半导体CV测量基础

半导体CV测量基础

半导体C-V测量基础

----C-V测量为人们提供了有关器件和材料特征的大量信息

通用测试

电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。

这类测量的基本特征非常适用于各种应用和培训。大学的研究实验室和半导体厂商利用这类测量评测新材料、新工艺、新器件和新电路。C-V测量对于产品和良率增强工程师也是极其重要的，他们负责提高工艺和器件的性能。可靠性工程师利用这类测量评估材料供货，监测工艺参数，分析失效机制。

采用一定的方法、仪器和软件，可以得到多种半导体器件和材料的参数。从评测外延生长的多晶开始，这些信息在整个生产链中都会用到，包括诸如平均掺杂浓度、掺杂分布和载流子寿命等参数。在圆片工艺中，C-V测量可用于分析栅氧厚度、栅氧电荷、游离子（杂质）和界面阱密度。在后续的工艺步骤中也会用到这类测量，例如光刻、刻蚀、清洗、电介质和多晶硅沉积、金属化等。当在圆片上完全制造出器件之后，在可靠性和基本器件测试过程中可以利用C-V测量对阈值电压和其他一些参数进行特征分析，对器件性能进行建模。

半导体电容的物理特性

MOSCAP结构是在半导体制造过程中形成的一种基本器件结构（如图1所示）。尽管这类器件可以用于真实电路中，但是人们通常将其作为一种测试结构集成在制造工艺中。由于这种结构比较简单而且制造过程容易控制，因此它们是评测底层工艺的一种方便的方法。

金属

二氧化硅电容计（交流信号）

P型

图1. P型衬底上形成的MOSCAP结构的C-V测量电路

图1中的金属/多晶层是电容的一极，二氧化硅是绝缘层。由于绝缘层下面的衬底是一种半导体材料，因此它本身并不是电容的另一极。实际上，其中的多数载流子是电容的另一极。物理上而言，电容C可以通过下列公式中的变量计算出来：

C = A (κ/d), 其中

A是电容的面积，

κ是绝缘体的介电常数

d是两极的间距

因此，A 和κ越大，绝缘体厚度越薄，电容值就越高。通常而言，半导体电容的大小范围从几纳法到几皮法，甚至更小。

进行C-V测量时要在电容的两极加载直流偏压同时利用一个交流信号进行测量（如图1所示）。通常情况下，这类测量使用的交流频率范围从10kHz到10MHz。所加载的偏压作为直流电压扫描驱动MOSCAP结构从累积区进入耗尽区，然后进入反型区（如图2所示）。

图2. C-V测试中获得的MOSCAP结构的直流偏压扫描

强大的直流偏压导致衬底中的多数载流子在绝缘层界面附近累积。由于它们无法穿透绝缘层，因此当电荷积累在界面附近（即d为最小值）时电容在累积区达到最大值。如图1所示。从C-V累积测量可以得到的一个基本参数就是二氧化硅的厚度tox。

当偏压降低时，多数载流子从氧化层界面被排斥开，耗尽区形成。当偏压反相时，电荷载流子远离氧化层达到最大距离，电容达到最小值（即d为最大值）。根据这时的反型区电容，可以推算出多数载流子的数量。这一基本原理同样适用于MOSFET晶体管，只是它们的物理结构和掺杂更加复杂。

在偏压扫过这三个区的过程中还可以得到多种其他参数，如图2所示。利用不同的交流信号频率可以得到其他细节信息。低频可以揭示所谓

的准静态特征，而高频测试则可以表现出动态性能。这两类C-V测试通常都是需要的。

基本测试配置

图3给出了基本C-V测量配置的框图。由于C-V测量实际上是在交流频率下进行的，因此待测器件（DUT）的电容可以根据下列公式计算得到：

CDUT = IDUT / 2πfVac，其中

IDUT是流过DUT的交流电流幅值，

f是测试频率，

Vac是测得的交流电压的幅值和相角。

换而言之，这种测试通过加载交流电压然后测量产生的交流电流、交流电压和它们之间的阻抗相角，最终测出DUT的交流阻抗。

交流源

交流伏特计

DUT电流

交流安培计

图3. C-V测量的基本测试配置

这些测量考虑了与电容相关的串联与并联电阻，以及耗散因子（漏流）。图4给出了这类测量可以测出的主要电路变量。

z, theta：阻抗与相角

R+jX：电阻与电抗

Cp-Gp：并联电容与电导

Cs-Rs：串联电容与电阻

其中：Z=阻抗

D=耗散因子

θ=相角

R=电阻

X=电抗

G=电导

图4. C-V测量得到的主要电气变量

成功C-V测量的挑战

C-V测试配置的框图虽然看上去非常简单，但是这种测试却具有一定的挑战。一般而言，测试人员在下面几个方面会遇到麻烦：? 低电容测量（皮法和更小的值）

? C-V测试仪器与圆片器件的连接

? 漏电容（高D）的测量

? 利用硬件和软件采集数据

? 参数提取

克服这些挑战需要仔细注意所用的技术以及合适的硬件和软件。

低电容测量。如果C较小，那么DUT的交流响应电流就较低，难以测量。但是，在较高的频率下，DUT阻抗将减小，从而电流会增大，比较容易测量。半导体电容通常非常低（低于1pF），低于很多LCR表的测量范围。即使那些声称能够测量这些小电容值的测试仪可能也会由于说明书晦涩难懂而很难判断最终的测量精度。如果无法明确给出测试仪整个量程的精度，那么用户需要因此而咨询制造商。

高D（漏）电容。半导体电容除了C值较低之外，还具有泄漏的特点。当与电容并联的等价电阻太低时就会出现这种情况。这会导致电阻性阻抗超过电容性阻抗，C值被噪声所淹没。对于具有超薄栅氧层的器件，D的值可能大于5。一般而言，随着D的增大，电容测量的精度迅速下降，因此高D是实际使用电容计的一个限制因素。同样，较高的频率有助于解决这一问题。在较高的频率下，电容性阻抗较低，使得电容电流较高，更容易进行测量。

C-V测量的互连。大多数测试环境下，DUT都是圆片上的一个测试结构：它通过探测器、探针卡适配器和开关矩阵连接C-V测试仪。即使没有开关，仍然也会使用探测器和大量的连线。在较高的频率下，必须采用特殊的校正和补偿技术。通常情况下，这是通过组合使用开路、短路或者校准器件来实现的。由于硬件、布线和补偿技术非常复杂，因此经常与C-V测试应用工程师进行交流是一个好的办法。他们擅长使用各种探测系统，克服各种互连问题。

获取有用的数据。除了上述的精度问题，C-V数据采集中实际需要考虑的因素包括测试变量的仪器量程，参数提取软件的多功能性和硬件的易用性。一般而言，C-V测试已仅限于约30V和10mA直流偏压。但是，很多应用，例如LD MOS结构的特征分析、低k夹层电介质、MEMS器件、有机TFT显示器和光电二极管，需要在较高的电压或电流下进行测试。对于这些应用，需要单独的高压直流电源和电容计；高达400V的差分直流偏压（0到±400V）和高达300mA的电流输出是非常有用的。在C-V测试仪的HI和LO端加载差分直流偏压能够更灵活地控制DUT内的电场，这对于新型器件的研究和建模是非常有用的，例如纳米级元件。

仪用软件应该包括无需用户编程可直接使用的测试例程。这些应该适用于大多数广泛使用的器件工艺和测试技术，即本文前三段中提及的有关内容。有些研究者可能会对一些不常见的测试感兴趣，例如对MIM（金属-绝缘体-金属）型电容进行C-V和C-f扫描，测量圆片上的互连小电容，或者对双端纳米器件进行C-V扫描。利用自动绘图功能能够方便的实现参数提取（例如，如图5所示）。

图5. 利用吉时利4200-SCS进行参数提取的实例表现了半导体的掺杂特征（左边的蓝线），它与1/C2 与Vg的关系呈倒数关系（红线）。右图给出了掺杂分布，即每立方厘米的载流子数与衬底深度的函数关系。

通常，人们都希望工程技术人员和研究人员在几乎没有任何仪器使用经验或培训的情况下就能够进行C-V测量。具有直观用户界面和简单易用特征的测试系统使得这一点成为现实。其中包括简单的测试配置、序列控制和数据分析。否则，用户在掌握系统方面就要比采集和使用数据花费更多的时间。对测试系统其它考虑因素包括：

? 紧密集成的源-测量单元、数字示波器和C-V表

? 方便集成其他外部仪器

? 基于探针的高分辨率和高精度测量（直流偏压低至毫伏级，电容测量低至飞法级）

? 测试配置和库易于修改

? 提供检测/故障诊断工具帮助用户确定系统是否正常工作

作者简介

Lee Stauffer是位于美国俄亥俄州克里夫兰市的吉时利仪器公司的高级市场经理，负责面向半导体制造和研究市场的研发和支持产品。他接受过电子工程和半导体器件物理专业的正规教育，在半导体工艺和产品工程、器件特征分析和仪器设计领域具有20年的丰富经验。他的联系电话为440-248-0400，电子邮箱为lstauffer@https://www.sodocs.net/doc/aa8360896.html,。

沉降观测规范

沉降观测 1 一般规定 1.1 建筑沉降观测可根据需要，分别或组合测定建筑场地沉降、基坑回弹、地基土分层沉降以及基础和上部结构沉降。对于深基础建筑或高层、超高层建筑，沉降观测应从基础施工时开始。 1.2 各类沉降观测的级别和精度要求，应视工程的规模、性质及沉降量的大小速度确定。 1.3 布置沉降观测点时，应结合建筑结构、形状和场地工程地质条件，并应顾及施工和建成后的使用方便。同时，点位应易于保存，标志应稳固美观。 1.4 各类沉降观测应根据剧本规范第9.1节的规定及时提交相应的阶段性成果和综合成果。 2 建筑场地沉降观测 2.1 建筑场地沉降观测应分别测定建筑相邻影响范围之内的相邻地基沉降与建筑相邻影响范围之外的场地地面沉降。 2.2 建筑场地沉降点位的选择应符合下列规定： 1 相邻地基沉降观测点可选在建筑纵横轴线或边线的延长线上，亦可选在通过建筑重心的轴线延长线上。其点位间距应视基础类型、荷载大小及地质条件，与设计人员共同确定或征求设计人员意见后确定。点位可在建筑基础深度1.5~2.0倍的距离范围内，由墙外向外由密到疏布设，但距基础最远的观测点应设置在沉降量为零的沉降临界点以外； 2 场地地面沉降观测点应在相邻地基沉降观测点布设线路之外的地面上均匀布设。根据地质地形条件，可选择使用平行轴线方格网法、沿建筑物四角辐射网法或散点法布设。

2.3 建筑场地沉降点标志的类型及埋设应符合下列规定： 1 相邻地基沉降观测点标志可分为用于监测安全的浅埋标和用于结合科研的深埋标两种。浅埋标可采用普通水准标石或用于直径25cm的水泥管现场浇灌，埋深宜为1~2m，并使标石底部埋在冰冻线以下。深埋标可采用内管外加保护管的标石形式，埋深应与建筑基础深度相适应，标石顶部须埋入地面下20~30cm，并砌筑带盖的窨井加以保护； 2 场地地面沉降观测点的标志与埋设，应根据观测要求确定，可采用浅埋标志。 2.4 建筑场地沉降观测的路线布设、观测精度及其他技术要求可按照本规范第5.5节的有关规定执行。 2.5 建筑场地沉降观测的周期，应根据不同任务要求、产生沉降的不同情况以及沉降速度等因素具体分析确定，并符合下列规定： 1 基础施工的相邻地基沉降观测，在基坑降水时和基坑土开挖过程中应每天观测一次。混凝土地板浇完10d以后，可每2~3d观测一次，直至地下室顶板完工和水位恢复。此后可每周观测一次至回填土完工； 2 主体施工的相邻地基沉降观测和场地地面沉降观测的周期可按照本规范第5.5节的有关规定确定。 2.6 建筑场地沉降观测应提交下列图表： 1 场地沉降观测点平面布置图； 2 场地沉降观测成果表； 3 相邻地基沉降的距离-沉降曲线图； 4 场地地面等沉降曲线图。

个人简历制作的基本原则

个人简历制作的基本原则 在个人简历中优秀的、有内涵的简历内容，首先要做到的就是个人简历言之有物，要 有一定的核心。而求职意向就是个人简历的的核心，在编写个人简历的时候，必须要有针 对的写，才能让个人简历具有一定的中心性。所谓的求职意向简单来说也就是求职的目标，是写个人简历时所需要针对的。 1、简历内容要规范 个人简历没有统一的格式、基本资料不全、字体字号混乱、错字连篇、在照片栏中粘 贴自己的搞笑大头贴……这样一塌糊涂的简历，相信没有一个招聘单位会欢迎。 简历不规范，会让招聘单位怀疑你的学历和能力，怀疑你的人品和求职态度、求职热情；简历不规范，人却打扮得神采奕奕，会让招聘单位很难将简历与你的本人联系在一起；简历不规范，会暴露出你粗心的缺点。 温馨提示：简历的内容应包括最基本的姓名、性别、年龄、毕业学校等个人资料，另外，个人主要经历、主要成绩和简单的自我介绍也不可少。彩色个人艺术照、长篇大论及 过于花哨的格式是绝对不应该有的。 2、简历制作要朴素大方 有不在少数的人认为，将自己的简历制作得豪华耀眼会更容易获得应聘机会和成功， 其实完全没有必要。 刻意使用高级纸张，使用富丽堂皇的印刷效果，将简历制作得像高级请柬或菜单，制 作豪华简历，说明你注重做表面文章、奢侈浪费，招聘方容易认为你华而不实。如果招聘 单位恰好特别崇尚朴素，你的豪华简历无异于向对方提出批评和挑衅。 温馨提示：制作简历不宜使用豪华纸张，不宜烫金、压膜，不宜制作成相册式封面。 3、简历内容要详略得当 有的人简历真称得上"简":一张让人感觉不到分量的薄纸，上面的材料少得只相当于 名片，这种简历是绝对不合格的！ 简历太简单，一方面说明你对自己不够负责、不够自信、不注重自己的形象、不注重 细节、对自己要求过低，另一方面说明你对应聘单位不够负责，不够诚实，不肯向对方透 露足够详实的个人信息。过于简单的简历还说明你对自己所应聘的职位采取的是无所谓的 态度，让人误以为你对自己选择的职业不尊重、不信任。 温馨提示：简历不应只包含基本资料，不能字数太少，用纸不能太薄、太次。

半导体材料课程教学大纲

半导体材料课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称：半导体材料 所属专业：微电子科学与工程 课程性质：专业限选 学分： 3 （二）课程简介：本课程重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性，介绍第三代半导体材料氮化镓、碳化硅及其他半导体材料的性质及制备方法。 目标与任务：使学生掌握主要半导体材料的性质以及制备方法，了解半导体材料最新发展情况、为将来从事半导体材料科学、半导体器件制备等打下基础。 （三）先修课程要求：《固体物理学》、《半导体物理学》、《热力学统计物理》； 本课程中介绍半导体材料性质方面需要《固体物理学》、《半导体物理学》中晶体结构、能带理论等章节作为基础。同时介绍材料生长方面知识时需要《热力学统计物理》中关于自由能等方面的知识。 （四）教材：杨树人《半导体材料》 主要参考书：褚君浩、张玉龙《半导体材料技术》 陆大成《金属有机化合物气相外延基础及应用》 二、课程内容与安排 第一章半导体材料概述 第一节半导体材料发展历程 第二节半导体材料分类 第三节半导体材料制备方法综述 第二章硅和锗的制备 第一节硅和锗的物理化学性质 第二节高纯硅的制备 第三节锗的富集与提纯

第三章区熔提纯 第一节分凝现象与分凝系数 第二节区熔原理 第三节锗的区熔提纯 第四章晶体生长 第一节晶体生长理论基础 第二节熔体的晶体生长 第三节硅、锗单晶生长 第五章硅、锗晶体中的杂质和缺陷 第一节硅、锗晶体中杂质的性质 第二节硅、锗晶体的掺杂 第三节硅、锗单晶的位错 第四节硅单晶中的微缺陷 第六章硅外延生长 第一节硅的气相外延生长 第二节硅外延生长的缺陷及电阻率控制 第三节硅的异质外延 第七章化合物半导体的外延生长 第一节气相外延生长（VPE） 第二节金属有机物化学气相外延生长（MOCVD） 第三节分子束外延生长（MBE） 第四节其他外延生长技术 第八章化合物半导体材料（一）：第二代半导体材料 第一节 GaAs、InP等III-V族化合物半导体材料的特性第二节 GaAs单晶的制备及应用 第三节 GaAs单晶中杂质控制及掺杂 第四节 InP、GaP等的制备及应用 第九章化合物半导体材料（二）：第三代半导体材料 第一节氮化物半导体材料特性及应用 第二节氮化物半导体材料的外延生长 第三节碳化硅材料的特性及应用 第十章其他半导体材料

实验讲义-半导体材料吸收光谱测试分析2015

半导体材料吸收光谱测试分析 一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。 二、实验仪器及材料 紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯，玻璃基ZnO薄膜。 三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm。 b．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件 色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距； 光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c．吸收池：玻璃——能吸收UV光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。 要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。 紫外可见分光光度计的工作流程如下： 0.575 光源单色器吸收池检测器显示双光束紫外可见分光光度计则为： 双光束紫外可见分光光度计的光路图如下：

(2)光吸收定律 单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： x x e I I?- =α d t e I I?- =α 0(1) I0：入射光强；I x：透过厚度x的光强；I t：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 透射率T为： d e I I T?- = =α t (2) 则 d e T d? = =?α α ln ) /1 ln( 透射光I t

《实用管理基础》形成性考核参考答案

《实用管理基础〉形成性考核册作业参考答案 《实用管理基础》作业一 案例一深深浅浅话海尔问题： 1、海尔的企业文化是完美无缺的吗？ 2、海尔创建了一套完整的中国企业文化，它为推动海尔走向世界在企业员工中起了导向作用、激励作用和凝聚作用。在七个层次的海尔文化中哪一层次是最关键、最重要的？ 3、联系海尔实际谈谈你对企业文化的理解。 分析提示： 1、不存在完美无缺的企业文化，只有较适合企业情况的文化。海尔的文化适应了海而发展的需要，得以体现。如须进行改进的话，还须创造一个给员工更多发展空间的环境和机会，激励员工为企业发展做更多的奉献。 2、企业文化是一种共同认同的价值观。海尔文化能够得以淋漓尽致的体现，表明它是企业员工的一种共识。 3、企业文化最关键的层次是精神文化，它体现了企业精神和大家认同的价值观，海尔文化也不例外。（参阅第二章内容）案例二拟订可考核的目标问题： 1、当他们没有得到集团公司总裁的目标时，分公司总经理能够拟订可考核的目标吗？怎样制定？这些目标会得到下属的认可吗？ 2、对于分公司来说，要制定可行的目标，需要集团公司提供什么信息和帮助？ 3、这位分公司总经理设置目标的方法是否是最佳方法？你会怎样做？ 分析提示： 1、我认为可以。因为目标的层次是相对而言的。如果集团的总目标和总战略在这一发展时期是既定的，那么分公司的总经理完全可以根据这个战略目标来制定自身的可以考核的目标。当然，这是分公司这一层级的目标体系，根据目标管理的特点，突出目标制定过程的参与性，使所制定的目标既可以分解和执行，又具有操作的依据。这样，员工当然会认可分公司的目标。 2、需要集团公司提供战略目标和战略方向以及相关的市场信息与政策。分公司在具体制订可行性目标时可以依据集团的总体规划和战略方向，结合自身的特点，使可行性目标更具操作性和务实性。 3、这位分公司的总经理太过于鲁莽，对制定目标的程序和过程欠考虑，他所提出的这些计划数字是否可行不得而知。如果我是这位分公司的总经理，首先要做的一件事是市场调查与预测，然后分析公司自身的状况，有哪些优势和劣势，资源情况如何，面临的市场情况如何；其次要考虑总公司的战略目标，以此为总体依据；最后制订可行性目标。（参阅第四章内容） 《实用管理基础》作业二 著名管理学家彼得?德鲁克认为，企业目标唯一有效的定义就是“创造顾客”。这个观点一针见血地指出“创造顾客”的重要性。如果企业一味地“创造利润”，而不注重顾客这一关系企业生存发展的关键因素，那么这样的企业可能会风光一时，但到头来仍难逃失败的命运。现在企业中由于企业制度的变迁，人们更为注意在企业发展中寻求长期稳定的利润。于是一些学者对传统的利润最大化理论进行一定的修正，并提出，企业要以“适当利润”作为企业的目标，即追求同行业的合理利润率。还有学者提出，“满意利润”是企业的追求，即企业在追求利润最大化的过程中由于各种内外因素的限制，人们只能得到所谓的“满

建筑物沉降观测规范

建筑物沉降观测规范 首先我们先了解建筑物沉降观测的相关内容： 沉降观测即根据建筑物设置的观测点与固定（永久性水准点）的测点进行观测，测其沉降程度用数据表达，凡三层以上建筑、构筑物设计要求设置观测点，人工、土地基（砂基础）等，均应设置沉陷观测，施工中应按期或按层进度进行观测和记录直至竣工。随着工业与民用建筑业的发展，各种复杂而大型的工程建筑物日益增多，工程建筑物的兴建，改变了地面原有的状态，并且对于建筑物的地基施加了一定的压力，这就必然会引起地基及周围地层的变形。为了保证建（构）筑物的正常使用寿命和建（构）筑物的安全性，并为以后的勘察设计施工提供可靠的资料及相应的沉降参数，建（构）筑物沉降观测的必要性和重要性愈加明显。现行规范也规定，高层建筑物、高耸构筑物、重要古建筑物及连续生产设施基础、动力设备基础、滑坡监测等均要进行沉降观测。特别在高层建筑物施工过程中，应用沉降观测加强过程监控，指导合理的施工工序，预防在施工过程中出现不均匀沉降，及时反馈信息，为勘察设计施工部门提供详尽的一手资料，避免因沉降原因造成建筑物主体结构的破坏或产生影响结构使用功能的裂缝，造成巨大的经济损失。 建筑物沉降观测规范对于沉降的基本要求： 5.1.1各类沉降观测的等级和精度要求，应视工程的规模、性质及沉降量的大小及速度进行设计而确定。同一测区或同一建筑物随着沉降量

和速度的变化，可以采用不同的观测精度。 5.1.2布置和埋设沉降观测点（变形点）时，应考虑观测方便、易于保存、稳固和美观。 5.1.3沉降观测宜采用几何水准测量方法，也可采用静力水准测量方法。 5.1.4观测记录和成果应清晰完整、准确无误，并符合本规程9.1节的规定。每一周期观测完后，可提供周期或阶段性成果。整个工程结束后，应提供综合性成果资料。 5.1.5对于深基础建筑或高层、超高层建筑，沉降观测应从基础施工开始，以获取基础和主体荷载的全部沉降量（该建筑的总沉降量）。 5.5建筑物沉降观测 5.5.1建筑物沉降观测应测定建筑物及地基的沉降量、沉降差及沉降速度并计算基础倾斜、局部倾斜、相对弯曲及构件倾斜。 5.5.2沉降观测点的布设应能全面反映建筑物及地基变形特征，并顾及地质情况及建筑结构特点。点位宜选设在下列位置： 1建筑物的四角、大转角处及沿外墙每10～15m处或每隔2～3根柱基上。 2高低层建筑物、新旧建筑物、纵横墙等交接处的两侧。 3建筑物裂缝和沉降缝两侧、基础埋深相差悬殊处、人工地基与天然地基接壤处、不同结构的分界处及填挖方分界处。 4宽度大于等于15m或小于15m而地质复杂以及膨胀土地区的建筑物，在承重内隔墙中部设内墙点，在室内地面中心及四周设地面点。

简历制作的六个基本标准

简历制作的六个基本标准 以下是关于简历制作的六个基本标准，希望内容对您有帮助，感谢您得阅读。 1、内容简、短、精湛（过长的简历毫无作用） 招聘公司每天都有大量的投递简历，而招聘者平均在每份简历上花费1．4分钟，一般只会阅读1页半材料。过长的简历不容易突出重点。在简历后附上一大堆证明材料的做法并不会给你怎加面试机会的，一般在初试通过后招聘公司才要求提供。 2、多种投递方式带来双保障 现在网络技术比较发达，求职者喜欢用电子邮件的方式发送邮件，但有的招聘公司还是偏向于传统的邮递方式，这里建议您通过多种方式投递。 3、硬性指标要过硬 有一些公司的雇主会通过助理来处理受到的简历，而这些人员会有一些硬性的选择标准。还有一些公司在初试时，也基本看这些硬性指标。如六级英语证书、户口、专业背景、学校名声、在校成绩值得注意的是：这些标准不一定会在招聘要求中注明,但自己心里一定要有数,相关的信息一定要全。 4、外企重视英语和学校 ·

中国的公司和外资企业的关注点有一定区别。总的来讲，外企更重视英语和学校名声，中国公司看重专业和户口。越是热门的公司，其往往对在校成绩更关注。建议学生制作不同的简历来突出不同的要点。 5、总体印象重要所学课程次要 只有23%的人能在半小时后大体描述它所看过的简历上学生具体活动和职位。他们只有一个对学生性格的总体印象。所以：是学生会副主席还是部长并不重要，关键是你不要给人留下一个书呆子的印象。但如果说谎，也容易出局。 很多简历上会列出自己的学习课程，只有4％的公司会仔细阅读。专家建议：你可以列出，但必须是重要的，而且不要超过一行。 6、简历表达好增加录取机会 同一个人的简历，经过专家修改，可以增加43％的录取机会。简历的常见问题是：表达不简洁，用词带过多感情色彩，英语表达不规范，过长无重心，格式不规范等。 ·

沉降观测基本要求

沉降观测基本要求 沉降观测 在建筑物的施工、竣工验收以及竣工后的监测等过程中，具有安全预报、科学评价及检验施工质量等的职能。通过现场监测数据的反馈信息，可以对施工过程等问题起到预报作用，及时做出较合理的技术决策和现场的应变决定。 一、沉降观测的对象 沉降观测的对象包括：地基基础设计等级为甲级的建筑物；复合地基或软弱地基上的设计等级为乙级的建筑物；加层、扩建建筑物；受邻近深基坑开挖施工影响或受地下地下水等环境因素变化影响的建筑物；及需要积累建筑经验或进行设计反分析的工程。 二、沉降观测点的布设 沉降观测点应布设在能全面反映建筑物地基变形特征的点位，一般布设在建筑物的四角、在转角及沿外墙每10~15米处；高低层建筑物、新旧建筑物、不同地质条件、不同荷载分布、不同基础类型、不同基础埋深、不同上部结构、沉降缝和建筑物裂缝处的两侧；建筑物宽度大于或等于15米，或宽度小于15米但地质条件复杂的建筑物的内纵墙处，以及框架、框剪、框筒、筒中筒结构体系的楼、电梯井和中心筒处；筏基、箱基的四角和中部位置处；多层砌体房屋纵墙间距6~10米横墙对应墙端处；框架结构可能产生较大不均匀沉降的相邻柱基处；高层建筑横向和纵向两个方向对应尽端处。各种构筑物沿四周或基础轴线的对称位置上布点，数量不少于4

个测点。观测基准点应设在基坑工程影响范围以外，一般不小于30~50米且数量不应少于两个。 观测点的布设是沉降观测工作中一个很重要的环节，它直接影响观测数据能否真实地反映出建筑物的整体沉降趋势及局部沉降特点。 三、沉降变形监测的精度要求 沉降观测的测量精度等级采用Ⅱ级水准测量。视线长度宜为20~30米，视线高度不宜低于0.5米，宜采用闭合法消除误差。 四、观测周期 建（构）筑物的沉降观测对时间有严格的限制条件，特别是首次观测必须按时进行，否则整个观测得不到完整的观测意义。施工期间一般在基础或地下室完成后开始观测，每完成一层观测一次，沉降速度≥2.0mm/d 应减缓加载速度并增加观测次数；如施工过程暂停，则在停工及重新开工时应各测一次，停工期间2~3个月测一次；竣工后第一年测四次（其中第一次宜在竣工后二个月时），第二年测2~3次，以后每年一次直到稳定。各个阶段的复测必须定时进行，不得漏测或补测，只有这样才能得到准确的沉降情况或规律。 五、稳定标准 稳定标准应由沉降量与时间关系曲线判定，对重点观测和科研观测工程，或最后三次观测中每次沉降量均不大于2n倍测量中误差，则认为已进入稳定阶段。 二、三级多层建筑以0.04mm/d，高层和一级建筑以0.01mm/d为稳定标准。若施工过程中沉降大于2.0mm/d则应采取有效措施。

(完整版)简历制作的五个要点

简历制作的五个要点 十秒钟原则 一般情况下，简历的长度以一张a4纸为限；简历越长，被认真阅读的可能性越小。高级人才在某些时候可以准备2页以上的简历，但是也需要在简历的开头部分有简洁清楚的资历概述，以方便阅读者在较短时间内掌握基本情况，产生进一步仔细阅读的愿望。当你的简历写完以后，权衡一下，是不是能够在十秒钟内看完所有你认为重要的内容呢？ 清晰原则 清晰的目的就是要便于阅读。就象是制作一份平面广告作品一样，简历排版时需要综合考虑字体大小、行和段的间距、重点内容的突出等因素。很多简历采用表格的形式，西博认为有所不妥。 针对性原则 如果对于不同的行业、不同的公司和不同的职位，您提交的都是同样的简历，那么这样的简历所欠缺的就是针对性。请想一想，如果一个姑娘收到一封她感觉好像跟自己没有太大关系的情书，您认为她还会认真考虑吗？如果a公司要求你具备相关行业经验和良好的销售业绩，您在简历中清楚地陈述了有关的经历和事实并且把它们放在比较突出的位置，这就是针对性；如果b公司要求你具备良好的英语口语能力，您在简历中描述了自己做过业余涉外商务翻译的经历，这就是针对性；如果c公司明确要求应聘者具备成都市五城区户口，您在简历中说明自己是成都市锦江区居民，这就是针对性。不仅仅是简历，在写求职信、跟进信以及感谢信的时候，针对性都是十分重要的原则。 客观性原则 “我是个工作严谨而且认真负责的人，在过去的工作经历中我有着十分出色的工作表现”。在许多人的简历中常常可以看到类似的句子。或许您说的没错，但理智的人事经理们没有理由要相信您的主观表白。 所以，简历上应该提供客观的可以证明或者佐证您的资历、能力的事实、数据。比如，“2001年因销售业绩排名第一获得公司嘉奖”，或者“因为在某某促销活动中表现出良好的协调组织能力而获得主管经理赞扬”。后一个例子虽然客观性也有欠缺，但毕竟是别人赞扬的啊。为了尽可能地客观，您的简历甚至要避免使用第一人称--“我”。 真实性原则 不要试图编造工作经历或者业绩，谎言不会让你走得太远。多数的谎言在面试过程中就会被识破，更何况许多大公司（特别是外企）在提供offer前会根据简历和相关资料进行背景调查。但是真实性并非就是要把我们的缺点和遗憾和盘托出，西博认为适当的隐讳甚至采用一些文字、排版方便的小技巧还是十分必要的，毕竟我们需要在下一份工作中不断完善自己。

高层建筑沉降观测基本要求

高层建筑沉降观测基本要求 1．仪器设备的要求 根据沉降观测精度要求高的特点，为能精确地反映出建构筑物在不断加荷作下的沉降情况，一般规定测量的误差应小于变形值的1/10～1/20，为此要求沉降观测应使用精密水准仪(S1 或S05 级)，水准尺也应使用受环境及温差变化影响小的高精度铟合金水准尺。在不具备铟合金水准尺的情况下，使用一般塔尺尽量使用第一段标尺。 2．观测时间的要求 建筑物构筑物的沉降观测对时间有严格的限制条件，特别是首次观测必须按时进行，否则沉降观测得不到原始数据，致使整个观测得不到完整的观测意义。其他各阶段的复测，根据工程进展情况必须定时进行，不得漏测或补测。只有这样，才能得到准确的沉降情况或规律。相邻的两次时间间隔称为一个观测周期，一般高层建筑物的沉降观测按一定的时间段为一观测周期(次/30d)或按建筑物的加荷情况每升高3 层为一观测周期，沉降观测必须定期准时进行。 3．观测点的要求 为了能够反映出建构筑物的准确沉降情况，沉降观测点要埋设在最能反映沉降特征且便于观测的位置。一般要求建筑物上设置的沉降观测点纵横向要对称，且相邻点之间间距以15～30m 为宜，均匀地分布在建筑物的周围。 通常情况下，建筑物设计图纸上有专门的沉降观测点布置图。另外，埋设的沉降观测点要符合各施工阶段的观测要求，特别要考虑到装饰装修阶段因墙或柱饰面施工而破坏或掩盖住观测点，致使不能连续观测而失去观测意义。 4．沉降观测的自始至终要遵循“五定”原则 所谓“五定”，即通常所说的沉降观测依据的基准点、工作基点和被观测物上的沉降观测点，点位要稳定；所用仪器、设备要稳定；观测人员要稳定；观测时的环境条件基本一致；观测路线、镜位、程序和方法要固定。以上措施在客观上尽量减少观测误差的不确定性，使所测的结果具有统一的趋向性，保证各次复测结果与首次观测的结果可比性更一致，使所观测的沉降量更真实。 5．施测要求 仪器、设备的操作方法与观测程序要熟悉、正确。在首次观测前要对所用仪器的各项指标进行检测校正，必要时经计量单位予以鉴定。连续使用3～6 个月重新对所用仪器、设备进行检校。在观测过程中，操作人员要相互配合，工作协调一致，认真仔细，做到步步

半导体材料

半导体材料 应用物理1001 20102444 周辉 半导体材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度 范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降。由化合物构成的半导 体材料，通常是指无机化合物半导体材料。比起元素半导体材料来它的品种更多， 应用面更广。 半导体材料结构特征主要表现在化学键上。因为化合物至少由两个元素构 成，由于它们彼此间的原子结构不同，价电子必然向其中一种元素靠近，而远离 另一种元素，这样在共价键中就有了离子性。这种离子性会影响到材料的熔点、 带隙宽度、迁移率、晶体结构等。 化合物半导体的组成规律一般服从元素周期表排列的法则。对已知的化合物 半导体材料，其组成元素在同一族内垂直变换，其结果是随着元素的金属性增大 而其带隙变小，直到成为导体。反之，随着非金属性增加而其带隙变大，直至成 为绝缘体。 类别按其构成元素的数目可分为二元、三元、四元化合物半导体材料。它 们本身还可按组成元素在元素周期表中的位置分为各族化合物，如Ⅲ—V族，I —Ⅲ—Ⅵ族等。下面介绍二元化合物，其中主要的类别为Ⅲ—v族化合物半导体 材料，Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料，Ⅳ—Ⅳ族化合物半导体材料。 Ⅳ—Ⅵ族化合物半导体材料。已发现具有半导体性质的有格式，GeSe，GeTe， SnO ，SnS，SnSe，SnTe，Pb0，PbS，PbSe，PbTe，其中PbO，PbS，PbSe，PbTe 2 已获重要用途。

V—Ⅵ族化合物半导体材料。已发现具有半导体性质的有Bi 2O 3 ，Bi 2 S 3 ，Bi 2 Se 3 ， Bi 2Te 3 ，Sb 2 O 3 ，Sb 2 S 3 ，Sb 2 Te 3 、As 2 O 3 ，As 2 S 3 ，其中Bi 2 Te 3 ，Bi 2 Se 3 等已获实际应用。 I—Ⅵ族化合物具有半导体性质的有Cu 2 O，Cu 2 S，Ag 2 S，Ag 2 Se，Ag 2 Te等，其 中Cu 20，Cu 2 S已获应用。 三元化合物种类较多，如I—Ⅲ—Ⅵ、I—v—Ⅵ、Ⅱ—Ⅲ—Ⅵ、Ⅱ—Ⅳ—V 族等。多数具有闪锌矿、纤锌矿或黄铜矿型晶体结构，黄铜矿型结构的三元化合 物多数具有直接禁带。比较重要的三元化合物半导体有CuInSe 2，AgGaSe 2 ， CuGaSe 2，ZnSiP 2 ，CdSiP 2 ，ZnGeP 2 ，CdGaS 4 ，CdlnS 4 ，ZnlnS 4 和磁性半导体。后者 的结构为AB 2X 4 (A—Mn，Co，Fe，Ni；B—Ga，In；X—S，Se)。 四元化合物研究甚少，已知有Cu 2FeSnS 4 ，Cu 2 FeSnSe 4 ，Cu 2 FeGeS 4 等。 应用化合物及其固溶体的品种繁多，性能各异，给应用扩大了选择。在光电子方面，所有的发光二极管、激光二极管都是用化合物半导体制成的，已获工业应用的有GaAs，GaP，GaAlAs，GaAsP，InGaAsP等。用作光敏元件、光探测器、光调制器的有InAsP，CdS，CdSe，CdTe，GaAs等。一些宽禁带半导体(SiC，ZnSe等)、三元化合物具有光电子应用的潜力。GaAs是制作超高速集成电路的最主要的材料。微波器件的制作是使用GaAs，InP，GaAlAs等；红外器件则用GaAs，GaAlAs，CdTe，HgCdTe，PbSnTe等。太阳电池是使用CdS，CdTe，CulnSe2，GaAs，GaAlAs等。最早的实用“半导体”是「电晶体/ 二极体」。 一、在无线电收音机及电视机中，作为“讯号放大器用。 二、近来发展「太阳能」，也用在「光电池」中。 三、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。 其中在半导体材料中硅材料应用最广,所以一般都用硅材料来集成电路,因为硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于

建筑物沉降观测专项施工方案

目录 一、工程建设概况 1、建筑设计概况 2、结构设计概况 二、编制依据 三、沉降观测的基本要求 1、仪器设备、人员素质的要求 2、观测时间的要求 3、观测点的要求 4、沉降观测自始至终要遵循“五定”原则 5、施测要求 6、沉降观测精度的要求 7、沉降观测成果整理及计算要求 四、具体施测程序及步骤 1、建立水准控制网 2、建立固定的观测路线 3、沉降观测 4、平差计算 5、统计表汇总 6、观测中的注意事项 五、沉降观测方案 1、基准点埋设 2、沉降观测点埋设 3、精密水准测量 4、资料整理与提交 六、控制点的布置及施测 七、各控制点的放样 八、施工时的各项限差和质量保证措施

1、限差要求 2、放样工作按下述要求进行 3、细部放样应遵循下列原则 九、沉降观测技术要点 十、位移观测技术要点 十一、测量复核措施及资料的整理 十二、施工测量工作的组织与管理 1、主要仪器的配备情况 2、施工测量管理人员组成 十三、仪器保养和使用制度 十四、测量管理制度 十五、建筑物沉降变形事故应急救援预案 1、事故类型和危害程度分析 2、应急处置基本原则 3、应急处置 4、救援物资的储备 5、恢复 6、注意事项 7、建筑物沉降事故预防

一、工程建设概况 经开区江南水岸公租房一组团工程位于重庆市南岸区长生桥镇乐天村、桃花店村，茶涪路南侧地块。一组团建筑面积约18.5万㎡，投资额约3.33亿元。 1、建筑设计概况 (1)工程总体概况： 经开区江南水岸公租房一组团工程由8栋33层一类高层住宅、裙房以及地下车库组成。 地面主要有：砼防水地面、细石砼地面、防滑地砖地面、玻化砖地面、地砖地面。 楼地面主要有：细石砼楼面、防滑地砖楼面、架空保温楼面、保温楼面、防水楼面、毛坯楼面、耐磨地坪楼面。 内墙主要有：水泥砂浆抹灰墙面、涂料墙面、水泥砂浆防水墙面、腻子墙面、瓷砖墙面。 外墙主要有：砼防水外墙、涂料墙面、外墙漆墙面、面砖墙面、干挂

实验一 半导体材料的缺陷显示及观察资料讲解

实验一半导体材料的缺陷显示及观察

实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢2

沉降观测验收标准

沉降观测基本要求 沉降观测在建筑物的施工、竣工验收以及竣工后的监测等过程中，具有安全预报、科学评价及检验施工质量等的职能。通过现场监测数据的反馈信息，可以对施工过程等问题起到预报作用，及时做出较合理的技术决策和现场的应变决定。 一、沉降观测的对象 沉降观测的对象包括：地基基础设计等级为甲级的建筑物；复合地基或软弱地基上的设计等级为乙级的建筑物；加层、扩建建筑物；受邻近深基坑开挖施工影响或受地下地下水等环境因素变化影响的建筑物；及需要积累建筑经验或进行设计反分析的工程。 二、沉降观测点的布设 沉降观测点应布设在能全面反映建筑物地基变形特征的点位，一般布设在建筑物的四角、在转角及沿外墙每10~15米处；高低层建筑物、新旧建筑物、不同地质条件、不同荷载分布、不同基础类型、不同基础埋深、不同上部结构、沉降缝和建筑物裂缝处的两侧；建筑物宽度大于或等于15米，或宽度小于15米但地质条件复杂的建筑物的内纵墙处，以及框架、框剪、框筒、筒中筒结构体系的楼、电梯井和中心筒处；筏基、箱基的四角和中部位置处；多层砌体房屋纵墙间距6~10米横墙对应墙端处；框架结构可能产生较大不均匀沉降的相邻柱基处；高层建筑横向和纵向两个方向对应尽端处。各种构筑物沿四周或基础轴线的对称位置上布点，数量不少于4个测点。观测基准点应设在基坑工程影响范围以外，一般不小于30~50米且数量不应少于两个。 观测点的布设是沉降观测工作中一个很重要的环节，它直接影响观测数据能否真实地反映出建筑物的整体沉降趋势及局部沉降特点。 三、沉降变形监测的精度要求沉降观测的测量精度等级采用Ⅱ级水准测量。视线长度宜为20~30米，视线高度不宜低于0.5米，宜采用闭合法消除误差。 四、观测周期建（构）筑物的沉降观测对时间有严格的限制条件，特别是首次观测必须按时进行，否则整个观测得不到完整的观测意义。施工期间一般在基础或地下室完成后开始观测，每完成一层观测一次，沉降速度≥2.0mm/d应减缓加载速度并增加观测次数；如施工过程暂停，则在停工及重新开工时应各测一次，停工期间2~3个月测一次；竣工后第一年测四次（其中第一次宜在竣工后二个月时），第二年测2~3次，以后每年一次直到稳定。各个阶段的复测必须定时进行，不得漏测或补测，只有这样才能得到准确的沉降情况或规律。 五、稳定标准 稳定标准应由沉降量与时间关系曲线判定，对重点观测和科研观测工程，或最后三次观测中每次沉降量均不大于2√2倍测量中误差，则认为已进入稳定阶段。二、三级多层建筑以0.04mm/d，高层和一级建筑以0.01mm/d为稳定标准。若施工过程中沉降大于2.0mm/d则应采取有效措施。 六、验收标准 建筑物竣工验收标准为最后一次观测的沉降速度：二、三级、多层建筑物和低层建筑物平均沉降速度≤0.10mm/d，最大沉降速度≤0.12mm/d（2处），一级、高层建筑物平均沉降速度≤0.06mm/d，最大沉降速度≤0.08mm/d（2处）。

简历制作规范

简历制作 第一次被邀请，很紧张也很开心。认真的说一句：谢邀：） 回到题目，什么叫“高水平的简历”其实我也不好去做定义，我认为能帮助求职者获得面试机会的都是高水平的简历。看了看我之前写过的一篇内容，还算是细节性的东西，索性直接贴上来吧。 这是我曾在10年的时候在人人网上写了一篇关于写简历的文章，当时是小范围内给我的学弟学妹做的指导，有被认可的地方，也有被质疑和批评的地方。 抛砖引玉，欢迎指正。 —————————— 一、我心目中的好简历 其实简历真的是一个人综合素质的体现，一个好的简历背后，必须要有很好的经历。 而这个“很好”不是指你有多优秀，而是多适合。 好简历还需要具备以下几个特点： 1、简洁、明了 一般而言，面试官看一份简历，最多最多不超过一分钟，基本都是扫描一遍，快的大概20秒一份。所以要求简历一定要“精”“简”。“精”指的是你的每一句话，都要尽量体现出你是多么的适合这个职位，“简”指的是简单，不要超过两页，其实对于大多数应届毕业生求职的岗位来说，一页纸足矣。写两页，要么是你太啰嗦什么都写，要么是你在炫耀自己有多优秀而不是多适合。

顺便说一句，如果写两页纸，第二页也要尽量写满，或者至少2/3，最讨厌的就是一页零几行的简历——不仅仅是我最讨厌这样的，大多数面试官都是。 再多说一句，如果你不知道自己写这份简历是要投什么行业什么公司什么职位的话，建议你想想清楚再开始写。——“海投”不是说拿着一份简历去海投。 2、真实 这个不再多说了，简历也好，面试也罢，不要弄虚作假。都信息时代了，一个网站、一个电话，面试官就会对你知根知底的。 3、针对性 简历的目的就是让你通过简历关，获得笔试面试的机会，要增强针对性，一定要仔细琢磨公司招聘职位的要求！根据这个职位要求去配置内容、提炼措辞、调整格式。 这和找女朋友一个道理，女方要求你有房有车要帅，你就告诉她你有房有车还很帅，（在真实性的前提下）而不用告诉他你认识多少朋友、旅游过多少国家。 当然，有些公司招聘的时候，有“不说明的条件”，这就需要你揣摩了——怎么揣摩，只可意会不可言传了。 4、完整、无误 简历虽然是简历，但也有必须要写的东西！有人不写教育经历，还甚至有人不写联系方式，是等着面试官给你回邮件么？ 无误，主要是错别字和数字，什么2108年X月X日——你穿越了吧？

半导体材料能带测试及计算

半导体材料能带测试及计算 对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置. 图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样：

背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试： 用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。

沉降观测规范

沉降观测 1 一般规定 建筑沉降观测可根据需要，分别或组合测定建筑场地沉降、基坑回弹、地基土分层沉降以及基础和上部结构沉降。对于深基础建筑或高层、超高层建筑，沉降观测应从基础施工时开始。 各类沉降观测的级别和精度要求，应视工程的规模、性质及沉降量的大小速度确定。 布置沉降观测点时，应结合建筑结构、形状和场地工程地质条件，并应顾及施工和建成后的使用方便。同时，点位应易于保存，标志应稳固美观。 各类沉降观测应根据剧本规范第节的规定及时提交相应的阶段性成果和综合成果。 2 建筑场地沉降观测 建筑场地沉降观测应分别测定建筑相邻影响范围之内的相邻地基沉降与建筑相邻影响范围之外的场地地面沉降。 建筑场地沉降点位的选择应符合下列规定： 1 相邻地基沉降观测点可选在建筑纵横轴线或边线的延长线上，亦可选在通过建筑重心的轴线延长线上。其点位间距应视基础类型、荷载大小及地质条件，与设计人员共同确定或征求设计人员意见后确定。点位可在建筑基础深度~倍的距离范围内，由墙外向外由密到疏布设，但距基础最远的观测点应设置在沉降量为零的沉降临界点以外； 2 场地地面沉降观测点应在相邻地基沉降观测点布设线路之外的地面

上均匀布设。根据地质地形条件，可选择使用平行轴线方格网法、沿建筑物四角辐射网法或散点法布设。 建筑场地沉降点标志的类型及埋设应符合下列规定： 1 相邻地基沉降观测点标志可分为用于监测安全的浅埋标和用于结合科研的深埋标两种。浅埋标可采用普通水准标石或用于直径25cm的水泥管现场浇灌，埋深宜为1~2m，并使标石底部埋在冰冻线以下。深埋标可采用内管外加保护管的标石形式，埋深应与建筑基础深度相适应，标石顶部须埋入地面下20~30cm，并砌筑带盖的窨井加以保护； 2 场地地面沉降观测点的标志与埋设，应根据观测要求确定，可采用浅埋标志。 建筑场地沉降观测的路线布设、观测精度及其他技术要求可按照本规范第节的有关规定执行。 建筑场地沉降观测的周期，应根据不同任务要求、产生沉降的不同情况以及沉降速度等因素具体分析确定，并符合下列规定： 1 基础施工的相邻地基沉降观测，在基坑降水时和基坑土开挖过程中应每天观测一次。混凝土地板浇完10d以后，可每2~3d观测一次，直至地下室顶板完工和水位恢复。此后可每周观测一次至回填土完工； 2 主体施工的相邻地基沉降观测和场地地面沉降观测的周期可按照本规范第节的有关规定确定。 建筑场地沉降观测应提交下列图表： 1 场地沉降观测点平面布置图； 2 场地沉降观测成果表；

大学生个人简历制作要点

大学生个人简历制作要点 要点1、个人简历应包括的基本内容 求职者应注意简历设计的内容，以方便招聘单位对应聘者有一个大概的了解。基本来说，求职简历应包括以下信息内容：姓名、性别、出生年月、专业、学历层次、主修课程、辅修课程、职业技能、社会实践经历、校内职务、专业特长、性格特点、兴趣爱好、供职 意向、薪酬期望、联系方式等。 要点2、从对方的角度考虑问题 求职者撰写简历的目的，就是让你潜在的雇主或招聘单位了解你，进而聘用你。因此，作为一名求职应征者，应从自己的兴趣志向转向到你未来雇主或招聘单位的立场需求上， 以你的长处来迎合、满足你未来雇主或招聘单位的需要，使他们看到你对他们的价值，即“能为他们做什么?”这就要求在撰写简历时，应针对对方的要求，而不是向他传递你的 兴趣去向，即将从学校毕业的大学生尤其要注意这一点。 要点3、文字简明主题突出 求职者在撰写简历时，切记要重点突出地编写与所申请职位相关的经验与技能。对于 应届毕业生而言，由于没有工作经验，简历的重点应放在学习成绩，以及参加过的课外活动、实习经历上。 如打算应征文秘类工作，则要突出与该类工作相关的所学课程、专业技能以及强调能 胜任该类工作的相关经验。 要点4、措辞得体适度表意 简历属于应用文体，措辞表意有习惯要求，行文时不应违背这些要求，而应力求得体 适度。 简历用词应尽可能精练，应尽可能使用短语表意。以使简历短小精悍，通俗易懂。 行文要让事实说话，避免使用抽象、空洞的措辞，应以客观的态度、具体的事实以及 准确的数据说话，使阅读者不仅了解每句话的字面含义，而且能悟出言外之意，进而了解 求职者所取得的成就及获得成就的能力与专长。 行文应排除那些带有强烈色彩的修饰语，带有个人看法的字眼及强调语，而选用具体、明确的动词性短语、名词性短语和形容词短语。用具体明确的细节表述实情，可使求职者 显得平实、谦虚和自信。行文时既不要用第三人称，也不要用第一人称，最好是省略主语，或使主语隐含于句子之中，使用主语隐化的句子可以避免自夸之嫌，使句子显得活泼，轻快。 要点5、格式恰当篇幅适宜