集成电路英语词汇

Abrupt junction突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层

Active region 有源区Active component 有源元

Active device 有源器件Activation 激活

Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳Allowed band 允带

Alloy-junction device合金结器件Aluminum(Aluminium) 铝

Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃

Anneal 退火Anisotropic 各向异性的

Anode 阳极Arsenic (AS) 砷

Auger 俄歇Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发

Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合

Band 能带Band gap 能带间隙

Barrier 势垒Barrier layer 势垒层

Barrier width 势垒宽度Base 基极

Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢

Bias 偏置Bilateral switch 双向开关

Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带

Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方

Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼

Bond 键、键合Bonding electron 价电子

Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件

Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折

Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区

Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场

Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收

Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合

Burn - in 老化Burn out 烧毁

Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区Can 外壳Capacitance 电容

Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子

Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位

Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出

Cascade 级联Case 管壳

Cathode 阴极Center 中心

Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道

Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储

Chemmical etching 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光Chip 芯片

Chip yield 芯片成品率Clamped 箝位

Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面

Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器

Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极

Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接

Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比

Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)

互补金属氧化物半导体场效应晶体管

Complementary error function 余误差函数

Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试/制

造

Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑

Conpled Configuration Devices 结构组态Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Contamination 治污

Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔

Contact potential 接触电势Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂Controlled 受控的

Converter 转换器Conveyer 传输器

Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合

Covalent 共阶的Crossover 跨交

Critical 临界的Crossunder 穿交

Crucible坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶

格

Current density 电流密度Curvature 曲率

Cut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲

Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶

Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）

Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流

Dead time 空载时间Debye length 德拜长度

De.broglie 德布洛意Decderate 减速

Decibel (dB) 分贝Decode 译码

Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱

Defeat 缺陷

Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度

Density of states 态密度Depletion 耗尽

Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则

Die 芯片（复数dice）Diode 二极管

Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffused junction 扩散结Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉

Digital circuit 数字电路Dipole domain 偶极畴

Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合

Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Discharge 放电Discrete component 分立元件Dissipation 耗散Distribution 分布Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主

Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂

Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.

Drift 漂移Drift field 漂移电场

Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀

Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量

Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性

Dynamic impedance 动态阻抗

Early effect 厄利效应Early failure 早期失效

Effective mass 有效质量Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器

Electrode 电极Electrominggratim 电迁移

Electron affinity 电子亲和势Electronic -grade 电子能

Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光

Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水

Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV) 电子伏Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆

Ellipsoid 椭球Emitter 发射极

Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带

Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应

Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态

Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOS Entefic (低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的

Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片

Expitaxy 外延Equivalent curcuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子

Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器

Error function complement 余误差函数

Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂

Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态

Exciton 激子Extrapolation 外推法

Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Face - centered 面心立方Fall time 下降时间

Fan-in 扇入Fan-out 扇出

Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级

Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布Femi potential 费米势

Fick equation 菲克方程（扩散）Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Filled band 满带

Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器

Flat band 平带Flat pack 扁平封装

Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting正向阻断/导通

Frequency deviation noise频率漂移噪声

Frequency response 频率响应Function 函数

Gain 增益Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾

Gamy ray r 射线Gate 门、栅、控制极

Gate oxide 栅氧化层Gauss（ian）高斯

Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge) 锗

Graded 缓变的Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒

Gradient 梯度Grown junction 生长结

Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gunn - effect 狄氏效应

Hardened device 辐射加固器件Heat of formation 形成热

Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体

High field property 高场特性

High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成

Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入

Input offset voltage 输入失调电压Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET Integrated injection logic集成注入逻辑Integration 集成、积分Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构

Interface 界面Interference 干涉International system of unions国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的

Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器

Ion 离子Ion beam 离子束

Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性

Junction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁

Latch up 闭锁Lateral 横向的

Lattice 晶格Layout 版图

Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变

Leakage current （泄）漏电流Level shifting 电平移动

Life time 寿命linearity 线性度

Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮

Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术

Lithography 光刻Light Emitting Diode(LED) 发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的Logic swing 逻辑摆幅

Lorentz 洛沦兹Lumped model 集总模型

Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板

Mask level 掩模序号Mask set 掩模组

Mass - action law质量守恒定律Master-slave D flip-flop主从D触发器Matching 匹配Maxwell 麦克斯韦

Mean free path 平均自由程Meandered emitter junction梳状发射极结Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间

Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面

MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FET

Metallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Millen indices 密勒指数

Minority carrier 少数载流子Misfit 失配

Mismatching 失配Mobile ions 可动离子

Mobility 迁移率Module 模块

Modulate 调制Molecular crystal分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管Multiplication 倍增

Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片IC

Multi-chip module(MCM) 多芯片模块Multiplication coefficient倍增因子Naked chip 未封装的芯片（裸片）Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Nesting 套刻

Negative-temperature-coefficient 负温度系数Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡Nonrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Officienay 功率

Offset 偏移、失调On standby 待命状态

Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路

Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier (OPAMP)运算放大器

Optical photon =photon 光子Optical quenching光猝灭

Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator光耦合隔离器Organic semiconductor有机半导体Orientation 晶向、定向Outline 外形Out-of-contact mask非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载

Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Passination 钝化

Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期

Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移

Phonon spectra 声子谱

Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池

Photoelectric effect 光电效应

Photoenic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺

(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂Pin 管脚

Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管

Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应

Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触

Polarity 极性Polycrystal 多晶

Polymer semiconductor聚合物半导体Poly-silicon 多晶硅

Potential (电)势Potential barrier 势垒

Potential well 势阱Power dissipation 功耗

Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器

Primary flat 主平面Principal axes 主轴

Print-circuit board(PCB) 印制电路板Probability 几率

Probe 探针Process 工艺

Propagation delay 传输延时Pseudopotential method 膺势发Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse

Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制

Punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级

Quality factor 品质因子Quantization 量子化

Quantum 量子Quantum efficiency量子效应

Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi－level准费米能级Quartz 石英

Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination辐照复合Radioactive 放射性Reach through 穿通

Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间

Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率

Register 寄存器Registration 对准

Regulate 控制调整Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可靠性Resonance 谐振

Resistance 电阻Resistor 电阻器

Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Relaxation 驰豫Resonant frequency共射频率

Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置

Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（Al2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range电流饱和区Saturation region 饱和区Saturation 饱和的

Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schockley diode 肖克莱二极管Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面

Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的

Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor-controlled rectifier 可控硅Sendsitivity 灵敏度Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽Short circuit 短路

Shot noise 散粒噪声Shunt 分流

Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号

Silica glass 石英玻璃Silicon 硅

Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须Simple cubic 简立方

Single crystal 单晶Sink 沉

Skin effect 趋肤效应Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路Sulethreshold 亚阈的

Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Sonband 子带

Source 源极Source follower 源随器

Space charge 空间电荷Specific heat(PT) 热

Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的

Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spreading resistance扩展电阻Sputter 溅射Stacking fault 层错

Static characteristic 静态特性Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Storage time 存储时间Stress 应力Straggle 偏差

Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superlattice 超晶格

Supply 电源Surface 表面

Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标Switching time 开关时间Switch 开关

Tailing 扩展Terminal 终端

Tensor 张量Tensorial 张量的

Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film technique 厚膜技术Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging(stress) 晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物

Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transport 输运Transverse 横向的

Trap 陷阱Trapping 俘获

Trapped charge 陷阱电荷Triangle generator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发

Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散

Truth table 真值表Tolerahce 容差

Tunnel(ing) 隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Unijunction 单结的

Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞

Unity-gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空

Valence(value) band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Varistor 变阻器Vibration 振动Voltage 电压

Wafer 晶片Wave equation 波动方程

Wave guide 波导Wave number 波数

Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件

Yield 成品率

Zener breakdown 齐纳击穿

Zone melting 区熔法

[电气工程]常用专业英语词汇

电气工程常用专业英语词汇表 电气工程常用专业英语词汇表 电路基础 ideal voltage (current) source 理想电压(流)源volt-ampere characteristic 伏安特性potential difference 电位差 reference potential 参考电位resistance 电阻capacitance 电容 inductance 电感 reactance 电抗 inductive(capacitive) reactance 感(容)抗impedance 阻抗 equivalent circuit 等效电路 Ohm’s law 欧姆定律Kirchhoff’s law 基尔霍夫定律Kirchhoff’s voltage law（KVL）基尔霍夫电压定律Kirchhoff’s current law（KCL）基尔霍夫电流定律Thevenin’s theorem 戴维宁定理Norton’s theorem 诺顿定理 branch 支路 node 结点 loop 回路 mesh 网孔 open circuit 开路（断路） short circuit 短路 branch current analysis 支路电流法mesh current analysis 网孔电流法 ode voltage analysis 结点电位法n superposition theorem 叠加原理passive(active) two-terminal network 无(有)源二端网络root mean square (RMS) 均方根值 effective value 有效值instantaneous value 瞬时值 ampere 安培 volt 伏特 Hertz 赫兹 reactive power` 无功功率 active power 有功功率 transfer function 传递函数 apparent power 视在功率 power-factor compensation 功率因数补偿series (parallel) resonance 串(并)联谐振 amplitude(phase)-frequency response characteristic 幅(相)频特性 figure of merit 品质因素 pass-band 通频带bandwidth (BW) 带宽 first(second)-order filter 一(二)阶滤波器low(high)-pass filter 低(高)通滤波器band-pass(stop) filter 带通(阻)滤波器transfer function 转移函数 Bode diagram 波特图 Fourier series 傅立叶级数 three-phase circuit 三相电路 cutoff frequency 截止频率 FFT (Fast Fourier Transform) 快速傅立叶变换 state variable 状态变量 电机 generation 发电 transmission 输电 distribution 配电 coil 线圈 core 铁心 winding 绕组 electrical machine 电机 generator 发电机 motor 电动机 stator (rotor) 定子(转子) armature 电枢 brush 电刷 commutator 换向器 salient-pole 凸极 slip ring 滑环 induction motor 感应电动机 magnetic flux 磁通 asynchronous machine 异步电机 synchronous generator 同步发电机 eddy current 涡流 EMF（electromotive force）电动势 counter EMF 反电势 torque 转矩 excitation 励磁 prime mover 原动机 rectifier 整流器 leakage flux 漏磁通 demagnetization 退磁，去磁 short-circuit ratio 短路比 converter (inverter) 换流器（逆变器） synchronous condenser 同步调相机 magnetization curve 磁化曲线 separately exciting 他励 compounded excited 复励 self-exciting 自励 series(shunt)-wound 串(并)励

集成电路设计流程与工艺流程论文

超大规模集成电路课程论文题目：集成电路设计生产及工艺流程 院系：物理与电子工程学院 专业：电子信息科学与技术 年级：三年级 学号：2009111127 姓名：汪星 指导老师：张婧婧 完成时间：2011年10月21日星期六

集成电路设计生产及工艺流程 作者：汪星指导老师：张婧婧 （襄樊学院,物理与电子信息工程学院） 摘要：集成电路IC（integrated circuit）是现代信息产业群的核心和基础，集成电路产业对国民经济、国家安全、人民生活和社会进步正在发挥着越来越重要的作用，因此发展我国集成电路产业对促进国民经济信息化的具有重要作用，也是信息产业发展的重中之重。集成电路设计业是集成电路产业中的一个重要环节，它是连接芯片制造和系统整机生产的纽带，是提升集成电路产品创新和整机功能的驱动器。 关键词：发展趋势；工艺流程； IC design process and engineering technology Writer:Wang Xing Director:Zhang Jingjing (School of Physics and Electronic Engineering,Xiangfan University) Abstract: IC (integrated circuit) industry group is the core of modern information and basis for the integrated circuit industry to the national economy, national security, people's lives and social progress are playing an increasingly important role.Therefore, the development of national economy of China's IC industry has an important role of information technology, information industry is a top priority. IC design industry is an important part of industry, it is to connect the chip manufacturing and the whole production system link.IC is to enhance product innovation and drive the machine functions. In this chapter, the development of integrated circuit design first introduced the status quo and development trend, then introduced the modern IC design industry is mainly used in the design. Keywords:development tendency; technological process; 0引言 集成电路简称IC，是信息产业的核心和先导，被世界各国列为国家战略工业之首。日本、韩

大规模集成电路应用

《大规模集成电路应用》论文姓名:谭宇 学号: 20104665 学院: 计算机与信息工程学院 专业班级: 自动化3班

大规模集成电路的体会 摘要：信息飞速发展时代，半导体、晶体管等已广泛应用，大规模集成电路也 成为必要性的技术，集成电路诞生以来，经历了小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）的发展过程，目前已进入超大规模（VLSI）和甚大规模集成电路（ULSI）阶段，进入片上系统（SOC)的时代。 关键字：大规模集成；必要性；体会； 1 大规模集成的重要性 集成电路产业是衡量一个国家综合实力的重要重要指标。而这个庞大的产业主要由集成电路的设计、芯片、封装和测试构成。在这个集成电路生产的整个过程中，集成电路测试是惟一一个贯穿集成电路生产和应用全过程的产业。如：集成电路设计原型的验证测试、晶圆片测试、封装成品测试，只有通过了全部测试合格的集成电路才可能作为合格产品出厂，测试是保证产品质量的重要环节。 集成电路测试是伴随着集成电路的发展而发展的，它为集成电路的进步做出了巨大贡献。我国的集成电路自动测试系统起步较晚，虽有一定的发展，但与国外的同类产品相比技术水平上还有很大的差距，特别是在一些关键技术上难以实现突破。国内使用的高端大型自动测试系统，几乎是被国外产品垄断。市场上各种型号国产集成电路测试，中小规模占到80%。大规模集成电路测试系统由于稳定性、实用性、价格等因素导致没有实用化。大规模/超大规模集成电路测试系统主要依靠进口满足国内的科研、生产与应用测试，我国急需自主创新的大规模集成电路测试技术，因此，本文对集成电路测试技术进行了总结和分析。 2 集成电路测试的必要性 随着集成电路应用领域扩大，大量用于各种整机系统中。在系统中集成电路往往作为关键器件使用，其质量和性能的好坏直接影响到了系统稳定性和可靠性。 如何检测故障剔除次品是芯片生产厂商不得不面对的一个问题，良好的测试流程，可以使不良品在投放市场之前就已经被淘汰，这对于提高产品质量，建立生产销售的良性循环，树立企业的良好形象都是至关重要的。次品的损失成本可以在合格产品的售价里得到相应的补偿，所以应寻求的是质量和经济的相互制衡，以最小的成本满足用户的需要。 作为一种电子产品，所有的芯片不可避免的出现各类故障，可能包括：1.固定型故障；2.跳变故障；3.时延故障；4.开路短路故障；5桥接故障，等等。测试的作用是检验芯片是否存在问题，测试工程师进行失效分析，提出修改建议，从工程角度来讲，测试包括了验证测试和生产测试两个主要的阶段。 一款新的集成电路芯片被设计并生产出来，首先必须接受验证测试。在这一阶段，将会进行功能测试、以及全面的交流（AC）参数和直流(DC)参数的测试等，也可能会探测芯片的内部结构。通常会得出一个完整的验证测试信息，如芯片的工艺特征描述、电气特征（DC参数、AC参数、电容、漏电、温度等测试条件）、时序关系图等等。通过验证测试中的参数测试、功能性测试、结构性测试，可以诊断和修改系统设计、逻辑设计和物理设计中的设计错误，为最终规范(产品手册)测量出芯片的各种电气参数，并开发出测试流程。 当芯片的设计方案通过了验证测试，进入生产阶段之后，将利用前一阶段设

微电子中英文专业词汇

Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件 Aluminum（Aluminium）铝 Aluminum - oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue（Analog） comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic （AS）砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管

大规模集成电路设计答案(1)

`CMOS反相器电路图、版图、剖面图

CMOS的广泛使用，是由于解决了latch-up效应 Latch-up效应解释、原理、解决方法（略） 避免栅锁效应方法：用金掺杂或中子辐射，降低少数载流子寿命；深阱结构或高能量注入形成倒退阱；将器件制作于高掺杂衬底上的低掺杂外延层中；沟槽隔离。 在基体（substrate)上改变金属的掺杂，降低BJT的增益 ?避免source和drain的正向偏压 ?增加一个轻掺杂的layer在重掺杂的基体上，阻止侧面电流从垂直BJT到低阻基体上的通路 ?使用Guard ring: P+ ring环绕nmos并接GND；N+ ring环绕pmos 并接VDD，一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值，另一方面可阻止栽子到达BJT的基极。如果可能，可再增加两圈ring。 ? Substrate contact和well contact应尽量靠近source,以降低Rwell和Rsub的阻值。?使nmos尽量靠近GND，pmos尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos之间以降低引发SCR的可能 ?除在I/O处需采取防Latch up的措施外，凡接I/O的内部mos 也应圈guard ring。? I/O处尽量不使用pmos(nwell) 门级电路图（AOI221） AOI221=(AB+CD+E)’

伪NMOS: 伪NMOS的下拉网络和静态门的下拉网络相似，上拉网络是用一个PMOS管，且此管输入接地，因此PMOS管总是导通的。 动态电路： 动态电路用一个时钟控制的PMOS管取代了总是导通的PMOS管，克服了有比电路的缺点。动态电路速度快，输入负载小，切换时不存在竞争电流，而且动态电路没有静态功耗。 动态电路存在的根本性问题就是对输入单调性的要求。 多米诺电路： 多米诺电路由一级动态门和一级静态CMOS反相器构成。典型结构： 下拉网络+上拉预充值网络+反相器构成 过程就是充值+求值的过程 在多米诺电路中，所有门的预充、求值都可以用一个时钟控制。求值期间，动态门的输出单调下降，所以静态反相器的输出单调上升。多米诺电路是同时进行预充，但求值是串行的。逻辑功效（logic effort） 逻辑功效定义为门的输入电容与能够提供相同输出电流的反相器的输入电容的比值。也就是说逻辑功效表示某个门在产生输出电流时相比反相器的糟糕程度。逻辑功效不仅使我们能容易计算时延，它也向我们展示了如何确定晶体管的尺寸以优化路径中的延时。

《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版分析

1．集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段？划分集成电路的标准是什么？ 集成电路的发展过程: ?小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) ?中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) ?大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) ?超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) ?特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) ?巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） 划分集成电路规模的标准 2．超大规模集成电路有哪些优点？ 1. 降低生产成本 VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少. 2.提高工作速度 VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得. 3. 降低功耗 芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降. 4. 简化逻辑电路 芯片内部电路受干扰小,电路可简化. 5.优越的可靠性 采用VLSI后，元件数目和外部的接触点都大为减少，可靠性得到很大提高。 6.体积小重量轻 7.缩短电子产品的设计和组装周期 一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度. 3．简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。 1、形成N阱 2、形成P阱 3、推阱 4、形成场隔离区 5、形成多晶硅栅 6、形成硅化物 7、形成N管源漏区 8、形成P管源漏区 9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装，完成集成电路的制造工艺 4．在VLSI设计中，对互连线的要求和可能的互连线材料是什么？ 互连线的要求 低电阻值：产生的电压降最小；信号传输延时最小（RC时间常数最小化） 与器件之间的接触电阻低 长期可靠工作 可能的互连线材料 金属（低电阻率），多晶硅（中等电阻率），高掺杂区的硅(注入或扩散)（中等电阻率）

集成电路设计方法的发展历史

集成电路设计方法的发展历史 、发展现状、及未来主流设 计方法报告 集成电路是一种微型电子器件或部件，为杰克·基尔比发明，它采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。 一、集成电路的发展历史： 1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； 1950年：结型晶体管诞生； 1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； 1951

年：场效应晶体管发明； 1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； 1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； 1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； 1963年：和首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； 1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； 1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列； 1967年：应用材料公司成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司； 1971年：Intel推出1kb动态随机存储器，标志着大规模集成电路出现； 1971年：全球第一个微处理器4004Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明； 1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； 1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； 1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路时

中南大学大规模集成电路考试及答案合集

中南大学大规模集成电路考试及答案合集

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---○---○ --- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封 中南大学考试试卷 时间110分钟 题 号 一 二 三 合 计 得 分 评卷人 2013 ~2014 学年一学期大规模集成电路设计课程试题 32 学时，开卷，总分100分，占总评成绩70 % 一、填空题(本题40分，每个空格1分) 1. 所谓集成电路，是指采用 ，把一个电路中 所需的二极管、 、电阻、电容和电感等元件连同它们之间的电气连线在一块或几块很小的 或介质基片上一同制作出来，形成完整电路，然后 在一个管壳内，成为具有特定电路功能的微型结构。 2. 请写出以下与集成电路相关的专业术语缩写的英文全称： ASIC ： ASSP ： LSI ： 3. 同时减小 、 与 ，可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积，提高电路集成度。因此，缩短MOSFET 尺寸是VLSI 发展的趋势。 4. 大规模集成电路的设计流程包括：需求分析、 设计、体系结构设计、功能设计、 设计、可测性设计、 设计等。 5. 需求规格详细描述系统顾客或用户所关心的内容，包括 及必须满足的 。系统规格定义系统边界及系统与环境相互作用的信息，在这个规格中，系统以 的方式体现出来。 6. 根据硬件化的目的（高性能化、小型化、低功耗化、降低成本、知识产权保护等）、系统规模/性能、 、 、 等确定实现方法。 7. 体系结构设计的三要素为： 、 、 。 8. 高位综合是指从 描述自动生成 描述的过程。与人工设计相比，高位综合不仅可以尽可能地缩短 ，而且可以生成在面积、性能、功耗等方面表现出色的电路。 9. 逻辑综合就是将 变换为 ，根据 或 进行最优化，并进行特定工艺单元库 的过程。 10. 逻辑综合在推断RTL 部品时，将值的变化通过时钟触发的信号推断为 ， 得 分 评卷人

专业英语(光电子1)词汇

1．晶体管transistor 2. 晶体材料crystalline material 3 集成电路integrated circuit 4．电导率conductivity 5. 电阻率resistivity 6. 导体conductor 7．绝缘体insulator 8．杂质，混杂物impurity 9．元素半导体elemental semiconductor 10．化合物半导体compound semiconductor 11．硅Silicon 12．锗Germanium 13．双极型晶体管bipolar transistor 14．整流器rectifier 15．光电二极管photodiode 16．漏电流leakage current 17．无定型的amorphous 18．多晶polycrystalline 19．晶粒grains 20．晶界grain boundary 21．晶格，格子1attice 22．晶胞unit cell 23．等距的equidistant 24．体心立方body-centered cubic 25．面心立方face-centered cubic 26．金刚石晶格diamond lattice 27．对角线的diagonal 28．密勒指数miller indices， 29．笛卡儿坐标Cartesian coordinates 30．壳层shell 31．金属键metallic bonds 32．价带valence band 33．导带conduction band 34．光泽1uster； 35．共价键covalent bonds 36．空位vacancy 37．空穴hole ‘ 38．电子空穴对Electron-hole pair 39．本征的intrinsic 40．pn结pn junction 41．掺杂doping 42．施主donor 43．多数载流子majority carrier

集成电路设计方法--复习提纲

集成电路设计方法--复习提纲 2、实际约束：设计最优化约束：建立时钟，输入延时，输出延时，最大面积 设计规则约束：最大扇出，最大电容 39.静态时序分析路径的定义 静态时序分析通过检查所有可能路径上的时序冲突来验证芯片设计的时序正确性。时序路径的起点是一个时序逻辑单元的时钟端，或者是整个电路的输入端口，时序路径的终点是下一个时序逻辑单元的数据输入端，或者是整个电路的输出端口。 40.什么叫原码、反码、补码？ 原码：X为正数时，原码和X一样；X为负数时，原码是在X的符号位上写“1”反码：X为正数是，反码和原码一样；X为负数时，反码为原码各位取反 补码：X为正数时，补码和原码一样；X为负数时，补码在反码的末位加“1” 41.为什么说扩展补码的符号位不影响其值？ SSSS SXXX = 1111 S XXX + 1 —— 2n2n12n1例如1XXX=11XXX,即为XXX-23=XXX+23-24. 乘法器主要解决什么问题？ 1.提高运算速度2.符号位的处理 43.时钟网络有哪几类？各自优缺点？ 1. H树型的时钟

网络： 优点：如果时钟负载在整个芯片内部都很均衡，那么H 树型时钟网络就没有系统时钟偏斜。缺点：不同分支上的叶节点之间可能会出现较大的随机偏差、漂移和抖动。 2. 网格型的时钟网络 优点：网格中任意两个相近节点之间的电阻很小，所以时钟偏差也很小。缺点：消耗大量的金属资源，产生很大的状态转换电容，所以功耗较大。 3.混合型时钟分布网络优点：可以提供更小的时钟偏斜，同时，受负载的影响比较小。缺点：网格的规模较大，对它的建模、自动生成可能会存在一些困难。 总线的传输机制？ 1. 早期：脉冲式机制和握手式机制。 脉冲式机制：master发起一个请求之后，slave在规定的t时间内返回数据。 握手式机制：master发出一个请求之后，slave在返回数据的时候伴随着一个确认信号。这样子不管外设能不能在规定的t时间内返回数据，master都能得到想要的数据。 2. 随着CPU频率的提高，总线引入了wait的概念 如果slave能在t时间内返回数据，那么这时候不能把wait信号拉高，如果slave不能在t时间内返回数据，那么必须在t时间内将wait信号拉高，直到slave将可以返回

电脑专业英语词汇大全

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C Cables连线 Cell单元箱 Chain printer链式打印机 Character and recognition device字符标识识别设备 Chart图表 Chassis支架 Chip芯片 Clarity清晰度 Closed architecture封闭式体系结构 Column列 Combination key结合键 computer competency计算机能力 connectivity连接，结点 Continuous-speech recognition system连续语言识别系统 Control unit操纵单元 Cordless or wireless mouse无线鼠标 Cable modems有线调制解调器 carpal tunnel syndrome腕骨神经综合症 CD-ROM可记录光盘 CD-RW可重写光盘 CD-R可记录压缩光盘 Channel信道 Chat group谈话群组 chlorofluorocarbons(CFCs) ]氯氟甲烷 Client客户端 Coaxial cable同轴电缆 cold site冷战 Commerce servers商业服务器 Communication channel信道 Communication systems信息系统 Compact disc rewritable Compact disc光盘 computer abuse amendments act of 19941994计算机滥用法案 computer crime计算机犯罪 computer ethics计算机道德 computer fraud and abuse act of 1986计算机欺诈和滥用法案 computer matching and privacy protection act of 1988计算机查找和隐私保护法案Computer network计算机网络 computer support specialist计算机支持专家 computer technician计算机技术人员

芯片设计行业分析

IC设计行业分析（20140530） 概述 以互联网、通信、计算机为代表的信息技术极大改变着人们的生活方式。科技公司以市场为目标，利用科技手段，提供产品、服务，来满足消费者的需求。目前有两大趋势： 终端“智能化”：自手机到电视、家居等传统设备，更连风马牛不相及的眼镜（Google Glass）、手表（iWatch）也粉墨登场，要“智能化” 传统行业“互联网化”：如旅游（携程、去哪儿）、房地产（搜房）、汽车（汽车之家）、二手市场（58同城）、京东等。 上述变化直接、间接依赖于半导体产业。本文以全球十大IC设计公司1为样本，分析IC设计行业的格局。以近六年利润表为基础，从市场份额、成长性、核心利润率、风险抵御能力四个角度对各家公司进行综合评分。 表 1 十家公司排名 排名综合评分市场份额分数成长性分数核心利润率分数风险抵御能力分数 MTK 58 18 64 56 92 Xilinx 53 10 10 95 98 Avago 50 10 19 77 93 Altera 48 7 -17 100 100 BroadCom 47 33 20 40 93 Nvidia 42 17 9 43 99 Marvell 37 14 2 37 95 LSI 29 10 5 22 78 AMD 17 21 -22 -11 81 核心观点 ◆整个行业，尤其是手机市场竞争惨烈，毛利率、核心利润率2分别在50%、10%左右 ◆QualComm一枝独秀，MTK近年发力，其他公司苦苦挣扎 图 1 产业链示意图 1十大排名来自：IC Insights的Taiwanese and Chinese Companies Represented Five of Eight Fastest Growing Top-25 Fabless IC Suppliers in 2013 2核心利润=Revenue-Costs of goods – SG&A – R&D，没有考虑营运利润中的“Others（其他费用）”，而其他费用可能包含一些不具有可持续的事项所引起，故核心利润更能反映公司可持续的经营能力；核心利润率=核心利润/年收入*100%

集成电路设计流程

集成电路设计流程 . 集成电路设计方法 . 数字集成电路设计流程 . 模拟集成电路设计流程 . 混合信号集成电路设计流程 . SoC芯片设计流程 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University 集成电路设计流程 . 集成电路设计方法 . 数字集成电路设计流程 . 模拟集成电路设计流程 . 混合信号集成电路设计流程 . SoC芯片设计流程 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University 正向设计与反向设计 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University 自顶向下和自底向上设计 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University Top-Down设计 –Top-Down流程在EDA工具支持下逐步成为 IC主要的设计方法 –从确定电路系统的性能指标开始，自系 统级、寄存器传输级、逻辑级直到物理 级逐级细化并逐级验证其功能和性能 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University Top-Down设计关键技术 . 需要开发系统级模型及建立模型库，这些行 为模型与实现工艺无关，仅用于系统级和RTL 级模拟。 . 系统级功能验证技术。验证系统功能时不必 考虑电路的实现结构和实现方法，这是对付 设计复杂性日益增加的重要技术，目前系统 级DSP模拟商品化软件有Comdisco，Cossap等， 它们的通讯库、滤波器库等都是系统级模型 库成功的例子。 . 逻辑综合--是行为设计自动转换到逻辑结构 设计的重要步骤 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University

2021年集成电路设计物联网通信芯片模组企业发展战略及经营计划( word 版)

2021 年集成电路设计物联网通信芯片模组企业发展战略及经营计划 2021 年2 月

目录 一、行业格局和趋势 (4) 1、MCU 行业 (4) 2、无线芯片行业 (5) 3、智能家居行业 (5) 二、公司核心竞争优势 (7) 1、技术及研发优势 (7) 2、产品性能优势 (8) 3、独特的开源生态系统优势 (9) 三、公司发展战略 (10) 1、技术路线发展 (10) （1）Wi-Fi 产品 (11) （2）蓝牙技术 (12) （3）RISC-V 架构的应用 (12) （4）AI 应用发展 (13) 2、竞争趋势 (13) 3、全球化战略 (14) 4、投资与并购战略 (14) 四、公司经营计划 (15) 1、产品开发计划 (15) 2、技术研发计划 (15) 3、市场开发规划 (15) 4、人才发展规划 (16)

五、风险因素 (16) 1、核心竞争力风险 (16) （1）市场竞争风险 (16) （2）研发进展不及预期风险 (17) （3）技术更新风险 (17) 2、经营风险 (17) 3、行业风险 (18) 4、宏观环境风险 (18)

一、行业格局和趋势 1、MCU 行业 根据IC Insights的报道，预计MCU市场销售额在2021年将增长5％至157亿美元，2022年将增长8％，2023年将增长11％至188亿美元；预计2021年MCU的出货量将反弹6％至249亿颗，2022年将增长8％，2023年将增长10％。届时全球MCU交付量预计将突破296亿颗的新纪录。 随着对精度要求的不断提高，32位MCU市场迅速扩大。在嵌入式系统中，传感器及其他许多设备都开始连接入互联网，于是诞生了许多新的32位MCU设计来支持无线连接和互联网协议通信。与此同时，越来越多的32位MCU被广泛应用于消费品和工业设备中，而其成本几乎相当于原来消费电子中的8位和16位MCU。

集成电路的设计方法探讨

集成电路的设计方法探讨 摘要：21世纪，信息化社会到来，时代的进步和发展离不开电子产品的不断进步，微电子技术对于各行各业的发展起到了极大的推进作用。集成电路（integratedcircuit，IC）是一种重要的微型电子器件，在包括数码产品、互联网、交通等领域都有广泛的应用。介绍集成电路的发展背景和研究方向，并基于此初步探讨集成电路的设计方法。 关键词集成电路设计方法 1集成电路的基本概念 集成电路是将各种微电子原件如晶体管、二极管等组装在半导体晶体或介质基片上，然后封装在一个管壳内，使之具备特定的电路功能。集成电路的组成分类：划分集成电路种类的方法有很多，目前最常规的分类方法是依据电路的种类，分成模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路。模拟信号有收音机的音频信号，模拟集成电路就是产生、放大并处理这类信号。与之相类似的，数字集成电路就是产生、放大和处理各种数字信号，例如DVD重放的音视频信号。此外，集成电路还可以按导电类型（双极型集成电路和单极型集成电路）分类；按照应用领域（标准通用集成电路和专用集成电路）分类。集成电路的功能作用：集成电路具有微型化、低能耗、寿命长等特点。主要优势在于：集成电路的体积和质量小；将各种元器件集中在一起不仅减少了外界电信号的干扰，而且提高了运行

速度和产品性能；应用方便，现在已经有各种功能的集成电路。基于这些优异的特性，集成电路已经广泛运用在智能手机、电视机、电脑等数码产品，还有军事、通讯、模拟系统等众多领域。 2集成电路的发展 集成电路的起源及发展历史：众所周知，微电子技术的开端在1947年晶体管的发明，11年后，世界上第一块集成电路在美国德州仪器公司组装完成，自此之后相关的技术（如结型晶体管、场效应管、注入工艺）不断发展，逐渐形成集成电路产业。美国在这一领域一直处于世界领先地位，代表公司有英特尔公司、仙童公司、德州仪器等大家耳熟能详的企业。集成电路的发展进程：我国集成电路产业诞生于六十年代，当时主要是以计算机和军工配套为目标，发展国防力量。在上世纪90年代，我国就开始大力发展集成电路产业，但由于起步晚、国外的技术垄断以及相关配套产业也比较落后，“中国芯”始终未能达到世界先进水平。现阶段我国工业生产所需的集成电路主要还是依靠进口，从2015年起我国集成电路进口额已经连续三年比原油还多，2017年的集成电路进口额超过7200亿元。因此，在2018年政府工作报告中把推动集成电路产业发展放在了五大突出产业中的首位，并且按照国家十三五规划，我国集成电路产业产值到2020年将会达到一万亿元。中国比较大型的集成电路设计制造公司有台积电、海思、中兴等，目前已在一些技术领域取得了不错的成就。集成电路的发展方向：提到集成电路的发展，就必须要说到摩尔定律：集成度每18个月翻一番。而现今正处在

半导体专业英语词汇

半导体专业词汇 1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷

21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技