SiT5001,1-80MHz温补振荡器
SIT5001是SITIME推出的基于Encore 平台的压控温补（VCTCXO） MEMS硅晶振，最高可达0.5PPM的频率稳定度，支持1-80MHZ频率输出。
MEMS硅晶振是美国SITIME公司推出的、专业替代石英的革命性时钟产品，采用MEMS技术与CMOS技术相结合的半导体工艺，将传统的石英晶振全面硅化。可完全替代传统的石英晶振，并从本质上消除了石英晶振的温漂、品质不一致、长期工作不稳定等缺陷；
●1-80MHz任意频点可编程，可精确到小数点后6位
●100% 与石英TCXO 管脚兼容
●总频差: ±1PPM（SIT5003可低至±0.5PPM）
●超低相位抖动：0.5pS @12KHz—20MHz
●通过电压控制可选牵引度：±12.5PPM、±25PPM、±50PPM
●输出电平兼容：LVMOS /HCMOS
●静态与使能模式可选；
●可选封装：7050、5032、3225
●高于石英10倍以上稳定性
●超短交货周期
●典型应用：网通通信、电能表、GPS、无线传输
应用：
●消费电子、视频、图像采集、机顶盒、HDTV、DVR、扫描仪、打印机、复印机、网络摄像头
●USB1.1、USB2.0、SATA、SAS、光端机、IEEE 1394、以太网、PCI总线等等
参数名称符号最小值标准值最大值单位测试条件频率范围 f 1 - 80 MHz
频率稳定性
初始误差F_init -1 - 1 PPM 在常温25℃
受温度影响F_stab
-1 - 1 PPM 分别在电压为
1.8V,
2.5V,2.8V,
3.3V
及正常负载15pF下
-1.5 - 1.5 PPM
-2.5 - 2.5 PPM
-5 - 5 PPM
受电压影响F_vdd - 50 - PPB 10%Vdd (5% for Vdd=1.8V) 输出负载F_load - 0.1 - PPM 10% for 15pF Load
老化误差F_aging -1 - 1 PP 第一年，常温25℃下
工作温度范围T_use -20 - 70 ℃商规-40 - 85 ℃工规
■特色，优点和应用■产品简介
■电气特性表
参数名称
符号
最小值 标准值 最大值 单位 测试条件 供电电压
Vdd
1.71
1.8 1.89 V
2.25 2.5 2.75 V 2.52 2.8
3.08 V 2.97
3.3
3.63
V 牵引范围 PR ±12.5PPM 、±25PPM 、±50PPM PPM 控制电压 VC 10 - 90 %VDD 控制电压脉宽-3dB
V_BW
-
-
8
KHz
功耗 Idd
- 32 TBD mA 空载，
f=20MHz,Vdd=2.5V,2.8V,3.3V -
31 TBD mA 空载，f=20MHz,Vdd=1.8V 静态电流 I_stby - 10 TBD uA 占空比
DC
45 - 55 % 上升/下降时间 Tr,Tf - 1.5 - nS 输出高电平 VOH 90% - - Vdd 输出低电平 VOL - - 10% Vdd 输出负载 Load - - 15 pF 输入高电平 VIH 70% - - Vdd 输入低电平 VIL - - 30% Vdd 启动时间 T_start - - 10 ms OE 使能/失效时间 T_oe - - TBD ms 恢复时间 T_resume - 6 TBD ms
周期抖动 RMS T_jitt - 1.7 - ps f = 10 MHz
相位抖动 RMS
T_phj
-
0.5
-
ps
f = 10 MHz@ 12K--20MHz
管脚说明 管脚1功能说明 管脚 连接
1 OE/VC/ ST
2 GND
3 CLK 4
VDD
注意：当工作电压为1.8V 时，需要在OE 与Vdd 间接一个小于100Ω的电阻，其它电压情况下，SITIME 建议一个类似的上接电阻。
VIN 0-VDD ，通过频率变化产生电压 OE
当1脚接H 时，正常输出CLK
当1脚接L 时，输出禁止，呈高阻状态 ST 当1脚接H 或悬空时，正常输出CLK L ：输出低电平，内部振荡停止
■ 技术参数
尝试让器件工作在绝对工作范围之外将可能引起不同程度的损坏，本器件的性能只保证在正常操作值范围内，而非最大绝对值范围内。
参数 最小值 最大值 单位 储存温度 -65 150 ℃ VDD
-0.5 4 V 静电放电（人体接触静电） - 2000 V
回流焊温度
260 ℃
编程次数 1 次 程序保持
1000+
年
参数 条件与测试方式
机械振动 MIL-STD-883F, Method 2002 机械震动 MIL-STD-883F, Method 2007 温度周期 JESD22, Method A104 焊接能力 MIL-STD-883F, Method 2003 湿度敏感性
MSL1 @ 260°C
■ 相噪波形
■ 环境兼容实验
■ 最大值绝对范围
■尺寸和焊盘布局
本中文资料是根据美国SiTime 官方提供的英文数据手册相关内容翻译和直接引用而得。仅用于帮助工程师更快更好的
了解SiTime 硅晶振基本功能，译文中可能存在文字组织或翻译错误，本公司不对文档中存在的翻译差异及由此产生的错误负责。最终解释权归北京晶圆真智科技有限公司所有，未经本公司授权，任何单位及个人不得非法修改、拷贝和盈利。本公司拥有对此资料所有权及修改权且无需提前通知客户的权利。如需涉及更准确性的资料，请参考原始英文版本资料。
https://www.sodocs.net/doc/9911848526.html,/upload/PDF/sitime/SiT5001-datasheet[en].pdf
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