic(电路)、画layout(版图)、作版图设计规则检查（DRC）、做电路与版图的一致性检查(LVS)、导出最终版图的gds文件。 缩写术语： ERC: Electrical Rule Check DRC: Design Rule Check LVS: Layout Versus Schematic LPE: Layout Parameter Extraction PRE: Parasitic Resistor Extraction 1．使用Virtuso/Diva/Dracula之前的准备 1.1．找一台装有IC工具的服务器 Virtuso不能单独安装，所以只有在安装了IC工具的计算机上才能使用。 [例]机房的10台服务器(IP:219.223.169.111到219.223.169.120)都能使用Virtuso/Diva/Dracula. 1.2．连接到这台计算机上 除非是在自己的计算机上安装有IC工具，否则您必须保证能够从您的计算机远程登录到装有IC的服务器上。 [例]以登录服务器IC来说明远程登录方法： a．向管理员申请用户（每个人都已经有了一个用户） b．下载远程登录软件Exceed， 在本地计算机上安装； 安装完毕之后进行远程登录配置： 在开始菜单→程序→Hummingbird.Exceed.v7.1.Multilanguage→Exceed→Client Wizard设定xterm，Host:219.223.169.111，Host type: Linux（下拉菜单选择），其余next即可。c．完成登录。 采用其它方式比如vnc、xWin、SSH Secure Shell Client等远程终端方法登录。 『注意』使用不同的远程登陆软件连接服务器；不同的服务器所需的软件设置均有所不同，配置细节请咨询曾经使用过该登陆软件的师兄师姐或同学。