IC命名规则
发表于 2007-9-19 14:23:57
分享：IC封装命名规则
1、BGA(ball grid array)
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以
代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸
点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚
BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不
用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可
能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有
一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，
由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为
GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以
防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用
此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)
表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有
玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心
距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗
口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～
2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、
0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为
QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基
板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆
盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片
焊技术。
焊技术。
9、DFP(dual flat package)
双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(dual in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
11、DIL(dual in-line)
DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dual in-line package)
双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm
和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，
只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(dual small out-lint)
双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dual tape carrier package)
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利
用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工
业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
15、DIP(dual tape carrier package)
同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采
用此名称。
17、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点
与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技
术中体积最小、最薄的一种。
但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠
性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采
用此名称。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的
底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半
导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadless chip carrier)
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高
速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
25、LGA(land grid array)
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已
实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑 LSI 电路。
LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗
小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计 今后对其需求会有所增加。
26、LOC(lead on chip)
芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的
中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP
外形规格所用的名称。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。
封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chip module)
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分
为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。
MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使
用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为
0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷
条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。
33、MSP(mini square package)
QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引
脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
39、PGA(pin grid array)
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采
用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑
陈列引脚封装。插装型封装之，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采
用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。
了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料PGA。
另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装
型PGA)。
40、piggy back
驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设
备时用于评价程序确认操作。例如，将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制 品，市场上不怎么流通。
封装命名规则
华立仪表集团股份XX企业标准受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则2014-12- 发布2014-01-01实施
华立仪表集团股份X X发布 前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X。 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发提出 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发起草并负责解释。
1X围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规X 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 以下命名规则中的n和xxx个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。(XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n(xxx) 器件大类 备注
序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C 备注 序列号 C—1 第一个电容原理图符号 C—2（+）第二个电容原理图符号，并说明是有极性电容符号 电感命名规则 L D 备注 引脚数序列号 L—2D1 引脚数为2的第一个电感原理图符号 二极管与三极管命名规则 D －x D 器件大类 备注 引脚数序列号 D—2D1 引脚数为2的第一个二三极管原理图符号 D—2D2（Zener）引脚数为2的第二个二三极管原理图符号，并说明是个稳压管D—3D1 (PNP) 引脚数为3的第一个二三极管原理图符号，并说明是个PNP三极管 集成块命名规则 U －nnnnnn(xx) 器件大类 备注引脚数 器件型号 U—ADE7755(24)
PCB封装库命名规则
封装库的管理规范 修订履历表 版本号变更日期变更内容简述修订者审核人V1.00 初次制定杨春萍 一。元件库的组成 1.1 原理图Symbol库 原理图Symbol库分为STANDARD_LIB.OLB和TEMPORARY_LIB.OLB，用于标准库和临时库的区分； 1.2 PCB的Footprint库 PCB封装库只有一个文件夹，里面包括所有的封装和焊盘。 二、元件Ref缩写列表 常用器件的名称缩写作如下规定： 集成芯片 U 电阻 R 排阻 RN 电位器 RP 压敏电阻 RV 热敏电阻RT 无极性电容、大片容C 铝电解CD
钽电容CT 可变电容 CP 二极管 D 三极管 Q ESD器件(单通道)D MOS管 MQ 滤波器 Z 电感L 磁珠 FB 霍尔传感器 SH 温度传感器 ST 晶体Y 晶振 X 连接器J 接插件 JP 变压器 T 继电器 K 保险丝 F 过压保护器 FV 电池 GB 蜂鸣器 B 开关 S 散热架 HS 生产测试点：TP/TP_WX1 信号测试点：TS 螺丝孔 HOLE 定位孔：H 基标：BASE 三、元件属性说明 为了能够将元件信息完全可以录入ORCAD的元件信息系统（CIS）中，根据器件的特性，建库申请人还应将相应的信息（但不仅限于以下信息）提供给库管理员。 元件属性如下： Value：器件的值，主要是电阻、电容、电感； Tolerance：公差，主要指电阻、电容的精度等级；晶体、钟振的频偏范围； C_Voltage：电压，主要指电容的额定电压，晶体、钟振的供电电压； Wattage：功率，主要是电阻的额定功率； Dielectric：电容介质种类，如NPO、X7R、Y5V等等 Temperature：使用温度 Life：使用寿命 CL：容性负载，主要针对晶体来说 Current：电流，电感、磁珠的额定电流 Resonace frequency：电感的谐振频率
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
封装命名规则
封装命名规则
华立仪表集团股份有限公司企业标准 受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则 2014-12- 发布 2014-01-01实施 华立仪表集团股份有限公司发布
前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范。 本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发提出本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发起草并负责解释。
1范围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规范 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 类别编码类别编码类别编码
电阻器R 晶振G 导线组件X 电容 C 光耦 E 变压器T 电感L 开关K 互感器H 二极管和三极 D 电池（组件） B 稳压器、桥堆V 管 继电器（组件）、 J 集成块U 液晶Y 计度器 光电晶体管Q 背光组件P 接插件S 蜂鸣器 F 滤波谐振器Z 其它 A 其它变压器TT 以下命名规则中的n和xxx 个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。 (XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n (xxx) 器件大类 备注 序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C －n (xxx) 器件大类 备注
电子元件分类与编码标准
电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特 殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明： ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 空位（环保区分时备 用） ｜ ｜ ｜ ｜ 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 元件种类/电气参数/型号 ｜ ｜ 供应商名代码 ｜ 物品代码 注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例： RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）: 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL
AllegroPCB设计pad封装和元器件封装命名规范
基本术语 SMD:Surface Mount Devices/表面贴装元件。 RA：Resistor Arrays/排阻。 MELF：Metal electrode face components/金属电极无引线端面元件. SOT：Small outline transistor/小外形晶体管。 SOD：Small outline diode/小外形二极管。 SOIC：Small outline Integrated Circuits/小外形集成电路. SSOIC:Shrink Small Outline Integrated Circuits/缩小外形集成电路. SOP:Small Outline Package Integrated Circuits/小外形封装集成电路. SSOP:Shrink Small Outline Package Integrated Circuits/缩小外形封装集成电路. TSOP:Thin Small Outline Package/薄小外形封装. TSSOP:Thin Shrink Small Outline Package/薄缩小外形封装. CFP:Ceramic Flat Packs/陶瓷扁平封装. SOJ:Small outline Integrated Circuits with J Leads/“J”形引脚小外形集成电路. PQFP：Plastic Quad Flat Pack/塑料方形扁平封装。 SQFP：Shrink Quad Flat Pack/缩小方形扁平封装。 CQFP：Ceramic Quad Flat Pack/陶瓷方形扁平封装。 PLCC：Plastic leaded chip carriers/塑料封装有引线芯片载体。 LCC：Leadless ceramic chip carriers/无引线陶瓷芯片载体。 DIP：Dual-In-Line components/双列引脚元件。 PBGA：Plastic Ball Grid Array/塑封球栅阵列器件。 1使用说明 外形尺寸：指元件的最大外型尺寸。 主体尺寸：指元件的塑封体的尺寸=长度X宽度。 尺寸单位：英制单位为mil，公制单位为mm。 小数点的表示：在命名中用“p”代表小数点。例如：1.0表示为1p0。 注：当不同物料的封装图形名称相同时，且描述的内容不同时，可在名称后面加-1，-2等后缀加以区分。 作者：wugehao
电子元器件的命名
电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.sodocs.net/doc/b16490080.html,掌柜） 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.
PCB元器件封装命名规则
PIC 是单片机的一种，比如51单片机，avr单片机；而每个厂家制作的单片机都要给其起名字，名字里会有许多信息，具体的信息你可以在搜狗或百度打“pic命名规则”，或到相应公司网站查查 PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1．前缀: PIC MICROCHIP 公司产品代号，特别地：dsPIC为集成DSP功能的新型PIC单片机 2．系列号:10、12、16、18、24、30、33、32，其中 PIC10、PIC12、PIC16、PIC18为8位单片机 PIC24、dsPIC30、dsPIC33为16位单片机 PIC32为32位单片机 3．器件型号（类型）： C CMOS 电路 CR CMOS ROM LC 小功率CMOS 电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速CMOS FR FLEX ROM 4．改进类型或选择 54A 、58A 、61 、62 、620 、621 622 、63 、64 、65 、71 、73 、74 42 、43 、44等 5．晶体标示： LP 小功率晶体， RC 电阻电容， XT 标准晶体/振荡器 HS 高速晶体 6．频率标示： -20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ -20 20MHZ， -25 25MHZ， -33 33MHZ 7．温度范围： 空白 0℃至70℃， I -45℃至85℃， E -40℃至125℃ 8．封装形式：
L PLCC 封装 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口 P 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装 W 大圆片 SL 14腿微型封装-150mil JN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207mil SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口 SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装 TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装
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精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
芯片命名规则
IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。 一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分： ◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品 ◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量） ◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等 ◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容： ◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示 ◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等 ◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等 ◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本 ◆.该产品的状态 举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品 MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品 详细的型号解说请到相应公司网站查阅。 IC命名和封装常识 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice （莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice 一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识： AM29LV 640 D（1）U（2）90R WH（3）I（4） 1：表示工艺：
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
PCB元件库SCH元件库命名规则
PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片） 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装 如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号 如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距 如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径 如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管
PCB封装库命名规则
P C B封装库命名规则 WTD standardization office【WTD 5AB- WTDK 08- WTD 2C】
封装库的管理规范 修订履历表 一。元件库的组成 原理图Symbol库 原理图Symbol库分为和，用于标准库和临时库的区分； PCB的Footprint库 PCB封装库只有一个文件夹，里面包括所有的封装和焊盘。 二、元件Ref缩写列表 常用器件的名称缩写作如下规定： 集成芯片 U 电阻 R 排阻 RN
电位器 RP 压敏电阻 RV 热敏电阻RT 无极性电容、大片容C 铝电解CD 钽电容CT 可变电容 CP 二极管 D 三极管 Q ESD器件(单通道)D MOS管 MQ 滤波器 Z 电感L 磁珠 FB 霍尔传感器 SH 温度传感器 ST 晶体Y 晶振 X 连接器J 接插件 JP 变压器 T 继电器 K
保险丝 F 过压保护器 FV 电池 GB 蜂鸣器 B 开关 S 散热架 HS 生产测试点：TP/TP_WX1 信号测试点：TS 螺丝孔 HOLE 定位孔：H 基标：BASE 三、元件属性说明 为了能够将元件信息完全可以录入ORCAD的元件信息系统（CIS）中，根据器件的特性，建库申请人还应将相应的信息（但不仅限于以下信息）提供给库管理员。 元件属性如下： Value：器件的值，主要是电阻、电容、电感； Tolerance：公差，主要指电阻、电容的精度等级；晶体、钟振的频偏范围； C_Voltage：电压，主要指电容的额定电压，晶体、钟振的供电电压； Wattage：功率，主要是电阻的额定功率； Dielectric：电容介质种类，如NPO、X7R、Y5V等等 Temperature：使用温度
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1，2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 （箔 ） 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器 第一部分（材 料） 第二 部分 分类 （第 三部 分） （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第四 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第五 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装
瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质
常用元件封装命名规则
常用元件封装命名规则 一、说明 元件库中所有0402、0603、0805、1206封装均采用IPC元件库中的封装，其他为自建元件库。(注意公英制转换,常用的标准封装都已经收集了) 鉴于很多元件DA TASHEET对于元件封装的命名不同，导致整个PCB封装库没有一个命名标准,故整理一个常用元件封装标准出来,以供参考使用。1、电阻：A、表贴标准电阻，以SR+封装尺寸代号命名。例6032：SR6032。B、插装标准电阻，以AXIAL+封装尺寸代号命名。例300MIL的插装电阻AXIAL0.3。C、电位器、功率电阻根据具体封装结合DA TASHEET来命名。2、电容：A、表贴标准电阻，以SC+封装尺寸代号命名。例6032：SC6032。B、插装标准电阻： 轴向电容以RAD+封装尺寸代号命名。例300MIL的插装电容RAD0.3 径向电容以RB+封装尺寸代号命名。例400MIL的圆柱形电容RB.2.4 C、其它电容根据具体封装结合DA TASHEET来命名。3、双排表贴标准封装命名规则：SOP(引脚数)+脚间距+元件的宽度(同一水平位置PIN与PIN最大距离) 例0.5脚间距宽度400MIL的20引脚的元件SOP20-50-400 4、双排插装标准封装命名规则：(指DIP一类的,DIP24以后有300和600宽度两种。) A、300MIL宽度的DIP命名DIP+引脚数例10脚DIP元件DIP10 B、600MIL 宽度的DIP命名DIP+引脚数+W 例24脚DIP元件DIP24-W 5、PLCC封装命名规则：PLCC+引脚数6、QFP一类封装命名规则：A、四面引脚数目相同：QFP(引脚数)+脚间距+元件的宽度(同一水平位置PIN与PIN最大距离) B、四面引脚数目不相同：QFP(引脚数)+脚间距+元件的宽度(同一水平位置PIN与PIN最大距离)+元件的高度7、BGA一类封装命名规则：BGA引脚数+节距+行数X列数(如果行数与列数相同则只取行数) 8、PGA与BGA 相同。9、标准2.54间距单排插针封装命名规则：(丝印距焊盘中心为1.27) SIP+引脚数10、标准2.54间距单排插针封装命名规则：(丝印距焊盘中心为1.27) IDC+引脚数11、电感封装命名规则：普通表贴L+封装尺寸代号命名。例L6032。其它根据具体封装结合DA TASHEET来命名。 其他封装命名根据实际情况结合DATASHEET或根据元件来命名。例CF卡封装CF 二、分类 1、集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装
元器件封装命名规范
元器件封装命名规范
前言 概述：本文主要描述元器件的封装命名原则。关键词：封装、命名
1.贴装器件 (5) 1.1贴装电容SC （不含贴装钽电容） (5) 1.2贴装二极管（含发光二极管）SD (5) 1.3贴装保险管（含管座）SF (5) 1.4贴装电感SL（不含贴装功率电感 (5) 1.5贴装电阻SR (5) 1.6贴装晶体（含晶体振荡器）SX (6) 1.7小外形晶体管SOT (6) 1.8贴装功率电感SPL (6) 1.9贴装阻排SRN (6) 1.10贴装钽电容STC (6) 1.11球栅阵列BGA (7) 1.12四方扁平封装IC QFP (7) 1.13J引线小外形封装IC SOJ（不含引脚外展式IC） (7) 1.14小外形封装IC SOP (7) 1.15塑封有引线载体（含插座）PLCC (7) 1.16贴装滤波器SFLT (8) 1.17贴装锁相环SPLL (8) 1.18贴装电位器SPOT (8) 1.19贴装继电器SRLY (8) 1.20贴装电池SBAT (8) 1.21贴装变压器STFM (9) 1.22贴装拨码开关SDSW (9) 2.插装器件 (9) 2.1插装无极性电容器CAP (9) 2.2插装有极性圆柱状电容器CAPC (9) 2.3插装有极性方形电容器CAPR (10) 2.4插装二极管DIODE (10) 2.5插装保险管（含管座）FUSE (10) 2.6插装电感器IND (10) 2.7插装电阻器RES (10)
2.8插装晶体XTAL (11) 2.9插装振荡器OSC (11) 2.10插装滤波器FLT (11) 2.11插装电位器POT (11) 2.12插装继电器RLY (11) 2.13插装变压器TFM (12) 2.14插装蜂鸣器BUZZLE (12) 2.15插装LED显示器LED (12) 2.16插装电池BAT (12) 2.17插装电源模块PW (12) 2.18插装传感器SEN (12) 2.19双列直插封装(不含厚膜) DIP (13) 2.20单列直插封装(不含厚膜) SIP (13) 2.21针状栅格阵列封装PGA (13) 2.22双列直插封装厚膜HDIP (13) 2.23单列直插封装厚膜HSIP (13) 2.24插装晶体管TO (14) 2.25开关 (14) 3.插装连接器 (14) 3.1同轴电缆连接器COX (14) 3.2D型电缆连接器DB (15) 3.3电源连接器PWC (15) 3.4视频连接器VDC (15) 3.5音频连接器ADC (15) 3.6USB连接器USB (16) 3.7网口连接器RJ45 (16) 3.8插座PMR (16)
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则 2，电容器
5，半导体二、三极管 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
PCB封装命名规则
Protel 元件封装电阻AXIAL 无极性电容RAD 电解电容RB- 电位器VR 二极管DIODE 三极管TO 电源稳压块78和79系列TO－126H和TO-126V 场效应管和三极管一样 整流桥D－44 D－37 D－46 单排多针插座CON SIP(搜索con可找到任何插座) 双列直插元件DIP 晶振XTAL1 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板 上了。 关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了 固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下： 晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但 实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有 可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-5 2等等，千变万化。 还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω