数据表
NPN硅RF晶体管
2SC5615 NPN硅RF晶体管
高频低噪声
3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD
特征
?1005包就业(1.0×0.5×0.5 mm)
?NF = 1.4 dB典型值, S21e 2= 12.0Hz dB典型值.用V CE= 3 V, I C= 7毫安,F = 1千兆赫
订购信息
零件号2SC5615
2SC5615-T3
数量
50只(不卷)
10千件/卷
供给方式
?8mm宽压花录音
?引脚2(基地)面对磁带穿孔侧
备注要订购评价样品,请联系您最近销售部门.
单位样品数量为50个.
绝对最大额定值(T A= +25°C)
°
参数集电极基极电压
集电极到发射极电压发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V CB O
V CE O
V E B O
I C
P tot Note
额定值
20
10
1.5
65
140
150
65to +150
单元
V
V
V
mA
mW
°C
°C T j
T s tg
2
注意安装在1.08厘米× 1.0毫米(t)玻璃环氧树脂印刷电路板
由于该产品采用高频技术,避免过多静电,等等.
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电气特性(T A= +25°C)
°
参数
直流特性
集电极截止电流
发射极截止电流
DC电流增益
射频特性
增益带宽产品插入功率增益噪声系数
反向传输电容
f T
S21e 2
NF
C re Note 2
符号测试条件M IN.TY P.M A X.单元I CB O
I E B O
h FE Note 1
V CB= 10 V, I E= 0 mA时
V E B= 1 V, I C= 0 mA时
V CE= 3 V, I C=7毫安
–
–
80
–
–
–
800
800
145
nA
nA
–V CE= 3 V, I C= 7毫安,F = 1千兆赫
V CE= 3 V, I C= 7毫安,F = 1千兆赫
V CE= 3 V, I C= 7毫安,F = 1千兆赫,
Z S= Z opt
V CB= 3 V, I E= 0毫安,F = 1兆赫
4.5
10.0
–
–
7.0
12.0
1.4
–
–
–
2.7
0.9
GHz
dB
dB
pF
注意事项1.脉冲测量:PW 350μS,占空比 2%
2.收藏家基地电容,当发射器接地
h FE分类
秩打标h FE值
EB
D1
80至110
FB
D2
100 to 145
2Data Sheet PU10081EJ02V0DS
典型特征(除另有规定外,T
A
= +25°C)
°总功耗-环境温度
反向传输电容C
re
(pF)反向传输电容
主场迎战集电极基极电压
0.6
0.50.40.30.2
0.1
F = 1兆赫
300总容许损耗P
tot
(mW)250
200150安装在玻璃环氧树脂PCB
(1.08厘米2
× 1.0毫米(t ))
140
100
500255075100
1251500246
810
环境温度T A
(?C)
集电极基极电压V
CB
(V )
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
1001010.1
0.01
0.001V CE = 1 V 集电极电流I
C
(mA )
集电极电流主场迎战基地发射极电压
1001010.1
0.01
0.001
V CE = 2 V
集电极电流I
C
(mA )
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
基极至发射极电压V B E
(V )
基极至发射极电压V
B E
(V )
集电极电流主场迎战基地发射极电压
1001010.1
0.01
0.001V CE = 3 V
集电极电流I
C
(mA )
集电极电流主场迎战集电极到发射极电压35302520
1510
5
I B = 30μA 90μA
300μA 210μA
I B : 30μ步
集电极电流I
C
(mA )
150μA
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
2
4
6
8
基极至发射极电压V B E
(V )
集电极到发射极电压V
CE
(V )
Data Sheet PU10081EJ02V0DS
3
DC 电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
V CE = 2 V
DC 电流增益主场迎战
集电极电流
DC 电流增益^ h
FE 100DC 电流增益^ h
FE
1
10
100
100100.1
100.1
1
10
100
集电极电流I
C
(mA )集电极电流I
C
(mA )
DC 电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V CE = 3 V
DC 电流增益^ h
FE
100100.1
1
10
100
集电极电流I
C
(mA )
4
Data Sheet PU10081EJ02V0DS
增益带宽产品
主场迎战集电极电流10增益带宽乘产品F
T
(GHz)
增益带宽乘产品F
T
(GHz)
增益带宽产品
主场迎战集电极电流10V CE = 2 V F = 1 GHz 的
8
V CE = 1 V F = 1 GHz 的8
66442201
10
集电极电流I
C
(mA )
100
01
10
集电极电流I
C
(mA )
100
增益带宽产品
主场迎战集电极电流10增益带宽乘产品F
T
(GHz)
V CE = 3 V F = 1 GHz 的
8
64201
10
集电极电流I
C
(mA )
100
Data Sheet PU10081EJ02V0DS
5