浅谈光刻胶应用过程中的注意事项

浅谈光刻胶应用过程中的注意事项

前段时间一些使用我司光刻胶的客户反映，在使用光刻胶过程中存在这样，那样的问题，后来进一步了解，发现客户对光刻胶的使用过程中存在或多或少的容易忽视的地方，从而造成光刻效果不理想；下面我就简单的介绍一下光刻胶在应用过程中的一些注意事项。

1、保存：

光刻胶中的光敏组分是非常脆弱的，除了有温度的要求夕卜，对于储存时间和外包装材料有很严格的要求。一般使用棕色的玻璃

瓶包装，再套上黑色塑料袋，光刻胶确实是在半年内使用为好。过

期后最好同厂家沟通进行调换，因为只有生产商知道里面的组分，

才能进行产品的重新调整。还有就是光敏组分是广谱接受光反应

的，并不是仅仅紫外光能够使其失效，只是其它波长光需要的时间

长而已。

2、光刻胶的涂布温度：

光刻胶涂布温度一般要和你的室温相同，原因是与室温相同可以最大减少光刻胶的温度波动，从而减少工艺波动。而净化间室温

一般是23度，所以一般为23度，一般在旋涂的情况下，高于会中

间厚，低于会中间薄。同时涂布前，wafer

也需要冷板，保证每次涂布wafer的温度一致。

3、涂布时湿度的控制：

现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起，很多时候都只考虑此段的洁净度，而疏忽了该段的湿

度控制，使得光刻胶涂覆的良品率比较低，在显影时光刻

胶脱落严重，起不到保护阻蚀的效果。

4、涂胶后产品的放置时间的控制

在生产设备出现故障等特殊情况下，涂完光刻胶的产品需要保留，保留的时间一般不超过8小时，曝光前如已被感（即胶膜已失效），不能作为正品，需返工处理。

5、前烘温度和时间的控制

前烘的目的是促使胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥以增强胶膜与基板表面的粘附性和胶膜的耐磨性。曝光时，掩模版与光刻胶即使接触也不会损伤光刻胶膜和沾污掩模膜，同时只有光刻胶干净、在曝光时，光刻胶才能充分地和光发生反应。同时注意前烘的温度不能过高，过高会造成光刻胶膜的碳化，从而影响光刻效果。

一般情况下，前烘的温度取值比后烘坚膜温度稍低一些，时间稍短一些。

6、显影条件的控制

显影时必须控制好显影液的温度、浓度及显影的时间。在一定浓度下的显影液中，温度和时间直接影响的速度，若显影时间不足或温度低，则感光部位的光刻胶不能够完全溶解，留有一层光刻胶，在刻蚀时，这层胶会对膜面进行保护作用，使应该刻蚀的膜留下来。若显影时间过长或温度过高，显影时未被曝光部位的光刻胶也会被从边缘里钻溶。使图案的边缘变差，再严重会使光刻胶大量脱落，形成脱胶。

以上几点就是客户在使用光刻胶过程中容易忽视的地方，希望在今后使用过程中能引起重视，以便取得良好的光刻效果。

光刻胶的发展及应用

Vo.l14,No.16精细与专用化学品第14卷第16期 F i n e and Specialty Che m ica ls2006年8月21日市场资讯 光刻胶的发展及应用 郑金红* (北京化学试剂研究所,北京100022) 摘 要:主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。 关键词:集成电路;光刻胶;感光剂 D evelop m ent T rends and M arket of Photoresist Z HENG J in hong (Be iji ng Instit u te o f Che m ica l R eagents,Be iji ng100022,Chi na) Abstrac t:The deve l op m ent course and app licati on o f photoresist i n Chi na and abroad we re i ntroduced.The m arket sta t us and head i ng d irec tion o f pho toresist in Ch i na and abroad w ere also analyzed.T he research f o cuses and deve l op m ent trends of pho t o res i st i n Ch i na w ere descri bed. K ey word s:i n teg ra ted c ircuit;photoresist;photosensiti zer 光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工,同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,将光刻胶涂覆半导体、导体和绝缘体上,经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用,然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上。因此光刻胶是微细加工技术中的关键性化工材料。 现代微电子(集成电路)工业按照摩尔定律在不断发展,即集成电路(I C)的集成度每18个月翻一番;芯片的特征尺寸每3年缩小2倍,芯片面积增加1 5倍,芯片中的晶体管数增加约4倍,即每过3年便有一代新的集成电路产品问世。现在世界集成电路水平已由微米级(1 0 m)、亚微米级(1 0~0 35 m)、深亚微米级(0 35 m以下)进入到纳米级(90~65nm)阶段,对光刻胶分辨率等性能的要求不断提高。因为光刻胶的可分辨线宽 =k /NA,因此缩短曝光波长和提高透镜的开口数(NA)可提高光刻胶的分辨率。光刻技术随着集成电路的发展,也经历了从g线(436nm)光刻,i线(365nm)光刻,到深紫外248nm光刻,及目前的193nm光刻的发展历程,相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生。随着曝光波长变化,光刻胶的组成与结构也不断地变化,使光刻胶的综合性能满足集成工艺制程的要求。 表1为光刻技术与集成电路发展的关系,其中光刻技术的变更决定了光刻胶的发展趋势。 1 国外光刻胶发展历程及应用 光刻胶按曝光波长不同可分为紫外(300~ 450nm)光刻胶、深紫外(160~280n m)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。根据曝 24 *收稿日期:2006 07 19 作者简介:郑金红(1967 ),女,北京化学试剂研究所有机室主任,教授级高工,主要从事微电子化学品光刻胶的研究工作。

服务中注意事项

杜鹃商务山庄 工作注意事项 1、在山庄中不准大声讲话，不准有不雅之举，如用手触 摸头、脸或手置于口袋中等； 2、在服务中不准背对客人，不准斜触靠墙或服务台，不准跑步或行动迟缓，不准突然转身或停顿； 3、要预先了解客人的需要，避免聆听客人的闲聊，在不 影响服务的状况下才能与客人聊天，联络感情； 4、搞好工作场所的清洁，避免在客人面前做清洁工作， 勿将制服当抹布；勿置任何东西在干净的桌面上，以避免造成污损。溢泼出来的食物，饮料应马上清理；不可用手接触任何食物； 5、不准堆积过多的盘碟在茶水柜上，不准空手离开餐厅 到厨房，不准拿超负荷的餐具； 6、客人进入餐厅就餐时，以微笑迎接客人，根据年龄及 阶层，先服务女士，在服务时避免靠在客人身上； 8、在最后一位客人用完餐之后，不要马上清理杯盘，除 非是客人要求才进行清理； 9、所有掉在地上的餐具均需要更换，但需先送上干净的 餐具，然后在拿走弄脏的餐具； 10、客人入座时，主动上前协助拉开椅子，保持良好仪容、 仪表，有礼貌地接待客人，尽量记住常客的习惯与喜

好的菜式；熟悉菜单并仔细研究。 11、工作时，不得双手交叉抱胸或搔痒，不得在客人面 前打呵欠，忍不住打喷嚏或咳嗽时要使用手帕或面巾 纸，并事后马上洗手，不得在客人面前看手表； 12、不准与客人争吵，不准批评客人，对待小孩必须有耐 心，不得抱怨或不理睬，如小孩影响到别桌的客人， 应请他的父母加以劝导； 13、壶嘴不可对着客人，因为壶嘴对着客人是一种不礼 貌的行为； 14、转盘不可反转，每道菜都应从上菜口上，须顺时转 动转盘到主位并报菜名；面对门口的位置就是主位； 15、倒酒：不可反手倒酒，商标必须面对客人。白酒8分满，红酒3分满，啤酒8分满 16、服务站位，站在客人右侧为客人服务。 17、要手勤、脚勤、眼勤、口亲，及时为顾客提供服务； 18、上班时要精神集中，不准几个人凑在一起闲谈，不准做与工作无关的事； 19、保持良好的心态；遇到客人投诉应立即报告上级领导解决，尽量满足客人的合理要求； 20、善于运用礼貌语言，为客人提供最佳服务，做到文明有礼，掌握原则，有问必答。

中药应用注意事项特色技术注意事项样本

附录1: 中药应用注意事项 一、内服汤剂 1.服药时间 一般情况下每剂药分2～3次服用, 具体服药时间可根据药物的性能、功效、病情遵医嘱选择适宜的服药时间, 例如: 解表药、清热药宜饭前一小时服用, 服用解表剂应避风寒或增衣被或辅之以粥以助汗出; 消食化积药, 一般饭后服; 泻下药宜饭前服; 驱虫药应在早晨空腹服; 安神药宜睡前服; 补益药宜空腹服; 驱虫剂宜空腹服, 尤以睡前服用为妥, 忌油腻、香甜食物; 急诊用药遵医嘱。 2.服药温度 一般情况宜采用温服法, 对有特殊治疗需要的情况应遵医嘱服用。 3.服药剂量 成人一般每次服用200ml, 心衰及限制入量的患者每次宜服100ml, 老年人、儿童应遵医嘱服用。 二、内服中成药 1.内服中成药一般用温开水( 或药引) 送服, 散剂用水或汤药冲服。 2.用药前仔细询问过敏史, 对过敏体质者, 提醒医生关注。 3.密切观察用药反应, 对婴幼儿、老年人、孕妇等特殊人群尤应注意, 发现异常, 及时报告医生并协助处理。

4.服用胶囊不能锉碎或咬破; 合剂、混悬剂、糖浆剂、口服液等不能稀释, 应摇匀后直接服用; 如番泻叶、胖大海等应用沸水浸泡后代茶饮。 三、中药注射剂 1.用药前认真询问患者药物过敏史。 2.按照药品说明书推荐的调配要求、给药速度予以配置及给药。 3.中药注射剂应单独使用, 现配现用, 严禁混合配伍。 4.中西注射剂联用时, 应将中西药分开使用, 前后使用间隔液。 5.除有特殊说明, 不宜两个或两个以上品种同时共用一条静脉通路。 6.密切观察用药反应, 特别对老人、儿童、肝肾功能异常等特殊人群和初次使用中药注射剂的患者尤应加强巡视和监测, 出现异常, 立即停药, 报告医生并协助处理。 7.发生过敏反应的护理 ( 1) 立即停药, 更换输液管路, 通知医生。 ( 2) 封存发生不良反应的药液及管路, 按要求送检。 ( 3) 做好过敏标识, 明确告知患者及家属, 避免再次用药。 ( 4) 过敏反应治疗期间, 指导患者清淡饮食, 禁食鱼腥发物。 四、外用中药的使用 使用前注意皮肤干燥、清洁, 必要时局部清创。应注意观察用药后的反应, 如出现灼热、发红、瘙痒、刺痛等局部症状时, 应及时报告医师, 协助处理; 如出现头晕、恶心、心慌、气促等症状, 应

中医特色技术应用注意事项

中医特色技术应用注意事 项 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020

中医特色技术应用注意事项 一、耳穴贴压（耳穴埋豆）注意事项 1.遵医嘱实施耳穴埋豆，准确选择穴位。 2.护理评估 （1）耳部皮肤情况，有炎症、破溃、冻伤的部位禁用。 （2）对疼痛的耐受程度。 （3）女性患者妊娠期禁用。 3.用探针时力度应适度、均匀。准确探寻穴区内敏感点。 4.耳部75%酒精擦拭待干。 5.观察患者情况，若有不适应应立即停止，并通知医师配合处理。 6.常规操作以单耳为宜，一般可留置3~7天，两耳交替使用。指导患者正确按压。 7.观察 （1）耳穴贴是否固定良好。 （2）症状是否缓解或减轻。 （3）耳部皮肤有无红、肿、破溃等情况。 8.操作完毕后，记录耳穴埋豆的部位、时间及患者感受等情况。 二、艾灸注意事项

1.遵医嘱实施艾灸，选用适当的艾灸方式，如艾柱灸、艾条灸、艾盒灸等。 2.护理评估 (1)施灸的皮肤情况。 （2）患者对艾灸气味的接受程度。 （3）颜面部、大血管部位、孕妇腹部及腰骶部不宜施灸。 3.注意室内温度的调节，保持室内空气流通。 4.取合理体位，充分暴露施灸部位，注意保暖及保护隐私。 5.施灸部位宜先上后下，先灸头顶、胸背，后灸腹部、四肢。 6.施灸过程中询问患者有无灼痛感，调整距离，及时将艾灰弹入碗盘，防止灼伤皮肤。 7.注意施灸的时间，如失眠症要在临睡前施灸，不要在饭前空腹或饭后立即施灸。 8.施灸后局部皮肤出现微红灼热，属于正常现象。如灸后出现小水泡时，无需处理，可自行吸收。如水疱较大时，需立即报告医师，遵医嘱配合处理。 9.施灸完毕，立即将艾柱或艾条放置熄火瓶内，熄灭艾火。 10.初次使用灸法时，以小剂量、短时间为宜，待患者耐受后，逐渐加剂量。 11.操作完毕后，记录患者施灸额方式、部位、施灸处皮肤及患者感受等情况。 三、拔火罐注意事项 1.遵医嘱实施拔罐，正确选择拔罐部位及拔罐方法。

国外光刻胶及助剂的发展趋势

应用科技 国外光刻胶及助剂的发展趋势 中国化工信息中心 王雪珍编译 光刻是半导体产业常用的工艺，借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程，不过其所用化学品不同。 每一层集成电路芯片都需要不同图案的光掩膜。在一些高级的集成电路中，硅片经历了50多步非常精细的光刻工艺。在过去10年里，光刻费用飞速上涨，其中最重要的花费在半导体领域。光刻工艺花费了硅片生产大约35%的费用，一个典型的例子是，在一个价格在50万欧元（合65万美元）的90nm 的光掩膜技术中，其光刻机花费是1000万欧元（合 1300万美元）。而这个费用比例在以后的生产装置和工艺中 还将不断提高。 在半导体产业中，常用的光刻胶有正型光刻胶与负型光刻胶两种。正型光刻胶的销售额大概是负型光刻胶的100倍，这是因为正型光刻胶具有更高的分辨率，可以用于微小精细的电路，同时，正型光刻胶与等离子干法刻蚀技术的相容性也更好一些。 光刻胶根据其辐照源进行分类，对于光致抗蚀技术来说，集成电路的最小特征尺寸受光源波长所限。由于集成电路越来越小，因此新光源和光刻胶联合使用以达到这一目的。一项联合了曝光波长为248nm 和193nm 的技术可以得到高分辨率的图案，其结果甚至比90nm 曝光波长的技术要来得好一些。一些光学技术可以扩大这个范围，但是其最终限制条件是光的频率。 光刻胶技术和制造 光刻胶指光照后能具有抗蚀能力的高分子化合物，用于在半导体基件表面产生电路的形状。其配方通常是一个复杂的体系，主要包括感光物质（PAC ）、树脂和一些其他利于使用的材料如稳定剂、阻聚剂、粘度控制剂、染料、增塑剂和化学增溶剂等。 当光刻胶暴露在光源或者是紫外辐照源条件下时，其溶解度发生了改变：负型光刻蚀剂变为不溶，正型光刻胶变为可溶。大多数负型光刻蚀剂可以归为两种类型，一种是二元体系：大量的聚异戊二烯树脂和叠氮感光化合物；另外一种是一元体系：缩水甘油甲基丙烯酯和乙基丙烯酸酯的共聚物。前者是建立在酚醛树脂和重氮萘醌感光物质的基础之上的。使用248nm 曝光波长要求光刻胶使用乙酰氧基苯乙烯单体。通过4-乙酰氧基苯乙烯单体的自由基聚合，醋酸酯选择性地转换成酚醛，以及将其与其他反应性单体的化合，可以制备出许多用于远紫外光刻的聚合物。硅氧烷/硅倍半氧烷和碳氟化合物等材料在157nm 曝光波长时是相对透明的。 预计未来5年，使用聚羟基苯乙烯树脂的化学增幅抗蚀剂将成为主流。远紫外光刻胶也是基于聚甲基丙烯酸甲酯和氟化高分子或者是二者之一。 通常说来，感光化合物例如二芳基叠氮和重氮萘醌是易爆化学制品。所以，光刻胶的生产商一定要足够小心以防爆炸。目前用于负型光刻胶的有机溶剂和显影液对环境具有危害性，以致人们倾向于使用正型光刻胶。并且，其发展趋势是替换掉具有危害的溶剂，而选用对环境无污染的无毒产品。 在低密度远紫外辐照和其他替代i 线和g 线辐照源发展大趋势的刺激下，化学增幅抗蚀剂成为一个发展快速的热点领域。在化学增幅抗蚀剂领域，由于辐照源的匮乏，势必导致一种催化的东西产生，通常为中子源。在曝光的加热处理后，催化剂会引起树脂中组分发生复杂反应，这种反应将最终产生光刻图案。目前正型光刻胶体系和负型光刻胶体系都有了较好的发展。 集成电路 收稿日期：2009-04-23 作者简介：王雪珍（1983-），女，主要从事电子化学品、可降解塑料和食品添加剂的信息研究工作 。 12

服务过程中注意事项

服务过程中注意事项 1、上班前应注意自己的仪容、仪表（发型、胡子、口红、指 甲）、首饰等等。 2、上班前不可吃有异味的东西（葱、蒜、喝酒、吸烟等）。 3、上班时不可带情绪上班。 4、在任何情况下用或拿洒楼的物品应轻拿轻放。 5、迎接客人时，如有几名服务员同时在一起，问候客人时一 定异口同声说，在任何地方见到领导要打招呼。 6、在任何地方服务员与客人同时走路（或同时相遇时）一定 先让客人先行并微笑向客人打招呼。 7、当给客人上茶水时，茶水应注意滴到客人衣服或身上，并 茶壶嘴不可对着客人。 8、在服务过程中，不能对客人说“要”字，必须讲“需”来 点什么或用加点什么。 9、在点菜过程中，一定注明客人所提出的特殊要求，字迹要 清楚。 10、当点完菜时，应向客人叙述一遍菜单（如：海鲜的斤两、 做法等）。 11、当客人点完酒水，应让客人确认后，方可开瓶。 12、倒洒时，商标对着客人，从主人开始右边做起。 13、当打带气的饮料、酒水（如：可乐、雪碧、香宾等）不可

对着客人方向打开，则背对着客人，以免弄脏客人的衣服。 14、上菜时，应注意荤素、颜色的搭配，如有盘花的菜，盘花 应向转心或没有座客人的方向。 15、上汤、煲仔、火锅等比较烫类型的菜，下面都要放一个盘 或碟子。 16、无论是倒茶水、上菜，特别是上火锅、铁板时，一定要先 撤位，请客人让一下，不要在有小朋友的地方上。 17、上鱼时，鱼肚朝向客人。 18、在上菜过程中，菜需换小碟或分汤的要跟客人说一声。 19、当菜上齐时，一定告诉客人菜人菜已上齐。（在上菜过程中， 报菜名） 20、在撤台或当着客人时，盘与盘，碟与碟，杯与杯不能重放， 对客人不礼貌。 21、在摆台时，坏的、脏的台布、口布、餐具、玻璃器不许摆 台。 22、家私柜内不可放私人物品。 23、不准私自使用洒楼任何物品。 24、上班时间，不可做工作以外的事情，不能哼小曲、大声说 话，吵架、打架等行为。 25、任何情况下，不许对着客人打喷嚏、掏耳朵、摸头发等。 26、在服务过程中，手要保持清洁，不可用脏手给客人服务。 27、上班时，不能私自离开岗位。

光刻胶行业现状分析

光刻胶行业现状分析 ▌国产光刻胶现状 光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一，按应用领域可分为PCB（线路板）用、平板显示（LCD、LED）用和半导体用三类，目前国内市场上绝大多数厂商生产的产品为前两者。 在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，占芯片制造时间的40%~50%，光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料。 为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向g线（436nm）→i线（365nm）→KrF（248nm）→ArF（193nm）→F2（157nm）的方向转移，并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。 目前半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，其g线和i线光刻胶是市场上使用量最大的光刻胶。 半导体用光刻胶技术壁垒较高、市场高度集中，日美企业基本垄断了g/i线光刻胶、KrF/ArF光刻胶市场，生产商主要有JSR、信越化学工业、TOK、陶氏化学等。 国产光刻胶发展起步较晚，与国外先进光刻胶技术相比国内产品落后4代，目前主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD 光刻胶等中低端产品，虽然PCB领域已初步实现进口替代，但LCD 和半导体用光刻胶等高端产品仍需大量进口，正处于由中低端向中高端过渡阶段。 随着国家层面对半导体在资金、政策上的大力支持，国内光刻胶企业正在努力追赶，企业数量从2012年的5家增长到2017年15家，少数企业在中高端技术领域已取得一定突破。 其中半导体用光刻胶领域代表性企业有苏州瑞红和北京科华，两者分别承担了02专项i线（365nm）光刻胶和KrF线（248nm）光刻胶产业化课题。目前，苏州瑞红实现g/i线光刻胶量产，可以实现0.35μm的分辨率，248nm光刻胶中试示范线也已建成；北京科华KrF/ArF光刻胶已实现批量供货。 如今国际半导体产能正在逐渐向国内转移，受益于产业大趋势，国产光刻胶需求将日益提升，随着苏州瑞红、北京科华等企业在技术上的不断突破，国产化替代趋势愈加明显。

新技术应用保证措施

方案/措施报审表 原文编号：HDXMB-JZGS-CS-003/2007 NO:

编号：HDXMB-JZGS-CS-003/2007 霍林河电厂2×300MW机组工程 新技术应用保证措施 批准：年月日 审核：年月日 编制：年月日 东北电业管理局第四工程公司 年月日

新技术应用保证措施 （一）钢筋机械连接技术 我公司将在＃5、＃6空冷岛平台支柱钢筋施工中采用等强度直螺纹机械连接施工工艺。钢筋等强度直螺纹机械连接技术是新一代钢筋连接技术,它具有接头强度高、质量稳定、施工方便、连接速度快、应用范围广、综合经济效益好等优点。为使本期工程钢筋等强度直螺纹机械连接技术顺利应用，保证施工质量，我们制定以下方案，并对施工人员进行交底。 1 适用范围： 本技术适用于HRB335（II级）、HRB400及HRB400（III级）混凝土用热扎带肋钢筋直螺纹连接接头的制作。 2 施工准备： 2.1 钢筋的级别、直径（l8～40mm）必须符合设计要求及国家标准，并有出厂质量证明及复试报告。2.2 参加直螺纹接头施工人员必须进行技术培训，经考核合格后持证上岗操作。 2.3 钢筋应调直后再加工，切口端面宜与钢筋轴线垂直，端头弯曲、马蹄严重的应切去。 3 钢筋丝头加工： 3.1 按钢筋规格所对应的对刀棒调整好剥肋刀具的位置以及调整剥肋挡块及滚扎行程开关位置，保证剥肋段的直径和滚扎螺纹的长度符合表1的规定。 表1 单位：mm 为切削液加工丝头。 3.3 对全部钢筋丝头逐个进行检验，并切去不合格的丝头，查明原因并解决后重新加工螺纹。 3.4 检查合格的丝头应加以保护，在其端头加带保护帽，按规格分类堆放整齐。 4 现场连接施工： 4.1 连接钢筋时，钢筋规格和套筒的规格必须一致，套筒的丝扣应干净，完好无损。 4.1 剥肋滚扎直螺纹钢筋连接接头的连接，宜用检测合格的力矩扳手拧紧。 5 保证项目： 5.1 钢筋的品种和质量必须符合设计要求和有关标准的规定。 检查方法：检查出厂证明书和试验报告单。 5.2 钢筋螺纹接头套筒的材质、机械性能必须符合钢套筒标准的规定，表面不得有裂缝、折叠等缺陷。检查方法：检查出厂合格证及产品质量证明书。 5.3 机械接头的强度检验必须合格。符合《钢筋机械连接通用技术规程》JGJ107-2004的规定。 检查方法：检查试验报告单。

服务中的注意事项范文

服务中的注意事项范文 一、安全 1．穿着合适的鞋子以免滑倒和摔倒 2．不要匆忙或奔跑 3．警惕在你周围的人 4．以客为先，靠右走 5．不要在盘子上堆放过多的东西 6．当抬举重物时用腿部的力量而不是背部力量 7．手拿物品时，尽可能的作好自我保护 8．即使清洁溢出和残留的水滴 9．清楚地了解地板何处有水，并应用拖把拖干 10．勿用手直接触摸发热的物品，如：薯条炸炉等

11．知道灭火器的摆放位置和使用方法（基本和简单有效的消防知识） 12．取冰块是要用冰铲，不要直接用手或玻璃器皿 13．用托盘装载热的物品 14．打翻冰块应与任何渗水一样处理 15．如果抬举特别重物时，需要两个以上的人合作完成 二、坏习惯 1．身体依靠在家具、墙面或单脚站立 2．两手叉腰、两手插在口袋中或两手交叉 3．两腿不停的摇摆 4．站得离客人太远或太近，站在客人不易看见的地方

5．与客人说话时眼睛看着别处 6．走路太快、太慢或奔跑，两手放在背后，走路僵硬，走路看着地板 7．装着没有注意顾客需要服务，背对着顾客 8．触摸自己的头发和脸 9．挖鼻孔、咬或挖指甲 10．刮或磨擦家具 11．咬嘴唇 12．揉眼睛 13．营业场所内整理制服 14．营业场所内化妆 15．咀嚼口香糖或吃东西

16．玩手指并发出声音 17．显出厌烦的神态 18．打哈欠、打嗝、吐痰、打喷嚏不遮住脸，打击关节、吹口哨或大声唱歌 19．未经客人允许触碰客人的东西 20．营业场所口头禅里带秽语、粗口 服务中的注意事项[篇2] 1、在工作中DJ不允许接听与工作无关的电话 2、严禁挑客，私自离开服务房间，若客人要求换人或自己有特殊情况要求，应迅速私下找到房间负责经理报告，得到批准后（经理在服务监督卡上签字认可）才可离开。 3、严禁窜房，若有其它房间熟客需打招呼，须得到本房和进房负责经理同意，打招呼时间不得超过十分钟。

光刻胶知识简介

光刻胶知识简介 光刻胶知识简介: 一.光刻胶的定义(photoresist) 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。 二.光刻胶的分类 光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。 基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。 ①光聚合型 采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。 ②光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶. ③光交联型 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 三.光刻胶的化学性质 a、传统光刻胶：正胶和负胶。 光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。

中药应用注意事项、特色技术注意事项

附录1： 中药应用注意事项 一、内服汤剂 1.服药时间 一般情况下每剂药分2～3次服用，具体服药时间可根据药物的性能、功效、病情遵医嘱选择适宜的服药时间，例如：解表药、清热药宜饭前一小时服用，服用解表剂应避风寒或增衣被或辅之以粥以助汗出；消食化积药，通常饭后服；泻下药宜饭前服；驱虫药应在早晨空腹服；安神药宜睡前服；补益药宜空腹服；驱虫剂宜空腹服，尤以睡前服用为妥，忌油腻、香甜食物；急诊用药遵医嘱。 2.服药温度 一般情况宜采用温服法，对有特殊治疗需要的情况应遵医嘱服用。 3.服药剂量 成人一般每次服用200ml，心衰及限制入量的患者每次宜服100ml，老年人、儿童应遵医嘱服用。 二、内服中成药 1.内服中成药一般用温开水（或药引）送服，散剂用水或汤药冲服。 2.用药前仔细询问过敏史，对过敏体质者，提醒医生关注。 3.密切观察用药反应，对婴幼儿、老年人、孕妇等特殊人群

尤应注意，发现异常，及时报告医生并协助处理。 4.服用胶囊不能锉碎或咬破；合剂、混悬剂、糖浆剂、口服液等不能稀释，应摇匀后直接服用；如番泻叶、胖大海等应用沸水浸泡后代茶饮。 三、中药注射剂 1.用药前认真询问患者药物过敏史。 2.按照药品说明书推荐的调配要求、给药速度予以配置及给药。 3.中药注射剂应单独使用，现配现用，严禁混合配伍。 4.中西注射剂联用时，应将中西药分开使用，前后使用间隔液。 5.除有特殊说明，不宜两个或两个以上品种同时共用一条静脉通路。 6.密切观察用药反应，尤其对老人、儿童、肝肾功能异常等特殊人群和初次使用中药注射剂的患者尤应加强巡视和监测，出现异常，立即停药，报告医生并协助处理。 7.发生过敏反应的护理 （1）立即停药，更换输液管路，通知医生。 （2）封存发生不良反应的药液及管路，按要求送检。 （3）做好过敏标识，明确告知患者及家属，避免再次用药。 （4）过敏反应治疗期间，指导患者清淡饮食，禁食鱼腥发物。 四、外用中药的使用 使用前注意皮肤干燥、清洁，必要时局部清创。应注意观察

编程注意事项应用技巧

编程注意事项 1.转换图档到加工软件中,并确定其中X、Y、Z值.根据机床、材料特性选刀确定 转速、进给、下刀量 2.工件加工摆放方向，原则上X方向为长尺寸，Y方向为短尺寸。. 3.工件最高点移到Z零点有两个目的：防止程式里忘记设安全高度造成撞机及加 工深度反应刀具保守的加工深度。 4.根据实际情况,相应补面或删除面,如骨位铜公做加强面.镶件线割位OFFSET曲 面0.5mm(至少).以免刀具加工到线割面.尖角位置做R面,以免刀具在尖角损坏. 5.擦穿面留0.05mm余量FIT模用,有些重要面积小的擦穿面,留0.1mm余量.周边 的PL面加工到位,小模的后模PL面胶位出15mm避空0.08mm.大模避空 0.13mm. 6.钢料飞刀开粗时,Z下刀量0.5~0.7mm.铜料开粗时Z下刀量1mm~1.5mm(内部开 粗1.0mm,基准边开粗1.5mm),另如分中位异形的铜公,开粗时范围选非异形范围,分中位光刀时底部留1mm余量,以防开粗时铜公底余量卷碰到铜公. 7.精铣前必须用较小的直径的刀将角位的余量粗清角,无法清角的地方,必须做曲 面挡住,避免精铣时角位余量过多导致刀具损坏,要保证精铣时余量是均匀的. 8.UG软件用2D面铣时，容易过切侧面需在侧壁余留0.4mm防过切。 9.UG软件修剪过的刀路，退刀容易撞刀，建议不采用或者单独后处理。 10.U G软件的切削方式的跟随周边加工容易很多岛屿或角落没加工，建议用跟随 工件方式加工。 11.铜公粗\幼公的施工图分别用2张程式清单填写. 12.使用直径63R6、40R6、30R5飞刀开粗时，余量留侧壁单边0。6~0。8MM底 留0。3mm。不能出现踩刀现象，不能使用63R6加工范围较小的内型框。使用

餐厅服务员服务中注意事项 条

餐厅服务员服务中注意事项100条 1、服务中切记服务态度要热情； 2、上菜时拇指不得进盘中； 3、忌上菜时对着菜品讲话； 4、不得在客人面前与同事大声吼叫； 5、在餐厅可以快走，但不可以跑； 6、忌不及时为客人更换骨碟、烟缸； 7、要为客人拉椅让座； 8、要为客人接挂衣帽； 9、不要为客人左右开功的服务； 10、不要站在客人正面为客人服务； 11、不可在客人面前饮水； 12、不可离开本包房或本台客人过久； 13、不可在客人面前挖鼻孔、剔牙； 14、为客人上餐具，如酒杯时，不可留有手印； 15、不可将口布夹在腋下； 16、不可给客人上破损餐具； 17、不可用脏托盘为客人服务； 18、不可依靠墙壁无精打采； 19、不可忘记客人交待的事情； 20、及时为客人调换落在地上的餐巾或餐具； 21、不可背对客人；

22、服务中不可突然转身或停顿； 23、服务中不可跑步或行动迟缓； 24、不可议论客人； 25、上菜时要尽可能保持一个上菜口，不要随时更换； 26、带有佐料的菜：佐料先上，上在菜的右侧； 27、骨碟更换边撤边换，同步进行； 28、及时为客人斟倒酒水，不要等客人喊； 29、客人碰洒酒水要及时清理； 30、落在转盘上的菜及汤汁要及时清理； 31、收到菜单时，先检查是否有提前准备的餐具； 32、尽量记住常来客人的姓名、喜好； 33、为客服务时尽量不要打断客人的讲话； 34、当宾客斟酒时，服务员要准备好酒，随时为客人添加； 35、预先调好室内温度； 36、上菜后稍退一步报上菜名； 37、菜齐后要及时通知客人菜已齐； 38、菜齐时要及时问客是否需要主食，以免主食上的速度慢； 39、如遇汤羹类菜肴要及时为客人分羹； 40、所有食物均由右侧为客人上； 41、避免撤换餐具时碰撞发出声音； 42、不可在老人及儿童之间上菜； 43、不能用开水加汤，必须跟指定的汤；

光刻技术及其应用的状况和未来发展

光刻技术及其应用的状况和未来发展 光刻技术及其应用的状况和未来发展1 引言 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一，一方面在过去的几十年中发挥了重大作用；另一方面，随着光刻技术在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等，寻找解决技术障碍的新方案、寻找COO更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径，去支持产业的进步也显得非常紧迫，备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样，上世纪基本上3～5年修正一次，而进入本世纪后，基本上每年都有修正和新的版本出现，这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。如图1所示，是基于2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案的预测。也正是基于这一点，新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开，大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。因此，正确把握光刻技术发展的主流十分重要，不仅可以节省时间和金钱，同时可以缩短和用户使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间，因为光刻技术开发的投入比较庞大。 2 光刻技术的纷争及其应用状况 众说周知，电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是"轻、薄、短、小"，这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率，即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度，以满足产业发展的需求；另一方面，光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响，这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下，具有较低的COO和COC。因此，光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 以Photons为光源的光刻技术 2.1 以Photons为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中，以光子为基础的光刻技术种类很多，但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就，而且是目前产业中使用最多的技术，特别是前两种技术，在半导体工业的进步中，起到了重要作用。 紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫外(350～450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线，特别是波长为365nm的i线为光源，配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正技术(OPC)等等，可为0.35～0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障，在目前任何一家FAB中，此类设备和技术会占整个光刻技术至少50％的份额；同时，还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光学系统的结构方面，有全反射式(Catoptrics)投影光学系统、折反射式(Catadioptrics)系统和折射式(Dioptrics)系统等，如图2所示。主要供应商是众所周知的ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH 和SUSS MICROTECH等等。系统的类型方面，ASML以提供前工程的l:4步进扫描系统为主，分辨率覆盖0.5～0.25μm：NIKON以提供前工程的1：5步进重复系统和LCD的1：1步进重复系统为主，分辨率覆盖0.8～0.35μm和2～0.8μm；CANON以提供前工程的1：4步进重复系统和LCD的1：1步进重复系统为主，分辨率也覆盖0.8～0.35μm和1～0.8μm；ULTRATECH以提供低端前工程的1：5步进重复系统和特殊用途(先进封装／MEMS／，薄膜磁头等等)的1：1步进重复系统为主；而SUSS MICTOTECH以提供低端前工程的l：1接触／接近式系统和特殊用途(先进封装／MEMS／HDI等等)的1：1接触／接近式系为主。另外，在这个领域的系统供应商还有USHlO、TAMARACK和EV Group等。 深紫外技术

附录2特色技术应用注意事项 国家中医药管理局中医护理方案

附录2： 特色技术应用注意事项 一、耳穴贴压（耳穴埋豆）注意事项 1.遵医嘱实施耳穴埋豆，准确选择穴位。 2.护理评估 （1）耳部皮肤情况，有炎症、破溃、冻伤的部位禁用。 （2）对疼痛的耐受程度。 （3）女性患者妊娠期禁用。 3.用探针时力度应适度、均匀，准确探寻穴区内敏感点。 4.耳部75%酒精擦拭待干。 5.观察患者情况，若有不适应立即停止，并通知医师配合处理。 6.常规操作以单耳为宜，一般可留置3～7天，两耳交替使用。指导患者正确按压。 7.观察 （1）耳穴贴是否固定良好。 （2）症状是否缓解或减轻。 （3）耳部皮肤有无红、肿、破溃等情况。 8.操作完毕后，记录耳穴埋豆的部位、时间及患者感受等情况。 二、艾灸注意事项 1.遵医嘱实施艾灸，选用适当的艾灸方式，如艾柱灸、艾条灸、艾盒灸等。 2.护理评估

（1）施灸的皮肤情况。 （2）患者对艾灸气味的接受程度。 （3）颜面部、大血管部位、孕妇腹部及腰骶部不宜施灸。 3.注意室内温度的调节，保持室内空气流通。 4.取合理体位，充分暴露施灸部位，注意保暖及保护隐私。 5.施灸部位宜先上后下，先灸头顶、胸背，后灸腹部、四肢。 6.施灸过程中询问患者有无灼痛感，调整距离，及时将艾灰弹入弯盘，防止灼伤皮肤。 7.注意施灸的时间，如失眠症要在临睡前施灸，不要在饭前空腹或饭后立即施灸。 8.施灸后局部皮肤出现微红灼热，属于正常现象。如灸后出现小水泡时，无需处理，可自行吸收。如水疱较大时，需立即报告医师，遵医嘱配合处理。 9.施灸完毕，立即将艾柱或艾条放置熄火瓶内，熄灭艾火。 10.初次使用灸法时，以小剂量、短时间为宜，待患者耐受后，逐渐增加剂量。 11.操作完毕后，记录患者施灸的方式、部位、施灸处皮肤及患者感受等情况。 三、拔火罐注意事项 1.遵医嘱实施拔罐，正确选择拔罐部位及拔罐方法。 2.护理评估 （1）拔罐部位的皮肤情况，有皮肤溃疡、水肿、毛发较多处及大血管处不宜拔罐。

浅谈光刻胶应用过程中的注意事项

浅谈光刻胶应用过程中的注意事项 前段时间一些使用我司光刻胶的客户反映，在使用光刻胶过程中存在这样，那样的问题，后来进一步了解，发现客户对光刻胶的使用过程中存在或多或少的容易忽视的地方，从而造成光刻效果不理想；下面我就简单的介绍一下光刻胶在应用过程中的一些注意事项。 1、保存： 光刻胶中的光敏组分是非常脆弱的，除了有温度的要求外，对于储存时间和外包装材料有很严格的要求。一般使用 棕色的玻璃瓶包装，再套上黑色塑料袋，光刻胶确实是在半 年内使用为好。过期后最好同厂家沟通进行调换，因为只有 生产商知道里面的组分，才能进行产品的重新调整。还有就 是光敏组分是广谱接受光反应的，并不是仅仅紫外光能够使 其失效，只是其它波长光需要的时间长而已。 2、光刻胶的涂布温度： 光刻胶涂布温度一般要和你的室温相同，原因是与室温相同可以最大减少光刻胶的温度波动，从而减少工艺波动。而 净化间室温一般是23度，所以一般为23度，一般在旋涂的 情况下，高于会中间厚，低于会中间薄。同时涂布前，wafer 也需要冷板，保证每次涂布wafer的温度一致。 3、涂布时湿度的控制： 现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起，很多时候都只考虑此段的洁净度，而疏忽了该段的湿 度控制，使得光刻胶涂覆的良品率比较低，在显影时光刻 胶脱落严重，起不到保护阻蚀的效果。

4、涂胶后产品的放置时间的控制 在生产设备出现故障等特殊情况下，涂完光刻胶的产品需要保留，保留的时间一般不超过8 小时，曝光前如已被感（即 胶膜已失效），不能作为正品，需返工处理。 5、前烘温度和时间的控制 前烘的目的是促使胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥以增强胶膜与基板表面的粘附性和胶膜的耐磨性。曝光时，掩模 版与光刻胶即使接触也不会损伤光刻胶膜和沾污掩模膜，同 时只有光刻胶干净、在曝光时，光刻胶才能充分地和光发生 反应。同时注意前烘的温度不能过高，过高会造成光刻胶膜 的碳化，从而影响光刻效果。一般情况下，前烘的温度取值 比后烘坚膜温度稍低一些，时间稍短一些。 6、显影条件的控制 显影时必须控制好显影液的温度、浓度及显影的时间。在一定浓度下的显影液中，温度和时间直接影响的速度，若显 影时间不足或温度低，则感光部位的光刻胶不能够完全溶解， 留有一层光刻胶，在刻蚀时，这层胶会对膜面进行保护作用， 使应该刻蚀的膜留下来。若显影时间过长或温度过高，显影 时未被曝光部位的光刻胶也会被从边缘里钻溶。使图案的边 缘变差，再严重会使光刻胶大量脱落，形成脱胶。 以上几点就是客户在使用光刻胶过程中容易忽视的地方，希望在今后使用过程中能引起重视，以便取得良好的光刻效果。

作业中操作技术和安全注意事项示范文本

作业中操作技术和安全注意事项示范文本 In The Actual Work Production Management, In Order To Ensure The Smooth Progress Of The Process, And Consider The Relationship Between Each Link, The Specific Requirements Of Each Link To Achieve Risk Control And Planning 某某管理中心 XX年XX月

作业中操作技术和安全注意事项示范文 本 使用指引：此管理制度资料应用在实际工作生产管理中为了保障过程顺利推进，同时考虑各个环节之间的关系，每个环节实现的具体要求而进行的风险控制与规划，并将危害降低到最小，文档经过下载可进行自定义修改，请根据实际需求进行调整与使用。 a．合上地面电源单独的电源开关，关门，合上吊笼内 的三相开关，然后揿按欲去方向的按钮，电梯起动（操纵 杆式应把操纵杆推向欲去的方向位置并保持在这一位置 上）。按钮式开关按摿銛号位电梯停车（操纵杆式手一松 自动停车），在顶部和底部电梯停靠站时不准有限位撞板 来自动停车。 b．对于变速电梯，电梯停靠前，要把开关转到低速档 后再停车。 c．电梯在每班首次运行时，必须从最低层上开，严禁 自上而下。当吊笼升离地面1～2m时，要停车试验制动器 性能。如发生不正常，及时修复后方准使用。

d．轿厢内乘人、装物时，载荷要均匀分布，防止偏重；严禁超载运行乘人不载物时，额定载重每吨不得超过12人；轿厢顶上不得载人或货物（安装除外）。 e．电梯应装有可靠的通讯装置，与指挥联系密切，根据信号操作。开车前必须响铃鸣声示警，在电梯停在高处或在地面未切断电源开关前，操作人员不得离开操作岗位，严禁无证开机。 f．电梯在运行中如发现机械有异常情况，应立即停机并采取有效措施装梯笼降到底层，排除故障后方可继续运行。在运行中发现电气失控时，应立即按下急停按钮，在未排除故障前，不得打开急停按钮。检修均应由专业人员进行，不准擅自检修。如暂时维修不好，在乘人时应设法将人先送出轿厢（通过轿厢顶部天窗出入口爬到脚手架或楼层内）。 g．电梯运行中不准开启轿厢门，乘人不应倚靠轿厢

光刻胶大全

光刻胶产品前途无量（半导体技术天地） 1 前言 光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况 随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR 系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。 2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额 公司 2001年收益 2001年市场份额（%） 2000年收益 2000年市场份额（%） Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他 122.2 18.5 171.6 20.0 总计 662.9 100.0 859.4 100.0 Source: Gartner Dataquest 目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25μm～0.18μm的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。中国专利