晶体管放大电路

2、晶体管放大电路原理

2.1 晶体管和FET 的工作原理

2.1.1晶体管和FET 的放大工作的理解

晶体管和FET 的放大作用：晶体管或FET 的输入信号通过器件而出来，晶体管或FET 吸收此时输入信号的振幅信息，由电源重新产生输出信号，由于该输出信号比输入信号大，可以看成将输入信号放大而成为输出信号。这就是放大的原理。

2.1.2晶体管和FET 的工作原理

1、双极型晶体管的工作原理

晶体管内部工作原理：对流过基极与发射极之间的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极间电流源使基极-发射极间电流的β倍的电流流在集电极与发射极之间。就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。 电源

电源

输入

输出

输出

（a ）双极型晶体管(以NPN 型为例) （b ）FET （以N 型JFET 为例）

A

被基极电流控制的电流源

检测基极电流的电流计

集电极（输出端）

基极（输入端）

发射极（公共端）

双极型晶体管的内部原理

2、FET 的工作原理

FET 内部工作原理：对加在栅极与源极之间的电压进行不断地监视，并控制漏极-源极间电流源使栅极-源极间电压的g m 倍的电流流在漏极与源极之间。就是说，FET 是用栅极电压来控制漏极-源极电流的器件。 2.1.3分立元件放大电路的组成原理

放大电路的组成原理（应具备的条件）

1放大器件工作在放大区（三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；结型FET 与耗尽型MOSFET 可采用自偏压方式或分压式偏置或混合偏置方式，增强型MOSFET 则一定要采用分压式偏置或混合偏置 方式）即要保证合适的直流偏置； （2）：输入信号能输送至放大器件的输入端； （3）：有信号电压输出。

判断放大电路是否具有放大作用，就是根据这几点，它们必须同时具备。

2.1.4晶体管放大电路的直流工作状态分析（以晶体管电路为例）

直流通路：在没有信号输入时，估算晶体管的各极直流电流和极间直流电压，将放大电路中的电容视为开路，电感视为短路即得。它又被称为静态分析。

直流工作点：又称为静态工作点，简称Q 点。在进行静态分析时，晶体管放大电路主要是求基极直流 电流I B 、集电极直流电流I C 、集电极与发射极间的直流电压U CE 。FET 放大电路主要是求栅源电压U GS ， 漏极直流电流I D ，漏极与原极间的直流电压U DS 。 1、公式法计算Q 点 1)共e 接法

I B =(U CC -U BE )/R B I C =βI B U CE =U CC -I C R C

V

被栅极电压控制的

电流源

检测栅极电压的电压计

漏极（输出端）

栅极（输入端）

源极（公共端）

FET 的内部原理

自偏压式共射极接法

在I 1》I B 时，可认为I 1≈I 2，于是

CC

U B R

B R B R B

U

2

1

2+≈

E

BE

B

E C R U U I I -=≈

)(E C C CC CE R R I U U +-=

I B =I C /β

2)共b 接法

U CC =I B R B +U BE +I E R E = I B R B +U BE + (1+β)I B R E

I C = I B β

)(E C C CC CE R R I U U +-=

CC

U B R

B R B R B U

2

12+≈

E

BE

B E

C R U U I I -=

≈

)(E C C CC CE R R I U U +-=

I B =I C /β

3)共c 接法

U CC =I B R B +U BE +I E R E = I B R B +U BE + (1+β)I B R E

E C CC CE R I U U -= I C = I B β

CC

U B R

B R B R B U 2

12+≈

＋－

－

＋＋

－

U o U i U s

R s R B2

＋

C 1

R E

C E ＋

R L

U CC

R C

R B1

＋C 2

(a )

分压式共射极接法

I 1

I 2

I C I B I E

分压式共基接法

自偏压式共基接法

自偏压式共集接法

E

BE

B E

C R U U I I -=

≈ E C CC CE R I U U -=

I B =I C /β

2、图解法计算Q 点

三极管的电流、电压关系可用输入特性曲线和输出特性曲线表示，可以在特性曲线上，直接用作图的方法来确定静态工作点。用图解法的关键是正确的作出直流负载线，通过直流负载线与i B =I BQ 的特性曲线的交点，即为Q 点。读出它的坐标即得I C 和U CE 图解法求Q 点的步骤为：

1）：通过直流负载方程画出直流负载线， 2）：由基极回路求出I B

3）：找出i B =I B 这一条输出特性曲线与直流负载线的交点就是Q 点。读出Q 点的坐标即为所求。

共射极放大电路 为例

2.1.5 FET 放大电路的直流工作状态分析 1、解析法

已知电流方式及栅源直流负载线方程，联立求解即可求得工作点。如：

S

D GS GSoff GS DSS D R i u U U I i -=-=2

)1(

将下式代入上式，解一个i D 的二次方程，有两个根，舍去不合理的一个根，留下合理的一个根便是I DQ 。 2、图解法

画出N 沟道场效应管的转移特性如图所示。 对于自偏压方式，栅源回路直流负载线方程为

S D GS R i u -=

在转移特性坐标上画出该负载线方程如图(a)所示。分别求出JFET 的工作点为Q 1点，耗尽型MOSFET 的工作点为Q 2点，而与增强型MOSFET 转移特性则无交点。

对于混合偏置方式，栅源回路直流负载线方程为

BEQ C

输入回路直流偏流线，求I BQ

CEQ CE

C 输出回路直流负载线 ，求I CQ 、U CEQ

GS

(a )

GS

(b )

R G1＋R G2

G2U DD 图解法求直流工作点

(a)自偏压方式；(b)混合偏置方式

t u i t

u BE U BE Q

i B t I B Q i C t I C Q u CE U CE Q

0000S D DD G G G GS R i U R R R u -+=

2

12

画出该负载线如图(b)所示，对于三种不同类型的场效应管的工作点分别为Q ′1、Q ′2及Q 3。这里要特别注意的是，对JFET ，R G2过大，或R S 太小，都会导致工作点不合适，如图(b)虚线所示。

2.1.6晶体管放大电路的交流工作状态分析（以共射极晶体管电路为例）

1、图解法

交流图解分析是在输入信号作用下，通过作图来确定放大管各级电流和极间电压的变化量。此时，放大器的交流通路如图所示。由图可知，由于输入电压连同U BEQ 一起直接加在发射结上，因此，瞬时工作点将围绕Q 点沿输入特性曲线上下移动，从而产生i B 的变化，如图所示。瞬时工作点移动的斜率为 :

L

CE C k u i k '-=??=

1

画出交流负载线之后，根据电流i B 的变化规律，可画出对应的i C 和u CE 的波形。在图中，当输入正弦电压使i B 按图示的正弦规律变化时，在一个周期内Q 点沿交流负载线在Q 1到Q 2之间上下移动，从而引起i C 和u CE 分别围绕I CQ 和U CEQ 作相应的正弦变化。由图可以看出，两者的变化正好相反，即i C 增大，u CE 减小；反之， i C 减小，则u CE 增大。 交流负载线的特点：(1)必须通过静态工作点(2)交流负载线的斜率由R"L 表示(R"L =R c //R L )

交流负载线的画法（有两种）：

1）先作出直流负载线，找出Q 点；

作出一条斜率为R"L 的辅助线，然后过Q 点作它的平行线即得。（此法为点斜式）

2）先求出U CE 坐标的截距（通过方程U"CC =U CE +I C R"L ） 连接Q 点和U"CC 点即为交流负载线。（此法为两点式）

根据上述交流图解分析，可以画出在输入正弦电压下，放大管各极电流和极间电压的波形，如图所示。观察这些波形，可以得出以下几点结论： 1)放大器输入交变电压时，晶体管各极电流的方向和极间电压的极性始终不交流通路

i B

I B Q t

i B

I B Q

u BE u BE

t

i i Bmin

Q

U BE Q

(a )

放大器的交流图解分析-----

输入回路的工作波形

Q

i C

i Bmax i Bmin

i C

I C Q

t

t

u CE u CE

U CC

U CE Q

I C Q R L

′I C Q

U CC

R C

交流负载线k ＝－

R C ′1

Q 1

Q 2

I B Q

(b )

A

放大器的交流图解分析

输出回路的工作波形

2)晶体管各极电流、电压的瞬时波形中，只有交流分量才能反映输入信号的变化，因此，需要放大器输出的是交流量。

3)将输出与输入的波形对照，可知两者的变化规律正好相反，通常称这种波形关系为反相或倒相。 2、微变等效电路法

采用微变等效电路法的思想是：当信号变化的范围很小（微变）时，可以认为三极管电压、电流变化量之间的关系是线性的。根据导出的方法不同，晶体管交流小信号电路模型可分为两类：一类是物理型电路模型，它是模拟晶体管结构及放大过程导出的电路模型，它有多种形式，其中较为通用的是混合π型电路模型；另一类是网络参数模型，它是将晶体管看成一个双端口网络，根据端口的电压、电流关系导出的电路模型，其中应用最广的是H 参数电路模型。不论按哪种方法导出的电路模型，它们都应当是等价的，因而相互间可以进行转换。

2.1.6晶体管放大电路的非线性失真分析（以共射极晶体管电路为例）

在使用放大电路时，一般是要求输出信号尽可能的大，但是它要受到三极管非线性的限制。有时输入信号过大或者工作点选择不恰当，输出电压波形就会产生失真。这种失真是由于三极管的非线性引起的，所以它被称为非线性失真。 1、输入信号过大引起的非线性失真

它主要表现在输入特性的起始弯曲部分，输出特性的间距不匀，当输入又比较大时，就会使I b 、U ce 和I c 的正负半周不对称，即产生非线性失真。如图所示 2、工作点不合适引起的失真

当工作点设置过低，在输入信号的负半周，工作状态进入截止区，从而引起I b 、U ce 和I c 的波形失真，称为截止失真如图所示

当工作点设置过高，在输入信号的正半周，工作状态进入饱和区，此时I b 继续增大而I c 不再随之增大，因此引起I c 和U ce 的波形失真，称为饱和失真。如图所示

由于放大电路有失真问题，因此它存在最大不失真输出电压幅值U om 。最大不失真输出电压是指：当工作状态一定的前提下，逐渐增大输入信号，三极管还没有进入截止或饱和时，输出所能获得的最大电压

输出。当电压受饱和区限制时CES CEQ om U U U -= ，当电压受截止区限制时L

CQ om R I U '= 2.1.7晶体管偏置电路

晶体管在放大应用时，要求外电路将晶体管偏置在放大区，而且在信号的变化范围内，管子始终工作在放大状态。此时，对偏置电路的要求是：①电路形式要简单。例如采用一路电源，尽可能少用电阻等；②偏置下的工作点在环境温度变化或更换管子时应力求保持稳定；③对信号的传输损耗应尽可能小。 1、固定偏流偏置电路

由图可知，U CC 通过R B 使e 结正偏，则基极偏流为

输入信号过大引起的非线性失真

Q

交流负载线

i C

t 0

i C i B

u CE u CE

t

(a )

Q

交流负载线

i i C

i B

0t

u CE u CE

(b )

t

点不合适产生的非线性失真

(a)截止失真；(b)饱和失真

R R

B

on BE CC BQ R U U I )

(-=

只要合理选择R B ,R C 的阻值，晶体管将处于放大状态。此时

C

CQ CC CEQ BQ

CQ R I U U I I -==β

这种偏置电路虽然简单，但主要缺点是工作点的稳定性差。由上式可知，当温度变化或更换管子引起β,I CBO 改变时，由于外电路将I BQ 固定，所以管子参数的改变都将集中反映到I CQ ,U CEQ 的变化上。结果会造成工作点较大的漂移，甚至使管子进入饱和或截止状态。 电流负反馈型偏置电路

使工作点稳定的基本原理，是在电路中引入自动调节机制，用I B 的相反变化去自动抑制I C 的变化，从而使I CQ 稳定。这种机制通常称为负反馈。实现方法是在管子的发射极串接电阻R E 。由图可知，不管何种原因，如果使I CQ 有增大趋向时，电路会产生如下自我调节过程：

I CQ ↑→I EQ ↑→ U EQ (=I EQ R E )↑

↓

I CQ ↓← I EQ ↓←U BEQ (= U EQ -U EQ )↓

结果，因I BQ 的减小而阻止了I CQ 的增大；反之亦然。可见，通过R E 对I CQ 的取样和调节，实现了工作点的稳定。显然， R E 的阻值越大，调节作用越强，则 工作点越稳定。但R E 过大时，因U CEQ 过小会使Q 点靠近饱和区。因此，要二者兼顾，合理选择R E 的阻值。

2、分压式偏置电路

分压式偏置电路如图所示，它是电流负反馈型偏置电路的改进电路。由图可知，通过增加一个电阻R B2，可将基极电位U B 固定。这样由I CQ 引起的U E 变化就是U BE 的变化，因而增强了U BE 对I CQ 的调节作用，有利于Q 点的近一步稳定。

从分析的角度看，在该电路的基极端用戴文宁定理等效，可得如图的等效电路。图中，R B =R B1‖R B2,U BB =U CC R B2/(R B1+R B2)。此时，

)

()1()(E C CQ CC CEQ BQ

CQ E

B on BE C

C BQ R R I U U I I R R U U I +-==++-=

ββ

如果R B1 、R B2取值不大，在估算工作点时，则I CQ 可按下式直接求出：

CC

B B B B BB E

on BE BB EQ CQ U R R R U U R U U I I 2

12

)

(+=

=-=≈

3、电流源偏置电路

在电子电路中，特别是模拟集成电路中，广泛使用不同类型的电流源，为各种基本放大电路提供稳定的偏置电流R B

U CC

R C

R E

电流负反馈型偏置电路

R B1

U CC

R C

R E

(a )

R B2

U CC

R C

R E

(b )

R B I U BB

I B Q

分压式偏置电路

(a)电路；(b)用戴文宁定理等效后的电路

（1）三极管电流源

当I B 一定时，只要晶体管不饱和也不击穿，I C 就基本恒定。因此，固定偏流的晶体管，从集电极看进去相当于一个恒流源。由交流等效电路知，它的动态内阻为r ce ，是一个很大的电阻。为了使I C 更加稳定，可以采用分压式偏置电路(即引入电流负反馈)，便得到图(b)所示的单管电流源电路。图(c)为该电路等效的电流源表示法，图中R o 为等效电流源的动态内阻。利用图(b)电路的交流等效电路可以证明，R o 近似为

)1(33B

be ce o R R r R r R +++≈β

式中，R B =R 1‖R 2

需要指出，晶体管实现恒流特性是有条件的，即要保证恒流管始终工作在放大状态，否则将失去恒流作用。这一点对所有晶体管电流源都适用。 带补偿的三极管电流源

利用二极管来补偿三极管V BE 随温度变化的影响。 集成电路中，常用三极管接成二极管来实现。

（2）基本电流源

在单管电流源中，要用三个电阻，所以不便集成。为此，用一个完全相同的晶体管V 1,将集电极和基极短接在一起来代替电阻R B2和R E ，便得到图所示的镜像电流源电路。由图可知，参考电流I r 为

r

CC

r BE CC r R U R U U I ≈-=

由于两管的e 结连在一起，所以I B 相同，I C 也相同。由图可知 β

2

122

2C r B r C C I I I I I I -=-==

因此可得 2

112+=

ββr

C I I

如果β1》1,则I C2≈I r 。可见，只要I r 一定，I Ｃ2就恒定；改变I r ,I C2也跟着改变。两者的关系好比物与镜中的物像一样，故称为镜像电流源。

将上述原理推广，可得多路镜像电流源，如图所示。图中为三路电流源，V 5管是为了提高各路电流的精度而设置的。因为在没有V 5管时，I C1=I r -4I B1,加了V 5管后， I C1 = I r - 4I B1 /(1+β5)，故此可得

r

C C C I I I I 4)1()

1(5151432+++=

==ββββ

因β1(1+β5)4容易满足，所以各路电流更接近I r ，并且受β的温度影响也小。

在集成电路中，多路镜像电流源是由多集电极晶体管实现的，图(a)电路就是一个例子。它利用一个三集电极横向PNP 管组成双路电流源(横向PNP 管是采用标准工艺，在制作NPN 管过程中同时制作出来的一种PNP 管，其等价电路如图(b)所示。

（3）比例电流源

U CC

R I r

I C1V 1

V 2

C2

镜像电流源

U CC

R r

I r

V I C4

4

V 2

I C2

V 3

I C3

V 5

多路镜像电流源

I r

R I C1

I C2

CC

C3

R I r

I C2

I C3

V 3

V 2

V 1

U CC

(a )(b )

采用图所示的比例电流源电路。由图可知

222111R I U R I U E BE E BE +=+

因为 2

2

12

221

11ln

ln

S E S S E T BE S E T BE I I I I I U U I I U U =

== 所以 122121ln ln E E T E E T BE BE I I U I I U U U -==-

当两管的射极电流相差10倍以内时：

mV U I I U U U T E E T BE BE 6010ln ln

2

121≈==-

即室温下，两管的U BE 相差不到60mV ，仅为此时两管U BE 电压(>600mV)的10%。因此，可近似认为U BE1≈U BE2。这样，式222111R I U R I U E BE E BE +=+ 简化为2211R I R I E

E = 若β》1，则I E1≈I r , I E2≈I C2,由此得出r C I R R I 2

1

2≈

可见，I C2与I r 成比例关系，其比值由R 1和R 2确定。参考电流I r 现在应按下式计算：

1

11R R U R R U U I r CC

r BE CC r +≈+-=

（4）微电流电流源

在集成电路中，有时需要微安级的小电流。如果采用镜像电流源，R r 势必过大。这时可令比例电流源电路图中的R 1=0,便得到图所示的微电流电流源电路。

因2221R I U U E BE BE += 1

22121ln ln

E E T E E T BE BE I I

U I I U U U -==- 所以 2

122122ln )(1E E T BE BE E I I

R U U U R I =-=

当β1>>1时，I E1≈I r ,I E2≈I C2，由此可得 2

22ln C r C T I I

I U R =

此式表明，当I r 和所需要的小电流一定时，可计算出所需的电阻R 2。 2.1.8 FET 偏置电路

I r

C2

2

I r

E2I E1

1、固定偏压电路

U GSQ =-E G 要确定I DQ 和U DSQ ,可以在输出特性曲线上根据输出回路的直流负载线方程 u DS =E D -I D r D

2、自偏压电路

自偏压电路利用漏极直流电流I D 在源极电阻R S 上产生的压降形成自偏压。由图可知，输入回路的直流偏置电压方程为

u GS =-i D R s 如果场效应管的转移特性曲线可表示为

则静态工作点Q 也可以通过计算来确定。

3、混合偏置电路

4、恒流源电路

2.2晶体管放大器三种基本组态 2.2.1共射(CE)放大电路

共射晶体放大器的输入端为基极和发射极，输出端为集电极和发射极，发射极是公共端，故称为共射放大器。 E G

R G

C 1

C 2

R D

＋E D

R L

V C S

R G

C 1

C 2

R D

＋E D R L

R S

(a )(b )

GSQ I DQ i D

u GS

斜率

R S －1Q

V

2

(1)GS D DSS p u i I U ≈-12/14/[1S DSS P S DSS P

D S DSS P

D

GS P DSS

R I U R I U I I U U I ---==-R S C 1

C 2R 1

R G (a )

R D C 3＋E 斜率

R S

－1

i D

Q

(b )

u 0U T U GSQ

R 1＋R 2

R 2E D

(R 1＋R 2)R 2R S E D I DQ R 2

V 212

GS D D S R u E i R R R =-+(a )＋E D I R I O V V 2＋E D

I g R V 1

V 2V 3I O1I O2

(b )＋E D

R V 1I O

(c )V 2

V 3

R 场效应管电流源 (a) 基本电流源；(b)多路输出电流源；(c)威尔逊电流源

1、分压式共射极接法

有C E 时：

电压放大倍数A u

由图可知

L C L

CQ b b e b b be be

L be L C i o u L C b L C c o be

b i R R R mV I mV r r r r r R r R R U U A R R I R R I U r I U ='Ω+=++='-=-==

-=-=='')

()

()

(26)1()()

()(βββββ

电流放大倍数A i

β

ββ≈<<>>+?+==

=+=+=+=i C L be B L

C C be B B

i o i B B B B

be B b

i L C C

b

L C C c o A R R r R R R R r R R I I A R R R R r R I I R R R I R R R I I 则若满足其中，,,//21

输入电阻R i

be B B i r R R R 21=

＋－

－

＋＋

－

U o U i U s

s R B2

＋

C 1

R E

C E ＋

R L

U CC

R C R B1＋C 2

(a )

分压式共射极接法

I 1 I 2

I C I B I E

U i R i

＋

＋－

－R s R B2

r be

I i

R C R L

U ＋

－

(b )

e

I b βI b r ce

R o

I c I o

b c

R B1有C E 的等效电路

＋－

U s

s ＋

－U i

R b2

R b1

R E

r be

βI b

R C

R L ＋－

U o

I b 无C E 的等效电路

输出电阻R o

C U o

o o R I U R s ==

=0

无C E 时：

此时，对交流信号而言，发射极将通过电阻R E 接地，因此必须考虑它的影响

E

m L m E be L i o u R g R g R r R U U A +'

-≈++'-==

1)1(ββ 可见放大倍数减小了。这是因为R E 的自动调节(负反馈)作用，使得输出随输入的变化受到抑制，从而导致A u 减小。当(1+β)R E >>r be 时，则有 E

L

u R R A '-

≈ 与此同时，从b 极看进去的输入电阻R ′i 变为 E be b

i

i R r I U R )1(β++==

' 即射极电阻R E 折合到基极支路应扩大(1+β)倍。因此，放大器的输入电阻为

R i =R B1‖R B2‖R ′i 显然，此时，输入电阻明显增大了。

对于输出电阻，尽管I c 更加稳定，但从输出端看进去的电阻仍为R C ，即R o =R C 。 2、自偏压式共射极接法

电流放大倍数A i

fe b

b

fe i o i h I I h I I A ===

i 输入电阻R i ie B i

i i h R I U

R //==

中频电压放大倍数A um 和A ums :

ie

L fe ie b L

b fe i o um

h R h h I R I h U U A '-='-== 式中“-”号，说明输出电压U o 与输入电压U i 反相。 um S i i

i o s i s o ums A R R R U U U U U U A +=?==

输出电阻R o

R R =

顺便指出,如果晶体管h oe 不可忽略,则

C oe

R h R //1

0=

2.2.2共集(CC)放大电路 1、分压式共集接法

电压放大倍数A u

L E L

L be L

i o u L

b be b o be b i L

b L E e o R R R R r R U U A R I r I U r I U R I R R I U =''++'+=

='++=+='+==)1()1()1()1()(ββββ A u 恒小于1，一般情况下，满足(1+β)R ′L >>r be ，因而又接近于1，且输出电压与输入电压同相。换

句话说，输出电压几乎跟随输入电压变化。因此，共集电极放大器又称为射极跟随器。 电流放大倍数A i

图中，当忽略R B1、R B2的分流作用时，则I b =I i ，而流过R L 的输出电流I o 为

L

E E i o i L

E E

b

L E E e o R R R I I A R R R I R R R I I ++==

++=+=)1()1(ββ

输入电阻R i

从基极看进去的电阻R ′i 为

i B B i L be L

R R R R R r R '

='++='21)1(β

与共射电路相比，由于R ′i 显著增大，因而共集电路的输入电阻大大提高了。 输出电阻R o

当输出端外加电压U o ，而将U s 短路并保留内阻R s 时，可得图所示电路。 由图可得

B B s s

s be b o I I I R R R R R r I U )1()(21β+-=-='=''+-=

＋－－＋

U o

U i

U s R B2C 1R E R L

U CC

R B1

(a )

＋

C 2U i

R i

＋

＋－

－

s

U s

R B1

(b )

I R o

R B2

r be

βI b

b c

I I e

R E

R L

I o

R i ′I e

r be R R I o

I e I o ′I

则由e 极看进去的电阻R ′o 为

β

+'+='='1s

be o o o

R r I U R 所以，输出电阻

β

+'+='==

=10

s

be E o

E U b

o o R r R R R I U R s

2、自偏式共集接法

电流放大倍数A i :

b

b

fe i o i I I h I I A )1(+-==

输入电阻R i :

b L fe ie b b

L b fe b ie i i i R R h h R I R I h I h I U R //))1((//)1('++='++==

中频电压放大倍数A um 和A ums :

'++'+='++'+==L fe ie L fe b

L fe ie L b fe i o um

R h h R h I R h h R I h U U A )1()1())1(()1(

输出电阻R o : 由图(c)可知

(1)(1)fe L i

ums um s i s ie fe L h R R A A R R R h h R '+==

'++++22222220

2

(1)1()//1(1)s fe b E

b s ie fe s ie E

s ie s ie E

o U E fe s ie fe E

U I h I R U I R h h U I U R h R U R h R h R R R I h R h h R ==++=++=++++=

=

=++++

2.2.3共基(CB)

放大电路 1、分压式共基接法

电压放大倍数A u

L C L

be

L

i o u L C b o be b i R R R r R U U A R R I U r I U =''==

==ββ)(,

电流放大倍数A i

由于输入电流I i ≈I e ，而输出电流L

C C

c

o R R R I I +=

L

C C

L C C e c i o i R R R R R R I I I I A +=+==

α 显然，A i <1。若R C >>R L ，则A i ≈α，即共基极放大器没有电流放大能力。但因A u >>1，所以仍有功 率增益。 输入电阻R i

β

β

+='=+=='11be

E i E

i be e i L

r

R R R R r

I U R

输出电阻R o

若U i =0，则I b =0,βI b =0，显然有C o R R = 2、自偏式共基接法

电流放大倍数A i :

C 1－

＋U i ＋R E

＋C 2R C

R B1R B2

＋C B

－

＋U o R L U CC

(a )

I i －

＋U i R E R i

I e r be R i ′

βI b I c

R C

R o

R L

I o

－＋

U o (b )

I b

自偏压式共基接法 (1)fe b o

i h I I A I h I α=

=-=-+

(1)o i o i

ums um s s i s i

fe L

ie fe s

U U U R A A U U U R R h R h h R =

=?=+'=

++输入电阻R i :

B ie b

fe b

B ie i i i R h I h I R h I U R +=++==

)1()(

中频电压放大倍数A um 和A ums :

B

ie L fe b B ie L b fe i o

um R h R h I R h R I h U U A +'

=

+'

==

)(

输出电阻R o :

R o =R C

如果晶体管h oe 不可忽略,则求输出电阻的等效电路如图所示,

不难得到

C B

ie s s fe oe B ie s U o R R h R R h h R h R U U R s //)]1(1

)//([|012+++++==

=

2.3 FET 放大器三种基本组态 2.

3.1共源(CS)放大电路

1、分压式共源接法

电压放大倍数A um

)////(L D ds i m o R R r U g U -=

)////(L D ds m i

o

um R R r g U U A -==

输入电阻R i :

21//R R R I U R G i

i

i +==

输入电阻R 0:

通常有R G >>R 1∥R 2,于是

G i R R ≈ D ds R r R //0=

R S

C 1C 2R 1

R G

(a )

R D C S

＋E D

＋－

U i R 2

R L

＋

－

U o

＋

－

U i

R G

R 1R 2

g m U gs

d

R D

R L ＋－

U s

g (b )r ds

＋－U gs V

共源电路及等效电路

(ａ)电路; (b)等效电路

2、固定偏压共源接法

3、自偏压式共源接法

2.3.2共漏(CD)放大电路 1、分压式共漏接法

＋E (a )

(a )

o

o (b )

　R L )]

｜｜共漏电路及其等效电路

(1)(1)(1)m ds i

d ds L

m ds S m ds L

i o d L

ds L m ds S o m ds L um i ds L m ds S g r U I r R g r R g r R U U I R r R g r R U g r R A U r R g r R =

'++''=-=-

'+++'==-'+++

U i (a )U g d

(b )U (c )r (d )2

源极具有电阻的电路 (ａ)电路; (b)等效电路; (c)变换电路; (d)求R o 电路

L

m L

m u R g '+1输出电阻R o

输入电阻R i :

213G G G G i R R R R R +==

2、自偏压式共漏接法

R i =R G

由求输出电阻R o 的等效电路图可知 式中r ，

ds =R S ∥r ds ,而U gs =-U 2,因此,有 m

S o m S o o o o o o m o m gs m S S o R o R o g R U g R U U I U R U g U g U g I R U I I I I S S 1

111)(+=+===--=-='='+=??

?

??????

????

m

S g R 1=(b )

U i (a )

(c )

共漏电路及交流等效电路

(ａ)电路; (b)交流等效电路; (c)求R o 电路

(////)(////)1(////)gs i o

o m gs ds S L o m ds S L um i m ds S L U U U U g U r R R U g r R R A U g r R R =-===+2220

2

1//1i m gs ds

ds

o U ds

m m ds

U

I g U r U r R r I g g r ==-'''=

==

'+

2.3.3共栅(CG)放大电路

1、分压式共栅接法

放大倍数A u

'

'

L

m

gs

L

gs

m

i

o

v

R

g

V

R

V

g

V

V

A=

-

-

=

=&

&

&

&

&

输出电阻R o

d

R

V

o

o

o

R

I

V

R

L

s

=

=

∞

=

=0

'

'

&

&

&

输入电阻R i:

m

m

gs

m

gs

gs

i

i

i g

R

g

R

V

g

R

V

V

I

V

R

1

//

1

1

=

+

=

-

-

-

=

=

&

&

&

&

&

2、自偏压式共栅接法

2.4 晶体管三种基本组态的比较

2.5多级放大电路的性能指标

多级放大电路可以充分利用各个单级放大电路的优点，满足各种不同的要求。

2.5.1级间耦合

连接原则：1)静态时各级应设置合适的静态工作点；2)动态时信号能实现畅通有效的传递。

电压增益输入电阻输出电阻特点用途

共射

(CE)

反相，

电压增益

大

较大

(几千欧)

较大

(R c)

既有电压

放大和电

流放大作

用

应用广

泛，中间

级

共集

(CC)

同相，

近似为1

最大最小

输入电阻

高、输出

电阻低

阻抗变换

或电流放

大

共基

(CB)

同相，

电压增益

较大

最小

(几十欧)

较大

(R c)

频率特性

好

宽频或高

频放大电

路

1)阻容耦合

优点是电路简单，在分立元件电路中应用广泛。缺点是不能放大频率较低的信号和直流信号，低频响应较差，且不便于集成化。

2)直接耦合

优点是低频特性好，可以放大变化缓慢的信号，易于集成化。缺点是各级静态工作点相互影响，分析、设计和调试较困难；并且还存在零点漂移问题。

3)变压器耦合

优点是各级静态工作点互不影响，能实现阻抗变换。缺点是频率特性不好，且非常笨重。

4)光电耦合

抗干扰能力强，数字电路中应用广泛。

晶体管中频小信号选频放大器设计(高频电子线路课程设计)

课程设计任务书 学生姓名：专业班级：电子1001班 指导教师：韩屏工作单位：信息工程学院题目：晶体管中频小信号选频放大器设计 初始条件： 具较扎实的电子电路的理论知识及较强的实践能力；对电路器件的选型及电路形式的选择有一定的了解；具备高频电子电路的基本设计能力及基本调试能力；能够正确使用实验仪器进行电路的调试与检测。 要求完成的主要任务： 1.采用晶体管或集成电路完成一个调幅中频小信号放大器的设计； 2.放大器选频频率f0＝455KHz，最大增益200倍，矩形系数不大于5； 3.负载电阻R L＝1KΩ时，输出电压不小干0.5V，无明显失真； 4.完成课程设计报告（应包含电路图，清单、调试及设计总结）。 时间安排： 1．2013年12月10日分班集中，布置课程设计任务、选题；讲解课设具体实施计划与课程设计报告格式的要求；课设答疑事项。 2．2013年12月11日至2013年12月26日完成资料查阅、设计、制作与调试；完成课程设计报告撰写。 3. 2013年12月27日提交课程设计报告，进行课程设计验收和答辩。 指导教师签名：年月日系主任（或责任教师）签名：年月日

目录 摘要............................................................................................................. I Abstract ...................................................................................................... I I 一、绪论 (1) 二、中频小信号放大器的工作原理 (2) 三、中频选频放大器的设计方案 (3) 3.1 稳定性分析 (3) 3.2 提高放大器稳定性的方法 (4) 3.3中频选频放大 (5) 3.4 信号负反馈 (6) 四、电路仿真与分析 (7) 4.1 multisim仿真软件简介 (7) 4.2 中频选频放大部分仿真 (7) 五、实物制作及调试 (9) 六、个人体会 (12) 参考文献 (13) 附录I 元件清单 (14) 附录II总电路图 (15)

详解经典三极管基本放大电路

详解经典三极管基本放大电路 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP 两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 图1：三极管基本放大电路 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时，基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。 下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图，因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止)，相当于开关断开;当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。 如果我们在上面这个图中，将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基极电流为0时，集电极电流为0，灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β)，三极管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。

第二章 晶体管及放大电路基础

第二章晶体管及放大电路基础一、教学要求 知识点 教学要求 学时掌握理解了解 晶体管晶体管的结构√电流分配与放大作用√√ 晶体管的工作状态、伏安特性及主要参数√√ 放大电路基础放大电路的组成原则及工作原理√ 放大电路的主要技术指标√ 放大电路 的分析方法 图解法√ 静态工作点估算法√ 微变等效电路法√ 三种基本放大电路比较√ 静态工作点的选择与稳定√√多极放大电路 耦合方式及直接耦合电 路的特殊问题 √ 分析计算方法√ 放大电路的频率响 应 频率响应的基本概念√√ 频率响应的分析计算方 法 √√ 本章的重点是： 晶体管的伏安特性、主要参数；放大电路的组成原则及工作原理、静态工作点的近似估算法、主要动态指标的微变等效电路分析法、静态工作点的选择与稳定、三种基本放大电路的特点；放大电路频率响应的基本概念及分析计算方法。

本章的难点是： 放大电路频率响应的基本概念及分析方法。 三、教学内容 2.1晶体管 1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区）形成的两个PN结（发射结和集电结）组成，分别从三个区引出三个电极（发射极e、基极b和集电极c）。 晶体管根据掺杂类型不同，可分为NPN型和PNP型两种；根据使用的半导体材料不同，又可分为硅管和锗管两类。 晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 2. 电流分配与放大作用 晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。在这种偏置条件下，发射区的多数载流子扩散到基区后，只有极少部分在基区被复合，绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压，可以达到控制集电极电流的目的。 晶体管的电流分配关系如下： 其中电流放大系数和之间的关系是=/(1＋)，=/（1－）；I CBO是集电结反向饱和电流，I CEO是基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流，并且I CEO=(1＋)I CBO。 在放大电路中，通过改变U BE，改变I B或I E，由ΔI B或ΔI E产生ΔI C，再通过集电极电阻R C，把电流的控制作用转化为电压的控制作用，产生ΔU O=ΔI C R C。实质上，这种控制作用就是放大作用。 3. 晶体管的工作状态 当给晶体管的两个PN结分别施加不同的直流偏置时，晶体管会有放大、饱和和截止三种不同的工作状态。这几种工作状态的偏置条件及其特点如表2.1所列。 表2.1 晶体管的三种工作状态 工作状态直流偏置条件各电极之间的电位关系特点

晶体管放大器的设计

设计任务书 一、设计目的 1、学习晶体管放大器的设计方法； 2 、研究静态工作点对输出波形的影响及静态工作点的调整方法； 3 、掌握静态工作点电压放大倍数的输入电阻、输出电阻的测试方法； 4 、研究信号源内阻对波形失真的影响。 二、设计要求与技术指标 1、技术指标：+Vcc=12V，外接负载Rl=2k,Vi=10mv,Rs=50Ω，工作频率 100Hz-500 Hz,电压放大倍数大于30，输入电阻大于2K，输入电阻 小于3K，电路稳定性好。 2、设计要求： （1）设计一个分压式电流负反馈偏置的单级共射极的小信放大器，输入和输出分别用电容和信号源及负载隔直流，设计静 态工作点，计算电路元件参数，拟定测试方案和步骤。 （2）在面包板或万能板上安装好电路，测量并调整静态工作点。 （3）测量设计好的电路的偏置电压和电流。 （4）测量所设计电路的实际电压放大倍数。 （5）测量所设计电路的实际输入、输出电阻。 （6）给所设计的电路加上频率为20KHZ，大小适合的正弦波，调节偏置电阻，用示波器预测输出波形在无失真、饱和失真和 截止三种情况下，记录相应的偏置电阻大小、I 和波形，并 CQ 绘制表格； （7）用EWB对电路进行防真，打印防真结果。 （8）写出设计报告。

三、电路设计原理及工作原理说明 1、设计原理 由NPN型三极管构成的共发射极放大电路如下图所示；待放大的输入信号源接到放大电路的输入端，通过电容C 1 与放大电路相耦合，放大后的输出信号通过电容C2的耦合，输送到负载RL，C1、C2，起到耦合交流的作用，称为耦合电容。为了使交流信号顺利通过，要求它们在输入信号频率下的容抗很小，因此它们的容量均取得较大，在低频放大电路中，常采用有极性的电解电容器，这样，对于交流信号，C1、C2可视为短路。为了不使信号源及负载对放大电路直流工作点产生影响，则要求C1、C2的漏电流应很小，即C1、C2还具有隔断直流的作用，所以C1、C2也可称为隔直流电容器。 共发射极放大电路 直流电源V CC 通过R B1 、R B2 、R C 、R E 使三极管获得合适的偏置，为三极管的放 大作用提供必要的条件，R B1、R B2 称为基极偏置电阻，R E 称为发射极电阻，RC称 为集电极负载电阻，利用R C 的降压作用，将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放大。

电子课程设计-二级晶体管放大电路Word版

五邑大学 电子技术课程设计报告题目：二级晶体管放大电路 院系机电工程学院 专业机械工程及其自动化 学号 AP100 学生姓名 指导教师黄东 完成日期 2 0 1 2 / 1 / 7

一、设计题目：晶体管放大电路 （1）设计一级晶体管放大电路，输入信号幅度≥20mv, 频率为1KHz，电源电压+5V，要求完成下面的技术指标： a. 电压增益A u ≥20 b. 输入电阻Ri ≥2KΩ c. 输出电阻Ro ≤50Ω （2）测量出输入电阻值，并说明该值于那些元件有关系。 （3）可选用的器件与元件 二、方案的论证和设计 1）工作原理： 输入信号加到前级的输入端，经过前级放大后加到后级的输入端，再经后级放大。在两级放大器中，放大器的输入端事实上就是前级的输入端，前级的输出也就是后级的输入，后级的输出也就是两级放大的输出；前级是后级的信号源，后级是前级的负载。因此，两极放大的线性电压放大倍数就等于前后两级放大倍数的乘积；放大器的输入电阻就是前级的输入电阻；放大器的输出电阻就是后级的输出电阻。 2)设计电路的主要功能 该电路具有实现输入信号放大的功能，能将较小的输入信号通过二级放大电路实现信号放大，从而获得必要的电压幅值或足够的功率，最终达到推动负载工作的使用要求。 3）设计原理图

4）参数的设定 1.计算后级电路电阻参数 节点B 电流方程为 1R I =2R I +B I 为了稳定静态工作点，令参数满足1R I >>B I 因此，B 点位为 CC B B B BE U R R R U 2 12 +≈ 取1E I =1.mA ，并选β=91,则 1 26) 1(200E be I r β++= =200+(1+91)*26/1=2.592k 第一级的放大倍数是 be L C r R R A //u1β -= 取1U A =120，取Ω=5101E R ,代入公式求出=C R 3.6k ? C C CE CC E R I U U R --= 1, 取CE U =2V, 求得1E R =500? 所以1E R 、1C R 取标称值 Ω=Ω=500,6.311C E R K R

电子课程设计--二级晶体管放大电路

电子课程设计--二级晶体管放大电路

五邑大学 电子技术课程设计报告题目：二级晶体管放大电路 院系机电工程学院 专业机械工程及其自动化 学号 AP100 学生姓名 指导教师黄东 完成日期 2 0 1 2 / 1 / 7

一、设计题目：晶体管放大电路 （1）设计一级晶体管放大电路，输入信号幅度≥20mv, 频率为1KHz，电源电压+5V，要求完成下面的技术指标： a. 电压增益A u ≥20 b. 输入电阻Ri ≥2KΩ c. 输出电阻Ro ≤50Ω （2）测量出输入电阻值，并说明该值于那些元件有关系。 （3）可选用的器件与元件 二、方案的论证和设计 1）工作原理： 输入信号加到前级的输入端，经过前级放大后加到后级的输入端，再经后级放大。在两级放大器中，放大器的输入端事实上就是前级的输入端，前级的输出也就是后级的输入，后级的输出也就是两级放大的输出；前级是后级的信号源，后级是前级的负载。因此，两极放大的线性电压放大倍数就等于前后两级放大倍数的乘积；放大器的输入电阻就是前级的输入电阻；放大器的输出电阻就是后级的输出电阻。 2)设计电路的主要功能 该电路具有实现输入信号放大的功能，能将较小的输入信号通过二级放大电路实现信号放大，从而获得必要的电压幅值或足够的功率，最终达到推动负载工作的使用要求。

3）设计原理图 4）参数的设定 1.计算后级电路电阻参数 节点B 电流方程为 1R I =2R I +B I 为了稳定静态工作点，令参数满足1R I >>B I 因此，B 点位为 CC B B B BE U R R R U 2 12 +≈ 取1E I =1.mA ，并选β=91,则 1 26) 1(200E be I r β++= =200+(1+91)*26/1=2.592k 第一级的放大倍数是 be L C r R R A //u1β -= 取1U A =120，取Ω=5101E R ,代入公式求出=C R 3.6k ?

东大模电实验三极管放大电路设计

东南大学电工电子实验中心 实验报告 课程名称：模拟电子电路基础 第三次实验 实验名称：三极管放大电路设计 院（系）：专业： 姓名：学号： 实验室: 105 实验组别： 同组人员：实验时间：2015年05月04日评定成绩：审阅教师：

实验三三极管放大电路设计 一、实验目的 1.掌握单级放大电路的设计、工程估算、安装和调试； 2.了解三极管、场效应管各项基本器件参数、工作点、偏置电路、输入阻抗、输出阻抗、 增益、幅频特性等的基本概念以及测量方法； 3.了解负反馈对放大电路特性的影响。 4.掌握多级放大电路的设计、工程估算、安装和调试； 5.掌握基本的模拟电路的故障检查和排除方法，深化示波器、稳压电源、交流毫伏表、 函数发生器的使用技能训练。 二、预习思考： 1.器件资料： 上网查询本实验所用的三极管9013的数据手册，画出三极管封装示意图，标出每个管脚的名称，将相关参数值填入下表： 注：额——表示Absolute maximum ratings，最大额定值。 2.偏置电路： 图3-3中偏置电路的名称是什么？简单解释是如何自动调节晶体管的电流I C以实现稳定直流工作点的作用的，如果R1、R2取得过大能否再起到稳定直流工作点的作用，为什么？ 答： ①图3-1偏置电路名称：分压式偏置电路。 ②自动调节晶体管电流Ic以实现稳定直流工作点的作用的原理： 当温度升高，会引起静态电流ICQ(≈IEQ)的增加，此时发射极直流电位UEQ=IEQ*RE 也会增加，而由于基极电位UBQ基本固定不变，因此外加在BJT发射结上的电压UBEQ=UBQ-UEQ将减小，迫使IEQ减小，进而抑制了ICQ的增加，使ICQ基本维持不变，达到自动稳定静态工作点的目的。同理，当温度降低时，ICQ减小，UEQ同时减小，而UBEQ则上升促使IEQ增大，抑制了ICQ 的减小，进而保证了Q点的稳定。 ③若R1、R2取得过大，则不能再起到稳定工作点的作用。这是因为在此情况下， 流入基极的电流不可再忽略，UB不稳定导致直流工作点不稳定。

晶体管两级耦合放大电路设计

电子技术课程设计书 晶 体 管 两 级 耦 合 放 大 电 路 姓名：陈德炳 专业：电力系统自动化 班级：电力1101 学号：0403110114

目录 第一章设计要求与目的 (2) 1.1 设计要求 (2) 1.2 设计目的 (2) 第二章设计原理 (3) 框图及基本公式 (3) 第三章两级放大电路设计 (4) 3.1第一级放大电路 (4) 3.2 第二级放大电路 (5) 3.3负反馈放大电路的设计 (6) 第四章整体设计及工作原理 (7) 4.1 估算A值 (7) 4.2放大管的选择 (7) 元器件清单 (8) 实验结论 (9) 心得体会 (9) 参考文献 (10)

第一章设计要求与目的 1.1设计要求 1、两级放大器应由2只NPN型晶体管及其他元件构成； 2、单电源供给，电压应为12VDC; 3、?值为80-100左右； 4、电压放大倍数为1000左右 5、输入电阻>10kΩ、输出电阻低<500Ω 1.2 设计目的 （1）学习电子电路设计方法。 （2）掌握两级耦合放大电路性能指标的估算，掌握静态工作点的合适调试。 （3）通过课程设计培养学生自学能力和分析问题、解决问题的能力。 （4）通过设计使学生具有一定的计算能力、制图能力以及查阅手册、使用国家技术标准的能力和一定的文字表达能力。

第二章 设计原理 框图及基本公式 图2-1负反馈放大电路原理框图 图中X 表示电压或电流信号；箭头表示信号传输的方向；符号¤表示输入求和，+、–表示输入信号 Xi 与反馈信号是相减关系（负反馈），即放大电路的净输入信号为: id i f X X X =- 基本放大电路的增益（开环增益）为: /o id A X X = 反馈系数为: /f o F X X = 负反馈放大电路的增益（闭环增益）为: /f o i A X X =

三极管及放大电路基础教案..

第2章三极管及放大电路基础 【课题】 2.1 三极管 【教学目的】 1．掌握三极管结构特点、类型和电路符号。 2．了解三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．理解三极管的三种工作状态的特点，并会判断三极管所处的工作状态。 4．理解三极管的主要参数的含义。 【教学重点】 1．三极管结构特点、类型和电路符号。 2．三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．三极管的三种工作状态及特点。 【教学难点】 1．三极管的电流分配关系和对电流放大作用的理解。 2．三极管工作在放大状态时的条件。 3．三极管的主要参数的含义。 【教学参考学时】 2学时 【教学方法】 讲授法、分组讨论法 【教学过程】 一、引入新课 搭建一个简单的三极管基本放大电路，通过对放大电路输入信号及输出信号的测试，引导学生认识三极管，并知道三极管能放大信号，为后续的学习打下基础。 二、讲授新课 2.1.1 三极管的基本结构 三极管是在一块半导体基片上制作出两个相距很近的PN结构成的。 两个PN结把整块半导体基片分成三部分，中间部分是基区，两侧部分分别是发射区和集电区，排列方式有NPN和PNP两种， 2.1.2 三极管的电流放大特性 三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，这就是三极管的电

流放大特性。 要使三极管具有放大作用，必须给管子的发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。 三极管三个电极的电流(基极电流B I 、集电极电流C I 、发射极电流E I )之间的关系为： C B E I I I +=、B C I I = --β、B C I I ??=β 2.1.3 三极管的特性曲线 三极管外部各极电流与极间电压之间的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 输入特性曲线是指当集-射极之间的电压CE V 为定值时，输入回路中的基极电流B I 与加在基-射极间的电压BE V 之间的关系曲线。 三极管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似，也存在一段死区。 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流B I 为定值时，输出电路中集电极电流C I 与集-射极间的电压CE V 之间的关系曲线。B I 不同，对应的输出特性曲线也不同。 截止区：0=B I 曲线以下的区域。此时，发射结处于反偏或零偏状态，集电结处于反偏状态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于断开状态。 饱和区：曲线上升和弯曲部分的区域。此时，发射结和集电结均处于正偏状态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于闭合状态。 放大区：曲线中接近水平部分的区域。此时，发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流放大作用。 2.1.4 三极管的主要参数 1. 性能参数：电流放大系数- -β、β，集电极-基极反向饱和电流CBO I ，集电极-发射极反向饱和电流CEO I 。 2. 极限参数：集电极最大允许电流CM I 、集电极-发射极反向击穿电压CEO BR V )(、集电极最大允许耗散功率CM P 。

晶体管共射极单管放大器 实验报告

实验二 晶体管共射极单管放大器 一、实验目的 1、 学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响。 2、 掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法。 3、 熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 图2－1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R B1和R B2 组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R E ，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号u i 后，在放大器的输出端便可得到一个与u i 相位相反，幅值被放大了的输出信号u 0，从而实现了电压放大。 在图2－1电路中，当流过偏置电阻R B1和R B2 的电流远大于晶体管T 的 基极电流I B 时（一般5～10倍），则它的静态工作点可用下式估算 CC B2 B1B1B U R R R U +≈ C E BE B E I R U U I ≈+-≈ 1 F R U CE ＝U CC －I C （R C ＋R E +R F1） 电压放大倍数 1 )1(F R // β++-=be L C V r R R β A 输入电阻 R i ＝R B1 // R B2 // [ r be +(1+β)R F1 ] 输出电阻 R O ≈R C 由于电子器件性能的分散性比较大，因此在设计和制作晶体管放大电路时，离不开测量 图2－1 共射极单管放大器实验电路

和调试技术。在设计前应测量所用元器件的参数，为电路设计提供必要的依据，在完成设计和装配以后，还必须测量和调试放大器的静态工作点和各项性能指标。一个优质放大器，必定是理论设计与实验调整相结合的产物。因此，除了学习放大器的理论知识和设计方法外，还必须掌握必要的测量和调试技术。 放大器的测量和调试一般包括：放大器静态工作点的测量与调试，消除干扰与自激振荡及放大器各项动态参数的测量与调试等。 1、放大器静态工作点的测量与调试 1) 静态工作点的测量 测量放大器的静态工作点，应在输入信号u i ＝0的情况下进行，即将放大器输入端与地端短接，然后选用量程合适的直流毫安表和直流电压表，分别测量晶体管的集电极电流 I C 以及各电极对地的电位U B 、U C 和U E 。一般实验中，为了避免断开集电极，所以采用测量电 压U E 或U C ，然后算出I C 的方法，例如，只要测出U E ，即可用 C E BE B E I R U U I≈ + - ≈ 1 F R 算出I C （也可根据C C CC C R U U I - = ，由U C 确定I C ），同时也能算出U BE ＝U B －U E ，U CE ＝U C －U E 。 为了减小误差，提高测量精度，应选用内阻较高的直流电压表。 2) 静态工作点的调试 放大器静态工作点的调试是指对管子集电极电流I C （或U CE ）的调整与测试。 静态工作点是否合适，对放大器的性能和输出波形都有很大影响。如工作点偏高，放 大器在加入交流信号以后易产生饱和失真，此时u O 的负半周将被削底，如图2－2(a)所示； 如工作点偏低则易产生截止失真，即u O 的正半周被缩顶（一般截止失真不如饱和失真明显），如图2－2(b)所示。这些情况都不符合不失真放大的要求。所以在选定工作点以后还必须进 行动态调试，即在放大器的输入端加入一定的输入电压u i ，检查输出电压u O 的大小和波形 是否满足要求。如不满足，则应调节静态工作点的位置。 (a) (b) 图2－2 静态工作点对u O 波形失真的影响

晶体管放大电路的设计

晶体管放大器的设计与调测 一、实验目的 1、学习晶体管放大器的设计方法； 2、研究静态工作点对输出波形的影响及静态工作点的调整方法； 3、掌握静态工作点、电压放大倍数和输入输出电阻的测试方法； 4、研究大信号激励下信号源内阻对波形失真的影响； 二、实验原理 在晶体管放大器的三种组态中，由于共射极放大器既有电流放大，又有电压放大，所以在以信号放大为目的时，一般用共射极放大器。分压式电流负反馈偏置是共射放大器广为采用的偏置形式，如图3-1所示，由于负反馈的引入它的静态工作点的稳定性较高。这里就以该电路为例介绍单管放大器的设计方法。 1、确定静态工作点电流I CQ I CQ 的选取，在不同的情况下是不同的： （1）小信号工作情况时，非线性失真不是主要矛盾，因此，以其他因素来考虑，若以少耗电为主，工作点应选得低些，如图3-2中的Q 1点；如果耗电不是主要矛盾而需要放大倍数大些， 那么工作点可选得高些，如图3-2中的Q 2点。一般小信号放大器取I CQ ＝0.5～2mA 。 图3-1 共发射极放大电路 图3-2 不同的工作 点 （2）大信号工作情况时，非线性失真是主要矛盾，因此，考虑的因素主要是尽量大的动态范围又尽可能小的失真。此时，应设计选择一个最佳负载，工作点尽量选在交流负载线的中央，如图3-2中的Q 3点。 如果设计指标中对放大器的输入电阻R i 有要求，也可以根据对R i 的要求来确定静态工作点I CQ 。由图3-1可见 21////B B be i R R r R = （3-1）

CQ b b CQ b b be I r I r r 2626)1(ββ+≈++=′′ （3-2） 对于小功率低频管r bb '的典型值为300?，小功率高频管r bb '，的典型值为50?，由于一般r b 比R B1∥R B2要小得多，因此在初选I CQ 时，可以近似认为R i ＝r be ，则由上式可确定I CQ 。 2、确定偏置电阻R B1，R B2的值 根据这个电路的工作原理，只有当I 1远远大于I BQ 时，才能保证U BQ 恒定，；这是工作点稳定的必要条件。一般取I 1＝(5～10)I BQ ，由于锗管I CBQ 大，因此锗管的I 1取大一些。 βCQ BQ I I = （3-3） 负反馈愈强，电路的稳定性愈好。若U BQ 取大一些，则容许的R E 较大，反馈较深，电路较稳定，但考虑电源供电电压的大小，折衷选定。U CC 大，容许的U BQ 也可以大一些，一般取U BQ =(1/3~1/5) U CC 。 由电路图可得 BQ BQ BQ B I U I U R )10~5(12== （3-4） 211B BQ CC B R I U U R ?= （3-5） 实际中R B1通常有一固定电阻与电位器串联，便于调整工作点。 3、确定的R E 、R C 值 21B BQ CC E R I U U R ?= （3-6） 据对电压放大倍数的要求确定R C 的值 'L R r A be U β ?= （3-7） 式中R ’L =R C // R L ，电路所接负载R L 为已知，Au 是设计指标要求的，于是可计算出R C 。 4、核算管子工作点电压 各电阻值取定后再反过来核算一下管子的工作点电压U BQ ，U CQ 和U EQ ，看管子是否处于放大状态，否则学要重新设计。 电容C B 、C C 的作用是隔直流，对交流信号应是近似短路，所以电容C B 、C C 的阻抗应远小于与之串联的电阻。电容C E 的作用是减小发射极交流负反馈，C E 与R E 并联的阻抗应小于与之并联的等效电阻。与电容C B 、C C 、C E 所对应的等效

模电实验 晶体管共射极放大电路

晶体管共射极放大电路 一、实验目的 1、 学习放大电路静态工作点的测试及调整方法，分析静态工作点对放大器性能的影 响。 2、 掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法。 3、 熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 图2－1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R E ，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号u i 后，在放大器的输出端便可得到一个与u i 相位相反，幅值被放大了的输出信号u 0，从而实现了电压放大。 图1－1 共射极单管放大器实验电路 在图2－1电路中，当流过偏置电阻R B1和R B2 的电流远大于晶体管T 的 基极电流I B 时（一般5～10倍），则它的静态工作点可用下式估算 CC B2 B1B1B U R R R U +≈ （1-1） （1-2） U CE ＝U CC －I C （R C ＋R E ） （1-3） 电压放大倍数 be L C V r R R β A // -= （1-4） C E BE B E I R U U I ≈-≈

输入电阻 R i ＝R B1 / R B2 / r be （1-5） 输出电阻 R O ≈R C （1-6） 由于电子器件性能的分散性比较大，因此在设计和制作晶体管放大电路时，离不开测量和调试技术。在设计前应测量所用元器件的参数，为电路设计提供必要的依据，在完成设计和装配以后，还必须测量和调试放大器的静态工作点和各项性能指标。一个优质放大器，必定是理论设计与实验调整相结合的产物。因此，除了学习放大器的理论知识和设计方法外，还必须掌握必要的测量和调试技术。 放大器的测量和调试一般包括：放大器静态工作点的测量与调试，消除干扰与自激振荡及放大器各项动态参数的测量与调试等。 1、 放大器静态工作点的测量与调试 1) 静态工作点的测量 测量放大器的静态工作点，应在输入信号u i ＝0的情况下进行， 即将放大器输入端与地端短接，然后选用量程合适的直流毫安表和直流电压表，分别测量晶体管的集电极电流I C 以及各电极对地的电位U B 、U C 和U E 。一般实验中，为了避免断开集电极，所以采用测量电压U E 或U C ，然后算出I C 的方法，例如，只要测出U E ，即可用 E E E C R U I I = ≈算出I C （也可根据C C CC C R U U I -= ，由U C 确定I C ），同时也能算出 U BE ＝U B －U E ，U CE ＝U C －U E 。 为了减小误差，提高测量精度，应选用内阻较高的直流电压表。 2) 静态工作点的调试 放大器静态工作点的调试是指对管子集电极电流I C （或U CE ）的调整与测试。 静态工作点是否合适，对放大器的性能和输出波形都有很大影响。如工作点偏高，放大器在加入交流信号以后易产生饱和失真，此时u O 的负半周将被削底，如图2－2(a)所示；如工作点偏低则易产生截止失真，即u O 的正半周被缩顶（一般截止失真不如饱和失真明显），如图2－2(b)所示。这些情况都不符合不失真放大的要求。所以在选定工作点以后还必须进行动态调试，即在放大器的输入端加入一定的输入电压u i ，检查输出电压u O 的大小和波形是否满足要求。如不满足，则应调节静态工作点的位置。 (a) (b) 图1－2 静态工作点对u O 波形失真的影响 改变电路参数U CC 、R C 、R B （R B1、R B2）都会引起静态工作点的变化，如图2－3所示。但通常多采用调节偏置电阻R B2的方法来改变静态工作点，如减小R B2，则可使静态工作点提高等。

三极管放大电路基本原理

三极管放大电路基本原理 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明三极管放大电路的基本原理。 以NPN型硅三极管为例，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。 三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式 U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因： 首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必 须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小

的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时，基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。 另一个原因就是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。 三极管的饱和情况。像上面那样的图，因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止)，相当于开关断开;当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。 如果我们在上面这个图中，将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基极电流为0时，集电极电流为0，灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β)，三极管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前。 但是在实际使用中要注意，在开关电路中，饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度，饱和电路在基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和，远大于集电极电流时是深度饱和。因此我们只需要控制其工作在浅度饱和工作状态就可以提高其转换速度。对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN 的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来——变成朝里

三极管与放大电路基础教案..

第 2 章三极管及放大电路基础 【课题】 2.1 三极管 【教学目的】 1．掌握三极管结构特点、类型和电路符号。 2．了解三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．理解三极管的三种工作状态的特点，并会判断三极管所处的工作状态。 4．理解三极管的主要参数的含义。 【教学重点】 1．三极管结构特点、类型和电路符号。 2．三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．三极管的三种工作状态及特点。 【教学难点】 1．三极管的电流分配关系和对电流放大作用的理解。 2．三极管工作在放大状态时的条件。 3．三极管的主要参数的含义。 【教学参考学时】 2 学时 【教学方法】 讲授法、分组讨论法 【教学过程】 一、引入新课 搭建一个简单的三极管基本放大电路，通过对放大电路输入信号及输出信号的测试，引 导学生认识三极管，并知道三极管能放大信号，为后续的学习打下基础。 二、讲授新课 2.1.1 三极管的基本结构 三极管是在一块半导体基片上制作出两个相距很近的PN结构成的。 两个 PN结把整块半导体基片分成三部分，中间部分是基区，两侧部分分别是发射区和集电区，排列方式有NPN和 PNP两种， 2.1.2 三极管的电流放大特性 三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，这就是三极管的电

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流放大特性。 要使三极管具有放大作用，必须给管子的发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。 三极管三个电极的电流( 基极电 流 I B、集电极电 流 I C、发射极电 流 I E ) 之间的关系 为： I E I B I C 、I C、I C I B I B 2.1.3 三极管的特性曲线 三极管外部各极电流与极间电压之间的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安 特性曲线。 1.输入特性曲线 输入特性曲线是指当集- 射极之间的电压V CE为定值时，输入回路中的基极电流I B与加 在基 - 射极间的电压V BE之间的关系曲线。 三极管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似，也存在一段死区。 2.输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流I B为定值时，输出电路中集电极电流I C与集 - 射极间的 电压 V CE之间的关系曲线。I B不同，对应的输出特性曲线也不同。 截止区： I B 0 曲线以下的区域。此时，发射结处于反偏或零偏状态，集电结处于反 偏状态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于断开状态。 饱和区：曲线上升和弯曲部分的区域。此时，发射结和集电结均处于正偏状 态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于闭合状态。 放大区：曲线中接近水平部分的区域。此时，发射结正偏，集电结反偏。 三极管具有电流放大作用。 2.1.4 三极管的主要参数 1. 性能参数：电流放大系数、，集电极 - 基极反向饱和电流I CBO，集电极 - 发射极反向饱和电流I CEO。 2. 极限参数：集电极最大允许电流I CM、集电极 - 发射 极反向击穿电压V(BR ) CEO、集电

晶体管放大器的设计..

晶体管放大器的设计 一、实验目的 1. 熟悉晶体管放大器的工作原理，体会晶体管放大器的作用。 2. 掌握晶体管放大器静态工作点的测试和调整方法以及测量晶体管放大器各项动态性能指标的方法。 3. 学习和掌握设计、调试具体晶体管放大器电路的方法与技能。 二、实验原理 (一) 设计原理 1.工作原理及基本关系式 (1)工作原理。 晶体管放大器中广泛应用如图1所示的电路，该电路称为阻容耦合共射极放大器，它采用分压式电流负反馈偏置电路。放大器的静态工作点Q 主要由e c b b R R R R 、、、21及电源电压CC V +所决定。该电路利用电 阻1b R 、2b R 的分压固定基极电位bQ V 。如果满足条件bQ I I >>1，当温度升高时，↓↓→↓→↑→↑→cQ bQ be eQ cQ I I V V I ，结果抑制了cQ I 的变化，从而获得稳定的静态工作点。 图1 阻容耦合共射极放大器

(2)基本关系式。 当bQ I I >>1时，才能保证bQ V 恒定，这是工作点稳定的必要条件，一般取 ?????==锗管）硅管）()20~10(()10~5(11bQ bQ I I I I （1） 负反馈越强，电路的稳定性越好。所以要求be bQ V V >>，即bQ V =（5~10）be V ，一般取 ?????==锗管）硅管）()3~1(()5~3(V V V V bQ bQ （2） 电路的静态工作点有下列关系式确定： cQ eQ cQ be bQ e I V I V V R =-≈ （3） 对于小信号放大器，一般取 mA mA I cQ 2~5.0= CC eQ V V )5.0~2.0(= βcQ bQ bQ b I V I V R )10~5(12=≈ （4） 21b bQ bQ CC b R V V V R -≈ （5） ) (e c cQ CC ceQ R R I V V +-≈ （6） 2. 性能指标与测试方法 晶体管放大器的主要性能指标有电压放大倍数V A 、输入电阻i R 、输出电阻0R 及通频带W B 。对于图1所示电路，各性能指标的计算式与测试方法如下： (1)电压放大倍数

实验二 三极管基本放大电路(指导书)

实验二三极管基本放大电路 一、实验目的 学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响。 掌握放大器电压放大倍数、及最大不失真输出电压的测试方法。 熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 共射放大电路既有电流放大，又有电压放大，故常用于小信号的放大。改变电路的静态工作点，可调节电路的电压放大倍数。而电路工作点的调整，主要是通过改变电路参数来实现，负载电阻R L的变化不影响电路的静态工作点，只改变电路的电压放大倍数。该电路输入电阻居中，输出电阻高，适用于多级放大电路的中间级。 静态工作点是否合适，对放大器的性能和输出波形都有很大影响。如工作点偏高，放大器在加入交流信号以后易产生饱和失真，此时V0的负半周将被削底；如工作点偏低易产生截止失真，即V0的正半周被缩顶（一般截止失真不如饱和失真明显）。这些情况都不符合不失真放大的要求。所以在选定工作点以后还必须进行动态调试，即在放大器的输入端加入一不定期的V i，检查输出电压V0的大小和波形是否满足要求。如不满足，则应调节静态工作点的位置。工作点偏高或偏低不是绝对的，应该是相对信号的幅度而言，如信号幅度很小，即使工作点较高或较低也不一定会出现失真。所以确切地说，产生波形失真是信号幅度与静态工作点设置配合不当所致。 图2－1 基本放大电路实验图 三、实验内容与步骤 1.调整静态工作点：按图连线，然后接通12V电源，调节信号发生器的频率和幅值调切旋 钮，使之输出f=1000Hz，Ui=10mV的低频交流信号，然后调节电路图中Rp1和Rp2使放大器输出波形幅值最大，又不失真。 2.去掉输入信号（最好使输入端交流短路），测量静态工作点（Ic，U ce，U be） 3.测量电压放大倍数：重新输入信号，在波形不失真的条件下用交流毫伏表测量下述二种 情况下的U0值（加入信号和无信号），此时的U0和U i相位相反。 4.测量幅频频特性曲线：保持输入信号的幅度不变，改变信号源频率f，按照下面的的频率 要求逐点测出相应的输出电压U0，记入下表，并且画出幅频特性曲线。