常用电子元器件型号命名法及主要技术参数(精)

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号

一．电阻器、电容器、电感器和变压器

二．半导体管

三．其它电气图形符号

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器

1．电阻器和电位器的型号命名方法

示例：

(1)精密金属膜电阻器

R J 7 3

第四部分：序号

第三部分：类别（精密）

第二部分：材料（金属膜）

第一部分：主称（电阻器）

(2) 多圈线绕电位器

W X D 3

第四部分：序号

第三部分：类别（多圈）

第二部分：材料（线绕）

第一部分：主称（电位器）

2．电阻器的主要技术指标

(1) 额定功率

电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。

(2) 标称阻值

阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。

(3) 允许误差等级

3．电阻器的标志内容及方法

(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，

表５

例如：

RJ71－0.125－5k1－II

允许误差±10%

标称阻值(5.1kΩ)

额定功率1/8W

型号

由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。

(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。

标称值第一位有效数字

标称值第二位有效数字

标称值有效数字后0的个数

允许误差

图1 两位有效数字阻值的色环表示法

三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。

四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。

五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。

一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。

有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判断。

标称值第一位有效数字

标称值第二位有效数字

标称值第三位有效数字

标称值有效数字后0的个数

允许误差

图2 三位有效数字阻值的色环表示法

4．电位器的主要技术指标

(1) 额定功率

电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。

(2) 标称阻值

标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。

(3) 允许误差等级

实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许±20%、±10%、±5%、±2%、±1%的误差。精密电位器的精度可达±0.1%。

(4) 阻值变化规律

指阻值随滑动片触点旋转角度（或滑动行程）之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式（指数式）。

在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品，可用直线式代替，但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。 5．电位器的一般标志方法

WT

－ 2 3.3k ±10%

允许误差±10% 标称阻值3.3k Ω 额定功率2W 碳膜电位器

WX －1 510Ω J

允许误差±5% 标称阻值510Ω 额定功率1W 线绕电位器

二．电容器

1．电容器型号命名法

表6 电容器型号命名法

(1) 铝电解电容器

C D 1 1

第四部分：序号

第三部分：特征分类（箔式）

第二部分：材料（铝）

第一部分：主称（电容器）

(2) 圆片形瓷介电容器

C C 1－1

第四部分：序号

第三部分：特征分类（圆片）

第二部分：材料（瓷介质）

第一部分：主称（电容器）

(3)纸介金属膜电容器

C Z J X

第四部分：序号

第三部分：特征分类（金属膜）

第二部分：材料（纸介）

第一部分：主称（电容器）

2．电容器的主要技术指标

(1) 电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。

(2) 电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。

(3) 标称电容量：

注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10，其中n为正整数或负整数，单位为pF。

3．电容器的标志方法

(1)直标法容量单位：F（法拉）、μF（微法）、nF（纳法）、pF（皮法或微微法）。

1法拉=6

10微微法

10纳法=6

10微微法，1微法=3

10微法=12

1纳法=3

10微微法

例如：4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22μF，51 表示51pF。

有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100 pF；用小于1的数字表示单位为μF 的电容，例如0.1表示0.1μF。

(2) 数码表示法 一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF 。前两位为有效数字，后一位表示位率。即乘以10i ，i 为第三位数字，若第三位数字9，则乘10-1。如223J 代表22?103pF ＝22000pF ＝0.22μF ，允许误差为±5%；又如479K 代表47?10-1pF ，允许误差为±5%的电容。这种表示方法最为常见。

（3）色码表示法 这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF 。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF 。

三．电感器

1．电感器的分类

常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。

2．电感器的主要技术指标 (1) 电感量:

在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比 其比例常数称为自感系数，用L 表示，简称为电感。即：

I L ?

=

式中：?＝磁通量 I ＝电流强度

(2) 固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感 器的固有电容。

(3) 品质因数：

电感线圈的品质因数定义为：

R L

Q ω=

式中：ω－工作角频率，L －线圈电感量，R －线圈的总损耗电阻 (4) 额定电流：线圈中允许通过的最大电流。 (5) 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。 2．电感器电感量的标志方法

(1) 直标法。单位H （亨利）、mH （毫亨）、μH （微亨）、 (2) 数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。

(3) 色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种 颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为μH ，第四种颜色是误差位。

四．半导体分立器件

1．半导体分立器件的命名方法

（1）我国半导体分立器件的命名法

例：

1) 锗材料PNP型低频大功率三极管：2) 硅材料NPN型高频小功率三极管：

3 A D 50 C 3 D G201 B

规格号规格号

序号序号

低频大功率低频大功率

PNP型、锗材料PNP型、锗材料

三极管三极管

3) N型硅材料稳压二极管：4) 单结晶体管：

2 C W 51 B T

3 3 E

序号规格号

稳压管耗散功率

N型、硅材料三个电极

二极管特种管

半导体（2）国际电子联合会半导体器件命名法

示例（命名）：

A F 239 S

AF239型某一参数的S档

普通用登记序号

高频小功率三极管

锗材料

国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：

1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。

2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。

3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。

4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN 型。

5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。

6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。

(3) 美国半导体器件型号命名法

美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。

例：

1) JAN2N2904 2) 1N4001

JAN 2 N 2904 1N4001

EIA登记序号EIA登记序号

EIA注册标志EIA注册标志

三极管二极管

军用品

美国晶体管型号命名法的特点：

1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。

2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。

3) 除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N 开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。

4) 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。

5) 不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。

6) 登记序号数大的通常是近期产品。

(4) 日本半导体器件型号命名法

日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。

日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：

M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。

N－松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。

Z－松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。

H－日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。

K－日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。

T－日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。

G－东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。

S－三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。

第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数h FE的分档标志。

示例：

1）2SC502A（日本收音机中常用的中频放大管）

2 S C 502 A

2SC502型的改进产品

日本电子工业协会登记顺序号

NPN型高频三极管

日本电子工业协会注册产品

三极管（两个PN结）

2）2SA495（日本夏普公司GF－9494收录机用小功率管）

2 S A 495

日本电子工业协会登记顺序号

PNP高频管

日本电子工业协会注册产品

三极管（两个PN结）

日本半导体器件型号命名法有如下特点：

1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。

2) 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。

3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。

4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。

5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。

6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。

7) 在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率f T为100MHz，所以，它们也可当高频管用。

8) 日本通常把P cm≥1W的管子，称做大功率管。

2．常用半导体二极管的主要参数

3.常用整流桥的主要参数

表14 几种单相桥式整流器的参数

4.常用稳压二极管的主要参数

5.常用半导体三极管的主要参数

(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管

（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管

表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数

（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管

(4)3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管

表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数

(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管

(5)9011~9018塑封硅三极管

表21 9011~9018塑封硅三极管的参数

6．常用场效应管主要参数

五．模拟集成电路

1.模拟集成电路命名方法（国产）

例：

C F 741 C T

金属圆形封装

0 o~ 70 o C

器件代号

线性放大器

中国国家标准

2．国外部分公司及产品代号

3．部分模拟集成电路引脚排列

(1)运算放大器，如图3所示：(2) 音频功率放大器，如图所示：

抑抑

正输调电自制制输

电出零源举纹空纹入空

源端端端端波脚波端脚

调负正负输电衬补补负空

零输输电出源底偿偿反脚

端入入源端地地端端馈

端端端端

图3 图4

(3) 集成稳压器，如图所示：

123

输出

图5

常用电力电子器件特性测试

实验二：常用电力电子器件特性测试 （一）实验目的 （1）掌握几种常用电力电子器件（SCR、GTO、MOSFET、IGBT）的工作特性；（2）掌握各器件的参数设置方法，以及对触发信号的要求。 （二）实验原理 图1.MATLAB电力电子器件模型 MATLAB电力电子器件模型使用的是简化的宏模型，只要求器件的外特性与实际器件特性基本相符。MATLAB电力电子器件模型主要仿真了电力电子器件的开关特性，并且不同电力电子器件模型都具有类似的模型结构。 模型中的电阻Ron和直流电压源Vf分别用来反映电力电子器件的导通电阻和导通时的门槛电压。串联电感限制了器件开关过程中的电流升降速度，模拟器件导通或关断时的动态过程。MATLAB电力电子器件模型一般都没有考虑器件关断时的漏电流。 在MATLAB电力电子器件模型中已经并联了简单的RC串联缓冲电路，在参数表中设置，名称分别为Rs和Cs。更复杂的缓冲电路则需要另外建立。对于MOSFET模型还反并联了二极管，在使用中要注意，需要设置体内二极管的正向压降Vf和等效电阻Rd。对于GTO和IGBT需要设置电流下降时间Tf和电流拖尾时间Tt。 MATLAB的电力电子器件必须连接在电路中使用，也就是要有电流的回路，

但是器件的驱动仅仅是取决于门极信号的有无，没有电压型和电流型驱动的区别，也不需要形成驱动的回路。尽管模型与实际器件工作有差异，但使MATLAB电力电子器件模型与控制连接的时候很方便。MATLAB的电力电子器件模型中含有电感，因此具有电流源的性质，所以在模块参数中还包含了IC即初始电流项。此外也不能开路工作。 含电力电子模型的电路或系统仿真时，仿真算法一般采用刚性积分算法，如ode23tb、ode15s。电力电子器件的模块上，一般都带有一个测量输出端口，通过输出端m可以观测器件的电压和电流。本实验将电力电子器件和负载电阻串联后接至直流电源的两端，给器件提供触发信号，使器件触发导通。 （三）实验内容 （1）在MATLAB/Simulink中构建仿真电路，设置相关参数。 （2）改变器件和触发脉冲的参数设置，观察器件的导通情况及负载端电压、器件电流的变化情况。 （四）实验过程与结果分析 1．仿真系统 Matlab平台 2．仿真参数 （1）Thyristor参数设置： 直流源和电阻参数：

常用电子元件型号与封装

常用电子元件型号与封装 名称型号及规格名称型号及规格稳压管BZ84C2V7LT1 Z12 SOT23电源座DC head D5.5*11mm 稳压管BZX84-C5V6/ 电源座DC head D3.5*10mm 稳压管BZX84-C2V7/ 电源座DC head D6*14.5mm 稳压管R1114-3.3 SOT-25A电源座3PIN(诺基亚电源座）稳压管AMS1117-3.3 SOT223石英晶振8.0M 5032 稳压管AMS1117-5.0 SOT223石英晶振16.0M 5032 晶体管TRANSISTOR UM6K1石英晶振16.0M 11*4mm 三级管2SD1664 SC-62石英晶振29.491MHZ HC-49SMD 三级管2SK3018 UMT3石英晶振12MHz 5*3.5 SMT 三级管2SK208-Y UMT3电阻22R ±1% 0402 三级管MMBT2301LT1 SOT-23可调电阻2K±1% EVM3Y 三级管2N7002LT1 SOT-23电阻 1.5M±1% 0402 二极管RB751V-40 TE-17 0805电阻1M±1% 0402 稳压管BZ84C2V7LT1 Z12 SOT23电阻768K±1% 0402 下接8P插座BOX0512Y08RLETND-A电容3300PF±5% 0402蜂鸣器HXD（R）12*9mm电阻300K±1% 0402 蜂鸣器RD（+）9*6mm电阻270K ±1% 0402 蜂鸣器ADK-2808AB-13C电阻240K±1% 0402 蜂鸣器扁嘴 12*7mm电阻150K±1% 0402 电感33nH 0603电阻120K±1% 0402 电感150nH 0603电阻100K±1% 0402 电感270nH 0603电阻68K±1% 0402 电感 6.8nH 0603电阻51K±1% 0402 电感4D18-100N SMD 10uH电阻47K±1% 0402 电感SDR32-100MNP/SR0302电阻33K±1% 0402 电感4D18-470N 47uH电阻20K±1% 0402 电感PI-CDE4532 SMD10uH电阻15K±1% 0402 电感PI-CDE4532 SMD 47uH电阻10K±1% 0402 电感4D18-100N SMD 22uH磁珠HB-1M2012-260J 0805线圈XL-L1010062晶振垫片11*4*1mm 共模电感CM-2012-121T 2012天线430MHz 黑色直头线绕电感33nH 0603 天线430MHz 黑色弯头线绕电感150nH 0603 天线ANT-433-3E(长） 线绕电感270nH 0603 天线ANT-433-2.5J(短) 线绕电感39nH 0603 天线ANT-2.4-2.5J弯帽(短) 线绕电感12nH 0603 天线ANT-2.4-2.5灰白弯帽(长)发光二极管Blue 1206上接8P插座BOX0512Y08RUETND-A 透镜D8.4*4.5IC TLC2272 SSOP-8透镜D5.5*2.5IC MCP602T-1/ST SSOP-8 IC TLC2272 SOP-8IC MCP604T-1/ST SSOP-14 IC TLC274 SOP-14IC LM324 SSOP-14 IC LM324 SOP-14IC MAX3221CAE TSSOP-16 IC74HC27 SOP-14IC74HCT125PW TSSOP-14 IC74HC08 SOP-14IC TLC2274 SSOP-14

常用电子元器件型号命名法及主要技术参数

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号 一．电阻器、电容器、电感器和变压器

二．半导体管 三．其它电气图形符号

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）

2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５

例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。

常用电子元件封装尺寸规格汇总

常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。（c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。（d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。二、常用元件封装1）电阻：最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照

常用电子元器件简介

1．常用电子元器件简介 （1）名称·电路符号·文字符号 （2）555时基集成电路 555时基集成电路是数字集成电路，是由21个晶体三极管、4个晶体二极管和16个电阻组成的定时器，有分压器、比较器、触发器和放电器等功能的电路。它具有成本低、易使用、适应面广、驱动电流大和一定的负载能力。在电子制作中只需经过简单调试，就可以做成多种实用的各种小电路，远远优于三极管电路。 555时基电路国内外的型号很多，如国外产品有：NE555、LM555、A555和CA555等；国内型号有5GI555、SL555和FX555等。它们的内部结构和管脚序号都相同，因此，可以直接互相代换。但要注意，并不是所有的带555数字的集成块都是时基集成电路，如MMV 555、AD555和AHD555等都不是时基集成电路。 常见的555时基集成电路为塑料双列直插式封装（见图5-36），正面印有555字样，左下角为脚①，管脚号按逆时针方向排列。

(图5-36) 555时基集成电路各管脚的作用：脚①是公共地端为负极；脚②为低触发端TR，低于1／3电源电压以下时即导通；脚③是输出端V，电流可达2000mA;脚④是强制复位端MR，不用可与电源正极相连或悬空;脚⑤是用来调节比较器的基准电压，简称控制端VC，不用时可悬空，或通过0.01μF电容器接地;脚⑥为高触发端TH，也称阈值端，高于2/3电源电压发上时即截止;脚⑦是放电端DIS;脚⑧是电源正极VC。 555时基集成电路的主要参数为（以NE555为例）电源电压4.5～16V。 输出驱动电流为200毫安。 作定时器使用时，定时精度为1％。 作振荡使用时，输出的脉冲的最高频率可达500千赫。 使用时，驱动电流若大于上述电流时，在脚③输出端加装扩展电流的电路，如加一三极管放大。 （3）音乐片集成电路 它同模仿动物叫声和人语言集成电路都是模拟集成电路，采用软包装，即将硅芯片用黑的环氧树脂封装在一块小的印刷电路板上。

常用电子元件封装及尺寸

常用电子元件封装 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46） 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下： 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是：

各种电力电子器件技术特点的比较及应用

《电力牵引交流传动及其控制系统》报告——各种电力电子器件技术特点的比较及其应用

电力电子器件及其应用装置已日益广泛，这与近30 多年来电力电子器件与电力电子技术的飞速发展和电力电子的重要作用密切相关。20 世纪80 年代以后，电力电子技术等)的飞速发展，给世界科学技术、经济、文化、军事等各方面带来了革命性的影响。电子技术包含两大部分：信息电子技术(包括：微电子、计算机、通信等)是实施信息传输、处理、存储和产生控制指令；电力电子技术是实施电能的传输、处理、存储和控制，保障电能安全、可靠、高效和经济地运行，将能源与信息高度地集成在一起。 事实表明，无论是电力、机械、矿冶、交通、石油、能源、化工、轻纺等传统产业，还是通信、激光、机器人、环保、原子能、航天等高技术产业，都迫切需要高质量、高效率的电能。而电力电子正是将各种一次能源高效率地变为人们所需的电能，实现节能环保和提高人民生活质量的重要手段，它已经成为弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造技术之间、传统产业实现自动化、智能化改造和兴建高科技产业之间不可缺少的重要桥梁。而新型电力电子器件的出现，总是带来一场电力电子技术的革命。电力电子器件就好像现代电力电子装置的心脏，它对装置的总价值，尺寸、重量、动态性能，过载能力，耐用性及可靠性等，起着十分重要的作用。因此，新型电力电子器件及其相关新型半导体材料的研究，一直是电力电子领域极为活跃的主要课题之一。 一个理想的功率半导体器件，应当具有下列理想的静态和动态特性：在阻断状态，能承受高电压；在导通状态，能导通高的电流密度并具有低的导通压降；在开关状态和转换时，具有短的开、关时间，能承受高的d i/d t 和d u/d t，具有低的开关损耗；运行时具有全控功能和良好的温度特性。自20 世纪50 年代硅晶闸管问世以后，功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈努力，并已取得了世人瞩目的成就。早期的大功率变流器，如牵引变流器，几乎都是基于晶闸管的。到了20 世纪80 年代中期，4.5kV 的可关断晶闸管得到广泛应用，并成为在接下来的10 年内大功率变流器的首选器件，一直到绝缘栅双极型晶体管的阻断电压达到 3.3kV 之后，这个局面才得到改变。与此同时，对GTO 技术的进一步改进导致了集成门极换流晶闸管的问世，它显示出比传统GTO 更加显著的优点。目前的GTO 开关频率大概为500Hz，由于开关性能的提高，IGCT 和功率IGBT 的开通和关断损耗都相对较低，因此可以工作在1~3kHz 的开关频率下。至2005 年，以晶闸管为代表的半控型器件已达到70MW/9000V 的水平，全控器件也发展到了非常高的水平。当前，硅基电力电子器件的水平基本上稳定在109~1010WHz 左右，已逼近了由于寄生二极管制约而能达到的硅材料极限，不难理解，更高电压、更好开关性能的电力电子器件的出现，使在大功率应用场合不必要采用很复杂的电路拓扑，这样就有效地降低了装置的故障率和成本。 1电力电子器件 电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）。 电力电子器件目前的制约因素有耐压，电流容量，开关的速度。电力电子器件的分类多种多样。按照电力电子器件的开关控制能力，电力电子器件可分为三类：不可控器件、半控型器件、全控型器件。按照驱动电路加在电力电子器件控

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、

3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:

论电力电子器件及其应用的现状和发展

论电力电子器件及其应用的现状和发展 发表时间：2019-03-12T16:14:19.577Z 来源：《电力设备》2018年第27期作者：宗思邈 [导读] 摘要：电力电子器件我们也称之为功率半导体器件，以下简称为电子器件，主要作为电力设备中的大功率电子器件的功率转换和控制。 （东文高压电源（天津）股份有限公司 300220） 摘要：电力电子器件我们也称之为功率半导体器件，以下简称为电子器件，主要作为电力设备中的大功率电子器件的功率转换和控制。目前，电力电子器件已广泛应用于机械行业、冶金业、电力系统等一系列领域中去。并扩展到汽车、家用电器、医疗设备和照明等各个生活领域中。二十一世纪，随着技术的不断更新，它作为信息产业与传统产业之间的桥梁，一定会迎来一个新的发展趋势。并且在国民经济中占有非常重要的地位。 关键词：电力；电子器件；应用 1电力电子技术的产生和发展 1.1电力电子技术的产生 电力电子技术产生于二十世纪，美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为电力电子技术的诞生标志，电子电力技术设备在不同领域中的广泛应用，为社会发展带来了传动技术，其中晶闸管是电力电子技术的主要运用表现，开启了电力电子技术的新纪元。因为晶闸管的出现，可控型的整流装置被研制出来，从此电力系统逐渐进入了变流器时代，加速了电力电子技术的发展。 1.2电力电子技术的发展 电力电子技术的产生促进了电力系统的发展，产生多代电力电子器件，其中第一代电力电子器件主要以晶体管和晶闸管为典型代表。晶闸管出现后，因为它比较良好的电气性能和控制性能，使之很快取代了对人体有害的且电压落差极大的水银整流器，并且其使用范围迅速扩大。二十世纪七十年代，以门极可关断晶闸管、电力双极型晶体管为主导地位的全控型器件高速发展，这些全控型器件具有既可让门极开通也可让门极关断的功能，且它的开关速度比晶闸管快很多，所以全控型器件通常用于开关频率较高的场所。它又将电力电子技术推向了一个新的发展阶段。在二十世纪八十年代，以绝缘栅极双极型晶体管为代表的复合型器件的出现，因为具有驱动功率小、开关速度快、通态压降小、载流能力大、可承受电压高等优点，使其迅速成为现代电力电子技术的主导器件，这些复合型器件常常综合了多个器件的优点，在大量电力系统场合中得到了大量运用。 2电力电子器件的应用发展 自上世纪50年代以来，世界上诞生了第一台晶闸管，它标志着电力电子器件在现代电气传动的历史舞台上的到来。基于可控硅的可控硅整流器成为电力传动行业的一个变革。 到了上世纪70年代，晶闸管已经发展成能够承受高电压和高电流的产品。这一代的半控装置被称为第一代电子电气设备。然而，晶闸管的缺点是不能关闭。随着电力电子器件的不断进步，研制了一种全控型的GTR、GTO和MOSFET。这种类型的产品被称为第二代电力电子设备。 之后便出现了第三代电子器件，主要为绝缘栅双极晶体管。第三代电子器件具有频率快、反射速度快、能耗低等特点。近年来，微电子技术与电力电子器件开始相结合，创造出一种多功能、更智能、更高效的全控性能集成器件。电流整流器可以改善电性能、降低电路能量损耗和提高电流效率方面起着重要作用。 上世纪70年代，GTR产品推出时便大获成功。它的额定值达到当时非常高的标准，同时拥有非常强大的灵活性，而且还具备开关能耗低、时间短等多个优点。它在中等容量和频率电路中起着很重要的作用。第三代绝缘栅双极晶体管可以控制电压，具有输入电阻大、驱动功率小的优点，有非常大的发展潜力。 3电力电子器件的具体应用 首先太阳能光伏发电对于电力电子器件的发展来说是比较重要的，光伏建筑一体化应用对于电力电子器件的完善也发挥了独特的作用。光伏电池发电和建筑物外电池存在很多问题，虽然这类电池原件的成本比较低，但是总的来说这类电池和电子元件适合低日照水平，电池转换效率高，原材料比较易得。但是某些电力电子器件的转换效率一般，淘汰的产品还会污染环境。电力电子器件的开发和利用促进了光伏建筑一体化的进程，土地成本过高和二氧化碳的排放量过高等问题都可以得到有效解决，而且我国最新研发出的电力电子器件可以节省光伏电池支撑结构，节省光伏电池的具体安装成本，帮助相关建筑工作人员实现土地资源的合理利用。与此同时，电力电子器件可以将太阳能和建筑物进行有效结合，帮助相关工作人员解决电能供给的难题，而且也丰富了电力电子器件的原材料。首先我们可以发现，在进行电力电子器件的研究与开发时候，运用碳化硅制造的电子器件已经成为主要的研究方向。这主要是因为碳化硅电力电子器件的高压和高温的特性与我国传统的电力电子器件相比，具有很大优越性，完全可以保障新型电力电子器件的成本和质量。尤其是碳化硅的耐高压和高温，足以帮助相关工作人员展开对于新型电力电子器件的研究。 4浅析电力电子器件发展趋势 4.1对破化硅的应用 碳化硅作为一种创新性较高的宽带半导体材料，得到人们的广泛关注。它本身带有一定的电性能，并且物理材质稳定，属于上等的电力电子器件原材料。与原始型的制作材料相比，具有耐高压和耐高温的优势。将碳化硅合理应用于电力电子器件的原材料中.能够推动电力电子器件的整体发展。但是现阶段，由于生产成本相对较高、产难以保证等原因，导致碳化硅难以被广泛生产使用。因此，应加强对电力电子器件材料的深人探究，及时改进、解决存在的问题，使碳化硅的良好性能得到充分开发与利用。 4.2对氮化稼的应用 氮化稼是电力电子器件生产过程中较为常见的原材料，它与碳化硅存在很多不同点。虽然氮化稼是一种较为优良的电力 电子器件原材料，但是在实际制作过程中，应以碳化硅的晶片或者蓝宝石作为生产底料，因此这一因素限制了氮化稼的发展速度。近几年，这一问题得到了有效缓解，随着氮化稼在LED照明装置中的广泛运用，也促使氮化稼的异质结外延技术得到了进一步的强化。除此之外，因为氮化稼的实用性较强，其应用范围不断拓展，基于氮化稼的半导体材料具备优异的物理性能和化学性能，所以其不仅在LED市场中被广泛应用，更是逐步拓展到了更多的应用领域。但是由于氮化稼电子器件的耐高温性能较差，一旦温度超过1000摄氏度，就会产生

常用电子元器件介绍

常用电子元器件介绍 电子元件知识——电阻器 电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） ①主称②材料③分类④序号 电阻器的分类： ①线绕电阻器 ②薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器 ③实心电阻器 ④敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 ※电阻器阻值标示方法： 1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20% 。 2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称 阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符

号文字符号：DFGJKM 允许偏差分别为： ±0.5%±1%±2%±5%±10%±20% 3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到 右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通 常采用文字符号表示。 4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。 国外电阻大部分采用色标法。 黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4 、绿-5 、蓝-6 、紫-7、灰-8、白-9、金- ±5%、银- ±10% 、无色-±20% 当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为偏差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字，第四位为乘方数，第五位为偏差

最常用的电子元件型号

最常用的电子元件型号 整流二极管: 1N4001~1N4007 50V~1000~/1.0A 1N5391~1N5399 50V~1000V/1.5A 1N5400~1N5408 0V~1000V/3.0A 开关二极管: 1N4148 1N4150 1N4448 肖特基二极管: 1N5817~1N5819 20V~40V/1.0A 1N5820~1N5822 20V~40V/3.0A 1N60 1N60P小电流低压降 光电耦合器: 4N35 4N36 4N37 晶体三极管: PNP:8050 9015 A92 NPN:9012 9013 9014 9015 9018 D/A转换器: AD7520 AD7521 AF7530 AD7521 8位:DAC0830 DAC0832 (D/A ) 12位:AD7541 (D/A) 8位:ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC0834 ADC0838(A/D) 跨导运算变压器: CA3080 CA3080A OTA BiMOS运算变压器: CA3140 CA3140A 双向触发二极管: DB3 快恢复二极管: FR101~FR107 50V~1000/1.0A 三位半A/D转换器: ICL7106 ICL7107 ICL7116 ICL7117 载波稳零运算放大器: ICL7650

CMOS电源电压变换器: ICL7660/MAX1044 单片函数发生器: ICL8038 通用计数器: ICM7216 ICM7216B ICM7216D 10MHz 带BCD输出10MZ通用计数器: ICM7226A ICM7226B 单/双通用定时器: ICM7555 ICM7555 DTMF 收发器: ISO2-CMOS MT8880C JFET输入运算放大器: LF351 FJET输入宽带高速双运算放大器: LF353 三端可调电源: LM117 LM317A LM317 低功耗四运算放大器: LM124 LM124 LM324 LM2920 三端可调负电压调整器: LM137 LM337 低功耗四电压比较器: LM139 LM239 LM339 LM2901 LM3302 可关断开关电源: LM1575-3.3、LM2575-3.3、LM2575HV-3.3、LM1575- 5.0、LM2575-5.0、LM2575HV-5.0、LM1575-12、LM2575-12、LM2575HV-12、LM1575-15, LM2575-15、LM2575HV-15、LM1575- ADJ、LM2575-ADJ LM2576-3.3、LM2576HV-3.3、LM2576-5.0、LM2576HV- 5.0、LM2576-12、LM2576HV-12、LM2576-15、LM2576HV-15、LM2576-ADJ 低功耗双运算放大器: LM158 LM258 LM358 LM2904

电力电子器件的发展及应用

电力电子器件的发展及应用 研1506 苏智清 s2******* 摘要：本文简单介绍了电力技术的分类, 回顾了电力电子技术及其器件的发展过程, 说明了现在主流的电力电子器件的工作原理、应用范围及其优缺点, 探讨了在本世纪中新型电力电子器件的应用。 关键词：复合型电力电子器件；新型材料的电力电子器件；电力电子器件的应用1引言 电力电子学是电工学的一个分支，是由电力系统、控制理论与电子学等学科共同发展起来的一个新型边缘性学科。电力电子学的主要特点是具有很强的应用性，同时与其他学科有着很好的交叉融合性，这也是电力电子学的基础理论与应用技术能够在短短几十年间飞速发展的一个相当重要的因素。目前，电力电子技术的应用已经从机械、石化、纺织、冶金、电力、铁路、航空、航海等一系列领域，进一步扩展到汽车、现代通信、家用电器、医疗设备、灯光照明等各个领域。进入 21 世纪，伴随着新理论、新器件、新技术的不断涌现，尤其是与微电子技术的日益融合，电力电子技术作为信息产业和传统产业之间的桥梁，在国民经济中必将占有越来越重要的地位，在各领域中的应用也必将不断得到拓展。 2电力电子器件的发展 2.1半控型器件 上世纪50年代，美国通用电气公司发明世界上第个晶闸管，标志电力电子技术的诞生。此后，晶闸管得到了迅速发展，器件容量越来越大，性能得到不断提高，并产生大量派生器件，如快速晶闸管逆导晶闸管等等。但是，晶闸管作为半控型器件，只能通过门极导通，不能控制关断。要关断必须通过强迫换相电路，从而装置体积增大，复杂程度提高，效率降低。另外，晶闸管为双极型器件，有少子效应，所以工作频率低，由于这些原因，使得晶闸管的应用受到限制。 虽然晶闸管有以上缺点，但由于它的大电压大电流特性，使在高压直流输电静止无功补偿，大功率和高压变频调速等方面仍占有重要位置。 2.2全控型器件 2.2.1门极可关断晶闸管（GTO） GTO有对称，非对称和逆导三种类型。对称GTO通态压降小，抗浪涌能力强，易于提高耐压能力。逆导型GTO是在同一芯片上将GTO与整流二极管反并联制成的集成器件，不能承受反向电压，主要用于中等容量的牵引驱动中。

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1，2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 （箔 ） 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器 第一部分（材 料） 第二 部分 分类 （第 三部 分） （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第四 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第五 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装

瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质

变频器常用电力电子器件

无锡市技工院校 教案首页 课题：变频器常用电力电子器件 教学目的要求：1. 了解变频器中常用电力电子器件的外形和符号2.了解相关电力电子器件的特性 教学重点、难点： 重点：1. 认识变频器中常用电力电子器件 2. 常用电力电气器件的符号及特性 难点：常用电力电气器件的特性 授课方法：讲授、分析、图示 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 《变频器原理及应用》机械工业出版社王延才主编 授课执行情况及分析： 在授课中，主要从外形结构、符号、特性等几方面对变频器中常用的电力电子器件进行介绍。通过本次课的学习，大部分学生已对常用电力电子器件有了一定的认识，达到了预定的教学目标。

板书设计或授课提纲

电力二极管的内部也是一个PN 结，其面积较大，电力二极管引出了两个极，分别称为阳和阴极K 。电力二极管的功耗较大，它的外形有螺旋式和平板式两种。2.伏安特性：电力二极管的阳极和阴极间的电压和流过管子的电流之间的关系称为伏安特性。 如果对反向电压不加限制的话，二极管将被击穿而损坏。（1）正向特性：电压时，开始阳极电流很小，这一段特性 曲线很靠近横坐标。当正向电压大于时，正向阳极电流急剧上升，管子正向导 通。如果电路中不接限流元件，二极管将 被烧毁。

晶闸管的种类很多，从外形上看主要由螺栓形和平板形两种，螺栓式晶闸管容量一般为10~200A；平板式晶闸管用于200A3个引出端分别叫做阳极A、阴极 控制极。 结构 晶闸管是四层（（Ｐ1Ｎ1Ｐ2Ｎ2）三端（Ａ、Ｋ、Ｇ）器件。 晶闸管的导通和阻断控制 导通控制：在晶闸管的阳极A和阴极K间加正向电压，同时在它的门极 正向触发电压，且有足够的门极电流。 晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，因此门极所加的触发电压一般为脉冲电压。 管从阻断变为导通的过程称为触发导通。门极触发电流一般只有几十毫安到几百毫安， 管导通后，从阳极到阴极可以通过几百、几千安的电流。要使导通的晶闸管阻断，必须将阳极电流降低到一个称为维持电流的临界极限值以下。 三、门极可关断晶闸管（GTO） 门极可关断晶闸管，具有普通晶闸管的全部优点，如耐压高、电流大、控制功率大、使用方便和价格低；但它具有自关断能力，属于全控器件。在质量、效率及可靠性方面有着明显的优势，成为被广泛应用的自关断器件之一。 结构：与普通晶闸管相似，也为PNPN四层半导体结构、三端（阳极 ）器件。 门极控制 GTO的触发导通过程与普通晶闸管相似，关断则完全不同，GTO 动电路从门极抽出Ｐ2基区的存储电荷，门极负电压越大，关断的越快。 四、电力晶体管（GTR） 电力晶体管通常又称双极型晶体管（BJT），是一种大功率高反压晶体管，具有自关断能力，并有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。它被广泛用于交直流电机调速、中频电源等电力变流装置中，属于全控型器件。 工作原理与普通中、小功率晶体管相似，但主要工作在开关状态， 承受的电压和电流数值较大。 五、电力MOS场效应晶体管（P-MOSFET） 电力MOS场效应晶体管是对功率小的电力MOSFET的工艺结构进行改进，在功率上有

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则 2，电容器

5，半导体二、三极管 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

解析电力电子器件及其应用的现状和发展

龙源期刊网 https://www.sodocs.net/doc/9f18198593.html, 解析电力电子器件及其应用的现状和发展 作者：陶悦玥陈聪谭丹 来源：《名城绘》2019年第08期 摘要：近年来，随着经济与科技的不断进步，电力电子技术的发展也在不断深入，电力 电子器件被广泛运用于社会各个领域，特别是在一些高精尖领域，如航空航天、国防武器制造等领域。电力电子器件技术含量较高，能够有效保证生产制造产品的质量，为各个领域的生产制造提供技术支持，已经成为现代工业、国防和科技的重要支撑。 关键词：电力电子器件;应用;现状;发展 一、电力电子器件的应用现状 1.1电力系统 电力系统是电力电子器件应用中最重要和最有潜力的领域。在电能的产生和传输以及分 配使用的整个过程中，电力电子设备得到了广泛的应用。从用电的角度看，要利用电力电子技术改造节能技术，提高能效;从发电、输电、配电的角度看，利用电子器件来提高发电效率，提高电力传输和配电质量是十分必要的。 1.2轨道交通 地轨交通的牵引系统中，电力电子器件的应用按市场管理可以分为以下三个方面：主传动、辅助传动和控制辅助电源这三个系统。电力电子设备的容量和性能的提高，包装形式的改进，减少了传动系统，促进了牵引电力传动系统的发展。其实在交流马达中的驱动应用，可以用于运输、牵引等设备中，与直流马达相比，交流马达有价格便宜、噪音小、效率高等优势，目前越来越多的领域中，都采用交流马达作为驱动来应用。 1.3电动车节能 电动汽车作为最大的电能消耗载体，在节能方面的要求非常高。在我国的重要规划中， 电机系统节能问题被列为重点工程。随着电力电子器件与计算机技术和自动控制技术等新兴技术的不断发展，电力的传输方面的技术也面临着重大改革，直流调速很快就会被交流调速所取代。众所都知，电动汽车主要用电池供电，依靠电动电子装置进行电力交换和行驶。因此，电池的充电与这项技术是密不可分的。 1.4航空与国防工业