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2SC5615-A中文资料(NEC)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

数据表

NPN硅RF晶体管

2SC5615 NPN硅RF晶体管

高频低噪声

3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

特征

?1005包就业(1.0×0.5×0.5 mm)

?NF = 1.4 dB典型值, S21e 2= 12.0Hz dB典型值.用V CE= 3 V, I C= 7毫安,F = 1千兆赫

订购信息

零件号2SC5615

2SC5615-T3

数量

50只(不卷)

10千件/卷

供给方式

?8mm宽压花录音

?引脚2(基地)面对磁带穿孔侧

备注要订购评价样品,请联系您最近销售部门.

单位样品数量为50个.

绝对最大额定值(T A= +25°C)

°

参数集电极基极电压

集电极到发射极电压发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

V CB O

V CE O

V E B O

I C

P tot Note

额定值

20

10

1.5

65

140

150

65to +150

单元

V

V

V

mA

mW

°C

°C T j

T s tg

2

注意安装在1.08厘米× 1.0毫米(t)玻璃环氧树脂印刷电路板

由于该产品采用高频技术,避免过多静电,等等.

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices representative for availability and additional information.

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电气特性(T A= +25°C)

°

参数

直流特性

集电极截止电流

发射极截止电流

DC电流增益

射频特性

增益带宽产品插入功率增益噪声系数

反向传输电容

f T

S21e 2

NF

C re Note 2

符号测试条件M IN.TY P.M A X.单元I CB O

I E B O

h FE Note 1

V CB= 10 V, I E= 0 mA时

V E B= 1 V, I C= 0 mA时

V CE= 3 V, I C=7毫安

80

800

800

145

nA

nA

–V CE= 3 V, I C= 7毫安,F = 1千兆赫

V CE= 3 V, I C= 7毫安,F = 1千兆赫

V CE= 3 V, I C= 7毫安,F = 1千兆赫,

Z S= Z opt

V CB= 3 V, I E= 0毫安,F = 1兆赫

4.5

10.0

7.0

12.0

1.4

2.7

0.9

GHz

dB

dB

pF

注意事项1.脉冲测量:PW 350μS,占空比 2%

2.收藏家基地电容,当发射器接地

h FE分类

秩打标h FE值

EB

D1

80至110

FB

D2

100 to 145

2Data Sheet PU10081EJ02V0DS

典型特征(除另有规定外,T

A

= +25°C)

°总功耗-环境温度

反向传输电容C

re

(pF)反向传输电容

主场迎战集电极基极电压

0.6

0.50.40.30.2

0.1

F = 1兆赫

300总容许损耗P

tot

(mW)250

200150安装在玻璃环氧树脂PCB

(1.08厘米2

× 1.0毫米(t ))

140

100

500255075100

1251500246

810

环境温度T A

(?C)

集电极基极电压V

CB

(V )

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

1001010.1

0.01

0.001V CE = 1 V 集电极电流I

C

(mA )

集电极电流主场迎战基地发射极电压

1001010.1

0.01

0.001

V CE = 2 V

集电极电流I

C

(mA )

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9 1.0

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9 1.0

基极至发射极电压V B E

(V )

基极至发射极电压V

B E

(V )

集电极电流主场迎战基地发射极电压

1001010.1

0.01

0.001V CE = 3 V

集电极电流I

C

(mA )

集电极电流主场迎战集电极到发射极电压35302520

1510

5

I B = 30μA 90μA

300μA 210μA

I B : 30μ步

集电极电流I

C

(mA )

150μA

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9 1.0

2

4

6

8

基极至发射极电压V B E

(V )

集电极到发射极电压V

CE

(V )

Data Sheet PU10081EJ02V0DS

3

DC 电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

V

CE

= 1 V

1 000

V CE = 2 V

DC 电流增益主场迎战

集电极电流

DC 电流增益^ h

FE 100DC 电流增益^ h

FE

1

10

100

100100.1

100.1

1

10

100

集电极电流I

C

(mA )集电极电流I

C

(mA )

DC 电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

V CE = 3 V

DC 电流增益^ h

FE

100100.1

1

10

100

集电极电流I

C

(mA )

4

Data Sheet PU10081EJ02V0DS

增益带宽产品

主场迎战集电极电流10增益带宽乘产品F

T

(GHz)

增益带宽乘产品F

T

(GHz)

增益带宽产品

主场迎战集电极电流10V CE = 2 V F = 1 GHz 的

8

V CE = 1 V F = 1 GHz 的8

66442201

10

集电极电流I

C

(mA )

100

01

10

集电极电流I

C

(mA )

100

增益带宽产品

主场迎战集电极电流10增益带宽乘产品F

T

(GHz)

V CE = 3 V F = 1 GHz 的

8

64201

10

集电极电流I

C

(mA )

100

Data Sheet PU10081EJ02V0DS

5

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