第7章 存储器 习题与参考答案
第7章存储器习题与参考答案
[题7-1] ROM存储器是如何分类的？解：1．不可写入数据的只读存储器（1）二极管ROM
（2）掩模存储器（MROM，Mask ROM） 2．可写入数据的存储器
（1）一次编程存储器（PROM，Programmable ROM）（2）可擦除存储器（EPROM，Erasable Programmable ROM）（3）电擦除存储器（E2PROM，Electrical Erasable Programmable ROM）（4）快闪存储器（FLASH ROM）
[题7-2] 什么是存储器的字长？什么是存储器的字数？解：每个地址所存数据的位
数为存储器的字长，每个存储器的地址数为存储器的字数。
[题7-3] ROM存储器的地址线、数据线、CE与OE的作用是什么？
解：地址线用于寻找数据地址；数据线用于传输数据；CE为芯片选择信号，低电平有效；OE输出使能控制信号，低电平有效。
[题7-4] 掩模存储器MROM有哪两种主要结构？解：NAND 与NOR结构。
[题7-5] 什么是地址译码器？
解：将地址线转换成存储器地址的译码器。
[题7-6] UVPROM有什么特点？E2PROM有什么特点？
解：UVPROM采用紫外线擦除数据，电方法写入数据；E2PROM采用电方法擦除与写入
数据。
[题7-7] 存储器的地址线与地址数之间什么关系？解：地址线数为N则地址数为2N。
[题7-8] EPROM存储器27256在地址有效后，经过多长时间后数据有效？解：
tACC=90~200ns之间。
[题7-9] E2PROM存储器AT28C64B的软件保护功能有什么作用？
解：软件保护功能用于防止杂乱引脚信号引起的存储器误擦除与写入动作
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[题7-10] 试用74LS160、74LS138、74LS04和二极管ROM矩阵组成一个4彩灯控制电路。各个彩灯（发光二极管）亮灭如表题7-11所示。
表题7-10 彩灯亮灭表
地址 A2 A1 0 0 1 1 0 0 1 1 A0 0 1 0 1 0 1 0 1 D0 0 0 0 1 0 0 0 1 D1 1 0
1 0 1 0 1 0 数据 D
2 1 1 0 1 1 0 0 1 D
3 1 0 1 0 1 0 1 0 0 0 1 0 2 0 3 0
4 1
5 1
6 1
7 1
解：D0=m3+m7
D1=m0+m2+m4+m6 D2=m0+m1+m3+m4+m7 D1=m0+m2+m4+m6 所设计电路图如下：
.+5VR1+5V&1910723456CLRLOADENTENPCLKABCD1514131211+5V123645A0A1A2G1G2AG2BY
0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y715141312111097R2R3R4RCOQAQBQCQDCLK.D0+5V+5V+5VD1D2+5VD3R6R8R10R 12R111R5Q190131R7Q290131R9Q390131Q49013..
[题7-11] 用ROM实现如下逻辑函数（采用74LS138作为地址译码器）
Y（?1A，B，C） 6，7）?m（3，
2
Y（?2A，B，C） 1，4，5，6）?m（0， 3，4）?m（2，..Y（?3A，B，C）Y（?4A，B，C） 3，4，7）?m（2，
Y1Y2.Y3Y4..m0m1m2m3m4m5m6m7123645.A0A1A2G1G2AG2B+5V.Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y71514131211 1097.
[题7-12] 常见随机存储器是如何分类的？解：
1．易失数据的随机存储器
（1）静态随机存储器（SRAM，Static Random Access Memory）
（2）动态随机存储器（DRAM，Dynamic Random Access Memory） 2．非易失数据RAM 存储器（NVRAM，Nonvolatile RAM）（1）SRAM+后备电池（BAKBAT）（2）SRAM+E2PROM
[题7-13] 静态随机存储器与动态随机存储器之间的最大区别是什么？
解：静态随机存储器的存储单元由双稳态触发器构成，只要有电源，所存数据不会丢失；
动态随机存储器的存储单元由电容构成，由于电容放电，所存电荷随时间推移消失，因此经过一段时间后，要重新充电（刷新）。因此即使有电源，如果不刷新，也会丢失数据。
[题7-14] 非易失随机存储器与一般随机存储器的区别是什么？
解：非易失存储器在掉电后不丢失数据，一般存储器掉电后要丢失数据。
[题7-15] 某存储器具有64个地址，每个地址保存8位数据，则该存储器的容量是多少？
解：存储容量为64×8=512bit
[题7-16] 某字长为8的存储器容量为512KB，该存储器的地址线有多少根？
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解：该存储器的地址数为512K，所以地址线根数为19根。
[题7-17] 试用2片2048 x 4位的存储器组成2048 x 8位存储器，请画出逻辑图。解：按照题意有如下逻辑图。
..4..D0~D34D4~D7.U0D0~D3U1D0~D32k x4A10~A0R/WCSA10~A0..2k
x4A10~A0R/WCS11R/W..
[题7-18] 试用4片1K x 8位的存储器组成4K x 8位存储器，请画出逻辑图（地址译码采用74LS138）。
.8.D0~D7.U0D0~D7U1D0~D7U2D0~D7U3D0~D71k x8A9~A0R/WCSA9~A0R/WA10A11..1k
x8A9~A0R/WCS1k x8A9~A0R/WCS1k
x8A9~A0R/WCS10010123645A0A1A2G1G2AG2B74138Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7.15141312111097
[题7-19] 试用十六进制数写出如下存储器的最高地址。
（1）2K x 4 （2）32K x 8 （3）512K x 16 （4）1M x 8
解：（1）7FF （2）7FFF （3）7FFFF （4）FFFFF
[题7-20] 某单片机具有16根地址线，请回答该单片机的寻址范围是多少？解：0~65535或是0~FFFF。
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