第二章逻辑门电路2
电路中D 3、D 4的作用是提高开关速度，当U o 由1跳到0时，经D 3、D 4提供放电回路，加速U o 的下降速度。R 4电阻由接地改为接在U o 上的目的是降低静态功耗，R 1电阻取值改为20k Ω也是为了降低电路的功耗。该电路的电阻值比TTL 门电路相应的电阻值大，主要目的是降低电路的功耗。实现的是与非的逻辑功能。
电路中二极管采用肖特基二极管，其正向导通压降为，而肖特基三极管的发射极的正偏电压为，集电极的正偏电压为。因此，电路的阈值电压将变为：
D BE5BE2T U U U U -+==+输出的高低电平值：U OH = U OL =。
输入端的短路电流I IL =
0.23mA 20
0.4
5=- 习题 习题图TTL 与非门电路所示的电路中，若在某一输入端与地之间接一电阻R ，其余输入端悬空，试问：
⑴保证与非门可靠关闭时的最大电阻即关门电阻R OFF 为多大值 ⑵保证与非门可靠开通时的最小电阻即开门电阻R ON 为多大值 解：若在输入端A 与地之间接一电阻R i ，则R i 与地之间的电压U i 为： （1）i i
i R R R U U U ?+-=
1be1
cc ≤OFF U
即
i R ?+-R
30.7
5≤ R i ≤ R OFF
700
(2) i i
i R R R U U U ?+-=
1be1
cc ≥on U 即
i R ?+-R
30.7
5≥ 由此可得：
R i ≥ , 一般选R ON =2k
1.4V T 1be1
cc ==?+-U R R R U U i i
工程计算：
得 R ON =R OFF
习题 习题图所示电路由TTL 与非门组成。设G 1～G 4门的平均传输延迟时间相同为
30ns ，现测得输出端F 的振荡频率为，试求G 5的平均传输延迟时间t pd5。
解：根据F 的频率求出F 的振荡周期，T =，由于五个与非门输出为原信号的非，所以延迟时间应为T /2≈156ns ，则第五个与非门的延迟时间为36ns 。
习题 有两个TTL 与非门芯片，测得它们的关门电平分别为U OFFA =，U OFFB =；开门电平分别为U ONA =，U ONB =。它们输出的高电平和低电平相同，试判断哪一个门的抗干扰能力大
解：描述门电路的抗干扰能力的大小通常用噪声容限U N 来衡量。通常噪声容限电压U N 越大，门电路的抗干扰能力越强。
低电平噪声容限U NL 是指在保证输出高电平的前提下，允许叠加在关门电平U OFF 上的最大正向干扰电压。
OL OFF NL U U U -=
高电平噪声容限U NH 是指在保证输出低电平的前提下，允许叠加在开门电平上的最大负向干扰电压。
ON OH NH U U U -=
由于两个门的输出的高电平和低电平相同，而开门电平和关门电平却不相同，因此抗干扰能力是不同的。
低电平噪声容限U NL ：
OL OL OFFA NLA 1.1 U U U U -=-= OL OL OFFA NLB 0.9U U U U -=-=
可知： NLA U ≥NLB U 高电平噪声容限U NH ：
3.1 OH ONA OH NHA -=-=U U U U 7.1OH ONB OH NHB -=-=U U U U
可知：NHA U ≥NHB U
综上分析可知：门A 的抗干扰能力比门B 大。
习题图
F
A C 1C 2F
（b ）
（a ）
习题图
F
习题 习题图（a ）所示电路中，输出 F 与C 1和C 2之间具有与逻辑关系，称为线与，用 虚线框标注。试写出F 与C 1和C 2之间的电平关 系表、真值表和逻辑式，并画出等效的逻辑图。
解：由电路图可知，当A 和B 中有一个为高 电平时，设A 为高电平，它所对应的三极管T 1将 饱和导通，C 1为低电平，此时输出F 也为低电平。
当A 和B 中全为低电平时，两个三极管T 1 和T 2均截止，C 1和C 2为高电平，此时输出F
低电平用逻辑0来表示，可得描述电路逻辑关系的真值表如习题表所示。由真值表写出电路的逻辑表达式：
21C C F ?=
电路的等效图如习题图（b ）所示。
习题 若要实现习题图中各TTL 门电路输出端所示的逻辑功能，各电路的连接是否正确如果不正确，试说明理由。
（a ）
A B A C 习题图
F 1=AB
F 4=A +B
（d ）
A B
5=ABCD
（e ） D
A B
F 2=AB
（b ）
A B F 3=A +B
（c ）
F 6=AB +CD
（f ）
B C
解：本题目涉及TTL 门电路的正确使用的问题，解题时主要从以下几个方面来判断： 1． 门电路的多余输入端的处理； 2． 门电路输入负载的要求； 3． 输出端不能直接相接； 4． 带载能力的问题。
(a) 正确； (b) 错误，F =0; (c) 错误，F =0; (d) 正确；
(e) 错误，TTL 门电路输出端不能直接并联； (f) 错误，F =0。
习题 习题图(a)所示的电路中，
输出F 与E 1和E 2之间具有或逻辑关系，称 为线或，用虚线框标注。试写出F 与E 1和 E 2之间的电平关系表、真值表和逻辑式，并
解：由习题图(a)
(设A 为高电平)，它所对应的三极管T 1饱和导通，E 1为高电平，此时输出F 为高电平。当A 和B 中全为低电平时，两个三极管T 1和T 2均截止，E 1和E 2为低电平，输出F 也为低电平。由此可得出电路的电平关系表如习题表所示。
F
A (a)
习题图
(b)
F
E E
采用正逻辑体制进行描述，高电平用逻辑1来表示，低电平用逻辑0来表示，可得描述电路逻辑关系的真值表如习题表所示。由真值表写出电路的逻辑表达式：
21E E F +=
电路的等效图如习题图(b)所示。
习题 分析如习题图所示的逻辑电路，写出输入信号与输出信号之间的逻辑表达式。
解：(a)当C =1时，下面的三态门为与非门正常工作，则F 1=B ；当C =0时，F 1=A ; 所以，BC C A F +=1 (b)B A F ⊕=
习题 TTL 电路如习题图（a ）、（b ）所示，试写出输出端的表达式。已知 输入信号A 、B 、C 的波形如习题图（c ）所示，画出对应的输出波形。
习题图
（a ） A C B F 1
（b ）
A B F 2
习题图
A
B （b ）
C F 2
（a ）
B F 1
C （c ）
B A
C （d ）
B A
C
F 2
F 1
解： (a) ()C B A C B A F ⊕=+⊕=1，如习题图（d ）所示F 1波形。
(b) C B B C A F +⊕=)(2，如习题图（d ）所示F 2波形。
习题 电路如习题图（a ）～（g ）所示，已知输入信号A 、B 的波形如习题图（h ）所示，画出各电路的输出波形。
解：本题给出一组TTL 门电路以及CMOS 门电路，要求在给定输入信号波形下，对应画出各输出端的波形。由于所有门的一个输入端都通过电阻接地，电源通过这一电阻到地形成电流通路，电阻两端将产生电压降, 这一电压必将构成门电路的一个输入信号。
对于TTL 门电路，要求掌握关门电阻R OFF 与开门电阻R ON 的含义及其作用。对于CMOS 门电路，由于无栅流存在，输入端接电阻到地，相当于低电平输入方式。
TTL 电路若有输入端通过电阻接地，根据TTL 门电路的输入端负载特性可知，当R ＜时，U R ＜U OFF ，构成低电平输入方式，这一电阻通常也称为关门电阻，记为R OFF ；当R ＞时，U R ＞U on ，构成高电平输入方式，这一电阻通常也称为开门电阻，记为R ON 。对于CMOS 门电路，由于栅极无栅流。若输入端接一电阻到地，相当于栅极电位为地电位，构成低电平输入方式。根据以上分析，各电路输出与输入量的关系式为：
11=F B A F ?=2 13=F 14=F B F =5 B A F +=6 A F =7
对应于输入信号A ，B 的波形可画出相应的波形图，如习题图(i)所示。
A
B
(h)
A
B
F 1 F 2 F 3
(b) TTL &
100 A B F 1
(a)
F 5
TTL & 100k A B ≥1
(e)
(d)
(g) (c) TTL &
100k A B
2
CMOS &
51 A B F 3
CMOS &
100k
A B 4
CMOS ≥1
100k
A 7
A F 6
习题 在习题图所示的各电路中，给定输入波形，试画出各输出端的波形。
解：首先根据电路图判断各个电路的输出与输入的逻辑关系。
（1）由习题图（a ）可得出描述输入与输出逻辑关系的逻辑表达式为B A F +=1。当输入有高电平出现时，输出为低电平；当输入全为低电平时，输出为高电平。
（2）由图习题图（b ）可看出后级与非门的输入由前级三态门的输出和输入量C 决定，输入量B 为三态门的使能控制端，当B 为低电平时，三态门开启，输出F 2由A 和C 决定；
A
B 习题图
（b ）
F 1
（a ）
F 2
（d ）
A B F 3
（c ）
A B F 4
A B C C D B
A
C
D
（e ）
B
A
C
D
（f ）
F 2
F 1
F 3
F 4
当B 为高电平时，三态门处于高阻状态，输出F 2仅由C 决定。
由此可得描述电路输入与输出逻辑关系的逻辑表达式：
时1时
2==???
?=B C B C A F （3）由习题图（c ）可得出描述输入与输出逻辑关系的逻辑表达式为：
AB F =3
当输入有低电平出现时，输出为高电平；当输入全为高电平时，输出为低电平。 （4）由图习题图（d ）可得出描述输入与输出逻辑关系的逻辑表达式为：
D C B A F ⊕⊕⊕=4
当输入有奇数个高电平出现时，输出为高电平；当输入有偶数个高电平出现时，输出为低电平。然后根据给定的输入波形及输入与输出之间的逻辑关系画出相应的输出波形图如习题图（f ）所示。
习题 习题图为ECL 门电路逻辑图，试写出F 1、F 2和F 3的逻辑表达式。
解：ECL 电路具有或/或非互补输出端且采用射极开路形式，允许多个输出端直接并联，以实现输出变量的“线或”操作。通过分析电路得到B A F +=1
F 2和F 3为三个和两个ECL 门输出直接相并 联后的输出，完成的是线或的逻辑功能。其输出 表达式为：
F E D C B A F +++++=2
F E D C F +++=3
习题 画出用最少数量的扇入为2的ECL 或/或非门实现下列操作的逻辑图。
)
)(())((21H G F E D C B A F F
E D C B A
F +++++=+++++=
解：本题利用ECL 输出变量的“线或”操作功能 实现要求的或逻辑功能。
欲实现F E D C B A F +++++=1，用扇入为
2的ECL “或/或非”门需门电路3个。
习题图
1
A B 2
C D 3
E F
2
A B C D 1
E F
E
))(())((2H G F E D C B A F +++++=
H G F E D C B A +++++++=
欲用扇入为2的ECL “或/或非”门需要的门 电路4个，实现电路如习题图所示。
习题 画出用I 2L 基本单元电路实现下述 操作的电路图及逻辑图。
AB F =1，CD AB F +=2，B A B A F ?=3
解：I 2L 基本单元电路的任何一个输出与输入
之间都是“非”逻辑关系，可采用“线与”形式连成各种门电路。实现相应逻辑操作的电路图和逻辑图如习题图所示。
习题 分别用两输入四与非门（74HC11）和两输入四或非门（74HC01）实现F 1=ABCD 和F 2=A+B+C+D ，画出逻辑图。
解：首先利用还原律，将表达式变成与非—与非式和或非—或非表达式，
CD
AB CD AB ABCD F ===1
D C B A F +++=2
由表达式画出逻辑图，如习题图所示。
A
A
B
B
F 1
A
B
习题图
A
B
F 3
A
B
C
D
F 2
A B C D F 1
A B C D F 2
习题图
习题 CMOS 电路如习题图所示。
1. 分析电路逻辑功能，分别写出F 1、F 2的逻辑表达式。
2. 试说明两种电路的相同之处和不同之处。
解： 1. ??
?===101EN Z EN A
F ??
?===0
1
2EN Z
EN A
F
2．相同之处是电路实现的都是三态门的功能。不同之处是控制电路工作的有效电平，图(a)是低电平使能，图(b)是高电平使能。
习题 试画出实现方程F=AB+C 的CMOS 电路图。
解：要实现的逻辑函数有三个输入端A 、B 、C ，每个输入端都与一个NMOS 和一个PMOS 管相对应。A 和B 之间实现的是与运算，所对应的NMOS 管相串联，PMOS 管相并联，又C 和AB 之间实现的或逻辑关系，只要将他们对应的NMOS 管并联，PMOS 管串联相接即可。经过上述连接得到的逻辑关系是C AB +，所以在输出端必须再加一级CMOS 反相器。电路图如习题图所示。
习题 习题图(a)、(b)所示为两种CMOS 门电路，试分别写出各图的逻辑式，并画出逻辑图。
解：图(a)所示的电路是由一个CMOS 反相器和一个CMOS 传输门组成。反相器的输入端为A ，输出端为A ，E 是传输门的控制信号端。当E 为高电平时，传输门开启，将输入端
习题图
F 1
(a)
EN EN F 2
(b)
A
的信号传送到输出端；当E 为低电平时，传输门关闭，输入信号与输出信号的联系将被切断。经上述分析可得到该电路的逻辑式为：
时
0时
11==??
?=E Z
E A F
由逻辑式可看出该电路实际上是一个三态门。
图(b)所示电路中，分析M 与A 、B 的逻辑关系可知，只有A 、B 全为低电平时，M 才输出高电平，由此可得：
B ΑB A M =+=
A
F
习题图
习题图
F 1
B (a)
(b)
A B F 2
1
A E
(c) F 2
A B
(d)
而电路的输出F 2与M 、A 、B 有关，分析它们之间的逻辑关系可知，只要M 为高电平或A 和B 全为高电平时，输出为低电平；而当M 为低电平且A 和B 中有一个为低电平时，输出为高电平，由此可得
B A AB B A AB M F ⊕=+=+=2
该电路实际上是CMOS 异或门。习题图(c)、(d)给出两个电路的等效符号。
习题习题图所示电路均为CMOS 电路，按照电路逻辑功能和图中所示输入状态，指出各电路的输出状态。
解：习题图(a)所示电路之中，与非门的三个输入端中有一个输入端接地，得到与非门的输出状态11=F 。
习题图(b)所示电路是一个与或非门，上面的与门的两个输入端都接高电平，输出为高电平；下面的与门有一个输入端接低电平，输出为低电平。又或非门的输入端一端为高电平，一端为低电平，输出状态02=F 。
习题图(c)所示电路是由一个传输门和一个异或门构成，由于传输门的门控制信号接低电平，所以传输门关闭。异或门的一个输入端相当于接高电平，另一个输入端相当于接低电平，其输出状态1103=⊕=F 。
习题 TTL-CMOS 接口电路如习题图所示，试从电平匹配的观点分析R P 的作用。
习题图
（b ）
F 2
U IH F 1
（a ）
U IH （c ）
F 3
U IL
习题图 习题图
u I
u O
u I u O
解：TTL 门电路高电平，低电平，而CMOS 门电路高电平U DD =5V 、低电平0V 。 显然二者高电平失配，为了保证TTL 输出高电平与CMOS 匹配，增加R P 电平提升电 阻，在TTL 截止时，由于推拉式输出截止，输出通过R p 将电平由提升到5V 左右，可基本满足CMOS 输入逻辑“1”电平的要求。
习题 CMOS-TTL 接口电路如习题图所示，试说明电路中两个CMOS 门并联使用的原因。 解：在逻辑电平上，一个CMOS 电路是可以驱动TTL 电路，但CMOS 输出低电平时，吸流能力较弱，如CT4000系列最大的I OLMAX 为，只能驱动一个TTL74LS 系列逻辑门，甚至输入电流大的TTL 也不能驱动。该电路TTL 门的输入端并联，要求前级电路提供较大的驱动电流，因而将CMOS 门并联使用以增大CMOS 门输出低电平时的吸流能力。
习题 已知7400为两输入四与非门，I OH =400μA 、I OL =16mA 、U OH =、U OL =，输入信号A 和B 均为高电平时推动发光二极管发光。现有发光二极管工作电流为10mA ，导通时管压降为，试画出逻辑电路图；若要求A 、B 有一个以上为低电平时二极管发光，逻辑图又该如何
解：根据题目要求输入信号A 和B 均为高电平时推动发光二极管发光，而当输入信号A 和B 均为高电平时与非门的输出为低电平，由此，可按习题图（a ）电路进行连接，电阻R 的取值要保证二极管正常工作， 即100.4-1.55=-R
mA ，可得R =320Ω,
此时灌入与非门的电流为10mA <16 mA ， 因此与非门可直接驱动发光管发光。
要求A 、B 有一个以上为低电平时 二极管发光，而当A 、B 有一个以上为低 电平时与非门输出为高电平，由题目可知， 与非门的I OH =400μA ，而二极管正常工
作所需的电流为10mA ，因此如用与非门
的输出不能直接驱动发光管，而需要加一级驱动。电路如习题图(b)所示。
习题 如习题图所示驱动电路，哪些驱动电路的连接是错误的
习题图
(a)
(b)
B A B
A B B C B D
解：习题图(a)，(c)驱动错误。
习题 电路如习题图所示，已知电路中的门均为TTL 门，其参数U ON =、U OFF =、R ON =2k Ω、R OFF =Ω，I IH ≈0、I IL =、U OH =、U OL =、I OHmax =400μA ；电路中的三极管参数β=60、I CM =30mA ，管子饱和时U BE =、U CES =，输入信号的高低电平分别为3V 和0V 。
（1） 试判断在A 、B 、C 不同取值情况下，三极管的工作状态。 （2） 试分析该电路能否实现C B A Y ?+=)(的逻辑功能。 解： B A F +=1
按图中给定的参数，可知F 1＝1时，U F1=，设T 导通并饱和，则U BE ＝，U CES ＝，T 管基极注入电流为
0.29mA 10
0.7
3.6B BE F1B =-=-=
R V U I
又因T 管临界饱和的基极偏流 β
CS
BS I I = 其中
6.4mA 1.41
5
1.4C C IL RC CS =+=+=
+=R U I I I 因此可求得 0.167mA 60
6.4
BS ==
I 因为 BS B I I > T 管饱和的假设成立，即U F1=1时，T 饱和。
当F 1=0时，三极管处于截止状态。
当C =1时，N 点的电位
2V 35
1010
N =?+=
U 可视为逻辑高电平。
当C =0时，N 点为低电平，相当于N 点对地的等效电阻应小于R OFF 。图中10k 和5k 的并联电阻值为，大于R OFF ，故需修改R 2的阻值。只要将R 2改为阻值就能满足N 和C 的状态一致性，保证电路正常工作。
即只要修改了这个部分电路就可以实现C B A Y )(+=的功能了。
习题 电路如习题图(a)所示，已知电路中的门均为TTL 门，其参数U IH =、U IL =、U OH =、U OL =、U T =，R ON =20k Ω、R OFF =Ω，I IH = 40μA 、I IL =－1mA 、I OH =、I OL =－8mA ，试分析并指出电路存在的问题，并加以改正。
解：习题图(a)电路中存在两个明显的问题。一是G 3和G 4门输出直接并在一起会损坏门的输出级，因而不允许在电路中采用线与的连接。二是箝位二极管D 的极性接反了。为了保证电路能正常工作，还需考虑以下问题：
（1）由三极管T ，电阻R B ，R C 构成的反相器电路应满足电路的逻辑要求，即门P 输出为高电平时，三极管T 应饱和，门P 输出低电平时，三极管T 应截止。
（2）电阻R 1，R 2要合理的选取，以保证C 为高电平时N 点也为高电平，C 为低电平时，N 点也为低电平，即C 和N 点逻辑电平应一致。
（3）门G 6的驱动能力应能驱动图示的8个同类门G 7～G 14。 下面具体分析上述的问题。 （1）与非门线与的改进
R 1 5k Ω
D
F 1
R C
5V R
R 2
≥1 B C G &
G1
10k Ω
T F 2
F
习题图
考虑到G 3，G 4门后接G 5门，故可将电路改为习题图(b)所示的形式，即G 6门采用与非门即可。也可考虑将G 3，G 4门改为OC 电路，如习题图(c)所示形式。OC 电路的输出可以线与，但需注意的是，使用OC 门要外接电阻和电源。
（2）箝位二极管的方向
三极管集电极所接的二极管D 是用于箝位的，目的是使图中M 点在高电平时的输出处于某一恒定电位（图中约为），同时使输出端处于高电平时的带负载能力增强。显然，当M 点为高电平时，D 起箝位作用，故应改变图中二极管的极性，使阳极在下，阴极在上。
（3）P =1时，三极管状态的分析
习题图
A B
F 1
F 7
(a)
A B
(b)
A B
(c)
P
P
A B
F 1
F 5
(d)
按习题图(a)中给定的参数，可知P ＝1时，U P =，设T 导通并饱和，则U BE ＝，U CES ＝，T 管基极注入电流为
0.145mA 20
0.7
3.6B BE P B =-=-=
R U U I
又因T 管临界饱和的基极偏流 β
I I CS
BS = 其中
6mA 12
10
1C C IL RC CS =+=+=
+=R U I I I 因此可求得 0.2mA 30
6
BS ==
I 因为 BS B I I <
T 管饱和的假设不成立，即U P =1时，T 不饱和，原电路R B ，R C 参数的选取不合理。这时可考虑采用减小R B ，或增加值的方法来解决。要满足I B >I BS ，则应有
B
0.7
3.6R - ≤ 解得 R B ≤
还需注意的一个问题是，R B 的选取在保证I B >I BS 的同时，必须满足I B
R B ≥
Ω=-7.25k 0.4
0.7
3.6
取R B =10K ，能保证电路处在正常工作状态。
若通过改变值来满足I B >I BS ，则应有
B I ≥
β
I CS
可解得 ≥
41.20.145
6
B CS ==I I 取为45~50的三极管也可使电路正常工作。
当P =0时，三极管处于截止状态，R B ，R C 取值大小不影响电路的逻辑关系。 （4）N 点和C 状态的一致性
当信号C 为高电平时，N 点应为高电平；反之当C 为低电平时，N 点也应为低电平。由电路图可求得C=1时，N 点的电位
2.8V
3.63
1010
N =?+=
U 可视为逻辑高电平。
当C =0时，要保证N 点也为低电平，相当于N 点对地的等效电阻应小于R OFF 。图中10k 和3k 的并联电阻值为 k ，大于R OFF ，故需修改R 1的阻值。只要将R 1改为阻值就能满足N 和C 的状态一致性，保证电路正常工作。
（5）门G 6的扇出系数
按给定的参数下，门G 6输出为高电平时可带门的数量
N 1 ≤
540
2100.423
IH OH =??=I I 门G 6输出为低电平时可带门的数量
N 2 ≤
81
8
2IL OL ==I I 扇出系数取最小值保证电路在任何情况下都能正常工作，扇出系数N O 为5。 综上所述，习题图(a)电路要能正常工作，应作如下改动：
（1）门G 6改为与非门，或将G 3，G 4门改为OC 门。 （2）R B 电阻改为10k ，或将T 管的值提高至45～50。 （3）改二极管D 的极性，使阳极在下，阴极在上。 （4）R 1电阻改为。
（5）门G 6的负载门改为5个。 习题图(d)为修改后能正常工作的电路。
习题 CMOS 门电路如习题图（a ）所示，已知输入信号A 、B 和控制信号C 的波形如习题图（b ）所示，试分析并画出Z 端的波形。
A
（a ）
（b ）
≥1
B
1
Z
X1 1
1
C C X1 1
1
C C
A
B C
TG 1
TG 2
解：当C为低电平时，习题图中输入信号A连接的CMOS传输门TG1导通，右面传输门TG2关断。信号A通过传输门TG1和信号B经或非门输出为信号Z。当C为高电平时，习题图中输入信号A连接的CMOS传输门TG1关断，右面传输门TG2导通。输出信号Z通过非门和信号B经或非门输出为信号Z。此时，信号A的变化不影响输出，输出信号Z端的波形如习题图（c）所示。
数字电子技术基础第三版第二章答案
第二章逻辑门电路 第一节重点与难点 一、重点： 1．TTL与非门外特性 （1）电压传输特性及输入噪声容限：由电压传输特性曲线可以得出与非门的输出信号随输入信号的变化情况，同时还可以得出反映与非门抗干扰能力的参数U on、U off、U NH和U NL。开门电平U ON是保证输出电平为最高低电平时输入高电平的最小值。关门电平U OFF 是保证输出电平为最小高电平时，所允许的输入低电平的最大值。 （2）输入特性：描述与非门对信号源的负载效应。根据输入端电平的高低，与非门呈现出不同的负载效应，当输入端为低电平U IL时，与非门对信号源是灌电流负载，输入低电平电流I IL通常为1～1.4mA。当输入端为高电平U IH时，与非门对信号源呈现拉电流负载，输入高电平电流I IH通常小于50μA。 （3）输入负载特性：实际应用中，往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况，电阻的取值不同，将影响相应输入端的电平取值。当R≤关门电阻R OFF时，相应的输入端相当于输入低电平；当R≥ 开门电阻R ON时，相应的输入端相当于输入高电平。 2．其它类型的TTL门电路 （1）集电极开路与非门（OC门） 多个TTL与非门输出端不能直接并联使用，实现线与功能。而集电极开路与非门（OC 门）输出端可以直接相连，实现线与的功能，它与普通的TTL与非门的差别在于用外接电阻代替复合管。 （2）三态门TSL 三态门即保持推拉式输出级的优点，又能实现线与功能。它的输出除了具有一般与非门的两种状态外，还具有高输出阻抗的第三个状态，称为高阻态，又称禁止态。处于何种状态由使能端控制。 3．CMOS逻辑门电路 CMOS反相器和CMOS传输门是CMOS逻辑门电路的最基本单元电路，由此可以构成各种CMOS逻辑电路。当CMOS反相器处于稳态时，无论输出高电平还是低电平，两管中总有一管导通，一管截止，电源仅向反相器提供nA级电流，功耗非常小。CMOS器件门限电平U TH近似等于1/2U DD，可获得最大限度的输入端噪声容限U NH和U NL=1/2U DD。 二、难点： 1．根据TTL与非门特性，正确分析和设计电路； 2．ECL门电路的逻辑功能分析； 3．CMOS电路的分析与设计； 4．正确使用逻辑门。 三、考核题型与考核重点 1．概念 题型为填空、判断和选择。
第二章逻辑门电路2
电路中D 3、D 4的作用是提高开关速度，当U o 由1跳到0时，经D 3、D 4提供放电回路，加速U o 的下降速度。R 4电阻由接地改为接在U o 上的目的是降低静态功耗，R 1电阻取值改为20k Ω也是为了降低电路的功耗。该电路的电阻值比TTL 门电路相应的电阻值大，主要目的是降低电路的功耗。实现的是与非的逻辑功能。 电路中二极管采用肖特基二极管，其正向导通压降为，而肖特基三极管的发射极的正偏电压为，集电极的正偏电压为。因此，电路的阈值电压将变为： D BE5BE2T U U U U -+==+输出的高低电平值：U OH = U OL =。 输入端的短路电流I IL = 0.23mA 20 0.4 5=- 习题 习题图TTL 与非门电路所示的电路中，若在某一输入端与地之间接一电阻R ，其余输入端悬空，试问： ⑴保证与非门可靠关闭时的最大电阻即关门电阻R OFF 为多大值 ⑵保证与非门可靠开通时的最小电阻即开门电阻R ON 为多大值 解：若在输入端A 与地之间接一电阻R i ，则R i 与地之间的电压U i 为： （1）i i i R R R U U U ?+-= 1be1 cc ≤OFF U 即 i R ?+-R 30.7 5≤ R i ≤? R OFF ?700? (2) i i i R R R U U U ?+-= 1be1 cc ≥on U 即 i R ?+-R 30.7 5≥ 由此可得： R i ≥? , 一般选R ON =2k? 1.4V T 1be1 cc ==?+-U R R R U U i i 工程计算： 得 R ON =R OFF ?? 习题 习题图所示电路由TTL 与非门组成。设G 1～G 4门的平均传输延迟时间相同为30ns ，现测得输出端F 的振荡频率为，试求G 5的平均传输延迟时间t pd5。 解：根据F 的频率求出F 的振荡周期，T =，由于五个与非门输出为原信号的非，所以延迟时间应为T /2≈156ns ，则第五个与非门的延迟时间为36ns 。 习题图 F
第2章 逻辑门电路-习题答案
第2章逻辑门电路 2.1 题图2.1(a)画出了几种两输入端的门电路，试对应题图2.1(b)中的A、B波形画出各门的输出F1～ F6的波形。 题图2.1 解: 2.2 求题图2.2所示电路的输出逻辑函数F1、F2。 题图2.2 解:
2.3 题图2.3中的电路均为TTL门电路，试写出各电路输出Y1～Y8状态。 题图2.3 解: Y1=0, Y2=0, Y3=Hi-Z, Y4=0, Y5=0, Y6=0, Y7=0, Y8=0. 2.4 题图2.4中各门电路为CMOS电路，试求各电路输出端Y1、Y2和Y的值。 题图2.4 解: Y1=1, Y2=0, Y3=0. 2.5 6个门电路及A、B波形如题图2.5所示，试写出F1～F6的逻辑函数，并对应A、B波形画出 F1～F6的波形。
题图2.5 解： 2.6 电路及输入波形分别如题图2.6(a)和2.6(b)所示，试对应A、B、C、x1、x2、x3波形画出F端波 形。 题图2.6 解：
2.7 TTL与非门的扇出系数N是多少？它由拉电流负载个数决定还是由灌电流负载决定？ 解: N≤8 N由灌电流负载个数决定. 2.8 题图2.8表示三态门用于总线传输的示意图，图中三个三态门的输出接到数据传输总线，D1D2、D3D4、…、D m D n为三态门的输入端，EN1、EN2、EN n分别为各三态门的片选输入端。试问：EN信号应如何控制，以便输入数据D1D2、D3D4、…、D m D n顺序地通过数据总线传输（画出EN1～EN n 的对应波形）。 题图2.8 解：用下表表示数据传输情况 2.9 某工厂生产的双互补对称反相器（4007）引出端如题图2.9所示，试分别连接成：（1）反相器； （2）三输入与非门；（3）三输入或非门。
数字电子技术第二章(逻辑门电路)作业及答案
第二章（逻辑门电路）作业及答案 1．逻辑门电路如下图所示： （1）电路均为ＴＴＬ电路，试写出各个输出信号的表达式。 （2）电路若改为ＣＭＯＳ电路，试写出各个输出信号的表达式。 答案:（1）,,,（2）,,, 2、已知TTL反相器的电压参数为V IL(max)=0.8V，V OH(min)=3V，V TH=1.4V，V IH(min)=1.8V，V OL(max)=03V，V CC=5V，试计算其高电平噪声容限V NH和低电平噪声容限V NL。 答案:V NL= V IL(max) - V OL(max)=0.5V，V NH= V OH(min) - V IH(min) =1.2V。 3、 试写出图2-1、图2-2所示逻辑电路的逻辑函数表达式。 解：（1）（2） 4、试分析图2-3所示MOS电路的逻辑功能，写出Y端的逻辑函数式，并画出逻辑图。
5、试简要回答下列问题。
（1）有源（图腾柱）输出与集电极开路（OC）输出之间有什么区别？ 解：OC门输出端只能输出低电平和开路状态，其输出级需要上拉电阻才能输出高电平，且上拉电源可以与芯片电源不同，因此常用于不同电源电压芯片之间实现信号电平变换，OC门输出端可以并联实现线与； 有源输出可以输出低电平与高电平，两个有源输出端连接在一起时，若是一个输出端输出高电平，另外一个输出端输出低电平时，可引起较大电流损坏输出级。 （2）TTL逻辑电路输入端悬空时，可视为输入高电平信号处理，而CMOS逻辑电路输入端则不允许悬空使用，试说明其原因。 解：因为CMOS电路的输入端具有非常高的输入阻抗，容易受到干扰，一旦受到干扰后，会使输出电平发生转换，产生功耗，因此输入端不能悬空，应该连接确定的逻辑电平。 6.请查阅74LS00芯片手册（常规温度范围的），回答如下问题： （1）电源电压范围； （2）输出高电平电压范围； （3）输出低电平电压范围； （4）输入高电平电压范围； （5）输入低电平电压范围； （6）该芯片的电源电流； （7）典型传播延迟时间； （8）扇出系数。 解：（1）电源电压范围4.75~5.25V （2）输出高电平范围：当|I OH|≤0.4mA时：2.7V~5V （3）输出低电平范围：当I OL≤8mA时：0~0.5V （4）输入高电平电压范围：2V~5V （5）输入低电平电压范围；0~0.8V （6）该芯片的静态电源电流； 5.5V时：I CCH=1.6mA/每封装 5.5V时：I CCL=4.4mA/每封装 （7）典型传播延迟时间； t PHL =10ns； t PLH=9ns； （8）扇出系数。 高电平输入电流I IH=20μA，输出I OH为400μA，因此高电平扇出系数为20。 低电平输入电流I IL=0.4mA，输出I OL为8mA，因此低电平输出心事为20。
第二章 逻辑门电路
第二章逻辑门电路 1、对于半导体材料，随温度升高：A A、电子—空穴对增加，载流子数目增多，导电能力增强 B、电子—空穴对减少，载流子数目增多，导电能力增强 C、电子—空穴对增加，载流子数目减少，导电能力增强 D、 2、N型半导体中主要靠（C ）载流子导电： A、束缚电子 B、空穴 C、自由电子 D、 3、在数字电路中，三极管一般作为一个开关使用，工作稳定时处于： A、饱和或放大状态 B、放大或截止状态 C、饱和或截止状态 D、 4、将多个与非门的输出端直接相连，实现各输出端相与的逻辑功能，称为： A、线与 B、线或 C、线非 D、 5、TTL门电路的输入端悬空或接大电阻相当接： A、低电平 B、高电平 C、高阻 D、 第二题、多项选择题（每题2分，5道题共10分） 1、对于本征半导体：ABC A、自由电子和空穴成对出现 B、自由电子和空穴浓度相同 C、自由电子浓度高，空穴浓度低 D、自由电子和空穴数目相同 E、自由电子数目少，空穴数目多 2、三极管工作在饱和状态时： A、如图开关断开 B、两个结均反偏 C、如图开关闭合 D、两个结均正偏 E、一个结正偏，另一个结反偏 3、若只采用二极管作为开关器件，则可以实现： A、与逻辑关系 B、非逻辑关系 C、或逻辑关系 D、与非逻辑关系 4、或非门的多余输入端可以： A、接逻辑1 B、接逻辑0 C、和有用端并接 D、悬空 5、场效应管也叫： A、电流控制器件 B、电压控制器件 C、双极性器件 D、单极性器件 第三题、判断题（每题1分，5道题共5分）1、半导体中只有自由电子一种载流子。 错误 2、载流子的漂移运动与扩散运动方向相同。 正确 3、二极管的反向饱和电流随温度的升高而增大。 正确错误 4、三极管实现电流控制及放大的外部条件是Je正偏，Jc反偏。 正确错误 5、逻辑门的多余输入端可以和有用端并接使用。 正确错误 第三章组合逻辑电路的分析与设计 1、组合逻辑电路的输出状态： A、与输入状态无关，和电路原来的状态有关， B、与输入状态有关，和电路原来的状态无关 C、与输入状态有关，和电路原来的状态有关 D、 2、最简与或式是指逻辑表达式中的：
第二章 逻辑门电路
第二章逻辑门电路 [教学要求] 1.了解门电路的定义及分类方法，二极管、三极管的开关特性，及分立元件组成的与、或、 非门的工作原理； 2.掌握TTL反相器的工作原理，静态输入、输出、电压传输特性及输入端负载特性，开关 特性；了解其它TTL门（与非门、或非门、异或门、三态门，OC门）的工作原理及TTL 门的改进系列； 3.掌握CMOS反相器的工作原理及静态特性。了解CMOS反向器的动特性。其他CMOS 门（与非门、或非门等）的工作原理。掌握门电路应用注意事项。 [教学内容] 1.分立元件组成的与、或、非门的工作原理 2.TTL反相器 3.其它TTL门 4.CMOS反相器的工作原理及静态特性 5.其他CMOS门（与非门、或非门等）的工作原理 6.门电路应用注意事项 引言
2.1 二极管的开关特性 一、二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程。其中t S 称为存储时间，t t称为渡越时间，t re=t s+t t称为反向恢复时间。 由于反向恢复时间的存在，使二极管的开关速度受到限制。 二、产生反向恢复过程的原因——电荷存储效应 二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。 三、二极管的开通时间 二极管从截止转为正向导通所需的时间称为开通时间。这个时间同反向恢复时间相比是很短的。它对开关速度的影响很小，可以忽略不计。 2.2 BJT的开关特性 ＮＰＮ型BJT的结构如下图所示。
ＰＮＰ型BJT的结构如下图中的上半部所示，下边为电路图中的符号。 一、BJT的开关作用 BJT的开关作用对应于有触点开关的“断开”和“闭合”。 上图所示电路用来说明BJT开关作用，图中BJT为ＮＰＮ型硅管。 ＮＰＮ型BJT截止、放大、饱和三种工作状态的特点列于下表中。 二、BJT的开关时间 BJT的开关过程和二极管一样，也是内部电荷“建立”和“消散”的过程。因此BJT饱和与截止两种状态的相互转换也是需要一定的时间才能完成的。